JP5605952B2 - 電気機械トランスデューサデバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
tiは、層iの厚さであり、
Lは、アクチュエータの長さ(図2に示す長さ218)であり、
αiは、層iの熱膨張率であり、
hiは、層iの頂部と、始点(h0=0)として用いられる積層体の底部との間の距離であり、
ΔTは、デバイスが経験する動作温度と基準温度との差である(典型的には250°C)。
ΔT0は、デバイスの全動作温度範囲であり、
dijは、それぞれ層の中心で測定された層iと層jとの間の距離であり、
zijは、層jが層iの上に位置するときには「1」に等しく、層jが層iの下に位置するときには「−1」に等しい。
Claims (16)
- 半導体基板(210)上に形成されたマイクロまたはナノ電気機械トランスデューサデバイス(200)であって、前記マイクロまたはナノ電気機械トランスデューサデバイス(200)は、作動構造(202)の作動に応答して運動するように構成された可動構造(203)を有し、前記作動構造(202)は複数の層を有し、
前記可動構造(203)は、
第1熱応答特性を有する少なくとも1層の機械層を備えた機械構造(204)と;
第1熱応答特性とは異なる第2熱応答特性を有する前記作動構造(202)と;
前記作動構造(202)とは非対称の少なくとも1層の熱補償層を備えた熱補償構造(206)と
を有し、
前記熱補償構造(206)は、前記作動構造(202)よりも少ない層を有し、
前記半導体基板(210)に対する前記可動構造(203)の歪みが温度変化には依存しないように、前記熱補償構造(206)は、前記機械構造(204)と前記作動構造(202)とによって生み出される熱効果を補償するように構成され、
前記熱補償構造(206)は、補償材料の熱膨張率とヤング率とに従って選択された当該補償材料によって形成され、
前記熱補償構造(206)は、前記熱効果を補償する厚みを有する
ことを特徴とする、マイクロまたはナノ電気機械トランスデューサデバイス。 - 前記作動構造(202)は、圧電層(212)または磁気層を含む複数の層(202)を有し、
前記作動構造(202)のこれら複数の層は、前記複数の層の圧電作動または磁気作動に応答して運動可能である前記可動構造(203)の一部を形成している、
請求項1記載のマイクロまたはナノ電気機械トランスデューサデバイス。 - 前記作動構造(202)の前記複数の層は、第1電極層(214)と第2電極層(216)との間に、圧電層(212)を有する、
請求項2記載のマイクロまたはナノ電気機械トランスデューサデバイス。 - 前記熱補償構造(206)は、1層または2層のみ有する、
請求項1〜3何れか一項記載のマイクロまたはナノ電気機械トランスデューサデバイス。 - 前記熱補償構造(206)は、前記作動構造(202)の材料とは異なる補償材料によって形成された層(206)を有する、
請求項1〜4何れか一項記載のマイクロまたはナノ電気機械トランスデューサデバイス。 - 前記作動構造(202)は、さらに前記半導体基板(210)上に形成された層を有している、
請求項1または4記載のマイクロまたはナノ電気機械トランスデューサデバイス。 - 前記熱補償構造(206)は、前記機械層(204)に隣接している、
請求項1〜6何れか一項記載のマイクロまたはナノ電気機械トランスデューサデバイス。 - 前記熱補償構造(206)は、第3熱応答特性を有する少なくとも1種類の補償材料によって形成され、
前記第3熱応答特性は、補償材料の熱膨張率に依存している、
請求項1〜7何れか一項記載のマイクロまたはナノ電気機械トランスデューサデバイス。 - 前記熱補償構造(206)は、前記作動構造(202)と同じ熱膨張率を有する、
請求項1〜8何れか一項記載のマイクロまたはナノ電気機械トランスデューサデバイス。 - 前記熱補償構造(206)と、前記可動構造(203)の一部を形成する前記作動構造(202)とは、互いに前記機械構造(204)の反対側に形成されている、
請求項1〜9何れか一項記載のマイクロまたはナノ電気機械トランスデューサデバイス。 - 前記可動構造(203)の一部を形成する前記作動構造(202)は、前記機械構造(204)に対して平行な面内で第1区域を占め、
前記熱補償構造(206)は、前記機械構造(204)に対して平行な面内で第2区域を占め、
前記第2区域は、前記第1区域に等しい、
請求項1〜10何れか一項記載のマイクロまたはナノ電気機械トランスデューサデバイス。 - 前記マイクロまたはナノ電気機械トランスデューサデバイス(200)はさらに、
前記可動構造(203)を支持するために前記半導体基板(210)上に形成されたアンカー(208)を有し、
前記可動構造(203)は、少なくとも1個の非支持端部を有する、
請求項1〜11何れか一項記載のマイクロまたはナノ電気機械トランスデューサデバイス。 - 前記マイクロまたはナノ電気機械トランスデューサデバイス(200)はさらに、
前記可動構造(203)の端部で前記可動構造(203)を支持するために前記半導体基板(210)上に形成されたアンカー(208)を有し、
前記作動構造(202)と、少なくとも1層の前記熱補償層(206)とは、前記可動構造(203)の一部の上に位置する、
請求項1〜10何れか一項記載のマイクロまたはナノ電気機械トランスデューサデバイス。 - 前記熱補償構造(206)の厚さは、次式を解くことによって得られ、
tiは、層iの厚さであり、
αiは、層iの熱膨張率であり、
dijは、それぞれの層の中心で測定された層iと層jとの間の距離であり、
zijは、層jが層iの上に位置するときには「1」に等しく、層jが層iの下に位置するときには「−1」に等しい、
請求項1〜13何れか一項記載のマイクロまたはナノ電気機械トランスデューサデバイス。 - 作動構造(202)の作動に応答して運動するように構成された可動構造(203)を有するマイクロまたはナノ電気機械トランスデューサデバイス(200)を、半導体基板(210)上に製造する製造方法であって、前記製造方法は、
第1熱応答特性を有する少なくとも1層の機械層を備えた機械構造(204)を提供することと;
複数の層の前記作動構造(202)を提供することであって、前記作動構造(202)の前記複数の層は、前記第1熱応答特性とは異なる第2熱応答特性を有することと;
前記作動構造(202)とは非対称の少なくとも1層の熱補償層を有する熱補償構造(206)を提供することであって、前記熱補償構造(206)は前記作動構造(202)よりも少ない層を有し、前記半導体基板(210)に対する前記可動構造(203)の歪みが温度変動には依存しないように、前記熱補償構造(206)は前記機械構造(204)と前記作動構造(202)とによって生み出される熱効果を補償するように構成されることと
を有し、
前記熱補償構造(206)を提供することは、
前記熱補償構造(206)のための材料を、材料の熱膨張率とヤング率とに従って選択することと;
熱効果を補償するための厚さを有するように、前記熱補償構造(206)を構成することと
を有することを特徴とする、マイクロまたはナノ電気機械トランスデューサデバイスの製造方法。 - 前記熱補償構造(206)の厚さは、次式を解くことによって得られ、
tiは、層iの厚さであり、
ciは、層iの熱膨張率であり、
dijは、それぞれの層の中心で測定された層iと層jとの間の距離であり、
zijは、層jが層iの上に位置するときには「1」に等しく、層jが層iの下に位置するときには「−1」に等しい、
請求項15記載の製造方法。
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