JP5667315B1 - 燃料電池 - Google Patents
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Abstract
【課題】ガス流路が内部に形成された支持基板を有する燃料電池であって「ガス流路の内壁から支持基板の表面まで貫通するクラック」が形成され難いものを提供すること。【解決手段】この燃料電池では、ガス流路11が内部に形成された支持基板10の表面に、燃料極20、固体電解質40、及び空気極60が順に積層された発電素子部Aが形成される。支持基板の気孔率が15〜55%である。支持基板10の内部の気孔として、20μm未満の気孔径を有する複数の第1気孔と、20μm以上の気孔径を有する1つ又は複数の第2気孔と、が存在する。「第1、第2気孔が占める体積の総和」に対する「第2気孔が占める体積の総和」の割合が、0.1〜13%である。【選択図】図2
Description
本発明は、燃料電池に関する。
従来より、「ガス流路が内部に形成された支持基板」と、「前記支持基板に設けられるとともに、燃料極と、固体電解質と、空気極とがこの順に積層されてなる発電素子部」と、を備えた固体酸化物形燃料電池が知られている(例えば、特許文献1を参照)。
上記文献に記載の燃料電池では、支持基板の内部に形成されたガス流路を流れる燃料ガスは、支持基板の内部の気孔を介して燃料極に移動し、燃料極にて発電のために消費される。即ち、支持基板は多孔質材料で構成される。
ところで、上述した燃料電池が熱応力的に過酷な環境下で稼働されると、「支持基板のガス流路の内壁を起点とする、支持基板の表面に向かうクラック」が発生する場合がある(後述する図15の矢印を参照)。これは、ガス流路の内壁に応力が集中し易いことに起因する、と考えられる。このクラックの成長によって、このクラックが「支持基板のガス流路の内壁」から「支持基板の表面」まで貫通する場合がある(図15を参照)。以下、このように貫通するクラックを「貫通クラック」と呼ぶ。
上述した燃料電池が通常の環境下で稼働される場合と異なり、上述した燃料電池が熱応力的に過酷な環境下で稼働される場合には、上述したクラックの発生を確実に回避することは非常に困難である。しかしながら、上述したクラックの僅かな発生が許容されたとしても、このクラックが成長して上記「貫通クラック」が形成される事態が発生する頻度を低減することは重要である、と考えられる。
以上より、本発明は、ガス流路が内部に形成された支持基板を有する燃料電池であって、「ガス流路の内壁を起点とする、前記内壁から支持基板の表面まで貫通する貫通クラック」が形成され難いものを提供することを目的とする。
本発明に係る燃料電池は、上述と同じ支持基板と、上述と同じ発電素子部と、を備える前記支持基板は、平板状であっても、円筒状であってもよい。
本発明に係る燃料電池の特徴は、前記支持基板の気孔率が15〜55%であり、前記支持基板の内部の気孔として、20μm未満の気孔径を有する複数の第1気孔と、20μm以上の気孔径を有する1つ又は複数の第2気孔と、が存在し、前記第1、第2気孔が占める体積の総和に対する、前記第2気孔が占める体積の総和の割合(以下、「第2気孔割合」と呼ぶ)が0.1〜13%である、ことにある。なお、前記第2気孔の気孔径は、20〜200μmであることが好適である。換言すれば、支持基板の内部に形成される気孔の径の最大値が200μmであることが好ましい。
通常、係る燃料電池の支持基板の気孔率は15〜55%であり、この支持基板の内部には第1気孔(径が20μm未満)のみが形成される。この場合、上述した燃料電池が熱応力的に過酷な環境下で稼働されると、上述した「貫通クラック」が発生し易い。これに対し、本発明者は、支持基板の内部に第1気孔のみならず第2気孔(径が20μm以上)が形成されると、上述した燃料電池が熱応力的に過酷な環境下で稼働された場合であっても上述した「貫通クラック」が発生し難いこと、を見出した(詳細は後述する)。
ただし、本発明者は、「第2気孔割合」が0.1%未満であると、「上述した燃料電池が熱応力的に過酷な環境下で稼働された場合において上述した「貫通クラック」がなおも発生し易いこと」、並びに、「第2気孔割合」が13%より大きいと、「外力及び衝撃等に対して支持基板全体の形状が維持され難くなること」をも見出した(詳細は後述する)。従って、支持基板の気孔率が15〜55%であり、且つ、「第2気孔割合」が0.1〜13%である場合に、上述した燃料電池が熱応力的に過酷な環境下で稼働された場合においても上述した「貫通クラック」が発生し難くなる、といえる。
上記本発明に係る燃料電池において、前記支持基板が平板状を呈している場合、前記支持基板における前記ガス流路の内壁からの距離(最短距離)がT2以下の流路近傍領域では、前記第2気孔が形成されず前記複数の第1気孔のみが形成され、前記支持基板における前記流路近傍領域以外の残りの領域では、前記複数の第1気孔と、前記1つ又は複数の第2気孔と、が形成され、前記ガス流路の内壁と前記支持基板の主面との間の距離(最短距離)をT1としたとき、値「T2/T1」が50%以下であり、T2が0.1mm以上であることが好適である。ここで、値「T2/T1」が、5〜50%であることが好適である。
本発明者は、支持基板の気孔率が15〜55%であり、且つ、「第2気孔割合」が0.1〜13%である場合において、値「T2/T1」が50%以下であり、T2が0.1mm以上であると、上述した「貫通クラック」がより一層発生し難くなる、ことをも見出した(詳細は後述する)。
(構成)
図1は、本発明の実施形態に係る固体酸化物形燃料電池(SOFC)の構造体を示す。このSOFCは、長手方向(x軸方向)を有する平板状の支持基板10の上下面(互いに平行な両側の主面(平面))のそれぞれに、電気的に直列に接続された複数(本例では、4つ)の同形の発電素子部Aが長手方向において所定の間隔をおいて配置された、所謂「横縞型」と呼ばれる構成を有する。
図1は、本発明の実施形態に係る固体酸化物形燃料電池(SOFC)の構造体を示す。このSOFCは、長手方向(x軸方向)を有する平板状の支持基板10の上下面(互いに平行な両側の主面(平面))のそれぞれに、電気的に直列に接続された複数(本例では、4つ)の同形の発電素子部Aが長手方向において所定の間隔をおいて配置された、所謂「横縞型」と呼ばれる構成を有する。
このSOFCの全体を上方からみた形状は、例えば、長手方向の辺の長さが50〜500mmで長手方向に直交する幅方向(y軸方向)の長さが10〜100mmの長方形である。このSOFCの全体の厚さは、1〜5mmである。このSOFCの全体は、厚さ方向の中心を通り且つ支持基板10の主面に平行な面に対して上下対称の形状を有する。以下、図1に加えて、このSOFCの図1に示す2−2線に対応する部分断面図である図2を参照しながら、このSOFCの詳細について説明する。図2は、代表的な1組の隣り合う発電素子部A,Aのそれぞれの構成(の一部)、並びに、発電素子部A,A間の構成を示す部分断面図である。その他の組の隣り合う発電素子部A,A間の構成も、図2に示す構成と同様である。
支持基板10は、電子伝導性を有さない多孔質の材料からなる平板状の焼成体である。後述する図6に示すように、支持基板10の内部には、長手方向に延びる複数(本例では、6本)の燃料ガス流路11(貫通孔)が幅方向において所定の間隔をおいて形成されている。本例では、支持基板10の上下面における複数の発電素子部Aに対応する位置に、凹部12がそれぞれ形成されている。各凹部12は、支持基板10の材料からなる底壁と、全周に亘って支持基板10の材料からなる周方向に閉じた側壁(長手方向に沿う2つの側壁と幅方向に沿う2つの側壁)と、で画定された直方体状の窪みである。各凹部12の長さ(x軸方向の寸法)は5〜50mmであり、幅(y軸方向の寸法)は2〜95mmであり、深さ(z軸方向の寸法)は0.03〜1.5mmである。
支持基板10は、MgO(酸化マグネシウム)と、第1酸化物セラミックスと、を含んで構成される。なお、支持基板10が第1酸化物セラミックスを含んでいるのは、MgO単独の熱膨張係数(約14ppm/K)が、通常の電極材料の熱膨張係数(10〜13ppm/K)と比べて大きいことに起因して、支持基板10の等価熱膨張係数を通常の電極材料の熱膨張係数に近づけるため、である。従って、第1酸化物セラミックスとしては、熱膨張係数が通常の電極材料の熱膨張係数(10〜13ppm/K)と比べて小さいものが好適である。具体的には、「第1酸化物セラミックス」としては、Y2O3(イットリア)、YSZ(8YSZ)(イットリア安定化ジルコニア)、CSZ(カルシア安定化ジルコニア)等が好適である。支持基板10は、「遷移金属酸化物又は遷移金属」を含んでいてもよい。「遷移金属酸化物又は遷移金属」としては、NiO(酸化ニッケル)又はNi(ニッケル)が好適である。遷移金属は、燃料ガスの改質反応を促す触媒(炭化水素系のガスの改質触媒)として機能し得る。
このように、支持基板10が「遷移金属酸化物又は遷移金属」を含むことによって、改質前の残存ガス成分を含んだガスが多孔質の支持基板10の内部の多数の気孔を介して燃料ガス流路11から燃料極に供給される過程において、上記触媒作用によって改質前の残存ガス成分の改質を促すことができる。加えて、支持基板10が絶縁性の酸化物セラミックスを含むことによって、支持基板10の絶縁性を確保することができる。この結果、隣り合う燃料極間における絶縁性が確保され得る。
支持基板10の厚さは、1〜5mmである。支持基板10の気孔率は15〜55%である。なお、気孔率の値は、後述する還元処理後の値である(他の気孔率の値についても同様)。なお、気孔率の測定は,樹脂埋めしたサンプル(還元処理後)の断面を研磨し、同断面についてのSEM(走査型電子顕微鏡)による画像(2次電子像)を解析することによって行われた。具体的には、「断面の総面積」に対する「断面上にて樹脂埋めされた領域に対応する部分の面積の総和」の割合が、その断面の「気孔率」であると定義された。SEMの加速電圧は5kV、SEMの倍率は5000倍、又は7500倍に設定された。気孔率の測定は、サンプルの任意の10箇所の断面について行われ、それらの平均値が気孔率の値として採用された。
以下、この構造体の形状が上下対称となっていることを考慮し、説明の簡便化のため、支持基板10の上面側の構成についてのみ説明していく。支持基板10の下面側の構成についても同様である。
図2及び図3に示すように、支持基板10の上面(上側の主面)に形成された各凹部12には、燃料極集電部21の全体が埋設(充填)されている。従って、各燃料極集電部21は直方体状を呈している。
各燃料極集電部21の上面(外側面)には、凹部21aが形成されている。各凹部21aは、燃料極集電部21の材料からなる底壁と、全周に亘って燃料極集電部21の材料からなる周方向に閉じた側壁(長手方向に沿う2つの側壁と、幅方向に沿う2つの側壁)と、で画定された直方体状の窪みである。
各凹部21aには、燃料極活性部22の全体が埋設(充填)されている。従って、各燃料極活性部22は直方体状を呈している。燃料極集電部21と燃料極活性部22とにより燃料極20が構成される。燃料極20(燃料極集電部21+燃料極活性部22)は、電子伝導性を有する多孔質の材料からなる焼成体である。各燃料極活性部22の4つの側面と底面とは、凹部21a内で燃料極集電部21と接触している。
各燃料極集電部21の上面(外側面)における凹部21aを除いた部分には、凹部21bが形成されている。各凹部21bは、燃料極集電部21の材料からなる底壁と、全周に亘って燃料極集電部21の材料からなる周方向に閉じた側壁(長手方向に沿う2つの側壁と、幅方向に沿う2つの側壁)と、で画定された直方体状の窪みである。
各凹部21bには、インターコネクタ30が埋設(充填)されている。従って、各インターコネクタ30は直方体状を呈している。インターコネクタ30は、電子伝導性を有する緻密な材料からなる焼成体である。各インターコネクタ30の4つの側面と底面とは、凹部21b内で燃料極集電部21と接触している。
燃料極20(燃料極集電部21及び燃料極活性部22)の上面(外側面)と、インターコネクタ30の上面(外側面)と、支持基板10の主面とにより、1つの平面(凹部12が形成されていない場合の支持基板10の主面と同じ平面)が構成されている。即ち、燃料極20の上面とインターコネクタ30の上面と支持基板10の主面との間で、段差が形成されていない。
燃料極集電部21は、NiO(酸化ニッケル)と、第2酸化物セラミックスと、を含んで構成される。なお、燃料極集電部21が第2酸化物セラミックスを含んでいるのは、NiO単独の熱膨張係数(約14ppm/K)が、通常の電極材料の熱膨張係数(10〜13ppm/K)と比べて大きいことに起因して、燃料極集電部21の等価熱膨張係数を通常の電極材料の熱膨張係数に近づけるため、である。従って、第2酸化物セラミックスとしては、熱膨張係数が通常の電極材料の熱膨張係数(10〜13ppm/K)と比べて小さいものが好適である。具体的には、「第2酸化物セラミックス」としては、Y2O3(イットリア)、YSZ(8YSZ)(イットリア安定化ジルコニア)、CSZ(カルシア安定化ジルコニア)等が好適である。燃料極集電部21の厚さ(即ち、凹部12の深さ)は、50〜500μmである。燃料極集電部21の気孔率は15〜55%である。
燃料極活性部22は、電子伝導性を有する物質と、酸素イオン伝導性を有する物質と、を含んで構成される。「電子伝導性を有する物質」としては、NiO(酸化ニッケル)が好適である。「酸素イオン伝導性を有する物質」としては、YSZ(8YSZ)(イットリア安定化ジルコニア)、GDC(ガドリニウムドープセリア)等が好適である。燃料極活性部22の厚さは、5〜30μmである。燃料極活性部22の気孔率は15〜55%である。
なお、燃料極集電部21内、並びに、燃料極活性部22内のNiOは、後述する還元処理によってNiに変化して、電子伝導性を獲得する。燃料極活性部22における「気孔部分を除いた全体積に対する酸素イオン伝導性を有する物質の体積割合」は、燃料極集電部21における「気孔部分を除いた全体積に対する酸素イオン伝導性を有する物質の体積割合」よりも大きい。
インターコネクタ30は、例えば、LaCrO3(ランタンクロマイト)から構成され得る。或いは、(Sr,La)TiO3(ストロンチウムチタネート)から構成されてもよい。インターコネクタ30の厚さは、10〜100μmである。
燃料極20及びインターコネクタ30がそれぞれの凹部12に埋設された状態の支持基板10における長手方向に延びる外周面において複数のインターコネクタ30が形成されたそれぞれの部分の長手方向中央部を除いた全面は、固体電解質膜40により覆われている。固体電解質膜40は、イオン伝導性を有する緻密な材料からなる焼成体である。固体電解質膜40は、例えば、YSZ(8YSZ)(イットリア安定化ジルコニア)から構成され得る。或いは、LSGM(ランタンガレート)から構成されてもよい。固体電解質膜40の厚さは、3〜50μmである。
即ち、燃料極20がそれぞれの凹部12に埋設された状態の支持基板10における長手方向に延びる外周面の全面は、インターコネクタ30と固体電解質膜40とからなる緻密層により覆われている。この緻密層は、緻密層の内側の空間を流れる燃料ガスと緻密層の外側の空間を流れる空気との混合を防止するガスシール機能を発揮する。なお、本願において「緻密」とは、「ガスが通過しない程度に高密度であること」を指し、具体的には、「気孔率が10%以下であること」を指す。
なお、図2に示すように、本例では、固体電解質膜40が、燃料極20の上面、インターコネクタ30の上面における長手方向の両側端部、及び支持基板10の主面を覆っている。ここで、上述したように、燃料極20の上面とインターコネクタ30の上面と支持基板10の主面との間で段差が形成されていない。従って、固体電解質膜40が平坦化されている。この結果、固体電解質膜40に段差が形成される場合に比して、応力集中に起因する固体電解質膜40でのクラックの発生が抑制され得、固体電解質膜40が有するガスシール機能の低下が抑制され得る。
固体電解質膜40における各燃料極活性部22と接している箇所の上面には、反応防止膜50を介して空気極60が形成されている。反応防止膜50は、緻密な材料からなる焼成体であり、空気極60は、電子伝導性を有する多孔質の材料からなる焼成体である。反応防止膜50及び空気極60を上方からみた形状は、燃料極活性部22と略同一の長方形である。
反応防止膜50は、例えば、GDC=(Ce,Gd)O2(ガドリニウムドープセリア)から構成され得る。反応防止膜50の厚さは、3〜50μmである。空気極60は、例えば、LSCF=(La,Sr)(Co,Fe)O3(ランタンストロンチウムコバルトフェライト)から構成され得る。或いは、LSF=(La,Sr)FeO3(ランタンストロンチウムフェライト)、LNF=La(Ni,Fe)O3(ランタンニッケルフェライト)、LSC=(La,Sr)CoO3(ランタンストロンチウムコバルタイト)等から構成されてもよい。また、空気極60は、LSCFからなる第1層(内側層)とLSCからなる第2層(外側層)との2層によって構成されてもよい。空気極60の厚さは、10〜100μmである。
なお、反応防止膜50が介装されるのは、SOFC作製時又は作動中のSOFC内において固体電解質膜40内のYSZと空気極60内のSrとが反応して固体電解質膜40と空気極60との境界部分に電気抵抗が大きい反応層が形成される現象の発生を抑制するためである。
ここで、燃料極20と、固体電解質膜40と、反応防止膜50と、空気極60とが積層されてなる積層体が、「発電素子部A」に対応する(図2を参照)。即ち、支持基板10の上面には、複数(本例では、4つ)の発電素子部Aが、長手方向において所定の間隔をおいて配置されている。
各組の隣り合う発電素子部A,Aについて、一方の(図2では、左側の)発電素子部Aの空気極60と、他方の(図2では、右側の)発電素子部Aのインターコネクタ30とを跨ぐように、空気極60、固体電解質膜40、及び、インターコネクタ30の上面に、空気極集電膜70が形成されている。空気極集電膜70は、電子伝導性を有する多孔質の材料からなる焼成体である。空気極集電膜70を上方からみた形状は、長方形である。
空気極集電膜70は、例えば、LSCF=(La,Sr)(Co,Fe)O3(ランタンストロンチウムコバルトフェライト)から構成され得る。或いは、LSC=(La,Sr)CoO3(ランタンストロンチウムコバルタイト)から構成されてもよい。或いは、Ag(銀)、Ag−Pd(銀パラジウム合金)から構成されてもよい。空気極集電膜70の厚さは、50〜500μmである。
このように各空気極集電膜70が形成されることにより、各組の隣り合う発電素子部A,Aについて、一方の(図2では、左側の)発電素子部Aの空気極60と、他方の(図2では、右側の)発電素子部Aの燃料極20(特に、燃料極集電部21)とが、電子伝導性を有する「空気極集電膜70及びインターコネクタ30」を介して電気的に接続される。この結果、支持基板10の上面に配置されている複数(本例では、4つ)の発電素子部Aが電気的に直列に接続される。ここで、電子伝導性を有する「空気極集電膜70及びインターコネクタ30」が、「電気的接続部」に対応する。
なお、インターコネクタ30は、前記「電気的接続部」における「緻密な材料で構成された第1部分」に対応し、気孔率は10%以下である。空気極集電膜70は、前記「電気的接続部」における「多孔質の材料で構成された第2部分」に対応し、気孔率は20〜60%である。
以上、説明した「横縞型」のSOFCに対して、図4に示すように、支持基板10の燃料ガス流路11内に改質後の燃料ガス(水素ガス等)を流すとともに、支持基板10の上下面(特に、各空気極集電膜70)を「酸素を含むガス」(空気等)に曝す(或いは、支持基板10の上下面に沿って酸素を含むガスを流す)ことにより、固体電解質膜40の両側面間に生じる酸素分圧差によって起電力が発生する。更に、この構造体を外部の負荷に接続すると、下記(1)、(2)式に示す化学反応が起こり、電流が流れる(発電状態)。
(1/2)・O2+2e−→O2− (於:空気極60) …(1)
H2+O2−→H2O+2e− (於:燃料極20) …(2)
(1/2)・O2+2e−→O2− (於:空気極60) …(1)
H2+O2−→H2O+2e− (於:燃料極20) …(2)
発電状態においては、図5に示すように、各組の隣り合う発電素子部A,Aについて、電流が、矢印で示すように流れる。この結果、図4に示すように、このSOFC全体から(具体的には、図4において最も手前側の発電素子部Aのインターコネクタ30と最も奥側の発電素子部Aの空気極60とを介して)電力が取り出される。
(製造方法)
次に、図1に示した「横縞型」のSOFCの製造方法の一例について図6〜図15を参照しながら簡単に説明する。図6〜図15において、各部材の符号の末尾の「g」は、その部材が「焼成前」であることを表す。
次に、図1に示した「横縞型」のSOFCの製造方法の一例について図6〜図15を参照しながら簡単に説明する。図6〜図15において、各部材の符号の末尾の「g」は、その部材が「焼成前」であることを表す。
先ず、図6に示す形状を有する支持基板の成形体10gが作製される。この支持基板の成形体10gは、例えば、支持基板10の材料(例えば、MgOとY2O3)の粉末にバインダー等が添加されて得られるスラリーを用いて、押し出し成形、切削等の手法を利用して作製され得る。以下、図6に示す7−7線に対応する部分断面を表す図7〜図15を参照しながら説明を続ける。
図7に示すように、支持基板の成形体10gが作製されると、次に、図8に示すように、支持基板の成形体10gの上下面に形成された各凹部12に、燃料極集電部の成形体21gがそれぞれ埋設・形成される。次いで、図9に示すように、各燃料極集電部の成形体21gの外側面に形成された各凹部に、燃料極活性部の成形体22gがそれぞれ埋設・形成される。各燃料極集電部の成形体21g、及び各燃料極活性部22gは、例えば、燃料極20の材料(例えば、NiとY2O3)の粉末にバインダー等が添加されて得られるスラリーを用いて、印刷法等を利用して埋設・形成される。
続いて、図10に示すように、各燃料極集電部の成形体21gの外側面における「燃料極活性部の成形体22gが埋設された部分を除いた部分」に形成された各凹部に、インターコネクタの成形体30gがそれぞれ埋設・形成される。各インターコネクタの成形体30gは、例えば、インターコネクタ30の材料(例えば、LaCrO3)の粉末にバインダー等が添加されて得られるスラリーを用いて、印刷法等を利用して埋設・形成される。
次に、図11に示すように、複数の燃料極の成形体(21g+22g)及び複数のインターコネクタの成形体30gがそれぞれ埋設・形成された状態の支持基板の成形体10gにおける長手方向に延びる外周面において複数のインターコネクタの成形体30gが形成されたそれぞれの部分の長手方向中央部を除いた全面に、固体電解質膜の成形膜40gが形成される。固体電解質膜の成形膜40gは、例えば、固体電解質膜40の材料(例えば、YSZ)の粉末にバインダー等が添加されて得られるスラリーを用いて、印刷法、ディッピング法等を利用して形成される。
次に、図12に示すように、固体電解質膜の成形体40gにおける各燃料極の成形体22gと接している箇所の外側面に、反応防止膜の成形膜50gが形成される。各反応防止膜の成形膜50gは、例えば、反応防止膜50の材料(例えば、GDC)の粉末にバインダー等が添加されて得られるスラリーを用いて、印刷法等を利用して形成される。
そして、このように種々の成形膜が形成された状態の支持基板の成形体10gが、空気中にて1500℃で3時間焼成される。これにより、図1に示したSOFCにおいて空気極60及び空気極集電膜70が形成されていない状態の構造体が得られる。
次に、図13に示すように、各反応防止膜50の外側面に、空気極の成形膜60gが形成される。各空気極の成形膜60gは、例えば、空気極60の材料(例えば、LSCF)の粉末にバインダー等が添加されて得られるスラリーを用いて、印刷法等を利用して形成される。
次に、図14に示すように、各組の隣り合う発電素子部について、一方の発電素子部の空気極の成形膜60gと、他方の発電素子部のインターコネクタ30とを跨ぐように、空気極の成形膜60g、固体電解質膜40、及び、インターコネクタ30の外側面に、空気極集電膜の成形膜70gが形成される。各空気極集電膜の成形膜70gは、例えば、空気極集電膜70の材料(例えば、LSCF)の粉末にバインダー等が添加されて得られるスラリーを用いて、印刷法等を利用して形成される。
そして、このように成形膜60g、70gが形成された状態の支持基板10が、空気中にて1050℃で3時間焼成される。これにより、図1に示したSOFCが得られる。なお、この時点では、酸素含有雰囲気での焼成により、燃料極20(集電部21+活性部22)中のNi成分が、NiOとなっている。従って、燃料極20(集電部21+活性部22)の電子伝導性を獲得するため、その後、支持基板10側から還元性の燃料ガスが流され、NiOが800〜1000℃で1〜10時間に亘って還元処理される。なお、この還元処理は発電時に行われてもよい。以上、図1に示したSOFCの製造方法の一例について説明した。
(貫通クラックの発生の防止)
上記実施形態に係るSOFCが、通常の環境下とは異なり、熱応力的に過酷な環境下で稼働されると、図15に示すような「支持基板10のガス流路11の内壁を起点とする、支持基板10の主面に向かうクラック」が発生し得る(図15の矢印を参照)。この現象は、ガス流路11の内壁に応力が集中し易いことに起因する、と考えられる。
上記実施形態に係るSOFCが、通常の環境下とは異なり、熱応力的に過酷な環境下で稼働されると、図15に示すような「支持基板10のガス流路11の内壁を起点とする、支持基板10の主面に向かうクラック」が発生し得る(図15の矢印を参照)。この現象は、ガス流路11の内壁に応力が集中し易いことに起因する、と考えられる。
図15に示すように、クラックの成長によって、このクラックが「支持基板のガス流路の内壁」から「支持基板の表面」まで貫通する場合がある。以下、このように貫通するクラックを「貫通クラック」と呼ぶ。
熱応力的に過酷な環境下では、このようなクラックの発生を確実に回避することは非常に困難である。しかしながら、上述したクラックの僅かな発生が許容されたとしても、このクラックが成長して上記「貫通クラック」が形成される事態が発生する頻度を低減することは重要である。
以下、支持基板10の内部に形成される気孔について、20μm未満の気孔径を有する気孔を「第1気孔」と呼び、20μm以上の気孔径を有する気孔を「第2気孔」と呼ぶ。なお、或る断面上に存在する気孔の径とは、「その断面上にてその気孔が占める面積と同じ面積を有する等価円の直径」と定義される。加えて、「支持基板10の内部における第1、第2気孔が占める体積の総和(即ち、支持基板10の内部に存在する全ての気孔の体積の総和)」に対する「支持基板10の内部における第2気孔が占める体積の総和」の割合を、以下、「第2気孔割合」と呼ぶ。「第2気孔割合」は、「支持基板10の断面における第1、第2気孔が占める面積の総和」に対する「支持基板10の断面における第2気孔が占める面積の総和」の割合とも定義され得る。「第2気孔割合」の測定は、支持基板10の任意の10箇所の断面について行われ、それらの平均値が「第2気孔割合」として採用された。
通常、係るSOFCの支持基板の内部には、第1気孔(径が20μm未満)のみが形成される。この場合、このSOFCが熱応力的に過酷な環境下で稼働されると、上述した「貫通クラック」が発生し易い。
これに対し、上記実施形態に係るSOFCでは、支持基板10の内部に、第1気孔(径が20μm未満)のみならず第2気孔(径が20μm以上)も形成されている。なお、第2気孔の最大径は200μmであった。また、支持基板10内において、第1、第2気孔は、それぞれ、概ね均一に分布している。
本発明者は、上記実施形態の場合、このSOFCが熱応力的に過酷な環境下で稼働された場合であっても、上述した「貫通クラック」が発生し難いことを見出した。これは、図16に示すように、ガス流路11の内壁を起点として発生したクラックが支持基板10の主面に向かって成長していく過程において、移動していくクラックの先端が第2気孔に到達したことに起因してそのクラックの成長が止まることに基づく、と考えられる。「移動していくクラックの先端が第1気孔に到達してもクラックの成長が止まらない一方で、第2気孔に到達したときにはクラックの成長が止まる」のは、第1気孔より大きい第2気孔では、第1気孔と比べて気孔の内壁の曲率半径が大きいことに起因して応力が集中し難いことに基づく、と考えられる。なお、図16では、第2気孔のみが示され、(第2気孔より小さい)第1気孔は示されていない。
しかしながら、支持基板10の内部に第1気孔のみならず第2気孔が形成される場合においても、SOFCが熱応力的に過酷な環境下で稼働されると、上述した「貫通クラック」が発生し易い場合があった。本発明者は、この「貫通クラック」の発生の有無が、上述した「第2気孔割合」と強い相関があることを見出した。以下、これらのことを確認した試験Aについて説明する。
(試験A)
この試験Aでは、図1に示したSOFCについて、「支持基板10の内部における第1、第2気孔が占める体積の総和Sa(mm3)」、及び「支持基板10の内部における第2気孔が占める体積の総和Sb(mm3)」、従って、「第2気孔割合Sb/Sa」が異なる複数のサンプルが作製された。具体的には、表1に示すように、10種類の水準(組み合わせ)が準備された。各水準に対して10個のサンプル(N=10)が作製された。
この試験Aでは、図1に示したSOFCについて、「支持基板10の内部における第1、第2気孔が占める体積の総和Sa(mm3)」、及び「支持基板10の内部における第2気孔が占める体積の総和Sb(mm3)」、従って、「第2気孔割合Sb/Sa」が異なる複数のサンプルが作製された。具体的には、表1に示すように、10種類の水準(組み合わせ)が準備された。各水準に対して10個のサンプル(N=10)が作製された。
各サンプル(図1に示すSOFC)にて、支持基板10の材料としてはMgO-Y2O3、NiO/Ni-MgO-Y2O3、MgO-MgAl2O4、NiO/Ni-MgO-MgAl2O4、等が使用された。支持基板10は、長手方向(x軸方向)の長さが50〜500mmで、幅方向(y軸方向)の長さが10〜100mmで、厚さが1〜5mmの平板状を呈していた。支持基板10のガス流路11の断面は円形であり、その直径は0.3〜4.5mmであった。支持基板10について、気孔率の調整、及び、気孔の大きさの分布(従って、第2気孔割合)の調整は、対応する成形体の作製に使用されるスラリー内に含まれる造孔材の量及び径を調整すること等によってなされた。支持基板10の気孔率は15〜55%であった。第2気孔の気孔径は、20〜200μmの範囲内であった。
この試験Aでは、各サンプルについて、「燃料極20に還元性の燃料ガスを流通させながら、雰囲気温度を常温から750℃まで2時間で上げた後に750℃から常温まで4時間で下げるパターン」を10回繰り返す熱サイクル試験を行った。そして、各サンプルについて、貫通クラックの発生の有無が確認された。この確認は、目視、並びに、顕微鏡を使用した観察によってなされた。この結果は表1に示すとおりである。
表1から理解できるように、「第2気孔割合Sb/Sa」が0.1%未満であると、「貫通クラック」が発生し易い。これは、支持基板10内の第2気孔の数が少な過ぎて、支持基板10内にて成長していくクラックが第2気孔に到達する確率(従って、クラックの成長が止まる確率)が極端に小さくなることに基づく、と考えられる。
加えて、表1から理解できるように、「第2気孔割合Sb/Sa」が13%より大きいと、外力及び衝撃等に対して支持基板10全体の形状が維持され難い。これは、支持基板10内の第2気孔の数(即ち、比較的大きい空洞の数)が多すぎて、支持基板10全体の強度が極端に低下することに基づく、と考えられる。
以上より、支持基板10の気孔率が15〜55%であり、且つ、支持基板10の内部の「第2気孔割合」が0.1〜13%である場合に、上述したSOFCが熱応力的に過酷な環境下で稼働された場合においても、「貫通クラック」が発生し難くなる、ということができる。
ところで、図17に示すように、上記実施形態に係るSOFCにおいて、支持基板10におけるガス流路11の内壁からの距離(最短距離)がT2(mm)以下の領域(図17において、微細なドットで示した領域、以下、「流路近傍領域12」と呼ぶ)にて、第2気孔が形成されず複数の第1気孔のみが形成される態様を考える。図17に示す態様では、「流路近傍領域12」は、複数本(具体的には、6本)の円筒状を呈する。即ち、図17に示す態様では、各「流路近傍領域12」(図17において微細なドットで示した領域)では、第2気孔が形成されず複数の第1気孔のみが形成され、残りの領域(図17において白抜きで示した領域)では、第1、第2気孔が形成されている。図17に示すように、ガス流路11の内壁と支持基板10の主面との間の距離(最短距離)をT1(mm)とする。
本発明者は、支持基板10の気孔率が15〜55%であり、且つ、支持基板10全体の「第2気孔割合」が0.1〜13%である場合において、値「T2/T1」が50%以下であり、T2が0.1mm以上であると、上述した「貫通クラック」がより一層発生し難くなる、ことをも見出した。以下、このことを確認した試験Bについて説明する。
(試験B)
試験Bでは、図1に示したSOFCについて、値T1、及び値T2、従って、値「T2/T1」が異なる複数のサンプルが作製された。具体的には、表2に示すように、8種類の水準(組み合わせ)が準備された。各水準に対して10個のサンプル(N=10)が作製された。
試験Bでは、図1に示したSOFCについて、値T1、及び値T2、従って、値「T2/T1」が異なる複数のサンプルが作製された。具体的には、表2に示すように、8種類の水準(組み合わせ)が準備された。各水準に対して10個のサンプル(N=10)が作製された。
各サンプル(図1に示すSOFC)について、支持基板10のガス流路11の断面は円形であり、その直径R(図17を参照)は0.3〜4.5mmであった。各サンプルについてのその他の寸法、材料等は、試験Aのものと同様である。「流路近傍領域12」を含む支持基板10(焼成体)は、以下のように作製された。即ち、先ず、第1、第2気孔が形成されるように造孔材の量及び径が調整されたスラリーを用いて、「第1、第2気孔が内部に形成されるとともにガス流路の内径が「流路近傍領域12」の肉厚分(=2・T2)だけ大きい支持基板の成形体」が、押し出し成形、切削等の手法を利用して作製される。その後、この支持基板の成形体の各ガス流路の内壁に、第1気孔のみが形成されるように造孔材の量及び径が調整されたスラリーを用いて、厚さT2の膜がコーティングされる。このように膜がコーティングされた支持基板の成形体が焼成されることによって、「流路近傍領域12」を含む支持基板10(焼成体)が形成される。
この試験Bでは、試験Aで実行された熱サイクル試験より熱応力的に過酷な熱サイクル試験、即ち、「燃料極20に還元性の燃料ガスを流通させながら、雰囲気温度を常温から750℃まで1時間で上げた後に750℃から常温まで2時間で下げるパターン」を20回繰り返す熱サイクル試験を行った。そして、各サンプルについて、貫通クラックの発生の有無が確認された。この結果は表2に示すとおりである。
表2から理解できるように、T2が0.1mm未満であると、ガス流路11の内壁に欠けが発生し易い。これは、ガス流路11の内壁から近過ぎる位置に第2気孔が存在すること、並びに、ガス流路11の内壁に応力が集中し易いこと、に基づく、と考えられる。
加えて、表2から理解できるように、値「T2/T1」が50%より大きいと、「貫通クラック」が発生し易い。これは、支持基板10内の第2気孔の数が少な過ぎて、支持基板10内にて成長していくクラックが第2気孔に到達する確率(従って、クラックの成長が止まる確率)が極端に小さくなることに基づく、と考えられる。
以上、表1、及び表2の結果より、支持基板10の気孔率が15〜55%であり、且つ、支持基板10の内部の「第2気孔割合」が0.1〜13%である場合に「貫通クラック」が発生し難くなり、更に、この場合において、値「T2/T1」が50%以下であり、T2が0.1mm以上であると、「貫通クラック」がより一層発生し難くなる、ということができる。ここで、値「T2/T1」が、5〜50%であることが好適である。
なお、本発明は上記実施形態に限定されることはなく、本発明の範囲内において種々の変形例を採用することができる。例えば、上記実施形態では、図6等に示すように、支持基板10に形成された凹部12の平面形状(支持基板10の主面に垂直の方向からみた場合の形状)が、長方形になっているが、例えば、正方形、円形、楕円形、長穴形状等であってもよい。また、支持基板10は平板状を呈しているが、円筒状であってもよい。
また、上記実施形態においては、平板状の支持基板10の上下面のそれぞれに複数の凹部12が形成され且つ複数の発電素子部Aが設けられているが、支持基板10の片側面のみに複数の凹部12が形成され且つ複数の発電素子部Aが設けられていてもよい。また、上記実施形態においては、支持基板10の一つの主面上に、電気的に直列に接続された複数の発電素子部Aが配置された所謂「横縞型」と呼ばれる構成が採用されているが、支持基板10の一つの主面上に一つの発電素子部Aが配置される構成(所謂「縦縞型」)が採用されてもよい。
また、上記実施形態においては、燃料極20が燃料極集電部21と燃料極活性部22との2層で構成されているが、燃料極20が燃料極活性部22に相当する1層(Ni+酸化物セラミックス)で構成されてもよい。
加えて、上記実施形態においては、各燃料極20(集電部21及び活性部22)が支持基板の主面に形成された凹部12に埋設されているが、図18に示すように、支持基板の主面に凹部が形成されず、各燃料極20(集電部21及び活性部22)が支持基板の主面から突出するように形成されていてもよい。
以下、上記実施形態に係るSOFCの支持基板10の細孔分布について簡単に付言する。この細孔分布は、水銀を用いたポロシメータを使用して測定された。ポロシメータとして、マイクロメリティックス(micromeritic)社製のオートポアIV9520が使用された。この測定は、「水銀の表面張力が140dyn/cm、水銀と試料との接触角が140度、解析範囲が0.01〜100μm」という条件下にて行われた。この測定の結果、支持基板10の細孔分布は、「平均細孔半径で0.1〜0.4μm」で表すことができることが判明した。なお、この細孔分布も、スラリー内に含まれる造孔材の量及び径を調整すること等によってなされ得る。
10…支持基板、11…燃料ガス流路、12…凹部、15…中間層、20…燃料極、21…燃料極集電部、21a、21b…凹部、22…燃料極活性部、30…インターコネクタ、40…固体電解質膜、50…反応防止膜、60…空気極、70…空気極集電膜、A…発電素子部
Claims (2)
- ガス流路が内部に形成された支持基板と、
前記支持基板に設けられるとともに、燃料極と、固体電解質と、空気極とがこの順に積層されてなる発電素子部と、
を備えた燃料電池であって、
前記支持基板の気孔率が15〜55%であり、
前記支持基板の内部の気孔として、20μm未満の気孔径を有する複数の第1気孔と、20μm以上の気孔径を有する1つ又は複数の第2気孔と、が存在し、
前記第1、第2気孔が占める体積の総和に対する、前記第2気孔が占める体積の総和の割合が0.1〜13%である、燃料電池。 - 請求項1に記載の燃料電池において、
前記支持基板が平板状を呈しており、
前記支持基板における前記ガス流路の内壁からの距離がT2以下の領域である流路近傍領域の内部の気孔として、前記第2気孔が存在せずに前記複数の第1気孔のみが存在し、前記支持基板における前記流路近傍領域以外の残りの領域の内部の気孔として、前記複数の第1気孔と、前記1つ又は複数の第2気孔と、が存在し、
前記ガス流路の内壁と前記支持基板の主面との間の距離をT1としたとき、
T2/T1が50%以下であり、T2が0.1mm以上である、燃料電池。
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