JP5747085B2 - 太陽電池 - Google Patents
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Description
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、エネルギー変換効率が高い太陽電池を提供する。
本発明によれば、超格子半導体層は、障壁層と複数の量子ドットを含む量子ドット層とを交互に繰り返し積層した超格子構造を有するため、超格子半導体層は、障壁層の禁制帯中に中間エネルギー準位を有することができる。また超格子半導体層は、中間エネルギー準位を少なくとも2つ有する。このため、超格子半導体層は、障壁層の禁制帯により吸収される光より長い波長の光を利用して、障壁層の価電子帯の電子を中間エネルギー準位を介して障壁層の伝導帯に励起することが可能となり、光電変換効率を向上させることができる。
本発明において、超格子構造とは、共に半導体材料からなるが、バンドギャップを異にする障壁層と量子ドット層とが繰り返し積層された構造である。量子ドット層の電子の波動関数が隣接量子ドット層の電子の波動関数と大きく相互作用しても良い。
本発明において、量子ドットとは、100nm以下の粒子サイズを有する半導体微粒子であり、量子ドットを構成する半導体よりもバンドギャップの大きい半導体で囲まれた微粒子である。
本発明において、障壁層とは、量子ドットを構成する半導体材料よりも広いバンドギャップを有する半導体材料からなり、量子ドットの周りのポテンシャル障壁を形成する。
本発明において、中間エネルギー準位とは、障壁層の価電子帯の上端と障壁層の伝導帯の下端との間に、量子ドットまたは障壁層の価電子帯から光励起された電子が一定時間存在し得るエネルギー準位であり、量子ドットの1つまたは複数の量子準位から形成される。中間エネルギー準位とは、例えば、中間バンドや局在準位である。また、超格子半導体層が有する中間エネルギー準位は、すべて量子ドットの伝導帯側の1つまたは複数の量子準位から形成されてもよい。また、超格子半導体層が有する中間エネルギー準位のうち、1つの中間エネルギー準位は、量子ドットの価電子帯側の1つまたは複数の量子準位から形成され、他の中間エネルギー準位は、量子ドットの伝導帯側の1つまたは複数の量子準位から形成されてもよい。
本発明において、局在準位とは、前記障壁層を構成する半導体において、禁制帯の中間に形成されるエネルギー準位であるが、1つに繋がっていないエネルギー準位をいう。なお、ポテンシャル障壁に囲まれた量子ドットに形成される電子の離散的なエネルギー準位を量子準位ともいう。また、量子準位のことを量子エネルギー準位ともいう。
本発明において、活性化されたn型ドーパントとは、ドーパント原子1個から電子1個が取り出され、ドーパント原子が1価の陽イオンになることをいう。超格子半導体層中において、ドーパント原子から取り出された電子は、中間エネルギー準位に存在することが好ましい。また1価の陽イオンになっているドーパント原子と陽イオンになっていないドーパント原子の比を活性化率という。
このような構成によれば、本発明者らの実験により明らかになったように、適切な数の電子を存在させることができ、障壁層または量子ドットの価電子帯の電子を中間エネルギー準位を介して障壁層の伝導帯に効率よく光励起することができ、太陽電池の光電変換効率を向上させることができる。
本発明の太陽電池において、前記超格子半導体層は、前記中間エネルギー準位を2つ有し、前記超格子半導体層は、各中間エネルギー準位の状態密度の和の0.1倍以上1.5倍以下である原子濃度で活性化されたn型ドーパントを含むことが好ましい。
このような構成によれば、量子ドットに適切な数の電子を存在させることができ、障壁層または量子ドットの価電子帯の電子を中間エネルギー準位を介して障壁層の伝導帯に効率よく光励起することができ、太陽電池の光電変換効率を向上させることができる。
本発明の太陽電池において、前記超格子半導体層は、前記中間エネルギー準位を3つ有し、前記超格子半導体層は、各中間エネルギー準位の状態密度の和の0.13倍以上1.20倍以下である原子濃度で活性化されたn型ドーパントを含むことが好ましい。
このような構成によれば、量子ドットに適切な数の電子を存在させることができ、障壁層または量子ドットの価電子帯の電子を中間エネルギー準位を介して障壁層の伝導帯に効率よく光励起することができ、太陽電池の光電変換効率を向上させることができる。
本発明の太陽電池において、前記超格子半導体層は、前記中間エネルギー準位を4つ有し、前記超格子半導体層は、各中間エネルギー準位の状態密度の和の0.18倍以上1倍以下である原子濃度で活性化されたn型ドーパントを含むことが好ましい。
このような構成によれば、量子ドットに適切な数の電子を存在させることができ、障壁層または量子ドットの価電子帯の電子を中間エネルギー準位を介して障壁層の伝導帯に効率よく光励起することができ、太陽電池の光電変換効率を向上させることができる。
このような構成によれば、超格子半導体層に含まれる量子ドット層を同様の方法で形成することができ、製造コストを低減することができる。
本発明の太陽電池において、1つの量子ドット層に含まれる各量子ドットは、前記障壁層と前記量子ドット層とを繰り返し積層した方向のサイズが実質的に同じであり、前記超格子半導体層は、複数の種類の量子ドット層を周期的に積層した構造を有し、前記複数の種類の量子ドット層は、それぞれに含まれる量子ドットの前記障壁層と前記量子ドット層とを繰り返し積層した方向のサイズが異なることが好ましい。
このような構成によれば、それぞれの種類の量子ドット層が異なる中間エネルギー準位を有することができ、超格子半導体層が複数の中間エネルギー準位を有することができる。
このような構成によれば、それぞれの種類の量子ドット層が異なる中間エネルギー準位を有することができ、超格子半導体層が複数の中間エネルギー準位を有することができる。
本発明の太陽電池において、1つの量子ドット層に含まれる各量子ドットは、同じ種類のn型ドーパントを含み、前記超格子半導体層は、複数の種類の量子ドット層を周期的に積層した構造を有し、前記複数の種類の量子ドット層は、それぞれに含まれる量子ドットが種類の異なるn型ドーパントを含むことが好ましい。
このような構成によれば、中間エネルギー準位に電子を存在させやすくなり、中間エネルギー準位を介した光学遷移を増大させることができる。
このような構成によれば、それぞれの種類の量子ドット層が1つの中間エネルギー準位を有するとき、量子ドット層の種類数により中間エネルギー準位の数を制御することができる。
このような構成によれば、それぞれの中間エネルギー準位を介して価電子帯の電子を伝導帯に光励起することができ、光電変換効率を向上させることができる。
本発明の太陽電池において、前記中間エネルギー準位は、中間バンドまたは局在準位であることが好ましい。
このような構成によれば、中間バンドまたは局在準位を介して価電子帯の電子を伝導帯に光励起することができ、光電変換効率を向上させることができる。
本発明の太陽電池において、前記中間エネルギー準位は、前記量子ドットの伝導帯側の1つまたは複数の量子準位から形成されたことが好ましい。
このような構成によれば、量子ドットの伝導帯側の量子準位により、中間エネルギー準位を形成することができる。
本発明の太陽電池において、前記障壁層は、n型ドーパントを含み、前記超格子半導体層は、複数の種類の障壁層を周期的に積層した構造を有し、前記複数の種類の障壁層は、それぞれ種類の異なるn型ドーパントを含むことが好ましい。
このような構成によれば、中間エネルギー準位に電子を存在させやすくなり、中間エネルギー準位を介した光学遷移を増大させることができる。
本発明の太陽電池において、価電子帯側のバンドオフセットは0に近いことがより望ましい。これは、価電子帯にはヘビーホールが存在し、価電子帯側の量子エネルギー準位と障壁層の価電子帯は実質的に1つの価電子帯とみなされることが多く、価電子帯側のバンドオフセットが0に近ければ近いほど、波動関数の電子的結合が大きくなるためである。
図1は本発明の一実施形態の太陽電池の構成を示す概略断面図である。なお、図1は、各量子ドット層6に含まれる量子ドット7は、z方向のサイズがdaで同じであり、隣接する2つの量子ドット層の間の障壁層の厚さがdbで同じ場合の太陽電池について例示している。
以下、本実施形態の太陽電池20について説明する。
p型半導体層(ベース層)4は、p型不純物を含む半導体からなり、n型半導体層(エミッタ―層)12は、n型不純物を含む半導体からなる。
p型半導体層4およびn型半導体層12は、超格子半導体層10を挟み太陽電池20を構成し、これらの層に光が入射されることにより光起電力を発生させる。
p型半導体層4およびn型半導体層12は、例えばMOCVD法により形成することができる。
超格子半導体層10は、p型半導体層(ベース層)4とn型半導体層(エミッタ―層)12に挟まれている。また、超格子半導体層10は、量子ドット層6と障壁層8とが交互に繰り返し積層された超格子構造を有する。
量子ドット層6は、複数の量子ドット7を含む層であり、量子ドット7は、障壁層8を構成する半導体材料よりも狭いバンドギャップを有する半導体材料からなり、量子効果により、伝導帯側に量子準位を有する。量子ドット層6に含まれる各量子ドット7はそれぞれ伝導帯側に量子準位を有する。
超格子半導体層10に含まれる複数の量子ドット層6は、すべて同じ材料から構成されてもよく、異なる材料から構成された量子ドット層6を含んでもよい。また、超格子半導体層10に含まれる複数の量子ドット層6が混晶からなる場合、複数の量子ドット層6は、混晶比が異なる混晶からなる量子ドット層6を含んでもよい。
また、1つの量子ドット層6に含まれる複数の量子ドット7は、量子ドット層6と平行な方向(図1のx方向)(y方向)のサイズが実質的に同じであってもよい。また、超格子半導体層10が複数の量子ドット層6を含む場合、各量子ドット層6に含まれる量子ドット7は、x方向(y方向)のサイズはすべての量子ドット層6において同じであってもよく、各量子ドット層6において異なってもよい。
さらに量子ドット層6に含まれる各量子ドット7のx方向のサイズ、y方向のサイズ、z方向のサイズは、実質的に同じであってもよい。
量子ドットのx方向、y方向、z方向のサイズは所望のエネルギー準位の数に応じて適宜変更すればよい。同じエネルギー値を有する中間エネルギー準位を同じ数だけ形成したい場合は、x方向、y方向、z方向の量子ドットサイズを全てそろえればよく、例えば図2、3がこれに当たる。
本実施形態において、太陽電池20は、その超格子半導体層10に、例えばInGaAsからなる量子ドット層6、AlGaAsからなる障壁層8を用いることができる。また、InAsSbからなる量子ドット層6、AlAsSbからなる障壁層8を用いることができる。他にInAs,GaAs,AlAs,InSb,GaSb,AlSb,InP,GaP,AlPの材料およびこれらの混晶材料を超格子半導体層10に用いてもよい。また、超格子半導体層10を構成する障壁層8、量子ドット層6を構成する材料として、AlxGayIn1-x-yAs、AlxGayIn1-x-ySbzAs1―z、AlxGayIn1-x―yP、AlxGayIn1-x-yNなどを用いることもできる。上記以外のIII−V族化合物半導体、カルコパイライト系材料、II−VI族化合物半導体、IV族半導体あるいはこれらの混晶材料を用いても良い。
混晶からなる量子ドット層6、障壁層8は、混晶の元素割合を適宜変更することで、格子定数を所望の値や基板に合わせて変えたり、価電子帯バンドエネルギーオフセット(量子ドット層と障壁層の価電子帯エネルギー差)をゼロにしたりすることができる。
価電子帯にはヘビーホールが存在し、価電子帯側の量子エネルギー準位は密に形成され、価電子帯側の量子エネルギー準位と障壁層の価電子帯は実質的に1つの価電子帯とみなされることが多く、その場合には価電子帯側の局在準位や中間バンドは、中間エネルギー準位の数には含めない。価電子帯側の量子エネルギー準位が密に形成されるとは、例えば隣り合う量子エネルギー準位のエネルギー差が室温におけるエネルギー(約25meV)の2倍程度の差よりも小さなことを言う。
超格子半導体層10に形成される中間エネルギー準位は、2つ以上形成される。この中間エネルギー準位の数は、上述のPL測定や光吸収スペクトルにより確認することができる。
中間エネルギー準位が中間バンドである場合、中間エネルギー準位の個数は、量子ドット7の量子準位の波動関数が電子的に結合し、バンドを形成していれば1個と数える。
中間エネルギー準位が局在準位である場合、中間エネルギー準位の個数は、局在準位が実質的に等しいエネルギー値を持てば1つと考える。実質的に等しいエネルギー値とは、例えば室温におけるエネルギー(約25meV)の2倍程度の差以内であることを言う。
実施形態において、障壁層8の伝導帯の底を構成するエネルギー準位と、障壁層8の価電子帯の頂上を構成するエネルギー準位と、これら準位の間にある3つの中間エネルギー準位とを超格子半導体層10が有する太陽電池を以下、この明細書において、5準位中間バンド太陽電池と呼ぶ。この中間エネルギー準位は中間バンドであってもよい。
本実施形態において、障壁層8の伝導帯の底を構成するエネルギー準位と、障壁層8の価電子帯の頂上を構成するエネルギー準位と、これら準位の間にある4つの中間エネルギー準位とを超格子半導体層10が有する太陽電池を以下、この明細書において、6準位中間バンド太陽電池と呼ぶ。この中間エネルギー準位は中間バンドであってもよい。
中間エネルギー準位の状態密度とは、単位体積辺りにおける中間エネルギー準位(中間バンドまたは局在準位)が取りうるエネルギー状態数を2倍した値である。すなわち、1つの量子ドットから形成される量子準位の数に、量子ドットの密度を掛け、さらに2倍した値である。
中間エネルギー準位の状態密度は、PES(光電子分光装置 、Photoelectron Spectroscopy)、UPS(紫外線光電子分光法、Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy)、XPS(X線光電子分光法、X−ray Photoelectron Spectroscopy)などを用いて知ることができる。また、量子ドットを用いた超格子構造の場合、TEM(透過型電子顕微鏡)観察により量子ドット密度と、PL(フォトルミネセンス)測定よりエネルギー準位数を確認し、状態密度を算出することも可能である。
超格子半導体層10は、各中間エネルギー準位の状態密度の和の0.1倍以上1.5倍以下である原子濃度で活性化されたn型ドーパントを含む。言い換えると、超格子半導体層10が有する中間エネルギー準位がx個(x≧2)であり、各中間エネルギー準位の状態密度がY1,Y2・・・Yxであり、Ytotal=Y1+Y2+・・・Yxであり、超格子構造中の活性化されたn型ドーピング濃度をNdとしたとき、0.1≦Nd/Ytotal≦1.5の式を満たす。
このことにより、中間エネルギー準位に適切な数の電子を存在させることができ、障壁層8または量子ドット7の価電子帯の電子を中間エネルギー準位を介して障壁層8の伝導帯に効率よく光励起することができ、太陽電池20の光電変換効率を向上させることができる。
なお、図2は、図1の一点鎖線A−Aにおける超格子半導体層10の概略バンド図であり、各量子ドット7は、それぞれ2つの量子準位を有する。
4準位中間バンド太陽電池では、各中間エネルギー準位の状態密度がY1、Y2であり、Ytotal=(Y1+Y2)とし、超格子半導体層10中の活性化されたn型ドーパント濃度をNdとしたとき、0.1≦Nd/Ytotal≦1.5となるように超格子半導体層10がn型ドーパントを含むことが望ましい。言い換えると、超格子半導体層10は、中間エネルギー準位を2つ有し、超格子半導体層10は、各中間エネルギー準位の状態密度の和の0.1倍以上1.5倍以下である原子濃度で活性化されたn型ドーパントを有することが好ましい。さらに超格子半導体層10は、各中間エネルギー準位の状態密度の和の0.5倍の原子濃度で活性化されたn型ドーパントを有することが好ましい。このような構成によれば、量子ドット7に適切な数の電子を存在させることができ、障壁層8または量子ドット7の価電子帯の電子を中間エネルギー準位を介して障壁層8の伝導帯に効率よく光励起することができ、太陽電池の光電変換効率を向上させることができる
さらに4準位中間バンド太陽電池は図7に示す概略断面図のように2種類の異なる材料(混晶比が異なる場合を含む)の量子ドット層6c、6dを交互に繰り返し積層することで実現できる。なお、図7における各量子ドットのz方向のサイズはすべて同じである。図8は、図7の一点鎖線C−Cにおける超格子半導体層10の概略バンド図であり、量子ドット7c、7dはそれぞれ1つの中間エネルギー準位を有する。この場合、中間エネルギー準位の合計が2つとなり、4準位中間バンド太陽電池を実現できる。
図4、図7を組み合わせて、2種類の異なる材料の量子ドットのサイズがそれぞれ異なっているように適宜設計しても良いことは言うまでもない。
1つ目の理由は不純物ドープをより効果的に行えるという点である。すなわち、ドープすることでキャリアが中間バンドまたは局在準位に入り込むが、1つの量子井戸ポテンシャル(量子ドットと障壁層により作られるポテンシャル)におけるエネルギー準位数が多いと太陽電池の動作中にキャリア数がエネルギー準位間で不均衡になりうる可能性がある。一方で準位数が少ないと太陽電池の動作中に各中間エネルギー準位間でキャリア数が、より均衡化された状態を保つことができ、より効果的に光学遷移が起こると考えられる。
上記2つの理由により、より好ましいのは1つの量子ドットから形成されるエネルギー準位数が少ないことであり、さらに好ましくは1つの量子ドットから1つのエネルギー準位が形成されることである。
なお、図3は、図1の一点鎖線A−Aにおける超格子半導体層10の概略バンド図であり、各量子ドット7は、それぞれ4つの中間エネルギー準位を有する。
6準位中間バンド太陽電池では、各中間エネルギー準位の状態密度をY1、Y2、Y3、Y4とする。このとき、Ytotal=(Y1+Y2+Y3+Y4)とすると、超格子半導体層10中の活性化されたn型ドーパントのドーピング濃度が0.18≦ドーピング濃度/全状態密度≦1を満たすことが望ましい。言い換えると、超格子半導体層10は、中間エネルギー準位を4つ有し、超格子半導体層10は各中間エネルギー準位の状態密度の和の0.18倍以上1倍以下である原子濃度で活性化されたn型ドーパントを有することが好ましい。このような構成によれば、量子ドット層6に適切な数の電子を存在させることができ、障壁層8または量子ドット層6の価電子帯の電子を中間エネルギー準位を介して障壁層8の伝導帯に効率よく光励起することができ、太陽電池の光電変換効率を向上させることができる。
また、超格子半導体層10中の活性化されたn型ドーパントのドーピング濃度が0.2≦ドーピング濃度/全状態密度≦0.75を満たすことがさらに好ましい。
さらに超格子半導体層10は、各中間エネルギー準位の状態密度の和の0.5倍の原子濃度で活性化されたn型ドーパントを有することが好ましい。
図7、図10、図11を組み合わせて、量子ドットの材料、サイズを適宜設計しても良いことは言うまでもない。
また、超格子半導体層10に含まれる隣接する2つの量子ドット層に挟まれた障壁層は、含有するn型ドーパントの種類が異なる複数の種類の障壁層を含んでもよい。この複数の種類の障壁層は、含有するn型ドーパントの種類が異なり、周期的に積層されてもよい。
また、1種類のドーパントを障壁層の角からドーパントまでの距離を全て同じにしてドープする割合をエネルギー準位に応じて変化させても良い。図18において300〜303までのドーパントの割合をそれぞれrq、rr、rs、rtとした場合、rq>rr>rs>rtかつrq+rr+rs+rt=1となるようにすればよい。このように各中間バンドのエネルギー準位または局在準位のエネルギー準位に応じ、活性化率を考慮してドーパントの割合を変えることで効果的にドーピングされ、効率的に光学遷移が起こる。
以上のようにすれば、太陽電池の動作中に各中間エネルギー準位間でキャリア数が均衡化された状態を保つことができ、より効果的に光学遷移が起こる。
以上では、主に4準位中間バンド太陽電池、6準位中間バンド太陽電池について説明したが、5準位中間バンド太陽電池についても同様に実現できる。
量子ドット層は、分子線エピタキシー(MBE)法や有機金属化学気相成長(MOCVD)法を用いたStranski―Krastanov(S―K)成長と呼ばれる方法や電子リソグラフィ技術、液滴エピタキシー法などを用いることで量子ドットを作製することができる。S−K成長法は上記手法の原材料の構成比を変えることで量子ドットの混晶比を調整することができ、成長温度・圧力・堆積時間等を変えることによって量子ドットのサイズを調整することができる。
続いて、厚さ250nmのn型GaAs層(n型半導体層)12を結晶成長させ、次いで、窓層14としてAlAs層を形成する。
n型ドーパントとしては例えばSiを、p型ドーパントとしてはZnを用いることができる。その他のn型ドーパントとしては例えばS,Se,Sn,Te,Cがある。電極材料としては例えば、Auを用い、抵抗加熱蒸着法により真空蒸着で形成することができる。
InAsSb量子ドット、AlSb障壁層を用いても同様に作製できる。これらの材料の場合は、基板をGaSbとすれば格子不整合が小さくなりより好ましい。
中間バンド太陽電池20の超格子構造中における状態密度は、PES(光電子分光装置 、Photoelectron Spectroscopy)、UPS(紫外線光電子分光法、Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy)、XPS(X線光電子分光法、X−ray Photoelectron Spectroscopy)などを用いて知ることができる。また、量子ドットを用いた超格子構造の場合、TEM(透過型電子顕微鏡)観察により量子ドット密度と、以下で述べるPL(フォトルミネセンス)測定よりエネルギー準位数を確認し、状態密度を算出することも可能である。
なお、ここで示した例は一例であり、本実施形態の超格子構造を有する太陽電池に用いる基板、バッファー層、量子ドット、ドーパント、電極などの各材料や、各プロセスで使用する洗浄剤、基板処理温度、製造装置等は、ここで示した例に限定されない。
〔実験1〕
4準位中間バンド太陽電池の構造においてシミュレーション実験を行った。シミュレーションは、半導体デバイスの解析に良く用いられる手法と同様に、ポアソン方程式、電子連続の式、正孔連続の式に、中間バンドもしくは局在準位は電極から分離され、中間準位から電極へキャリア取り出しがないことを表す式を加え、自己無撞着的に解いた。ドーパント濃度のみを変え、その他は変えずにエネルギー変換効率を算出・比較した。なお、この実験において、量子ドットの材料は、InAs0.7Sb0.3とし、障壁層の材料は、AlSbとした。なお、これらの材料を用いると価電子帯のバンドオフセットをほとんどゼロにすることができる。
非集光条件下における活性化されたドーパント濃度/全状態密度とエネルギー変換効率/最大エネルギー変換効率の関係を図19、20に示し、1000倍集光下の結果を図21、22に示す。なお、図19、21は対数グラフであり、図20、22は線形グラフである。
従って、少なくとも、0.1≦ドーピング濃度/全状態密度≦1.5であることが好ましく、さらに好ましくは、0.25≦ドーピング濃度/全状態密度≦0.75である。
さらに好ましくは、太陽電池の動作中に光学遷移の観点からそれぞれの中間バンドもしくは局在準位に、キャリアがほぼ同じ濃度で存在することである。
5準位中間バンド太陽電池構造においてシミュレーション実験を行い、ドーパント濃度のみを変え、エネルギー変換効率を算出・比較した。なお、この実験において、量子ドットの材料は、InAs0.7Sb0.3とし、障壁層の材料は、AlSbとした。
非集光条件下における活性化されたドーパント濃度/エネルギー状態密度とエネルギー変換効率/最大エネルギー変換効率の関係を図23、24に示し、1000倍集光下の結果を図25、26に示す。なお、図23、25は対数グラフであり、図24、26は線形グラフである。
エネルギー変換効率は少なくとも最大エネルギー変換効率の少なくとも8割以上(すなわち図23〜26においてエネルギー変換効率/最大エネルギー変換効率の値が0.8以上)であれば実用的な太陽電池である。
さらに好ましくは、太陽電池の動作中に光学遷移の観点からそれぞれの中間バンドもしくは局在準位に、キャリアがほぼ同じ濃度で存在することである。
6準位中間バンド太陽電池構造においてシミュレーション実験を行い、ドーパント濃度のみを変え、エネルギー変換効率を算出・比較した。なお、この実験において、量子ドットの材料は、InAs0.7Sb0.3とし、障壁層の材料は、AlSbとした。
非集光条件下における活性化されたドーパント濃度/エネルギー状態密度とエネルギー変換効率/最大エネルギー変換効率の関係を図27、28に示し、1000倍集光下の結果を図29、30に示す。なお、図27、29は対数グラフであり、図28、30は線形グラフである。
エネルギー変換効率は少なくとも最大エネルギー変換効率の少なくとも8割以上(すなわち図27〜30においてエネルギー変換効率/最大エネルギー変換効率の値が0.8以上)であれば実用的な太陽電池である。
さらに好ましくは、太陽電池の動作中に光学遷移の観点からそれぞれの中間バンドもしくは局在準位に、キャリアがほぼ同じ濃度で存在することである。
4準位中間バンド太陽電池構造においてシミュレーション実験を行い、ドーパント濃度のみを変え、エネルギー変換効率を算出・比較した。なお、この実験において、量子ドットの材料は、InAsとし、障壁層の材料は、GaAsとした。
非集光条件下における活性化されたドーパント濃度/全状態密度とエネルギー変換効率/最大エネルギー変換効率の関係を図31、32に示し、1000倍集光下の結果を図33、34に示す。なお、図31、33は対数グラフであり、図32、34は線形グラフである。
エネルギー変換効率は少なくとも最大エネルギー変換効率の少なくとも8割以上(すなわち図31〜34においてエネルギー変換効率/最大エネルギー変換効率の値が0.8以上)であれば実用的な太陽電池である。
さらに好ましくは、太陽電池の動作中に光学遷移の観点からそれぞれの中間バンドもしくは局在準位に、キャリアがほぼ同じ濃度で存在することである。
5準位中間バンド太陽電池構造においてシミュレーション実験を行い、ドーパント濃度のみを変え、エネルギー変換効率を算出・比較した。なお、この実験において、量子ドットの材料は、InAsとし、障壁層の材料は、GaAsとした。
非集光条件下における活性化されたドーパント濃度/エネルギー状態密度とエネルギー変換効率/最大エネルギー変換効率の関係を図35、36に示し、1000倍集光下の結果を図37、38に示す。なお、図35、37は対数グラフであり、図36、38は線形グラフである。
エネルギー変換効率は少なくとも最大エネルギー変換効率の少なくとも8割以上(すなわち図35〜38においてエネルギー変換効率/最大エネルギー変換効率の値が0.8以上)であれば実用的な太陽電池である。
さらに好ましくは、太陽電池の動作中に光学遷移の観点からそれぞれの中間バンドもしくは局在準位に、キャリアがほぼ同じ濃度で存在することである。
6準位中間バンド太陽電池構造においてシミュレーション実験を行い、ドーパント濃度のみを変え、エネルギー変換効率を算出・比較した。なお、この実験において、量子ドットの材料は、InAsとし、障壁層の材料は、GaAsとした。
非集光条件下における活性化されたドーパント濃度/エネルギー状態密度とエネルギー変換効率/最大エネルギー変換効率の関係を図39、40に示し、1000倍集光下の結果を図41、42に示す。なお、図39、41は対数グラフであり、図40、42は線形グラフである。
エネルギー変換効率は少なくとも最大エネルギー変換効率の少なくとも8割以上(すなわち図39〜42においてエネルギー変換効率/最大エネルギー変換効率の値が0.8以上)であれば実用的な太陽電池である。
さらに好ましくは、太陽電池の動作中に光学遷移の観点からそれぞれの中間バンドもしくは局在準位に、キャリアがほぼ同じ濃度で存在することである。
上記の実施形態では、主に量子ドットや量子井戸で形成される超格子構造を説明したが、例えば、高不整合材料などに適用してもよく、この発明は、超格子構造を用いた中間バンド太陽電池に限定されない。
このように、この発明は請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についてもこの発明の技術的範囲に含まれる。
Claims (13)
- p型半導体層と、n型半導体層と、前記p型半導体層と前記n型半導体層とに挟まれた超格子半導体層とを備え、
前記超格子半導体層は、障壁層と複数の量子ドットを含む量子ドット層とを交互に繰り返し積層した超格子構造を有し、かつn型ドーパントを含み、かつ前記障壁層の価電子帯の上端と前記障壁層の伝導帯の下端との間に、前記量子ドットまたは前記障壁層の価電子帯から光励起された電子が一定時間存在し得る中間エネルギー準位を少なくとも2つ有し、
前記中間エネルギー準位は、前記量子ドットの1つまたは複数の量子準位から形成され、
前記超格子半導体層は、活性化されたn型ドーパントを含み、
前記超格子半導体層は、各中間エネルギー準位の状態密度の和の0.1倍以上1.5倍以下である原子濃度で活性化されたn型ドーパントを含むことを特徴とする太陽電池。 - 前記超格子半導体層は、前記中間エネルギー準位を2つ以上有し、
前記超格子半導体層は、各中間エネルギー準位の状態密度の和の0.1倍以上1.5倍以下である原子濃度で活性化されたn型ドーパントを含む請求項1に記載の太陽電池。 - 前記超格子半導体層は、前記中間エネルギー準位を3つ以上有し、
前記超格子半導体層は、各中間エネルギー準位の状態密度の和の0.13倍以上1.20倍以下である原子濃度で活性化されたn型ドーパントを含む請求項1又は2に記載の太陽電池。 - 前記超格子半導体層は、前記中間エネルギー準位を4つ以上有し、
前記超格子半導体層は、各中間エネルギー準位の状態密度の和の0.18倍以上1倍以下である原子濃度で活性化されたn型ドーパントを含む請求項1〜3のいずれか1つに記載の太陽電池。 - 1つの量子ドット層に含まれる各量子ドットは、前記障壁層と前記量子ドット層とを繰り返し積層した方向のサイズが実質的に同じであり、
前記超格子半導体層に含まれる各量子ドット層は、それぞれに含まれる量子ドットの前記障壁層と前記量子ドット層とを繰り返し積層した方向のサイズが実質的に同じである請求項1に記載の太陽電池。 - 1つの量子ドット層に含まれる各量子ドットは、前記障壁層と前記量子ドット層とを繰り返し積層した方向のサイズが実質的に同じであり、
前記超格子半導体層は、複数の種類の量子ドット層を周期的に積層した構造を有し、
前記複数の種類の量子ドット層は、それぞれに含まれる量子ドットの前記障壁層と前記量子ドット層とを繰り返し積層した方向のサイズが異なる請求項1に記載の太陽電池。 - 1つの量子ドット層に含まれる各量子ドットは、同じ材料から構成され、
前記超格子半導体層は、複数の種類の量子ドット層を周期的に積層した構造を有し、
前記複数の種類の量子ドット層は、それぞれに含まれる量子ドットが異なる材料から構成される請求項1、5および6のいずれか1つに記載の太陽電池。 - 1つの量子ドット層に含まれる各量子ドットは、同じ種類のn型ドーパントを含み、
前記超格子半導体層は、複数の種類の量子ドット層を周期的に積層した構造を有し、
前記複数の種類の量子ドット層は、それぞれに含まれる量子ドットが種類の異なるn型ドーパントを含む請求項1、5〜7のいずれか1つに記載の太陽電池。 - 前記超格子半導体層は、前記中間エネルギー準位をx個有するとき、x種類の量子ドット層を有する請求項6〜8のいずれか1つに記載の太陽電池。
- 前記超格子半導体層は、前記中間エネルギー準位を2個、3個または4個有する請求項5〜9のいずれか1つに記載の太陽電池。
- 前記中間エネルギー準位は、中間バンドまたは局在準位である請求項1〜10のいずれか1つに記載の太陽電池。
- 前記中間エネルギー準位は、前記量子ドットの伝導帯側の1つまたは複数の量子準位から形成されている請求項1〜11のいずれか1つに記載の太陽電池。
- 前記障壁層は、n型ドーパントを含み、
前記超格子半導体層は、複数の種類の障壁層を周期的に積層した構造を有し、
前記複数の種類の障壁層は、それぞれ種類の異なるn型ドーパントを含む請求項1〜12のいずれか1つに記載の太陽電池。
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