JP5647416B2 - 発熱素子温度推定装置 - Google Patents

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Description

この発明は発熱素子温度推定装置に関し、より詳しくは電子基板に搭載されたMOS−EFTなどの発熱性を有するパワー半導体素子の温度を推定する装置に関する。
従来、発熱素子の寿命を推定する技術として、下記特許文献1に示されるように、温度検出手段を発熱素子とその近傍にそれぞれ設け、それらによって検出される温度の偏差に基づいて発熱素子の寿命を推定することが知られている。
特開2006−114575号公報
ところで、発熱素子の寿命は発熱素子の温度に依存するため、寿命の推定には発熱素子自体の温度を検知することが重要である。しかしながら、発熱素子に温度検出手段を直接設けるのは配線の関係上難しく、発熱素子の実際の温度を検出することは困難であった。そこで、上記特許文献1記載の技術から推測されるように、2つの温度検出手段を発熱素子から異なる距離をおいて配置し、それら温度検出手段から検出される温度勾配に基づいて発熱素子の温度を推定することが考えられる。
しかしながら、一般的に発熱素子は自身を冷却するための冷却装置を備えており、冷却装置は発熱素子の動作状態に応じてオン・オフ駆動される。そのため、発熱素子の温度推定は冷却装置の駆動状況の影響を強く受け、冷却装置の駆動状況によっては発熱素子の温度を精度良く推定することができない場合があった。
従って、この発明の目的は上記した課題を解決し、発熱素子の冷却装置の駆動状況が変化した場合でも発熱素子の温度推定を精度良く行うことができるようにした発熱素子温度推定装置を提供することにある。
上記の目的を達成するために、請求項1にあっては、電子基板に搭載された発熱素子の近傍において前記電子基板表面に設けられた第1の温度検出手段と、前記第1の温度検出手段よりも前記発熱素子から離間した位置において前記電子基板表面に設けられた第2の温度検出手段と、前記第1、第2の温度検出手段によって検出された温度に基づいて前記発熱素子の温度を推定する発熱素子温度推定手段と、前記発熱素子に冷却風を送る送風機からなる冷却手段と、前記冷却手段が駆動されているか否か判断する冷却手段駆動判断手段とを備え、前記第1、第2の温度検出手段は、前記第1、第2の温度検出手段を結ぶ直線と前記冷却風の流れとが前記電子基板表面上で概ね直交するように配置されると共に、前記発熱素子温度推定手段は、前記冷却手段が駆動されていないと判断されるとき、第1の所定の式を用いて前記発熱素子の温度を推定する一方、前記冷却手段が駆動されていると判断されるとき、前記第1の所定の式と異なる第2の所定の式を用いて前記発熱素子の温度を推定する如く構成した。
また、請求項2に係る発熱素子温度推定装置にあっては、前記冷却手段駆動判断手段は前記冷却風の流れにおいて前記発熱素子よりも上流側に設けられた第3の温度検出手段と、前記冷却風の流れにおいて前記発熱素子の下流側に設けられた第4の温度検出手段を備えると共に、前記第3、第4の温度検出手段によって検出された温度に基づいて前記冷却手段が駆動されているか否か判断する如く構成した。
請求項1にあっては、電子基板に搭載された発熱素子の近傍において電子基板表面に設けられた第1の温度検出手段と第1の温度検出手段よりも発熱素子から離間した位置において電子基板表面に設けられた第2の温度検出手段によって検出された温度に基づいて発熱素子の温度を推定すると共に、発熱素子に冷却風を送る送風機からなる冷却手段が駆動されているか否か判断し、第1、第2の温度検出手段を結ぶ直線と冷却風の流れとが電子基板表面上で概ね直交するように配置され、冷却手段が駆動されていないと判断されるとき、第1の所定の式を用いて発熱素子の温度を推定する一方、冷却手段が駆動されていると判断されるとき、第1の所定の式と異なる第2の所定の式を用いて発熱素子の温度を推定する如く構成、即ち、発熱素子を冷却する冷却装置の冷却風の流れと電子基板表面上で概ね直交する直線上に発熱素子から異なる距離をおいて設置された2つの温度検出手段から検出される温度勾配に基づいて発熱素子の温度を推定するに際し、冷却装置が駆動している場合と駆動していない場合に応じて温度推定式を選択する如く構成したので、発熱素子の冷却装置の駆動状況がオンからオフあるいはオフからオンへと変化した場合でも発熱素子の温度推定を精度良く行うことができる。
請求項2に係る発熱素子温度推定装置にあっては、冷却風の流れにおいて発熱素子よりも上流側に設けられた第3の温度検出手段と冷却風の流れにおいて発熱素子よりも下流側に設けられた第4の温度検出手段によって検出された温度に基づいて冷却手段が駆動されているか否か判断する如く構成したので、簡易な構成でありながら冷却手段が駆動されているか否かを適切に判断することができる。
この発明の実施例に係る発熱素子温度推定装置を全体的に示す斜視図である。 図1に示す発熱素子温度推定装置の構成を示すブロック図である。 図1に示す発熱素子温度推定装置の動作を示すフロー・チャートである。 図1に示す発熱素子温度推定装置の温度推定について説明するグラフである。
以下、添付図面に即してこの発明に係る発熱素子温度推定装置を実施するための形態について説明する。
図1は、この発明の実施例に係る発熱素子温度推定装置を全体的に示す斜視図である。
図1において、符号10は発熱素子温度推定装置を示す。発熱素子温度推定装置10は、電子基板12に搭載される発熱素子14と、発熱素子14の近傍に設けられる第1の温度検出手段Aと、第1の温度検出手段Aよりも発熱素子14から離間した位置に設けられる第2の温度検出手段Bと、第1、第2の温度検出手段A,Bによって検出された温度を取得して発熱素子14の温度を算出(推定)する演算機(CPU)16からなる。
電子基板12は樹脂材からなり、基板上には回路パターン(図示省略)が描かれる。発熱素子14とは、例えばIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)やMOS−FET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)などのスイッチング素子のことであり、スイッチング動作中に多量の熱を生じるいわゆるパワー半導体素子である。
第1、第2の温度検出手段A,Bは、温度変化に対して電気抵抗変化率の大きい抵抗素子を備えるサーミスタからなり、電子基板12に搭載され、搭載位置近傍の温度を検出する。
また、発熱素子温度推定装置10は発熱素子14に取り付けられるヒートシンク18と、ヒートシンク18を介して発熱素子14を冷却する送風機20と、送風機20とヒートシンク18の間に設けられる第3の温度検出手段Cと、発熱素子14あるいはヒートシンク18に対して第3の温度検出手段Cとは反対の位置に設けられる第4の温度検出手段Dを備える。第3の温度検出手段Cは、即ち、送風機20による冷却風22の流れにおいて発熱素子14あるいはヒートシンク18よりも上流側に設けられると共に、第4の温度検出手段Dは発熱素子14あるいはヒートシンク18よりも下流側に設けられる。
第3、第4の温度検出手段CDもサーミスタからなり、電子基板12に搭載され、搭載位置近傍の温度を検出する。
尚、図示の如く、第1から第4の温度検出手段A,B,C,Dは、第1、第2の温度検出手段A,Bを結ぶ直線と第3、第4の温度検出手段C、Dを結ぶ直線が概ね直交するように配置される。
図2は、発熱素子温度推定装置10の構成を示すブロック図である。
第1の温度検出手段Aによって検出された温度TAと第2の温度検出手段Bによって検出された温度TBと第3の温度検出手段Cによって検出された温度TCと第4の温度検出手段Dによって検出された温度TDはそれぞれ演算機16に入力される。演算機16は入力された温度TA,TB,TC,TDに基づいて発熱素子14の温度TPを算出(推定)する。算出(推定)された温度TPは発熱素子14の劣化判断に用いられる。
図3は、発熱素子温度推定装置10の動作を示すフロー・チャートである。図示のプログラムは装置が起動されると演算機16において所定時間(例えば100msec)ごとに実行される。
以下説明すると、まずS10において第1から第4の温度検出手段A,B,C,Dによって検出された温度TA,TB,TC,TDを読み込む。
次いでS12に進み、第3の温度検出手段Cによって検出された温度TCが第4の温度検出手段Dによって検出された温度TDから所定温度(例えば5℃)減算した値より低いか否か判断する。
S12で否定される場合は、発熱素子14よりも下流側の温度(TD)と上流側の温度(TC)が概ね同一の場合であり、送風機20が駆動されていない(ファン冷却なし)と判断される。逆に、S12で肯定される場合は、下流側の温度(TD)が上流側の温度(TC)に対してある程度高い場合であり、この場合、送風機20が駆動されている(ファン冷却あり)と判断される。冷却風22が発熱素子14あるいはヒートシンク18によって温められ、下流側の温度(TD)を上昇させるからである。
S12で否定される場合は、S14に進んで下記の式1を用いて発熱素子の温度TPを算出(推定)する。
Figure 0005647416
S12で肯定される場合は、S16に進んで下記の式2を用いて発熱素子の温度TPを算出(推定)する。
Figure 0005647416
式1および式2においてLAは発熱素子14と第1の温度検出手段Aの距離を示し、LBは発熱素子14と第2の温度検出手段Bの距離を示す(図1参照)。また、αは0<α<1の範囲の値をとる係数である。
図4は、式1および式2による温度推定について説明するグラフである。
横軸は発熱素子14と第1の温度検出手段Aと第2の温度検出手段Bの位置を示し、縦軸はそれら位置における温度を示す。図4中の実線から理解されるように、式1は第1の温度検出手段Aによって検出された温度TAと第2の温度検出手段Bによって検出された温度TBの温度勾配から発熱素子14の温度を算出(推定)するものである。
また、図4中の破線から理解されるように、式2は第1の温度検出手段Aによって検出された温度TAと第2の温度検出手段Bによって検出された温度TBの温度勾配に係数αを乗算したものから発熱素子14の温度を算出(推定)するものである。このように、ファン冷却がある場合、温度勾配に係数αを乗算して発熱素子14の温度を算出(推定)するのは、図4に示す如く、発熱素子14と第1の温度検出手段Aの間の温度勾配が第1の温度検出手段Aと第2の温度検出手段Bの間の温度勾配に比して減少するからである。
尚、係数αは第4の温度検出手段Dによって検出される温度TDと第3の温度検出手段Cによって検出される温度TCの差に比例する値である。即ち、係数αは送風機20による発熱素子14の冷却の程度を示す係数である。よって、式2の如く、ファン冷却がある場合、発熱素子14の温度推定は第1から第4の温度検出手段A,B,C,Dによって検出される温度TA,TB,TC,TDに基づいて行われると言える。
上記した如く、この実施例にあっては、電子基板(12)に搭載された発熱素子(14)の近傍において前記電子基板(12)の表面に設けられた第1の温度検出手段(A)と、前記第1の温度検出手段よりも前記発熱素子から離間した位置において前記電子基板(12)の表面に設けられた第2の温度検出手段(B)と、前記第1、第2の温度検出手段によって検出された温度(TA,TB)に基づいて前記発熱素子の温度(TP)を推定する発熱素子温度推定手段(演算機16,S14)と、前記発熱素子に冷却風(22)を送る送風機(20)からなる冷却手段(送風機20)と、前記冷却手段が駆動されているか否か判断する冷却手段駆動判断手段(演算機16,S12)とを備え、前記第1、第2の温度検出手段は、前記第1、第2の温度検出手段を結ぶ直線と前記冷却風の流れとが前記電子基板(12)の表面上で概ね直交するように配置されると共に、前記発熱素子温度推定手段は、前記冷却手段が駆動されていないと判断されるとき、第1の所定の式(式1)を用いて前記発熱素子の温度(TP)を推定する一方、前記冷却手段が駆動されていると判断されるとき、前記所定の式と異なる第2の所定の式(式2)を用いて前記発熱素子の温度(TP)を推定する如く構成した。
即ち、発熱素子から異なる距離をおいて設置された2つの温度検出手段から検出される温度勾配に基づいて発熱素子の温度を推定するに際し、発熱素子を冷却する冷却装置が駆動している場合と駆動していない場合に応じて温度推定式を選択する如く構成したので、発熱素子の冷却装置の駆動状況がオンからオフあるいはオフからオンへと変化した場合でも発熱素子の温度推定を精度良く行うことができる。
また、前記冷却手段駆動判断手段は前記冷却風の流れにおいて前記発熱素子よりも上流側に設けられた第3の温度検出手段(C)と、前記冷却風の流れにおいて前記発熱素子の下流側に設けられた第4の温度検出手段(D)を備えると共に、前記第3、第4の温度検出手段によって検出された温度(TC,TD)に基づいて前記冷却手段が駆動されているか否か判断する(S12)如く構成した。
それにより、簡易な構成でありながら冷却手段が駆動されているか否かを適切に判断することができる。
尚、上記において送風機20を用いて発熱素子14をヒートシンク18を介して冷却するようにしたが、ヒートシンク18は必須の構成ではないため、除去しても良い。
また、発熱素子としてIGBTやMOS−FETを挙げたが一例であって他の半導体素子を想定しても良い。
10:発熱素子温度推定装置、12:電子基板、14:発熱素子、16:演算機、18:ヒートシンク、20:送風機、22:冷却風、A,B,C,D:温度検出手段

Claims (2)

  1. 電子基板に搭載された発熱素子の近傍において前記電子基板表面に設けられた第1の温度検出手段と、前記第1の温度検出手段よりも前記発熱素子から離間した位置において前記電子基板表面に設けられた第2の温度検出手段と、前記第1、第2の温度検出手段によって検出された温度に基づいて前記発熱素子の温度を推定する発熱素子温度推定手段と、前記発熱素子に冷却風を送る送風機からなる冷却手段と、前記冷却手段が駆動されているか否か判断する冷却手段駆動判断手段とを備え、前記第1、第2の温度検出手段は、前記第1、第2の温度検出手段を結ぶ直線と前記冷却風の流れとが前記電子基板表面上で概ね直交するように配置されると共に、前記発熱素子温度推定手段は、前記冷却手段が駆動されていないと判断されるとき、第1の所定の式を用いて前記発熱素子の温度を推定する一方、前記冷却手段が駆動されていると判断されるとき、前記第1の所定の式と異なる第2の所定の式を用いて前記発熱素子の温度を推定することを特徴とする発熱素子温度推定装置。
  2. 前記冷却手段駆動判断手段は前記冷却風の流れにおいて前記発熱素子よりも上流側に設けられた第3の温度検出手段と、前記冷却風の流れにおいて前記発熱素子の下流側に設けられた第4の温度検出手段を備えると共に、前記第3、第4の温度検出手段によって検出された温度に基づいて前記冷却手段が駆動されているか否か判断することを特徴とする請求項1記載の発熱素子温度推定装置。
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