JP5703430B2 - 磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスク - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 225
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 214
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 34
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 13
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 77
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 51
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 50
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000003426 chemical strengthening reaction Methods 0.000 description 8
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 6
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001422033 Thestylus Species 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 2
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020707 Co—Pt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000003280 down draw process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000005337 ground glass Substances 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/82—Disk carriers
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73921—Glass or ceramic substrates
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
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Description
さらに、記憶容量の一層の増大化のために、DFH(Dynamic Flying Height)機構を搭載した磁気ヘッドを用いて磁気記録面からの浮上距離を極めて短くすることにより、磁気ヘッドの記録再生素子と磁気ディスクの磁気記録層との間の磁気的スペーシングを低減して情報の記録再生の精度をより高める(S/N比を向上させる)ことも行われている。この場合においても、磁気ヘッドによる磁気記録情報の読み書きを長期に亘って安定して行うために、磁気ディスクの基板の表面凹凸は可能な限り小さくすることが求められる。
特にエネルギーアシスト磁気記録技術を採用した磁気ディスクでは、高密度記録化のために磁性粒子の粒径を小さくする一方で、粒径が小さくしたことに起因した熱揺らぎによる磁気特性の劣化を抑制するために、いわゆる高Ku磁性材料(Fe−Pt系、Co−Pt系等の磁気異方性エネルギーが高い磁性材料)が採用されている。この高Ku磁性材料は、高Kuを実現するために特定の結晶配向状態を得る必要があり、そのため、高温での成膜、あるいは成膜後に高温で熱処理を行う必要がある。これらの高Ku磁性材料からなる磁気記録層を形成するためには、ガラス基板には上記高温処理に耐え得る高い耐熱性、即ち高いガラス転移温度(例えば摂氏600〜700度以上)を有することが求められる。そして、エネルギーアシスト磁気記録技術を採用した磁気ディスク用ガラス基板には、高い耐熱性を持たせるために従来よりも線膨張係数(Coefficient of Thermal Expansion;CTE)が小さいガラス材料が用いられる場合がある。線膨張係数を小さくすることで、熱処理時のガラス基板の伸びを抑制することができるので、熱処理時に基板を保持する保持部材によるディスクの変形や割れ、保持部材からのディスク落下等のリスクを低減することが可能となる。
なお従来は、ガラス基板の板厚よりも長い板状のプローブをガラス基板の主表面に対して垂直方向に内孔に挿入し、内孔を周方向に走査することで内孔の真円度を測定していた。このとき、プローブは、板厚方向において最も基板の中心側へ突出した位置で接する。したがって、真円度測定の基礎となる内孔の輪郭線には、内孔の板厚方向の形状とは無関係に、基板の中心方向に最も突出した形状が反映されることになる。そのため、従来の真円度の測定方法では、内孔の側壁面の板厚方向での3次元形状を評価する指標とはなり得なかった。つまり、従来の真円度の測定方法で磁気ディスクの内孔の真円度を十分に良好にした場合であっても、内孔の3次元形状の精度が高くない場合が生じうる。
上述した磁気ディスクの僅かな歪みであっても、この僅かな歪みに起因して高速回転させたときにフラッタリングのレベルが大きくなる。フラッタリングのレベルの増大は、HDDのデータトラックの位置決め精度を悪化させる等の問題を生じさせると考えられる。特に高TPIのHDDでは、HDDのデータトラックの位置決め精度に悪影響を及ぼす磁気ディスクの回転時の偏心を抑制するため、スピンドル径と磁気ディスクの内径との遊びは20μm以下と極めて小さくなってきていると考えられており、この少ない遊び量が、上記CTEの差に起因する、スピンドルの磁気ディスクの内孔に対する局所的な当たりを助長すると考えられる。また、上記基板の歪みに起因するフラッタリングの問題は、10000rpm以上の高速で基板が回転するHDDにおいてより顕著になる。
本実施形態における磁気ディスク用ガラス基板の材料として、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラスなどを用いることができる。特に、化学強化を施すことができ、また主表面の平坦度及び基板の強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を作製することができるという点で、アルミノシリケートガラスを好適に用いることができる。さらに、アモルファスのアルミノシリケートガラスとすると、表面の粗さなど平滑性を高めやすくより好ましい。
また、酸化物基準の質量%で、SiO2:45.60〜60%、およびAl2O3:7〜20%、およびB2O3:1.00〜8%未満、およびP2O5:0.50〜7%、およびTiO2:1〜15%、およびROの合計量:5〜35%(ただしRはZn及びMg)の各成分を含有し、CaOの含有量が3.00%以下、BaOの含有量が4%以下であり、PbO成分、As2O3成分およびSb2O3成分およびCl−、NO−、SO2−、F−成分を含有せず、主結晶相としてRAl2O4、R2TiO4、(ただしRはZn、Mgから選択される1種類以上)から選ばれる一種以上を含有し、主結晶相の結晶粒径が0.5nm〜20nmの範囲であり、結晶化度が15%以下であり、比重が2.95以下であることを特徴とする結晶化ガラスであってもよい。
このような組成の磁気ディスク用ガラス基板は、Tgが650度以上であり耐熱性が高いのでエネルギーアシスト磁気記録用磁気ディスクに使用される磁気ディスク用ガラス基板に好適である。また、線膨張係数(CTE)を60×10−7[K−1]以下とすることができるので好ましい。なお、この明細書において単に線膨張係数という場合、ガラス基板の温度が100℃と300℃における熱膨張率を用いて算出される平均線膨張係数値のことを指す。
上記組成のガラス材料は一例に過ぎない。後述する円孔の形状を満たす限り、ガラス材料自体は磁気ディスク用ガラス基板として用いられうる他の組成であってもよい。
図1Bは、実施形態の磁気ディスク用ガラス基板1の内周側の端部の断面を拡大して示す図である。図1Bに示すように、磁気ディスク用ガラス基板1は、一対の主表面1pと、一対の主表面1pに対して直交する方向に沿って配置された側壁面1tと、一対の主表面1pと側壁面1tとの間に配置された一対の面取面1cとを有する。図示しないが、磁気ディスク用ガラス基板1の外周側の端部についても同様に、側壁面と面取面が形成されている。なお、面取面は、断面視において円弧状に形成されていてもよい。以下の説明では、側壁面と面取面を総称して端面ともいう。内周側の端面が内周端面であり、外周側の端面が外周端面である。
なお、真円度の測定方法は、公知の方法でよい。例えば前述しように、ガラス基板の板厚よりも長い板状のプローブをガラス基板の主表面に対して垂直方向に内孔に挿入し、内孔を周方向に走査することで輪郭線を取得し、この輪郭線の内接円と外接円との半径の差をガラス基板の真円度として算出することができる。
図3を参照すると、先ず3個の輪郭線Pa〜Pcの内接円の半径をもとめる。次いで、3個の輪郭線の内接円の半径のうちの最大値Rmaxと最小値Rminの差をもとめ、その半径の差を内孔2の形状評価値とする。本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板は、内孔2の形状評価値が3.5μm以下であり、2.5μm以下であるとなお良い。
先ず、図4を参照して、側壁面1tと面取面1cとの間の部分の形状の曲率半径をもとめる方法について説明する。図4において、Rは、側壁面1tと面取面1cとの間の部分の形状の曲率を形成する円C2の半径であって、当該部分の形状の曲率半径である。曲率半径Rは、例えば以下のようにしてもとめられる。先ず、面取面1cの直線部を延ばした仮想線L1と、側壁面1tの直線部を延ばした仮想線L2との交点をP1とする。次に、交点P1を通り、且つ、面取面1cの直線部に対して垂直に延びる仮想線L3を設定する。次いで、側壁面1tと面取面1cとの間の部分と、仮想線L3との交点をP2とする。また、磁気ディスク用ガラス基板1の断面において、交点P2を中心として所定の半径(例えば50μm)を有する円C1を設定する。また、側壁面1tと面取面1cとの間の部分と、円C1の外周との2つの交点をそれぞれP3,P4とする。さらに、3つの交点P2,P3,P4のそれぞれを通る円C2を設定する。
そして、円C2の半径をもとめることによって、側壁面1tと面取面1cとの間の部分の形状の曲率半径Rがもとめられる。
なお、側壁面1tと一方の主表面1pに隣接する面取面1cとの間、及び、側壁面1tと他方の主表面1pに隣接する面取面1cとの間の両方の部分の形状の曲率半径について、上述したようにしてもとめることができる。
このようなクランプ領域の平坦度は、最大山高さと最大谷深さの差であるTIR(Total Indicated Runout)値で表わされる。平坦度の測定は、例えば、干渉式平坦度測定機を使用し、所定の測定波長で位相測定干渉法(フェイズシフト法)により行うことができる。具体的には、測定波長680nmの光源を用いて位相測定干渉法(フェイズシフト法)により、ガラス基板の両主表面のクランプ領域の平坦度を測定すればよい。なお、平坦度は両主表面のクランプ領域で測定し、高い方の値を測定したガラス基板の平坦度とすればよい。
ガラス基板の主表面において、前記クランプ部材により締付け固定される箇所の平坦度が悪いと、クランプ部材を締付けたときにガラス基板の形状が僅かに変形し、磁気ディスク全体としての平坦度が悪化する場合がある。その結果、フラッタリングが悪化する場合がある。そのため、上述したように、クランプ領域の平坦度は1μm以下であることが好ましい。
以下、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について、工程毎に説明する。ただし、各工程の順番は適宜入れ替えてもよい。
例えばプレス成形によってガラス素板を成形し、適宜、内孔と外形を形成する加工を行って所定の板厚の内孔を有する円盤状のガラス基板を得る。なお、ガラス素板は、これらの方法に限らず、フロート法、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法などの公知の製造方法を用いて製造することもできる。
次に、円環状のガラス基板の端面の研削加工が行われる。ガラス基板の端面の研削加工は、ガラス基板の外周側端部と内周側端部に対する面取面の形成及びガラス基板の外径、内径を調整するために行われる。ガラス基板の外周側端面の研削加工は、例えば、ダイヤモンド砥粒を用いた総形砥石による公知の面取り加工でよい。
ガラス基板の内周側端面の研削加工は、総形砥石による研削加工に加えて、ガラス基板の端面に当接する砥石の軌跡が一定とならないように、ガラス基板の端面と砥石とを接触させる、追加の研削加工により行う。ガラス基板の内周側端面の追加の研削加工について、図5を参照して以下で説明する。
図5に示すように、ガラス基板Gの内周側端面の研削加工に用いる研削砥石40は、全体が円筒状に形成されているとともに溝50を有する。溝50は、ガラス基板Gの内周側の側壁面1tと面取面1cとの両方の面を同時に研削加工できるように形成されており、具体的には、溝50は、側壁部50a及びその両側に存在する面取部50b,50bからなる溝形状を備えている。上記溝50の側壁部50a及び 面取部50bは、ガラス基板Gの研削加工面の仕上がり目標の寸法形状を考慮して、所定の寸法形状に形成されている。
ガラス基板の内周側端面の加工では、研削砥石40に形成された溝50の溝方向に対してガラス基板Gを傾けた状態、つまり研削砥石40の回転軸L40に対してガラス基板Gの回転軸L1を角度α(図5において、αは反時計回りの角度を正とする。)だけ傾けた状態で、ガラス基板Gの内周側端面1tに研削砥石40を接触させながら、ガラス基板Gと研削砥石40の両方を回転させて研削加工を行う。これによって、ガラス基板Gの内周側端面に当接する研削砥石40の軌跡が一定とはならないで、研削砥石40の砥粒が基板端面に対してランダムな位置に当接、作用するため、基板へのダメージが少なく、研削加工面の表面粗さやその面内ばらつきも小さくなり、研削加工面をより高平滑に、すなわちより高い品質要求に応えられるレベルの品位に仕上げることができる。さらには砥石寿命の向上効果も有する。
研削砥石40の周速度の好ましい例は、500〜3000m/分、ガラス基板Gの周速度は、1〜30m/分程度である。また、ガラス基板Gの周速度に対する研削砥石40の周速度の比(周速度比)は、50〜300の範囲内であることが好ましい。
なお、上記研削工程を2回に分け、1回目の研削を、上述したようにガラス基板Gの回転軸を角度α(α>0)だけ傾けた状態で行い、2回目の研削を、別の砥石を使用してガラス基板Gの回転軸を−αの角度だけ傾けた状態で行い、2回目の研削の取代を1回目の研削の取代より少なくなるように調整することで、Rz(t)/Rz(c)を1.2以下とすることができる。
発明者は、様々な特性のレジンボンド砥石を用いて内周側端面の研削加工を行いガラス基板の端面の加工品質を観察した結果、レジンボンド砥石におけるダイヤモンド砥粒と樹脂との結合強度が、上記研削加工後のガラス基板の内孔の形状評価値に大きく影響を与えることを見出した。すなわち、砥石硬度が高過ぎるレジンボンド砥石を用いて内周側端面の研削加工を行うと、加工レートは良好となるが表面にキズが入り易くなって内孔の形状評価値は悪化し、砥石硬度が低過ぎるレジンボンド砥石を用いて内周側端面の研削加工を行うと、内孔の形状評価値は良好となるが加工レートが著しく低下することがわかった。換言すると、砥石硬度を変化させることでガラス基板の内孔の形状評価値を調節することができる。その結果、砥石硬度の範囲は、上記範囲が好ましいことがわかった。上記範囲内とすることで、研削加工後の内周側端面を準鏡面とすることができるので、その後の端面研磨工程では取代を少なくすることができ、高い表面品質を維持しつつ、内孔の形状評価値を含む端部の形状精度を高めることができる。
H=F/Ac …式(1)
ここで、Hは研削砥石の硬度、Fは荷重、Acはくぼみ面積である。
上記くぼみ面積Acは、下記の関係式(2),(3)によって表わされる。
Ac=f(hc) ∝ 24.5・hc2 …式(2)
hc=hmax−ε・F/S …式(3)
ここで、hc:押込み深さ、hmax:最大荷重時の深さ、hs:除荷開始時の押込み深さ、ho:除荷後の押込み深さ、ε:圧子固有の形状係数(例:バーコビッチ圧子の場合=0.75)、S:荷重と変位の比例係数、m:傾き(dF/dh)。
次に、円環状のガラス基板の端面に対する研磨加工が行われる。ガラス基板の端面に対する研磨加工は、ガラス基板の外周側及び内周側端面(側壁面及び面取面)に対する表面性状を良好にするために行われる。端面研磨工程では、ブラシ研磨によりガラス基板の外周側及び内周側端面を研磨する。
必要に応じて適宜主表面の研削工程を実施した後、研削されたガラス基板の主表面に第1研磨が施される。第1研磨は、主表面の研削等により主表面に残留したキズ、歪みの除去、表面凹凸(マイクロウェービネス、粗さ)の調整を目的とする。
第1研磨工程では、遊星歯車機構を備えた両面研磨装置を用いてガラス基板の主表面に対する研磨を行う。両面研磨装置は、上定盤および下定盤を有している。下定盤の上面および上定盤の底面には、平板の研磨パッド(樹脂ポリッシャ)が取り付けられている。上定盤および下定盤の間に、キャリアに収容した1又は複数のガラス基板が狭持され、研磨剤を含む遊離砥粒を供給しながら、遊星歯車機構により、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作することにより、ガラス基板と各定盤とを相対的に移動させることで、このガラス基板の両主表面を研磨することができる。
上記相対運動の動作中には、上定盤がガラス基板に対して(つまり、鉛直方向に)所定の荷重で押圧され、ガラス基板に対して研磨パッドが押圧されるとともに、ガラス基板と研磨パッドの間に研磨液が供給される。この研磨液に含まれる研磨剤によってガラス基板の主表面が研磨される。研磨剤は、例えば酸化セリウムや酸化ジルコニウム、二酸化ケイ素など公知の砥粒を用いることができる。なお、砥粒の種類やサイズを変えて複数の工程に分けて実施してもよい。
さらに、必要に応じて、ガラス基板は化学強化されてもよい。
化学強化液として、例えば硝酸カリウムと硫酸ナトリウムの混合塩の溶融液等を用いることができる。化学強化処理は、例えばガラス基板を化学強化液中に浸漬することによって実施される。
このように、ガラス基板を化学強化液に浸漬することによって、ガラス基板の表層のリチウムイオン及びナトリウムイオンが、化学強化液中のイオン半径が相対的に大きいナトリウムイオン及びカリウムイオンにそれぞれ置換され、ガラス基板が強化される。
次に、ガラス基板に第2研磨が施される。第2研磨は、主表面の鏡面研磨を目的とする。第2研磨では例えば、第1研磨で用いた研磨装置を用いる。このとき、第1研磨と異なる点は、遊離砥粒の種類及び粒子サイズが異なることと、樹脂ポリッシャの硬度が異なることである。
第2研磨に用いる遊離砥粒として、例えば、スラリーに混濁させたコロイダルシリカ等の微粒子(粒子サイズ:直径10〜100nm程度)が用いられる。これにより、ガラス基板の主表面の表面粗さをさらに低減でき、端部形状を好ましい範囲に調整できる。
研磨されたガラス基板を洗浄することで、磁気ディスク用ガラス基板が得られる。
磁気ディスクは、磁気ディスク用ガラス基板を用いて以下のようにして得られる。
磁気ディスクは、例えば磁気ディスク用ガラス基板(以下、単に「基板」という。)の主表面上に、主表面に近いほうから順に、少なくとも付着層、下地層、磁性層(磁気記録層)、保護層、潤滑層が積層された構成になっている。
例えば基板を、真空引きを行った成膜装置内に導入し、DCマグネトロンスパッタリング法にてAr雰囲気中で、基板の主表面上に付着層から磁性層まで順次成膜する。付着層としては例えばCrTi、下地層としては例えばCrRuを用いることができる。磁性層としては、例えばCoPt系合金を用いることができる。また、L10規則構造のCoPt系合金やFePt系合金を形成して熱アシスト磁気記録用の磁性層とすることもできる。上記成膜後、例えばCVD法によりC2H4を用いて保護層を成膜し、続いて表面に窒素を導入する窒化処理を行うことにより、磁気記録媒体を形成することができる。その後、例えばPFPE(パーフルオロポリエーテル)をディップコート法により保護層上に塗布することにより、潤滑層を形成することができる。
作製された磁気ディスクは、好ましくは、DFH(Dynamic Flying Height)コントロール機構を搭載した磁気ヘッドと、磁気ディスクを固定するためのスピンドルとを備えた、磁気記録再生装置としての磁気ディスクドライブ装置(HDD(Hard Disk Drive))に組み込まれる。
本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の効果を確認するために、製造した磁気ディスク用ガラス基板から2.5インチの磁気ディスク(外径65mm、内径20mm、板厚0.8mm、内径側の側壁面の長さ0.5mm、面取面の主表面に対する角度は45度)を作製した。作製した磁気ディスク用ガラス基板のガラスの組成は、下記の通りである。
(ガラスの組成)
SiO2を63モル%、Al2O3を10モル%、Li2Oを1モル%、Na2Oを6モル%、MgOを19モル%、CaOを0モル%、SrOを0モル%、BaOを0モル%、ZrO2を1モル%
なお、MgO、CaO、SrOおよびBaOの合計含有量に対するCaOの含有量のモル比(CaO/(MgO+CaO+SrO+BaO))は0であり、ガラス転移温度が703℃のアモルファスのアルミノシリケートガラスである。この組成のガラス材料の線膨張係数は、56×10-7[K−1]である。
実施例の磁気ディスク用ガラス基板については、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の各工程を順序通りに行うことで作製した。
ここで、ガラス基板の成形は、プレス成形方法を用い、公知の方法で内径、外形を形成し、板厚を調整した。
端面研削工程では、ガラス基板の内周及び外周端面に対して、ダイヤモンド砥粒を用いた総形砥石による面取り及び側壁面加工を行い、面取面と側壁面を形成した。さらに、ガラス基板の内周側端面については、ガラス基板の端面に当接する砥石の軌跡が一定とならないように、ガラス基板の端面と砥石とを傾けて接触させる研削加工を追加することにより、面取面及び側壁面の形状精度をさらに高めつつ表面品質もさらに向上させた。
ガラス基板の内周側端面における追加の研削加工は、#2500のダイヤモンド砥粒のレジンボンド砥石を用いて研削砥石の溝方向に対するガラス基板の傾斜角度(図5のα)を5度とし、その他の条件については適宜調整して行った。このとき、研削砥石の溝方向に対するガラス基板の傾斜角度(図5のα)及びその他のファクタ(砥石の番手、砥石やガラス基板の周速度)を前記した範囲において適宜調整していくことによって、内孔の形状評価値が異なるガラス基板を作り分けた。なお、表1の実施例1の場合にはα=5度としたが、傾斜角度をさらに大きくすることで研削後の表面品質が向上するため、形状評価値をさらに改善することができる。
なお、表1の実施例1の場合、砥石硬度が1.05GPaのレジンボンド砥石を使用して端面研削加工を行った。
なお、磁気ディスク用ガラス基板の内孔の真円度は、作製した磁気ディスク用ガラス基板の板厚よりも長い板状のプローブをガラス基板の主表面に対して垂直方向に内孔に挿入し、内孔を周方向に走査することで輪郭線を取得し、この輪郭線の内接円と外接円との半径の差として算出した。内孔の形状評価値は、図2Aに示した位置で得られた3個の輪郭線に基づいて算出した。つまり、内孔の板厚方向の中心位置、及び中心位置から上下に200μm離れた位置の輪郭線を取得し、その3個の輪郭線における内接円のうち、最も小さい内接円の半径と、最も大きな内接円の半径との差を、内孔の形状評価値とした。いずれの測定も真円度・円筒形状測定機を用いて行った。
次いで、比較例及び実施例の磁気ディスク用ガラス基板のサンプルに対して上述したように成膜して、比較例及び実施例の磁気ディスクのサンプルを作製した。この比較例及び実施例の磁気ディスクのサンプルについて、レーザドップラー振動計を用いてフラッタリング特性値を測定することにより、フラッタリングを評価した。フラッタリング特性値の測定では、磁気ディスクを2.5インチ型HDDのスピンドルに装着して磁気ディスクを回転させ、回転中の磁気ディスクの主表面に対してレーザドップラー振動計からレーザ光を照射する。なお、HDDのカバーにはレーザ照射用の穴を開けてある。次に、磁気ディスクで反射したレーザ光をレーザドップラー振動計が受光することにより、磁気ディスクの板厚方向の振れ量をフラッタリング特性値として測定する。このとき、以下の条件でフラッタリング特性値を測定した。
・HDD及び測定システムの環境:恒温恒湿チャンバー内で温度を80℃に維持
・磁気ディスクの回転数:7200rpm
・レーザ光の照射位置:磁気ディスクの中心から半径方向に31mm(外周端から1.5mm)の位置
測定されたフラッタリング特性値に対する評価結果を、下記のとおり、良好な順に(つまり、フラッタリング特性値が小さい順に)4つのレベル1〜4に分けた。レベル1、2であれば500kTPIのHDD向けとして実用上合格である。
レベル1:20nm以下
レベル2:20nmより大きく、30nm以下
レベル3:30nmより大きく、40nm以下
レベル4:40nmより大きい
表2から、Rz(t)/Rz(c)が1.2以下となることで、形状評価値のばらつきが小さくなることがわかる。また、Rz(t)/Rz(c)が1.1以下となると、形状評価値のばらつきがさらに小さくなることがわかる。
また、実施例1、7、8について、内周端部における側壁面と面取面の間の部分の曲率半径をもとめた。なお、端面研磨の取代が小さいほど研削工程で整えた形状が維持されるため、形状精度が高めることができる。すなわち、内周端部の周方向において隣接する測定位置での曲率半径の差を小さくすることができる。
ガラス基板1枚についての曲率半径は、以下の通りもとめた。すなわち、内周端部における表面側12点及び裏面側の12点の合計24点測定した。そして、表面側12点における隣接する測定点間の曲率半径の差(12個のデータ)と、裏面側12点における隣接する測定点間の曲率半径の差(12個のデータ)とを求め、合計24個のデータのうち最大の値を、そのガラス基板の曲率半径の最大値とした。測定データの例を、表3に示す。表3において、測定対象となるガラス基板の表面、裏面をそれぞれ、A面、B面として表記している。また、表3において、例えば「0〜30度」のときの曲率半径の差とは、0度の測定点における曲率半径と、30度の測定点における曲率半径の差の絶対値を意味する。また、例えば、A面の30度の位置の裏側をB面の30度の位置となるようにした。
実施例1、7、8の各10枚のサンプルについて曲率半径の差の最大値をもとめたところ、実施例1の10枚のサンプルについてはいずれも0.010mm以下であり、実施例7の10枚のサンプルについてはいずれも0.005mm以下であり、実施例8の10枚のサンプルについてはいずれも0.012mm以下であった。表3に示す測定データの例は、各実施例について曲率半径の差の最大値が最も大きかった1枚のサンプルのデータである。
表4に、実施例1、7、8について、曲率半径の差の最大値(表3に示す値と同じ;10枚のうち最も大きい値)と、形状評価値のばらつきとを示す。
表4から、曲率半径の差の最大値を0.01mm以下とすることで、形状評価値のばらつきを大きく低下させることができることがわかる。
さらに、板厚が0.635mmの磁気ディスク用ガラス基板についても、研削砥石の溝方向に対するガラス基板の傾斜角度(図5のα)及びその他のファクタ(砥石の番手、砥石やガラス基板の周速度)を適宜調整して、内孔の形状評価値が異なるガラス基板を作り分けた(比較例5、実施例9、実施例10)。なお、実施例9、10については、上記α=5度を基準として大きくしていくことで、異なる形状指標値となるように作り分けた。比較例5、実施例9、実施例10の場合の測定結果を表5に示す。
表5に示すように、板厚が0.635mmの場合について、磁気ディスクの内孔の形状評価値が3.5μm以下の場合には、HDDのフラッタリング特性が良好となり、形状評価値を2.5μm以下とした場合には、フラッタリング特性がさらに向上したことが確認された。
クランプ領域の平坦度が0.7μmである磁気ディスク用ガラス基板を基にした磁気ディスク基板を用いてフラッタリング特性値を測定したところ、クランプ領域の平坦度が1.1μmの場合を比較して約10%低減した。すなわち、クランプ領域の平坦度が小さくなることで、フラッタリングが改善したことが確認できた。
1p…主表面
1t…側壁面
1c…面取面
2…内孔
Claims (7)
- 中心に円孔を有し、一対の主表面と、上記主表面に対して直交している側壁面とを備える磁気ディスク用ガラス基板であって、
上記円孔の真円度が1.5μm以下であり、
上記円孔の側壁面上の板厚方向に200μm間隔で離れた3点の位置における、円周方向の輪郭線からそれぞれ求められる3つの内接円の半径の最大値と最小値との差が3.5μm以下であることを特徴とする、
磁気ディスク用ガラス基板。 - 中心に円孔を有し、一対の主表面と、上記主表面に対して直交している側壁面とを備える板厚が0.635mm以下の磁気ディスク用ガラス基板であって、
上記円孔の真円度が1.5μm以下であり、
上記円孔の側壁面上の板厚方向に100μm間隔で離れた3点の位置における、円周方向の輪郭線からそれぞれ求められる3つの内接円の半径の最大値と最小値との差が3.5μm以下であることを特徴とする、
磁気ディスク用ガラス基板。 - 上記円孔の側壁面の表面粗さRzは0.2μm以下であることを特徴とする、
請求項1又は2に記載された磁気ディスク用ガラス基板。 - 100℃から300℃における平均線膨張係数が60×10−7[K−1]以下であることを特徴とする、
請求項1〜3のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラス基板。 - 上記円孔の側壁面の表面粗さに関し、板厚方向における最大高さをRz(t)とし、円周方向における最大高さをRz(c)とした場合に、Rz(t)/Rz(c)が1.2以下であることを特徴とする、
請求項1〜4のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラス基板。 - 前記ガラス基板の中心を基準として周方向に30度ごとに測定点を設け、前記円孔の側壁面と面取面との間の部分の形状の前記測定点における曲率半径をもとめたときに、隣接する測定点間の前記曲率半径の差が0.01mm以下であることを特徴とする、
請求項1〜5のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラス基板。 - 請求項1〜6のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラス基板の主表面上に少なくとも磁性層を形成したことを特徴とする、
磁気ディスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014561653A JP5703430B2 (ja) | 2013-02-22 | 2014-02-24 | 磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013033719 | 2013-02-22 | ||
JP2013033719 | 2013-02-22 | ||
PCT/JP2014/054384 WO2014129633A1 (ja) | 2013-02-22 | 2014-02-24 | 磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスク |
JP2014561653A JP5703430B2 (ja) | 2013-02-22 | 2014-02-24 | 磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスク |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015033361A Division JP6294843B2 (ja) | 2013-02-22 | 2015-02-23 | 円環状基板、磁気ディスク用基板、磁気ディスク用基板の製造方法、磁気ディスク、磁気ディスクの製造方法、ハードディスク装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5703430B2 true JP5703430B2 (ja) | 2015-04-22 |
JPWO2014129633A1 JPWO2014129633A1 (ja) | 2017-02-02 |
Family
ID=51391409
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014561653A Active JP5703430B2 (ja) | 2013-02-22 | 2014-02-24 | 磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスク |
JP2015033361A Active JP6294843B2 (ja) | 2013-02-22 | 2015-02-23 | 円環状基板、磁気ディスク用基板、磁気ディスク用基板の製造方法、磁気ディスク、磁気ディスクの製造方法、ハードディスク装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015033361A Active JP6294843B2 (ja) | 2013-02-22 | 2015-02-23 | 円環状基板、磁気ディスク用基板、磁気ディスク用基板の製造方法、磁気ディスク、磁気ディスクの製造方法、ハードディスク装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9595284B2 (ja) |
JP (2) | JP5703430B2 (ja) |
CN (2) | CN108847256B (ja) |
MY (2) | MY172325A (ja) |
SG (2) | SG11201506619TA (ja) |
WO (1) | WO2014129633A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5574392B1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-08-20 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスク |
JP5860173B2 (ja) | 2012-12-29 | 2016-02-16 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板および磁気ディスク |
MY172325A (en) * | 2013-02-22 | 2019-11-21 | Hoya Corp | Annular substrate, magnetic-disk substrate, method for manufacturing a magnetic-disk substrate, magnetic disk, method for manufacturing a magnetic disk, and hard disk apparatus |
CN105009213B (zh) * | 2013-03-01 | 2018-06-29 | Hoya株式会社 | 磁盘用玻璃基板和磁盘 |
CN106030709B (zh) * | 2014-03-31 | 2018-02-23 | Hoya株式会社 | 磁盘用玻璃基板 |
JP6106813B1 (ja) | 2015-09-30 | 2017-04-05 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスク、ガラス基板中間体、及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
JP5939350B1 (ja) * | 2015-12-28 | 2016-06-22 | 旭硝子株式会社 | 磁気記録媒体用ガラス基板、磁気記録媒体 |
SG10201912471WA (en) * | 2015-12-28 | 2020-02-27 | Hoya Corp | Annular glass blank, method for manufacturing annular glass blank, method for manufacturing annular glass substrate, and method for manufacturing magnetic-disk glass substrate |
WO2019066086A1 (ja) | 2017-09-29 | 2019-04-04 | Hoya株式会社 | ガラススペーサ及びハードディスクドライブ装置 |
JP6895918B2 (ja) * | 2018-03-23 | 2021-06-30 | 古河電気工業株式会社 | 磁気ディスク用アルミニウム合金基板、ディスク駆動装置、及び磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法 |
JP7459725B2 (ja) | 2020-08-27 | 2024-04-02 | 株式会社レゾナック | ダミー基板、およびその製造方法 |
US11270724B1 (en) * | 2021-03-04 | 2022-03-08 | Western Digital Technologies, Inc. | Glass substrates for heat assisted magnetic recording (HAMR) and methods and apparatus for use with the glass substrates |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008226376A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Konica Minolta Opto Inc | 情報記録媒体用ガラス基板及び磁気記録媒体 |
JP2008310842A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Konica Minolta Opto Inc | 磁気記録媒体用ガラス基板及び磁気記録媒体 |
WO2010041537A1 (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-15 | コニカミノルタオプト株式会社 | ガラス基板の製造方法、および磁気記録媒体の製造方法 |
JP2011198428A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板およびその評価方法 |
JP2012113802A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-06-14 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
JP5126401B1 (ja) * | 2011-09-28 | 2013-01-23 | 旭硝子株式会社 | 磁気記録媒体用ガラス基板 |
JP2013028512A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Asahi Glass Co Ltd | 基板用ガラスおよびガラス基板 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3140702B2 (ja) * | 1996-12-20 | 2001-03-05 | 日本碍子株式会社 | 磁気ディスク基板用結晶化ガラス、磁気ディスク基板および磁気ディスク |
US7071132B2 (en) * | 2000-07-07 | 2006-07-04 | Kabushiki Kaisha Ohara | Low expansion transparent glass ceramics |
EP1528563A4 (en) * | 2002-08-06 | 2008-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | OPTICAL DISC MEDIUM AND HUB |
JP4250385B2 (ja) * | 2002-08-09 | 2009-04-08 | Hoya株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、及び情報記録媒体用ガラス基板の研削装置 |
CN100538827C (zh) * | 2004-03-25 | 2009-09-09 | Hoya株式会社 | 磁盘用玻璃基板 |
JP2006099936A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-04-13 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法及びガラス基板用の円柱状ガラス母材 |
JP2007229912A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-09-13 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板、及び磁気ディスクの製造方法 |
WO2008041493A1 (fr) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Hoya Corporation | Procédé de fabrication d'un substrat en verre pour disque magnétique, procédé de fabrication d'un disque magnétique, et appareil de polissage d'un substrat en verre pour disque magnétique |
JP5344806B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2013-11-20 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板研磨装置および磁気ディスクの製造方法 |
WO2008102751A1 (ja) * | 2007-02-20 | 2008-08-28 | Hoya Corporation | 磁気ディスク用基板および磁気ディスク |
JP2008217918A (ja) | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Konica Minolta Opto Inc | 磁気記録媒体用ガラス基板及び磁気記録媒体 |
CN101542606B (zh) * | 2007-05-30 | 2012-06-20 | 东洋钢钣株式会社 | 磁盘用玻璃基板的表面加工方法和磁盘用玻璃基板 |
MY201736A (en) | 2007-12-28 | 2024-03-15 | Hoya Corp | Glass substrate for a magnetic disk, magnetic disk and method of manufacturing a magentic disk |
WO2011096310A1 (ja) * | 2010-02-03 | 2011-08-11 | コニカミノルタオプト株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体 |
JP5574392B1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-08-20 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスク |
JP5592037B1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-09-17 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスク |
JP5860173B2 (ja) * | 2012-12-29 | 2016-02-16 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板および磁気ディスク |
MY172325A (en) * | 2013-02-22 | 2019-11-21 | Hoya Corp | Annular substrate, magnetic-disk substrate, method for manufacturing a magnetic-disk substrate, magnetic disk, method for manufacturing a magnetic disk, and hard disk apparatus |
CN105009213B (zh) * | 2013-03-01 | 2018-06-29 | Hoya株式会社 | 磁盘用玻璃基板和磁盘 |
-
2014
- 2014-02-24 MY MYPI2018001168A patent/MY172325A/en unknown
- 2014-02-24 JP JP2014561653A patent/JP5703430B2/ja active Active
- 2014-02-24 CN CN201810659065.5A patent/CN108847256B/zh active Active
- 2014-02-24 CN CN201480009236.XA patent/CN105009212B/zh active Active
- 2014-02-24 SG SG11201506619TA patent/SG11201506619TA/en unknown
- 2014-02-24 WO PCT/JP2014/054384 patent/WO2014129633A1/ja active Application Filing
- 2014-02-24 MY MYPI2015702724A patent/MY166439A/en unknown
- 2014-02-24 SG SG10201608631VA patent/SG10201608631VA/en unknown
- 2014-02-24 US US14/767,515 patent/US9595284B2/en active Active
-
2015
- 2015-02-23 JP JP2015033361A patent/JP6294843B2/ja active Active
-
2017
- 2017-02-24 US US15/441,931 patent/US10431252B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008226376A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Konica Minolta Opto Inc | 情報記録媒体用ガラス基板及び磁気記録媒体 |
JP2008310842A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Konica Minolta Opto Inc | 磁気記録媒体用ガラス基板及び磁気記録媒体 |
WO2010041537A1 (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-15 | コニカミノルタオプト株式会社 | ガラス基板の製造方法、および磁気記録媒体の製造方法 |
JP2011198428A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板およびその評価方法 |
JP2012113802A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-06-14 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
JP2013028512A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Asahi Glass Co Ltd | 基板用ガラスおよびガラス基板 |
JP5126401B1 (ja) * | 2011-09-28 | 2013-01-23 | 旭硝子株式会社 | 磁気記録媒体用ガラス基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150371673A1 (en) | 2015-12-24 |
US20170169848A1 (en) | 2017-06-15 |
MY166439A (en) | 2018-06-27 |
SG10201608631VA (en) | 2016-12-29 |
JP2015135720A (ja) | 2015-07-27 |
JPWO2014129633A1 (ja) | 2017-02-02 |
US10431252B2 (en) | 2019-10-01 |
CN108847256A (zh) | 2018-11-20 |
CN108847256B (zh) | 2020-04-03 |
SG11201506619TA (en) | 2015-09-29 |
MY172325A (en) | 2019-11-21 |
CN105009212A (zh) | 2015-10-28 |
JP6294843B2 (ja) | 2018-03-14 |
US9595284B2 (en) | 2017-03-14 |
CN105009212B (zh) | 2018-07-20 |
WO2014129633A1 (ja) | 2014-08-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A975 | Report on accelerated examination |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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