JP5581701B2 - 高周波回路基板装置 - Google Patents
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Description
図1は、この発明に係る実施の形態1による高周波回路基板装置の、セラミック基板と樹脂基板との接続構造を示す断面図である。図2は、この発明に係る実施の形態1によるセラミック基板のバンプ形成面を示す図である。
図1、2において、実施の形態1による高周波回路基板装置100は、セラミック基板1とセラミック基板6を、導体のバンプ4を介して接続することで構成される。セラミック基板1の一方の面には、部品2を実装するための回路パターン3が形成される。セラミック基板1の他方の面には、バンプ4を接合するための複数のランド5が配列されている。ランド5は、導体パターンによって構成され、セラミック基板1の中央に集中して配列される。樹脂基板6はガラスエポキシ樹脂やBTレジンなどの樹脂を素材として構成され、樹脂基板6の一方の面には、複数のランド7が配列されている。ランド7は導体パターンによって構成され、ランド5に対向する位置に配置されて、ランド5と同じ数および同じピッチで配列される。
BGA実装構造では、半導体素子、受動素子等の部品をセラミック基板(ここではセラミック基板1)に搭載して形成した回路ブロックを、マザーボード(ここでは樹脂基板6)に最小面積で実装することができる。また、セラミック基板とマザーボード間の全接合点が最短接続及び一括同時接合できる利点がある。ボールまたはバンプには、半田、導体膜で覆われた樹脂、メッキ積上げ、金属ボール、等各種有り、用途、目的により使い分けられている。ここでは、これらを総てバンプと称する。
また、前記セラミック基板1の最大外形幅と、前記ボールグリッドアレイの形成領域におけるセラミック基板1の最大外形幅と同一方向での最大幅との差は、20mm以上であっても良い。
また、前記セラミック基板1をバンプ接合した際に、バンプ接続部の破壊が生じない寸法範囲を、前記ボールグリッドアレイの形成領域としても良い。
図3は、この発明に係る実施の形態2による高周波回路基板装置の、セラミック基板と樹脂基板との接続構造を示す断面図である。図4は、この発明に係る実施の形態2によるセラミック基板のバンプ形成面を示す図である。図5は、この発明に係る実施の形態2による他の態様のセラミック基板のバンプ形成面を示す。図3、4、5において、符号1〜7に示す構成は、実施の形態1の場合と類似の構成を示す。
Claims (2)
- 複数のランドが配列されたセラミック基板と、
複数のランドが配列された樹脂基板と、
前記樹脂基板のランドと前記セラミック基板のランドの間に接合され、ボールグリッドアレイを構成する複数のバンプと、
を備え、
前記セラミック基板をバンプ接合した際にバンプ接続部の破壊が生じない寸法範囲を、前記ボールグリッドアレイの形成領域とし、
前記セラミック基板の最大外形幅は、前記ボールグリッドアレイの形成領域よりも20mm以上大きく、前記ボールグリッドアレイが前記セラミック基板の中央部にのみ形成された高周波回路基板装置。 - 複数のランドが配列されたセラミック基板と、
複数のランドが配列された樹脂基板と、
前記樹脂基板のランドと前記セラミック基板のランドの間に接合され、ボールグリッドアレイを構成する複数のバンプと、
を備え、
前記ボールグリッドアレイを前記セラミック基板の一端部に向かって偏った位置にのみに形成し、前記ボールグリッドアレイ領域で支える前記セラミック基板の重量に偏りを生じないように、前記セラミック基板が前記バンプにより支えられていない前記セラミック基板の他端部に、前記セラミック基板の重量を前記ボールグリッドアレイ領域とともに支える弾性樹脂からなる支持部材を設け、前記セラミック基板を前記樹脂基板に対して前記ボールグリッドアレイ領域及び支持部材の両持ちで支持する、
または前記ボールグリッドアレイを前記セラミック基板の中央部にのみに形成し、前記セラミック基板が前記バンプにより支えられていない前記セラミック基板の重量を支える必要がある基板両端部に、前記弾性樹脂からなる支持部材を設け、前記セラミック基板を、前記樹脂基板に対して前記ボールグリッドアレイ領域及び少なくとも2つ以上の前記支持部材の少なくとも3個所以上で支持する、
ことを特徴とした高周波回路基板装置。
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