JP5644769B2 - サーフェイス通信装置 - Google Patents
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Description
本発明は、電力を負荷に供給する技術に関し、特に給電側からシートに電力を供給し、若しくはシートから負荷などの受電側へと電力を供給するサーフェイス通信装置に関する。
電磁波を用いた通信により電力を負荷に供給する方法として、給電装置と、受信装置とを、それぞれシート状の通信媒体に非導通で配置し、給電装置から無線給電される電力を、シート状の通信媒体を介して受信装置側で無線受信する方法が存在する。さらにはその方法の変形例として、給電装置から通信媒体への給電を接触給電で行い、通信媒体から受信装置への受信を無線で行う方法もある。さらにその変形として、給電装置から通信媒体への給電は無線給電で行い、通信媒体から受信装置への給電は接触給電で行う方法も、将来的な応用範囲として想定するのは容易である。以上、このような通信方法を、変形例も含めて、以下ではサーフェイス通信と適宜称する。サーフェイス通信は、２次元シート上の任意の２点間で通信したり、送信若しくは受信のどちらか一方をシート上の任意の点ですることができる方法である。
このような方法において、例えば特許文献１には、給電装置から受信装置に電力を供給するための電磁波が、シート状媒体において、対向する導体に挟まれる峡間領域内を伝播される構成が開示されている。
また、非特許文献１には、シート状の通信媒体上の電力通信の原理が開示されている。
篠田裕之、「素材表面に形成する高速センサネットワーク」、計測と制御、２００７年２月号、第４６巻、第２号、ｐ．９８−１０３
しかしながら、現状のサーフェイス通信には、以下に示すような問題が存在する。
一般に、給電装置と受信装置との間の電力輸送効率、すなわち通信性能は、給電装置とシート状の通信媒体との間、シート状の通信媒体と受信装置との間の電力輸送効率に依存する。理想的には、給電装置の場合であれば、給電装置から供給される電力のすべてをシート状の通信媒体に送ることが可能であれば良い。しかしながら、実際には、給電装置とシート状の通信媒体との隙間から、電磁波の一部が外部に漏れ出す。受信装置の場合であれば、受信装置で受信される電力のすべてをシート上の通信媒体から受信できることが可能であれば良い。しかしながら、実際には、受信装置とシート上の通信媒体との隙間から、電磁波の一部が外部に漏れだす。
外部に漏れだした電磁波、すなわち漏洩電磁波は放射電力として失われるため、通信性能は低下する。さらに、漏洩電磁波は周囲の電波環境に影響を及ぼすため、可能な限り抑制することが望ましい。
そこで、本発明の目的は、給電部とシート、若しくは、受信部とシートとの隙間から装置の外部に漏れ出す電磁波を抑制し、通信性能を向上させることのできるサーフェイス通信装置を提供することである。
一般に、給電装置と受信装置との間の電力輸送効率、すなわち通信性能は、給電装置とシート状の通信媒体との間、シート状の通信媒体と受信装置との間の電力輸送効率に依存する。理想的には、給電装置の場合であれば、給電装置から供給される電力のすべてをシート状の通信媒体に送ることが可能であれば良い。しかしながら、実際には、給電装置とシート状の通信媒体との隙間から、電磁波の一部が外部に漏れ出す。受信装置の場合であれば、受信装置で受信される電力のすべてをシート上の通信媒体から受信できることが可能であれば良い。しかしながら、実際には、受信装置とシート上の通信媒体との隙間から、電磁波の一部が外部に漏れだす。
外部に漏れだした電磁波、すなわち漏洩電磁波は放射電力として失われるため、通信性能は低下する。さらに、漏洩電磁波は周囲の電波環境に影響を及ぼすため、可能な限り抑制することが望ましい。
そこで、本発明の目的は、給電部とシート、若しくは、受信部とシートとの隙間から装置の外部に漏れ出す電磁波を抑制し、通信性能を向上させることのできるサーフェイス通信装置を提供することである。
本発明の第１の実施態様に係るサーフェイス通信装置は、電磁波を伝搬するシート形状を有する電磁波伝搬部と、前記電磁波伝搬部上に、前記電磁波伝搬部とは非導通状態で配置され、前記電磁波伝搬部に電磁波を供給する給電装置部、および、前記電磁波伝搬部上に、前記電磁波伝搬部とは非導通状態で配置され、前記電磁波伝搬部を介して伝搬される前記電磁波を受信する受信装置部の少なくとも一方とを備える。前記給電装置部および前記受信装置部の少なくとも一方は、前記電磁波伝搬部に対する電磁波の送信または前記電磁波伝搬部からの前記電磁波の受信を行う電磁波結合部と、前記電磁波結合部を取り囲むように、前記電磁波伝搬部の表面に沿って配列される複数の導体の単位構造を有し、前記電磁波結合部と前記電磁波伝搬部との間からの電磁波の漏洩を抑制する電磁波抑制部とを備える。
また、本発明の第２の実施態様に係るサーフェイス通信装置は、電磁波を伝搬するシート形状を有する電磁波伝搬部と、前記電磁波伝搬部に電磁波を供給する給電装置部と、前記電磁波伝搬部を介して伝搬される前記電磁波を受信する受信装置部とを備える。前記給電装置部および前記受信装置部の少なくとも一方が、前記電磁波伝搬部上に、前記電磁波伝搬部とは非導通状態で配置される。前記給電装置部および前記受信装置部の少なくとも一方は、前記電磁波伝搬部に対する電磁波の送信または前記電磁波伝搬部からの前記電磁波の受信を行う電磁波結合部と、前記電磁波結合部を取り囲むように、前記電磁波伝搬部の表面に沿って配列される複数の導体の単位構造を有し、前記電磁波結合部と前記電磁波伝搬部との間からの電磁波の漏洩を抑制する電磁波抑制部とを備える。
上述において、導体の単位構造とは、少なくとも一つ以上の導体要素から構成される構造体である。上述の導体の単位構造を電磁波伝播部の表面に沿って複数配列する場合、単位構造の物理形状は同一である導体構造を用いるのが望ましいが、必ずしも同一でなくても良い。さらに、上述において、電磁波伝播部の表面に沿った複数の単位構造のピッチは、一定にするのが望ましいが、必ずしも一定にしなくても良い。さらに、上述において、電磁波結合部を囲む単位構造郡は、できるだけ電磁波伝播部の表面に沿って多重に配列することが望ましいが、必ずしも多重に配列されなくても良い。
また、本発明の第２の実施態様に係るサーフェイス通信装置は、電磁波を伝搬するシート形状を有する電磁波伝搬部と、前記電磁波伝搬部に電磁波を供給する給電装置部と、前記電磁波伝搬部を介して伝搬される前記電磁波を受信する受信装置部とを備える。前記給電装置部および前記受信装置部の少なくとも一方が、前記電磁波伝搬部上に、前記電磁波伝搬部とは非導通状態で配置される。前記給電装置部および前記受信装置部の少なくとも一方は、前記電磁波伝搬部に対する電磁波の送信または前記電磁波伝搬部からの前記電磁波の受信を行う電磁波結合部と、前記電磁波結合部を取り囲むように、前記電磁波伝搬部の表面に沿って配列される複数の導体の単位構造を有し、前記電磁波結合部と前記電磁波伝搬部との間からの電磁波の漏洩を抑制する電磁波抑制部とを備える。
上述において、導体の単位構造とは、少なくとも一つ以上の導体要素から構成される構造体である。上述の導体の単位構造を電磁波伝播部の表面に沿って複数配列する場合、単位構造の物理形状は同一である導体構造を用いるのが望ましいが、必ずしも同一でなくても良い。さらに、上述において、電磁波伝播部の表面に沿った複数の単位構造のピッチは、一定にするのが望ましいが、必ずしも一定にしなくても良い。さらに、上述において、電磁波結合部を囲む単位構造郡は、できるだけ電磁波伝播部の表面に沿って多重に配列することが望ましいが、必ずしも多重に配列されなくても良い。
本発明によれば、電磁波結合部と電磁波伝搬部との隙間を電磁波が伝播しづらくなり、サーフェイス通信装置からの漏洩電磁波を抑制すると同時に、通信性能を向上させることが可能となる。
以下、添付図面を参照して、本発明によるサーフェイス通信装置を実施するための最良の形態を説明する。しかし、本発明はこれらの実施例のみに限定されない。
（基本構成）
図１は、本実施形態に係るサーフェイス通信装置の概要構成を示す側面図であり、図２は、図１の概要構成を上方から見た図である。
図１および図２に示すように、本実施形態に係るサーフェイス通信装置において、給電装置部（電磁波送信部）１１と、受信装置部（電磁波受信部）１５は、シート状の電磁波伝播シート（電磁波伝搬部）１４上に設けられている。給電装置部１１及び受信装置部１５は、電磁波伝搬シート１４上に複数設けることが可能である。給電装置部１１及び受信装置部１５は、電磁波伝播シート１４上に着脱可能に設けても良い。これら給電装置部１１、もしくは受信装置部１５は、電磁波伝播シート１４に対してシート上の任意の箇所に、導体接触すること無しに非導通状態で設けられている。ここで、シート状とは、布状、紙状、箔状、板状、膜状、フィルム状、メッシュ状等、面としての広がりを持ち、厚さが薄いものを意味する。
図１は、本実施形態に係るサーフェイス通信装置の概要構成を示す側面図であり、図２は、図１の概要構成を上方から見た図である。
図１および図２に示すように、本実施形態に係るサーフェイス通信装置において、給電装置部（電磁波送信部）１１と、受信装置部（電磁波受信部）１５は、シート状の電磁波伝播シート（電磁波伝搬部）１４上に設けられている。給電装置部１１及び受信装置部１５は、電磁波伝搬シート１４上に複数設けることが可能である。給電装置部１１及び受信装置部１５は、電磁波伝播シート１４上に着脱可能に設けても良い。これら給電装置部１１、もしくは受信装置部１５は、電磁波伝播シート１４に対してシート上の任意の箇所に、導体接触すること無しに非導通状態で設けられている。ここで、シート状とは、布状、紙状、箔状、板状、膜状、フィルム状、メッシュ状等、面としての広がりを持ち、厚さが薄いものを意味する。
給電装置部１１は、電磁波発生部１２と送信電磁波結合部１３と漏洩電磁波抑制部３０とを備えている。漏洩電磁波抑制部３０は、送信電磁波結合部１３の外周部を取り囲んでいる。
図３は、図１において、給電装置部１１と電磁波伝播シート１４とが対向する部分を拡大した図である。
この図３に示すように、送信電磁波結合部１３は、放射導体１３ａと基準導体１３ｂを有しており、電磁波発生部１２から受け取った電磁波を、メッシュ層２２を介して電磁波伝播層２１に送り込むための構造となっている。
この図３に示すように、送信電磁波結合部１３は、放射導体１３ａと基準導体１３ｂを有しており、電磁波発生部１２から受け取った電磁波を、メッシュ層２２を介して電磁波伝播層２１に送り込むための構造となっている。
電磁波伝搬シート１４は、給電装置部１１から給電された電磁波を電磁波伝搬シート１４のシート面に沿った方向に伝播させる。電磁波伝播シート１４は、導体プレーン層２０の表面に、電磁波伝播層２１、メッシュ層２２、絶縁層２３が順に積層された構成となっている。
メッシュ層２２はメッシュ状に形成された導体である。
電磁波伝播シート１４においては、メッシュ層２２と導体プレーン層２０とに挟まれた空間を電磁波がシートの面に沿った方向に伝播される。
絶縁層２３は、給電装置部１１もしくは受信装置部１５と、電磁波伝播シート１４とが互いに導通しないよう設けられている。絶縁層２３の媒質としては、特定の誘電率、磁性率を有し、直流電流を通さない媒質である。この媒質には空気や真空も含まれる。
電磁波伝播シート１４においては、メッシュ層２２と導体プレーン層２０とに挟まれた空間を電磁波がシートの面に沿った方向に伝播される。
絶縁層２３は、給電装置部１１もしくは受信装置部１５と、電磁波伝播シート１４とが互いに導通しないよう設けられている。絶縁層２３の媒質としては、特定の誘電率、磁性率を有し、直流電流を通さない媒質である。この媒質には空気や真空も含まれる。
受信装置部１５は、電磁波伝播シート１４を伝搬する電磁波を受信する受信電磁波結合部（電磁波結合部）１６と、受信した電磁波を出力する電磁波出力部１７とからなる。受信電磁波結合部１６の構造は、基本的には送信電磁波結合部１３と同様の構成を有する。すなわち、受信電磁波結合部１６は、放射導体１３ａと基準導体１３ｂとの組み合わせからなる。しかしながら、受信電磁波結合部１６は、受信の場合は電磁波を電磁波伝播層２１に送り込むのではなく、逆に電磁波伝播層２１からの電磁波を受信する。以降では、受信電磁波結合部１６における放射導体１３ａと同一の構造を、特に送信と受信の区別が必要な場合は、受信導体と呼ぶことにする。受信装置部１５は、送信電磁波結合部１３と同様に、受信電磁波結合部１６の外周部を取り囲む漏洩電磁波抑制部３０を備えていても良い。
漏洩電磁波抑制部３０は、絶縁層２３を挟んでメッシュ層２２と対向しており、送信電磁波結合部１３から漏洩する電磁波が絶縁層２３に沿って伝播することを妨げる。
漏洩電磁波抑制部３０は、送信電磁波結合部１３の基準導体１３ｂに接続された人工インピーダンス導体３３と、人工インピーダンス導体３３と絶縁層２３に挟まれた空間層３４から構成される。隣り合う絶縁層２３と空間層３４とを併せて、漏洩電磁波層３５と称する。空気層３４は、空気であっても良いし、空気以外の誘電体で満たされていても良い。
人工インピーダンス導体３３は、送信電磁波結合部１３で発生した電磁波のうち、電磁波伝播層２１に入り込めなかった電磁波が、漏洩電磁波として漏洩電磁波層３５に沿って装置外側領域３６に漏洩していこうとするのを抑制する。このため、人工インピーダンス導体３３は、上記漏洩電磁波を送信電磁波結合部１３側に反射させるか、メッシュ層２２を介して電磁波伝播層２１に送り込む。そして、本発明の実施形態において、人工インピーダンス導体３３は、特定の単位構造を、漏洩電磁波抑制部３０において送信電磁波結合部１３を囲うように、２次元的に配列することで構成されている。
図４に示すように、給電装置部１１や受信装置部１５を電磁波伝播シート１４から着脱した際、周囲との不用意な電気的接触を防ぐために、上述の給電装置部１１または受信装置部１５の底面に絶縁層１１ａ（１５ａ）をコーティングしていても良い。
図４に示すように、給電装置部１１や受信装置部１５を電磁波伝播シート１４から着脱した際、周囲との不用意な電気的接触を防ぐために、上述の給電装置部１１または受信装置部１５の底面に絶縁層１１ａ（１５ａ）をコーティングしていても良い。
以下、このような人工インピーダンス導体３３のより具体的な構成の複数の形態を、その原理とともに図面を用いて説明する。なお、以下に示す各形態の説明は、人工インピーダンス導体３３のみについて行い、サーフェイス通信装置の他の部分の構成は、上記の基本構成に示した構成に準じ、その説明を省略する。
（第一の実施形態）
図５及び図６は、漏洩電磁波抑制部３０を構成する人工インピーダンス導体３３の第一の実施形態を、具体的に説明するための図である。図５及び図６は、送信電磁波結合部１３の周辺を示しているが、受信電磁波結合部１６の周辺でも同様の構造を有している。以下、他の実施形態においても同様である。図５の（ａ）部及び図６に示すように、本実施形態における人工インピーダンス導体３３は、一つ以上の人工インピーダンス導体単位構造４１が、電磁波伝搬シート１４の表面に沿って２次元的に、かつ、送信電磁波結合部１３の基準導体１３ｂの外周部を取り囲むように配置されて構成される。人工インピーダンス導体単位構造４１は、人工インピーダンス導体３３を構成する単位要素を表している。以下において、人工インピーダンス導体単位構造４１を単に、単位構造４１と称することもある。
図５の（ａ）部、（ｂ）部及び図６に示すように、人工インピーダンス導体単位構造４１は、基準導体４３と、パッチ導体４４と、導体ポスト４５とから構成される。パッチ導体４４は、矩形プレート形状を有し、基準導体４３と漏洩電磁波層３５との間に実装される。導体ポスト４５は、パッチ導体４４と基準導体４３を導体接続する。パッチ導体の「パッチ」とは、小片、もしくは断片という意味である。板状のマイクロストリップアンテナが「パッチアンテナ」と呼ばれているように、「パッチ」は電磁波工学の分野では上述の意味で一般的に使用されている用語である。
複数の人工インピーダンス導体単位構造４１は、互いに隣接する基準導体４３が接触するように、２次元状に配置されている。各々の人工インピーダンス導体単位構造４１においては、パッチ導体４４よりも基準導体４３のほうが大きい。このため、隣り合うパッチ導体４４は互いに接触しない。
図５ではパッチ導体４４が矩形プレート形状であるが、必ずしも矩形状でなくとも良い。例えば、パッチ導体４４は、任意の多角形状や、円等の滑らかな境界を含む形状であっても良い。
図６では、人工インピーダンス導体単位構造４１は、電磁波結合部１３を三重に囲っているが、必ずしも三重でなくても良い。例えば、一重にしても、五重にしてもよい。一方向には三重、他の方向には五重、というように、方向によって多重度が異なっていても良い。さらには特定の方向において、列によって多重度が異なっていてもよい。一般に、多重にすればするほど漏洩電磁波層３５から漏洩する電磁波を抑制する効果がある。
人工インピーダンス導体３３を構成する複数の人工インピーダンス導体単位構造４１は、同一構造であるのが望ましいが、必ずしも同一構造でなくても良い。意図的に同一構造としない場合の物理現象を応用した例は、本発明の別の実施の形態で説明される。
さらに、人工インピーダンス導体３３を構成する複数の人工インピーダンス導体単位構造４１は、漏洩電磁波層３５に沿った面に関して一定ピッチで配列されることが望ましいが、必ずしも一定ピッチで配列されなくても良い。
図６では、人工インピーダンス導体３３で覆われた領域と電磁波結合部１３との境界形状は矩形となっているが、必ずしも矩形となっていなくても良い。例えば、境界形状は、凹凸を含んでいてもよい。さらに、電磁波結合部１３の内部に人工インピーダンス導体３３で満たされた領域があっても良い。さらに、人工インピーダンス導体３３で覆われた領域の中に複数の電磁波結合部１３があっても良い。
図５及び図６は、漏洩電磁波抑制部３０を構成する人工インピーダンス導体３３の第一の実施形態を、具体的に説明するための図である。図５及び図６は、送信電磁波結合部１３の周辺を示しているが、受信電磁波結合部１６の周辺でも同様の構造を有している。以下、他の実施形態においても同様である。図５の（ａ）部及び図６に示すように、本実施形態における人工インピーダンス導体３３は、一つ以上の人工インピーダンス導体単位構造４１が、電磁波伝搬シート１４の表面に沿って２次元的に、かつ、送信電磁波結合部１３の基準導体１３ｂの外周部を取り囲むように配置されて構成される。人工インピーダンス導体単位構造４１は、人工インピーダンス導体３３を構成する単位要素を表している。以下において、人工インピーダンス導体単位構造４１を単に、単位構造４１と称することもある。
図５の（ａ）部、（ｂ）部及び図６に示すように、人工インピーダンス導体単位構造４１は、基準導体４３と、パッチ導体４４と、導体ポスト４５とから構成される。パッチ導体４４は、矩形プレート形状を有し、基準導体４３と漏洩電磁波層３５との間に実装される。導体ポスト４５は、パッチ導体４４と基準導体４３を導体接続する。パッチ導体の「パッチ」とは、小片、もしくは断片という意味である。板状のマイクロストリップアンテナが「パッチアンテナ」と呼ばれているように、「パッチ」は電磁波工学の分野では上述の意味で一般的に使用されている用語である。
複数の人工インピーダンス導体単位構造４１は、互いに隣接する基準導体４３が接触するように、２次元状に配置されている。各々の人工インピーダンス導体単位構造４１においては、パッチ導体４４よりも基準導体４３のほうが大きい。このため、隣り合うパッチ導体４４は互いに接触しない。
図５ではパッチ導体４４が矩形プレート形状であるが、必ずしも矩形状でなくとも良い。例えば、パッチ導体４４は、任意の多角形状や、円等の滑らかな境界を含む形状であっても良い。
図６では、人工インピーダンス導体単位構造４１は、電磁波結合部１３を三重に囲っているが、必ずしも三重でなくても良い。例えば、一重にしても、五重にしてもよい。一方向には三重、他の方向には五重、というように、方向によって多重度が異なっていても良い。さらには特定の方向において、列によって多重度が異なっていてもよい。一般に、多重にすればするほど漏洩電磁波層３５から漏洩する電磁波を抑制する効果がある。
人工インピーダンス導体３３を構成する複数の人工インピーダンス導体単位構造４１は、同一構造であるのが望ましいが、必ずしも同一構造でなくても良い。意図的に同一構造としない場合の物理現象を応用した例は、本発明の別の実施の形態で説明される。
さらに、人工インピーダンス導体３３を構成する複数の人工インピーダンス導体単位構造４１は、漏洩電磁波層３５に沿った面に関して一定ピッチで配列されることが望ましいが、必ずしも一定ピッチで配列されなくても良い。
図６では、人工インピーダンス導体３３で覆われた領域と電磁波結合部１３との境界形状は矩形となっているが、必ずしも矩形となっていなくても良い。例えば、境界形状は、凹凸を含んでいてもよい。さらに、電磁波結合部１３の内部に人工インピーダンス導体３３で満たされた領域があっても良い。さらに、人工インピーダンス導体３３で覆われた領域の中に複数の電磁波結合部１３があっても良い。
図３において、放射導体１３ａから放射される電磁波の伝播経路１０１、伝播経路１０２、伝播経路１０３が太線の矢印で記されている。これは、放射導体１３ａから漏洩電磁波層３５に伝播しようとする電磁波の大部分が、伝播できずに電磁波伝播層２１に染み出すか、送信電磁波結合部１３に逆戻りしてしまうことを図示している。すなわち、人工インピーダンス導体３３として定義されている電磁波結合部１３の周囲導体は、送信電磁波結合部１３で発生した電磁波のうち、電磁波伝播層２１に入り込めなかった電磁波が、漏洩電磁波として漏洩電磁波層３５に沿って装置外側領域３６に漏洩していこうとするのを抑制する。
そのためには、漏洩電磁波の導波路として作用する漏洩電磁波層３５、すなわち送信電磁波結合部１３の周囲導体とメッシュ層２２とで囲まれた領域が、伝送線路としてきわめて高い若しくは極めて低い特性インピーダンスを有していることが好ましい。上記伝送線路に極めて高い若しくは極めて低い特性インピーダンスを持たせることは、電磁波の周波数が特定の周波数帯域に定められているときは、上記周囲導体の形状を工夫することにより実現される。より具体的には、上記周囲導体を、上述の特定の周波数帯域の近辺で共振を生じる構造の繰り返し構造とすることにより、上述の周波数帯域で、極めて高いか若しくは低い特性インピーダンスを得ることができる。
そのためには、漏洩電磁波の導波路として作用する漏洩電磁波層３５、すなわち送信電磁波結合部１３の周囲導体とメッシュ層２２とで囲まれた領域が、伝送線路としてきわめて高い若しくは極めて低い特性インピーダンスを有していることが好ましい。上記伝送線路に極めて高い若しくは極めて低い特性インピーダンスを持たせることは、電磁波の周波数が特定の周波数帯域に定められているときは、上記周囲導体の形状を工夫することにより実現される。より具体的には、上記周囲導体を、上述の特定の周波数帯域の近辺で共振を生じる構造の繰り返し構造とすることにより、上述の周波数帯域で、極めて高いか若しくは低い特性インピーダンスを得ることができる。
図７は、上記理論的説明を等価回路モデルで補足説明するための図である。図７において、符号２０１は、人工インピーダンス導体３３とメッシュ層２２で囲まれた漏洩電磁波層３５の等価回路を示している。符号２０２は、メッシュ層２２と導体プレーン層２０とで囲まれた領域に電磁波を伝播させる電磁波伝播シート１４の等価回路を示している。符号２０３は、二つの電磁波伝搬層２１と２２がメッシュ開口部を介して結合していることを示すためのインピーダンスを示している。
図７で示すように、本実施形態で示した人工インピーダンス導体３３は、隣接するパッチ導体４４間の容量結合と、隣接するパッチ導体４４と導体ポスト４５、さらには基準導体４３を流れるループ電流に起因する誘導結合が支配的となった場合、並列共振回路が直列に連結された等価回路として表せる。さらに、導体ポスト４５による誘導結合と、パッチ導体４４と電磁波伝播シート１４の表面導体層、すなわちメッシュ層２２との容量結合が支配的となった場合、直列共振回路が並列に連結された等価回路として表せる。結果として、人工インピーダンス導体３３と電磁波伝播シート１４の表面との間の構造は、必ずしも共振周波数が一致しない並列共振回路と直列共振回路が交互に連結された等価回路で表すことができる。上記において、並列共振回路が直列に連結された等価回路は、特定の周波数で極めて高い特性インピーダンスを有することを示しており、直列共振回路が並列に連結された等価回路は、特定の周波数で極めて低い特性インピーダンスを有すること示している。このように、人工インピーダンス導体３３を送信電磁波部１０の周囲に設けることにより、上記構造に起因する共振が生じた場合、漏洩電磁波の大半は、漏洩電磁波層３５において反射されるか、メッシュ層２２を通り抜けて電磁波伝播層２１に潜り込むことになり、結果として装置の外部に漏れる漏洩電磁波を抑制することが可能になる。さらに、人工インピーダンス単位構造４１を多数配列すればするほど、上記共振回路が多数連結されることになるので、漏洩電磁波を抑制する周波数の帯域は、該当する共振周波数を覆うようにして広がる傾向にある。
以上の理由から、送信電磁波結合部１３を囲う複数の人工インピーダンス導体単位構造４１の物理寸法が全て一致した場合は、漏洩電磁波を抑制する周波数の帯域は、該当する共振周波数を覆うように形成される。一方、上述において、複数の人工インピーダンス導体単位構造４１の物理寸法が必ずしも一致していなくても、複数の共振周波数が漏洩電磁波を抑制したい周波数帯域の近辺にある限り、上述の帯域での漏洩電磁波抑制効果を著しく低下させることはない。以下で説明する様々な実施の形態では、第一の実施の形態と同様、漏洩電磁波抑制部３０は、一つ以上の人工インピーダンス導体単位構造の繰り返し構造で構成されている。また、漏洩抑制のメカニズムも、上述と同様にして、並列共振回路の直列連結、もしくは直列共振回路の並列連結として、近似的に説明することが可能である。
複数の人工インピーダンス導体単位構造の物理形状が必ずしも一致しなくても、上記不一致性に起因する複数の共振周波数が、漏洩電磁波を抑制したい周波数帯域の近辺にある限り、上述の帯域での漏洩電磁波抑制効果を著しく低下させることがないことも、上述の第一の実施の形態と同様にして説明可能である。
複数の人工インピーダンス導体単位構造の漏洩電磁波層３５に沿う方向のピッチが必ずしも一致しなくても、上記不一致性に起因する複数の共振周波数が、漏洩電磁波を抑制したい周波数帯域の近辺にある限り、上述の帯域での漏洩電磁波抑制効果を著しく低下させることがないことも、上述の第一の実施の形態の物理寸法に関する議論と同様にして説明可能である。
以上の理由から、送信電磁波結合部１３を囲う複数の人工インピーダンス導体単位構造４１の物理寸法が全て一致した場合は、漏洩電磁波を抑制する周波数の帯域は、該当する共振周波数を覆うように形成される。一方、上述において、複数の人工インピーダンス導体単位構造４１の物理寸法が必ずしも一致していなくても、複数の共振周波数が漏洩電磁波を抑制したい周波数帯域の近辺にある限り、上述の帯域での漏洩電磁波抑制効果を著しく低下させることはない。以下で説明する様々な実施の形態では、第一の実施の形態と同様、漏洩電磁波抑制部３０は、一つ以上の人工インピーダンス導体単位構造の繰り返し構造で構成されている。また、漏洩抑制のメカニズムも、上述と同様にして、並列共振回路の直列連結、もしくは直列共振回路の並列連結として、近似的に説明することが可能である。
複数の人工インピーダンス導体単位構造の物理形状が必ずしも一致しなくても、上記不一致性に起因する複数の共振周波数が、漏洩電磁波を抑制したい周波数帯域の近辺にある限り、上述の帯域での漏洩電磁波抑制効果を著しく低下させることがないことも、上述の第一の実施の形態と同様にして説明可能である。
複数の人工インピーダンス導体単位構造の漏洩電磁波層３５に沿う方向のピッチが必ずしも一致しなくても、上記不一致性に起因する複数の共振周波数が、漏洩電磁波を抑制したい周波数帯域の近辺にある限り、上述の帯域での漏洩電磁波抑制効果を著しく低下させることがないことも、上述の第一の実施の形態の物理寸法に関する議論と同様にして説明可能である。
（第二の実施形態）
図８は、漏洩電磁波抑制部３０を構成する人工インピーダンス導体３３の第二の実施形態を説明するための図である。
図８の（ａ）部に示すように、本実施形態における人工インピーダンス導体３３は、一つ以上の人工インピーダンス導体単位構造５１が、２次元的に、送信電磁波結合部１３の基準導体１３ｂの周囲を取り囲むようにして構成される。
図８は、漏洩電磁波抑制部３０を構成する人工インピーダンス導体３３の第二の実施形態を説明するための図である。
図８の（ａ）部に示すように、本実施形態における人工インピーダンス導体３３は、一つ以上の人工インピーダンス導体単位構造５１が、２次元的に、送信電磁波結合部１３の基準導体１３ｂの周囲を取り囲むようにして構成される。
図８の（ａ）部に示すように、人工インピーダンス導体単位構造５１は、人工インピーダンス導体３３を構成する単位構造を表している。図８の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造５１の上面図である。人工インピーダンス導体単位構造５１は、基準導体５３と、上層パッチ導体５５と、導体ポスト５４とから構成される。基準導体５３は、パッチ状に分割された導体として構成される。上層パッチ導体５５は、基準導体５３に対して、漏洩電磁波層３５と逆側の層に実装される。導体ポスト５４は、上層パッチ導体５５と基準導体５３とを導体接続する。上層パッチ導体５５は、互いに隣接する基準導体５３同士を、導体ポスト５４を介してブリッジ状に接続する。
本実施形態においては、基準導体５３とパッチ導体５５との間の容量結合、さらには導体ポスト５４による誘導結合により、並列共振回路を直列に連結した等価回路として表すことができる。これにより、漏洩電磁波の大半は、漏洩電磁波層３５において、反射されるか、メッシュ層２２を通り抜けて電磁波伝播層２１に潜り込むことになり、結果として装置の外部に漏れる漏洩電磁波を抑制することが可能になる。
次に、本発明の第二の実施の形態の有効性を示す計算結果を、図を用いて説明する。
図９は、第二の実施の形態の有効性検証のために用いた電磁解析用のモデルの斜視図である。本図において、上層パッチ導体５５、基準導体５３ともに各辺の長さが１２ｍｍの正方形状を有している。２次元的に７×７の周期構造を構成しており、全体として１１０×１１０ｍｍの人工インピーダンス導体３３となっている。
図１０は、電磁界解析用モデルの側面図である。上記人工インピーダンス導体３３の直下に、人工インピーダンス導体３３と２次元的な寸法が同一の電磁波伝播部１４が接するように置かれている。図１０において、電磁波伝播部１４の絶縁層２３は０．２５ｍｍの厚みと２．３の比誘電率を有している。メッシュ層２２は、１ｍｍの幅の導体が２次元的に３ｍｍの間隔で配置されることにより構成される。電磁波伝播層２１は、２ｍｍの厚みを有し、比誘電率が１．４の媒質で満たされている。人工インピーダンス導体３３の背景を構成する基板材料１２１は、比誘電率４．２の材料である。導体ポスト５４の高さは０．２ｍｍである。漏洩電磁波抑制部３０は、絶縁層２３も含めると３．２５ｍｍの厚みを有している。本解析モデルで使用されているパッチ状導体構造は厚み０の完全導体としてモデル化されており、導体ポスト５４の半径は０．１５ｍｍとしてある。
解析においては、図中の漏洩電磁波層３５の左端を第一ポートＰ１、漏洩電磁波層３５の右端を第二ポートＰ２、電磁波伝播部１４の左端を第三ポートＰ３、電磁波伝播部１４の右端を第四ポートＰ４として、電力結合率（Ｓパラメータ）を、時間領域差分法を用いて計算した。
図９は、第二の実施の形態の有効性検証のために用いた電磁解析用のモデルの斜視図である。本図において、上層パッチ導体５５、基準導体５３ともに各辺の長さが１２ｍｍの正方形状を有している。２次元的に７×７の周期構造を構成しており、全体として１１０×１１０ｍｍの人工インピーダンス導体３３となっている。
図１０は、電磁界解析用モデルの側面図である。上記人工インピーダンス導体３３の直下に、人工インピーダンス導体３３と２次元的な寸法が同一の電磁波伝播部１４が接するように置かれている。図１０において、電磁波伝播部１４の絶縁層２３は０．２５ｍｍの厚みと２．３の比誘電率を有している。メッシュ層２２は、１ｍｍの幅の導体が２次元的に３ｍｍの間隔で配置されることにより構成される。電磁波伝播層２１は、２ｍｍの厚みを有し、比誘電率が１．４の媒質で満たされている。人工インピーダンス導体３３の背景を構成する基板材料１２１は、比誘電率４．２の材料である。導体ポスト５４の高さは０．２ｍｍである。漏洩電磁波抑制部３０は、絶縁層２３も含めると３．２５ｍｍの厚みを有している。本解析モデルで使用されているパッチ状導体構造は厚み０の完全導体としてモデル化されており、導体ポスト５４の半径は０．１５ｍｍとしてある。
解析においては、図中の漏洩電磁波層３５の左端を第一ポートＰ１、漏洩電磁波層３５の右端を第二ポートＰ２、電磁波伝播部１４の左端を第三ポートＰ３、電磁波伝播部１４の右端を第四ポートＰ４として、電力結合率（Ｓパラメータ）を、時間領域差分法を用いて計算した。
図１１がその計算結果である。図１１は、横軸に１０ＧＨｚまでの周波数（ＧＨｚ）、縦軸に電力結合率（ｄＢ）としてグラフ化してある。
図１１において、実線ｌは、第一ポートＰ１における反射率を示す。破線ｍは、第一ポートＰ１から第二ポートＰ２への結合率を示す。一点鎖線ｎは、第一ポートＰ１から第三ポートＰ３への結合率を示す。二点鎖線ｏは、第一ポートＰ１から第四ポートＰ４への結合率を示す。
図１１より、特定の周波数帯域、具体的には４．２ＧＨｚ近辺にて、漏洩電磁波層３５を伝播する電磁波が急激に減少すると同時に、反射が大きくなり、電磁波伝播層２１への結合も向上する傾向にあることがわかる。このことは、本発明の実施形態を用いることにより、特定の周波数において、給電装置部１１と電磁波伝播層２１の隙間、すなわち漏洩電磁波層から外部に漏洩する電磁波を抑制可能であることを示している。
図１１において、実線ｌは、第一ポートＰ１における反射率を示す。破線ｍは、第一ポートＰ１から第二ポートＰ２への結合率を示す。一点鎖線ｎは、第一ポートＰ１から第三ポートＰ３への結合率を示す。二点鎖線ｏは、第一ポートＰ１から第四ポートＰ４への結合率を示す。
図１１より、特定の周波数帯域、具体的には４．２ＧＨｚ近辺にて、漏洩電磁波層３５を伝播する電磁波が急激に減少すると同時に、反射が大きくなり、電磁波伝播層２１への結合も向上する傾向にあることがわかる。このことは、本発明の実施形態を用いることにより、特定の周波数において、給電装置部１１と電磁波伝播層２１の隙間、すなわち漏洩電磁波層から外部に漏洩する電磁波を抑制可能であることを示している。
（第三の実施形態）
図１２は、漏洩電磁波抑制部３０を構成する人工インピーダンス導体３３の第三の実施形態を、具体的に説明するための図である。
図１２の（ａ）部に示すように、本実施形態における人工インピーダンス導体３３は、一つ以上の人工インピーダンス導体単位構造６１が２次元的に、送信電磁波結合部１３の基準導体１３ｂの周囲を取り囲むようにして構成される。図１２の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造６１の上面図である。
図１２は、漏洩電磁波抑制部３０を構成する人工インピーダンス導体３３の第三の実施形態を、具体的に説明するための図である。
図１２の（ａ）部に示すように、本実施形態における人工インピーダンス導体３３は、一つ以上の人工インピーダンス導体単位構造６１が２次元的に、送信電磁波結合部１３の基準導体１３ｂの周囲を取り囲むようにして構成される。図１２の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造６１の上面図である。
人工インピーダンス導体単位構造６１は、人工インピーダンス導体３３を構成する単位構造を表している。
人工インピーダンス導体単位構造６１は、矩形プレート状のパッチ導体６３と、隣接するパッチ導体６３との間を電気的に接続する配線である接続配線６４から構成される。
図１２ではパッチ導体６３は矩形プレート状であるが、必ずしも矩形でなくとも良い。パッチ導体６３は、例えば任意の多角形や、円等の滑らかな境界を含む形状であっても良い。
人工インピーダンス導体単位構造６１は、矩形プレート状のパッチ導体６３と、隣接するパッチ導体６３との間を電気的に接続する配線である接続配線６４から構成される。
図１２ではパッチ導体６３は矩形プレート状であるが、必ずしも矩形でなくとも良い。パッチ導体６３は、例えば任意の多角形や、円等の滑らかな境界を含む形状であっても良い。
これにより、隣接するパッチ導体６３間の容量結合と接続配線６４による誘導結合による共振現象が特定の周波数で支配的になり、並列共振回路が直列に連結される等価回路として近似的に表現可能となる。漏洩電磁波の大半は、漏洩電磁波層３５において、反射されるか、メッシュ層２２を通り抜けて電磁波伝播層２１に潜り込むことになり、結果として装置の外部に漏れる漏洩電磁波を抑制することが可能になる。本実施の形態では、接続配線６４はパッチ導体６３の端部辺の中点付近に位置しているが、必ずしも中点付近に位置していなくても良い。接続配線６４は、例えば、辺の隅に位置していても良い。
上述の等価的な並列共振回路のインダクタンスは、接続配線６４とパッチ導体６３の位置関係に依存する。したがって、図１３に示すように、接続配線６４とパッチ導体６３の位置関係の組み合わせを２種類以上とすることにより、上述の等価的な並列共振回路の共振周波数も複数の組み合わせとなる。その結果、漏洩電磁波抑制帯域の広帯域化や、複数の帯域での漏洩電磁波抑制効果を得ることも可能となる。図１３は接続配線６４をパッチ導体６３端部辺の中点付近に置いた場合と隅においた場合の２種類の位置関係の組み合わせを示している。例えば、接続配線６４とパッチ導体６３の位置関係を微妙に異なる組み合わせとなるようにすることにより、上記共振周波数も微妙に異なる組み合わせとなるため、漏洩電磁波の抑制帯域が広がることになる。さらに、上述の位置関係を極端に異なる組み合わせとすることにより、上記共振周波数の相違も大きくなるため、それらの異なる共振周波数の重ね合わせとして、漏洩電磁波抑制帯域は一段と広い帯域となるか、もしくは複数の帯域で漏抑制効果を得ることが可能になる。
本実施の形態では、隣り合うパッチ導体６３を接続する接続配線６４は一本であるが、必ずしも一本でなくても良い。例えば、図１４に示すように、隣り合うパッチ導体６３を接続する接続配線６４を２本以上とすることにより、上述の等価的な並列共振回路のインダクタンスは接続配線６４が一本の場合よりも小さくなり、結果として上記共振周波数も高周波側にシフトする。したがって、漏洩電磁波を抑制する周波数帯域の高周波化をすることが可能となる。上述の隣り合うパッチ導体６３を接続する接続配線６４の本数を、図１５に示すように複数の異なる組み合わせとしても良い。この場合、本数の組み合わせや位置関係により、上述の共振周波数が微妙に異なる複数の組み合わせとなる場合もあれば、非常に異なる共振周波数の複数の組み合わせとなる場合もある。したがって、漏洩電磁波抑制帯域の広帯域化や、複数の帯域での漏洩電磁波抑制効果を得ることが可能となる。
本実施の形態では、接続配線６４は直線状の配線としたが、必ずしも直線状でなくても良く、迂回状の配線にしても良い。例えば図１６のように、接続配線６４をミランダ状（ジグザグ状）に迂回させても良い。
上述のように接続導体６４を迂回させた場合、配線のインダクタンスが直線状の配線よりも強くなるため、結果として上述の共振周波数が小さくなる。すなわち、漏洩電磁波抑制帯域の低周波化が可能となる。
本実施の形態で説明した人工インピーダンス構造においては、人工インピーダンス構造に接した空間の誘電率を極力大きくすることにより、漏洩電磁波抑制帯域の低周波化が可能となる。なぜなら、上述の等価的な並列共振回路の容量が大きくなり、結果として共振周波数が低周波側にシフトするからである。
図１７は、人工インピーダンス構造の下側に接した層の誘電率が残りの漏洩電磁波層の誘電率よりも大きい、高誘電体層６１ｂとした場合である。
図１８は、人工インピーダンス構造の上側に接した層の誘電率が漏洩電磁波層の誘電率よりも大きい、高誘電体層６１ｃとした場合である。
図１９は、人工インピーダンス構造の上側と下側に接した層の誘電率が残りの漏洩電磁波層の誘電率よりも大きい、高誘電体層６１ｂ、６１ｃとした場合である。上記図１７から図１９のいずれの場合においても、上述の説明のように、漏洩電磁波帯域の低周波化が可能となる。
上述の等価的な並列共振回路のインダクタンスは、接続配線６４とパッチ導体６３の位置関係に依存する。したがって、図１３に示すように、接続配線６４とパッチ導体６３の位置関係の組み合わせを２種類以上とすることにより、上述の等価的な並列共振回路の共振周波数も複数の組み合わせとなる。その結果、漏洩電磁波抑制帯域の広帯域化や、複数の帯域での漏洩電磁波抑制効果を得ることも可能となる。図１３は接続配線６４をパッチ導体６３端部辺の中点付近に置いた場合と隅においた場合の２種類の位置関係の組み合わせを示している。例えば、接続配線６４とパッチ導体６３の位置関係を微妙に異なる組み合わせとなるようにすることにより、上記共振周波数も微妙に異なる組み合わせとなるため、漏洩電磁波の抑制帯域が広がることになる。さらに、上述の位置関係を極端に異なる組み合わせとすることにより、上記共振周波数の相違も大きくなるため、それらの異なる共振周波数の重ね合わせとして、漏洩電磁波抑制帯域は一段と広い帯域となるか、もしくは複数の帯域で漏抑制効果を得ることが可能になる。
本実施の形態では、隣り合うパッチ導体６３を接続する接続配線６４は一本であるが、必ずしも一本でなくても良い。例えば、図１４に示すように、隣り合うパッチ導体６３を接続する接続配線６４を２本以上とすることにより、上述の等価的な並列共振回路のインダクタンスは接続配線６４が一本の場合よりも小さくなり、結果として上記共振周波数も高周波側にシフトする。したがって、漏洩電磁波を抑制する周波数帯域の高周波化をすることが可能となる。上述の隣り合うパッチ導体６３を接続する接続配線６４の本数を、図１５に示すように複数の異なる組み合わせとしても良い。この場合、本数の組み合わせや位置関係により、上述の共振周波数が微妙に異なる複数の組み合わせとなる場合もあれば、非常に異なる共振周波数の複数の組み合わせとなる場合もある。したがって、漏洩電磁波抑制帯域の広帯域化や、複数の帯域での漏洩電磁波抑制効果を得ることが可能となる。
本実施の形態では、接続配線６４は直線状の配線としたが、必ずしも直線状でなくても良く、迂回状の配線にしても良い。例えば図１６のように、接続配線６４をミランダ状（ジグザグ状）に迂回させても良い。
上述のように接続導体６４を迂回させた場合、配線のインダクタンスが直線状の配線よりも強くなるため、結果として上述の共振周波数が小さくなる。すなわち、漏洩電磁波抑制帯域の低周波化が可能となる。
本実施の形態で説明した人工インピーダンス構造においては、人工インピーダンス構造に接した空間の誘電率を極力大きくすることにより、漏洩電磁波抑制帯域の低周波化が可能となる。なぜなら、上述の等価的な並列共振回路の容量が大きくなり、結果として共振周波数が低周波側にシフトするからである。
図１７は、人工インピーダンス構造の下側に接した層の誘電率が残りの漏洩電磁波層の誘電率よりも大きい、高誘電体層６１ｂとした場合である。
図１８は、人工インピーダンス構造の上側に接した層の誘電率が漏洩電磁波層の誘電率よりも大きい、高誘電体層６１ｃとした場合である。
図１９は、人工インピーダンス構造の上側と下側に接した層の誘電率が残りの漏洩電磁波層の誘電率よりも大きい、高誘電体層６１ｂ、６１ｃとした場合である。上記図１７から図１９のいずれの場合においても、上述の説明のように、漏洩電磁波帯域の低周波化が可能となる。
（第四の実施形態）
図２０は、漏洩電磁波抑制部３０を構成する人工インピーダンス導体３３の第四の実施形態を、具体的に説明するための図である。図２０の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図２０の（ｂ）部は、パッチ導体４４の斜視図である。
図２０に示す構成は、図５に示した第一の実施の形態に示した構成とほぼ同様である。図２０に示す第四の実施の形態の構成と図５に示す第一の実施の形態の構成とは、基準導体４３とパッチ導体４４の間の層である人工インピーダンス導体中間層７１が、漏洩電磁波層３５を構成する媒質の誘電率よりも高い誘電率を有する物質で構成されている点で相違する。
図２０は、漏洩電磁波抑制部３０を構成する人工インピーダンス導体３３の第四の実施形態を、具体的に説明するための図である。図２０の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図２０の（ｂ）部は、パッチ導体４４の斜視図である。
図２０に示す構成は、図５に示した第一の実施の形態に示した構成とほぼ同様である。図２０に示す第四の実施の形態の構成と図５に示す第一の実施の形態の構成とは、基準導体４３とパッチ導体４４の間の層である人工インピーダンス導体中間層７１が、漏洩電磁波層３５を構成する媒質の誘電率よりも高い誘電率を有する物質で構成されている点で相違する。
このように、人工インピーダンス導体中間層７１を設けることにより、特定の周波数でハイインピーダンスとなるパッチ導体の寸法を小さくすることができる。例えばプリント回路基板に使用されるＢＣ（Ｂｕｒｉｅｄ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）基板を人工インピーダンス導体中間層７１に採用することにより、本構成は実現することができる。
このような構成において、パッチ導体４４と基準導体４３の間に高誘電率を有する材料を用いることにより単位構造を小型化できる。その理由は、人工インピーダンス導体中間層７１を設けることで、図５に示した第一の実施形態の構成よりも、パッチ導体４４と基準導体４３との間の容量を増加させることができ、その分、特定の周波数で共振させるためのパッチ導体の面積を小さくすることができるからである。
第四の実施の形態においては、図２１のように、人工インピーダンス導体３３を作成する基板のプロセス上、漏洩電磁波層の下側にも高誘電率層がある構造も想定している。この場合でも上記同様に、特定の周波数で共振させるためのパッチ導体の面積を小さくするという効果が期待できる。
（第五の実施形態）
図２２は、漏洩電磁波抑制部３０を構成する人工インピーダンス導体３３の第五の実施形態を、具体的に説明するための図である。図２２の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図２２の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造５１の上面図である。
図２２に示す構成は、図８に示した第二の実施形態に示した構成とほぼ同様である。図２２に示す構成と、図８に示す構成とは、基準導体５３とパッチ導体５５の間の層である人工インピーダンス導体中間層８１が、漏洩電磁波層３５を構成する媒質の誘電率よりも高い誘電率を有する物質で形成されている点で相違する。
図２２は、漏洩電磁波抑制部３０を構成する人工インピーダンス導体３３の第五の実施形態を、具体的に説明するための図である。図２２の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図２２の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造５１の上面図である。
図２２に示す構成は、図８に示した第二の実施形態に示した構成とほぼ同様である。図２２に示す構成と、図８に示す構成とは、基準導体５３とパッチ導体５５の間の層である人工インピーダンス導体中間層８１が、漏洩電磁波層３５を構成する媒質の誘電率よりも高い誘電率を有する物質で形成されている点で相違する。
このように、人工インピーダンス導体中間層８１を設けることにより、図８に示した第二の実施形態よりも、特定の周波数でハイインピーダンスとなるパッチ導体の寸法を小さくすることができる。例えばプリント回路基板に使用されるＢＣ（Ｂｕｒｉｅｄ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）基板を漏洩電磁波抑制部３０に採用することにより、本構成は実現することができる。
このような構成においても、パッチ導体５５と基準導体５３の間に高誘電率を有する材料を用いることにより、人工インピーダンス導体単位構造５１を小型化できる。
第五の実施の形態においては、図２３のように、人工インピーダンス導体３３を作成する基板のプロセス上、漏洩電磁波層の下側にも高誘電率層がある構造も想定している。この場合でも上記同様に、特定の周波数で共振させるためのパッチ導体の面積を小さくするという効果が期待できる。
（第六の実施形態）
図２４は、漏洩電磁波抑制部３０を構成する人工インピーダンス導体３３の第六の実施形態を、具体的に説明するための図である。図２４の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図２４の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造５１の上面図である。
図２４に示す構成は、図８に示した第二の実施形態に示した構成とほぼ同様であるが以下の点で相違する。図２４に示す漏洩電磁波抑制部３０には、上層パッチ導体５５の上側に、人工インピーダンス導体３３を覆うようにシールド用導体プレーン（第二の導体）９１が設けられている。さらに、図２４に示す漏洩電磁波抑制部３０には、シールド用導体プレーン９１と、基準導体５３の装置外側領域３６側の端部とを接続するシールド用導体ポスト（第二の導体ポスト）９２が設けられている。
図２４は、漏洩電磁波抑制部３０を構成する人工インピーダンス導体３３の第六の実施形態を、具体的に説明するための図である。図２４の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図２４の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造５１の上面図である。
図２４に示す構成は、図８に示した第二の実施形態に示した構成とほぼ同様であるが以下の点で相違する。図２４に示す漏洩電磁波抑制部３０には、上層パッチ導体５５の上側に、人工インピーダンス導体３３を覆うようにシールド用導体プレーン（第二の導体）９１が設けられている。さらに、図２４に示す漏洩電磁波抑制部３０には、シールド用導体プレーン９１と、基準導体５３の装置外側領域３６側の端部とを接続するシールド用導体ポスト（第二の導体ポスト）９２が設けられている。
このように、シールド用導体プレーン９１とシールド用導体ポスト９２を搭載することにより、開口部を含む人工インピーダンス導体３３からの不要な漏洩電磁波をシールドする効果が望まれる。
図２４に示す構成では、装置外領域３６側の端部を、シールド用導体ポスト９２で接続している。しかしながら、シールド用導体プレーン９１と、基準導体５３の装置外側領域３６側の端部とを接続する部材は、シールド導体であれば必ずしもポスト形状でなくても良い。例えば、シールド用導体プレーン９１と、基準導体５３の装置外側領域３６に接した端部を、プレーン状の金属で覆っても良い。
図２４では、人工インピーダンス導体３３の単位構造は、図８に示す単位構造と同じである。しかしながら、これに限られず、本実施の形態は、開口部を含むいかなる人工インピーダンス導体に対しても適用できる。
図２４に示す構成では、装置外領域３６側の端部を、シールド用導体ポスト９２で接続している。しかしながら、シールド用導体プレーン９１と、基準導体５３の装置外側領域３６側の端部とを接続する部材は、シールド導体であれば必ずしもポスト形状でなくても良い。例えば、シールド用導体プレーン９１と、基準導体５３の装置外側領域３６に接した端部を、プレーン状の金属で覆っても良い。
図２４では、人工インピーダンス導体３３の単位構造は、図８に示す単位構造と同じである。しかしながら、これに限られず、本実施の形態は、開口部を含むいかなる人工インピーダンス導体に対しても適用できる。
（第七の実施形態）
図２５は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第七の実施の形態を、具体的に説明するための図である。
図２５に示す構成は、図５に示した第一の実施形態に示した構成とほぼ同様であるが以下の点において相違する。図２５に示す漏洩電磁波抑制部３０においては、人工インピーダンス導体３３を構成する単位構造４１の導体ポスト４５のパッチ導体４４に対する配置関係が、隣接する単位構造１５１の導体ポスト１５２のパッチ導体４４に対する位置関係とは異なっている。
このように、二種類つ以上の単位構造４１，１５１を周期的に配列することにより、複数の周波数帯域における漏洩電磁波抑制効果を得ることが可能となる。さらに、隣接する単位構造４１，１５１における導体ポスト４５、１５２の位置がわずかながら異なる構造とすることにより、上記導体ポストの位置が異ならない場合と比較して、漏洩電磁波抑制効果帯域が広げることが可能である。
図２５は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第七の実施の形態を、具体的に説明するための図である。
図２５に示す構成は、図５に示した第一の実施形態に示した構成とほぼ同様であるが以下の点において相違する。図２５に示す漏洩電磁波抑制部３０においては、人工インピーダンス導体３３を構成する単位構造４１の導体ポスト４５のパッチ導体４４に対する配置関係が、隣接する単位構造１５１の導体ポスト１５２のパッチ導体４４に対する位置関係とは異なっている。
このように、二種類つ以上の単位構造４１，１５１を周期的に配列することにより、複数の周波数帯域における漏洩電磁波抑制効果を得ることが可能となる。さらに、隣接する単位構造４１，１５１における導体ポスト４５、１５２の位置がわずかながら異なる構造とすることにより、上記導体ポストの位置が異ならない場合と比較して、漏洩電磁波抑制効果帯域が広げることが可能である。
（第八の実施形態）
図２６は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第八の実施の形態を、具体的に説明するための図である。図２６の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図２６の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造５１の上面図である。
図２６において、図２４にて示された人工インピーダンス導体３３を構成する単位構造５１内の複数本の導体ポスト１６１は、パッチ導体５５の中央に対して、対称の位置にない。
一つ以上のパッチ導体５５に接続される導体ポスト１６１を、パッチ導体５５に対して非対称とした構造を単位構造群とするその単位構造群を周期的に配列することにより、対称構造とした場合に対して、電磁波抑制効果帯域の変更が可能となる。例えば、上記導体ポスト１６１の位置がわずかながら非対称となる単位構造を人工インピーダンス導体３３に適用することにより、上記導体ポスト１６１の位置が全ての単位構造で一致する場合と比較して、漏洩電磁波抑制効果帯域を広げることが可能となる。なぜなら、単位構造５１の共振を起こす４つの領域の共振周波数が、導体ポスト１６１の位置により微妙に異なってくるからである。さらに、上記４本の導体ポスト１６１の位置を、極端に非対称となる位置の組み合わせとし、上記単位構造を人工インピーダンス導体３３に適用することもできる。これにより、単位構造５１の共振を起こす４つの領域の共振周波数の相違が上述の場合よりも著しくなる。その結果、それらの共振周波数近辺帯域の重ね合わせとして、さらに広い周波数帯域か、あるいは複数の周波数帯域における漏洩電磁波抑制効果を得ることが可能となる。
図２６は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第八の実施の形態を、具体的に説明するための図である。図２６の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図２６の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造５１の上面図である。
図２６において、図２４にて示された人工インピーダンス導体３３を構成する単位構造５１内の複数本の導体ポスト１６１は、パッチ導体５５の中央に対して、対称の位置にない。
一つ以上のパッチ導体５５に接続される導体ポスト１６１を、パッチ導体５５に対して非対称とした構造を単位構造群とするその単位構造群を周期的に配列することにより、対称構造とした場合に対して、電磁波抑制効果帯域の変更が可能となる。例えば、上記導体ポスト１６１の位置がわずかながら非対称となる単位構造を人工インピーダンス導体３３に適用することにより、上記導体ポスト１６１の位置が全ての単位構造で一致する場合と比較して、漏洩電磁波抑制効果帯域を広げることが可能となる。なぜなら、単位構造５１の共振を起こす４つの領域の共振周波数が、導体ポスト１６１の位置により微妙に異なってくるからである。さらに、上記４本の導体ポスト１６１の位置を、極端に非対称となる位置の組み合わせとし、上記単位構造を人工インピーダンス導体３３に適用することもできる。これにより、単位構造５１の共振を起こす４つの領域の共振周波数の相違が上述の場合よりも著しくなる。その結果、それらの共振周波数近辺帯域の重ね合わせとして、さらに広い周波数帯域か、あるいは複数の周波数帯域における漏洩電磁波抑制効果を得ることが可能となる。
（第九の実施形態）
図２７は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第九の実施の形態を、具体的に説明するための図である。
図２７において、人工インピーダンス導体３３は、図５にて示されたのと同様の単位構造４１によって構成されている。本実施形態においては、人工インピーダンス導体３３を構成する複数の単位構造４１に、２以上の異なる寸法のパッチ導体４４Ａ、４４Ｂが用いられている。パッチ導体４４Ａを用いた単位構造４１Ａと、パッチ導体４４Ａとは寸法の異なるパッチ導体４４Ｂを用いた単位構造４１Ｂとが混在して設けられている。この場合、寸法が互いに異なるパッチ導体４４Ａ、４４Ｂを用いた複数種の単位構造４１Ａ、４１Ｂにより、漏洩電磁波抑制効果帯域に関係する共振周波数も複数存在することになる。その結果、それらの共振周波数近辺帯域の重ね合わせとして、さらに広い周波数帯域か、あるいは複数の周波数帯域における漏洩電磁波抑制効果を得ることが可能となる。
図２７は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第九の実施の形態を、具体的に説明するための図である。
図２７において、人工インピーダンス導体３３は、図５にて示されたのと同様の単位構造４１によって構成されている。本実施形態においては、人工インピーダンス導体３３を構成する複数の単位構造４１に、２以上の異なる寸法のパッチ導体４４Ａ、４４Ｂが用いられている。パッチ導体４４Ａを用いた単位構造４１Ａと、パッチ導体４４Ａとは寸法の異なるパッチ導体４４Ｂを用いた単位構造４１Ｂとが混在して設けられている。この場合、寸法が互いに異なるパッチ導体４４Ａ、４４Ｂを用いた複数種の単位構造４１Ａ、４１Ｂにより、漏洩電磁波抑制効果帯域に関係する共振周波数も複数存在することになる。その結果、それらの共振周波数近辺帯域の重ね合わせとして、さらに広い周波数帯域か、あるいは複数の周波数帯域における漏洩電磁波抑制効果を得ることが可能となる。
（第十の実施形態）
図２８は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第十の実施の形態を、具体的に説明するための図である。図２８の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図２８の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造４１の斜視図である。
図２８において、人工インピーダンス導体３３は、図５にて示されたのと基本的には同様の単位構造４１によって構成されている。本実施形態においては、人工インピーダンス導体３３を構成する複数の単位構造４１のそれぞれは、複数本の導体ポスト４５を有している。この場合、単位構造４１が複数の導体ポスト４５を備えることで、漏洩電磁波抑制効果帯域に関係する共振周波数に影響を与える。その結果、導体ポスト４５が１本のときとは異なる漏洩電磁波抑制帯域を得ることが可能となる。具体的には、導体ポスト４５の本数を増やすことによりインダクタンスが弱くなるため、単位構造４１の共振周波数は高周波側にシフトし、その結果漏洩電磁波抑制帯も高周波側にシフトさせることが可能となる。
図２８は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第十の実施の形態を、具体的に説明するための図である。図２８の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図２８の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造４１の斜視図である。
図２８において、人工インピーダンス導体３３は、図５にて示されたのと基本的には同様の単位構造４１によって構成されている。本実施形態においては、人工インピーダンス導体３３を構成する複数の単位構造４１のそれぞれは、複数本の導体ポスト４５を有している。この場合、単位構造４１が複数の導体ポスト４５を備えることで、漏洩電磁波抑制効果帯域に関係する共振周波数に影響を与える。その結果、導体ポスト４５が１本のときとは異なる漏洩電磁波抑制帯域を得ることが可能となる。具体的には、導体ポスト４５の本数を増やすことによりインダクタンスが弱くなるため、単位構造４１の共振周波数は高周波側にシフトし、その結果漏洩電磁波抑制帯も高周波側にシフトさせることが可能となる。
（第十一の実施形態）
図２９は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第十一の実施の形態を、具体的に説明するための図である。
図２９において、人工インピーダンス導体３３は、図５にて示されたのと基本的には同様の単位構造４１によって構成されている。本実施形態においては、人工インピーダンス導体３３は、導体ポスト４５の本数が互いに異なる二種類以上の単位構造４１Ａ、４１Ｂを組み合わせることで構成されている。本実施形態においては、１本の導体ポスト４５を有した単位構造４１Ａと、２本の導体ポスト４５を有した単位構造４１Ｂとを組み合わせた構成とされている。導体ポスト４５の本数は、一本以上であれば如何なる本数としても良い。また、組み合わせる単位構造４１の種類（導体ポスト４５の本数が異なる単位構造４１の種類）も、２種に限らず、３種以上とすることもできる。
このような構成とすることで、漏洩電磁波抑制効果帯域に関係する共振も、導体ポスト４５の本数が異なる単位構造４１の種類の数に応じ、複数の周波数で生じる。その結果、導体ポスト１本のみのときとは異なる漏洩電磁波抑制帯域を得ることが可能となる。例えば、上記複数の共振周波数が著しく異なる場合は、複数の漏洩電磁波抑制帯域を得ることが可能である。上記複数の共振周波数がわずかながら異なる場合は、漏洩電磁波抑制帯域の広帯域化が可能である。
図２９は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第十一の実施の形態を、具体的に説明するための図である。
図２９において、人工インピーダンス導体３３は、図５にて示されたのと基本的には同様の単位構造４１によって構成されている。本実施形態においては、人工インピーダンス導体３３は、導体ポスト４５の本数が互いに異なる二種類以上の単位構造４１Ａ、４１Ｂを組み合わせることで構成されている。本実施形態においては、１本の導体ポスト４５を有した単位構造４１Ａと、２本の導体ポスト４５を有した単位構造４１Ｂとを組み合わせた構成とされている。導体ポスト４５の本数は、一本以上であれば如何なる本数としても良い。また、組み合わせる単位構造４１の種類（導体ポスト４５の本数が異なる単位構造４１の種類）も、２種に限らず、３種以上とすることもできる。
このような構成とすることで、漏洩電磁波抑制効果帯域に関係する共振も、導体ポスト４５の本数が異なる単位構造４１の種類の数に応じ、複数の周波数で生じる。その結果、導体ポスト１本のみのときとは異なる漏洩電磁波抑制帯域を得ることが可能となる。例えば、上記複数の共振周波数が著しく異なる場合は、複数の漏洩電磁波抑制帯域を得ることが可能である。上記複数の共振周波数がわずかながら異なる場合は、漏洩電磁波抑制帯域の広帯域化が可能である。
（第十二の実施形態）
図３０は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第十二の実施の形態を、具体的に説明するための図である。図３０の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図３０の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造５１の上面図である。
図３０において、人工インピーダンス導体３３は、図８にて示されたのと基本的には同様の単位構造５１によって構成されている。互いに対向する上層パッチ導体５５と基準導体５３は、それぞれ複数の導体ポスト５４により接続されている。この場合、漏洩電磁波抑制効果帯域に関係する共振周波数に影響を与えるため、互いに対向する上層パッチ導体５５と基準導体５３とを接続する導体ポスト５４が１本のときとは異なる漏洩電磁波抑制帯域を得ることが可能となる。具体的には、互いに対向する上層パッチ導体５５と基準導体５３とを接続する導体ポスト５４の本数を増やすことにより、インダクタンスが弱くなる。このため、共振周波数は高周波側にシフトし、その結果、漏洩電磁波抑制帯も高周波側にシフトさせることが可能となる。
図３０は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第十二の実施の形態を、具体的に説明するための図である。図３０の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図３０の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造５１の上面図である。
図３０において、人工インピーダンス導体３３は、図８にて示されたのと基本的には同様の単位構造５１によって構成されている。互いに対向する上層パッチ導体５５と基準導体５３は、それぞれ複数の導体ポスト５４により接続されている。この場合、漏洩電磁波抑制効果帯域に関係する共振周波数に影響を与えるため、互いに対向する上層パッチ導体５５と基準導体５３とを接続する導体ポスト５４が１本のときとは異なる漏洩電磁波抑制帯域を得ることが可能となる。具体的には、互いに対向する上層パッチ導体５５と基準導体５３とを接続する導体ポスト５４の本数を増やすことにより、インダクタンスが弱くなる。このため、共振周波数は高周波側にシフトし、その結果、漏洩電磁波抑制帯も高周波側にシフトさせることが可能となる。
（第十三の実施形態）
図３１は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第十三の実施の形態を、具体的に説明するための図である。図３１の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図３１の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造５１の上面図である。
図３１において、人工インピーダンス導体３３は、図８にて示されたのと基本的には同様の単位構造５１によって構成されている。
本実施形態においては、人工インピーダンス導体３３は、各単位構造５１のパッチ導体５５に対し、対向する複数の基準導体５３に対して接続される導体ポスト５４の本数が、互いに異なる二種類以上とされている。図３１の（ｂ）部に示すように、一つのパッチ導体５５に対し、１本の導体ポスト５４を介してパッチ導体５５に接続される基準導体５３Ａと、２本の導体ポスト５４を介してパッチ導体５に接続される基準導体５３Ｂとを組み合わせた構成とされている。パッチ導体５５にそれぞれの基準導体５３Ａを接続する導体ポスト５４の本数は、一本以上であれば如何なる本数としても良い。また、一つのパッチ導体５５に対し、基準導体５３を接続する導体ポスト５４の本数も、１本と２本の２種類に限らず、３種以上とすることもできる。
このような構成とすることで、漏洩電磁波抑制効果帯域に関係する共振も複数の周波数で生じるため、導体ポスト５４の配置が一種類のときとは異なる漏洩電磁波抑制帯域を得ることが可能となる。例えば、上記複数の共振周波数が著しく異なる場合は、複数の漏洩電磁波抑制帯域を得ることが可能である。上記複数の共振周波数がわずかながら異なる場合は、漏洩電磁波抑制帯域の広帯域化が可能である。
図３１は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第十三の実施の形態を、具体的に説明するための図である。図３１の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図３１の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造５１の上面図である。
図３１において、人工インピーダンス導体３３は、図８にて示されたのと基本的には同様の単位構造５１によって構成されている。
本実施形態においては、人工インピーダンス導体３３は、各単位構造５１のパッチ導体５５に対し、対向する複数の基準導体５３に対して接続される導体ポスト５４の本数が、互いに異なる二種類以上とされている。図３１の（ｂ）部に示すように、一つのパッチ導体５５に対し、１本の導体ポスト５４を介してパッチ導体５５に接続される基準導体５３Ａと、２本の導体ポスト５４を介してパッチ導体５に接続される基準導体５３Ｂとを組み合わせた構成とされている。パッチ導体５５にそれぞれの基準導体５３Ａを接続する導体ポスト５４の本数は、一本以上であれば如何なる本数としても良い。また、一つのパッチ導体５５に対し、基準導体５３を接続する導体ポスト５４の本数も、１本と２本の２種類に限らず、３種以上とすることもできる。
このような構成とすることで、漏洩電磁波抑制効果帯域に関係する共振も複数の周波数で生じるため、導体ポスト５４の配置が一種類のときとは異なる漏洩電磁波抑制帯域を得ることが可能となる。例えば、上記複数の共振周波数が著しく異なる場合は、複数の漏洩電磁波抑制帯域を得ることが可能である。上記複数の共振周波数がわずかながら異なる場合は、漏洩電磁波抑制帯域の広帯域化が可能である。
（第十四の実施形態）
図３２は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第十四の実施の形態を、具体的に説明するための図である。図３２の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図３２の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造４１の斜視図である。
図３２において、人工インピーダンス導体３３は、図５にて示されたのと基本的には同様の単位構造４１によって構成されている。本実施形態においては、単位構造４１の基準導体４３に、開口部２１０が形成されている。基準導体４３と導体ポスト４５は、開口部２１０に設けられたスパイラル状の導体配線２１１によって接続されている。
このように、基準導体４３にスパイラル状の導体配線２１１の追加することにより、共振のインダクタンスを大きくできるため、結果として漏洩電磁波抑制帯域の低周波化が可能となる。
本実施の形態では、導体ポスト４５と基準導体５３をスパイラル状の導体配線２１１で接続している。しかしながら、導体配線２１１は、金属導体の配線であれば必ずしもスパイラル状である必要はない。導体配線２１１は、例えば、ミランダ状（ジグザグ状）の配線でもよい。さらに、導体配線２１１は、直線状でも良い。一般に導体配線２１１を直線状よりも迂回状にしたほうが、上記共振のインダクタンスを大きくできるため、上記漏洩電磁波抑制帯域の低周波化を効果的に行える。
図３２は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第十四の実施の形態を、具体的に説明するための図である。図３２の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図３２の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造４１の斜視図である。
図３２において、人工インピーダンス導体３３は、図５にて示されたのと基本的には同様の単位構造４１によって構成されている。本実施形態においては、単位構造４１の基準導体４３に、開口部２１０が形成されている。基準導体４３と導体ポスト４５は、開口部２１０に設けられたスパイラル状の導体配線２１１によって接続されている。
このように、基準導体４３にスパイラル状の導体配線２１１の追加することにより、共振のインダクタンスを大きくできるため、結果として漏洩電磁波抑制帯域の低周波化が可能となる。
本実施の形態では、導体ポスト４５と基準導体５３をスパイラル状の導体配線２１１で接続している。しかしながら、導体配線２１１は、金属導体の配線であれば必ずしもスパイラル状である必要はない。導体配線２１１は、例えば、ミランダ状（ジグザグ状）の配線でもよい。さらに、導体配線２１１は、直線状でも良い。一般に導体配線２１１を直線状よりも迂回状にしたほうが、上記共振のインダクタンスを大きくできるため、上記漏洩電磁波抑制帯域の低周波化を効果的に行える。
（第十五の実施形態）
図３３は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第十五の実施の形態を、具体的に説明するための図である。図３３の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図３３の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造４１の斜視図である。
図３３において、人工インピーダンス導体３３は、図５にて示されたのと基本的には同様の単位構造４１によって構成されている。本実施形態においては、単位構造４１のパッチ導体４４に開口部２１２が形成されている。導体ポスト４５とパッチ導体４４とは、開口部２１２に設けられたスパイラル状の導体配線２１３によって接続されている。
このように、パッチ導体４４にスパイラル状の導体配線２１３を追加することにより、共振のインダクタンスを大きくできるため、結果として漏洩電磁波抑制帯域の低周波化が可能となる。
本実施の形態では、導体ポスト４５とパッチ導体４４とをスパイラル状の導体配線２１３で接続している。しかしながら、導体配線２１３は、金属導体の配線であれば必ずしもスパイラル状である必要はない。導体配線２１３は、例えば、ミランダ状（ジグザグ状）の配線でもよい。さらに、導体配線２１３は直線状でも良い。一般に導体配線２１３を直線状よりも迂回状にしたほうが、上記共振のインダクタンスを大きくできるため、上記漏洩電磁波抑制帯域の低周波化を効果的に行える。
図３３は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第十五の実施の形態を、具体的に説明するための図である。図３３の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図３３の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造４１の斜視図である。
図３３において、人工インピーダンス導体３３は、図５にて示されたのと基本的には同様の単位構造４１によって構成されている。本実施形態においては、単位構造４１のパッチ導体４４に開口部２１２が形成されている。導体ポスト４５とパッチ導体４４とは、開口部２１２に設けられたスパイラル状の導体配線２１３によって接続されている。
このように、パッチ導体４４にスパイラル状の導体配線２１３を追加することにより、共振のインダクタンスを大きくできるため、結果として漏洩電磁波抑制帯域の低周波化が可能となる。
本実施の形態では、導体ポスト４５とパッチ導体４４とをスパイラル状の導体配線２１３で接続している。しかしながら、導体配線２１３は、金属導体の配線であれば必ずしもスパイラル状である必要はない。導体配線２１３は、例えば、ミランダ状（ジグザグ状）の配線でもよい。さらに、導体配線２１３は直線状でも良い。一般に導体配線２１３を直線状よりも迂回状にしたほうが、上記共振のインダクタンスを大きくできるため、上記漏洩電磁波抑制帯域の低周波化を効果的に行える。
（第十六の実施形態）
図３４は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第十六の実施の形態を、具体的に説明するための図である。図３４の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図３４の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造４１の斜視図である。
図３４に示す単位構造４１は、図５にて示された人工インピーダンス導体３３を構成する単位構造４１のパッチ導体４４の代わりに、終端開放の配線状導体２３１を備える。単位構造４１にパッチ導体４４に代えて終端開放の配線状導体２３１を設けることにより、おおよそ電磁波の波長の４分の１の奇数倍に相当する周波数で共振が生じる。このため、結果として人工インピーダンス導体３３としての機能を果たすことになるため、漏洩電磁波抑制が可能となる。
本実施の形態では、終端開放の配線状導体２３１をスパイラル状とした。しかしながら、配線状導体２３１は金属配線であれば必ずしもスパイラル状である必要はない。例えば、配線状導体２３１はミランダ状（ジグザグ状）の配線でもよい。さらに、配線状導体２３１は直線状でも良い。
また、図３４では配線上導体２３１は、電磁波伝播シート１４の絶縁層２３に接さないような構造となっているが、絶縁層２３に接する構造となっていても良い。
図３４は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第十六の実施の形態を、具体的に説明するための図である。図３４の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図３４の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造４１の斜視図である。
図３４に示す単位構造４１は、図５にて示された人工インピーダンス導体３３を構成する単位構造４１のパッチ導体４４の代わりに、終端開放の配線状導体２３１を備える。単位構造４１にパッチ導体４４に代えて終端開放の配線状導体２３１を設けることにより、おおよそ電磁波の波長の４分の１の奇数倍に相当する周波数で共振が生じる。このため、結果として人工インピーダンス導体３３としての機能を果たすことになるため、漏洩電磁波抑制が可能となる。
本実施の形態では、終端開放の配線状導体２３１をスパイラル状とした。しかしながら、配線状導体２３１は金属配線であれば必ずしもスパイラル状である必要はない。例えば、配線状導体２３１はミランダ状（ジグザグ状）の配線でもよい。さらに、配線状導体２３１は直線状でも良い。
また、図３４では配線上導体２３１は、電磁波伝播シート１４の絶縁層２３に接さないような構造となっているが、絶縁層２３に接する構造となっていても良い。
（第十七の実施形態）
図３５は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第十七の実施の形態を、具体的に説明するための図である。
図３５においては、図３４にて示された配線状導体２３１と基準導体４３との間に、人工インピーダンス導体中間層７１が設けられている。人工インピーダンス導体中間層７１は、漏洩電磁波層３５を構成する媒質の誘電率よりも高い誘電率を有する物質で形成されている。このように人工インピーダンス導体中間層７１を高い誘電率を有する物質で形成することにより、電磁波の波長の４分の１の奇数倍に相当する周波数の波長が短くなるため、特定の周波数で共振する単位構造の寸法を小さくすることが可能となる。例えばプリント回路基板に使用されるＢＣ（Ｂｕｒｉｅｄ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）基板を漏洩電磁波抑制部３０に採用することにより、本構成は実現することができる。
このような構成においても、スパイラル状の配線状導体２３１と基準導体５３の間に高誘電率を有する材料を用いることにより、人工インピーダンス導体単位構造４１を小型化できる。
本実施の形態では、終端開放の配線２３１をスパイラル状に構成した。しかしながら、配線状導体２３１は金属配線であれば必ずしもスパイラル状である必要はない。例えば、配線２３１はミランダ状（ジグザグ状）の配線でもよい。さらに、配線２３１は直線状でも良い。
本実施の形態では、配線状導体２３１と基準導体４３の間の層に高い誘電率を有する物質を用いたが、これに限られない。配線状導体２３１と電磁波伝播層２１との間の少なくとも一層以上の層に、他の層よりも高い誘電率を有する物質を用いても、上述と同様にして、特定の周波数で共振する単位構造の寸法を小さくすることができる。この場合、配線状導体２３１と上記高い誘電率を有する物質が接していることが望ましいが、必ずしも接していなくても良い。
図３５は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第十七の実施の形態を、具体的に説明するための図である。
図３５においては、図３４にて示された配線状導体２３１と基準導体４３との間に、人工インピーダンス導体中間層７１が設けられている。人工インピーダンス導体中間層７１は、漏洩電磁波層３５を構成する媒質の誘電率よりも高い誘電率を有する物質で形成されている。このように人工インピーダンス導体中間層７１を高い誘電率を有する物質で形成することにより、電磁波の波長の４分の１の奇数倍に相当する周波数の波長が短くなるため、特定の周波数で共振する単位構造の寸法を小さくすることが可能となる。例えばプリント回路基板に使用されるＢＣ（Ｂｕｒｉｅｄ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）基板を漏洩電磁波抑制部３０に採用することにより、本構成は実現することができる。
このような構成においても、スパイラル状の配線状導体２３１と基準導体５３の間に高誘電率を有する材料を用いることにより、人工インピーダンス導体単位構造４１を小型化できる。
本実施の形態では、終端開放の配線２３１をスパイラル状に構成した。しかしながら、配線状導体２３１は金属配線であれば必ずしもスパイラル状である必要はない。例えば、配線２３１はミランダ状（ジグザグ状）の配線でもよい。さらに、配線２３１は直線状でも良い。
本実施の形態では、配線状導体２３１と基準導体４３の間の層に高い誘電率を有する物質を用いたが、これに限られない。配線状導体２３１と電磁波伝播層２１との間の少なくとも一層以上の層に、他の層よりも高い誘電率を有する物質を用いても、上述と同様にして、特定の周波数で共振する単位構造の寸法を小さくすることができる。この場合、配線状導体２３１と上記高い誘電率を有する物質が接していることが望ましいが、必ずしも接していなくても良い。
（第十八の実施形態）
図３６は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第十八の実施形態を、具体的に説明するための図である。図３６の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図３６の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造４１の斜視図である。
図３６に示す単位構造４１は、図５で示された単位構造４１と比較して、導体ポスト４５の寸法が２種類以上ある点において相違する。導体ポスト４５の寸法の異なる人工インピーダンス導体単位構造４１同士が隣り合っている。さらに、隣り合うパッチ導体４４は基準導体４３側から見て互いに重なり合うような位置関係にある。以上の実施形態を取ることにより、隣接するパッチ導体間の容量結合を稼げるため、漏洩電磁波抑制帯域の低周波化が可能となる。
また、図３６に示す工インピーダンス導体３３の第十八の実施形態の変形例として、図３７および図３８に示すように、長さの異なる導体ポスト４５のうち、どちらか一方を省いても良い。いずれの場合においても、隣り合う人工インピーダンス導体単位構造４１の容量結合を、導体ポスト４５を省いたパッチ導体で稼ぐことにより、漏洩電磁波抑制帯域の低周波化を可能にする。
図３６は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第十八の実施形態を、具体的に説明するための図である。図３６の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図３６の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造４１の斜視図である。
図３６に示す単位構造４１は、図５で示された単位構造４１と比較して、導体ポスト４５の寸法が２種類以上ある点において相違する。導体ポスト４５の寸法の異なる人工インピーダンス導体単位構造４１同士が隣り合っている。さらに、隣り合うパッチ導体４４は基準導体４３側から見て互いに重なり合うような位置関係にある。以上の実施形態を取ることにより、隣接するパッチ導体間の容量結合を稼げるため、漏洩電磁波抑制帯域の低周波化が可能となる。
また、図３６に示す工インピーダンス導体３３の第十八の実施形態の変形例として、図３７および図３８に示すように、長さの異なる導体ポスト４５のうち、どちらか一方を省いても良い。いずれの場合においても、隣り合う人工インピーダンス導体単位構造４１の容量結合を、導体ポスト４５を省いたパッチ導体で稼ぐことにより、漏洩電磁波抑制帯域の低周波化を可能にする。
（第十九の実施形態）
図３９は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第十九の実施形態を、具体的に説明するための図である。図３９の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図３９の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造５１の上面図である。
図３９においては、図８で示された人工インピーダンス導体単位構造５１の導体ポスト５４と上層パッチ導体５５の間に開口がある。導体ポスト５４と上層パッチ導体５５とをスパイラル状の配線状導体２６１で接続してある。このように、配線状導体２６１を追加することにより、共振のインダクタンスを大きくできるため、結果として漏洩電磁波抑制帯域の低周波化が可能となる。
図３９は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第十九の実施形態を、具体的に説明するための図である。図３９の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図３９の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造５１の上面図である。
図３９においては、図８で示された人工インピーダンス導体単位構造５１の導体ポスト５４と上層パッチ導体５５の間に開口がある。導体ポスト５４と上層パッチ導体５５とをスパイラル状の配線状導体２６１で接続してある。このように、配線状導体２６１を追加することにより、共振のインダクタンスを大きくできるため、結果として漏洩電磁波抑制帯域の低周波化が可能となる。
本実施の形態では、導体ポスト５４と上層パッチ導体５５をスパイラル状の導体配線で接続している。しかしながら、配線状導体２６１は、金属導体の配線であれば必ずしもスパイラル状である必要はない。配線状導体２６１は、例えば、ミランダ状（ジグザグ状）の配線でもよい。配線状導体２６１は、直線状でも良い。一般に配線状導体２６１を直線状よりも迂回状にしたほうが、上記共振のインダクタンスを大きくできるため、上記漏洩電磁波抑制帯域の低周波化を効果的に行える。
（第二十の実施形態）
図４０は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第二十の実施形態を、具体的に説明するための図である。図４０の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図４０の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造５１の下面図である。
図４０においては、図８で示された人工インピーダンス導体単位構造５１の導体ポスト５４と基準導体５３の間に開口がある。導体ポスト５４と基準導体５３との間をスパイラル状の配線状導体２７１で接続している。このように、配線状導体２７１を追加することにより、共振のインダクタンスを大きくできるため、結果として漏洩電磁波抑制帯域の低周波化が可能となる。
図４０は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第二十の実施形態を、具体的に説明するための図である。図４０の（ａ）部は、漏洩電磁波抑制部３０を示す。図４０の（ｂ）部は、人工インピーダンス導体単位構造５１の下面図である。
図４０においては、図８で示された人工インピーダンス導体単位構造５１の導体ポスト５４と基準導体５３の間に開口がある。導体ポスト５４と基準導体５３との間をスパイラル状の配線状導体２７１で接続している。このように、配線状導体２７１を追加することにより、共振のインダクタンスを大きくできるため、結果として漏洩電磁波抑制帯域の低周波化が可能となる。
本実施の形態では、導体ポスト５４と基準導体５３をスパイラル状の導体配線で接続してある。しかしながら、配線状導体２７１は、金属導体の配線であれば必ずしもスパイラル状である必要はない。配線状導体２７１は、例えば、ミランダ状（ジグザグ状）の配線でもよい。さらに、配線状導体２７１は、直線状でも良い。一般に配線状導体２７１を直線状よりも迂回状にしたほうが、上記共振のインダクタンスを大きくできるため、上記漏洩電磁波抑制帯域の低周波化を効果的に行える。
（第二十一の実施形態）
図４１は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第二十一の実施形態を、具体的に説明するための図である。
図４１に示す構成は、図５で示した構成とほぼ同様であるが、電磁波伝播シート１４の絶縁層２３とパッチ導体４４とが近接した状態となっている点において相違する。このように絶縁層２３とパッチ導体４４とが近接していることにより、電磁波伝播シート１４の表面との容量結合を用いた共振を有効に利用することができる。その結果、漏洩電磁波抑制帯域の低周波化が可能となる。
絶縁層２３とパッチ導体４４との距離は、できるだけ近接している方が上記効果の面で望ましい。絶縁層２３とパッチ導体４４とを互いに接触させることがより望ましい。さらに、上記効果の面で、絶縁層２３の誘電率を意図的に高くすることにより、パッチ導体４４と電磁波伝播シート１４の表面導体層、すなわちメッシュ層２２との容量結合を用いた共振を有効に生かすことも可能である。給電装置部１１や受信装置部１５の底面に絶縁層１１ａ（１５ａ）をコーティングした場合は、上記効果の面で、該当絶縁層１１ａ（１５ａ）の誘電率を意図的に高くすることにより、パッチ導体４４と電磁波伝播シート１４の表面導体層、すなわちメッシュ層２２との容量結合を用いた共振を有効に生かすことが可能である。
本実施形態は、電磁波伝播シート１４の表面との容量結合を用いた共振を活用する他の実施形態にも同様に適用可能である。例えば、第十四の実施の形態（図３２）や、第十五の実施の形態（図３３）、第十八の実施の形態（図３６〜３８）において、人工インピーダンス導体単位構造を絶縁層２３に接する構造としても良い。
図４１は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第二十一の実施形態を、具体的に説明するための図である。
図４１に示す構成は、図５で示した構成とほぼ同様であるが、電磁波伝播シート１４の絶縁層２３とパッチ導体４４とが近接した状態となっている点において相違する。このように絶縁層２３とパッチ導体４４とが近接していることにより、電磁波伝播シート１４の表面との容量結合を用いた共振を有効に利用することができる。その結果、漏洩電磁波抑制帯域の低周波化が可能となる。
絶縁層２３とパッチ導体４４との距離は、できるだけ近接している方が上記効果の面で望ましい。絶縁層２３とパッチ導体４４とを互いに接触させることがより望ましい。さらに、上記効果の面で、絶縁層２３の誘電率を意図的に高くすることにより、パッチ導体４４と電磁波伝播シート１４の表面導体層、すなわちメッシュ層２２との容量結合を用いた共振を有効に生かすことも可能である。給電装置部１１や受信装置部１５の底面に絶縁層１１ａ（１５ａ）をコーティングした場合は、上記効果の面で、該当絶縁層１１ａ（１５ａ）の誘電率を意図的に高くすることにより、パッチ導体４４と電磁波伝播シート１４の表面導体層、すなわちメッシュ層２２との容量結合を用いた共振を有効に生かすことが可能である。
本実施形態は、電磁波伝播シート１４の表面との容量結合を用いた共振を活用する他の実施形態にも同様に適用可能である。例えば、第十四の実施の形態（図３２）や、第十五の実施の形態（図３３）、第十八の実施の形態（図３６〜３８）において、人工インピーダンス導体単位構造を絶縁層２３に接する構造としても良い。
（第二十二の実施形態）
図４２は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第二十二の実施形態を、具体的に説明するための図である。
図４２に示す構成は、図２０で示した構成とほぼ同様であるが、電磁波伝播シート１４の絶縁層２３とパッチ導体４４との間に、人工インピーダンス導体中間層７１よりも高い誘電率を有する誘電体層２８０が設けられている点において相違する。このように自身の上層となる人工インピーダンス導体中間層７１よりも高い誘電率を有する誘電体層２８０が設けられていることで、パッチ導体４４が絶縁層２３に接触あるいは近接していない状態でも、漏洩電磁波抑制帯域の低周波化が可能となる。さらに、上記効果の面で、絶縁層２３の誘電率を意図的に高くすることにより、パッチ導体４４と電磁波伝播シート１４の表面導体層、すなわちメッシュ層２２との容量結合を用いた共振を有効に生かすことも可能である。給電装置部１１や受信装置部１５の底面に絶縁層１１ａ（１５ａ）をコーティングした場合は、上記効果の面で、該当絶縁層１１ａ（１５ａ）の誘電率を意図的に高くすることにより、パッチ導体４４と電磁波伝播シート１４の表面導体層、すなわちメッシュ層２２との容量結合を用いた共振を有効に生かすことが可能である。
図４２は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第二十二の実施形態を、具体的に説明するための図である。
図４２に示す構成は、図２０で示した構成とほぼ同様であるが、電磁波伝播シート１４の絶縁層２３とパッチ導体４４との間に、人工インピーダンス導体中間層７１よりも高い誘電率を有する誘電体層２８０が設けられている点において相違する。このように自身の上層となる人工インピーダンス導体中間層７１よりも高い誘電率を有する誘電体層２８０が設けられていることで、パッチ導体４４が絶縁層２３に接触あるいは近接していない状態でも、漏洩電磁波抑制帯域の低周波化が可能となる。さらに、上記効果の面で、絶縁層２３の誘電率を意図的に高くすることにより、パッチ導体４４と電磁波伝播シート１４の表面導体層、すなわちメッシュ層２２との容量結合を用いた共振を有効に生かすことも可能である。給電装置部１１や受信装置部１５の底面に絶縁層１１ａ（１５ａ）をコーティングした場合は、上記効果の面で、該当絶縁層１１ａ（１５ａ）の誘電率を意図的に高くすることにより、パッチ導体４４と電磁波伝播シート１４の表面導体層、すなわちメッシュ層２２との容量結合を用いた共振を有効に生かすことが可能である。
（第二十三の実施形態）
図４３は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第二十三の実施形態を、具体的に説明するための図である。
図４３に示す単位構造４１Ａ、４１Ｂは、図５で示された単位構造４１と比較して、２種類以上の寸法の導体ポスト４５Ａ、４５Ｂが設けられている点において相違する。また、導体ポスト４５Ａが設けられた単位構造４１Ａと導体ポスト４５Ｂが設けられた単位構造４１Ｂとが隣り合っている。さらに、隣り合う、単位構造４１Ａのパッチ導体４４Ａと単位構造４１Ｂのパッチ導体４４Ｂとは、基準導体４３側から見て互いに重なり合うような位置関係にある。また、最も長い導体ポスト４５Ａを有する単位構造４１Ａにおけるパッチ導体４４Ａが絶縁層２３と接触または近接しているのに対して、導体ポスト４５Ａより短い他方の導体ポスト４５Ｂを有する人工インピーダンス導体単位構造４１Ｂにおけるパッチ導体４４Ｂは、絶縁層２３と離間している。絶縁層２３とパッチ導体４４Ｂの間には、自身の上層となる人工インピーダンス導体中間層７１よりも高い誘電率を有する誘電体層２８０が設けられている。
図４３は、漏洩電磁波抑制部３０に関して、人工インピーダンス導体３３の第二十三の実施形態を、具体的に説明するための図である。
図４３に示す単位構造４１Ａ、４１Ｂは、図５で示された単位構造４１と比較して、２種類以上の寸法の導体ポスト４５Ａ、４５Ｂが設けられている点において相違する。また、導体ポスト４５Ａが設けられた単位構造４１Ａと導体ポスト４５Ｂが設けられた単位構造４１Ｂとが隣り合っている。さらに、隣り合う、単位構造４１Ａのパッチ導体４４Ａと単位構造４１Ｂのパッチ導体４４Ｂとは、基準導体４３側から見て互いに重なり合うような位置関係にある。また、最も長い導体ポスト４５Ａを有する単位構造４１Ａにおけるパッチ導体４４Ａが絶縁層２３と接触または近接しているのに対して、導体ポスト４５Ａより短い他方の導体ポスト４５Ｂを有する人工インピーダンス導体単位構造４１Ｂにおけるパッチ導体４４Ｂは、絶縁層２３と離間している。絶縁層２３とパッチ導体４４Ｂの間には、自身の上層となる人工インピーダンス導体中間層７１よりも高い誘電率を有する誘電体層２８０が設けられている。
以上の実施形態により、隣接するパッチ導体間の容量結合を稼げる。また、最も長い導体ポスト４５Ａを有する人工インピーダンス導体単位構造４１Ａにおいては、電磁波伝播シート１４の表面との容量結合を用いた共振を有効に利用することができる。このため、漏洩電磁波抑制帯域の低周波化を図ることができる。さらに、導体ポスト４５Ａより短い他方の導体ポスト４５Ｂを有する人工インピーダンス導体単位構造４１Ｂでも、パッチ導体４４Ｂと絶縁層２３との間に誘電体層２８０が設けられていることにより、漏洩電磁波抑制帯域の低周波化を図ることができる。さらに、上記効果の面で、絶縁層２３の誘電率を意図的に高くすることにより、パッチ導体４４Ａ、４４Ｂと電磁波伝播シート１４の表面導体層、すなわちメッシュ層２２との容量結合を用いた共振を有効に生かすことも可能である。給電装置部１１や受信装置部１５の底面に絶縁層１１ａ（１５ａ）をコーティングした場合は、上記効果の面で、該当絶縁層１１ａ(１５ａ)の誘電率を意図的に高くすることにより、パッチ導体４４Ａ、４４Ｂと電磁波伝播シート１４の表面導体層、すなわちメッシュ層２２との容量結合を用いた共振を有効に生かすことが可能である。
また、図４３の第二十三の実施形態の変形例として、図４４および図４５に示すように、長さの異なる導体ポスト４５Ａ，４５Ｂのうち、どちらか一方を省いても良い。この場合、隣り合う人工インピーダンス導体単位構造４１の容量結合を、導体ポスト４５Ａ（４５Ｂ）を省いたパッチ導体で稼ぐことにより、漏洩電磁波抑制帯域の低周波化を可能にする。
また、図４３の第二十三の実施形態の変形例として、図４４および図４５に示すように、長さの異なる導体ポスト４５Ａ，４５Ｂのうち、どちらか一方を省いても良い。この場合、隣り合う人工インピーダンス導体単位構造４１の容量結合を、導体ポスト４５Ａ（４５Ｂ）を省いたパッチ導体で稼ぐことにより、漏洩電磁波抑制帯域の低周波化を可能にする。
本発明のサーフェイス通信装置は、図面を参照して説明した上述の各実施形態に限定されるものではなく、その技術的範囲において様々な変形例が考えられる。
例えば、上記各実施形態に挙げた各構成要素や各処理プロセスの組合せに、様々な変形例が可能である。
また、上記各実施形態では、給電装置部１１及び受信装置部１５の両方を備える構成であったが、いずれか一方を備える構成としても良い。例えば、給電装置部１５のみを備える構成として、受信装置部１５へ供給される電磁波を接触給電によって行っても良い。若しくは、受信装置部１５のみを備える構成として、給電装置部１１へ供給される電磁波を接触給電によって行っても良い。
また、上記の場合において、給電装置部１１、受信装置部１５の両方を備える構成としたが、接触給電を用いる側の装置部は、別の処理プロセスで付け加えて、本発明の実施形態の構成要素から除いても良い。また、上記各実施形態では、漏洩電磁波抑制部３０によって囲まれる送信電磁波結合部１３は、互いに絶縁された放射導体１３ａと基準導体１３ｂから構成されるパッチアンテナ構造を例として示してあるが、上述の形状に限定されず、電磁波結合部として適用可能な構造であれば様々な変形例が可能である。例えば、放射導体１３ａが線状、もしくは配線状になっていても良く、さらには放射導体１３ａと基準導体１３ｂは絶縁されていなくても良い。上述の絶縁されていない例としては、ループアンテナ形状や板状逆Ｆ型アンテナ形状、ショートスタブ形状等も含まれる。さらに、受信電磁波結合部１６が漏洩電磁波抑制部３０によって囲まれる場合においても、上述の送信電磁波結合部１３の場合と同様にして、電磁波結合部として適用可能な構造であれば様々な変形例が可能である。例えば、基本構成の説明では受信導体として、放射導体１３ａ同様のパッチアンテナ構造を有することで想定したが、上述の形状に限定されず、線状導体、もしくは配線状導体を備えていても良い。さらには受信導体と基準導体とが絶縁されていても、されていなくても良い。上述の絶縁されていない例としては、例えばループアンテナ形状や板状逆Ｆ型アンテナ形状、ショートスタブ形状等も含まれる。
また、本発明の実施の形態では、放射導体もしくは受信導体が電磁波結合部内部にある構造を例として示したが、かならずしも電磁波結合部の内部になくてもよい。例えば、電磁波発生部側に放射導体があり、電磁波発生部と電磁波結合部の境界部に開口部を設けることにより、電磁波の入出力を行えるようにしてもよい。
放射導体、もしくは受信導体が電磁波結合部内部に無い場合、例えば、本発明の第二の実施の形態、および第三の実施の形態における人工インピーダンス単位導体構造６１は、図４６および図４７に示すように、絶縁層２３と接触させることも可能である。本発明の第五、第八、第十二、第十三、第十九、第二十の実施の形態等も同様である。さらに、電磁波送信部、もしくは電磁波受信部着脱時の安全性を考慮し、人工インピーダンス単位導体構造側の絶縁層２３との接触面に、絶縁層をコーティングしてもよい。さらに、本発明の第六の実施の形態にあるように、シールド用導体が人工インピーダンス単位導体構造の上側に搭載されていてもよい。
さらに、上記各実施形態では、放射導体、もしくは受信導体が電磁波伝播シート１４に接する構造を例として示してあるが、必ずしも接していなくても良い。
また、本実施形態では、電磁波伝播シート１４のメッシュ層２２の開口面の形状が、矩形である例を図２に示してあるが、矩形に限定されず、電磁波伝播シートとして適用可能な構造であれば、様々な形状の開口形状への変形が可能である。例えば、開口形状を六角形、三角形、あるいは円形としても良い。
これ以外にも、本発明の主旨を逸脱しない限り、上記実施の形態で挙げた構成を取捨選択し、他の構成に適宜変更することが可能である。
例えば、上記各実施形態に挙げた各構成要素や各処理プロセスの組合せに、様々な変形例が可能である。
また、上記各実施形態では、給電装置部１１及び受信装置部１５の両方を備える構成であったが、いずれか一方を備える構成としても良い。例えば、給電装置部１５のみを備える構成として、受信装置部１５へ供給される電磁波を接触給電によって行っても良い。若しくは、受信装置部１５のみを備える構成として、給電装置部１１へ供給される電磁波を接触給電によって行っても良い。
また、上記の場合において、給電装置部１１、受信装置部１５の両方を備える構成としたが、接触給電を用いる側の装置部は、別の処理プロセスで付け加えて、本発明の実施形態の構成要素から除いても良い。また、上記各実施形態では、漏洩電磁波抑制部３０によって囲まれる送信電磁波結合部１３は、互いに絶縁された放射導体１３ａと基準導体１３ｂから構成されるパッチアンテナ構造を例として示してあるが、上述の形状に限定されず、電磁波結合部として適用可能な構造であれば様々な変形例が可能である。例えば、放射導体１３ａが線状、もしくは配線状になっていても良く、さらには放射導体１３ａと基準導体１３ｂは絶縁されていなくても良い。上述の絶縁されていない例としては、ループアンテナ形状や板状逆Ｆ型アンテナ形状、ショートスタブ形状等も含まれる。さらに、受信電磁波結合部１６が漏洩電磁波抑制部３０によって囲まれる場合においても、上述の送信電磁波結合部１３の場合と同様にして、電磁波結合部として適用可能な構造であれば様々な変形例が可能である。例えば、基本構成の説明では受信導体として、放射導体１３ａ同様のパッチアンテナ構造を有することで想定したが、上述の形状に限定されず、線状導体、もしくは配線状導体を備えていても良い。さらには受信導体と基準導体とが絶縁されていても、されていなくても良い。上述の絶縁されていない例としては、例えばループアンテナ形状や板状逆Ｆ型アンテナ形状、ショートスタブ形状等も含まれる。
また、本発明の実施の形態では、放射導体もしくは受信導体が電磁波結合部内部にある構造を例として示したが、かならずしも電磁波結合部の内部になくてもよい。例えば、電磁波発生部側に放射導体があり、電磁波発生部と電磁波結合部の境界部に開口部を設けることにより、電磁波の入出力を行えるようにしてもよい。
放射導体、もしくは受信導体が電磁波結合部内部に無い場合、例えば、本発明の第二の実施の形態、および第三の実施の形態における人工インピーダンス単位導体構造６１は、図４６および図４７に示すように、絶縁層２３と接触させることも可能である。本発明の第五、第八、第十二、第十三、第十九、第二十の実施の形態等も同様である。さらに、電磁波送信部、もしくは電磁波受信部着脱時の安全性を考慮し、人工インピーダンス単位導体構造側の絶縁層２３との接触面に、絶縁層をコーティングしてもよい。さらに、本発明の第六の実施の形態にあるように、シールド用導体が人工インピーダンス単位導体構造の上側に搭載されていてもよい。
さらに、上記各実施形態では、放射導体、もしくは受信導体が電磁波伝播シート１４に接する構造を例として示してあるが、必ずしも接していなくても良い。
また、本実施形態では、電磁波伝播シート１４のメッシュ層２２の開口面の形状が、矩形である例を図２に示してあるが、矩形に限定されず、電磁波伝播シートとして適用可能な構造であれば、様々な形状の開口形状への変形が可能である。例えば、開口形状を六角形、三角形、あるいは円形としても良い。
これ以外にも、本発明の主旨を逸脱しない限り、上記実施の形態で挙げた構成を取捨選択し、他の構成に適宜変更することが可能である。
この出願は、２００９年１０月３０日に出願された日本出願特願２００９−２５１２８１、および２０１０年２月２６日に出願された日本出願特願２０１０−０４３２８０を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
本発明の実施形態は、エネルギーとしての電力を給電装置側から受信装置側に伝播する目的のサーフェイス通信装置で使用することが可能である。それと同時に、通信データとしての電力を給電装置側から受信装置側に伝播する目的のサーフェイス通信装置で使用することも可能である。例えば、複数の給電装置と受信装置の対を電磁波伝播シートに搭載し、一部の給電装置と受信装置の対ではエネルギーとしての電力を伝播させ、残りの給電装置と受信装置の対では通信データとしての電力を給電装置側から受信装置側に伝播させる、という目的で使用することも可能である。
１０ 送信電磁波部
１１ 給電装置部（電磁波送信部）
１２ 電磁波発生部
１３ 送信電磁波結合部
１４ 電磁波伝播シート（電磁波伝搬部）
１５ 受信装置部（電磁波受信部）
１６ 受信電磁波結合部（電磁波結合部）
１７ 電磁波出力部
２０ 導体プレーン層
２１ 電磁波伝播層
２２ メッシュ層
２３ 絶縁層
３０ 漏洩電磁波抑制部
３３ 人工インピーダンス導体
３４ 空間層
３５ 漏洩電磁波層
４１、４１Ａ、４１Ｂ、５１、６１ 人工インピーダンス導体単位構造
４３、５３ 基準導体
４４、４４Ａ、４４Ｂ、６３ パッチ導体
４５、４５Ａ、４５Ｂ、５４ 導体ポスト
５５ 上層パッチ導体
６４ 接続配線
７１、８１ 人工インピーダンス導体中間層
９１ シールド用導体プレーン（第二の導体）
９２ シールド用導体ポスト（第二の導体ポスト）
１５２、１６１ 導体ポスト
２１０、２１２ 開口部
２１１、２１３、２５１、２６１ 配線状導体
２３１ 終端開放の配線状導体
２８０ 誘電体層
１１ 給電装置部（電磁波送信部）
１２ 電磁波発生部
１３ 送信電磁波結合部
１４ 電磁波伝播シート（電磁波伝搬部）
１５ 受信装置部（電磁波受信部）
１６ 受信電磁波結合部（電磁波結合部）
１７ 電磁波出力部
２０ 導体プレーン層
２１ 電磁波伝播層
２２ メッシュ層
２３ 絶縁層
３０ 漏洩電磁波抑制部
３３ 人工インピーダンス導体
３４ 空間層
３５ 漏洩電磁波層
４１、４１Ａ、４１Ｂ、５１、６１ 人工インピーダンス導体単位構造
４３、５３ 基準導体
４４、４４Ａ、４４Ｂ、６３ パッチ導体
４５、４５Ａ、４５Ｂ、５４ 導体ポスト
５５ 上層パッチ導体
６４ 接続配線
７１、８１ 人工インピーダンス導体中間層
９１ シールド用導体プレーン（第二の導体）
９２ シールド用導体ポスト（第二の導体ポスト）
１５２、１６１ 導体ポスト
２１０、２１２ 開口部
２１１、２１３、２５１、２６１ 配線状導体
２３１ 終端開放の配線状導体
２８０ 誘電体層
Claims (32)
- 電磁波を伝搬するシート形状を有する電磁波伝搬部と、
前記電磁波伝搬部上に、前記電磁波伝搬部とは非導通状態で配置され、前記電磁波伝搬部に電磁波を供給する給電装置部、および、前記電磁波伝搬部上に、前記電磁波伝搬部とは非導通状態で配置され、前記電磁波伝搬部を介して伝搬される前記電磁波を受信する受信装置部の少なくとも一方と、を備え、
前記給電装置部および前記受信装置部の少なくとも一方は、
前記電磁波伝搬部に対する電磁波の送信または前記電磁波伝搬部からの前記電磁波の受信を行う電磁波結合部と、
前記電磁波結合部を取り囲むように、前記電磁波伝搬部の表面に沿って配列される複数の導体の単位構造を有し、前記電磁波結合部と前記電磁波伝搬部との間からの電磁波の漏洩を抑制する電磁波抑制部と、
を備えるサーフェイス通信装置。 - 電磁波を伝搬するシート形状を有する電磁波伝搬部と、
前記電磁波伝搬部に電磁波を供給する給電装置部と、
前記電磁波伝搬部を介して伝搬される前記電磁波を受信する受信装置部と、を備え、
前記給電装置部および前記受信装置部の少なくとも一方が、前記電磁波伝搬部上に、前記電磁波伝搬部とは非導通状態で配置され、
前記給電装置部および前記受信装置部の少なくとも一方は、
前記電磁波伝搬部に対する電磁波の送信または前記電磁波伝搬部からの前記電磁波の受信を行う電磁波結合部と、
前記電磁波結合部を取り囲むように、前記電磁波伝搬部の表面に沿って配列される複数の導体の単位構造を有し、前記電磁波結合部と前記電磁波伝搬部との間からの電磁波の漏洩を抑制する電磁波抑制部と、
を備えるサーフェイス通信装置。 - 前記導体の単位構造が、前記電磁波伝搬部と間隔を隔てて対向する板形状を有する基準導体と、
前記基準導体に対向する板形状を有するパッチ導体と、
前記基準導体と前記パッチ導体とを接続する導体ポストとからなる請求項１または２に記載のサーフェイス通信装置。 - 複数の前記導体の単位構造の前記基準導体が一体化されている請求項３に記載のサーフェイス通信装置。
- 複数の隣り合う前記パッチ導体が基準導体側からみて互いに重なり合う請求項４に記載のサーフェイス通信装置。
- 複数の前記導体の単位構造の前記基準導体が、互いに分離したパッチ導体である請求項３に記載のサーフェイス通信装置。
- 前記パッチ導体は、前記基準導体と前記電磁波伝搬部との間に配置されている請求項３から６のいずれか一項に記載のサーフェイス通信装置。
- 前記基準導体と前記パッチ導体との間の層を満たす空間の誘電率が、前記パッチ導体と前記電磁波伝播部の表面との間を満たす少なくとも一つの層の誘電率よりも高い請求項７に記載のサーフェイス通信装置。
- 前記パッチ導体は、前記基準導体に対し、前記電磁波伝搬部とは反対側に配置されている請求項３から６のいずれか一項に記載のサーフェイス通信装置。
- 前記基準導体と前記パッチ導体との間の層を満たす空間の誘電率が、前記基準導体と前記電磁波伝播部の表面との間を満たす少なくとも一つの層の誘電率よりも高くなっている請求項９に記載のサーフェイス通信装置。
- 複数の前記導体の単位構造は、前記パッチ導体と前記導体ポストとの位置関係が互いに異なる２種類以上の導体の単位構造を含む請求項３から１０のいずれか一項に記載のサーフェイス通信装置。
- 複数の前記導体の単位構造は、前記パッチ導体の寸法が互いに異なる２種類以上の導体の単位構造を含む請求項３から１１のいずれか一項に記載のサーフェイス通信装置。
- 複数の前記導体の単位構造は、２本以上の前記導体ポストが接続されている前記パッチ導体を有する導体の単位構造を少なくとも一つ含む請求項３から１２のいずれか一項に記載のサーフェイス通信装置。
- 複数の前記導体の単位構造は、前記基準導体と前記パッチ導体とを接続する前記導体ポストの本数が互いに異なる２種類以上の導体の単位構造を含む請求項１３に記載のサーフェイス通信装置。
- 前記基準導体は、配線状導体が設けられた開口部を有し、前記基準導体と前記導体ポストとが前記配線状導体で接続されている請求項３から１４のいずれか一項に記載のサーフェイス通信装置。
- 前記パッチ導体は、配線状導体が設けられた開口部を有し、前記パッチ導体と導体ポストとが前記配線状導体で接続されている請求項３から１５のいずれか一項に記載のサーフェイス通信装置。
- 前記導体の単位構造が、前記電磁波伝搬部と間隔を隔てて対向する板形状を有する基準導体と、前記基準導体に対向する配線状導体と、前記基準導体と前記配線状導体とを接続する導体ポストとからなる請求項１または２に記載のサーフェイス通信装置。
- 前記配線状導体は、前記基準導体と前記電磁波伝搬部との間に配置されている請求項１７に記載のサーフェイス通信装置。
- 前記基準導体と前記配線状導体との間の層を含む、前記基準導体と前記電磁波伝播部の表面との間を満たす２つ以上の層のうち、少なくとも一つの層の誘電率は残りの層の誘電率よりも高いように構成されている請求項１８に記載のサーフェイス通信装置。
- 複数の前記導体の単位構造が、前記電磁波伝搬層に対向させて配置された複数のパッチ導体と、
互いに隣接する前記パッチ導体間を接続する配線導体とからなる請求項１または２に記載のサーフェイス通信装置。 - 前記配線導体と前記配線導体が接続された前記パッチ導体との位置関係が、複数の前記パッチ導体の少なくとも２つで異なる請求項２０に記載のサーフェイス通信装置。
- 複数の前記パッチ導体同士の間の少なくとも一箇所では、複数の前記配線導体により接続されている請求項２０または２１に記載のサーフェイス通信装置。
- 前記配線導体がミランダ状に形成されている請求項２０から２２のいずれか一項に記載のサーフェイス通信装置。
- 前記パッチ導体に接した層の誘電率が、前記パッチ導体と前記電磁波伝播部の表面との間を満たす少なくとも一つの層の誘電率よりも高い請求項２０から２３のいずれか一項に記載のサーフェイス通信装置。
- 前記基準導体に対し前記電磁波伝搬部とは反対側に、前記パッチ導体を覆うよう設けられた第二の導体と、
前記第二の導体の外周部において、前記パッチ導体を取り囲むよう設けられ、前記第二の導体と前記基準導体との間を接続する複数のシールド用の導体と、をさらに備える請求項３から２４のいずれか一項に記載のサーフェイス通信装置。 - 前記第二の導体と前記基準導体との間を接続する前記シールド用の導体が、導体ポストから構成される請求項２５記載のサーフェイス通信装置。
- 前記電磁波電伝播部の表面には、前記パッチ導体と絶縁する絶縁層が設けられ、前記パッチ導体の少なくとも一部が前記絶縁層と近接または接触している請求項３から２６のいずれか一項に記載のサーフェイス通信装置。
- 前記電磁波電伝播部の表面には、前記パッチ導体と絶縁する絶縁層が設けられ、前記パッチ導体の少なくとも一部と前記絶縁層との間には、前記絶縁層と反対側の層よりも高い誘電率を有する誘電体層が設けられている請求項３から２７のいずれか一項に記載のサーフェイス通信装置。
- 前記電磁波伝播部表面の絶縁層が、前記電磁波結合部を満たす少なくとも一つの層の誘電率よりも高い請求項３から２８のいずれか一項に記載のサーフェイス通信装置。
- 前記電磁波結合部には、前記電磁波伝播部と接する面に絶縁層がコーティングされている請求項３から２９のいずれか一項に記載のサーフェイス通信装置。
- 前記電磁波伝播層と接する面にコーティングされた絶縁層の誘電率が、前記パッチ導体と電磁波伝播部表面との間を満たす少なくとも一つの層の誘電率よりも高い請求項２９に記載のサーフェイス通信装置。
- 前記電磁波抑制部は、複数の前記導体の単位構造が一定のピッチで配列して構成されている請求項１から請求項３１のいずれか一項に記載のサーフェイス通信装置。
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