JP5575348B1 - コネクタの製造方法 - Google Patents

コネクタの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5575348B1
JP5575348B1 JP2014520091A JP2014520091A JP5575348B1 JP 5575348 B1 JP5575348 B1 JP 5575348B1 JP 2014520091 A JP2014520091 A JP 2014520091A JP 2014520091 A JP2014520091 A JP 2014520091A JP 5575348 B1 JP5575348 B1 JP 5575348B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
contact pin
resin substrate
substrate
pin pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014520091A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2015107568A1 (ja
Inventor
孝史 佐野
常徳 寺田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LEAP Co., Ltd
Original Assignee
LEAP Co., Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LEAP Co., Ltd filed Critical LEAP Co., Ltd
Application granted granted Critical
Publication of JP5575348B1 publication Critical patent/JP5575348B1/ja
Publication of JPWO2015107568A1 publication Critical patent/JPWO2015107568A1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02Electroplating of selected surface areas
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1633Process of electroless plating
    • C23C18/1646Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165Multilayered product
    • C23C18/1653Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00Electroforming
    • C25D1/0033D structures, e.g. superposed patterned layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/54Electroplating of non-metallic surfaces
    • C25D5/56Electroplating of non-metallic surfaces of plastics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02Contact members
    • H01R13/03Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R43/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
    • H01R43/20Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for assembling or disassembling contact members with insulating base, case or sleeve
    • H01R43/24Assembling by moulding on contact members

Abstract

反転コンタクトピンパターンが刻印された熱硬化性樹脂基板と熱可塑性樹脂とからなる樹脂金型を用い、コンタクトピンパターンを樹脂金型内に形成した後、熱可塑性樹脂を溶解させて、樹脂基板の表面に複数のコンタクトピンが樹立した構造のコネクタを作製する。

Description

本発明は、互いに絶縁された複数のコンタクトピンが樹脂基板上に一端を固定され、樹立した状態で配置される構造を有するコネクタの製造方法に関する。
近年のスマートフォンやタブレット端末などのモバイル機器の多機能化に伴い、これらの機器内で使用されるコネクタも、小型化、コンタクトピンの多極化、コンタクトピンの高密度化が進んでいる。
このようなコネクタの製造方法としては、特許文献1に記載されるようなインサート成形方式を用いるものや、特許文献2に記載されるようなコンタクトピンをプレス打抜き加工により作製し、別途樹脂の射出成形で作製された絶縁ハウジングに実装するものが知られている。
特開2006−202609号公報 特開2006−228612号公報
上述した特許文献1,2に記載されたコネクタの製造方法では、コンタクトピンの作製にはいずれもプレス打ち抜き加工を用いているため、コンタクトピンのピッチが更に小さくなってくると、コンタクトピンの作製や配置が困難になるという課題を有している。また、コンタクトピンと絶縁ハウジングとを別々に作製して、絶縁ハウジングにコンタクトピンを実装させる形態を採用しているため、作業工数が増大し、作製コストが上昇するだけでなく、更なる小型化が困難になるという課題も有している。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、所定ピッチで配列された複数のコンタクトピンを樹脂基板上に樹立した状態で配列し、樹脂基板とコンタクトピンとを一体として形成するようにしたコネクタの製造方法を提供することを目的とする。
上記課題は、以下の本発明によって達成することができる。
本発明のコネクタの第1の製造方法では、複数のコンタクトピンの一端同士を樹脂基板に埋め込んで、樹脂基板の表面に複数のコンタクトピンが樹立した状態で形成されるコネクタの製造方法であって、第1の深さd1で刻印されたコンタクトピンパターンを有する転写金型と、樹脂基板とを準備するステップと、転写金型を樹脂基板に押圧し、樹脂基板の表面に第2の深さd2(d2<d1)で刻印された反転コンタクトピンパターンを作製するステップと、転写金型を保持した状態で転写金型と樹脂基板との間隙に樹脂を注入し硬化させるステップと、転写金型を除去し、反転コンタクトピンパターンが刻印された樹脂金型を作製するステップと、樹脂金型の表面に金属シード膜を形成するステップと、反転コンタクトピンパターンが形成されていない領域の金属シード膜を除去するステップと、金属シード膜を下地として電気めっきにより反転コンタクトピンパターンが刻印されている領域を埋める導体層を形成するステップと、硬化した樹脂を溶解させ、複数のコンタクトピンを樹脂基板上に所定の高さd3(d3=d1−d2)で樹立させるステップと、を有することを特徴とする。
また、本発明のコネクタの第2の製造方法では、複数のコンタクトピンの一端同士を樹脂基板に埋め込んで樹脂基板の表面に複数のコンタクトピンが樹立した状態で形成されるコネクタの製造方法であって、第1の深さd1で刻印されたコンタクトピンパターンを有する転写金型と、所定の厚さd3(d3<d1)で樹脂が表面に塗布された樹脂基板とを準備するステップと、転写金型を樹脂基板の表面に押圧して樹脂基板に第2の深さd2(d2=d1−d3)で刻印された反転コンタクトピンパターンを作製するステップと、転写金型を除去し、反転コンタクトピンパターンが刻印された樹脂金型を作製するステップと、樹脂金型の表面に金属シード膜を形成するステップと、反転コンタクトピンパターンが形成されていない領域の金属シード膜を除去するステップと、金属シード膜を下地として電気めっきにより反転コンタクトピンパターンが刻印されている領域を埋める導体層を形成するステップと、塗布された樹脂を溶解させ、複数のコンタクトピンを樹脂基板上に所定の高さd3で樹立させるステップと、を有することを特徴とする。
また、本発明のコネクタの第3の製造方法では、複数のコンタクトピンの一端同士を樹脂基板に埋め込んで、樹脂基板の表面に複数のコンタクトピンが樹立した状態で形成されるコネクタの製造方法であって、第1の深さd1で刻印されたコンタクトピンパターンを有する転写金型と、所定の厚さd3(d3<d1)で樹脂が表面に塗布され、金属基板が裏面に貼付された所定の厚さd2(d2=d1−d3)の樹脂基板とを準備するステップと、転写金型を樹脂基板の表面に押圧して金属基板に達する第1の深さd1で刻印された反転コンタクトピンパターンを作製するステップと、転写金型を除去し、反転コンタクトピンパターンが刻印された樹脂金型を作製するステップと、金属基板を下地として電気めっきにより反転コンタクトピンパターンが刻印されている領域を埋める導体層を形成するステップと、樹脂を溶解させると共に、金属基板を樹脂基板の裏面から剥離して、複数のコンタクトピンを樹脂基板上に所定の高さd3で樹立させるステップとを有することを特徴とする。
また、本発明は、第1乃至第3のいずれかの方法において、樹脂基板が熱硬化性樹脂又は有機溶剤で溶解不能な熱可塑性樹脂によって作製され、樹脂が前記有機溶剤によって溶解可能な熱可塑性樹脂であることを特徴とする。
また、本発明は、第1乃至第3のいずれかの方法において、転写金型の押圧による反転コンタクトピンパターンの作製は、インプリント又は熱プレスによって行われることを特徴とする。
また、本発明は、第1乃至第3のいずれかの方法において、転写金型は、SiまたはNiからなることを特徴とする。
また、本発明は、第1乃至第3のいずれかの方法において、電気めっきは、銅めっき、リン青銅めっき、又はニッケルコバルト合金めっきであることを特徴とする。
また、本発明は、第1又は第2の方法において、金属シード膜は、Cu、Ni、Sn、又はAlのいずれかからなることを特徴とする。
さらに、本発明は、第3の方法において、金属基板が、Ni、Ti、SUS又はNi合金からなることを特徴とする。
本発明によれば、コンタクトピンを樹脂基板上に樹立した状態で、樹脂基板とコンタクトピンとが一体として形成されたコネクタを作製することができる。従って狭ピッチで配列されたコンタクトピンを有するコネクタを低コストで作製することができる。
本発明により作製されたコネクタの表面形状及びコンタクトピンの形状を示す図。 本発明の第1実施形態による製造方法で作製されるコネクタの工程別断面図(その1)。 本発明の第1実施形態による製造方法で作製されるコネクタの工程別断面図(その2)。 本発明の第1実施形態による製造方法で作製されるコネクタの工程別断面図(その3)。 本発明の第1実施形態による製造方法で作製されるコネクタの工程別断面図(その4)。 本発明の第1実施形態による製造方法で作製されるコネクタの工程別断面図(その5)。 本発明の第1実施形態による製造方法で作製されるコネクタの工程別断面図(その6)。 本発明の第1実施形態による製造方法で作製されるコネクタの工程別断面図(その7)。 本発明の第1実施形態による製造方法で作製されるコネクタの工程別断面図(その8)。 本発明の第1実施形態による製造方法で作製されるコネクタの工程別断面図(その9)。 本発明の第2実施形態による製造方法で作製されるコネクタの工程別断面図。 本発明の第3実施形態による製造方法で作製されるコネクタの工程別断面図(その1)。 本発明の第3実施形態による製造方法で作製されるコネクタの工程別断面図(その2)。 本発明の第3実施形態による製造方法で作製されるコネクタの工程別断面図(その3)。 本発明の第3実施形態による製造方法で作製されるコネクタの工程別断面図(その4)。 本発明の第3実施形態による製造方法で作製されるコネクタの工程別断面図(その5)。 本発明の第3実施形態による製造方法で作製されるコネクタの工程別断面図(その6)。 本発明の第3実施形態による製造方法で作製されるコネクタの工程別断面図(その7)。
以下、添付図面に従って、本発明を詳細に説明する。
図1は、本発明の製造方法によって作製されたコネクタの表面形状及びコンタクトピンの形状を示す図である。(a)は平面図、(b)はコンタクトピンの斜視図である。
図1(a)に示すように、本発明で作製されるコネクタ1000は、樹脂基板100の表面に複数のコンタクトピン110が、一端同士が樹脂基板100内に埋め込まれて、表面に樹立した状態で形成される。
図1(a)に示したコネクタ1000ではコ字状の20本のコンタクトピン110−1,110−2,・・・110−20が二列に分かれて、所定のピッチで配列されているが、コンタクトピンの形状や本数はこれに限定されるものではない。図1(a)に示したコネクタ1000のコンタクトピン110のピン幅W1,W2,W3及び長さlは、それぞれ、約120μ,160μ,30μ及び320μである。なお、コンタクトピン110−nは図1(b)に示すように下端部112が樹脂基板100内に埋め込まれており、上端部114が樹脂基板100の表面に樹立した状態で形成されている。
コンタクトピン110の材料は電気めっき(電気鋳造)により形成することのできる導電材料であれば特に限定されるものではないが、コンタクトピンの特質に鑑みると銅、リン青銅、ニッケルコバルト合金などの弾力性のある材料を使用するのが良い。コンタクトピンの形状は係合する相手方部材の形状に応じて種々の形状のものを使用することができる。
次に、本発明によるコネクタの製造方法について説明する。
図2は本発明の第1の実施形態を説明する工程別断面図で、図1(a)のX−X切断線での断面形状を示したものである。
まず、図2(a)に示すように、深さd1で刻印されたコンタクトピンパターン200−1,200−2,・・・,200−nを有する転写金型200と、樹脂基板300とを準備する。
転写金型200の材料としては、シリコン(Si)またはニッケル(Ni)を用いることができる。また樹脂基板300の材料としては、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化性プラスチック、エポキシ樹脂又はケイ素樹脂等の熱硬化性樹脂や、ポリイミド又は液晶ポリマ(LCP)などの熱可塑性樹脂であって後の工程で有機溶剤で溶解不能な樹脂を使用する。
次に、図2(b)に示すように、転写金型200を樹脂基板300の表面に押圧し、表面に深さd2で刻印された反転コンタクトピンパターン300−1,300−2,・・・,300−nを作製する。この反転コンタクトピンパターン300−1,300−2,・・・,300−nの作製はインプリント又は熱プレスにより行われる。この結果、図2bに示すように転写金型200と樹脂基板300とは間隙d3(=d1−d2)を保った状態で対向して保持されている状態となる。
次いで、図2(c)に示すように、後の工程で有機溶剤で溶解可能な樹脂400を転写金型200を保持した状態で間隙d3に注入して充填した後、硬化させる。樹脂400として熱重合型レジンを用いれば、注入後に加熱することにより容易に硬化させることができる。
その後、図2(d)に示すように転写金型200を除去して、反転コンタクトピンパターン300−1,300−2,・・・,300−nが刻印された樹脂基板300と樹脂400とからなる樹脂金型500を作製する。
なお、樹脂400としては、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニルなどの有機溶剤で溶解可能な熱可塑性樹脂を用いると良い。
次に、後続工程での電気めっき(電気鋳造)処理に備えて、図2(e)に示すように樹脂金型500の表面を覆うように金属シード膜600を形成する。
金属シード膜600に用いる金属としては、Cu,Sn,Ni,Ag,Alなどが用いられる。この金属シード膜600の形成は、CuやNiなどを無電解めっきすることによっても行うことができるし、蒸着やスパッタ又はCVDによって形成しても良い。
次いで、図2(f)に示すように樹脂金型500の表面の反転コンタクトピンパターン300−1,300−2,・・・,300−nが形成されていない領域の金属シード膜600を除去する。これは後続の電気めっき処理によって、反転コンタクトピンパターン300−1,300−2,・・・,300−nが形成されていない領域に電着がされないようにするためである。
金属シード膜の除去は、周知のダマシン法、又は研磨によって行うことができる。
次にこの残存する金属シード膜600−1,600−2,・・・,600−nを下地として、図2(g)に示すように電気めっき(電鋳)により反転コンタクトピンパターン300−1,300−2,・・・,300−nが刻印されている領域を埋めるように、銅、リン青銅、ニッケルコバルト合金などを電着させ、導体層700−1,700−2,・・・,700−nを形成する。
電気めっきは、反転コンタクトピンパターン300−1,300−2,・・・,300−nが刻印されている領域を埋め尽くし、その表面が樹脂金型500の表面と一致し、平坦となるまで行われる。
その後、図2(h)に示すように、硬化した樹脂400を有機溶剤で溶解させ、導体層700−1,700−2,・・・,700−nと金属シード層600−1,600−2,・・・,600−nとから構成されるコンタクトピン800−1,800−2,・・・,800−nを樹脂基板300上に高さd3(d3=d1−d2)で樹立させた状態で形成することによりコネクタを完成させる。
なお、コンタクトピン800−1,800−2,・・・,800−nの電極を樹脂基板300の裏面300Rから取り出す場合には、図2(i)に示すように、裏面300Rをコンタクトピン800−1,800−2,・・・,800−nに到達するまで研磨して、取出すようにしても良い。
なお、電気めっきに際しては、形成される各コンタクトピン800−1,800−2,・・・,800−nが1つのフレームに一端で連結されるように反転コンタクトピンパターン300−1,300−2,・・・,300−nを構成し、電気めっき終了後に、フレームから各コンタクトピンを切離するようにすればよい。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
図3は第2の実施形態を説明する工程別断面図である。
第1の実施形態では、転写金型を樹脂基板に押圧して反転コンタクトピンパターンを作製してから、転写金型を保持した状態で樹脂を注入したが、第2の実施形態では、予め樹脂基板の表面に樹脂を塗布した状態で反転コンタクトピンパターンを作製する。
まず、図3(a)に示すように、深さd1で刻印されたコンタクトピンパターン200−1,200−2,・・・,200−nを有する転写金型200と、所定の厚さd3(d3<d1)で有機溶剤で溶解可能な熱可塑性樹脂400が表面に塗布された樹脂基板300とを準備する。
樹脂400は塗布後に加熱して硬化させておく。なお、樹脂400を塗布するかわりに、熱可塑性樹脂を2層構造にし、有機溶剤によって上部の樹脂のみを除去できるようにした樹脂基板を用いることもできる。
次に、図3(b)に示すように、転写金型200を樹脂400が塗布された樹脂基板300の表面に押圧して、樹脂基板300に深さd2(d2=d1−d3)で刻印された反転コンタクトピンパターン300−1,300−2,・・・,300−nを作製する。
以下の工程は、第1の実施の形態と同様となる。
最後に塗布された樹脂400を溶解させ、複数のコンタクトピンを樹脂基板300上に高さd3(d3=d1−d2)で樹立させた状態で形成する。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。
図4は、第3の実施形態を説明する工程別断面図である。
第1及び第2の実施形態では、電気めっきのために金属シード膜を使用したが、本実施形態では、金属シード膜を使用せず、樹脂基板の裏面に貼付された金属基板を電気めっきのための下地として用いることを特徴としている。
まず、図4(a)に示すように、深さd1で刻印されたコンタクトピンパターン200−1,200−2,・・・,200−nを有する転写金型300と、所定の厚さd3(d3<d1)で熱可塑性樹脂400が表面に塗布され、金属基板900が裏面に貼付された厚さd2(d2=d1−d3)の樹脂基板300とを準備する。
金属基板900の材料としては、Ni、Ti、SUS又はNi合金等が使用される。
次に、図4(b)に示すように、転写金型200を樹脂400が塗布された樹脂基板300の表面に押圧して、金属基板900に達する深さd1で刻印された反転コンタクトピンパターン300−1,300−2,・・・,300−nを作製する。
この時、反転コンタクトピンパターン300−1,300−2,・・・,300−nの底面には樹脂400及び/又は樹脂基板300の一部が残査350−1,350−2,・・・,350−nとして薄く残存することがある。
次いで、図4(c)に示すように転写金型200を除去して、反転コンタクトピンパターン300−1,300−2,・・・,300−nが刻印された、樹脂基板300と樹脂400とからなる樹脂金型500を作製する。
残存する残査350−1,350−2,・・・,350−nはスパッタ又はRIEなどのドライエッチングで取り除いて、図4(d)に示すような金属基板900上に樹脂金型500が載置された状態とする。
そして、この金属基板900を下地として、図4(e)に示すように電気めっきにより反転コンタクトピンパターン300−1,300−2,・・・,300−nが刻印されている領域を埋めるように、めっき処理を行い、導体層700−1,700−2,・・・,700−nを形成する。
その後、図4(f)に示すように硬化した樹脂400を有機溶剤で溶解させ、更に、図4(g)に示すように金属基板900を樹脂基板300の裏面から剥離して、複数のコンタクトピンを樹脂基板300上に高さd3(d3=d1−d2)で樹立させた状態で形成させる。
第3の実施形態の場合には、第1及び第2の実施形態に比較して電気めっきの成長が高さ方向に均一に進むので、コンタクトピンの材質が安定化するという利点がある。
100,300:樹脂基板
110,110−1,110−2,・・・,110−n:コンタクトピン
200:転写金型
200−1,200−2,・・・,200−n:コンタクトピンパターン
300−1,300−2,・・・,300−n:反転コンタクトピンパターン
400:樹脂
500:樹脂金型
600:金属シード膜
700−1,700−2,・・・,700−n:導体層
800−1,800−2,・・・,800−n:コンタクトピン

Claims (9)

  1. 複数のコンタクトピンの一端同士を樹脂基板に埋め込んで、前記樹脂基板の表面に前記複数のコンタクトピンが樹立した状態で形成されるコネクタの製造方法であって、
    第1の深さd1で刻印されたコンタクトピンパターンを有する転写金型と、
    前記樹脂基板とを準備するステップと、
    前記転写金型を前記樹脂基板に押圧し、前記樹脂基板の表面に第2の深さd2(d2<d1)で刻印された反転コンタクトピンパターンを作製するステップと、
    前記転写金型を保持した状態で前記転写金型と前記樹脂基板との間隙に樹脂を注入し硬化させるステップと、
    前記転写金型を除去し、前記反転コンタクトピンパターンが刻印された樹脂金型を作製するステップと、
    前記樹脂金型の表面に金属シード膜を形成するステップと、
    前記反転コンタクトピンパターンが形成されていない領域の前記金属シード膜を除去するステップと、
    前記金属シード膜を下地として電気めっきにより前記反転コンタクトピンパターンが刻印されている領域を埋める導体層を形成するステップと、
    硬化した前記樹脂を溶解させ、前記複数のコンタクトピンを前記樹脂基板上に所定の高さd3(d3=d1−d2)で樹立させるステップと、を有することを特徴とする方法。
  2. 複数のコンタクトピンの一端同士を樹脂基板に埋め込んで前記樹脂基板の表面に前記複数のコンタクトピンが樹立した状態で形成されるコネクタの製造方法であって、
    第1の深さd1で刻印されたコンタクトピンパターンを有する転写金型と、
    所定の厚さd3(d3<d1)で樹脂が表面に塗布された前記樹脂基板とを準備するステップと、
    前記転写金型を前記樹脂基板の前記表面に押圧して前記樹脂基板に第2の深さd2(d2=d1−d3)で刻印された反転コンタクトピンパターンを作製するステップと、
    前記転写金型を除去し、前記反転コンタクトピンパターンが刻印された樹脂金型を作製するステップと、
    前記樹脂金型の表面に金属シード膜を形成するステップと、
    前記反転コンタクトピンパターンが形成されていない領域の前記金属シード膜を除去するステップと、
    前記金属シード膜を下地として電気めっきにより前記反転コンタクトピンパターンが刻印されている領域を埋める導体層を形成するステップと、
    塗布された前記樹脂を溶解させ、前記複数のコンタクトピンを前記樹脂基板上に所定の高さd3で樹立させるステップと、を有することを特徴とする方法。
  3. 複数のコンタクトピンの一端同士を樹脂基板に埋め込んで、前記樹脂基板の表面に前記複数のコンタクトピンが樹立した状態で形成されるコネクタの製造方法であって、
    第1の深さd1で刻印されたコンタクトピンパターンを有する転写金型と、
    所定の厚さd3(d3<d1)で樹脂が表面に塗布され、金属基板が裏面に貼付された所定の厚さd2(d2=d1−d3)の前記樹脂基板とを準備するステップと、
    前記転写金型を前記樹脂基板の前記表面に押圧して前記金属基板に達する第1の深さd1で刻印された反転コンタクトピンパターンを作製するステップと、
    前記転写金型を除去し、前記反転コンタクトピンパターンが刻印された樹脂金型を作製するステップと、
    前記金属基板を下地として電気めっきにより前記反転コンタクトピンパターンが刻印されている領域を埋める導体層を形成するステップと、
    前記樹脂を溶解させると共に、前記金属基板を前記樹脂基板の裏面から剥離して、前記複数のコンタクトピンを前記樹脂基板上に所定の高さd3で樹立させるステップとを有することを特徴とする方法。
  4. 請求項1乃至3のいずれかに記載の方法において、
    前記樹脂基板が熱硬化性樹脂又は有機溶剤で溶解不能な熱可塑性樹脂によって作製され、
    前記樹脂が前記有機溶剤によって溶解可能な熱可塑性樹脂であることを特徴とする方法。
  5. 請求項1乃至3のいずれかに記載の方法において、
    前記転写金型の押圧による前記反転コンタクトピンパターンの作製は、インプリント又は熱プレスによって行われることを特徴とする方法。
  6. 請求項1乃至3のいずれかに記載の方法において、
    前記転写金型は、SiまたはNiからなることを特徴とする方法。
  7. 請求項1乃至3のいずれかに記載の方法において、
    前記電気めっきは、銅めっき、リン青銅めっき、又はニッケルコバルト合金めっきであることを特徴とする方法。
  8. 請求項1又は2に記載の方法において、
    前記金属シード膜は、Cu、Ni、Sn又はAlのいずれかからなることを特徴とする方法。
  9. 請求項3に記載の方法において、
    前記金属基板が、Ni、Ti、SUS又はNi合金からなることを特徴とする方法。
JP2014520091A 2014-01-20 2014-01-20 コネクタの製造方法 Active JP5575348B1 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2014/000255 WO2015107568A1 (ja) 2014-01-20 2014-01-20 コネクタの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP5575348B1 true JP5575348B1 (ja) 2014-08-20
JPWO2015107568A1 JPWO2015107568A1 (ja) 2017-03-23

Family

ID=51579019

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014520091A Active JP5575348B1 (ja) 2014-01-20 2014-01-20 コネクタの製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5575348B1 (ja)
TW (1) TW201541767A (ja)
WO (1) WO2015107568A1 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8829967B2 (en) 2012-06-27 2014-09-09 Triquint Semiconductor, Inc. Body-contacted partially depleted silicon on insulator transistor
US8847672B2 (en) 2013-01-15 2014-09-30 Triquint Semiconductor, Inc. Switching device with resistive divider
US8923782B1 (en) 2013-02-20 2014-12-30 Triquint Semiconductor, Inc. Switching device with diode-biased field-effect transistor (FET)
US8977217B1 (en) 2013-02-20 2015-03-10 Triquint Semiconductor, Inc. Switching device with negative bias circuit
US9203396B1 (en) 2013-02-22 2015-12-01 Triquint Semiconductor, Inc. Radio frequency switch device with source-follower
US9214932B2 (en) 2013-02-11 2015-12-15 Triquint Semiconductor, Inc. Body-biased switching device
US9379698B2 (en) 2014-02-04 2016-06-28 Triquint Semiconductor, Inc. Field effect transistor switching circuit
JP2019114467A (ja) * 2017-12-25 2019-07-11 合同会社シナプス 同軸ケーブルコネクタおよび同軸ケーブルコネクタの製造方法
US10622993B2 (en) 2001-10-10 2020-04-14 Psemi Corporation Switch circuit and method of switching radio frequency signals
US10797691B1 (en) 2005-07-11 2020-10-06 Psemi Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink
US10804892B2 (en) 2005-07-11 2020-10-13 Psemi Corporation Circuit and method for controlling charge injection in radio frequency switches
US10818796B2 (en) 2005-07-11 2020-10-27 Psemi Corporation Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge
US11011633B2 (en) 2005-07-11 2021-05-18 Psemi Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction
USRE48965E1 (en) 2005-07-11 2022-03-08 Psemi Corporation Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004247216A (ja) * 2003-02-14 2004-09-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 異方性導電シートの製造方法
JP2006269400A (ja) * 2005-02-28 2006-10-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 異方性導電シート、その製造方法、接続方法および検査方法
JP2007141731A (ja) * 2005-11-21 2007-06-07 Sumitomo Electric Ind Ltd 異方性導電シート、その製造方法、接続方法および検査方法
JP2008218285A (ja) * 2007-03-06 2008-09-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 異方導電性シートの形成方法
WO2011111639A1 (ja) * 2010-03-11 2011-09-15 オムロン株式会社 コンタクト製造用組成物およびこれを用いたコンタクト並びにコネクタ
WO2013072952A1 (ja) * 2011-11-15 2013-05-23 株式会社Leap 転写金型及び転写金型の製造方法
WO2013072954A1 (ja) * 2011-11-15 2013-05-23 株式会社Leap 転写金型の製造方法、それによって作製された転写金型、及びその転写金型によって作製された部品

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004247216A (ja) * 2003-02-14 2004-09-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 異方性導電シートの製造方法
JP2006269400A (ja) * 2005-02-28 2006-10-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 異方性導電シート、その製造方法、接続方法および検査方法
JP2007141731A (ja) * 2005-11-21 2007-06-07 Sumitomo Electric Ind Ltd 異方性導電シート、その製造方法、接続方法および検査方法
JP2008218285A (ja) * 2007-03-06 2008-09-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 異方導電性シートの形成方法
WO2011111639A1 (ja) * 2010-03-11 2011-09-15 オムロン株式会社 コンタクト製造用組成物およびこれを用いたコンタクト並びにコネクタ
WO2013072952A1 (ja) * 2011-11-15 2013-05-23 株式会社Leap 転写金型及び転写金型の製造方法
WO2013072954A1 (ja) * 2011-11-15 2013-05-23 株式会社Leap 転写金型の製造方法、それによって作製された転写金型、及びその転写金型によって作製された部品

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10622993B2 (en) 2001-10-10 2020-04-14 Psemi Corporation Switch circuit and method of switching radio frequency signals
US10812068B2 (en) 2001-10-10 2020-10-20 Psemi Corporation Switch circuit and method of switching radio frequency signals
US10797694B2 (en) 2001-10-10 2020-10-06 Psemi Corporation Switch circuit and method of switching radio frequency signals
US10790820B2 (en) 2001-10-10 2020-09-29 Psemi Corporation Switch circuit and method of switching radio frequency signals
US10804892B2 (en) 2005-07-11 2020-10-13 Psemi Corporation Circuit and method for controlling charge injection in radio frequency switches
US10818796B2 (en) 2005-07-11 2020-10-27 Psemi Corporation Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge
USRE48965E1 (en) 2005-07-11 2022-03-08 Psemi Corporation Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge
USRE48944E1 (en) 2005-07-11 2022-02-22 Psemi Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETS using an accumulated charge sink
US11011633B2 (en) 2005-07-11 2021-05-18 Psemi Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction
US10797691B1 (en) 2005-07-11 2020-10-06 Psemi Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink
US8829967B2 (en) 2012-06-27 2014-09-09 Triquint Semiconductor, Inc. Body-contacted partially depleted silicon on insulator transistor
US8847672B2 (en) 2013-01-15 2014-09-30 Triquint Semiconductor, Inc. Switching device with resistive divider
US9214932B2 (en) 2013-02-11 2015-12-15 Triquint Semiconductor, Inc. Body-biased switching device
US8923782B1 (en) 2013-02-20 2014-12-30 Triquint Semiconductor, Inc. Switching device with diode-biased field-effect transistor (FET)
US8977217B1 (en) 2013-02-20 2015-03-10 Triquint Semiconductor, Inc. Switching device with negative bias circuit
US9203396B1 (en) 2013-02-22 2015-12-01 Triquint Semiconductor, Inc. Radio frequency switch device with source-follower
US9379698B2 (en) 2014-02-04 2016-06-28 Triquint Semiconductor, Inc. Field effect transistor switching circuit
JP2019114467A (ja) * 2017-12-25 2019-07-11 合同会社シナプス 同軸ケーブルコネクタおよび同軸ケーブルコネクタの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2015107568A1 (ja) 2017-03-23
TW201541767A (zh) 2015-11-01
WO2015107568A1 (ja) 2015-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5575348B1 (ja) コネクタの製造方法
KR101038351B1 (ko) 회로 기판 및 그 제조 방법
JP5294286B1 (ja) コイル素子の製造方法
TW201411964A (zh) 嵌入模製之連接器接觸點
KR20150079935A (ko) 수지 기판을 이용해 전기 주조에 의해 코일 소자를 제조하는 방법
US20150302987A1 (en) Production method for coil element, coil element assembly, and coil component
JP5514375B1 (ja) コイル部品及びコイル部品の製造方法
JP4503604B2 (ja) 電子パッケージ及びそれを構成する方法
TW201114348A (en) Printed circuit board and manufacturing method thereof
JP5481002B1 (ja) コネクタの製造方法
JP2009266957A (ja) 配線基板とその製造方法
US10910300B1 (en) Method for manufacturing interposer
JP6340217B2 (ja) めっき加工された樹脂成形品および製造方法
JP4720767B2 (ja) フレキシブル基板およびその製造方法
CN104409365A (zh) 一种bga基板的制作方法
JP5073868B1 (ja) 転写金型の製造方法及びその転写金型
US20210176866A1 (en) Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board
JP3947500B2 (ja) パッケージの製造方法及びパッケージ用金型
JP2005026412A (ja) 配線基板の圧印製造用金型及びその製造方法
CN114141632A (zh) 引线框架制备方法、引线框架制备模具和引线框架
JP2016103608A (ja) パッケージ基板とその製造方法、および半導体装置
TWI573505B (zh) Circuit board manufacturing method and structure thereof with extremely fine metal wiring
WO2002056653A2 (en) Antenna configuration in or on dielectric bodies
JP2013045828A (ja) 回路基板の製造方法
JP2020027723A (ja) 電気コネクターの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20140527

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140603

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140701

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5575348

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S303 Written request for registration of pledge or change of pledge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250