JP5582681B2 - 回転可能なスパッタリングターゲットを支持する平面エンドブロック - Google Patents
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- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title description 5
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 70
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 30
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 19
- 230000004323 axial length Effects 0.000 abstract description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011554 ferrofluid Substances 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-NJFSPNSNSA-N lead-209 Chemical compound [209Pb] WABPQHHGFIMREM-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical group [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
Claims (23)
- 減圧可能なスパッタリング装置内において、ターゲットを回転軸を中心として回転可能に支持するエンドブロックであって、以下の手段、すなわち、
・前記軸上に駆動手段範囲を占める、前記ターゲットを回転させる駆動手段であって、前記駆動手段範囲が、前記軸上への前記駆動手段の垂直投影として規定される、駆動手段と、
・前記軸上に接触手段範囲を占める、前記ターゲットに電流を供給する回転可能な電気接触手段であって、前記接触手段範囲が、前記軸上への前記接触手段の垂直投影として規定される、電気接触手段と、
・前記エンドブロックの固定部品および回転可能な部品間で相対的に回転可能な多数の回転可能な冷媒シール手段であって、前記冷媒シール手段が、前記軸上に対応する冷媒シール手段範囲を占め、前記冷媒シール手段範囲が、前記軸上への前記対応する冷媒シール手段の垂直投影として規定される、多数の回転可能な冷媒シール手段と、
の少なくとも2つからなる小グループを備えているエンドブロックにおいて、
前記小グループにおける手段の内、少なくとも2つの異なる手段が、互いに半径方向に配置され、これによって、前記少なくとも2つの異なる手段に対応する少なくとも2つの範囲が、前記軸上で互いに重なっていることを特徴とするエンドブロック。 - 前記エンドブロックは、多数の軸受手段をさらに備え、前記多数の軸受手段は、前記軸上に対応する軸受手段範囲を占め、前記軸受手段範囲が、前記軸上への前記対応する軸受手段の垂直投影として規定されていることを特徴とする請求項1に記載のエンドブロック。
- 前記小グループの内、前記少なくとも2つの異なる、重なっている手段が、前記軸上で前記多数の軸受手段とさらに重なっていることを特徴とする請求項1に記載のエンドブロック。
- 前記エンドブロックは、多数の真空シール手段をさらに備え、前記多数の真空シール手段は、前記軸上に対応する真空シール手段範囲を占め、前記真空シール手段範囲が、前記軸上への前記対応する真空シール手段の垂直投影として規定されていることを特徴とする請求項1に記載のエンドブロック。
- 前記小グループの内、前記少なくとも2つの異なる、重なっている手段が、前記軸上で前記多数の真空シール手段とさらに重なっていることを特徴とする請求項4に記載のエンドブロック。
- 前記小グループが、以下の手段、すなわち、
・前記軸上に前記駆動手段範囲を占める前記駆動手段であって、前記駆動手段範囲が、前記軸上への前記駆動手段の垂直投影として規定される、前記駆動手段と、
・前記軸上に前記接触手段範囲を占める回転可能な前記電気接触手段であって、前記接触手段範囲が、前記軸上への前記接触手段の垂直投影として規定される、前記電気接触手段と、
・多数の回転可能な前記冷媒シール手段であって、前記冷媒シール手段が、前記軸上に前記冷媒シール手段範囲を占め、前記冷媒シール手段範囲が、前記軸上への前記冷媒シール手段の垂直投影として規定される、多数の回転可能な前記冷媒シール手段と、
を備えていることを特徴とする請求項1に記載のエンドブロック。 - 前記小グループが、以下の手段、すなわち、
・前記軸上に前記駆動手段範囲を占める前記駆動手段であって、前記駆動手段範囲が、前記軸上への前記駆動手段の垂直投影として規定される、前記駆動手段と、
を備えていることを特徴とする請求項1に記載のエンドブロック。 - 前記小グループが、以下の手段、すなわち、
・前記軸上に前記接触手段範囲を占める回転可能な前記電気接触手段であって、前記接触手段範囲が、前記軸上への前記接触手段の垂直投影として規定される、前記電気接触手段と、
を備えていることを特徴とする請求項1に記載のエンドブロック。 - 前記小グループが、以下の手段、すなわち、
・多数の回転可能な前記冷媒シール手段であって、前記冷媒シール手段が、前記軸上に前記冷媒シール手段範囲を占め、前記冷媒シール手段範囲が、前記軸上への前記冷媒シール手段の垂直投影として規定される、多数の回転可能な前記冷媒シール手段と、
を備えていることを特徴とする請求項1に記載のエンドブロック。 - 前記小グループが、以下の手段、すなわち、
・前記軸上に前記駆動手段範囲を占める前記駆動手段であって、前記駆動手段範囲が、前記軸上への前記駆動手段の垂直投影として規定される、前記駆動手段と、
・多数の回転可能な前記冷媒シール手段であって、前記冷媒シール手段が、前記軸上に前記冷媒シール手段範囲を占め、前記冷媒シール手段範囲が、前記軸上への前記冷媒シール手段の垂直投影として規定される、多数の回転可能な前記冷媒シール手段と、
を備えていることを特徴とする請求項1に記載のエンドブロック。 - 前記小グループが、以下の手段、すなわち、
・前記軸上に前記駆動手段範囲を占める前記駆動手段であって、前記駆動手段範囲が、前記軸上への前記駆動手段の垂直投影として規定される、前記駆動手段と、
・前記軸上に前記接触手段範囲を占める回転可能な前記電気接触手段であって、前記接触手段範囲が、前記軸上への前記接触手段の垂直投影として規定される、前記電気接触手段と、
を備えていることを特徴とする請求項1に記載のエンドブロック。 - 前記小グループが、以下の手段、すなわち、
・前記軸上に前記接触手段範囲を占める回転可能な前記電気接触手段であって、前記接触手段範囲が、前記軸上への前記接触手段の垂直投影として規定される、前記電気接触手段と、
・多数の回転可能な前記冷媒シール手段であって、前記冷媒シール手段が、前記軸上に前記冷媒シール手段範囲を占め、前記冷媒シール手段範囲が、前記軸上への前記冷媒シール手段の垂直投影として規定される、多数の回転可能な前記冷媒シール手段と、
を備えていることを特徴とする請求項1に記載のエンドブロック。 - 前記小グループが、以下の手段、すなわち、
・前記軸上に前記駆動手段範囲を占める前記駆動手段であって、前記駆動手段範囲が、前記軸上への前記駆動手段の垂直投影として規定される、前記駆動手段と、
・前記軸上に前記接触手段範囲を占める回転可能な前記電気接触手段であって、前記接触手段範囲が、前記軸上への前記接触手段の垂直投影として規定される、前記電気接触手段と、
・多数の回転可能な前記冷媒シール手段であって、前記冷媒シール手段が、前記軸上に前記冷媒シール手段範囲を占め、前記冷媒シール手段範囲が、前記軸上への前記冷媒シール手段の垂直投影として規定される、多数の回転可能な前記冷媒シール手段と、
を備えていることを特徴とする請求項1に記載のエンドブロック。 - 前記駆動手段範囲が、前記接触手段範囲と重なっていることを特徴とする請求項1、6、11または13のいずれか一項に記載のエンドブロック。
- 前記駆動手段範囲が、前記軸受手段範囲の少なくとも1つと重なっていることを特徴とする請求項7、10、11または13のいずれか一項に記載のエンドブロック。
- 前記駆動手段範囲が、前記冷媒シール手段範囲の少なくとも1つと重なっていることを特徴とする請求項1、6、10または13のいずれか一項に記載のエンドブロック。
- 前記駆動手段範囲が、前記真空シール手段範囲の少なくとも1つと重なっていることを特徴とする請求項7、10,11または13のいずれか一項に記載のエンドブロック。
- 前記接触手段範囲が、前記軸受手段範囲の少なくとも1つと重なっていることを特徴とする請求項1、8、11、12または13のいずれか一項に記載のエンドブロック。
- 前記接触手段範囲が、前記冷媒シール手段範囲の少なくとも1つと重なっていることを特徴とする請求項1、6、12または13のいずれか一項に記載のエンドブロック。
- 前記接触手段範囲が、前記真空シール手段範囲の少なくとも1つと重なっていることを特徴とする請求項4または5のいずれか一項に記載のエンドブロック。
- 前記軸受手段範囲の少なくとも1つが前記冷媒シール手段範囲の少なくとも1つと重なっていることを特徴とする請求項2に記載のエンドブロック。
- 前記軸受手段範囲の少なくとも1つが、前記真空シール手段範囲の少なくとも1つと重なっていることを特徴とする請求項2、3、4または5のいずれか一項に記載のエンドブロック。
- 前記冷媒シール手段範囲の少なくとも1つが、前記真空シール手段範囲の少なくとも1つと重なっていることを特徴とする請求項4または5のいずれか一項に記載のエンドブロック。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP04105116 | 2004-10-18 | ||
EP04105116.0 | 2004-10-18 | ||
EP05101905 | 2005-03-11 | ||
EP05101905.7 | 2005-03-11 | ||
PCT/EP2005/055143 WO2006097152A1 (en) | 2004-10-18 | 2005-10-11 | Flat end-block for carrying a rotatable sputtering target |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014119516A Division JP6034830B2 (ja) | 2004-10-18 | 2014-06-10 | 回転可能なスパッタリングターゲットを支持する平面エンドブロック |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008517150A JP2008517150A (ja) | 2008-05-22 |
JP5582681B2 true JP5582681B2 (ja) | 2014-09-03 |
Family
ID=35809667
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007536159A Active JP5582681B2 (ja) | 2004-10-18 | 2005-10-11 | 回転可能なスパッタリングターゲットを支持する平面エンドブロック |
JP2014119516A Active JP6034830B2 (ja) | 2004-10-18 | 2014-06-10 | 回転可能なスパッタリングターゲットを支持する平面エンドブロック |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014119516A Active JP6034830B2 (ja) | 2004-10-18 | 2014-06-10 | 回転可能なスパッタリングターゲットを支持する平面エンドブロック |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8562799B2 (ja) |
EP (1) | EP1799876B1 (ja) |
JP (2) | JP5582681B2 (ja) |
KR (1) | KR101358820B1 (ja) |
AT (1) | ATE423225T1 (ja) |
DE (1) | DE602005012850D1 (ja) |
DK (1) | DK1799876T3 (ja) |
ES (1) | ES2320366T3 (ja) |
PL (1) | PL1799876T3 (ja) |
PT (1) | PT1799876E (ja) |
SI (1) | SI1799876T1 (ja) |
WO (1) | WO2006097152A1 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070108907A (ko) * | 2005-03-11 | 2007-11-13 | 베카에르트 어드벤스드 코팅스 | 단일, 직각 엔드-블록 |
US20120031755A1 (en) * | 2006-11-24 | 2012-02-09 | Guo George X | Deposition system capable of processing multiple roll-fed substrates |
US20080127887A1 (en) * | 2006-12-01 | 2008-06-05 | Applied Materials, Inc. | Vertically mounted rotary cathodes in sputtering system on elevated rails |
DE102008033904B4 (de) * | 2008-07-18 | 2012-01-19 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Antriebsendblock für eine Magnetronanordnung mit einem rotierenden Target |
US8182662B2 (en) * | 2009-03-27 | 2012-05-22 | Sputtering Components, Inc. | Rotary cathode for magnetron sputtering apparatus |
WO2010115189A1 (en) * | 2009-04-03 | 2010-10-07 | General Plasma, Inc. | Rotary magnetron |
JP5497572B2 (ja) * | 2009-08-18 | 2014-05-21 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置及び真空処理装置 |
DE102009056241B4 (de) * | 2009-12-01 | 2012-07-12 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Stützeinrichtung für eine Magnetronanordnung mit einem rotierenden Target |
KR101155906B1 (ko) | 2009-12-11 | 2012-06-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 스퍼터링 장치 |
EP2371992B1 (en) * | 2010-04-01 | 2013-06-05 | Applied Materials, Inc. | End-block and sputtering installation |
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WO2013003458A1 (en) | 2011-06-27 | 2013-01-03 | Soleras Ltd. | Sputtering target |
BE1020564A5 (nl) * | 2013-04-04 | 2013-12-03 | Soleras Advanced Coatings Bvba | Spindel voor magnetron sputter inrichting. |
US9809876B2 (en) | 2014-01-13 | 2017-11-07 | Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et La Ceramique (C.R.V.C.) Sarl | Endblock for rotatable target with electrical connection between collector and rotor at pressure less than atmospheric pressure |
US10699885B2 (en) | 2014-08-29 | 2020-06-30 | Bühler AG | Dual power feed rotary sputtering cathode |
CN104640339A (zh) * | 2015-01-12 | 2015-05-20 | 广东韦达尔科技有限公司 | 一种等离子表面处理装置 |
BE1024754B9 (nl) * | 2016-11-29 | 2018-07-24 | Soleras Advanced Coatings Bvba | Een universeel monteerbaar eindblok |
JP2018131644A (ja) * | 2017-02-13 | 2018-08-23 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置用の回転式カソードユニット |
CN113366605B (zh) * | 2019-02-05 | 2024-02-20 | 应用材料公司 | 沉积设备和用于监测沉积设备的方法 |
KR20210080770A (ko) | 2019-12-23 | 2021-07-01 | 주식회사 선익시스템 | 스퍼터용 회전형 타겟장치 및 상기 타겟장치를 구비한 스퍼터장치 |
JP7303393B2 (ja) * | 2020-09-16 | 2023-07-04 | 株式会社アルバック | 回転式カソードユニット用の駆動ブロック |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US4422916A (en) | 1981-02-12 | 1983-12-27 | Shatterproof Glass Corporation | Magnetron cathode sputtering apparatus |
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KR20070108907A (ko) | 2005-03-11 | 2007-11-13 | 베카에르트 어드벤스드 코팅스 | 단일, 직각 엔드-블록 |
-
2005
- 2005-10-11 SI SI200530640T patent/SI1799876T1/sl unknown
- 2005-10-11 EP EP05857644A patent/EP1799876B1/en active Active
- 2005-10-11 US US11/665,562 patent/US8562799B2/en active Active
- 2005-10-11 AT AT05857644T patent/ATE423225T1/de not_active IP Right Cessation
- 2005-10-11 JP JP2007536159A patent/JP5582681B2/ja active Active
- 2005-10-11 PT PT05857644T patent/PT1799876E/pt unknown
- 2005-10-11 DK DK05857644T patent/DK1799876T3/da active
- 2005-10-11 PL PL05857644T patent/PL1799876T3/pl unknown
- 2005-10-11 KR KR1020077008375A patent/KR101358820B1/ko active IP Right Grant
- 2005-10-11 DE DE602005012850T patent/DE602005012850D1/de active Active
- 2005-10-11 ES ES05857644T patent/ES2320366T3/es active Active
- 2005-10-11 WO PCT/EP2005/055143 patent/WO2006097152A1/en active Application Filing
-
2014
- 2014-06-10 JP JP2014119516A patent/JP6034830B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8562799B2 (en) | 2013-10-22 |
KR20070067139A (ko) | 2007-06-27 |
EP1799876A1 (en) | 2007-06-27 |
ATE423225T1 (de) | 2009-03-15 |
JP6034830B2 (ja) | 2016-11-30 |
DK1799876T3 (da) | 2009-04-20 |
US20080105543A1 (en) | 2008-05-08 |
JP2008517150A (ja) | 2008-05-22 |
DE602005012850D1 (de) | 2009-04-02 |
KR101358820B1 (ko) | 2014-02-10 |
PT1799876E (pt) | 2009-03-30 |
ES2320366T3 (es) | 2009-05-21 |
WO2006097152A1 (en) | 2006-09-21 |
SI1799876T1 (sl) | 2009-06-30 |
JP2014194086A (ja) | 2014-10-09 |
PL1799876T3 (pl) | 2009-07-31 |
EP1799876B1 (en) | 2009-02-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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|
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|
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|
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|
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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