JP5598149B2 - 化合物半導体層の形成方法 - Google Patents
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上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
11…主面
22…表面酸化膜
30…化合物半導体層
101〜102…転位
111〜112…転位領域
211〜212…転位領域酸化膜
Claims (6)
- 第1の化合物半導体層の主面を酸化して、前記主面に酸化膜を形成すると共に、前記主面から前記第1の化合物半導体層内部に延伸する転位に沿った前記第1の化合物半導体層内部の転位領域が直接に酸化された、前記主面に沿った長さが数nm〜数十nmであり前記主面から前記第1の化合物半導体層内部に延伸する酸化膜を形成するステップと、
前記転位領域に形成された前記酸化膜を除去せずに、前記主面に形成された前記酸化膜を除去するステップと、
前記転位領域に形成された前記酸化膜の前記主面に露出した部分を覆うように、前記主面上に第2の化合物半導体層をエピタキシャル成長させるステップと
を含むことを特徴とする化合物半導体層の形成方法。 - 熱酸化法によって前記第1の化合物半導体層の主面を酸化することを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体層の形成方法。
- 機械的的な研磨法によって前記主面に形成された酸化膜を除去することを特徴とする請求項1又は2に記載の化合物半導体層の形成方法。
- 前記主面に形成された酸化膜を除去する場合に、前記第1の化合物半導体層の上部の一部まで除去することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の化合物半導体層の形成方法。
- 前記第1の化合物半導体層が、III−V族窒化物半導体層であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の化合物半導体層の形成方法。
- 前記第2の化合物半導体層から前記第1の化合物半導体層を除去するステップを更に含むことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の化合物半導体層の形成方法。
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