JP5672887B2 - フォトマスクブランクの製造方法 - Google Patents
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酸化クロム,モリブデン,シリコン,モリブデンシリコン,ジルコニウム,タンタルの中から選択された少なくとも1種により組成される遮光膜を有するフォトマスクブランクに、
リン,ボロン,砒素,ゲルマニウムの中から選択されたいずれかの添加物をイオン注入装置内でイオン化し、電圧を印加して加速させ、遮光膜に照射するイオン注入により、遮光膜中に添加物のドープを行ない、
イオン注入処理後、電気炉にて加熱処理を行い、遮光膜の結晶性を回復させることで所定量の電荷を付加させ、遮光膜に導電性を付与することを特徴とする。
フォトマスクブランクを水平位置から7°〜8°傾けてイオン注入装置内に設置して、イオン注入処理を行なうことを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランクの製造方法である。
酸化クロム,モリブデン,シリコン,モリブデンシリコン,ジルコニウム,タンタルの中から選択された少なくとも1種により組成される遮光膜を有するフォトマスクブランクに、
リンまたはボロンの中から選択されたいずれかの添加物を熱拡散炉内で充満させて加熱処理を施す熱拡散処理により、遮光膜表面に添加物をドープして、遮光膜に導電性を付与することを特徴とする。
また、請求項3の本発明のように、熱拡散炉を用いて添加物をドープすることでも、同様の効果が得られる。
遮光膜組成 :モリブデンシリコン
遮光膜膜厚 :750Å
添加物 :リン
イオン注入ドーズ量 :5×1015cm−3
イオン注入加速電圧 :15keV
アニール温度 :800℃
アニール時間 :40分
レジスト :化学増幅型ポジ型レジスト
レジスト膜厚 :1500Å
遮光膜組成 :モリブデンシリコン
遮光膜膜厚 :750Å
添加物 :リン
イオン注入ドーズ量 :5×1015cm−3
イオン注入加速電圧 :5keV
アニール温度 :900℃
アニール時間 :10秒
但し、アニールはRTA(Rapid Thermal Anneal)を使用した。
遮光膜組成 :モリブデンシリコン
遮光膜膜厚 :750Å
添加物 :リン
拡散温度 :850℃
拡散時間 :90分
また、アニール温度を調節して遮光膜内の深さ方向の拡散分布を調整することで、所望の領域に電荷分布を持たせることができ、フォトマスク表面の導電性を制御することができる。
12…フォトマスクブランクの水平位置からの傾き
13…イオン化された添加物のドープ
14…遮光膜の深さ方向
15…遮光膜内における添加物の拡散分布
16…熱拡散炉
17…ガス状添加物
18…遮光膜内における所望領域の電荷分布
19…固形添加物
Claims (3)
- 酸化クロム,モリブデン,シリコン,モリブデンシリコン,ジルコニウム,タンタルの中から選択された少なくとも1種により組成される遮光膜を有するフォトマスクブランクに、
リン,ボロン,砒素,ゲルマニウムの中から選択されたいずれかの添加物をイオン注入装置内でイオン化し、電圧を印加して加速させ、遮光膜に照射するイオン注入により、遮光膜中に添加物のドープを行ない、
イオン注入処理後、電気炉にて加熱処理を行い、遮光膜の結晶性を回復させることで所定量の電荷を付加させ、遮光膜に導電性を付与することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。 - フォトマスクブランクを水平位置から7°〜8°傾けてイオン注入装置内に設置して、イオン注入処理を行なうことを特徴とする請求項1記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 酸化クロム,モリブデン,シリコン,モリブデンシリコン,ジルコニウム,タンタルの中から選択された少なくとも1種により組成される遮光膜を有するフォトマスクブランクに、
リンまたはボロンの中から選択されたいずれかの添加物を熱拡散炉内で充満させて加熱処理を施す熱拡散処理により、遮光膜表面に添加物をドープして、遮光膜に導電性を付与することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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ID=46059357
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Country | Link |
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JP (1) | JP5672887B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5431281A (en) * | 1977-08-12 | 1979-03-08 | Nec Corp | Optical exposure mask |
JPH07253653A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Fujitsu Ltd | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
JP2003140314A (ja) * | 2001-11-01 | 2003-05-14 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスクブランク及びその製造方法並びにこのフォトマスクブランクを用いたフォトマスクの製造方法 |
JP2009188247A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Toppan Printing Co Ltd | ステンシルマスク用soi基板、ステンシルマスクブランクス、ステンシルマスク、ステンシルマスクの製造方法及びステンシルマスクを用いたパターン露光方法 |
JP5573306B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-08-20 | 凸版印刷株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法 |
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JP2012063585A (ja) | 2012-03-29 |
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