JP2007229912A - 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板、及び磁気ディスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ガラス基板の傷の発生を抑える。
【解決手段】磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、中心部に円孔１２を有する
円板状のガラス基板１０を準備する基板準備工程と、ガラス基板１０の内周端面１４を算
術平均表面粗さＲａで０．０４μｍ以下に平滑化する内周端面平滑化工程と、内周端面平
滑化工程において内周端面１４が平滑化されたガラス基板１０の外周端面１６を研磨する
外周端面研磨工程とを備え、外周端面研磨工程は、ガラス基板１０の内周端面１４を支持
するための外周端面研磨用内径支持棒を円孔１２に挿入することによりガラス基板１０を
固定して、外周端面１６を研磨する。
【選択図】図１

Description

本発明は、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板、及び磁
気ディスクの製造方法に関する。

近年、磁気ディスク用の基板としてガラス基板が用いられている。このガラス基板とし
ては、例えば、中心部に円孔を有する円板状の基板が用いられる。また、従来、サーマル
・アスペリティ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｓｐｅｒｉｔｙ）の防止を目的として、このような
ガラス基板の内周端面及び／又は外周端面を研磨する方法が知られている（例えば、特許
文献１、２参照。）。
特開平１１−２２１７４２号公報 特開２０００−１８５９２７号公報

近年、磁気記録ディスクの記録密度の用途の多様化に伴い、磁気ディスク用ガラス基板
に対して、従来とは異なるレベルでの高い品質が求められている。そのため、例えば端面
の傷（ヒビ、カケ等）についても、従来は不良と認識されていなかった程度のものが不良
と認識されるようになってきた。

特に、高速回転型の磁気ディスクや、携帯端末等の使用時に衝撃を受けやすい用途に用
いられる磁気ディスクにおいては、使用時に傷が拡大するおそれもあるため、より小さな
傷が問題になる。また、例えば２．５インチ径以下等の小径の磁気ディスクにおいては、
ガラス基板が薄型化している。ガラス基板が薄型化した場合、より小さな傷が原因となっ
てガラス基板の割れ等が生じる場合もあるため、より小さな傷が問題になる。更には、磁
気ディスクのコストを低減するために工程の簡略化を行う場合等には、例えば化学強化工
程等のガラス基板を強化する工程が省略される可能性もある。化学強化工程を省略する場
合、ガラス基板の強化がなされていないため、より小さな傷が問題になる。
また、ガラス基板の外周の真円度を向上させることは、特にガラス基板を高速回転させる場合に、重要である。

以上のような背景から、近年、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法においては、ガラ
ス基板の傷がより生じにくい方法が求められている。また、ガラス基板の外周の真円度を向上させる方法が求められている。本発明は、上記の課題を解決できる、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板、及び磁気ディスクの製造方法を提供することを目的とする。

本願発明者は、磁気ディスク用ガラス基板の製造工程中での傷の発生原因について鋭意
研究を行った。そして、ガラス基板の外周端面を研磨する工程（外周端面研磨工程）中に
、新たな傷が生じやすいことに着目した。

外周端面研磨工程においては、例えば、複数のガラス基板を積層してかしめることによ
りガラス基板を固定することが行われる。そのため、本願発明者は、外周端面研磨工程が
、研磨前に存在する微小な傷の拡大を助長する工程になるおそれがあると考えた。そして
、更に鋭意研究を行い、外周端面研磨工程においては、研磨の前には問題にならない程度
の大きさの傷が研磨中に拡大し、不良と認識される大きさになってしまう場合があること
を見出した。詳しくは、外周端面研磨工程以前にガラス基板の内周端面が平滑化されていないと、外周端面研磨用内径支持棒を円孔に挿入する場合に引っかかり等が生じ易い。そのため、外周端面研磨用内径支持棒の挿入時にガラス基板の内周端面に微小な傷（研磨の前には問題にならない程度の大きさの傷）が生じることがある。この内周端面の微小な傷は、例えば、外周端面研磨工程において複数のガラス基板を積層してかしめたときに、微小な傷の拡大が助長される場合があることを見出した。

本発明は、上記鋭意研究の結果なされたものであり、以下の構成を有する。
（構成１）磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、中心部に円孔を有する円板
状のガラス基板を準備する基板準備工程と、ガラス基板の内周端面を算術平均表面粗さＲ
ａで０．０４μｍ以下に平滑化する内周端面平滑化工程と、内周端面平滑化工程において
内周端面が平滑化されたガラス基板の外周端面を研磨する外周端面研磨工程とを備え、外
周端面研磨工程は、ガラス基板の内周端面を支持するための外周端面研磨用内径支持棒を
円孔に挿入することによりガラス基板を固定して、外周端面を研磨する。内周端面平滑化
工程は、例えば鏡面研磨により、内周端面を平滑化する。外周端面研磨工程は、例えば、
外周端面を鏡面研磨する。

このようにすれば、外周端面研磨用内径支持棒と内周端面との当接によりガラス基板の
位置合わせがなされる。そのため、外周端面を高い精度で研磨できる。また、外周端面研
磨工程以前にガラス基板の内周端面が平滑化されているため、外周端面研磨用内径支持棒
を円孔に挿入する場合に引っかかり等が生じにくい。そのため、外周端面研磨用内径支持
棒の挿入時にガラス基板の内周端面に傷が生じることもない。また、内周端面の平滑化に
より内周端面の傷が消失しているため、外周端面研磨工程において複数のガラス基板を積
層してかしめたとしても、微小な傷の拡大が助長されるおそれはない。そのため、構成１
のようにすれば、ガラス基板の傷の発生を適切に抑えることができる。また、これにより
、磁気ディスク用ガラス基板の製造歩留まりを大きく向上させることができる。
また、本発明の構成とすることで、ガラス基板の内周端面を鏡面化した後で、支持棒で保持する際に、ガラス基板の内径に近い太さの支持棒を使用できるため、ガラス基板を積層する際に、ガラス基板同士がずれることを防止できる。そして、この状態でガラス基板の外周端面を研磨できるのため、ガラス基板の外周の真円度を向上させることができるとともに、積層したガラス基板同士の寸法誤差を低減させることができる。

内周端面平滑化工程は、表面粗さＲａで、０．０４μｍ以下、より好ましくは０．０３
μｍ以下、更に好ましくは０．０２μｍ以下に内周端面を平滑化する。また、内周端面平
滑化工程は、最大高さＲｍａｘで、例えば０．２０μｍ以下、より好ましくは０．１５μ
ｍ以下、更に好ましくは０．１０μｍ以下に内周端面を平滑化する。内周端面平滑化工程
は、研磨以外の方法、例えばレーザ照射、又はエッチングにより内周端面を平滑化しても
よい。

尚、この磁気ディスク用ガラス基板は、例えば２．５インチ径、又は１．８インチ径、
１インチ径等の、２．５インチ径未満等の磁気ディスク用ガラス基板であることが好まし
い。このような小径の磁気ディスク用ガラス基板においては、円孔の大きさも小さくなる
。また、要求される位置精度も高くなるため、外周端面研磨用内径支持棒と内周端面との
間に確保できる隙間（公差）も小さくなる。そのため、ガラス基板の内周端面が荒れてい
るとすれば、内径支持棒の挿入時にガラス基板の内周端面に傷が生じやすいこととなる。
しかし、構成１のようにすれば、内径支持棒の挿入時の傷の発生を適切に抑えることがで
きる。

また、この磁気ディスク用ガラス基板は、例えば、携帯端末等（例えば携帯音楽プレー
ヤ、ノートパソコン等）の使用時に衝撃を受けやすい用途に用いられる磁気ディスク用ガ
ラス基板であることが好ましい。この磁気ディスク用ガラス基板は、例えば化学強化工程
を行わずに製造されてもよい。これらの場合も、ガラス基板の傷の発生を適切に抑えるこ
とにより、必要な品質を満たすことができる。また、この磁気ディスク用ガラス基板は、
例えば磁気抵抗型ヘッド（ＭＲヘッド）、大型磁気記録型ヘッド（ＧＭＲヘッド）用の磁
気ディスク用ガラス基板であってもよい。垂直磁気記録ディスク用の磁気ディスク用ガラ
ス基板であってもよい。

また、この磁気ディスク用ガラス基板は、例えば、回転数３６００ｒｐｍ以上の磁気デ
ィスク用ガラス基板であることが好ましい。回転数が高い磁気ディスクにおいては、ガラ
ス基板のより小さな傷が問題になるおそれがある。しかし、このようにすれば、ガラス基
板の傷の発生を適切に抑えることができる。また、これにより、磁気ディスクの信頼性を
高めることができる。

また、基板準備工程は、例えば、厚さ１．３ｍｍ以下に研磨されるべきガラス基板を準
備する。ガラス基板が薄厚である場合、ガラス基板のより小さな傷が問題になるおそれが
ある。しかし、このようにすれば、ガラス基板の傷の発生を適切に抑えることができる。
尚、ガラス基板の研磨されるべき厚さとは、例えば、磁気ディスク用ガラス基板として完
成した時点（例えば出荷時）の厚さである。

（構成２）外周端面研磨工程は、積層された複数のガラス基板の円孔に外周端面研磨用
内径支持棒を挿入することにより複数のガラス基板を固定して、複数のガラス基板の外周
端面を研磨する。このようにすれば、ガラス基板を積層して保持することにより、複数の
ガラス基板の外周端面を同時に研磨できる。また、これにより、磁気ディスク用ガラス基
板、及び磁気ディスクの製造コストを低減できる。

（構成３）内周端面平滑化工程は、外周端面研磨用内径支持棒よりも小径の内周端面研
磨用内径支持棒をガラス基板の円孔に挿入することによりガラス基板の位置合わせを行い
、位置合わせ後に内周端面研磨用内径支持棒を円孔から抜き取り、内周端面を鏡面研磨す
る。

このようにすれば、内周端面を適切に平滑化できる。また、内周端面研磨用内径支持棒
を用いてガラス基板の位置合わせを行うことにより、高い精度で内周端面を研磨できる。
更には、小径の内周端面研磨用内径支持棒を用いることにより、内周端面研磨用内径支持
棒への引っかかり等によりガラス基板に傷が発生するのを防ぐことができる。

（構成４）外周端面研磨用内径支持棒は丸棒であり、内周端面が平滑化されたガラス基
板の円孔の径と、外周端面研磨用内径支持棒の断面の径との差は、０．０２〜０．０７ｍ
ｍである。このようにすれば、高い位置精度を保ちつつ、ガラス基板を保持できる。また
、外周端面研磨用内径支持棒とガラス基板の円孔との間の隙間を適切に確保できるため、
外周端面研磨用内径支持棒への引っかかり等によりガラス基板に傷が発生するのを防ぐこ
とができる。

（構成５）構成１から４の何れかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法で製造
されたことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。このようにすれば、構成１から４と
同様の効果を得ることができる。

（構成６）構成５に記載の磁気ディスク用ガラス基板上に少なくとも磁気記録層を形成
することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。このようにすれば、構成５と同様の効果
を得ることができる。また、サーマル・アスペリティを適切に防止できる。

（構成７）磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、中心部に円孔を有する円板
状のガラス基板を準備する基板準備工程と、ガラス基板の内周端面を鏡面化する内周端面平滑化工程と、内周端面平滑化工程において内周端面が平滑化されたガラス基板の外周端面を研磨する外周端面研磨工程とを備え、外周端面研磨工程は、ガラス基板の内周端面を支持するための外周端面研磨用内径支持棒を円孔に挿入することによりガラス基板を固定して、外周端面を研磨する。内周端面平滑化工程は、例えば鏡面研磨により、内周端面を平滑化する。外周端面研磨工程は、例えば、外周端面を鏡面研磨する。

このようにすれば、外周端面研磨用内径支持棒と鏡面化された内周端面との当接によりガラス基板の位置合わせがなされる。そのため、外周端面を高い精度で研磨できる。また、外周端面研磨工程以前にガラス基板の内周端面が鏡面化によって平滑化されているため、外周端面研磨用内径支持棒を円孔に挿入する場合に引っかかり等が生じにくい。そのため、外周端面研磨用内径支持棒の挿入時にガラス基板の内周端面に傷が生じることもない。また、内周端面の平滑化により内周端面の傷が消失しているため、外周端面研磨工程において複数のガラス基板を積層してかしめたとしても、微小な傷の拡大が助長されるおそれはない。そのため、構成１のようにすれば、ガラス基板の傷の発生を適切に抑えることができる。また、これにより、磁気ディスク用ガラス基板の製造歩留まりを大きく向上させることができる。
また、本発明の構成とすることで、ガラス基板の内周端面を鏡面化した後で、支持棒で保持する際に、ガラス基板の内径に近い太さの支持棒を使用できるため、ガラス基板を積層する際に、ガラス基板同士がずれることを防止できる。そして、この状態でガラス基板の外周端面を研磨できるのため、ガラス基板の外周の真円度を向上させることができるとともに、積層したガラス基板同士の寸法誤差を低減させることができる。

本発明によれば、ガラス基板の傷の発生を適切に抑えることができる。

以下、本発明に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るガラス基板１０を切断してみたときの斜視図である
。ガラス基板１０は、磁気ディスク用ガラス基板であり、中心部を貫通する円孔１２を有
する。ここでは、ガラス基板１０は、２．５インチ径の磁気ディスク用ガラス基板である
。ガラス基板１０において、主表面１３、内周端面１４、及び外周端面１６は、鏡面研磨
されている。内周端面１４及び外周端面１６は、面取りした面取り部１４ａ、１６ａと、
側壁部１４ｂ、１６ｂとをそれぞれ含む。

また、ここでは、ガラス基板１０は、回転数３６００ｒｐｍ以上の磁気ディスク用ガラ
ス基板である。ガラス基板１０は、例えば４５００ｒｐｍ以上、５４００ｒｐｍ以上、７
２００ｒｐｍ以上、又は１００００ｒｐｍ以上の磁気ディスク用ガラス基板であってもよ
い。また、ガラス基板１０の厚さは、１．３ｍｍ以下であることが好ましい。

以下、ガラス基板１０の製造方法について更に詳しく説明する。本例のガラス基板１０
は、基板準備工程、内周端面研磨工程、外周端面研磨工程、第一研磨工程、第二研磨工程
、及び化学強化工程を経て製造される。内周端面１４は、外周端面１６より先に鏡面研磨
される。

基板準備工程は、中心部に円孔１２を有する円板状のガラス基板１０を準備する工程で
ある。基板準備工程は、例えば、研削及び所定の粗さへのラッピング加工がなされたガラ
ス基板１０を準備する。

内周端面研磨工程は、内周端面１４を平滑化する内周端面平滑化工程の一例であり、内
周端面１４を鏡面研磨する。鏡面研磨された内周端面１４の算術平均表面粗さＲａは、０
．０４μｍ以下（例えば０．０１〜０．０４μｍ）、より好ましくは０．０３μｍ以下、
更に好ましくは０．０２μｍ以下である。また、鏡面研磨された内周端面１４の最大高さ
Ｒｍａｘは、０．２０μｍ以下（例えば０．０５〜０．２０μｍ）、より好ましくは０．
１５μｍ以下、更に好ましくは０．１０μｍ以下である。尚、算術平均表面粗さＲａ及び
最大高さＲｍａｘは、例えば、それぞれ日本工業規格ＪＩＳＢ０６０１の算術平均表面粗
さＲａ及び最大高さＲｍａｘに準拠して算出される。

外周端面研磨工程は、内周端面１４が平滑化されたガラス基板１０の外周端面１６を鏡
面研磨する工程である。鏡面研磨された外周端面１６の算術平均表面粗さＲａは、０．０
４μｍ以下（例えば０．０１〜０．０４μｍ）、より好ましくは０．０３μｍ以下、更に
好ましくは０．０２μｍ以下である。また、鏡面研磨された外周端面１６の最大高さＲｍ
ａｘは、０．２０μｍ以下（例えば０．０５〜０．２０μｍ）、より好ましくは０．１５
μｍ以下、更に好ましくは０．１０μｍ以下である。

主表面研磨工程は、ガラス基板１０の主表面を鏡面研磨する工程である。鏡面研磨され
た主表面の算術平均表面粗さＲａは、０．５ｎｍ以下（例えば０．１〜０．５ｎｍ）、よ
り好ましくは０．４ｎｍ以下、更に好ましくは０．３ｎｍ以下である。また、鏡面研磨さ
れた主表面の最大高さＲｍａｘは、５ｎｍ以下（例えば１〜５ｎｍ）、より好ましくは４
ｎｍ以下、更に好ましくは３ｎｍ以下である。化学強化工程は、ガラス基板１０を化学強
化する工程である。

尚、主表面研磨工程及び化学強化工程は、例えば公知の主表面研磨工程及び化学強化工
程と同一又は同様の方法により行うことができる。また、ガラス基板１０の製造コストを
低減するためには、上記の化学強化工程を省略してもよい。

以上の工程を経て、ガラス基板１０は完成する。そして、完成したガラス基板１０は、
磁気ディスクの製造に用いられる。磁気ディスクの製造工程においては、ガラス基板１０
上に少なくとも磁気記録層が形成される。

図２は、内周端面研磨工程を説明する図である。本例において、内周端面研磨工程は、
積層された複数のガラス基板１０の内周端面１４を同時に研磨する。また、積層された複
数のガラス基板１０の位置を合わせるために、丸棒状の内周端面研磨用内径支持棒２０が
用いられる。

内周端面研磨工程は、最初に、積層されたガラス基板１０の円孔１２に内周端面研磨用
内径支持棒２０を挿入することによりガラス基板１０の位置合わせを行う。そして、円孔
１２に内周端面研磨用内径支持棒２０が挿入された状態の複数のガラス基板１０を基板ホ
ルダー（図示せず）に設置して固定する。これにより、複数のガラス基板１０を位置合わ
せがなされた状態で保持できる。そして、基板ホルダーに保持されている複数のガラス基
板１０の円孔１２から内周端面研磨用内径支持棒２０を抜き取る。

続いて、基板ホルダーに保持された複数のガラス基板１０を研磨装置内に設置して、円
孔１２にブラシ又はパッドを挿入し、ガラス基板１０の内周端面１４を鏡面研磨する。こ
のようにすれば、内周端面１４を適切に鏡面研磨できる。

内周端面１４の鏡面研磨を行う前の円孔１２の径と、内周端面研磨用内径支持棒２０の
断面の径との差は、例えば０．０１〜０．０６ｍｍ、より好ましくは０．０２〜０．０５
ｍｍ、更に好ましくは０．０３〜０．０４ｍｍである。このようにすれば、ガラス基板１
０の位置合わせを高い精度で行うことができる。

図３及び図４は、外周端面研磨工程を説明する図である。外周端面研磨工程は、積層さ
れた複数のガラス基板１０の外周端面１６を同時に研磨する。また、積層された複数のガ
ラス基板１０の位置を合わせるために、丸棒状の外周端面研磨用内径支持棒２２が用いら
れる。

図３は、外周端面研磨工程において複数のガラス基板１０を固定する方法を示す。本例
において、外周端面研磨工程は、最初に、積層されたガラス基板１０の円孔１２に外周端
面研磨用内径支持棒２２を挿入する。これにより、複数のガラス基板１０の位置が合わせ
られる。そして、複数のガラス基板１０の円孔１２を通り抜けた外周端面研磨用内径支持
棒２２の先端にかしめ部材２４を取り付け、複数のガラス基板１０をかしめて固定する。
このようにすれば、複数のガラス基板１０を高い精度で固定できる。

ここで、外周端面研磨工程の時点においては、内周端面研磨工程により円孔１２の径が
広がっている。そのため、外周端面研磨用内径支持棒２２の径は、内周端面研磨用内径支
持棒２０の径よりも大きくてよい。外周端面研磨工程の時点において、ガラス基板１０の
円孔１２の径と、外周端面研磨用内径支持棒２２の断面の径との差は、例えば０．０２〜
０．０７ｍｍ、より好ましくは０．０３〜０．０６ｍｍ、更に好ましくは０．０４〜０．
０５ｍｍである。このようにすれば、高い位置精度を保ちつつ、ガラス基板１０を固定で
きる。また、外周端面研磨用内径支持棒２２と円孔１２との間の隙間を適切に確保できる
ため、外周端面研磨用内径支持棒２２への引っかかり等によりガラス基板１０に傷が発生
するのを防ぐことができる。

図４は、図３に示す外周端面研磨用内径支持棒２２及びかしめ部材２４を用いて固定さ
れたガラス基板１０を研磨する方法を示す。本例において、外周端面研磨工程は、２組の
積層されたガラス基板１０に対し２個の回転ブラシ２６を用いて、ガラス基板１０の外周
端面１６を研磨する。ガラス基板１０及び回転ブラシ２６は、それぞれ図中に示した矢印
の方向に回転する。また、ガラス基板１０の外周端面１６には、研磨液が供給される。

このようにすれば、ガラス基板１０の外周端面１６を適切に研磨できる。尚、外周端面
研磨工程は、回転ブラシ２６に代えて、研磨パッドを用いて外周端面１６を研磨してもよ
い。また、回転ブラシ２６による研磨と研磨パッドによる研磨とを組み合わせて外周端面
１６を研磨してもよい。

以下、本発明を、実施例及び比較例を用いて更に詳しく説明する。
（実施例１）
以下の工程を経て、実施例１に係るガラス基板を製造した。
（１）基板準備工程
以下の工程により、円孔を有するガラス基板を準備した。最初に、ダウンドロー法で形
成したシートガラスから、研削砥石で直径６６ｍｍφ、厚さ１．２５ｍｍの円盤状にそれ
ぞれ切り出したアルミノシリケイトガラスからなるガラス基板を、比較的粗いダイヤモン
ド砥石で研削加工して、直径６５ｍｍ（２．５インチ）φ、厚さ０．６ｍｍに成形した。
この場合、ダウンドロー法の代わりに、溶融ガラスを、上型、下型、胴型を用いてダイレ
クト・プレスして、円盤状のガラス基板を得てもよい。アルミノシリケイトガラスとして
は、モル％表示で、ＳｉＯ_２を５７〜７４％、ＺｒＯ_２を０〜２．８％、Ａｌ_２Ｏ_３を３
〜１５％、ＬｉＯ_２を７〜１６％、Ｎａ_２Ｏを４〜１４％を主成分として含有する化学強
化用ガラスを使用した。

次いで、ガラス基板に砂掛け加工を施した。この砂掛け工程は、寸法精度及び形状精度
の向上を目的としている。砂掛け加工は、ラッピング装置を用いて行い、砥粒の粒度を＃
４００として行った。詳しくは、粒度＃４００のアルミナ砥粒を用い、荷重Ｌを１００ｋ
ｇ程度に設定して、内転ギアと外転ギアとを回転させることによって、キャリア内に収納
したガラス基板の両面を面精度０〜１μｍ、表面粗さ（Ｒｍａｘ）（ＪＩＳ Ｂ ０６０
１で測定）６μｍ程度にラッピングした。

次に、円筒状の砥石を用いてガラス基板の中心部に円孔（直径２０ｍｍφ）を開けると
ともに、外周端面及び内周端面に所定の面取り加工を施した。このときのガラス基板の内
外周端面の表面粗さは、Ｒｍａｘで１４μｍ程度であった。尚、実施例１においては、複数のガラス基板を準備した。

次に、粒度＃１０００のアルミナ砥粒を使用し、荷重Ｌを１００ｋｇ程度に設定して、
内転ギアと外転ギアとを回転させることによって、ラッピングを行い、ガラス基板の両面
の表面粗さ（Ｒｍａｘ）を２μｍ程度とした。そして、砂掛け加工を終えたガラス基板を
、中性洗剤、水の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。

（２）内周端面研磨工程
図２を用いて説明した方法により、ガラス基板の内周端面を鏡面研磨した。直径１９．
５ｍｍφ、毛足３〜７ｍｍの回転ブラシをガラス基板の円孔に挿入して、円孔内に研磨液
を供給しつつ回転ブラシを回転させた。研磨液としては、酸化セリウム研磨砥粒を含む研
磨液を用いた。回転ブラシの回転数は、１０００〜５０００ｒｐｍとした。また、ガラス
基板を３０〜５０ｒｐｍで回転させた。平均の研磨時間は２０．５分、平均の除去量（研
磨取りしろ）は２１μｍとした。これにより、内周端面の表面粗さを算術平均表面粗さＲ
ａで０．０３μｍ以下、最大高さＲｍａｘで０．１５μｍ以下にした。

また、断面の径が１９．９６０〜１９．９７０ｍｍ（中央値１９．９６５ｍｍ）の内周
端面研磨用内径支持棒を用いた。そのため、実施例１において、ガラス基板の円孔と内周
端面研磨用内径支持棒との公差は、中央値の差で０．０３１ｍｍであった。

（３）外周端面研磨工程
図３及び図４を用いて説明した方法により、ガラス基板の外周端面を鏡面研磨した。回
転ブラシとしては、直径２３０ｍｍφ、毛足１０〜３０ｍｍの回転ブラシを用いた。回転
ブラシの回転数は、１０００〜２５００ｒｐｍとした。また、ガラス基板を３０〜５０ｒ
ｐｍで回転させた。平均の研磨時間は１５〜４０分、平均の除去量は３０〜５０μｍとし
た。

また、断面の径が１９．９６７〜１９．９８０ｍｍ（中央値１９．９７４ｍｍ）の外周
端面研磨用内径支持棒を用いた。そのため、実施例１において、ガラス基板の円孔と外周端面研磨用内径支持棒との公差は、中央値の差で０．０４３ｍｍであった。

（４）主表面研磨工程
次に、第一研磨工程及び第二研磨工程によりガラス基板主表面を研磨した。第一研磨工
程は、上述した砂掛け工程で残留した傷や歪みの除去を目的とするもので、研磨装置を用
いて行った。詳しくは、ポリシャ（研磨パッド、研磨布）として硬質ポリシャ（セリウム
パッドＭＨＣ１５：スピードファム社製）を用い、以下の研磨条件で第一研磨工程を実施
した。
研磨液：酸化セリウム＋水
荷重：３００ｇ／ｃｍ^２（Ｌ＝２３８ｋｇ）
研磨時間：３０分
除去量：３０μｍ
下定盤回転数：４０ｒｐｍ
上定盤回転数：３５ｒｐｍ
内ギア回転数：１４ｒｐｍ
外ギア回転数：２９ｒｐｍ

また、上記第一研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ（イソ
プロピルアルコール）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。

次に、第一研磨工程で使用した研磨装置を用い、ポリシャを硬質ポリシャから軟質ポリ
シャ（ポリラックス：スピードファム社製）に替えて、第二研磨工程を実施した。研磨条
件は、荷重を１００ｇ／ｃｍ^２、研磨時間を１５分、除去量を５μｍとしたこと以外は、
第一研磨工程と同様とした。また、上記第二研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、
中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗
浄槽に順次浸漬して、洗浄した。尚、各洗浄槽には超音波を印加した。

（５）化学強化工程
次に、ガラス基板に化学強化を施した。化学強化は、硝酸カリウム（６０％）と硝酸ナ
トリウム（４０％）を混合した化学強化溶液を用意し、この化学強化溶液を４００℃に加
熱し、３００℃に予熱された洗浄済みのガラス基板を約３時間浸漬して行った。この浸漬
の際に、ガラス基板の表面全体が化学強化されるようにするため、複数のガラス基板が端
面で保持されるようにホルダーに収納した状態で行った。

このように、化学強化溶液に浸漬処理することによって、ガラス基板表層のリチウムイ
オン、ナトリウムイオンは、化学強化溶液中のナトリウムイオン、カリウムイオンにそれ
ぞれ置換されガラス基板は強化される。ガラス基板の表層に形成された圧縮応力層の厚さ
は、約１００〜２００μｍであった。

また、上記化学強化を終えたガラス基板を、２０℃の水槽に浸漬して急冷し約１０分間
維持した。上記急冷を終えたガラス基板を、約４０℃に加熱した濃硫酸に浸漬して洗浄を
行った。更に上記硫酸洗浄を終えたガラス基板を、純水、純水、ＩＰＡ（イソプロピルア
ルコール）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。尚、各洗浄槽に
は超音波を印加した。

（比較例１）
内周端面研磨工程と外周端面研磨工程の順番を逆にした以外は実施例１と同様にして、
比較例１に係るガラス基板を製造した。すなわち、比較例１では、外周端面を研磨した後
、内周端面を研磨した。内周端面が研磨されていない状態で外周端面研磨用内径支持棒を
ガラス基板の円孔に挿入して外周端面研磨工程を行うため、比較例１において、ガラス基
板の円孔と外周端面研磨用内径支持棒との公差は、実施例１より小さく、中央値の差で０
．０２２ｍｍであった。また、ガラス基板の円孔と内周端面研磨用内径支持棒との公差は
、実施例１と同じく、中央値の差で０．０３１ｍｍであった。

図５は、実施例１及び比較例１に対する評価結果を示す図であり、実施例１及び比較例１についての端面研磨後検査の結果を示すグラフである。グラフにおいて、斜線を付した棒部分が実施例１の結果、斜線を付していない棒部分が比較例１の結果を示す。グラフに示されたすべての不良原因において、実施例１の方が比較例１よりも不良発生率が小さいことが確認できた。尚、端面研磨後検査の結果とは、内周端面研磨工程及び外周端面研磨工程を終えた時点での検査結果である。また、グラフにおいて、「カケ（内）」は、内周端面にカケが発生した割合を示す。「カケ（外）」は、外周端面にカケが発生した割合を示す。「ヒビ（内）」は、内周端面にヒビが発生した割合を示す。「ヒビ（全体）」は、内周端面及び外周端面以外の箇所にヒビが発生した割合を示す。「ヒビ（外）」は、外周端面にヒビが発生した割合を示す。「コワレ」は、ガラス基板の何れかの箇所にコワレが発生した割合を示す。

（実施例２）
実施例２においては、基板準備工程において、複数のガラス基板を準備した。また、内周端面研磨工程における平均の研磨時間を１９．２分、平均の除去量を２１μｍとした。また、外周端面研磨工程における平均の研磨時間を１９．６分、平均の除去量を３８．６μｍとした。

上記以外は実施例１と同様にして、実施例２に係るガラス基板を製造した。上記の違い
から、実施例２において、ガラス基板の円孔と内周端面研磨用内径支持棒との公差は、中
央値の差で０．０３９ｍｍであった。また、ガラス基板の円孔と外周端面研磨用内径支持
棒との公差は、中央値の差で０．０５１ｍｍであった。

（比較例２）
内周端面研磨工程と外周端面研磨工程の順番を逆にした以外は実施例２と同様にして、
比較例２に係るガラス基板を製造した。すなわち、比較例２では、外周端面を研磨した後
、内周端面を研磨した。内周端面が研磨されていない状態で外周端面研磨用内径支持棒を
ガラス基板の円孔に挿入して外周端面研磨工程を行うため、比較例２において、ガラス基
板の円孔と外周端面研磨用内径支持棒との公差は、実施例２より小さく、中央値の差で０
．０３０ｍｍであった。また、ガラス基板の円孔と内周端面研磨用内径支持棒との公差は
、実施例１と同じく、中央値の差で０．０３９ｍｍであった。

図６は、実施例２及び比較例２に対する評価結果を示す図であり、実施例２及び比較例２についての端面研磨後検査の結果を示すグラフである。グラフにおいて、斜線を付した棒部分が実施例２の結果、斜線を付していない棒部分が比較例２の結果を示す。グラフに示されたすべての不良原因において、実施例２の方が比較例２よりも不良発生率が小さいことが確認できた。

尚、上記実施例１、２と同様な製造方法を用いることは、３．０インチ径又は３．５イ
ンチ径等の磁気ディスク用ガラス基板を製造する場合にも有効である。３．５インチ径の磁気ディスク用ガラス基板を製造する場合、内周端面研磨用内径支持棒の径は、例えば２４．９４０〜２４．９５０ｍｍ程度とするのが好ましい。また、外周端面研磨用内径支持棒の径は、例えば２４．９５１〜２４．９７０ｍｍ程度とするのが好ましい。

以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記
載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能で
あることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的
範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

本発明は、例えば、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板
、及び磁気ディスクの製造方法に好適に用いることができる。

本発明の一実施形態に係るガラス基板１０を切断してみたときの斜視図である。 内周端面研磨工程を説明する図である。 外周端面研磨工程において複数のガラス基板１０を固定する方法を示す図である。 ガラス基板１０の外周端面を研磨する方法を示す図である。 実施例１及び比較例１に対する評価結果を示す図であり、実施例１及び比較例１についての端面研磨後検査の結果を示すグラフである。 実施例２及び比較例２に対する評価結果を示す図であり、実施例２及び比較例２についての端面研磨後検査の結果を示すグラフである。

符号の説明

１０・・・ガラス基板、１２・・・円孔、１３・・・主表面、１４・・・内周端面、１４
ａ・・・面取り部、１４ｂ・・・側壁部、１６・・・外周端面、１６ａ・・・面取り部、
１６ｂ・・・側壁部、２０・・・内周端面研磨用内径支持棒、２２・・・外周端面研磨用
内径支持棒、２４・・・かしめ部材、２６・・・回転ブラシ

Claims (7)

1. 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
   中心部に円孔を有する円板状のガラス基板を準備する基板準備工程と、
   前記ガラス基板の内周端面を算術平均表面粗さＲａで０．０４μｍ以下に平滑化する内周端面平滑化工程と、
   前記内周端面平滑化工程において内周端面が平滑化された前記ガラス基板の外周端面を研磨する外周端面研磨工程と
   を備え、
   前記外周端面研磨工程は、前記ガラス基板の前記内周端面を支持するための外周端面研磨用内径支持棒を前記円孔に挿入することにより前記ガラス基板を固定して、前記外周端面を研磨することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
2. 前記外周端面研磨工程は、積層された複数の前記ガラス基板の前記円孔に前記外周端面研磨用内径支持棒を挿入することにより複数の前記ガラス基板を固定して、前記複数のガラス基板の前記外周端面を研磨することを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
3. 前記内周端面平滑化工程は、
   前記外周端面研磨用内径支持棒よりも小径の内周端面研磨用内径支持棒を前記ガラス基板の前記円孔に挿入することにより前記ガラス基板の位置合わせを行い、
   位置合わせ後に前記内周端面研磨用内径支持棒を前記円孔から抜き取り、前記内周端面を鏡面研磨することを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
4. 前記外周端面研磨用内径支持棒は丸棒であり、
   前記内周端面が平滑化された前記ガラス基板の前記円孔の径と、前記外周端面研磨用内径支持棒の断面の径との差は、０．０２〜０．０７ｍｍであることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
5. 請求項１から４の何れかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法で製造されたことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。
6. 請求項５に記載の磁気ディスク用ガラス基板上に少なくとも磁気記録層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
7. 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
   中心部に円孔を有する円板状のガラス基板を準備する基板準備工程と、
   前記ガラス基板の内周端面を鏡面化する内周端面平滑化工程と、
   前記内周端面平滑化工程において内周端面が平滑化された前記ガラス基板の外周端面を研磨する外周端面研磨工程と
   を備え、
   前記外周端面研磨工程は、前記ガラス基板の前記内周端面を支持するための外周端面研磨用内径支持棒を前記円孔に挿入することにより前記ガラス基板を固定して、前記外周端面を研磨することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。

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