JP5663277B2 - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という(例えば特許文献1参照)。
記憶装置と、
記憶装置のデータ読み出し処理を行う読み出し処理部と、
記憶装置のデータ読み出し処理における開始時刻と終了時刻とを用いて、記憶装置のデータ読み出し時間を演算する読み出し時間演算部と、
データ読み出し時間が閾値以上か否かを判定する判定部と、
判定の結果、データ読み出し時間が閾値以上の場合に記憶装置が異常であることを示す情報を出力する出力部と、
判定の結果、データ読み出し時間が閾値以上の場合に記憶装置を別の記憶装置と交換した上で別の記憶装置を用いて、描画データのデータ処理を行うデータ処理部と、
データ処理された結果に基づいて、荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部と、
を備え、
前記閾値として、複数の記憶装置の読み出し時間のサンプルデータを用いて得られた前記複数の記憶装置の平均読み出し時間に標準偏差の3倍の値(3σ)を加算した値を用いることを特徴とする。
記憶装置と、
テストデータを入力し、記憶装置に前記テストデータの書き込み処理を行う書き込み処理部と、
記憶装置への書き込み処理における書き込み速度を演算する書き込み速度演算部と、
書き込み速度が閾値以下か否かを判定する判定部と、
判定の結果、書き込み速度が閾値以下の場合に記憶装置が異常であることを示す情報を出力する出力部と、
判定の結果、書き込み速度が閾値以下の場合に記憶装置を別の記憶装置と交換した上で別の記憶装置を用いて、描画データのデータ処理を行うデータ処理部と、
データ処理された結果に基づいて、荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部と、
を備え、
前記閾値として、複数の記憶装置の書き込み速度のサンプルデータを用いて得られた前記複数の記憶装置の平均書き込み速度から標準偏差の3倍の値(3σ)を差し引いた値を用いることを特徴とする。
記憶装置と、
記憶装置を用いて、描画データのデータ処理を行うデータ処理部と、
データ処理された結果に基づいて、荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部と、
記憶装置へデータ処理されたデータを転送する転送データ量を測定するデータ量測定部と、
記憶装置への転送処理に対するエラーによる訂正回数を測定する訂正回数測定部と、
転送データ量と訂正回数とを用いて、訂正率を演算する訂正率演算部と、
訂正率が閾値以上か否かを判定する判定部と、
判定の結果、訂正率が閾値以上の場合に記憶装置が異常であることを示す情報を出力する出力部と、
を備え、
前記閾値として、複数の記憶装置の訂正率のサンプルデータを用いて得られた前記複数の記憶装置の平均訂正率に標準偏差の3倍の値(3σ)を加算した値を用いることを特徴とする。
記憶装置と、
記憶装置を用いて、描画データのデータ処理を行うデータ処理部と、
データ処理された結果に基づいて、荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部と、
記憶装置へデータ処理されたデータを転送する転送速度を測定する転送速度測定部と、
転送速度が閾値以下か否かを判定する判定部と、
判定の結果、転送速度が閾値以下の場合に記憶装置が異常であることを示す情報を出力する出力部と、
を備え、
前記閾値として、複数の記憶装置の転送速度のサンプルデータを用いて得られた前記複数の記憶装置の平均転送速度から標準偏差の3倍の値(3σ)を差し引いた値を用いることを特徴とする。
記憶装置のデータ読み出し処理を行う工程と、
記憶装置のデータ読み出し処理における開始時刻と終了時刻とを用いて、記憶装置のデータ読み出し時間を演算する工程と、
データ読み出し時間が閾値以上か否かを判定する工程と、
判定の結果、データ読み出し時間が閾値以上の場合に記憶装置が異常であることを示す情報を出力する工程と、
判定の結果、データ読み出し時間が閾値以上の場合に記憶装置を別の記憶装置と交換した上で別の記憶装置を用いて、描画データのデータ処理を行う工程と、
データ処理された結果に基づいて、荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する工程と、
を備え、
前記閾値として、複数の記憶装置の読み出し時間のサンプルデータを用いて得られた前記複数の記憶装置の平均読み出し時間に標準偏差の3倍の値(3σ)を加算した値を用いることを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型(VSB型)の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、ブランキング偏向器(ブランカー)212、ブランキングアパーチャ214、第1の成形アパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2の成形アパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、少なくともXY方向に移動可能なXYステージ105が配置される。XYステージ105上には、レジストが塗布された描画対象となる試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造するための露光用のマスクやシリコンウェハ等が含まれる。マスクにはマスクブランクスが含まれる。
(1) m=Σ(Xi/n)
(2) σ=√{Σ(Xi−m)2/(n−1))
実施の形態2では、読み出し時間ではなく、書き込み速度でハードディスク装置の異常を検出する構成を説明する。描画装置100の構成は図1と同様である。また、以下、特に説明しない内容は実施の形態1と同様である。
(3) Vm=Σ(Vi/n)
(4) σ=√{Σ(Vi−Vm)2/(n−1))
実施の形態1,2では、描画動作を行なっていない状態(オフライン)で異常なハードディスク装置の検出を行う場合について説明したが、これに限るものではない。実施の形態3では、描画動作を行ないながら(オンライン)で異常なハードディスク装置の検出を行う場合を説明する。描画装置100の構成は、図1と同様である。また、以下、特に説明しない内容は実施の形態1と同様である。
(5) Mm=Σ(Mi/n)
(6) σ=√{Σ(Mi−Mm)2/(n−1))
(7) Vm’=Σ(Vi’/n)
(8) σ=√{Σ(Vi’−Vm’)2/(n−1))
11 設定部
12 読み出し処理部
14 読み出し時間演算部
16 判定部
18 出力部
20 書き込み処理部
22 書き込み速度演算部
24 判定部
26 データ量測定部
28 訂正率演算部
30 判定部
32 転送速度測定部
34 判定部
36 記録部
40 HD制御部
42 開始時刻測定部
44 終了時刻測定部
46 訂正回数測定部
100 描画装置
101 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110,120 制御計算機
112,118 メモリ
113 バス
114 I/F回路
116 モニタ
130 制御回路
140,142 ハードディスク装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 第1の成形アパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206 第2の成形アパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
212 ブランキング偏向器
214 ブランキングアパーチャ
330 電子線
340 試料
410 第1のアパーチャ
411 開口
420 第2のアパーチャ
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (5)
- 記憶装置と、
前記記憶装置のデータ読み出し処理を行う読み出し処理部と、
前記記憶装置のデータ読み出し処理における開始時刻と終了時刻とを用いて、前記記憶装置のデータ読み出し時間を演算する読み出し時間演算部と、
前記データ読み出し時間が閾値以上か否かを判定する判定部と、
判定の結果、前記データ読み出し時間が閾値以上の場合に前記記憶装置が異常であることを示す情報を出力する出力部と、
判定の結果、前記データ読み出し時間が閾値以上の場合に前記記憶装置を別の記憶装置と交換した上で前記別の記憶装置を用いて、描画データのデータ処理を行うデータ処理部と、
データ処理された結果に基づいて、荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部と、
を備え、
前記閾値として、複数の記憶装置の読み出し時間のサンプルデータを用いて得られた前記複数の記憶装置の平均読み出し時間に標準偏差の3倍の値(3σ)を加算した値を用いることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 記憶装置と、
テストデータを入力し、前記記憶装置に前記テストデータの書き込み処理を行う書き込み処理部と、
前記記憶装置への書き込み処理における書き込み速度を演算する書き込み速度演算部と、
前記書き込み速度が閾値以下か否かを判定する判定部と、
判定の結果、前記書き込み速度が閾値以下の場合に前記記憶装置が異常であることを示す情報を出力する出力部と、
判定の結果、前記書き込み速度が閾値以下の場合に前記記憶装置を別の記憶装置と交換した上で前記別の記憶装置を用いて、描画データのデータ処理を行うデータ処理部と、
データ処理された結果に基づいて、荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部と、
を備え、
前記閾値として、複数の記憶装置の書き込み速度のサンプルデータを用いて得られた前記複数の記憶装置の平均書き込み速度から標準偏差の3倍の値(3σ)を差し引いた値を用いることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 記憶装置と、
前記記憶装置を用いて、描画データのデータ処理を行うデータ処理部と、
データ処理された結果に基づいて、荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部と、
前記記憶装置へデータ処理されたデータを転送する転送データ量を測定するデータ量測定部と、
前記記憶装置への転送処理に対するエラーによる訂正回数を測定する訂正回数測定部と、
前記転送データ量と前記訂正回数とを用いて、訂正率を演算する訂正率演算部と、
前記訂正率が閾値以上か否かを判定する判定部と、
判定の結果、前記訂正率が閾値以上の場合に前記記憶装置が異常であることを示す情報を出力する出力部と、
を備え、
前記閾値として、複数の記憶装置の訂正率のサンプルデータを用いて得られた前記複数の記憶装置の平均訂正率に標準偏差の3倍の値(3σ)を加算した値を用いることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 記憶装置と、
前記記憶装置を用いて、描画データのデータ処理を行うデータ処理部と、
データ処理された結果に基づいて、荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部と、
前記記憶装置へデータ処理されたデータを転送する転送速度を測定する転送速度測定部と、
前記転送速度が閾値以下か否かを判定する判定部と、
判定の結果、前記転送速度が閾値以下の場合に前記記憶装置が異常であることを示す情報を出力する出力部と、
を備え、
前記閾値として、複数の記憶装置の転送速度のサンプルデータを用いて得られた前記複数の記憶装置の平均転送速度から標準偏差の3倍の値(3σ)を差し引いた値を用いることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 記憶装置のデータ読み出し処理を行う工程と、
前記記憶装置のデータ読み出し処理における開始時刻と終了時刻とを用いて、前記記憶装置のデータ読み出し時間を演算する工程と、
前記データ読み出し時間が閾値以上か否かを判定する工程と、
判定の結果、前記データ読み出し時間が閾値以上の場合に前記記憶装置が異常であることを示す情報を出力する工程と、
判定の結果、前記データ読み出し時間が閾値以上の場合に前記記憶装置を別の記憶装置と交換した上で前記別の記憶装置を用いて、描画データのデータ処理を行う工程と、
データ処理された結果に基づいて、荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する工程と、
を備え、
前記閾値として、複数の記憶装置の読み出し時間のサンプルデータを用いて得られた前記複数の記憶装置の平均読み出し時間に標準偏差の3倍の値(3σ)を加算した値を用いることを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
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