JP5624001B2 - 焼結体及びセラミックコンデンサ並びにこれらの製造方法 - Google Patents
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- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 117
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 36
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 19
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 9
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 35
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 11
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000001739 density measurement Methods 0.000 description 2
- NJSUFZNXBBXAAC-UHFFFAOYSA-N ethanol;toluene Chemical compound CCO.CC1=CC=CC=C1 NJSUFZNXBBXAAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
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Description
本発明は、セラミックコンデンサの誘電層材料として好適な焼結体とその製造方法、及びセラミックコンデンサとその製造方法に関する。
従来より、積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体層の材料として、チタン酸バリウムがよく用いられている。また、内部電極の材料としては、ＰｔやＰｂ合金が用いられることもあるが、高価であるため、比較的安価なＮｉやＮｉ合金等の卑金属がよく用いられるようになってきている。例えば、特許文献１参照。
ＮｉやＮｉ合金を内部電極に用いた場合には、Ｎｉの球状化収縮による内部電極の切れやデラミネーション（層間剥離）などを抑制する観点から、焼成温度は１１００℃以下にするのが望ましい。しかし、現状の材料では、１１００℃以下の低温焼成では焼結しない、もしくは緻密な焼結体を得ることが困難であった。
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、１１００℃以下の低温焼成でも、緻密で欠陥のない焼結体及びセラミックコンデンサ並びにこれらの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の焼結体は、主成分としてチタン酸バリウムを含み、この主成分に添加された副成分として、Ｋ、Ｂ、Ｓｉ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含むことを特徴としている。
また、本発明の焼結体は、主成分としてチタン酸バリウムを含み、この主成分に添加された副成分として、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含むことを特徴としている。
主成分（チタン酸バリウム）に対して、上述したような副成分を添加することで、１１００℃以下の低温焼成でも焼結可能であり、また緻密な焼結体が得られる。
また、本発明のセラミックコンデンサは、複数の電極と、これら電極間に設けられ、主成分（チタン酸バリウム）と上述の副成分とを含む誘電体層と、を備えたことを特徴としている。
誘電体層の低温焼成が可能になることで、電極の球状化収縮による電極の切れやデラミネーションなどの構造欠陥を抑制できる。
また、本発明の焼結体の製造方法は、チタン酸バリウムに、副成分の原料として、Ｋの化合物と、Ｂの化合物と、Ｓｉの化合物と、Ｍｇの化合物と、希土類元素の化合物とを添加して焼成することを特徴としている。
また、本発明の焼結体の製造方法は、チタン酸バリウムに、副成分の原料として、Ａｌの化合物と、Ｃｕの化合物と、Ｓｉの化合物と、Ｍｎの化合物と、Ｍｇの化合物と、希土類元素の化合物とを添加して焼成することを特徴としている。
また、本発明のセラミックコンデンサの製造方法は、チタン酸バリウムに、副成分の原料として、Ｋの化合物と、Ｂの化合物と、Ｓｉの化合物と、Ｍｇの化合物と、希土類元素の化合物とを添加したものを用いてシート状の誘電体層を形成する工程と、複数の誘電体層の間に電極を介在させてこれらを積層する工程と、を備えたことを特徴としている。
また、本発明のセラミックコンデンサの製造方法は、チタン酸バリウムに、副成分の原料として、Ａｌの化合物と、Ｃｕの化合物と、Ｓｉの化合物と、Ｍｎの化合物と、Ｍｇの化合物と、希土類元素の化合物とを添加したものを用いてシート状の誘電体層を形成する工程と、複数の誘電体層の間に電極を介在させてこれらを積層する工程と、を備えたことを特徴としている。
本発明によれば、焼結体の品質を損なわずに、従来よりも低温での焼成が可能になる。この結果、製造コストを下げることができ、また、電極の球状化収縮を抑制してコンデンサの容量低下を抑制することができる。
以下に、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態に係る焼結体は、主成分として、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を含み、この主成分に添加された副成分として、Ｋ、Ｂ、Ｓｉ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含む。希土類元素は、例えば、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏから選ばれる１種以上の元素である。また、副成分として、その他の元素、例えばＢａ、Ｍｎなどを含んでいてもよい。
本発明の第１の実施形態に係る焼結体は、主成分として、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を含み、この主成分に添加された副成分として、Ｋ、Ｂ、Ｓｉ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含む。希土類元素は、例えば、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏから選ばれる１種以上の元素である。また、副成分として、その他の元素、例えばＢａ、Ｍｎなどを含んでいてもよい。
このような焼結体は、チタン酸バリウムに、副成分の原料として、ＫとＢの水和物と、Ｓｉの化合物と、Ｍｇの化合物と、希土類元素の化合物とを添加し、これを還元性雰囲気で焼成することで得られる。チタン酸バリウムは、例えば、酸化チタンの粉末と炭酸バリウムの粉末とを混合して熱処理する固相法にて合成することができる。なお、固相法に限らず、水熱法、シュウ酸法、ゾルゲル法などによりチタン酸バリウムを合成してもよい。
本実施形態に係る焼結体によれば、主成分（チタン酸バリウム）に対して、上述のような副成分を添加することで、１１００℃以下の低温焼成でも焼結が可能になり、また、緻密な焼結体が得られた。さらに、低温での焼成により、製造コストの低減も図れる。
図１は、本実施形態に係るセラミックコンデンサの断面構造を例示する模式断面図である。
このセラミックコンデンサは、対向する内部電極２間に、上述の主成分及び副成分を含む誘電体層１が設けられた構造を有する。これは、上述の主成分及び副成分を含むものをシート状に成形したグリーンシートの片面に内部電極２を形成し、これを複数枚積層して焼成することで得られる。また、この積層体の側面には、内部電極２の端部に接続された外部電極３、４が設けられている。
内部電極２や外部電極３、４の材料としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ等の金属もしくはこれらの合金、Ｉｎ−Ｇａ、Ａｇ、Ａｇ−１０Ｐｄ合金等、または、カーボン、グラファイト、カーボンとグラファイトの混合物等を用いることができる。
内部電極２は、例えば、上記の主たる材料からなる粉末に、有機バインダ、分散剤、有機溶剤、必要に応じて還元剤等を所定量加えた後に混練し、所定の粘度とした導電ペーストを、グリーンシートの片面に所定のパターンとなるように印刷し、還元雰囲気中で焼成することにより形成される。内部電極２としては、比較的安価なＮｉまたはＮｉ合金が望ましい。
また、外部電極３、４としては、低抵抗で安価であることからＣｕが望ましい。外部電極３、４は、内部電極２及び誘電体層１からなる積層体に対して、その外側面に塗布法などを用いて形成される。
本実施形態に係るセラミックコンデンサによれば、１１００℃以下の低温焼成が可能になることから、特にＮｉやＮｉ合金を内部電極２に用いた場合でも、Ｎｉの球状化収縮を抑制でき、これに起因する電極の切れやデラミネーションなどの構造欠陥を防げる。これにより、コンデンサの容量低下を抑制できる。
次に、本実施形態に係るセラミックコンデンサの製造方法の一例について説明する。
まず、誘電体層の主成分ＢａＴｉＯ３の原料として、ＢａＣＯ３、ＴｉＯ２を、ＢａＴｉＯ３におけるＢａ／Ｔｉ比が１．０００〜１．０１１の範囲内となるように秤量して、調合する。
次に、上記主成分の化合物をボールミルに入れ、水を加えて湿式で約２０時間混合・粉砕を行いスラリーとする。そして、このスラリーを脱水・乾燥し、１０００℃以上で仮焼した後、粉砕して、平均粒子径が０．２μｍ未満となるように整粒した。なお、平均粒径は、走査型電子顕微鏡によって粉末を観察し、１００個の粒子の粒子径を測長して求めた。
次に、上記主成分に対して、Ｋ２Ｏ・２Ｂ２Ｏ３・５Ｈ２Ｏ、ＢａＣＯ３、ＭｇＯ、Ｍｎ３Ｏ４、ＳｉＯ２、Ｒｅ２Ｏ３（Ｒｅは、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏから選ばれる１種以上の元素）の各化合物の粉末を各々秤量し、これらの化合物をボールミルに入れ、トルエン−エタノール混合溶剤、ポリビニルブチラール系バインダおよび可塑剤とともに適度な粘度になるまで混合し、ドクターブレード法によりグリーンシートを作製した。
次に、各グリーンシート上に、Ｎｉ粉末からなる導電ペーストを用いて内部電極を所定形状にスクリーン印刷した後、その導電ペーストが印刷されたグリーンシートを複数積層し、熱圧着して一体化し、積層体を作製した。
そして、その積層体を空気中にて加熱することで有機バインダを除去した後、１１００℃の還元性雰囲気で２時間焼成した後、さらに１０００℃のＮ２ガス雰囲気中で２時間再酸化処理し、この後、内部電極が露出している積層体の端面部に外部電極を焼き付け、図１に例示される構造が得られる。
次に、表１に、誘電体層の組成を様々に変えた実施例１〜１１及び比較例Ａ〜Ｋについての各種評価結果を示す。
実施例１〜１１及び比較例Ａ〜Ｋにおいて、誘電体層一層あたりの厚さは５μｍで、有効誘電体層は１０層とした。また、一層あたりの内部（対向）電極面積は、０．９１×１０−６［ｍｍ２］である。
比誘電率εは、温度２５［℃］、周波数１［ｋＨｚ］、電圧２．５［Ｖ］の条件で、ＬＣＲメーターを用いて静電容量を測定し、この測定によって得られた静電容量、誘電体層の厚さ、及び内部電極面積から算出した。
誘電損失ｔａｎδは、上記比誘電率と同一条件下で、ＬＣＲメーターを用いて測定した。
絶縁抵抗Ｒは、２５℃の条件下で、実施例１〜１１及び比較例Ａ〜Ｋの各積層セラミックコンデンサに、直流１００［Ｖ］の電圧を３分間印加し測定した。
容量変化率は、実施例１〜１１及び比較例Ａ〜Ｋの各積層セラミックコンデンサを恒温層に入れ、−５５℃から８５℃の各温度において、周波数１［ｋＨｚ］、電圧２．５［Ｖ］の条件で、ＬＣＲメーターを用いて静電容量を測定し、２５℃の静電容量に対する静電容量の変化を求めることによって得た。この静電容量の変化率から、ＥＩＡ（Electronic Industries Association）のＸ５Ｒ規格（−５５℃から８５℃の容量変化率（２５℃基準）がプラスマイナス１５％）の適合性を判断した。
また、「焼結しない」とは、厚さ４０μｍのグリーンシートを複数枚重ねて厚さ１ｍｍになるようにし、その後１ｃｍ角に切断し焼成して得た密度測定用サンプルにて密度を測定し、これが５．７以下の密度の場合に、「焼結しない」とした。
表１において、１列目の項目は、誘電体層の主成分ＢａＴｉＯ３におけるＢａ／Ｔｉ比を表す。
また、副成分における、Ｋ、Ｂ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏの各数値は、主成分（ＢａＴｉＯ３）１００モル部に対して、Ｋ化合物のＫに換算したモル部、Ｂ化合物のＢに換算したモル部、Ｓｉ化合物のＳｉに換算したモル部、Ｍｇ化合物のＭｇに換算したモル部、Ｙ化合物のＹに換算したモル部、Ｄｙ化合物のＤｙに換算したモル部、Ｈｏ化合物のＨｏに換算したモル部、をそれぞれを表す。
表１の結果より、Ｂａ／Ｔｉ比が１．０００より小さい比較例Ｉは、比誘電率が低く、またＸ５Ｒ規格に不適合であった。Ｂａ／Ｔｉ比が１．０１１より大きい比較例Ｈは、比誘電率が低かった。したがって、Ｂａ／Ｔｉ比は、１．０００〜１．０１１が望ましい。
また、主成分１００モル部に対するＫ化合物のＫに換算した割合が０．２５モル部より小さい比較例Ａは、１１００℃では焼結しなかった。Ｋ化合物のＫに換算した割合が１．００モル部より大きい比較例Ｂは、比誘電率が低く、またＸ５Ｒ規格に不適合であった。同じくＫ化合物のＫに換算した割合が１．００モル部より大きい比較例Ｅは、比誘電率が低かった。したがって、主成分１００モル部に対するＫ化合物のＫに換算した割合は、０．２５〜１．００モル部が望ましい。
また、主成分１００モル部に対するＢ化合物のＢに換算した割合が０．５０モル部より小さい比較例Ａ及び比較例Ｃは、１１００℃では焼結しなかった。Ｂ化合物のＢに換算した割合が２．００モル部より大きい比較例Ｂ及び比較例Ｄは、比誘電率が低く、またＸ５Ｒ規格に不適合であった。したがって、主成分１００モル部に対するＢ化合物のＢに換算した割合は、０．５０〜２．００モル部が望ましい。
また、主成分１００モル部に対するＳｉ化合物のＳｉに換算した割合が１．１０モル部より小さい比較例Ｆは、１１００℃では焼結しなかった。Ｓｉ化合物のＳｉに換算した割合が１．９０モル部より大きい比較例Ｇは、比誘電率が低く、またＸ５Ｒ規格に不適合であった。したがって、主成分１００モル部に対するＳｉ化合物のＳｉに換算した割合は、１．１０〜１．７０モル部が望ましい。
また、主成分１００モル部に対する希土類元素（Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ）化合物の希土類元素（Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ）に換算した割合が０．７０モル部より小さい比較例Ｊは、１１００℃では焼結しなかった。希土類元素化合物の希土類元素に換算した割合が１．６０モル部より大きい比較例Ｋは、比誘電率が低かった。したがって、主成分１００モル部に対する希土類元素化合物の希土類元素に換算した割合は、０．７０〜１．６０モル部が望ましい。
なお、上述の望ましい条件をすべて満足する実施例１〜１１について、主成分１００モル部に対するＭｇ化合物のＭｇに換算した割合は、１．００〜１．７０モル部の範囲内であった。
以上の結果より、主成分のＢａ／主成分のＴｉ比が１．０００〜１．０１１であり、主成分１００モル部に対して、Ｋ化合物のＫに換算した割合が０．２５〜１．００モル部、Ｂ化合物のＢに換算した割合が０．５０〜２．００モル部、Ｓｉ化合物のＳｉに換算した割合が１．１０〜１．７０モル部、Ｍｇ化合物のＭｇに換算した割合が１．００〜１．７０モル部、希土類元素化合物の希土類元素に換算した割合が０．７０〜１．６０モル部であることが望ましい。これを満足する実施例１〜１１では、１１００℃以下でも正常に焼結し、高い比誘電率が得られ、かつＸ５Ｒ規格にも適合する。
［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
本発明の第２の実施形態に係る焼結体は、主成分として、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を含み、この主成分に添加された副成分として、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含む。希土類元素は、例えば、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏから選ばれる１種以上の元素である。また、副成分として、その他元素、例えばＢａなどを含んでいてもよい。
このような焼結体は、チタン酸バリウムに、副成分の原料として、Ａｌの化合物と、Ｃｕの化合物と、Ｓｉの化合物と、Ｍｎの化合物と、Ｍｇの化合物と、希土類元素の化合物とを添加し、これを還元性雰囲気で焼成することで得られる。チタン酸バリウムは、例えば、酸化チタンの粉末と炭酸バリウムの粉末とを混合して熱処理する固相法にて合成することができる。なお、固相法に限らず、水熱法、シュウ酸法、ゾルゲル法などによりチタン酸バリウムを合成してもよい。
本実施形態に係る焼結体によれば、主成分（チタン酸バリウム）に対して、上述のような副成分を添加することで、１１００℃以下の低温焼成でも焼結が可能になり、また、緻密な焼結体が得られた。さらに、低温での焼成により、製造コストの低減も図れる。
第２の実施形態に係るセラミックコンデンサの断面構造は、第１の実施形態と同様であり、図１に例示されるように、対向する内部電極２間に、上述の主成分及び副成分を含む誘電体層１が設けられた構造を有する。
そして、第２の実施形態に係るセラミックコンデンサにおいても、１１００℃以下の低温焼成が可能になることから、特にＮｉやＮｉ合金を内部電極２に用いた場合でも、Ｎｉの球状化収縮を抑制でき、これに起因する電極の切れやデラミネーションなどの構造欠陥を防げる。これにより、コンデンサの容量低下を抑制できる。
次に、第２の実施形態に係るセラミックコンデンサの製造方法の一例について説明する。
まず、誘電体層の主成分ＢａＴｉＯ３の原料として、ＢａＣＯ３、ＴｉＯ２を、ＢａＴｉＯ３におけるＢａ／Ｔｉ比が１．０００〜１．００８の範囲内となるように秤量して、調合する。
次に、上記主成分の化合物をボールミルに入れ、水を加えて湿式で約２０時間混合・粉砕を行いスラリーとする。そして、このスラリーを脱水・乾燥し、１０００℃以上で仮焼した後、粉砕して、平均粒子径が０．２μｍ未満となるように整粒した。なお、平均粒径は、走査型電子顕微鏡によって粉末を観察し、１００個の粒子の粒子径を測長して求めた。
次に、上記主成分に対して、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＢａＣＯ３、ＭｇＯ、Ｍｎ３Ｏ４、ＳｉＯ２、Ｒｅ２Ｏ３（Ｒｅは、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏから選ばれる１種以上の元素）の各化合物の粉末を各々秤量し、これらの化合物をボールミルに入れ、トルエン−エタノール混合溶剤、ポリビニルブチラール系バインダおよび可塑剤とともに適度な粘度になるまで混合し、ドクターブレード法によりグリーンシートを作製した。
次に、各グリーンシート上に、Ｎｉ粉末からなる導電ペーストを用いて内部電極を所定形状にスクリーン印刷した後、その導電ペーストが印刷されたグリーンシートを複数積層し、熱圧着して一体化し、積層体を作製した。
そして、その積層体を空気中にて加熱することで有機バインダを除去した後、１１００℃の還元性雰囲気で２時間焼成した後、さらに１０００℃のＮ２ガス雰囲気中で２時間再酸化処理し、この後、内部電極が露出している積層体の端面部に外部電極を焼き付け、図１に例示される構造が得られる。
次に、表２に、誘電体層の組成を様々に変えた実施例１２〜２４及び比較例Ｌ〜Ｘについての各種評価結果を示す。
実施例１２〜２４及び比較例Ｌ〜Ｘにおいて、誘電体層一層あたりの厚さは５μｍで、有効誘電体層は１０層とした。また、一層あたりの内部（対向）電極面積は、０．９１×１０−６［ｍｍ２］である。
比誘電率εは、温度２５［℃］、周波数１［ｋＨｚ］、電圧２．５［Ｖ］の条件で、ＬＣＲメーターを用いて静電容量を測定し、この測定によって得られた静電容量、誘電体層の厚さ、及び内部電極面積から算出した。
誘電損失ｔａｎδは、上記比誘電率と同一条件下で、ＬＣＲメーターを用いて測定した。
絶縁抵抗Ｒは、２５℃の条件下で、実施例１２〜２４及び比較例Ｌ〜Ｘの各積層セラミックコンデンサに、直流１００［Ｖ］の電圧を３分間印加し測定した。
容量変化率は、実施例１２〜２４及び比較例Ｌ〜Ｘの各積層セラミックコンデンサを恒温層に入れ、−５５℃から８５℃の各温度において、周波数１［ｋＨｚ］、電圧２．５［Ｖ］の条件で、ＬＣＲメーターを用いて静電容量を測定し、２５℃の静電容量に対する静電容量の変化を求めることによって得た。この静電容量の変化率から、ＥＩＡ（Electronic Industries Association）のＸ５Ｒ規格（−５５℃から８５℃の容量変化率（２５℃基準）がプラスマイナス１５％）の適合性を判断した。
また、「焼結しない」とは、厚さ４０μｍのグリーンシートを複数枚重ねて厚さ１ｍｍになるようにし、その後１ｃｍ角に切断し焼成して得た密度測定用サンプルにて密度を測定し、これが５．７以下の密度の場合に、「焼結しない」とした。
表２において、１列目の項目は、誘電体層の主成分ＢａＴｉＯ３におけるＢａ／Ｔｉ比を表す。
また、副成分における、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏの各数値は、主成分（ＢａＴｉＯ３）１００モル部に対して、Ａｌ化合物のＡｌに換算したモル部、Ｃｕ化合物のＣｕに換算したモル部、Ｓｉ化合物のＳｉに換算したモル部、Ｍｎ化合物のＭｎに換算したモル部、Ｍｇ化合物のＭｇに換算したモル部、Ｙ化合物のＹに換算したモル部、Ｄｙ化合物のＤｙに換算したモル部、Ｈｏ化合物のＨｏに換算したモル部、をそれぞれ表す。
表２の結果より、Ｂａ／Ｔｉ比が１．０００より小さい比較例Ｔは、Ｘ５Ｒ規格に不適合であった。Ｂａ／Ｔｉ比が１．００８より大きい比較例Ｘは、１１００℃では焼結しなかった。したがって、Ｂａ／Ｔｉ比は、１．０００〜１．００８が望ましい。
また、主成分１００モル部に対するＡｌ化合物のＡｌに換算した割合が０．１５モル部より小さい比較例Ｌは、１１００℃では焼結しなかった。Ａｌ化合物のＡｌに換算した割合が０．５０モル部より大きい比較例Ｏは、比誘電率が低かった。したがって、主成分１００モル部に対するＡｌ化合物のＡｌに換算した割合は、０．１５〜０．５０モル部が望ましい。
また、主成分１００モル部に対するＣｕ化合物のＣｕに換算した割合が０．１０モル部より小さい比較例Ｎは、１１００℃では焼結しなかった。Ｃｕ化合物のＣｕに換算した割合が０．７０モル部より大きい比較例Ｍは、絶縁抵抗が低く、またＸ５Ｒ規格に不適合であった。したがって、主成分１００モル部に対するＣｕ化合物のＣｕに換算した割合は、０．１０〜０．７０モル部が望ましい。
また、主成分１００モル部に対するＳｉ化合物のＳｉに換算した割合が１．３０モル部より小さい比較例Ｓは、１１００℃では焼結しなかった。Ｓｉ化合物のＳｉに換算した割合が１．９０モル部より大きい比較例Ｒは、Ｘ５Ｒ規格に不適合であった。したがって、主成分１００モル部に対するＳｉ化合物のＳｉに換算した割合は、１．３０〜１．９０モル部が望ましい。
また、主成分１００モル部に対するＭｎ化合物のＭｎに換算した割合が０．１０モル部より小さい比較例Ｐは、１１００℃では焼結しなかった。Ｍｎ化合物のＭｎに換算した割合が０．５０モル部より大きい比較例Ｑは、比誘電率が低かった。したがって、主成分１００モル部に対するＭｎ化合物のＭｎに換算した割合は、０．１０〜０．５０モル部が望ましい。
また、主成分１００モル部に対するＭｇ化合物のＭｇに換算した割合が１．００モル部より小さい比較例Ｖは、１１００℃では焼結しなかった。Ｍｇ化合物のＭｇに換算した割合が２．００モル部より大きい比較例Ｕは、１１００℃では焼結しなかった。したがって、主成分１００モル部に対するＭｇ化合物のＭｇに換算した割合は、１．００〜２．００モル部が望ましい。
また、主成分１００モル部に対する希土類元素（Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ）化合物の希土類元素に換算した割合が０．８０モル部より小さい比較例Ｘは、１１００℃では焼結しなかった。希土類元素化合物の希土類元素に換算した割合が１．６０モル部より大きい比較例Ｗは、１１００℃では焼結しなかった。したがって、主成分１００モル部に対する希土類元素化合物の希土類元素に換算した割合は、０．８０〜１．６０モル部が望ましい。
以上の結果より、主成分のＢａ／主成分のＴｉ比が１．０００〜１．００８であり、主成分１００モル部に対して、Ａｌ化合物のＡｌに換算した割合が０．１５〜０．５０モル部、Ｃｕ化合物のＣｕに換算した割合が０．１０〜０．７０モル部、Ｓｉ化合物のＳｉに換算した割合が１．３０〜１．９０モル部、Ｍｎ化合物のＭｎに換算した割合が０．１０〜０．５０モル部、Ｍｇ化合物のＭｇに換算した割合が１．００〜２．００モル部、希土類元素化合物の希土類元素に換算した割合が０．８０〜１．６０モル部であることが望ましい。これを満足する実施例１２〜２４では、１１００℃以下でも正常に焼結し、高い比誘電率が得られ、かつＸ５Ｒ規格にも適合する。
１ 誘電体層
２ 内部電極
３，４ 外部電極
２ 内部電極
３，４ 外部電極
Claims (4)
- 主成分として、チタン酸バリウムを含み、
前記チタン酸バリウムはＢａ／Ｔｉ比が１．０００〜１．００８であり、
前記主成分に添加された副成分として、前記主成分１００モル部に対して、Ａｌが０．１５〜０．５０モル部、Ｃｕが０．１０〜０．７０モル部、Ｓｉが１．３０〜１．９０モル部、Ｍｎが０．１０〜０．５０モル部、Ｍｇが１．００〜２．００モル部の各元素および希土類元素０．８０〜１．６０モル部を含むことを特徴とする焼結体。 - 複数の電極と、前記電極間に設けられた誘電体層と、を備えたセラミックコンデンサであって、
前記誘電体層は、主成分としてチタン酸バリウムを含み、前記チタン酸バリウムはＢａ／Ｔｉ比が１．０００〜１．００８であり、かつ前記主成分に添加された副成分として、前記主成分１００モル部に対して、Ａｌが０．１５〜０．５０モル部、Ｃｕが０．１０〜０．７０モル部、Ｓｉが１．３０〜１．９０モル部、Ｍｎが０．１０〜０．５０モル部、Ｍｇが１．００〜２．００モル部の各元素および希土類元素０．８０〜１．６０モル部を含むことを特徴とするセラミックコンデンサ。 - チタン酸バリウムに、副成分の原料として、Ａｌの化合物と、Ｃｕの化合物と、Ｓｉの化合物と、Ｍｎの化合物と、Ｍｇの化合物と、希土類元素の化合物とを添加して１１００℃の温度において焼成し、前記チタン酸バリウムはＢａ／Ｔｉ比が１．０００〜１．００８であり、前記チタン酸バリウム１００モル部に対して前記Ａｌの化合物はＡｌに換算した割合が０．１５〜０．５０モル部、前記Ｃｕの化合物はＣｕに換算した割合が０．１０〜０．７０モル部、前記Ｓｉの化合物はＳｉに換算した割合が１．３０〜１．９０モル部、前記Ｍｎの化合物はＭｎに換算した割合が０．１０〜０．５０モル部、前記Ｍｇの化合物はＭｇに換算した割合が１．００〜２．００モル部であり、前記希土類元素の化合物は希土類元素に換算した割合が０．８０〜１．６０モル部であることを特徴とする焼結体の製造方法。
- Ｂａ／Ｔｉ比が１．０００〜１．００８であるチタン酸バリウムに、副成分の原料として、Ａｌの化合物と、Ｃｕの化合物と、Ｓｉの化合物と、Ｍｎの化合物と、Ｍｇの化合物と、希土類元素の化合物とを添加したものを用いてシート状の誘電体層を形成する工程であって、前記チタン酸バリウム１００モル部に対して前記Ａｌの化合物はＡｌに換算した割合が０．１５〜０．５０モル部、前記Ｃｕの化合物はＣｕに換算した割合が０．１０〜０．７０モル部、前記Ｓｉの化合物はＳｉに換算した割合が１．３０〜１．９０モル部、前記Ｍｎの化合物はＭｎに換算した割合が０．１０〜０．５０モル部、前記Ｍｇの化合物はＭｇに換算した割合が１．００〜２．００モル部であり、前記希土類元素の化合物は希土類元素に換算した割合が０．８０〜１．６０モル部である、シート状の誘電体層を形成する工程と、
複数の前記誘電体層の間に電極を介在させてこれらを積層する工程と、
前記積層された積層体を１１００℃の温度において焼成する工程と、
を備えたことを特徴とするセラミックコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011194638A JP5624001B2 (ja) | 2011-09-07 | 2011-09-07 | 焼結体及びセラミックコンデンサ並びにこれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011194638A JP5624001B2 (ja) | 2011-09-07 | 2011-09-07 | 焼結体及びセラミックコンデンサ並びにこれらの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005365811A Division JP5037009B2 (ja) | 2005-12-20 | 2005-12-20 | 焼結体及びセラミックコンデンサ並びにこれらの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012036083A JP2012036083A (ja) | 2012-02-23 |
| JP5624001B2 true JP5624001B2 (ja) | 2014-11-12 |
Family
ID=45848493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011194638A Active JP5624001B2 (ja) | 2011-09-07 | 2011-09-07 | 焼結体及びセラミックコンデンサ並びにこれらの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5624001B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014002302A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-03 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP6245222B2 (ja) * | 2015-06-05 | 2017-12-13 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000026161A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JP2001089230A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-03 | Hokko Chem Ind Co Ltd | チタン酸バリウム系焼結体製造用粉末組成物および焼結体 |
| JP2007169088A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 焼結体及びセラミックコンデンサ並びにこれらの製造方法 |
-
2011
- 2011-09-07 JP JP2011194638A patent/JP5624001B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2012036083A (ja) | 2012-02-23 |
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