JP5649072B2 - 半導体ナノ粒子及びその製法 - Google Patents
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Description
1.半導体ナノ粒子の作製
金属イオンの全量が2.0×10-4molおよび各イオンのモル比がCu:Zn:Sn=2:1:1となるように、酢酸銅(II)、酢酸亜鉛(II)、酢酸スズ(IV)をはかり取り、これにオレイルアミン2.0cm3を加えた混合液を作製した。これとは別に、2.0×10-4molの硫黄粉末にオレイルアミン1.0cm3を加えた混合液を用意した。それぞれの混合溶液を、別々に60℃で暖めて均一に溶解させた。室温で2つの溶液を混合し、試験管内部を減圧後、窒素充填した。実験例1では反応温度120℃、実験例2では反応温度180℃、実験例3では反応温度240℃、実験例4では反応温度300℃とし、それぞれ30分加熱後、室温になるまで放置した。一方、実験例5、6では、反応温度240℃で60分、120分加熱後、室温になるまで放置した。各実験例で得られた生成物を遠心分離し、上澄み液と沈殿とを分離した。分離した上澄み液をろ過し、そのろ液にメタノールを加えて沈殿を発生させ、遠心分離を施して沈殿を回収し、その沈殿にクロロホルムを加えて沈殿を溶解させ、半導体ナノ粒子溶液とした。このときの半導体ナノ粒子溶液の模式図を図1に示す。また、実験例1〜6の製造条件を表1にまとめて示す。
(1)TEM観察
実験例1〜4で得られた半導体ナノ粒子について、透過型電子顕微鏡(TEM、(株)日立ハイテクノロジーズ、形式H−7650)を用いて観察を行った。TEMグリッドとして、市販のエラスティックカーボン支持膜付き銅グリッド(応研商事)を用いた。得られたTEM像並びにこのTEM像に基づいて算出した平均粒径Dav及び標準偏差σを図2に示す。図2の反応温度別のTEM像を比較すると、反応温度が120℃、180℃の方が、240℃、300℃に比べて、生成する粒子のサイズが大きくなる傾向が見られた。これは、反応温度が低温では結晶成長が進み、高温では結晶成長よりも核形成が優先されたためと思われる。
実験例1〜4で得られた半導体ナノ粒子について、XRDパターンを測定し、ZnS,Cu2ZnSnS4(CZTS)及びCuSのXRDパターンと比較した。その様子を図4に示す。図4のXRDパターンから明らかなように、反応温度が120℃のときの主生成物はCuSであり、反応温度を上げると、180℃ではCuSとCZTSの混合物となり、240℃以上ではCZTSのプロファイルと一致した。この結果から、CZTSナノ粒子を高収率で得るには、反応温度を240〜300℃の範囲で設定するのが好ましいといえる。CZTSは、図5に示すスタンナイト型の結晶構造をとる。ところで、CZTSとZnSのXRDパターンはほとんど同じであるが、実験例3のナノ粒子のラマンスペクトルを測定したところ、図6に示すように、CZTSに帰属されるシグナルは現れたものの、ZnSに帰属されるものは全く現れなかった。このことから、このナノ粒子のXRDパターンはCZTSであることを確認した。また、蛍光X線分析((株)リガク社製、エネルギー分散型蛍光X線分析装置 EDXL300)により、実施例3で得られたCZTSナノ粒子の組成を分析したところ、このナノ粒子は金属イオンとして、Cu,Zn,Snを含み、そのモル比はCu:Zn:Sn=0.38:0.48:0.19と求まった。CZTSの理論組成は、Cu:Zn:Sn=0.50:0.25:0.25であることから考えると、ナノ粒子の結晶構造は図5に示すスタンナイト型の結晶構造の原子配置とは若干のずれがあり、Cuの一部及び/又はSnの一部がZnに置換されていることが示唆された。
実験例1〜4で得られた半導体ナノ粒子について、吸収スペクトルを測定した。その結果を図7に示す。図7の吸収スペクトルより、反応温度を高温にするほど長波長側(800nm以上)のCuS由来の吸収が減少し、240℃以上ではそのCuS由来の吸収がほぼ消失しており、XRDパターンの結果と一致した。
FTO基板をアセトンとエタノールの混合溶液で超音波洗浄後、UV−オゾン処理を施した。洗浄したFTO基板上に実験例5の半導体ナノ粒子溶液を適量滴下して、減圧乾燥させることにより、FTO基板上に半導体薄膜を形成した。このFTO基板を作用極として、三極セルを用いて光電気化学特性評価を行った。以下に測定条件を示す。また、測定結果を図8に示す。
電解質溶液:0.2 mol・dm-3硝酸ユウロピウム水溶液
光源:キセノンランプ光/熱線カットフィルター(IRA−25S)
対極:白金線、
参照電極:Ag/AgCl(飽和KCl)
実験例7では、実験例5において、Sn源として酢酸スズ(IV)の代わりに酢酸スズ(II)を用いたところ、実験例5と同様の半導体ナノ粒子が得られた。具体的には、半導体ナノ粒子の粒径が6.7±1.3nm、XRDによる結晶構造がCZTS、吸収スペクトルの形状が図9(a)に示すように800nm以上の長波長側にピークを有さない形状であった。なお、実験例7で、溶媒としてオレイルアミン3mlの代わりにオクタデセン3mlとヘキサデシルアミン1gを用いたところ、実験例7と同様の半導体ナノ粒子が得られた。具体的には、半導体ナノ粒子の粒径が7.3±1.8nm、吸収スペクトルの形状が図9(b)に示すように800nm以上の長波長側にピークを有さない形状であった。
実験例8では、実験例2において、Cu源としてCu(S2CNEt2)2、Zn源としてZn(S2CNEt2)2、Sn源としてSn(S2CNEt2)4の前駆体粉末を、各元素のモル比がCu:Zn:Sn=2:1:1となるようにはかり取り、さらなるS源を添加せずに反応させたところ、実験例3と同様の半導体ナノ粒子が得られた。具体的には、半導体ナノ粒子の粒径が12.3±3.5nm、XRDによる結晶構造がCZTS、吸収スペクトルの形状が図9(c)に示すように800nm以上の長波長側にピークを有さない形状であった。
実験例9では、実験例3において、Cu源として塩化銅(II)、Zn源として塩化亜鉛、Sn源として塩化スズ(IV)・5水和物、S源として硫黄粉末を用い、各元素のモル比がCu:Zn:Sn:S=2:1:1:4となるようにはかり取り反応させたところ、実験例3と同様の半導体ナノ粒子が得られた。具体的には、半導体ナノ粒子の粒径が6.9±1.8nm、吸収スペクトルの形状が図9(d)に示すように800nm以上の長波長側にピークを有さない形状であった。
実験例10では、実験例3においてS源を硫黄粉末からチオアセトアミドに代えたところ、実験例3と同様の半導体ナノ粒子が得られた。具体的には、半導体ナノ粒子の粒径が6.0±1.2nm、吸収スペクトルの形状が図9(e)に示すように800nm以上の長波長側にピークを有さない形状であった。
実験例11では、実験例3においてS源を硫黄粉末からチオ尿素に代えたところ、実験例3と同様の半導体ナノ粒子が得られた。具体的には、半導体ナノ粒子の粒径が5.7±1.1nm、吸収スペクトルの形状が図9(f)に示すように800nm以上の長波長側にピークを有さない形状であった。
実験例12では、実験例5において、金属銅粉末、金属亜鉛粉末、金属スズ粉末、硫黄粉末を用い、各元素のモル比がCu:Zn:Sn:S=2:1:1:4となるようにはかり取り、反応させたところ、実験例5と同様の半導体ナノ粒子が得られた。具体的には、半導体ナノ粒子の粒径が13.6±3.4nm、吸収スペクトルの形状が図9(g)に示すように800nm以上の長波長側にピークを有さない形状であった。また、得られた粒子のXRDパターンは、2θで29°、47°および56°に回折ピークが観察され、スタンナイト型CZTSの結晶構造から期待される回折ピークと良く一致したことから、得られた粒子はスタンナイト型CZTSであることが示された。
なお、実験例3においてCu源を酢酸銅(II)から酢酸銅(I)に代えたり、溶媒にドデカンチオールを添加して反応時間を60分にしたりしても、実験例3と同様の半導体ナノ粒子が得られた。また、各実験例につき、加熱した混合液を室温になるまで放置したあと生成した沈殿についても、クロロホルムを加えて半導体ナノ粒子溶液を得ることができた。
1.CZTSSe(Cu2ZnSnS4xSe4(1-x):xは固溶体比)ナノ粒子の作製
酢酸銅(II)を0.1mmol、酢酸亜鉛(II)を0.05mmol、酢酸スズ(IV)を0.05mmolはかり取り、これにオレイルアミン2.0cm3 を加え、60℃に温めて溶解させた(第1溶液)。一方、表2に示すように、固溶体比xの値に応じてS原子およびSe原子の総和が2.0×10-4 molとなるように硫黄粉末とセレノウレアをはかり取り、これにオレイルアミン1.0cm3を加えた(第2溶液)。そして、第1溶液と第2溶液とを混合し、試験管内部を窒素充填した。反応温度240℃で60分加熱することにより反応させた後、室温になるまで放置した。得られた生成物を遠心分離し、上澄みと沈澱を分離した。生成物の上澄み液をろ過し、メタノールを加えてナノ粒子を沈殿させた。遠心分離で上澄み液を捨て沈澱にクロロホルムを加えて沈殿を溶解させ、CZTSSeナノ粒子溶液とした。
上記1.で調製したCZTSSeナノ粒子のTEM像と粒径分布をそれぞれ図10、図11に示す。粒子の組成xが1から0になるにつれて、粒子サイズが大きくなる傾向が見られた。これはセレノウレアの熱分解が比較的遅く、セレンをゆっくりと供給するために、セレノウレアの比率の多いほど大きな粒子が成長しやすいと考えられる。
1.AZTS(Ag2ZnSnS4)ナノ粒子の作製
(1)Ag(S2CNEt2)、Zn(S2CNEt2)2、Sn(S2CNEt2)4錯体の作製
0.050 mol・dm-3のN,N−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム(NaS2CNEt2)水溶液(50cm3)に、0.050mol・dm-3硝酸銀水溶液、0.025mol・dm-3硝酸亜鉛水溶液又は0.0125mol・dm-3塩化スズ水溶液(50cm3)を、常温で攪拌しながら加えたのち、30分間攪拌し、沈殿を作製した。この沈澱を遠心分離(4000rpm,5min)により単離し、水による洗浄を4回、メタノールによる洗浄を2回行い、一晩減圧乾燥させることによって、Ag(S2CNEt2)錯体、Zn(S2CNEt2)2錯体又はSn(S2CNEt2)4錯体の粉末を得た。
Ag原子の量が0.10mmol、Zn原子の量が0.050mmol、Sn原子の量が0.050mmolとなるように、上記(1)で作製した各錯体をはかり取り、オレイルアミン3.0cm3を加え、窒素ガス雰囲気下で撹拌しながら、300℃で30分間加熱した。得られた沈殿を遠心分離により分離した。この沈殿にクロロホルム1.0cm3を加えて溶解させた後、溶解しなかった残渣を遠心分離により除去した。得られたクロロホルム溶液にメタノールを3.0cm3を加えて沈殿させ、目的とする粒子を得た。また、吸収スペクトルは、この粒子を、再度、クロロホルム1.0cm3に溶解させて測定した。
上記1.(2)で得た粒子のXRDパターンを図14に示す。比較のために、AZTS、Ag8SnS6及び立方晶ZnSの回折パターンも示してある。図14から明らかなように、この粒子の回折パターンは、AZTSの回折パターンとよく一致していた。図15に、この粒子のTEM像を示す。図15から明らかなように、サイズが10〜30nmの球状粒子が生成していることが分かった。以上のことから、反応温度300℃で加熱することで、AZTSナノ粒子が生成することが明らかとなった。
Claims (5)
- Cu又はAgの単体又はその化合物、Znの単体又はその化合物、Snの単体又はその化合物及びS又はSeの単体又はその化合物を、炭素数4〜20の炭化水素基を有する含窒素化合物に入れた混合液を用意し、該混合液を240〜300℃で加熱することにより半導体ナノ粒子を得る、半導体ナノ粒子の製法。
- 前記加熱後の混合液を冷却したあと生成物を分離し、該分離した生成物を有機溶媒に入れて半導体ナノ粒子溶液とする、
請求項1に記載の半導体ナノ粒子の製法。 - 前記加熱後の混合液を冷却したあと生成物を分離し、該分離した上澄み液にナノ粒子が不溶又は難溶な溶媒を添加して沈殿を発生させ、該沈殿を集めて有機溶媒に入れて半導体ナノ粒子溶液とする、
請求項1に記載の半導体ナノ粒子の製法。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体ナノ粒子の製法により製造された半導体ナノ粒子。
- 周期表第11族元素としてCu又はAg、周期表第12族元素としてZn、周期表第14族元素としてSn及び周期表第16族元素としてS又はSeで構成され、
スタンナイト型、ケステライト型、ウルツ−スタンナイト型、閃亜鉛鉱型若しくはウルツ鉱型の結晶構造を持つか、又は、スタンナイト型、ケステライト型、ウルツ−スタンナイト型、閃亜鉛鉱型若しくはウルツ鉱型の結晶構造のうち前記周期表第11族元素及び前記周期表第14族元素の一部が前記周期表第12族元素に置換されたる結晶構造を持つ、
半導体ナノ粒子。
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JP5278778B2 (ja) * | 2011-01-18 | 2013-09-04 | 株式会社豊田中央研究所 | カルコゲナイト系化合物半導体及びその製造方法 |
US20140220728A1 (en) * | 2011-02-18 | 2014-08-07 | Hugh Hillhouse | Methods of forming semiconductor films including i2-ii-iv-vi4 and i2-(ii,iv)-iv-vi4 semiconductor films and electronic devices including the semiconductor films |
JP5788832B2 (ja) * | 2011-06-06 | 2015-10-07 | トヨタ自動車株式会社 | ソルボサーマル法を用いるCu,Zn,Sn及びSを含有する硫化物系化合物半導体ナノ粒子の製造方法 |
JP5967837B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2016-08-10 | 凸版印刷株式会社 | 化合物半導体薄膜形成用インクの製造方法 |
JP5776993B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2015-09-09 | 株式会社村田製作所 | 化合物半導体超微粒子の製造方法 |
JP5765632B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2015-08-19 | 株式会社村田製作所 | 化合物半導体超微粒子の製造方法 |
JP2013136481A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Toyota Motor Corp | Czts系化合物半導体及び光電変換素子 |
US20150136216A1 (en) * | 2012-02-28 | 2015-05-21 | Tdk Corporation | Compound semiconductor solar cell |
WO2013129466A1 (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-06 | 京セラ株式会社 | 錯体化合物、半導体層形成用原料、半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法 |
KR101386617B1 (ko) * | 2012-04-06 | 2014-04-17 | 광주과학기술원 | 자기조립된 유무기 나노복합체를 광활성층에 구비하는 유기태양전지 및 그 제조방법 |
WO2013172949A1 (en) * | 2012-05-14 | 2013-11-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dispersible metal chalcogenide nanoparticles |
JP6132387B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2017-05-24 | 国立大学法人名古屋大学 | 半導体ナノ粒子、半導体ナノ粒子担持電極及び半導体ナノ粒子の製法 |
CN103086330A (zh) * | 2013-01-31 | 2013-05-08 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种铜镉锡硒半导体纳米晶体的制备方法 |
CN105102375A (zh) | 2013-03-15 | 2015-11-25 | 纳米技术有限公司 | Cu2XSnY4纳米粒子 |
EP2994418B1 (en) * | 2013-03-15 | 2021-02-17 | Nanoco Technologies Ltd | Cu2znsns4 nanoparticles |
CN104591266B (zh) * | 2014-12-31 | 2016-08-24 | 柳州百韧特先进材料有限公司 | 延长硫酸亚锡产品保质期的方法 |
JP6293710B2 (ja) * | 2015-07-22 | 2018-03-14 | 国立大学法人名古屋大学 | 半導体ナノ粒子およびその製造方法 |
US10032949B2 (en) * | 2015-11-09 | 2018-07-24 | International Business Machines Corporation | Photovoltaic device based on Ag2ZnSn(S,Se)4 absorber |
US10217888B2 (en) | 2016-10-06 | 2019-02-26 | International Business Machines Corporation | Solution-phase inclusion of silver into chalcogenide semiconductor inks |
CN107827089B (zh) * | 2017-12-15 | 2020-10-30 | 清远先导材料有限公司 | 一种碲化亚铜化合物废料中二氧化碲的分离回收方法 |
CN114105187A (zh) * | 2021-11-17 | 2022-03-01 | 山东朋福新材料科技有限公司 | 一种面心立方晶系β-ZnS纳米材料的制备方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002020740A (ja) * | 2000-05-01 | 2002-01-23 | Mitsubishi Chemicals Corp | 超分岐構造配位子を有する半導体結晶超微粒子 |
JP2004510678A (ja) * | 2000-10-04 | 2004-04-08 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニバーシティ オブ アーカンソー | コロイドナノ結晶の合成 |
JP2005325016A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 硫黄前駆体としてチオール化合物を用いた硫化金属ナノ結晶の製造方法 |
WO2007026746A1 (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-08 | National University Corporation Nagoya University | 半導体ナノ粒子及びその製造方法 |
WO2007075886A2 (en) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | The Research Foundation Of State University Of New York | Non-spherical semiconductor nanocrystals and methods of making them |
JP2008057041A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Samsung Electro Mech Co Ltd | キュービック形態の銅ナノ粒子の製造方法 |
WO2009006910A2 (en) * | 2007-07-09 | 2009-01-15 | Tallinn University Of Technology | Photovoltaic cell based on zinc oxide nanorods and method for making the same |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7663057B2 (en) * | 2004-02-19 | 2010-02-16 | Nanosolar, Inc. | Solution-based fabrication of photovoltaic cell |
JP5188070B2 (ja) | 2007-02-07 | 2013-04-24 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | カルコパイライトナノ粒子の製造方法及び光電変換素子 |
JP5106160B2 (ja) * | 2007-06-11 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 発光素子、及び発光素子の製造方法 |
US20110056564A1 (en) * | 2008-05-09 | 2011-03-10 | Korgel Brian A | Nanoparticles and methods of making and using |
-
2010
- 2010-02-25 JP JP2011501629A patent/JP5649072B2/ja active Active
- 2010-02-25 US US13/203,562 patent/US9028723B2/en not_active Expired - Fee Related
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002020740A (ja) * | 2000-05-01 | 2002-01-23 | Mitsubishi Chemicals Corp | 超分岐構造配位子を有する半導体結晶超微粒子 |
JP2004510678A (ja) * | 2000-10-04 | 2004-04-08 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニバーシティ オブ アーカンソー | コロイドナノ結晶の合成 |
JP2005325016A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 硫黄前駆体としてチオール化合物を用いた硫化金属ナノ結晶の製造方法 |
WO2007026746A1 (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-08 | National University Corporation Nagoya University | 半導体ナノ粒子及びその製造方法 |
WO2007075886A2 (en) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | The Research Foundation Of State University Of New York | Non-spherical semiconductor nanocrystals and methods of making them |
JP2008057041A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Samsung Electro Mech Co Ltd | キュービック形態の銅ナノ粒子の製造方法 |
WO2009006910A2 (en) * | 2007-07-09 | 2009-01-15 | Tallinn University Of Technology | Photovoltaic cell based on zinc oxide nanorods and method for making the same |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
JPN6014028442; T. TODOROV et al.: 'Cu2ZnSnS4 films deposited by a soft-chemistry method' Thin Solid Films Vol.517, No.7, 20090202, p.2541-2544 * |
JPN6014028443; I. D. OLEKSEYUK et al.: 'Single crystal preparation and crystal structure of the Cu2Zn/Cd,Hg/SnSe4 compounds' Journal of Alloys and Compounds Vol.340, No.1-2, 20020626, p.141-145 * |
JPN6014028444; Electrical, Magnetic, and EPR Studies of the Quaternary Chalcogenides Cu2AIIBIVX4 Prepared by Iodine: 'L. GUEN et al.' Journal of Solid State Chemistry Vol.35, No.1, 19801101, p.10-21 * |
JPN6014028447; E. MELLIKOV et al.: 'Monograin materials for solar cells' Solar Energy Materials and Solar Cells Vol.93, No.1, 200901, p.65-68 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US9028723B2 (en) | 2015-05-12 |
WO2010098369A1 (ja) | 2010-09-02 |
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