JP5729317B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1,2に示すように、半導体装置10は、半導体基板100と、フィールドプレート部11とを備えている。半導体基板100は、セル領域1a,1bと、非セル領域2とを備えている。フィールドプレート部11は、非セル領域2の表面に、半導体基板100の周縁に沿ってセル領域1a,1bの周りを取り囲むように形成されている。半導体装置10は、さらに、ゲート配線(図示していない)、表面電極134、裏面電極135、ゲートパッド3、電流検知領域用の電極パッド4,5、温度検知領域8,温度検知用の電極パッド6,7および保護膜141を備えている。なお、図1では、保護膜141の図示を省略している。半導体基板100は、シリコン基板である。
半導体装置10のフィールドプレート部11の製造方法について、説明する。半導体装置10のセル領域等の構造は、従来公知の半導体装置の製造方法を用いて製造することができるため、説明を省略する。このため、図3〜6においては、フィールドプレート部が形成されていないセル領域の図示を省略している。
CF4 → 2F + CF2 (1)
SiO2 + 4F → SiF4 + 2O/SiO2 + 2CF2→SiF4 + 2CO (2)
実施例2に係る半導体装置20は、図8に示すように、さらに中間層としてのポリシリコン層260を有するフィールドプレート部21を備えている。ポリシリコン層260は、絶縁膜120の第2部分122の表面に形成されており、第2電極232は、ポリシリコン層260の表面に形成されている。図2と同様に、第1電極231は、絶縁膜120の第1部分122の表面のうち第2部分122が形成されていない領域に形成されている。ポリシリコン層260の幅D3は、第2部分122の最大幅であるD2よりも大きく、ポリシリコン層260は、幅方向にせり出すように伸びている。その他の構成については、図2に示す半導体装置10と同様であるので、説明を省略する。
半導体装置20のフィールドプレート部21の製造方法について、説明する。半導体装置10のセル領域等の構造は、従来公知の半導体装置の製造方法を用いて製造することができるため、説明を省略する。また、図9〜11においては、フィールドプレート部が形成されていないセル領域の図示を省略している。
次に、図9に示すように、第2絶縁膜922の表面に、マスク材として、ポリシリコン層960を形成する。ポリシリコン層960は、絶縁膜220の第2部分222を形成する位置に形成される。なお、ポリシリコン層960の幅は、第2部分222の表面部222bの幅D2よりもやや広くなっている。
なお、半導体装置20のように、中間層の表面に第2電極を形成する場合には、中間層の幅が、第2部分の幅よりも大きくなっているため、絶縁膜の第2部分の平面方向の幅は、必ずしも半導体基板に近い側の幅が最も狭く、かつ半導体基板から遠い側の幅が最も広い状態になっていなくてもよい。このため、第2絶縁膜をエッチングする工程において、異方性エッチングを用いる必要はなく、等方性エッチングを用いることも可能である。例えば、図9に示す半導体基板900に等方性エッチングを行うと、図12に示すように、絶縁膜の第2部分となる第2絶縁膜922bの平面方向の幅は、半導体基板の深さ方向に略一定となる。図12に対して、ポリシリコン層960を残した状態で、半導体基板900の表面にアルミニウム層を形成する場合であっても、半導体装置を平面視したとき、第1電極の一部が、隣接する第2電極の一部と重なっている状態に配置することができる。
1b セル領域
2 非セル領域
3 ゲートパッド
4,5,6,7 電極パッド
8 温度検知領域
10,20 半導体装置
11,21 フィールドプレート部
100,900 半導体基板
101 ドリフト層
102 第1周辺層
103 第2周辺層
104 第3周辺層
105 コレクタ層
106 ボディ層
107 エミッタ層
108 ボディコンタクト層
120 絶縁膜
121 第1部分
122 第2部分
122a 裏面部
122b 表面部
123 領域
131,231 第1電極
132,232 第2電極
134 表面電極
135 裏面電極
136 トレンチゲート
141 保護膜
150 領域
260,960 ポリシリコン層
921 第1絶縁膜
922,922a,922b 第2絶縁膜
925 レジスト層
Claims (4)
- 半導体素子が形成されたセル領域と、セル領域の周囲に設けられた非セル領域とを有する半導体基板と、
非セル領域の表面にフローティング状態で形成されたフィールドプレート部とを備えた半導体装置であって、
フィールドプレート部は、
半導体基板の表面に形成されている第1部分と、第1部分の表面に半導体基板の平面方向の内側から外側に向かって間隔を空けて形成されている複数の第1部分よりも厚い第2部分とを有する絶縁膜と、
絶縁膜の第1部分の表面のうち第2部分が形成されていない領域に形成されており、半導体基板の平面方向の内側から外側に向かって間隔を空けて配置された複数の第1電極と、
絶縁膜の第2部分の表面に第1電極と離間して形成されており、半導体基板の平面方向の内側から外側に向かって間隔を空けて配置された複数の第2電極と、
を備えており、
第2部分の半導体基板の平面方向の内側から外側に向かう方向の幅は、半導体基板に近い側が最も狭く、半導体基板から遠ざかるほど広くなっており、
半導体装置を平面視したとき、第1電極の一部は、隣接する第2電極の一部と重なっている、半導体装置。 - 半導体素子が形成されたセル領域と、セル領域の周囲に設けられた非セル領域とを有する半導体基板と、
非セル領域の表面にフローティング状態で形成されたフィールドプレート部とを備えた半導体装置であって、
フィールドプレート部は、
半導体基板の表面に形成されている第1部分と、第1部分の表面に半導体基板の平面方向の内側から外側に向かって間隔を空けて形成されている複数の第1部分よりも厚い第2部分とを有する絶縁膜と、
絶縁膜の第2部分の表面に形成された中間層と、
絶縁膜の第1部分の表面のうち第2部分が形成されていない領域に形成されており、半導体基板の平面方向の内側から外側に向かって間隔を空けて配置された複数の第1電極と、
中間層の表面に第1電極と離間して形成されており、半導体基板の平面方向の内側から外側に向かって間隔を空けて配置された複数の第2電極と、
を備えており、
中間層の半導体基板の平面方向の内側から外側に向かう方向の幅は、第2部分の半導体基板の平面方向のうち内側から外側に向かう方向の幅よりも広くなっており、
半導体装置を平面視したとき、第1電極の一部は、隣接する第2電極の一部と重なっている、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
フィールドプレート部の絶縁膜は、
半導体基板の表面に、第1材料によって第1絶縁膜を形成し、
第1絶縁膜の表面に、第1材料と異なる第2材料によって第2絶縁膜を形成し、
絶縁膜の第2部分を形成する領域の第2絶縁膜の表面にマスク材を形成して、第2絶縁膜を選択的に異方性エッチングすることによって形成され、
第2電極は、マスク材を除去した後の第2絶縁膜の表面に形成される、製造方法。 - 請求項2に記載の半導体装置の製造方法であって、
フィールドプレート部の絶縁膜は、
半導体基板の表面に、第1材料によって第1絶縁膜を形成し、
第1絶縁膜の表面に、第1材料と異なる第2材料によって第2絶縁膜を形成し、
絶縁膜の第2部分を形成する領域の第2絶縁膜の表面に中間層を形成して、その中間層をマスクとして第2絶縁膜を選択的にエッチングすることによって形成され、
第2電極は、中間層の表面に形成される、製造方法。
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