CN111200030B - 太阳能电池与其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种太阳能电池与其制作方法。该太阳能电池包括依次叠置的背场层、基层和发射层，背场层与发射层之间具有PN结，基层为超晶格结构层，超晶格结构层包括多个叠置的周期结构，各周期结构包括叠置的三个子结构层，三个子结构层中的一个子结构层包括GaAs，另一个子结构层包括InxGa1‑xAs，再一个子结构层包括InyGa1‑yP，其中，0<x<1，0<y<1。该太阳能电池中包括超晶格结构层，该超晶格结构层包括多种光谱吸收范围不同的材料，从而拓宽了该太阳能电池的光谱吸收范围，进而提高了太阳能电池的光电转换效率。
Description
技术领域
本申请涉及太阳能电池领域，具体而言，涉及一种太阳能电池与其制作方法。
背景技术
随着节能减排运动的兴起，作为转化效率最高的GaAs太阳能电池的应用越来越广泛。高晶体质量的GaAs太阳能电池主要是通过金属有机化合物气相沉积(MOCVD)或者分子束外延(MBE)中进行外延沉积制备。
单结GaAs太阳能电池一般包括衬底，背场层，基层，发射层，窗口层和接触层，目前最高转化效率达到28.6％。而多结砷化镓太阳能电池，利用不同带隙宽度吸收光谱范围不同，通过隧道结将不同禁带宽度的材料制备的子电池串联得到。而隧道结往往由重掺杂材料组成，生长困难。因此，多结砷化镓太阳能电池的制作较困难。
在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
发明内容
本申请的主要目的在于提供一种太阳能电池与其制作方法，以解决现有技术中高转化效率的太阳能电池的制作较困难的问题。
为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括依次叠置的背场层、基层和发射层，上述背场层与上述发射层之间具有PN结，上述基层为超晶格结构层，上述超晶格结构层包括多个叠置的周期结构，各上述周期结构包括叠置的三个子结构层，三个上述子结构层中的一个上述子结构层包括GaAs，另一个上述子结构层包括InxGa1-xAs，再一个上述子结构层包括InyGa1-yP，其中，0<x<1，0<y<1。
进一步地，沿靠近上述发射层的方向上，一个上述周期结构中的三个上述子结构层依次为第一子结构层、第二子结构层和第三子结构层，包括GaAs的上述子结构层为上述第一子结构层，包括InxGa1-xAs的上述子结构层为上述第二子结构层，包括InyGa1-yP的上述子结构层为上述第三子结构层。
进一步地，一个上述周期结构中，包括GaAs的上述子结构层的厚度在2nm～50nm之间，包括InxGa1-xAs的上述子结构层的厚度在1～15nm之间，包括InyGa1-yP的上述子结构层的厚度在2～30nm之间。
进一步地，上述周期结构有2～200个，优选地，上述基层的厚度在100～5000nm之间。
进一步地，至少部分上述周期结构还包括第四子结构层，上述第四子结构层位于上述第三子结构层的远离上述第二子结构层的表面上，上述第四子结构层包括InzGa1-zAs，其中，0<z<1。
进一步地，各上述周期结构中，包括InyGa1-yP的上述子结构层为第三子结构层，与上述发射层距离最小的上述周期结构中不包括上述第四子结构层；优选地，上述第四子结构层的厚度在1～15nm之间。
进一步地，0.3<y<0.7。
根据本申请的另一方面，提供了一种太阳能电池的制作方法，上述制作方法包括：在衬底的表面上设置背场层；在上述背场层的远离上述衬底的表面上叠层设置多个周期结构，形成基层，各上述周期结构包括叠置的三个子结构层，各上述周期结构中的三个上述子结构层中的一个上述子结构层包括GaAs，另一个上述子结构层包括InxGa1-xAs，再一个上述子结构层包括InyGa1-yP，其中，0<x<1，0<y<1；在上述基层的远离上述衬底的表面上设置发射层，上述发射层与上述背场层之间形成PN结。
进一步地，上述基层的制作过程包括：步骤S1，沿远离上述背场层的方向依次生长包括GaAs的上述子结构层、包括InxGa1-xAs的上述子结构层、包括InyGa1-yP的上述子结构层和包括InzGa1-zAs的上述子结构层，形成第一个上述周期结构；步骤S2，重复上述步骤S1共N-2次，形成第二个至第N-1个上述周期结构；步骤S3，依次生长包括GaAs的上述子结构层、包括InxGa1-xAs的上述子结构层和包括InyGa1-yP的上述子结构层，形成第N个上述周期结构，其中，0<z<1，N为大于或者等于2的正整数。
进一步地，在氮气为载气的条件下，生长包括GaAs的上述子结构层；在氢气为载气的条件下，生长包括InxGa1-xAs的上述子结构层；在氮气为载气的条件下，生长包括InyGa1-yP的上述子结构层。
应用本申请的技术方案，上述的太阳能电池中，由于吸收层为超晶格结构层，具体包括多个由至少三个子结构层形成的周期结构，超晶格周期结构不仅有利于载流子的迅速转移，而且由各层组成的吸收层结构有利于光的传输吸收，同时超晶格结构层又有利于提高光的增益利用，提高电池的光电转化效率。超晶格结构层中的各个周期结构中的三个上述子结构层中的一个上述子结构层包括GaAs，另一个上述子结构层包括InxGa1-xAs，再一个上述子结构层包括InyGa1-yP。GaAs的禁带宽度1.43eV，InyGa1-yP的禁带宽度1.9eV左右，InxGa1-xAs随着In组分的增加使其禁带宽度有不断减小，该吸收层中包括多种光谱吸收范围不同的材料，拓宽了电池光谱吸收范围，提高了太阳能电池的光电转换效率。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1示出了根据本申请的太阳能电池的实施例的结构示意图；
图2示出了图1中的太阳能电池中的基层的结构示意图；
图3示出了本申请的另一种基层的结构示意图；以及
图4示出了包括图3的基层的太阳能电池的结构示意图。
其中，上述附图包括以下附图标记：
10、衬底；20、背场层；30、基层；31、第一子结构层；32、第二子结构层；33、第三子结构层；34、第四子结构层；40、发射层；50、窗口层；60、接触层。
具体实施方式
应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
应该理解的是，当元件诸如层、膜、区域、或衬底描述为在另一元件“上”时，该元件可直接在该另一元件上，或者也可存在中间元件。而且，在说明书以及权利要求书中，当描述有元件“连接”至另一元件时，该元件可“直接连接”至该另一元件，或者通过第三元件“连接”至该另一元件。
正如背景技术所介绍的，现有技术中高转化效率的太阳能电池的制作较困难，为了解决如上的问题，本申请提出了一种太阳能电池与其制作方法。
本申请的一种典型的实施方式中，提供了一种太阳能电池，如图1所示，该太阳能电池包括依次叠置的背场层20、基层30和发射层40，上述背场层20的掺杂类型与上述发射层40的掺杂类型相反，即在背场层和发射层之间具有PN结，上述基层30包括多个叠置的周期结构，因此，该基层为超晶格结构层，如图2所示，各上述周期结构包括叠置的三个子结构层，且在一个周期结构中，三个上述子结构层中的一个上述子结构层包括GaAs，另一个上述子结构层包括InxGa1-xAs，再一个上述子结构层包括InyGa1-yP，其中，0<x<1，0<y<1。
上述的太阳能电池中，由于吸收层为超晶格结构层，具体包括多个由至少三个子结构层形成的周期结构，超晶格周期结构不仅有利于载流子的迅速转移，而且由各层组成的吸收层结构有利于光的传输吸收，同时超晶格结构层又有利于提高光的增益利用，提高电池的光电转化效率。超晶格结构层中的各个周期结构中的三个上述子结构层中的一个上述子结构层包括GaAs，另一个上述子结构层包括InxGa1-xAs，再一个上述子结构层包括InyGa1-yP。GaAs的禁带宽度1.43eV，InyGa1-yP的禁带宽度1.9eV左右，InxGa1-xAs随着In组分的增加使其禁带宽度有不断减小，该吸收层中包括多种光谱吸收范围不同的材料，拓宽了电池光谱吸收范围，提高了太阳能电池的光电转换效率。
需要说明的是，上述基层的掺杂类型可以与上述的背场层的掺杂类型相同，基层也可以不掺杂，即各子结构层均为本征层。
需要说明的是，背场层、基层和发射层形成PIN结构，在该结构中，必然具有PN结，但是具体PN结的位置可以是背场层和基层形成的，也可以是背场层、基层和发射层三者形成的，还可以是发射层和基层形成的，具体位于哪个位置主要是由背场层、基层和发射层的掺杂类型、掺杂浓度以及厚度这三个因素决定的。
本申请的周期结构中的子结构层的个数至少为三个，本领域技术人员可以根据实际情况选择设置大于或者等于三个子结构层的周期结构。
需要说明的是，本申请中的多个周期结构可以为相同的周期结构，也可以为不同的周期结构，本领域技术人员可以根据实际情况将各个周期结构设置为相同的或者不同的。
本申请的上述周期结构中的子结构层可以为掺杂有杂质的掺杂层，也可以为不掺杂杂质的非掺杂层，本领域技术人员可以根据实际情况选择将各子结构层设置为掺杂层或者非掺杂层。
本申请的一种具体的实施例中，沿靠近上述发射层40的方向上，一个上述周期结构中的三个上述子结构层依次为第一子结构层31、第二子结构层32和第三子结构层33，包括GaAs的上述子结构层为上述第一子结构层31，包括InxGa1-xAs的上述子结构层为上述第二子结构层32，包括InyGa1-yP的上述子结构层为上述第三子结构层33。即各周期结构包括沿靠近发射层依次叠置的包括GaAs的上述子结构层、包括InxGa1-xAs的上述子结构层和包括InyGa1-yP的上述子结构层。这样的排列顺序能够最大程度地吸收入射的光波，提高光电转换效率，减小光能量的浪费。
本申请的包括上述三个材料的三个子结构层的排列顺序可以根据实际情况来设置，比如依次为包括InxGa1-xAs的子结构层、包括GaAs的子结构层和包括InxGa1-xAs的子结构层。还可以为其他的排列设置方式。
为了进一步提升本申请的太阳能电池的光电转换效率，降低成本，本申请的一种实施例中，一个上述周期结构中，包括GaAs的上述子结构层的厚度在2nm～50nm之间，包括InxGa1-xAs的上述子结构层的厚度在1～15nm之间，包括InyGa1-yP的上述子结构层的厚度在2～30nm之间。
本申请的周期结构的数量可以为大于或者等于2的任何数量，本申请的一种实施例中，上述周期结构有2～200个。这样可以进一步保证形成缺陷较少的超晶格结构层，且同时保证该太阳能电池的成本较低。
吸收层的厚度会影响太阳能电池的光电转换效率，本申请的一种实施例中，上述超晶格结构层的厚度在100～5000nm之间。这个厚度可以进一步减少基层中的缺陷，也可以进一步保证光吸收率较高，从而进一步提高了太阳能电池的光电转换效率。
为了进一步拓宽吸收层吸收的光谱范围，本申请的另一种实施例中，如图3和图4所示，至少部分上述周期结构还包括第四子结构层34，上述第四子结构层34位于上述第三子结构层33的远离上述第二子结构层32的表面上，上述第四子结构层34包括InzGa1-zAs，其中，0<z<1。
上述的第四子结构层和之前提及的包括InxGa1-xAs的子结构层可以为材料相同的结构层，即x与z的数值相同，也可以为材料不同的结构层，即x与z的数值不同，本领域技术人员可以根据实际情况选择将第四结构层与InxGa1-xAs层设置为材料相同的结构层或材料不同的结构层。
一种具体的实施例中，如图4所示，各上述周期结构中，包括InyGa1-yP的上述子结构层为第三子结构层33，与上述发射层40距离最小的上述周期结构中不包括上述第四子结构层34，这样使得最后一个周期的最外的结构层包括InyGa1-yP层，该层的禁带宽度相对较大，使得吸收层可以吸收短波长的光波，即可以先吸收大部分的能量，避免能量的浪费。
本申请的一种实施例中，上述第四子结构层34的厚度在1～15nm之间。这样的厚度能够在保证太阳能电池的转化效率的前提下，降低成本，提高太阳能电池的制作效率。
本申请的上述InyGa1-yP层中的y为大于0且小于1的任何数值，y值越大，InyGa1-yP的禁带宽度越小，通过调整y的值，可以得到合适带隙宽度的材料，为了使得InyGa1-yP的禁带宽度与InxGa1-xAs层和GaAs层匹配，使得吸收层的吸收光谱范围更大，进一步提升太阳能电池的光电转化效率，本申请的一种实施例中，0.3<y<0.7。
本申请的又一种实施例中，如图4所示，上述太阳能电池还包括窗口层50与接触层60，其中，窗口层50设置在上述发射层40的远离上述基层30的表面上，上述窗口层50的掺杂类型与上述发射层40的掺杂类型相同；接触层60设置在上述窗口层50的远离上述发射层40的表面上，上述接触层60的掺杂类型与上述发射层40的掺杂类型相同。通过设置窗口层和接触层可以进一步促进电子或者空穴向收集的方向运动，进而可以进一步提升该太阳能电池的光电转换效率。并且，接触层用于与金属电极接触设置。
为了更好地阻挡电子或者空穴沿着与收集方向相反的方向移动，从而进一步提升太阳能电池的光电转换效率，本申请的一种实施例中，上述背场层包括AlMGa1-MAs或者(AlNGa1-N)QIn1-QP，其中，M取值范围0-0.5，N取值范围0-0.5，Q取值范围0.4-0.6。
当然，本申请的上述背场层的材料并不限于上述的材料，还可以为其他的可行的材料，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的材料形成本申请的背场层。
本申请的再一种实施例中，上述背场层的厚度在30～200nm之间，这样一方面可以更好地阻挡电子或者空穴沿着与收集方向相反的方向运动，进而提升太阳能电池的光电转换效率；另外一方面，将背场层设置在这个范围内，可以保证太阳能电池的成本较低，且可以保证太阳能电池具有较小的重量和较小的体积，尽量保证太阳能电池的轻薄化。
为了进一步提升高太阳能电池的光电转换效率，本申请的一种实施例中，上述发射层40的掺杂浓度在1E16～1E22/cm3之间，即在1.0×1016～1.0×1022/cm3之间，且为P型掺杂。
为了更进一步保证该太阳能电池的光电转换效率较高，且同时保证该太阳能电池具有较低的成本，本申请的一种实施例中，上述发射层的厚度在100-1000nm之间。
为了进一步提升太阳能电池的光电转换效率，本申请的一种实施例中，上述窗口层包括AlWGa1-WAs或者(AlVGa1-V)UIn1-UP，其中，W取值范围为0-0.5，V取值范围为0-0.5，U取值范围为0.4-0.6。
当然，本申请中的窗口层的处理并不限于包括上述的材料，还可以包括其他的可用的半导体材料，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的半导体材料形成本申请的窗口层。
本申请的另一种实施例中，上述窗口层的厚度在30～200nm之间，这样不仅可以很好地促进电子或者空穴向收集的方向运动，还可以保证该太阳能电池的成本较低，还能进一步保证该太阳能电池的体积和重量较小。
一种具体的实施例中，本申请的上述电极接触层60为高掺杂GaAs层，掺杂浓度范围为1E18-1E22/cm3，掺杂类型与发射层相同。
本申请的再一种实施例中，上述接触层的厚度在30～200nm之间，这样不仅可以保证该太阳能电池具有较小的接触电阻和较高的光电转换效率，还可以进一步保证该太阳能电池的体积和重量较小。
本申请的另一种典型的实施方式中，提供了一种太阳能电池的制作方法，该制作方法包括：
在衬底的表面上设置背场层；
在上述背场层的远离上述衬底的表面上叠层设置多个周期结构，形成基层，各上述周期结构包括叠置的三个子结构层，各上述周期结构中，三个上述子结构层中的一个上述子结构层包括GaAs，另一个上述子结构层包括InxGa1-xAs，再一个上述子结构层包括InyGa1-yP，其中，0<x<1，0<y<1；
在上述基层的远离上述衬底的表面上设置发射层，上述发射层与上述背场层之间形成PN结。
采用上述方法形成的太阳能电池中，吸收层为超晶格结构层，具体包括多个由至少三个子结构层形成的周期结构，超晶格周期结构不仅有利于载流子的迅速转移，而且由各层组成的吸收层结构有利于光的传输吸收，同时超晶格结构层又有利于提高光的增益利用，提高电池的光电转化效率。超晶格结构中的各个周期结构中的三个上述子结构层中的一个上述子结构层包括GaAs，另一个上述子结构层包括InxGa1-xAs，再一个上述子结构层包括InyGa1-yP。GaAs的禁带宽度1.43eV，InyGa1-yP的禁带宽度1.9eV左右，InxGa1-xAs随着In组分的增加使其禁带宽度有不断减小，该吸收层中包括多种光谱吸收范围不同的材料，拓宽了电池光谱吸收范围，提高了太阳能电池的光电转换效率。并且，上述的制作方法较简单，使得太阳能电池的制作效率较高。
需要说明的是，上述制作方法形成的太阳能电池中可能包括衬底，也可能不需要包括衬底，当不需要衬底时，在制作过程中，通过剥离的方式将衬底剥离，形成不包括衬底的太阳能电池。
本申请的包括上述三个材料的三个子结构层的排列顺序可以根据实际情况来设置，比如依次为包括InxGa1-xAs的子结构层、包括GaAs的子结构层和包括InxGa1-xAs的子结构层。还可以为其他的排列设置方式。
一种具体的实施方式中，上述第一子结构层包括GaAs的子结构层，上述第二子结构层的材料为包括InxGa1-xAs的子结构层，上述第三子结构层为包括InyGa1-yP的子结构层，部分上述周期结构还包括第四子结构层，上述第四子结构层包括InzGa1-zAs层，其中，0<z<1，上述周期结构有N个，N为大于或者等于2的正整数，上述基层的制作过程包括：
步骤S1，沿远离上述背场层的方向依次生长包括GaAs的子结构层、包括InxGa1-xAs的上述子结构层、包括InyGa1-yP的上述子结构层和包括InzGa1-zAs的上述子结构层，形成第一个上述周期结构；
步骤S2，重复上述步骤S1共N-2次，形成第二个至第N-1个上述周期结构；
步骤S3，依次生长包括GaAs的上述子结构层、包括InxGa1-xAs的上述子结构层和包括InyGa1-yP的上述子结构层，形成第N个上述周期结构。
为了提高周期结构中的各子结构层的材料质量，本申请的一种实施例中，在氮气为载气的条件下，生长包括GaAs的子结构层；在氢气为载气的条件下，生长包括InxGa1-xAs的子结构层；在氮气为载气的条件下，生长包括InyGa1-yP的子结构层。
本申请的又一种实施例中，在设置上述发射层之后，上述制作方法还包括：在上述发射层的远离上述基层的表面上依次叠层设置窗口层和接触层。形成如图4所示的结构，其中，上述窗口层50的掺杂类型与上述发射层40的掺杂类型相同；上述接触层60的掺杂类型与上述发射层40的掺杂类型相同。通过设置窗口层和接触层可以进一步促进电子或者空穴向收集的方向运动，进而可以进一步提升该太阳能电池的光电转换效率。并且，接触层用于与金属电极接触设置。
本申请的再一种实施例中，上述太阳能电池还包括正面电极和背面电极，正面电极位于发射层的远离基层的一侧，背面电极位于基层的远离发射层的一侧。
需要说明的是，本申请的衬底可以为现有技术中的任何可用的材料形成，例如，Ge、Si或GaAs等等，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的材料形成本申请的衬底。
需要说明的是，本申请中的上述各材料层的设置方法可以为现有技术中的任何设置方法，具体可以根据实际情况来设置，例如，可以根据具体的材料来设置，对应的设置方法可以为MOCVD、MBE、PECVD或PVD等等。
为了使得本领域技术人员能够更加清楚地了解本申请的技术方案，以下将结合具体的实施例来说明本申请的技术方案。
实施例1
太阳能电池的制作过程由以下步骤形成：
将衬底传入MOCVD设备中，通入H2气体，升高温度对衬底进行高温清洗，温度为500摄氏度；
在衬底10上生长AlMGa1-MAs材料，形成背场层20，M取值为0.5，生长温度为600摄氏度。Ⅴ/Ⅲ值为25、生长速度3nm/s的条件下生长100nm的背场层，背场层为N型掺杂且掺杂浓度为1E19/cm3。
在载气为N2的氛围下，通入镓源和AsH3生长40nm的第一子结构层，具体为GaAs层；Ⅴ/Ⅲ值为50，生长速度为3nm/s；
将载气切换为H2，通入铟源，沉积速率为0.5nm/s，生长InxGa1-xAs，中途切断镓源和铟源，保持AsH3正常通入40s，停顿外延生长，促进In原子迁移成点，形成第二子结构层，其中x取0.5，厚度10nm，生长温度为500℃；
将载气切换为N2，切断砷源，通入镓源和磷源，制备InyGa1-yP层，即第三子结构层，其中y取值为0.5，厚度为20nm；
切断磷源，将载气切换为H2，通入镓源和砷源，沉积速率为0.5nm/s，生长InzGa1- zAs，中途切断镓源和铟源，保持AsH3正常通入45s，停顿外延生长，促进In原子迁移成点，形成第四子结构层，其中z取0.5，厚度为10nm，生长温度为500℃；
重复生长第一子结构层、第二子结构层、第三子结构层和第四子结构层49次，再重复生长第一子结构层、第二子结构层和第三子结构层一次，形成基层。
在基层上生长发射层，发射层40为P型掺杂的AlGaAs，掺杂浓度为1E19/cm3，厚度为200，生长温度为600之间；
在发射层上生长窗口层，窗口层为AlWGa1-WAs层，其中w取值为0.3，厚度为100nm，生长温度为600摄氏度
在窗口层上生长接触层，接触层为高掺杂的GaAs层，掺杂浓度为1E120/cm3，掺杂类型与发射层相同，厚度为100nm，生长温度为600摄氏度，得到太阳能电池。
将太阳能电池的温度冷却到室温，从设备中取出。
上述的Ⅴ/Ⅲ值表示第五族和第三族的元素的物质的量得比。
实施例2
与实施例1的区别为：只重复生长第一子结构层、第二子结构层和第三子结构层和第四子结构层1次。
实施例3
与实施例1的区别为：不生长第四子结构层，即各个周期结构中不包括第四子结构层。
实施例4
与实施例1的区别为：重复生长第一子结构层、第二子结构层、第三子结构层和第四子结构层49次后，再重复生长第一子结构层、第二子结构层、第三子结构层和第四子结构层一次，形成基层。
实施例5
与实施例1的区别为：y＝0.2。
实施例6
与实施例1的区别为：上述GaAs层的厚度为55nm。
实施例7
与实施例1的区别为：上述InxGa1-xAs层厚度为17nm。
实施例8
与实施例1的区别为：上述InyGa1-yP层的厚度为32nm。
实施例9
与实施例1的区别为：上述第四子结构层的厚度为16nm。
实施例10
与实施例1的区别为：各周期结构中，依次生长InxGa1-xAs层、InyGa1-yP层和GaAs层。
对比例1
与实施例1的区别为：不重复生长第一子结构层、第二子结构层、第三子结构层和第四子结构层，即周期结构只有一个。
对比例2
与实施例1的区别为：第二子结构层也为GaAs层。
采IV测试方法测量各实施例以及对比例的太阳能电池的光电转换效率，测试结果见表1。
表1
| 光电转换效率(％) | |
| 实施例1 | 28.6 |
| 实施例2 | 22.3 |
| 实施例3 | 26.4 |
| 实施例4 | 27.2 |
| 实施例5 | 26.2 |
| 实施例6 | 28.3 |
| 实施例7 | 26.8 |
| 实施例8 | 28.0 |
| 实施例9 | 26.0 |
| 实施例10 | 26.8 |
| 对比例1 | 19.6 |
| 对比例2 | 22.1 |
需要说明的是，上述的“Ⅴ/Ⅲ值”表示五族和三族原子的物质量之比。
从以上的描述中，可以看出，本申请上述的实施例实现了如下技术效果：
1、本申请的太阳能电池中，由于吸收层为超晶格结构层，具体包括多个由至少三个子结构层形成的周期结构，超晶格周期结构不仅有利于载流子的迅速转移，而且由各层组成的吸收层结构有利于光的传输吸收，同时超晶格结构层又有利于提高光的增益利用，提高电池的光电转化效率。超晶格结构层中的各个周期结构中的三个上述子结构层中的一个上述子结构层包括GaAs，另一个上述子结构层包括InxGa1-xAs，再一个上述子结构层包括InyGa1-yP。GaAs的禁带宽度1.43eV，InyGa1-yP的禁带宽度1.9eV左右，InxGa1-xAs随着In组分的增加使其禁带宽度有不断减小，该吸收层中包括多种光谱吸收范围不同的材料，拓宽了电池光谱吸收范围，提高了太阳能电池的光电转换效率。
2、本申请的上述制作方法形成的太阳能电池中，吸收层为超晶格结构层，具体包括多个由至少三个子结构层形成的周期结构，超晶格周期结构不仅有利于载流子的迅速转移，而且由各层组成的吸收层结构有利于光的传输吸收，同时超晶格结构层又有利于提高光的增益利用，提高电池的光电转化效率。超晶格结构层中的各个周期结构中的三个上述子结构层中的一个上述子结构层包括GaAs，另一个上述子结构层包括InxGa1-xAs，再一个上述子结构层包括InyGa1-yP。GaAs的禁带宽度1.43eV，InyGa1-yP的禁带宽度1.9eV左右，InxGa1-xAs随着In组分的增加使其禁带宽度有不断减小，该吸收层中包括多种光谱吸收范围不同的材料，拓宽了电池光谱吸收范围，提高了太阳能电池的光电转换效率。并且，上述的制作方法较简单，使得太阳能电池的制作效率较高。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括依次叠置的背场层(20)、基层(30)和发射层(40)，所述背场层(20)与所述发射层(40)之间具有PN结，所述基层(30)为超晶格结构层，所述超晶格结构层包括多个叠置的周期结构，各所述周期结构包括叠置的三个子结构层，三个所述子结构层中的一个所述子结构层包括GaAs，另一个所述子结构层包括InxGa1-xAs，再一个所述子结构层包括InyGa1-yP，其中，0<x<1，0<y<1；
沿靠近所述发射层(40)的方向上，一个所述周期结构中的三个所述子结构层依次为第一子结构层(31)、第二子结构层(32)和第三子结构层(33)，包括GaAs的所述子结构层为所述第一子结构层(31)，包括InxGa1-xAs的所述子结构层为所述第二子结构层(32)，包括InyGa1-yP的所述子结构层为所述第三子结构层(33)；
一个所述周期结构中，包括GaAs的所述子结构层的厚度在2nm～50nm之间，包括InxGa1-xAs的所述子结构层的厚度在1～15nm之间，包括InyGa1-yP的所述子结构层的厚度在2～30nm之间。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述周期结构有2～200个，所述基层(30)的厚度在100～5000nm之间。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，至少部分所述周期结构还包括第四子结构层(34)，所述第四子结构层(34)位于所述第三子结构层(33)的远离所述第二子结构层(32)的表面上，所述第四子结构层(34)包括InzGa1-zAs，其中，0<z<1。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，各所述周期结构中，包括InyGa1-yP的所述子结构层为第三子结构层(33)，与所述发射层(40)距离最小的所述周期结构中不包括所述第四子结构层(34)；所述第四子结构层(34)的厚度在1～15nm之间。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，0.3<y<0.7。
6.一种太阳能电池的制作方法，用于制作权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底的表面上设置背场层；在所述背场层的远离所述衬底的表面上叠层设置多个周期结构，形成基层，各所述周期结构包括叠置的三个子结构层，各所述周期结构中的三个所述子结构层中的一个所述子结构层包括GaAs，另一个所述子结构层包括InxGa1-xAs，再一个所述子结构层包括InyGa1-yP，其中，0<x<1，0<y<1；在所述基层的远离所述衬底的表面上设置发射层，所述发射层与所述背场层之间形成PN结。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述基层的制作过程包括：步骤S1，沿远离所述背场层的方向依次生长包括GaAs的所述子结构层、包括InxGa1-xAs的所述子结构层、包括InyGa1-yP的所述子结构层和包括InzGa1-zAs的所述子结构层，形成第一个所述周期结构；步骤S2，重复所述步骤S1共N-2次，形成第二个至第N-1个所述周期结构；步骤S3，依次生长包括GaAs的所述子结构层、包括InxGa1-xAs的所述子结构层和包括InyGa1-yP的所述子结构层，形成第N个所述周期结构，其中，0<z<1，N为大于或者等于2的正整数。
8.根据权利要求6或7所述的制作方法，其特征在于，在氮气为载气的条件下，生长包括GaAs的所述子结构层；在氢气为载气的条件下，生长包括InxGa1-xAs的所述子结构层；在氮气为载气的条件下，生长包括InyGa1-yP的所述子结构层。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4070205A (en) * | 1976-12-08 | 1978-01-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Aluminum arsenide eutectic gallium arsenide solar cell |
| EP0385638A2 (en) * | 1989-02-28 | 1990-09-05 | AT&T Corp. | Semiconductor superlattice self-electrooptic effect device |
| CN101336489A (zh) * | 2005-12-02 | 2008-12-31 | 海利安特斯有限公司 | 光伏电池 |
| DE102012212184A1 (de) * | 2011-07-28 | 2013-01-31 | International Business Machines Corporation | Photovoltaikelemente mit Gruppe-III/V-Halbleitern |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI285436B (en) * | 2005-12-30 | 2007-08-11 | Ind Tech Res Inst | Solar cell with superlattice structure and fabricating method thereof |
| US20100006143A1 (en) * | 2007-04-26 | 2010-01-14 | Welser Roger E | Solar Cell Devices |
| GB0917747D0 (en) * | 2009-10-09 | 2009-11-25 | Univ Glasgow | Intermediate band semiconductor photovoltaic devices, uses thereof and methods for their manufacture |
| EP2523218A2 (en) * | 2011-05-09 | 2012-11-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar Cell |
| US20140326302A1 (en) * | 2011-10-20 | 2014-11-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell |
| US9178098B2 (en) * | 2012-02-29 | 2015-11-03 | The Boeing Company | Solar cell with delta doping layer |
| WO2014122861A1 (ja) * | 2013-02-07 | 2014-08-14 | シャープ株式会社 | 光電変換素子 |
| CN104332511B (zh) * | 2014-11-12 | 2016-06-15 | 苏州强明光电有限公司 | InGaAs量子点太阳能电池及其制作方法 |
| CN105679873B (zh) * | 2014-11-19 | 2018-07-03 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 基于量子点超晶格结构的太阳能电池及其制备方法 |
| JP6259843B2 (ja) * | 2016-01-12 | 2018-01-10 | シャープ株式会社 | 間接遷移半導体材料を用いた量子構造を有する光電変換素子 |
-
2018
- 2018-11-19 CN CN201811377206.0A patent/CN111200030B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4070205A (en) * | 1976-12-08 | 1978-01-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Aluminum arsenide eutectic gallium arsenide solar cell |
| EP0385638A2 (en) * | 1989-02-28 | 1990-09-05 | AT&T Corp. | Semiconductor superlattice self-electrooptic effect device |
| CN101336489A (zh) * | 2005-12-02 | 2008-12-31 | 海利安特斯有限公司 | 光伏电池 |
| DE102012212184A1 (de) * | 2011-07-28 | 2013-01-31 | International Business Machines Corporation | Photovoltaikelemente mit Gruppe-III/V-Halbleitern |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 1eV带隙GaNAs/InGaAs短周期超晶格太阳能电池的设计;王海啸等;《中国科学:物理学 力学 天文学》;20130820(第08期);全文 * |
| 不同周期厚度的1eV GaNAs/InGaAs超晶格太阳电池材料的MBE生长和器件特性;王乃明等;《中国科学:物理学 力学 天文学》;20150120;全文 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111200030A (zh) | 2020-05-26 |
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