JP5681327B2 - 電子部品用硬化性異方性導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法 - Google Patents

電子部品用硬化性異方性導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法 Download PDF

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    • H01L2224/29418Zinc [Zn] as principal constituent
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    • H01L2224/2942Antimony [Sb] as principal constituent
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    • H01L2224/29424Aluminium [Al] as principal constituent
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    • H01L2224/29399Coating material
    • H01L2224/294Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29438Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29439Silver [Ag] as principal constituent
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    • H01L2224/29399Coating material
    • H01L2224/294Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29438Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29444Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29399Coating material
    • H01L2224/294Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29438Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29447Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29399Coating material
    • H01L2224/294Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29438Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29455Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
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    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29399Coating material
    • H01L2224/294Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29438Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29457Cobalt [Co] as principal constituent
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    • H01L2224/29399Coating material
    • H01L2224/294Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29463Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29464Palladium [Pd] as principal constituent
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Description

本発明は、銅電極の接続に用いられる電子部品用硬化性組成物に関する。また、本発明は、上記電子部品用硬化性組成物を用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法に関する。
熱硬化性樹脂組成物は、電子、建築及び車両等の各種用途に広く用いられている。また、様々な接続対象部材の電極間を電気的に接続するために、上記熱硬化性樹脂組成物に、導電性粒子が配合されることがある。導電性粒子を含む熱硬化性樹脂組成物は、異方性導電材料と呼ばれている。
上記異方性導電材料は、ICチップとフレキシブルプリント回路基板との接続、及びICチップとITO電極を有する回路基板との接続等に使用されている。例えば、ICチップの電極と回路基板の電極との間に異方性導電材料を配置した後、加熱及び加圧することにより、これらの電極を導電性粒子により電気的に接続できる。
上記熱硬化性樹脂組成物の一例として、下記の特許文献1には、(a)エポキシ樹脂と、(b)硬化促進剤とを含む組成物が開示されている。特許文献1の実施例では、上記(b)硬化促進剤として、イミダゾール類が用いられている。特許文献1では、上記組成物を半導体封止用フィルム状接着剤として用いることが提案されている。
特開2009−256588号公報
近年、電子部品の電極間などを効率的に接続するために、組成物の硬化に要する加熱時間を短くすることが求められている。加熱時間を短くすることにより、得られる電子部品の熱劣化を抑制できる。
特許文献1では、半導体装置において封止に組成物を用いた場合に作業性に優れており、300℃以上に加熱した場合であってもボイドの発生を十分に抑制することができるとともに、接続信頼性と絶縁信頼性とに十分優れた半導体装置を製造可能であることが記載されている。しかし、特許文献1に記載のような従来の硬化性組成物では、充分に早く熱硬化しないことがある。また、銅電極の表面は、通常耐熱プリフラックス処理されている。このような銅電極を電気的に接続するために、従来の硬化性組成物を用いた場合には、導通性が低くなることがある。
本発明の目的は、速やかに硬化させることができ、更に銅電極を接続した場合であっても導通性を高めることができる電子部品用硬化性組成物を提供すること、並びに該電子部品用硬化性組成物を用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法を提供することである。
本発明の広い局面によれば、銅電極の接続に用いられる電子部品用硬化性組成物であって、熱硬化性化合物と、潜在性硬化剤と、芳香族骨格を有するイミダゾール化合物とを含む、電子部品用硬化性組成物が提供される。
本発明に係る電子部品用硬化性組成物のある特定の局面では、前記潜在性硬化剤が、マイクロカプセル型イミダゾール硬化剤である。
本発明に係る電子部品用硬化性組成物のある特定の局面では、該電子部品用硬化性組成物は、導電性粒子を含む。
本発明に係る電子部品用硬化性組成物のある特定の局面では、前記導電性粒子が、導電性の外側の表面がはんだである導電性粒子である。
本発明に係る電子部品用硬化性組成物のある特定の局面では、前記硬化性組成物が、ペーストである。
本発明の広い局面によれば、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部が、上述した電子部品用硬化性組成物を硬化させることにより形成されており、前記第1の電極及び前記第2の電極の内の少なくとも一方が銅電極であり、前記第1の電極と前記第2の電極とが電気的に接続されている、接続構造体が提供される。
本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、前記電子部品用硬化性組成物が導電性粒子を含み、前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている。
本発明の広い局面によれば、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材との間に、上述した電子部品用硬化性組成物を配置する工程と、前記電子部品用硬化性組成物を硬化させることにより、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部を形成し、前記第1の電極と前記第2の電極とが電気的に接続されている接続構造体を得る工程とを備え、前記第1の電極及び前記第2の電極の内の少なくとも一方が銅電極である、接続構造体の製造方法が提供される。
本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記電子部品用硬化性組成物が導電性粒子を含み、前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている接続構造体を得る。
本発明に係る電子部品用硬化性組成物は、熱硬化性化合物と、潜在性硬化剤と、芳香族骨格を有するイミダゾール化合物とを含むので、速やかに硬化させることができる。さらに、本発明に係る電子部品用硬化性組成物を用いて、銅電極を接続した場合に、導通性を高めることができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る電子部品用硬化性組成物を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。 図2は、図1に示す接続構造体の変形例を模式的に示す断面図である。 図3は、本発明の一実施形態に係る電子部品用硬化性組成物に使用可能な導電性粒子を模式的に示す断面図である。 図4は、導電性粒子の変形例を示す断面図である。 図5は、導電性粒子の他の変形例を示す断面図である。
以下、本発明の詳細を説明する。
(電子部品用硬化性組成物)
本発明に係る電子部品用硬化性組成物(以下、硬化性組成物と略記することがある)は、熱硬化性化合物と、潜在性硬化剤と、芳香族骨格を有するイミダゾール化合物とを含む。上記硬化性組成物は、銅電極の接続に用いられる。上記硬化性組成物は電子部品に用いられる。上記硬化性組成物は、電子部品の接続に好適に用いられる。上記硬化性組成物は、電子部品用接続材料であることが好ましい。上記硬化性組成物は、電子部品用回路接続材料であることが好ましい。
本発明に係る電子部品用硬化性組成物は、上述した組成を有するので、速やかに硬化させることができる。さらに、本発明に係る電子部品用硬化性組成物は、上述した組成を有するので、銅電極を接続した場合に、導通性を高めることができる。
また、銅電極の表面は、通常耐熱プリフラックス処理されている。本発明では、このような耐熱プリフラックス処理された銅電極を接続したとしても、導通性を高めることができる。上記芳香族骨格を有するイミダゾール化合物は、銅電極の導通性の向上に大きく寄与する。一方で、芳香族骨格を有するイミダゾール化合物のみを用いて、潜在性硬化剤を用いなかった場合には、上記熱硬化性化合物を十分に硬化させることができなかったり、組成物の保存安定性が低くなったり、組成物の硬化速度が遅くなったりする。本発明では、主として上記潜在性硬化剤により上記熱硬化性化合物を早く硬化させ、主として上記芳香族骨格を有するイミダゾール化合物により銅電極の導通性を高めている。従って、本発明では、銅電極の接続において、潜在性硬化剤と、芳香族骨格を有するイミダゾール化合物とを組み合わせたことに大きな意味がある。
さらに、本発明では、硬化物の耐湿熱性を高めることができる。また、硬化物の耐熱衝撃性も高めることができる。
以下、本発明に係る電子部品用硬化性組成物に含まれている各成分の詳細を説明する。
[熱硬化性化合物]
上記熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、(メタ)アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。上記熱硬化性化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
エポキシ化合物は、硬化物の接着力が高く、硬化物の耐水性及び耐熱性にも優れている性質を有する。従って、上記熱硬化性化合物は、エポキシ化合物であることが好ましい。
上記エポキシ化合物としては、ビスフェノール型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、ビフェニルノボラック型エポキシ化合物、ビフェノール型エポキシ化合物、レゾルシン型エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物、フルオレン型エポキシ化合物、フェノールアラルキル型エポキシ化合物、ナフトールアラルキル型エポキシ化合物、ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物、アントラセン型エポキシ化合物、アダマンタン骨格を有するエポキシ化合物、トリシクロデカン骨格を有するエポキシ化合物、及びトリアジン核を骨格に有するエポキシ化合物等が挙げられる。上記ビスフェノール型エポキシ化合物としては、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物及びビスフェノールS型エポキシ化合物等が挙げられる。
上記エポキシ化合物は、エポキシ基及びラジカル重合性基を有していてもよい。上記ラジカル重合性基は、ラジカルによって付加重合することが可能な基を意味する。上記ラジカル重合性基としては、不飽和二重結合を含む基等が挙げられる。上記ラジカル重合性基の具体例としては、アリル基、イソプロペニル基、マレオイル基、スチリル基、ビニルベンジル基、(メタ)アクリロイル基及びビニル基などが挙げられる。なお、(メタ)アクリロイル基とは、アクリロイル基とメタクリロイル基とを意味する。
組成物の速硬化性及び硬化物の耐湿熱性をより一層高める観点からは、上記ラジカル重合性基は、ビニル基を有することが好ましく、(メタ)アクリロイル基であることがより好ましい。上記ラジカル重合性基が(メタ)アクリロイル基である場合に、上記ラジカル重合性基はビニル基を有する。
組成物の速硬化性をより一層高める観点からは、上記エポキシ化合物は、両末端にエポキシ基を有することが好ましい。硬化物の耐湿熱性をより一層高める観点からは、上記エポキシ化合物は、側鎖にビニル基を有することが好ましく、(メタ)アクリロイル基を有することが好ましく、側鎖に(メタ)アクリロイル基を有することが好ましい。
組成物の速硬化性及び硬化物の耐湿熱性をより一層高める観点からは、上記エポキシ化合物の重量平均分子量は、好ましくは500以上、より好ましくは1000以上、好ましくは150000以下、より好ましくは50000以下、更に好ましくは15000以下である。
上記エポキシ化合物の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定されたポリスチレン換算での重量平均分子量を示す。
上記エポキシ化合物は、ジオール化合物と2つのエポキシ基を有する化合物とを用いた反応物であることがより好ましい。上記エポキシ化合物は、ジオール化合物と2つのエポキシ基を有する化合物との反応物に、ビニル基を有する化合物又はエポキシ基を有する化合物を反応させることにより得られることが好ましい。
上記エポキシ化合物は、側鎖にビニル基を1個以上有することが好ましく、側鎖にビニル基を合計で2個以上有することがより好ましい。ビニル基の数が多いほど、加熱時間をより一層短縮でき、更に硬化物の接着性及び耐湿熱性をより一層高めることができる。
上記エポキシ化合物は、フェノール性水酸基を2個以上有する化合物と、エポキシ基を2個以上有する化合物との反応物であることが好ましい。
上記フェノール性水酸基を2個以上有する化合物としては、ビスフェノール化合物、レゾルシノール及びナフタレノール等が挙げられる。上記ビスフェノール化合物としては、ビスフェノールF、ビスフェノールA、ビスフェノールS、ビスフェノールSA及びビスフェノールE等が挙げられる。
上記エポキシ基を2個以上有するエポキシ化合物としては、脂肪族エポキシ化合物及び芳香族エポキシ化合物等が挙げられる。上記脂肪族エポキシ化合物としては、炭素数3〜12のアルキル鎖の両末端にグリシジルエーテル基を有する化合物、並びに炭素数2〜4のポリエーテル骨格を有し、該ポリエーテル骨格2〜10個が連続して結合した構造単位を有するポリエーテル型エポキシ化合物が挙げられる。
上記エポキシ化合物は、ビスフェノールF又はレゾルシノールと、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル又はレゾルシノールジグリシジルエーテルとの反応物(以下、反応物Xと記載することがある)に、ラジカル重合性基を有する化合物を反応させることにより得られることが好ましい。この反応において、ラジカル重合性基が残存するように反応が行われる。このような化合物を用いて合成されたエポキシ化合物では、より一層速やかに硬化させることができ、更に硬化物の接着性及び耐湿熱性をより一層高くすることができる。上記ラジカル重合性基を有する化合物は、(メタ)アクリル酸又は(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネートであることが好ましい。
上記反応物Xとしては、ビスフェノールFと1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルとの第1の反応物、レゾルシノールと1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルとの第2の反応物、レゾルシノールとレゾルシノールジグリシジルエーテルとの第3の反応物、及びビスフェノールFとレゾルシノールジグリシジルエーテルとの第4の反応物が挙げられる。
上記第1の反応物は、ビスフェノールFに由来する骨格と1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルに由来する骨格とが結合した構造単位を主鎖に有し、かつ1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルに由来するエポキシ基を両末端に有する。上記第2の反応物は、レゾルシノールに由来する構造単位と1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルに由来する構造単位とを主鎖に有し、かつ1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルに由来するエポキシ基を両末端に有する。上記第3の反応物は、レゾルシノールに由来する骨格とレゾルシノールジグリシジルエーテルに由来する骨格とを主鎖に有し、かつレゾルシノールジグリシジルエーテルに由来するエポキシ基を両末端に有する。上記第4の反応物は、ビスフェノールFに由来する骨格とレゾルシノールジグリシジルエーテルに由来する骨格とを主鎖に有し、かつレゾルシノールジグリシジルエーテルに由来するエポキシ基を両末端に有する。
合成が容易であり、エポキシ化合物をより一層速やかに硬化させることを可能にし、更に硬化物の接着性及び耐湿性をより一層高める観点からは、上記第1,第2,第3,第4の反応物のうち、上記第1の反応物、上記第2の反応物又は上記第3の反応物が好ましい。上記反応物Xは、上記第1の反応物であることが好ましく、上記第2の反応物であることも好ましく、更に上記第3の反応物であることも好ましい。
[潜在性硬化剤]
上記潜在性硬化剤としては、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性アミン硬化剤、潜在性フェノール硬化剤、三フッ化ホウ素−アミン錯体及び有機酸ヒドラジド等が挙げられる。上記潜在性硬化剤は、芳香族骨格を有していてもよく、有していなくてもよい。上記潜在性硬化剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記潜在性イミダゾール硬化剤の市販品としては、日本曹達社製の包接イミダゾール化合物「TEP−2MZ」、「TEP−2E4MZ」及び「TEP−1B2MZ」、並びに四国化成工業社製の「キュアダクト P−0505」等が挙げられる。
上記潜在性アミン硬化剤としては、ジシアンジアミド、変性アミン化合物及びアミンアダクト化合物等が挙げられる。
上記変性アミン化合物の市販品としては、T&K TOKA社製の「フジキュアFXR−1020」、「フジキュアFXR−1030」及び「フジキュアFXR−1081」等が挙げられる。上記アミンアダクト化合物としては、味の素ファインテック社製の「アミキュアPN−23」、「アミキュアPN−H」、「アミキュアPN−31」、「アミキュアPN−40」、「アミキュアPN−50」、「アミキュアPN−F」、「アミキュアPN−23J」、「アミキュアPN−31J」、「アミキュアPN−40J」、「アミキュアPN−40」、「アミキュアMY−24」、「アミキュアMY−H」及び「アミキュア25」等が挙げられる。
上記有機酸ヒドラジドの市販品としては、味の素ファインテック社製の「アミキュアVDH」、「アミキュアVDH−J」、「アミキュアUDH」及び「アミキュアUDH−J」等が挙げられる。
組成物の速硬化性をより一層高める観点からは、上記潜在性硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤であることが好ましく、マイクロカプセル型イミダゾール硬化剤であることがより好ましい。組成物の保存安定性をより一層高める観点からは、上記潜在性硬化剤は、マイクロカプセル型潜在性硬化剤であることがより好ましく、マイクロカプセル型イミダゾール硬化剤であることがより好ましい。
上記マイクロカプセル型イミダゾール硬化剤の市販品としては、旭化成イーマテリアルズ社製の「ノバキュアHX3941HP」、「ノバキュアHX3921HP」、「ノバキュアHX3721」、「ノバキュアHX3722」、「ノバキュアHX3748」、「ノバキュアHX3088」、「ノバキュアHX3741」、「ノバキュアHX3742」及び「ノバキュアHX3613」等が挙げられる。
上記熱硬化性化合物100重量部に対して、上記潜在性硬化剤の含有量は好ましくは1重量部以上、より好ましくは5重量部以上、好ましくは65重量部以下、より好ましくは55重量部以下である。上記潜在性硬化剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、組成物の速硬化性及び銅電極間の導通性がバランスよく高くなる。
[芳香族骨格を有するイミダゾール化合物]
上記芳香族骨格を有するイミダゾール化合物は、潜在性硬化剤ではない。上記芳香族骨格を有するイミダゾール化合物として、潜在性硬化剤は除かれる。上記硬化性組成物に含まれる潜在性硬化剤と、上記硬化性組成物に含まれる芳香族骨格を有するイミダゾール化合物とは異なる。上記芳香族骨格を有するイミダゾール化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記芳香族骨格としては、アリール骨格、ナフタレン骨格及びアントラセン骨格等が挙げられる。銅電極間の導通性を効果的に高める観点からは、上記芳香族骨格は、アリール骨格であることが好ましく、フェニル骨格であることがより好ましい。
上記芳香族骨格を有するイミダゾール化合物としては、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2−フェニル−4−メチル−5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、及び2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。
上記熱硬化性化合物100重量部に対して、上記芳香族骨格を有するイミダゾール化合物の含有量は好ましくは0.1重量部以上、より好ましくは0.5重量部以上、好ましくは10重量部以下、より好ましくは5重量部以下である。上記芳香族骨格を有するイミダゾール化合物の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、組成物の速硬化性及び銅電極間の導通性がバランスよく高くなる。
[他の成分]
上記硬化性組成物は、必要に応じて、フラックス、接着力調整剤、無機充填剤、溶剤、貯蔵安定剤、イオン捕捉剤又はシランカップリング剤等をさらに含んでいてもよい。
上記硬化性化合物はフラックスを含むことが好ましい。フラックスの使用により、銅電極の導通性がより一層高くなる。上記フラックスとして、公知のフラックスを使用可能である。上記フラックスは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記フラックスは特に限定されない。該フラックスとして、はんだ接合等に一般的に用いられているフラックスを使用可能である。上記フラックスとしては、例えば、塩化亜鉛、塩化亜鉛と無機ハロゲン化物との混合物、塩化亜鉛と無機酸との混合物、溶融塩、リン酸、リン酸の誘導体、有機ハロゲン化物、ヒドラジン、有機酸及び松脂等が挙げられる。
上記溶融塩としては、塩化アンモニウム等が挙げられる。上記有機酸としては、乳酸、クエン酸、ステアリン酸及びグルタミン酸等が挙げられる。上記松脂としては、活性化松脂及び非活性化松脂等が挙げられる。上記フラックスは、松脂であることが好ましい。松脂の使用により、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。
上記松脂はアビエチン酸を主成分とするロジン類である。上記フラックスは、ロジン類であることが好ましく、アビエチン酸であることがより好ましい。この好ましいフラックスの使用により、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、上記フラックスは、カルボキシル基を有する有機酸であることが好ましい。カルボキシル基を有する化合物としては、アルキル鎖にカルボキシル基が結合した化合物、芳香環にカルボキシル基が結合した化合物等が挙げられる。これらのカルボキシル基を有する化合物では、アルキル鎖又は芳香環に水酸基がさらに結合していてもよい。アルキル鎖又は芳香環に結合しているカルボキシル基の数は1〜3個であることが好ましく、1又は2個であることがより好ましい。アルキル鎖にカルボキシル基が結合した化合物におけるアルキル鎖の炭素数は、好ましくは3以上、好ましくは8以下、より好ましくは6以下である。アルキル鎖にカルボキシル基が結合した化合物の具体例としては、ヘキサン酸(炭素数5、カルボキシル基1個)、及びグルタル酸(炭素数4、カルボキシル基2個)等が挙げられる。カルボキシル基と水酸基とを有する化合物の具体例としては、リンゴ酸及びクエン酸等が挙げられる。芳香環にカルボキシル基が結合した化合物の具体例としては、安息香酸、フタル酸、無水安息香酸及び無水フタル酸等が挙げられる。
上記熱硬化性化合物100重量部に対して、上記フラックスの含有量は好ましくは0.5重量部以上、より好ましくは1重量部以上、好ましくは10重量部以下、より好ましくは5重量部以下である。上記フラックスの含有量が上記下限以上及び上限以下であると、フラックスの添加効果がより一層効果的に発現する。このため、組成物におけるフラックス効果が高くなり、例えば銅電極の導通性がより一層高くなる。
(導電性粒子を含む電子部品用硬化性組成物)
上記硬化性組成物が導電性粒子を含む場合には、上記硬化性組成物を導電材料として用いることができる。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。
上記導電性粒子は、接続対象部材の電極間を電気的に接続する。具体的には、上記導電性粒子は、例えば回路基板と半導体チップとの電極間を電気的に接続する。上記導電性粒子は、導電性を有する粒子であれば特に限定されない。上記導電性粒子は、導電部を導電性の表面に有していればよい。
上記導電性粒子としては、例えば、有機粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子もしくは金属粒子等の表面を導電層(金属層)で被覆した導電性粒子や、実質的に金属のみで構成される金属粒子等が挙げられる。
図3に、本発明の一実施形態に係る電子部品用硬化性組成物に使用可能な導電性粒子を断面図で示す。
図3に示す導電性粒子21は、樹脂粒子22(基材粒子)と、樹脂粒子22の表面22a上に配置された導電層23とを有する。導電層23は、樹脂粒子22の表面22aを被覆している。導電性粒子21は、樹脂粒子22の表面22aが導電層23により被覆された被覆粒子である。従って、導電性粒子21は導電層23を表面21aに有する。樹脂粒子22にかえて、金属粒子などを用いてもよい。
導電層23は、樹脂粒子22の表面22a上に配置された第1の導電層24と、該第1の導電層24の表面24a上に配置されたはんだ層25(はんだ、第2の導電層)とを有する。導電層23の外側の表面層が、はんだ層25である。従って、導電性粒子21は、導電層23の一部としてはんだ層25を有し、更に樹脂粒子22とはんだ層25との間に、導電層23の一部としてはんだ層25とは別に第1の導電層24を有する。このように、導電層23は、多層構造を有していてもよく、2層以上の積層構造を有していてもよい。
上記のように、導電層23は2層構造を有する。図4に示す変形例のように、導電性粒子31は、単層の導電層として、はんだ層32を有していてもよい。導電性粒子における導電層の少なくとも外側の表面層(表面)が、はんだ層(はんだ)であればよい。ただし、導電性粒子の作製が容易であるので、導電性粒子21と導電性粒子31とのうち、導電性粒子21が好ましい。また、図5に示す変形例のように、基材粒子をコアに有さず、コア−シェル粒子ではないはんだ粒子である導電性粒子41を用いてもよい。導電性粒子41は、中心部もはんだにより形成されている。
導電性粒子21,31,41は、上記導電材料に使用可能である。
上記導電部は特に限定されない。上記導電部を構成する金属としては、金、銀、銅、ニッケル、パラジウム及び錫等が挙げられる。上記導電層としては、金層、銀層、銅層、ニッケル層、パラジウム層又は錫を含有する導電層等が挙げられる。
電極と導電性粒子との接触面積を大きくし、電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層(第1の導電層)とを有することが好ましい。電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、少なくとも導電性の外側の表面が低融点金属層である導電性粒子であることが好ましい。耐湿熱性及び導通性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電層とを有し、該導電層の少なくとも外側の表面が、低融点金属層であることがより好ましい。上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有し、該導電層の少なくとも外側の表面が、低融点金属層であることがより好ましい。
上記低融点金属層は、低融点金属を含む層である。該低融点金属とは、融点が450℃以下の金属を示す。低融点金属の融点は好ましくは300℃以下、より好ましくは160℃以下である。また、上記低融点金属は錫を含むことが好ましい。低融点金属に含まれる金属100重量%中、錫の含有量は好ましくは30重量%以上、より好ましくは40重量%以上、更に好ましくは70重量%以上、特に好ましくは90重量%以上である。上記低融点金属における錫の含有量が上記下限以上であると、低融点金属と電極との接続信頼性がより一層高くなる。なお、上記錫の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置(堀場製作所社製「ICP−AES」)、又は蛍光X線分析装置(島津製作所社製「EDX−800HS」)等を用いて測定可能である。耐湿熱性及び導通性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子が、導電性の外側の表面がはんだである導電性粒子であることが好ましい。
導電部の外側の表面が低融点金属層である場合には、低融点金属層が溶融して電極に接合し、低融点金属層が電極間を導通させる。例えば、低融点金属層と電極とが点接触ではなく面接触しやすいため、接続抵抗が低くなる。また、少なくとも導電性の外側の表面が低融点金属層である導電性粒子の使用により、低融点金属層と電極との接合強度が高くなる結果、低融点金属層と電極との剥離がより一層生じ難くなり、導通信頼性が効果的に高くなる。
上記低融点金属層を構成する低融点金属は特に限定されない。上記低融点金属は、錫、又は錫を含む合金であることが好ましい。該合金は、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−亜鉛合金、錫−インジウム合金等が挙げられる。なかでも、電極に対する濡れ性に優れることから、上記低融点金属は、錫、錫−銀合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることが好ましい。錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることがより好ましい。
また、上記低融点金属は、はんだであることが好ましい。上記はんだを構成する材料は特に限定されないが、JIS Z3001:溶接用語に基づき、液相線が450℃以下である溶加材であることが好ましい。上記はんだの組成としては、例えば亜鉛、金、鉛、銅、錫、ビスマス、インジウムなどを含む金属組成が挙げられる。なかでも低融点で鉛フリーである錫−インジウム系(117℃共晶)、又は錫−ビスマス系(139℃共晶)が好ましい。すなわち、上記はんだは、鉛を含まないことが好ましく、錫とインジウムとを含むはんだ、又は錫とビスマスとを含むはんだであることが好ましい。
上記低融点金属と電極との接合強度をより一層高めるために、上記低融点金属は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、コバルト、ビスマス、マンガン、クロム、モリブデン、パラジウム等の金属を含んでいてもよい。低融点金属と電極との接合強度をさらに一層高める観点からは、上記低融点金属は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム又は亜鉛を含むことが好ましい。低融点金属と電極との接合強度をより一層高める観点からは、接合強度を高めるためのこれらの金属の含有量は、低融点金属100重量%中、好ましくは0.0001重量%以上、好ましくは1重量%以下である。
上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有し、該導電層の外側の表面が低融点金属層であり、上記樹脂粒子と上記低融点金属層(はんだ層など)との間に、上記低融点金属層とは別に第2の導電層を有することが好ましい。この場合に、上記低融点金属層は上記導電層全体の一部であり、上記第2の導電層は上記導電層全体の一部である。
上記低融点金属層とは別の上記第2の導電層は、金属を含むことが好ましい。該第2の導電層を構成する金属は、特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウム(ITO)を用いてもよい。上記金属は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記第2の導電層は、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層であることが好ましく、ニッケル層又は金層であることがより好ましく、銅層であることが更に好ましい。導電性粒子は、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層を有することが好ましく、ニッケル層又は金層を有することがより好ましく、銅層を有することが更に好ましい。これらの好ましい導電層を有する導電性粒子を電極間の接続に用いることにより、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、これらの好ましい導電層の表面には、低融点金属層をより一層容易に形成できる。なお、上記第2の導電層は、はんだ層などの低融点金属層であってもよい。導電性粒子は、複数層の低融点金属層を有していてもよい。
上記低融点金属層の厚みは、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは0.5μm以上、更に好ましくは1μm以上、好ましくは50μm以下、より好ましくは10μm以下、更に好ましくは5μm以下、特に好ましくは3μm以下である。上記低融点金属層の厚みが上記下限以上であると、導電性が十分に高くなる。上記低融点金属層の厚みが上記上限以下であると、樹脂粒子と低融点金属層との熱膨張率の差が小さくなり、低融点金属層の剥離が生じ難くなる。
導電層が低融点金属層以外の導電層である場合、又は導電層が多層構造を有する場合には、導電層の全体厚みは、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは0.5μm以上、更に好ましくは1μm以上、好ましくは50μm以下、より好ましくは10μm以下、更に好ましくは5μm以下、特に好ましくは3μm以下である。
上記導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは100μm以下、より好ましくは20μm以下、より一層好ましくは20μm未満、更に好ましくは15μm以下、特に好ましくは10μm以下である。導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは0.5μm以上、より好ましくは1μm以上である。熱履歴を受けた場合の接続構造体の接続信頼性をより一層高める観点からは、導電性粒子の平均粒子径は、1μm以上、10μm以下であることが特に好ましく、1μm以上、4μm以下であることが最も好ましい。導電性粒子の平均粒子径は、3μm以下であることも好ましい。
上記導電材料における導電性粒子に適した大きさであり、かつ電極間の間隔をより一層小さくすることができるので、導電性粒子の平均粒子径は、1μm以上、100μm以下であることが特に好ましい。
上記導電性粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の平均粒子径は、任意の導電性粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。
上記導電性粒子の表面は、絶縁性粒子などの絶縁性材料、フラックス等により絶縁処理されていてもよい。絶縁性材料、フラックス等は、接続時の熱により軟化、流動することで接続部から排除されることが好ましい。これにより、電極間での短絡が抑えられる。
上記導電性粒子の含有量は特に限定されない。上記硬化性組成物100重量%中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは0.1重量%以上、より好ましくは0.5重量%以上、好ましくは40重量%以下、より好ましくは20重量%以下、更に好ましくは15重量%以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を容易に配置できる。さらに、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続され難くなる。すなわち、隣り合う電極間の短絡を防止できる。
(電子部品用硬化性組成物の用途)
上記硬化性組成物は、様々な接続対象部材を接着するために使用できる。但し、上記硬化性組成物は、銅電極の接続に用いられる。上記硬化性組成物は、フィルムであってもよく、ペーストであってもよい。上記硬化性組成物は、ペーストであることが好ましい。上記硬化性組成物がペーストであると、初期の接続抵抗がより一層低くなる。さらに、衝撃や高温高湿に晒された後の接続抵抗も効果的に低く維持できる。
上記硬化性組成物が、導電性粒子を含む導電材料である場合、該導電材料は、導電ペースト、又は導電フィルム等として使用され得る。上記導電材料が、導電フィルムとして使用される場合、導電性粒子を含有する該導電フィルムに、導電性粒子を含有しないフィルムが積層されていてもよい。なお、フィルムにはシートが含まれる。上記硬化性組成物は、ペースト状の導電ペーストであることが好ましい。上記導電ペーストは異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは異方性導電フィルムであることが好ましい。
上記硬化性組成物は、第1の電極を表面に有する電極第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備える接続構造体を得るために好適に用いられる。上記接続部が、上記硬化性組成物を硬化させることにより形成される。上記接続構造体では、上記第1の電極及び上記第2の電極の内の少なくとも一方が銅電極である。上記第1の電極と上記第2の電極とが電気的に接続される。上記第1の電極及び上記第2の電極の双方が、銅電極であることがより好ましい。
上記電子部品用硬化性組成物が導電性粒子を含み、上上記第1の電極と上記第2の電極とが上記導電性粒子により電気的に接続されている接続構造体を得ることが好ましい。
本発明に係る接続構造体の製造方法は、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材との間に、上記電子部品用硬化性組成物を配置する工程と、上記電子部品用硬化性組成物を硬化させることにより、上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材とを接続している接続部を形成し、上記第1の電極と上記第2の電極とが電気的に接続されている接続構造体を得る工程とを備える。上記第1の電極及び上記第2の電極の内の少なくとも一方が銅電極である。
本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記電子部品用硬化性組成物が導電性粒子を含み、上記第1の電極と上記第2の電極とが上記導電性粒子により電気的に接続されている接続構造体を得ることが好ましい。
図1に、本発明の一実施形態に係る硬化性組成物を用いた接続構造体の一例を模式的に断面図で示す。
図1に示す接続構造体1は、第1の接続対象部材2と、第2の接続対象部材4と、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材4とを接続している接続部3とを備える。接続部3は、硬化物層であり、導電性粒子5を含む電子部品用硬化性組成物(導電材料)を硬化させることにより形成されている。
第1の接続対象部材2は表面(上面)に、複数の第1の電極2aを有する。第2の接続対象部材4は表面(下面)に、複数の第2の電極4aを有する。第1の電極2aと第2の電極4aの内の少なくとも一方は、銅電極である。第1の電極2aと第2の電極4aとが、1つ又は複数の導電性粒子5により電気的に接続されている。従って、第1,第2の接続対象部材2,4が導電性粒子5により電気的に接続されている。
第1,第2の電極2a,4a間の接続は、通常、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材4とを上記硬化性組成物を介して第1,第2の電極2a,4a同士が対向するように重ね合わせた後に、上記硬化性組成物を硬化させる際に、加圧することにより行われる。加圧により、一般に導電性粒子5は圧縮される。
上記第1,第2の接続対象部材は、特に限定されない。上記第1,第2の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。
なお、上記硬化性組成物は、導電性粒子を含んでいなくてもよい。この場合には、第1,第2の接続対象部材の電極間を導電性粒子により電気的に接続せずに、例えば、電極同士を接触させて、電極間を電気的に接続できる。
図2に、図1に示す接続構造体の変形例を模式的に断面図で示す。
図2に示す接続構造体11は、第1の接続対象部材12と、第2の接続対象部材14と、第1の接続対象部材12と第2の接続対象部材14とを接続している接続部13とを備える。接続部13は、硬化物層であり、導電性粒子を含まない電子部品用硬化性組成物(導電材料)を硬化させることにより形成されている。
第1の接続対象部材12は表面(上面)に、複数の第1の電極12aを有する。第2の接続対象部材14は表面(下面)に、複数の第2の電極14aを有する。第1の電極12aと第2の電極14aの内の少なくとも一方は、銅電極である。第1の電極12aと第2の電極14aとは、例えばバンプ電極である。第1の電極12aと第2の電極14aとが、導電性粒子を介さずに、互いに接することで電気的に接続されている。従って、第1,第2の接続対象部材12,14が電気的に接続されている。
上記硬化性組成物が導電材料である場合に、該導電材料は、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、又はフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board))等に使用できる。なかでも、上記導電材料は、FOG用途又はCOG用途に好適であり、COG用途により好適である。上記硬化性組成物は、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続、又は半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続に用いられる導電材料であることが好ましく、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続に用いられる導電材料であることがより好ましい。
以下、本発明について、実施例及び比較例を挙げて具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
以下の配合成分を用意した。
(熱硬化性化合物)
熱硬化性化合物1(エポキシ基含有ポリマー、日油社製「MARPROOF G−01100」、重量平均分子量:12000、Tg:47℃、エポキシ当量:170g/eq)
熱硬化性化合物2(レゾルシノール型エポキシ化合物、ナガセケムテックス社製「EX−201」)
熱硬化性化合物3(トリアジントリグリシジルエーテル、日産化学社製「TEPIC−SS」)
(潜在性硬化剤)
潜在性硬化剤1(包接イミダゾール化合物、日本曹達社製「TEP−2MZ」)
潜在性硬化剤2(エポキシ−イミダゾールアダクト、四国化成工業社製「キュアダクト P−0505」)
潜在性硬化剤3((マイクロカプセル型潜在性硬化剤)、旭化成イーマテリアルズ社製社製「ノバキュアHX3921HP」)
潜在性硬化剤4((マイクロカプセル型潜在性硬化剤)、旭化成イーマテリアルズ社製社製「ノバキュアHX3941HP」)
(芳香族骨格を有するイミダゾール化合物)
芳香族骨格含有イミダゾール化合物1(四国化成工業社製「2−フェニルイミダゾール」)
芳香族骨格含有イミダゾール化合物2(四国化成工業社製「2−フェニル−4−メチルイミダゾール」)
芳香族骨格含有イミダゾール化合物3(和光純薬工業社製「ベンゾイミダゾール」)
芳香族骨格含有イミダゾール化合物4(和光純薬工業社製「2−メチルベンゾイミダゾール」)
(他のイミダゾール化合物)
他のイミダゾール化合物(潜在性硬化剤ではない、芳香族骨格を有さない、四国化成工業社製「2−メチルイミダゾール」)
(導電性粒子)
導電性粒子1:SnBiはんだ粒子(福田金属社製「Sn58Bi−20」、平均粒子径4.5μm)
導電性粒子2:(樹脂コアはんだ被覆粒子、下記手順で作製)
ジビニルベンゼン樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−207」、平均粒子径7μm、軟化点330℃、10%K値(23℃)4GPa)を無電解ニッケルめっきし、樹脂粒子の表面上に厚さ0.1μmの下地ニッケルめっき層を形成した。次いで、下地ニッケルめっき層が形成された樹脂粒子を電解銅めっきし、厚さ1μmの銅層を形成した。更に、錫及びビスマスを含有する電解めっき液を用いて、電解めっきし、厚さ1μmのはんだ層を形成した。このようにして、樹脂粒子の表面上に厚み1μmの銅層が形成されており、該銅層の表面に厚み1μmのはんだ層(錫:ビスマス=43重量%:57重量%)が形成されている導電性粒子(平均粒子径14μm、CV値22%、樹脂コアはんだ被覆粒子)を作製した。
導電性粒子3:ジビニルベンゼン樹脂粒子のAuメッキ粒子(積水化学工業社製「Au−210」、平均粒子径10μm)
(他の成分)
フィラー(ナノシリカ、トクヤマ社製「MT−10」)
接着付与剤(信越化学工業社製「KBE−403」)
フラックス(和光純薬工業社製「グルタル酸」)
フェノキシ樹脂(新日鉄住金化学社製「YP−50S」)
(実施例1〜6,8〜21、参考例7及び比較例1〜3)
下記の表1〜3に示す成分を下記の表1〜3に示す配合量で配合して、遊星式攪拌機を用いて2000rpmで5分間攪拌することにより、異方性導電ペーストを得た。
(実施例22)
フェノキシ樹脂(新日鉄住金化学社製「YP−50S」)10重量部をメチルエチルケトン(MEK)に固形分が50重量%となるように溶解させて、溶解液を得た。下記の表3に示すフェノキシ樹脂を除く成分を下記の表3に示す配合量と、上記溶解液の全量とを配合して、遊星式攪拌機を用いて2000rpmで5分間攪拌した後、バーコーターを用いて乾燥後の厚みが30μmになるよう離型PET(ポリエチレンテレフタレート)フィルム上に塗工した。室温で真空乾燥することで、MEKを除去することにより、異方性導電フィルムを得た。
(評価)
(1)〜(3)の評価項目で用いる接続構造体(FOB)の作製:
L/Sが100μm/100μmの電極パターンにて、70本の銅電極を上面に有するガラスエポキシ基板(FR−4基板)を用意した。また、L/Sが100μm/100μmの電極パターンにて、70本の銅電極を下面に有するフレキシブルプリント基板を用意した。FR−4基板と、フレキシブルプリント基板のパターンは、重ねあわせることによりデイジーチェーンが形成できるように設計した。
上記ガラスエポキシ基板の上面に、得られた異方性導電ペーストを厚さ200μmとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層上に上記フレキシブルプリント基板を、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が170℃(本圧着温度)となるように加熱圧着ヘッドの温度を調整しながら、フレキシブルプリント基板の上面に加圧圧着ヘッドを載せ、1MPaの圧力をかけて170℃で硬化が完了するまで異方性導電ペースト層を硬化させて、接続構造体(FOB)を得た。
(1)硬化速度
上記接続構造体を得る際に、加熱により異方性導電ペースト層が硬化するまでの時間を測定した。具体的には、上記接続構造体を得る手順で異方性導電ペーストを上記ガラスエポキシ基板に塗布した後に、170℃ホットプレート上にて、異方性導電ペースト層の表面のタック(安田精機製作所製のボールタックテスターにて、助走路:100mm、測定部:100mm、傾斜角度30°、ボールφ1/16が測定部にて停止しない程度の粘着性)がなくなるまでのゲル化時間を評価した。硬化速度を下記の基準で判定した。
[硬化速度の判定基準]
○:表面のタックがなくなるまでのゲル化時間が3秒未満
×:表面のタックがなくなるまでのゲル化時間が3秒以上
(2)導通性
得られた接続構造体を用いて、20箇所の接続抵抗を4端子法にて評価した。導通性を下記の基準で判定した。
[導通性の判定基準]
○○:接続抵抗の平均値が8.0Ω以下
○:接続抵抗の平均値が8.0Ωを超え、10.0Ω以下
△:接続抵抗の平均値が10.0Ωを超え、15.0Ω以下
×接続抵抗の平均値が15.0Ωを超える
(3)耐熱衝撃性
得られた接続構造体をそれぞれ10個用意し、−30℃で5分間保持し、次に80℃まで昇温させて5分間保持した後、−30℃まで降温する過程を1サイクルとし、1サイクル当たり1時間とする冷熱サイクル試験を実施した。500サイクル後に、それぞれ10個の接続構造体を取り出した。
500サイクルの冷熱サイクル試験後の10個の接続構造体について、上下の電極間の導通不良が生じている個数を数えた。耐熱衝撃性を下記の基準で判定した。
[耐熱衝撃性の判定基準]
○○:10個の接続構造体全てにおいて、冷熱サイクル試験前の接続抵抗からの接続抵抗の上昇率が5%以下である
○:10個の接続構造体全てにおいて、冷熱サイクル試験前の接続抵抗からの接続抵抗の上昇率が5%を超え、10%以下である
×:10個の接続構造体のうち、冷熱サイクル試験前の接続抵抗からの接続抵抗の上昇率が10%を超える接続構造体が1個以上ある
(4)耐湿熱性
バイアス試験により、耐湿熱性を評価した。具体的には、L/Sが100μm/100μmの70本の櫛形銅電極パターンを上面に有するガラスエポキシ基板(FR−4基板)を用意した。また、L/Sが100μm/100μmの70本の櫛形銅電極パターンを下面に有するフレキシブルプリント基板を用意した。(1)〜(3)の評価項目に用いた接続構造体の作製方法と同じ方法で、接続構造体を得た。FR−4基板と、フレキシブルプリント基板のパターンは、重ねあわせることにより櫛形パターンが形成できるように設計した。耐湿熱性を下記の基準で判定した。
[耐湿熱性の判定基準]
○○:抵抗値が10Ω以上
○:抵抗値が5×10Ω以上、10Ω未満
△:抵抗値が10Ω以上、5×10Ω未満
×:抵抗値が10Ω未満
(5)保存安定性
異方性導電ペーストを23℃にて48時間静置し、静置前後での粘度変化を、E型粘度計 TV−33(東機産業社製)を用いて測定した。静置前後での粘度変化から、保存安定性を下記の基準で判定した。
[保存安定性の判定基準]
○○:48時間静置後の粘度/初期粘度が1.2未満
○:48時間静置後の粘度/初期粘度が1.2以上1.5未満
×:48時間静置後の粘度/初期粘度が1.5以上
(6)保存安定性
異方性導電ペーストを40℃にて48時間静置し、静置前後での粘度変化を、E型粘度計 TV−33(東機産業社製)を用いて測定した。静置前後での粘度変化から、保存安定性を下記の基準で判定した。
[保存安定性の判定基準]
○○:48時間静置後の粘度/初期粘度が1.2未満
○:48時間静置後の粘度/初期粘度が1.2以上1.35未満
△:48時間静置後の粘度/初期粘度が1.35以上1.5未満
×:48時間静置後の粘度/初期粘度が1.5以上
結果を下記の表1〜3に示す。
Figure 0005681327
Figure 0005681327
Figure 0005681327
銅電極を上面に有するガラスエポキシ基板(接続対象部材)と、銅電極を下面に有するフレキシブルプリント基板(接続対象部材)とを用いた接続構造体の評価結果を示した。これらの2つの接続対象部材の内の一方のみの電極が銅電極であり、残りがアルミニウム電極である場合にも、表1〜3に示す評価結果と同様の傾向の評価結果が得られることを確認した。なお、これらの2つの接続対象部材の電極の双方がアルミニウム電極である場合には、実施例及び参考例と比較例との評価結果の差異が小さかった。すなわち、2つの接続対象部材の電極の内の少なくとも一方が銅電極である場合には、2つの接続対象部材の電極の双方の電極がアルミニウム電極である場合と比べて、実施例及び参考例と比較例との評価結果の差異が大きかった。このことから、銅電極の接続に、本発明に係る電子部品用硬化性組成物を用いることにより、本発明の効果が、効果的に発揮されることを確認した。
また、実施例16〜21では、潜在性硬化剤が、マイクロカプセル型イミダゾール硬化剤であるため、比較的高温(40℃)での保存安定性にかなり優れていた。
1,11…接続構造体
2,12…第1の接続対象部材
2a,12a…第1の電極
3,13…接続部
4,14…第2の接続対象部材
4a,14a…第2の電極
5…導電性粒子
21…導電性粒子
21a…表面
22…樹脂粒子
22a…表面
23…導電層
24…第1の導電層
24a…表面
25…はんだ層
25a…溶融したはんだ層部分
31…導電性粒子
32…はんだ層
41…はんだ粒子

Claims (5)

  1. 銅電極の接続に用いられ、かつ異方性導電ペースト又は異方性導電フィルムである電子部品用硬化性異方性導電材料であって、
    熱硬化性化合物と、芳香族骨格を有するイミダゾール化合物とは異なる潜在性硬化剤と、芳香族骨格を有するイミダゾール化合物と、導電性粒子とを含み、
    前記導電性粒子が、導電性の外側の表面がはんだである導電性粒子であり、
    硬化性異方性導電材料100重量%中、前記導電性粒子の含有量は0.1重量%以上、40重量%以下である、電子部品用硬化性異方性導電材料
  2. 前記潜在性硬化剤が、マイクロカプセル型イミダゾール硬化剤である、請求項1に記載の電子部品用硬化性異方性導電材料
  3. ペーストである、請求項1又は2に記載の電子部品用硬化性異方性導電材料
  4. 第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、
    第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、
    前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、 前記接続部が、請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子部品用硬化性異方性導電材料を硬化させることにより形成されており、
    前記第1の電極及び前記第2の電極の内の少なくとも一方が銅電極であり、
    前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。
  5. 第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材との間に、請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子部品用硬化性異方性導電材料を配置する工程と、
    前記電子部品用硬化性異方性導電材料を硬化させることにより、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部を形成し、前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている接続構造体を得る工程とを備え、
    前記第1の電極及び前記第2の電極の内の少なくとも一方が銅電極である、接続構造体の製造方法。
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