JP5583475B2 - Pickup device - Google Patents
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Description
本発明は、ウェーハシートに貼り付けられた半導体チップを個々にウェーハシートから剥離するピックアップ装置に関する。 The present invention relates to a pickup device for individually peeling semiconductor chips attached to a wafer sheet from the wafer sheet.
半導体装置の製造においては、ウェーハシートに貼り付けられ個片にダイシングされた半導体チップを、ピックアップステージにおいて個々にコレットで吸着してウェーハシートから剥離し、ボンディング工程に送る。 In the manufacture of a semiconductor device, semiconductor chips attached to a wafer sheet and diced into individual pieces are individually picked up by a collet on a pickup stage, separated from the wafer sheet, and sent to a bonding process.
従来のピックアップ装置は、移送された半導体チップのウェーハシートをピックアップステージに真空吸引すると共に、コレットで半導体チップを吸着しつつ、ステージから突上げ針を突出させて、半導体チップを持ち上げることにより、チップをウェーハシートから剥離していた。 The conventional pick-up device vacuum-sucks the transferred semiconductor chip wafer sheet to the pick-up stage, and sucks the semiconductor chip with a collet while protruding the protruding needle from the stage to lift the semiconductor chip. Was peeled from the wafer sheet.
また、突き上げ針を用いないピックアップ装置としては、ピックアップステージにチップ送り方向に延びる多数の吸着溝を形成し、その手前側に僅かに上方へ突出した駒を設けたものが提案されている(特許文献1)。この装置は、吸着溝で吸引しながらウェーハシート及び半導体チップを送って駒上を越えさせることにより、駒のエッジから吸着溝上に突出した部分のウェーハシートとチップを送りと共に順次剥離して行く。 In addition, as a pickup device that does not use a push-up needle, there has been proposed one in which a number of suction grooves extending in the chip feed direction are formed on a pickup stage, and a piece protruding slightly upward is provided on the front side thereof (patent) Reference 1). In this apparatus, the wafer sheet and the semiconductor chip are fed while being sucked by the suction groove so as to cross the top of the piece, so that the wafer sheet and the chip protruding from the edge of the piece onto the suction groove are sequentially peeled off together with the feed.
半導体チップによっては、基板への接着用のダイアタッチフィルム(DAF)を下面に装着したものがある。DAFはダイシング時に半導体チップ単位に切り込みが形成され、半導体チップと共にウェーハシートから剥離される。しかしながら、この場合は、上記いずれの装置においても、DAFの粘着性のため、ウェーハシートからの剥離が不十分であったり、ウェーハシートから剥離した後に隣のチップのDAFに接着したりすることがある。その結果、コレットによる適正な移送が行なわれず、製品不良を生じたり、制御パラメータの変更を要したりすることとなる。また、特許文献1の装置では、吸着溝で吸引しながら半導体チップを送るので、送り速度が制限されてしまい、剥離操作に時間を要するという欠点があった。
Some semiconductor chips have a die attach film (DAF) for adhesion to a substrate mounted on the lower surface. The DAF is notched for each semiconductor chip during dicing, and is peeled from the wafer sheet together with the semiconductor chip. However, in this case, in any of the above devices, due to the adhesiveness of DAF, peeling from the wafer sheet is insufficient, or after peeling from the wafer sheet, it may adhere to the DAF of the adjacent chip. is there. As a result, proper transfer by the collet is not performed, resulting in product defects or requiring control parameter changes. Moreover, in the apparatus of
さらに、DAFを装着しない半導体チップであっても、ウェーハシートからの剥離をより迅速確実に行える装置が望まれている。 Furthermore, there is a demand for an apparatus capable of more quickly and reliably peeling a wafer sheet even if it is a semiconductor chip without a DAF.
そこで、本発明は、上記要請に応えるべく、半導体チップをウェーハシートから迅速確実に剥離し得るピックアップ装置を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a pickup device capable of quickly and surely peeling a semiconductor chip from a wafer sheet in order to meet the above demand.
本発明は、上記目的を達成するために、ウェーハシートに貼り付けられた半導体チップを個々にウェーハシートから剥離するピックアップ装置であって、ピックアップステージに形成されウェーハシートと共に半導体チップ個片を受け入れる平面寸法を有した凹陥部と、ウェーハシートと共に半導体チップ個片を該凹陥部に挿入するための挿入手段と、前記凹陥部内の半導体チップを吸着してピックアップするコレットと、前記凹陥部内への半導体チップの挿入深さを決めるために、前記凹陥部の底面から突出するニードルとを備えたことを特徴とするピックアップ装置を提供するものである。 In order to achieve the above object, the present invention is a pickup device for individually peeling semiconductor chips attached to a wafer sheet from the wafer sheet, and is a plane formed on the pickup stage for receiving semiconductor chip pieces together with the wafer sheet. A recess having dimensions, an insertion means for inserting a semiconductor chip piece together with a wafer sheet into the recess, a collet that sucks and picks up the semiconductor chip in the recess, and a semiconductor chip in the recess In order to determine the insertion depth , a pickup device provided with a needle protruding from the bottom surface of the recessed portion is provided.
本発明に係るピックアップ装置は、ピックアップステージに形成されウェーハシートと共に半導体チップ個片を受け入れる平面寸法を有した凹陥部と、ウェーハシートと共に半導体チップ個片を該凹陥部に挿入するための挿入手段と、前記凹陥部内の半導体チップを吸着してピックアップするコレットとを備えているので、挿入手段によりウェーハシートと共に半導体チップを凹陥部に挿入することにより、凹陥部内の半導体チップとその周囲に位置する半導体チップとの間に生じる段差により、半導体チップはウェーハシートから直ちに剥離される。また、半導体チップにDAFが装着されている場合、隣り合う半導体チップのDAFは、凹陥部の段差によって相互に引き離されるので、確実に分離され、剥離不良や隣りのDAFへの接着の問題が回避される。 A pickup apparatus according to the present invention includes a recessed portion formed on a pickup stage and having a planar dimension for receiving a semiconductor chip piece together with a wafer sheet, and an insertion means for inserting the semiconductor chip piece together with the wafer sheet into the recessed portion. And a collet that picks up and picks up the semiconductor chip in the recessed portion, and by inserting the semiconductor chip into the recessed portion together with the wafer sheet by the inserting means, the semiconductor chip located in the recessed portion and the semiconductor located therearound The semiconductor chip is immediately peeled from the wafer sheet due to the step generated between the chip and the chip. In addition, when a DAF is mounted on a semiconductor chip, the DAFs of adjacent semiconductor chips are separated from each other by the stepped portion of the recessed portion, so that they are reliably separated to avoid the problem of peeling failure and adhesion to the adjacent DAF. Is done.
特に、半導体チップはウェーハシートと共に凹陥部上に送られた後に、コレットによる押し下げ、またはピックアップステージの減圧手段による吸引を挿入手段として作用させることにより、凹陥部上への送りと凹陥部内への挿入との双方を円滑に行なうことができるので、操作が迅速である。 In particular, after the semiconductor chip is sent together with the wafer sheet onto the recess, it is pushed down by the collet or sucked by the pressure reducing means of the pickup stage as an insertion means, so that the semiconductor chip is fed into the recess and inserted into the recess. Therefore, the operation is quick.
以下、本発明の実施形態について添付図面を参照しつつ説明する。図1及び図2は、本発明の一実施形態に係るピックアップ装置について、ピックアップステージを中心にして、作動段階を示す断面図である。なお、以下の図では、理解を容易にするために、高さ方向の寸法を実際より拡大して示している。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. 1 and 2 are cross-sectional views showing an operation stage of a pickup apparatus according to an embodiment of the present invention, centering on a pickup stage. In the following drawings, the dimensions in the height direction are shown enlarged from the actual size for easy understanding.
ダイシング工程を経た半導体チップPは、図外のウェーハリングに張設されたウェーハシートS上に貼り付けられた状態でピックアップステージに送られる。ピックアップステージでは、その周囲のテーブルTに配置されたホルダによりウェーハシートSを面方向に延伸する。この半導体チップPは、下面にDAFが装着されている。 The semiconductor chip P that has undergone the dicing process is sent to the pickup stage in a state of being stuck on a wafer sheet S stretched on a wafer ring (not shown). In the pickup stage, the wafer sheet S is stretched in the surface direction by a holder disposed on a table T around the pickup stage. The semiconductor chip P has a DAF attached to the lower surface.
ピックアップステージ1は、テーブルTの装着孔内に配置されたハウジング10を備えている。ハウジング10は、上壁11と、該上壁11から垂下する側壁12とを備え、下部は図外の吸引装置に接続されている。上壁11は、テーブルTと同一平面に並ぶ周縁部14と、中央の凹陥部13とを備えている。凹陥部13は、ウェーハシートS及びDAFと共に半導体チップPを受け入れる平面寸法を有している。その深さは、半導体チップPの挿入により以下に説明するウェーハシートSからの剥離が行なわれるのに十分な寸法とされ、例えば、300〜500μmとすることができる。周縁部14には複数の吸引孔16が形成され、凹陥部13の中央部にはニードルの通し孔15が形成され、各々上壁11を上下方向に貫通している。
The
通し孔15に臨む位置にニードル2が配置されている。ニードル2の下部は、図外の昇降装置に接続されており、該昇降装置の作動によりニードル2は、凹陥部13より低い後退位置と、通し孔15から凹陥部13底面より上方へ突出した前進位置とをとり得るようになっている。この実施形態では、ニードル2はさらに、コレットの上昇に追随して動作する突上げ針としても機能する。
The
ピックアップステージ1の上方には、コレット3が配置されている。コレット3は、吸引源に通じる吸着口を下面に備え、図外の駆動装置により上下動及び水平動を行ない、ウェーハシートS上の半導体チップPを順次吸着してボンディング工程に移送する。
A
以下、このピックアップ装置を用いて半導体チップPをピックアップする工程について説明する。工程の段階を図1(a) 〜図2(e) に図示し、これに対応するタイミングチャートを図3に示す。 Hereinafter, the process of picking up the semiconductor chip P using this pickup device will be described. The steps of the process are shown in FIGS. 1 (a) to 2 (e), and the corresponding timing chart is shown in FIG.
図1(a) は、DAFを装着しウェーハシートSに貼り付けられた半導体チップPがピックアップステージ1上に移送された状態を示している(図3のタイミングチャートにおける段階1(a) )。 FIG. 1 (a) shows a state where the semiconductor chip P attached with the DAF and attached to the wafer sheet S is transferred onto the pickup stage 1 (step 1 (a) in the timing chart of FIG. 3).
ニードル2は、凹陥部13より低い後退位置にある。ハウジング10から吸引孔16を経た吸引は、ウェーハシートSがピックアップステージ1上に移送した後に行なうようになっており、これにより、移送が円滑迅速に行なわれ、移送後は吸引によりウェーハシートSが周縁部14上に保持される。コレット3は、ピックアップステージ1の上方に待機している。
The
次に、図1(b) に示すように、ニードル2が前進位置に上昇する。この位置により、凹陥部13内に挿入されるウェーハシートSの高さが決められる(図3の段階1(b) )。凹陥部13からの突出高さは、凹陥部13の深さの範囲内で適宜決めることができる。
Next, as shown in FIG. 1 (b), the
次に、図1(c) に示すように、コレット3が下降し、半導体チップPに接してさらに下降することにより、半導体チップPを凹陥部13内に挿入する(図3の段階1(c) )。下降は、ウェーハシートSがニードル2に当接するように、予め設定された距離に亘って行なわれる。このように、この実施形態では、コレット3が、ウェーハシートと共に半導体チップ個片を該凹陥部に挿入するための挿入手段として機能する。
Next, as shown in FIG. 1C, the
ハウジング10内の吸引力は、通し孔15を通じて凹陥部13内のウェーハシートSにも作用する。この挿入の際、凹陥部13内の半導体チップPとその周囲に位置する半導体チップP’との間に生じる段差により、半導体チップPはウェーハシートSから直ちに剥離される。また、半導体チップPのDAFは、隣り合う半導体チップP’のDAFから凹陥部の段差によって引き離されるので、確実に分離される。その結果、DAFの剥離不良や隣のDAFへの接着が回避される。さらに、半導体チップPを凹陥部13内に挿入する際に、ウェーハシートSが凹陥部13の段差により引き伸ばされるので、半導体チップP周縁部に位置するウェーハシート部分が、面方向にずれる剪断作用によって剥がれを生じる。これにより、次のコレット3上昇による剥離がより円滑に行なわれる。
The suction force in the
また、ニードル2が前進位置にあるので、半導体チップP及びウェーハシートSは、下方からニードル2で支持された状態でコレット3から下降圧を受け、両者に挟まれた安定した状態で上記操作が行なわれる。
Further, since the
次に、図2(d) に示すように、コレット3が吸引を作用させながら上昇する(図3の段階2(d) )。隣り合う半導体チップP’下面のウェーハシート部分は、吸引孔16からの吸引により上壁11上に吸着されているので、コレット3の上昇と共に、半導体チップPはウェーハシートSから剥離される。この時、剥離を生じる高さまたはその近傍まで、コレット3と同期してニードル2も上昇させるのが望ましい。これにより、ニードル2の押し上げ力がコレット3の吸引力を補足して、剥離操作をより確実にすることができる。尤も、コレット3による吸引のみで十分な場合は、ニードル2の同期上昇を省略してもよい。
Next, as shown in FIG. 2 (d), the
次に、図2(e) に示すように、半導体チップPがコレット3に吸着された状態で、ニードル2は下降して後退位置に戻る(図3の段階2(e) )。これにより、コレット3は、所定位置に水平移動して半導体チップPをボンディング工程に移送することができる。
Next, as shown in FIG. 2 (e), with the semiconductor chip P adsorbed by the
図4及び図5は、本発明の他の実施形態に係るピックアップ装置の作動段階を、ピックアップステージを中心に示す断面図である。図中、先の実施形態と同一又は同種の部分については、同じ番号を付して説明を一部省略する。 4 and 5 are cross-sectional views showing the operation stage of the pickup device according to another embodiment of the present invention, focusing on the pickup stage. In the figure, the same or similar parts as those in the previous embodiment are denoted by the same reference numerals and a part of the description is omitted.
このピックアップ装置のハウジング10内には、ピックアップステージの周縁部1に対して上下動可能に支持された可動ブロック17が設けられている。ハウジング10内には側壁12の内側に案内壁19が固定されており、可動ブロック17は案内壁19に沿って上下動可能となっている。可動ブロック17の下端部には駆動ロッド18が結合され、該駆動ロッドは図外の駆動装置に連結され、該駆動装置の作動により可動ブロック17は、ピックアップステージの周縁部14と同じ高さの待機位置と、上方に凹陥部13を形成する下降位置とをとるように上下動する。ハウジング10内にはまた、凹陥部13内における半導体チップの挿入深さを決めるためのニードル2が備えられている。ニードル2は、先の実施形態において説明したものと同様の構成とすることができる。
In the
可動ブロック17は、先の実施形態において説明した凹陥部に対応する平面寸法を有し、この実施形態では、平面視において外形が矩形をなし、中央部にはニードル2を緩く通すための縦孔21が形成されている。これに代えて、可動ブロック17は、半導体チップPの搬送方向またはこれに垂直な方向に2個のブロック体が並び間にニードル2を通す間隙を設けた形態とすることもできる。
The
図4(a) は、可動ブロック17及びニードル2が下降位置にある状態を示しており、可動ブロック17の上方が凹陥部13となっている。図4(b) は、可動ブロック17及びニードル2が待機位置にある状態を示しており、可動ブロック17及びニードル2はピックアップステージ1の周縁部14と同じ高さとなっている。
FIG. 4A shows a state where the
このピックアップ装置は、次のように作動する。DAFを装着しウェーハシートSに貼り付けられた半導体チップPがピックアップステージ1上に移送される間は、図4(b) に示すように、可動ブロック17及びニードル2は待機位置にある。この段階では、ハウジング10内の吸引は作用していない。
This pickup device operates as follows. While the DAF is attached and the semiconductor chip P attached to the wafer sheet S is transferred onto the
所定の半導体チップPがピックアップステージ1上に到達すると、ハウジング10内に吸引が作用すると共に、コレット3が下降して半導体チップPの上面に接する。この状態で、図5(c) に示すように、可動ブロック17及びニードル2が下降し、コレット3もこれらと同期して下降する。これに伴って、半導体チップPはウェーハシートSと共に可動ブロック17及びニードル2の上端に支持された状態で下降する。
When a predetermined semiconductor chip P reaches the
したがって、例えば、図4(a) の状態から突然吸引が作用したときには半導体チップP及びウェーハシートSが急激に下降して衝撃を受け、位置ずれや傾斜等の支障を生じる畏れがあるが、可動ブロック17及びニードル2の上端に支持されることにより、半導体チップP及びウェーハシートSは吸引作用下でも所定速度で下降するので、そのような支障が回避される。
Therefore, for example, when suction is suddenly applied from the state shown in FIG. 4 (a), the semiconductor chip P and the wafer sheet S are suddenly lowered to receive an impact, which may cause problems such as displacement and tilting. By being supported by the
次に、図5(d) に示すように、可動ブロック17は、上方に凹陥部13を形成する高さまで下降し、ニードル2の先端部が、凹陥部13内に挿入されるウェーハシートSの高さを決める。すなわち、先の実施形態に従って記述すると、ニードル2は、図4(a) の後退位置に対して、図5(c) では凹陥部13底面より上方へ突出した前進位置をとる。こうして、半導体チップP及びウェーハシートSは、下方からニードル2で支持された状態でコレット3から下降圧を受け両者に挟まれた安定した状態で凹陥部13内に挿入される。この挿入による作用効果は、先の実施形態において説明した内容と同じであるので、ここでは説明を省略する。
Next, as shown in FIG. 5 (d), the
次に、図6(e) に示すように、コレット3が吸引を作用させながら上昇する。これにより、図2(d) について説明したのと同様にして、半導体チップPはウェーハシートSから剥離される。この時、コレット3の吸引力を補足するように、剥離を生じる高さまたはその近傍まで、コレット3と同期してニードル2も上昇させるのが望ましい。ただし、コレット3による吸引のみで十分な場合は、ニードル2の同期上昇を省略してもよい。
Next, as shown in FIG. 6 (e), the
次に、図6(f) に示すように、ニードル2は下降して後退位置に戻り、コレット3は、所定位置に水平移動して半導体チップPをボンディング工程に移送することができる。
Next, as shown in FIG. 6 (f), the
図7(e') は、コレット3上昇時の変形態様を示している。図6(e) では、ニードル2のみが上昇したが、ここでは、図6(d) の状態から可動ブロック17及びニードル2が上昇する。ピックアップステージ1の周縁部14より高い所定の位置(剥離高さ)まで、ニードル2はコレット3と同期して上昇し、可動ブロック17は上昇途中で停止して周縁部14とニードル2との間の高さに留まる。このように、可動ブロック17で或る程度持ち上げた状態で、ニードル2が突出するので、ウェーハシートSは、半導体チップPからより広範囲に亘って剥離される。また、ウェーハシートSがニードル2から受ける突上げ力が緩和される。そしてこの後は、図6(f) と同じ状態となる。
FIG. 7 (e ′) shows a deformation mode when the
このように、可動ブロック17が上下動可能になっているので、前述のように半導体チップPの下降速度を制御することができる他、可動ブロック17の下降距離を調節することにより、凹陥部13の深さを変えることができ、さらにニードル2の高さを変えることにより、操作のフレキシブル性が高まり、凹陥部への挿入量を容易に最適化することができる。
Thus, since the
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、ハウジングに作用させる吸引は、ウェーハシートの移動が可能であれば、ピックアップ操作の段階を通じて連続して作用させてもよい。そのためには、ニードルを周縁部と同じまたはこれに近い高さまで上昇させて、ウェーハシートが凹陥部内に進入することなく移動できるようにするのが望ましい。 The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made. For example, the suction applied to the housing may be continuously applied throughout the stage of the pickup operation as long as the wafer sheet can be moved. For this purpose, it is desirable to raise the needle to a height equal to or close to the peripheral edge so that the wafer sheet can move without entering the recess.
半導体チップがDAFを備えない場合にも、上記と同様の操作により半導体チップPのピックアップを行なうことができる。この場合にも、凹陥部への挿入により、半導体チップはウェーハシートから迅速且つ確実に剥離される。 Even when the semiconductor chip does not include the DAF, the semiconductor chip P can be picked up by the same operation as described above. Also in this case, the semiconductor chip is quickly and reliably peeled from the wafer sheet by being inserted into the recessed portion.
ニードルは、前進位置を調節可能とすることにより、異なる厚さの半導体チップ、ウェーハシート等に対応することができるが、それらの厚さが一定の場合には、前進位置を所定高さに設定することもできる。またそれらの厚さが一定の場合には、ニードルを凹陥部の底面から突出した位置に固定し、或いは、ニードルを省略して凹陥部底面でウェーハシートを受けるようにしてもよい。その場合は、凹陥部から昇降可能な突上げ針を別個に設け、半導体チップを下方から支持しながら、コレットと同期して上昇させるのが望ましい。 By making the advance position adjustable, the needle can handle different thicknesses of semiconductor chips, wafer sheets, etc. If the thickness is constant, the advance position is set to a predetermined height. You can also When the thicknesses are constant, the needle may be fixed at a position protruding from the bottom surface of the recess, or the needle may be omitted and the wafer sheet may be received at the bottom of the recess. In that case, it is desirable to separately provide a push-up needle that can be moved up and down from the recessed portion, and to raise it in synchronism with the collet while supporting the semiconductor chip from below.
また、凹陥部への半導体チップの挿入量を決めるニードルとは別個に突上げ針を設け、吸着した半導体チップを伴って上昇するコレットと同期して突上げ針を上昇させるようにすることもできる。この場合は、ニードルと突上げ針とに各々の駆動源を接続するのが望ましい。 Also, a push-up needle can be provided separately from the needle that determines the amount of the semiconductor chip inserted into the recess, and the push-up needle can be raised in synchronism with the collet that rises with the adsorbed semiconductor chip. . In this case, it is desirable to connect each drive source to the needle and the push-up needle.
凹陥部に作用する吸引により、半導体チップ個片をウェーハシートと共に凹陥部に挿入することもでき、この場合は、凹陥部に吸引を作用させる減圧手段が挿入手段として機能する。この吸引は、半導体チップが凹陥部上に移動した後に作用させるのが望ましい。また、コレットによる押し下げと、凹陥部に作用する吸引との双方を、挿入手段とすることもできる。 The semiconductor chip pieces can be inserted into the recessed portion together with the wafer sheet by suction acting on the recessed portion, and in this case, the decompression means that acts on the recessed portion functions as the inserting means. This suction is preferably applied after the semiconductor chip has moved onto the recess. Further, both the pressing by the collet and the suction acting on the recessed portion can be used as the insertion means.
ウェーハシート上の半導体チップを順次ピックアップするために、1つのピックアップ操作が終了する毎に、コレットを水平方向に移動させるのに代えて、ピックアップステージを水平方向に移動させてもよい。 In order to sequentially pick up the semiconductor chips on the wafer sheet, the pickup stage may be moved in the horizontal direction instead of moving the collet in the horizontal direction every time one pickup operation is completed.
1 ピックアップステージ
2 ニードル
3 コレット
13 凹陥部
17 可動ブロック17
P 半導体チップ
S ウェーハシート
1
P Semiconductor chip S Wafer sheet
Claims (5)
ピックアップステージに形成されウェーハシートと共に半導体チップ個片を受け入れる平面寸法を有した凹陥部と、ウェーハシートと共に半導体チップ個片を該凹陥部に挿入するための挿入手段と、前記凹陥部内の半導体チップを吸着してピックアップするコレットと、前記凹陥部内への半導体チップの挿入深さを決めるために、前記凹陥部の底面から突出するニードルとを備えたことを特徴とするピックアップ装置。 A pick-up device for individually peeling semiconductor chips attached to a wafer sheet from the wafer sheet,
A recess formed on the pickup stage and having a planar dimension for receiving a semiconductor chip piece together with the wafer sheet; an insertion means for inserting the semiconductor chip piece together with the wafer sheet into the recess; and a semiconductor chip in the recess. A pick-up apparatus comprising: a collet to be picked up by suction; and a needle protruding from the bottom surface of the recessed portion to determine the insertion depth of the semiconductor chip into the recessed portion .
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