JP5575348B1 - コネクタの製造方法 - Google Patents
コネクタの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5575348B1 JP5575348B1 JP2014520091A JP2014520091A JP5575348B1 JP 5575348 B1 JP5575348 B1 JP 5575348B1 JP 2014520091 A JP2014520091 A JP 2014520091A JP 2014520091 A JP2014520091 A JP 2014520091A JP 5575348 B1 JP5575348 B1 JP 5575348B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- contact pin
- resin substrate
- substrate
- pin pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 129
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 129
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 89
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 7
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010974 bronze Substances 0.000 claims description 4
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
- C23C18/165—Multilayered product
- C23C18/1653—Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/003—3D structures, e.g. superposed patterned layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/54—Electroplating of non-metallic surfaces
- C25D5/56—Electroplating of non-metallic surfaces of plastics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/02—Contact members
- H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R43/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
- H01R43/20—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for assembling or disassembling contact members with insulating base, case or sleeve
- H01R43/24—Assembling by moulding on contact members
Abstract
Description
図1(a)に示すように、本発明で作製されるコネクタ1000は、樹脂基板100の表面に複数のコンタクトピン110が、一端同士が樹脂基板100内に埋め込まれて、表面に樹立した状態で形成される。
図2は本発明の第1の実施形態を説明する工程別断面図で、図1(a)のX−X切断線での断面形状を示したものである。
転写金型200の材料としては、シリコン(Si)またはニッケル(Ni)を用いることができる。また樹脂基板300の材料としては、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化性プラスチック、エポキシ樹脂又はケイ素樹脂等の熱硬化性樹脂や、ポリイミド又は液晶ポリマ(LCP)などの熱可塑性樹脂であって後の工程で有機溶剤で溶解不能な樹脂を使用する。
その後、図2(d)に示すように転写金型200を除去して、反転コンタクトピンパターン300−1,300−2,・・・,300−nが刻印された樹脂基板300と樹脂400とからなる樹脂金型500を作製する。
なお、樹脂400としては、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニルなどの有機溶剤で溶解可能な熱可塑性樹脂を用いると良い。
金属シード膜600に用いる金属としては、Cu,Sn,Ni,Ag,Alなどが用いられる。この金属シード膜600の形成は、CuやNiなどを無電解めっきすることによっても行うことができるし、蒸着やスパッタ又はCVDによって形成しても良い。
金属シード膜の除去は、周知のダマシン法、又は研磨によって行うことができる。
その後、図2(h)に示すように、硬化した樹脂400を有機溶剤で溶解させ、導体層700−1,700−2,・・・,700−nと金属シード層600−1,600−2,・・・,600−nとから構成されるコンタクトピン800−1,800−2,・・・,800−nを樹脂基板300上に高さd3(d3=d1−d2)で樹立させた状態で形成することによりコネクタを完成させる。
なお、コンタクトピン800−1,800−2,・・・,800−nの電極を樹脂基板300の裏面300Rから取り出す場合には、図2(i)に示すように、裏面300Rをコンタクトピン800−1,800−2,・・・,800−nに到達するまで研磨して、取出すようにしても良い。
なお、電気めっきに際しては、形成される各コンタクトピン800−1,800−2,・・・,800−nが1つのフレームに一端で連結されるように反転コンタクトピンパターン300−1,300−2,・・・,300−nを構成し、電気めっき終了後に、フレームから各コンタクトピンを切離するようにすればよい。
図3は第2の実施形態を説明する工程別断面図である。
第1の実施形態では、転写金型を樹脂基板に押圧して反転コンタクトピンパターンを作製してから、転写金型を保持した状態で樹脂を注入したが、第2の実施形態では、予め樹脂基板の表面に樹脂を塗布した状態で反転コンタクトピンパターンを作製する。
樹脂400は塗布後に加熱して硬化させておく。なお、樹脂400を塗布するかわりに、熱可塑性樹脂を2層構造にし、有機溶剤によって上部の樹脂のみを除去できるようにした樹脂基板を用いることもできる。
以下の工程は、第1の実施の形態と同様となる。
最後に塗布された樹脂400を溶解させ、複数のコンタクトピンを樹脂基板300上に高さd3(d3=d1−d2)で樹立させた状態で形成する。
図4は、第3の実施形態を説明する工程別断面図である。
第1及び第2の実施形態では、電気めっきのために金属シード膜を使用したが、本実施形態では、金属シード膜を使用せず、樹脂基板の裏面に貼付された金属基板を電気めっきのための下地として用いることを特徴としている。
金属基板900の材料としては、Ni、Ti、SUS又はNi合金等が使用される。
この時、反転コンタクトピンパターン300−1,300−2,・・・,300−nの底面には樹脂400及び/又は樹脂基板300の一部が残査350−1,350−2,・・・,350−nとして薄く残存することがある。
残存する残査350−1,350−2,・・・,350−nはスパッタ又はRIEなどのドライエッチングで取り除いて、図4(d)に示すような金属基板900上に樹脂金型500が載置された状態とする。
そして、この金属基板900を下地として、図4(e)に示すように電気めっきにより反転コンタクトピンパターン300−1,300−2,・・・,300−nが刻印されている領域を埋めるように、めっき処理を行い、導体層700−1,700−2,・・・,700−nを形成する。
110,110−1,110−2,・・・,110−n:コンタクトピン
200:転写金型
200−1,200−2,・・・,200−n:コンタクトピンパターン
300−1,300−2,・・・,300−n:反転コンタクトピンパターン
400:樹脂
500:樹脂金型
600:金属シード膜
700−1,700−2,・・・,700−n:導体層
800−1,800−2,・・・,800−n:コンタクトピン
Claims (9)
- 複数のコンタクトピンの一端同士を樹脂基板に埋め込んで、前記樹脂基板の表面に前記複数のコンタクトピンが樹立した状態で形成されるコネクタの製造方法であって、
第1の深さd1で刻印されたコンタクトピンパターンを有する転写金型と、
前記樹脂基板とを準備するステップと、
前記転写金型を前記樹脂基板に押圧し、前記樹脂基板の表面に第2の深さd2(d2<d1)で刻印された反転コンタクトピンパターンを作製するステップと、
前記転写金型を保持した状態で前記転写金型と前記樹脂基板との間隙に樹脂を注入し硬化させるステップと、
前記転写金型を除去し、前記反転コンタクトピンパターンが刻印された樹脂金型を作製するステップと、
前記樹脂金型の表面に金属シード膜を形成するステップと、
前記反転コンタクトピンパターンが形成されていない領域の前記金属シード膜を除去するステップと、
前記金属シード膜を下地として電気めっきにより前記反転コンタクトピンパターンが刻印されている領域を埋める導体層を形成するステップと、
硬化した前記樹脂を溶解させ、前記複数のコンタクトピンを前記樹脂基板上に所定の高さd3(d3=d1−d2)で樹立させるステップと、を有することを特徴とする方法。 - 複数のコンタクトピンの一端同士を樹脂基板に埋め込んで前記樹脂基板の表面に前記複数のコンタクトピンが樹立した状態で形成されるコネクタの製造方法であって、
第1の深さd1で刻印されたコンタクトピンパターンを有する転写金型と、
所定の厚さd3(d3<d1)で樹脂が表面に塗布された前記樹脂基板とを準備するステップと、
前記転写金型を前記樹脂基板の前記表面に押圧して前記樹脂基板に第2の深さd2(d2=d1−d3)で刻印された反転コンタクトピンパターンを作製するステップと、
前記転写金型を除去し、前記反転コンタクトピンパターンが刻印された樹脂金型を作製するステップと、
前記樹脂金型の表面に金属シード膜を形成するステップと、
前記反転コンタクトピンパターンが形成されていない領域の前記金属シード膜を除去するステップと、
前記金属シード膜を下地として電気めっきにより前記反転コンタクトピンパターンが刻印されている領域を埋める導体層を形成するステップと、
塗布された前記樹脂を溶解させ、前記複数のコンタクトピンを前記樹脂基板上に所定の高さd3で樹立させるステップと、を有することを特徴とする方法。 - 複数のコンタクトピンの一端同士を樹脂基板に埋め込んで、前記樹脂基板の表面に前記複数のコンタクトピンが樹立した状態で形成されるコネクタの製造方法であって、
第1の深さd1で刻印されたコンタクトピンパターンを有する転写金型と、
所定の厚さd3(d3<d1)で樹脂が表面に塗布され、金属基板が裏面に貼付された所定の厚さd2(d2=d1−d3)の前記樹脂基板とを準備するステップと、
前記転写金型を前記樹脂基板の前記表面に押圧して前記金属基板に達する第1の深さd1で刻印された反転コンタクトピンパターンを作製するステップと、
前記転写金型を除去し、前記反転コンタクトピンパターンが刻印された樹脂金型を作製するステップと、
前記金属基板を下地として電気めっきにより前記反転コンタクトピンパターンが刻印されている領域を埋める導体層を形成するステップと、
前記樹脂を溶解させると共に、前記金属基板を前記樹脂基板の裏面から剥離して、前記複数のコンタクトピンを前記樹脂基板上に所定の高さd3で樹立させるステップとを有することを特徴とする方法。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の方法において、
前記樹脂基板が熱硬化性樹脂又は有機溶剤で溶解不能な熱可塑性樹脂によって作製され、
前記樹脂が前記有機溶剤によって溶解可能な熱可塑性樹脂であることを特徴とする方法。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の方法において、
前記転写金型の押圧による前記反転コンタクトピンパターンの作製は、インプリント又は熱プレスによって行われることを特徴とする方法。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の方法において、
前記転写金型は、SiまたはNiからなることを特徴とする方法。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の方法において、
前記電気めっきは、銅めっき、リン青銅めっき、又はニッケルコバルト合金めっきであることを特徴とする方法。 - 請求項1又は2に記載の方法において、
前記金属シード膜は、Cu、Ni、Sn又はAlのいずれかからなることを特徴とする方法。 - 請求項3に記載の方法において、
前記金属基板が、Ni、Ti、SUS又はNi合金からなることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2014/000255 WO2015107568A1 (ja) | 2014-01-20 | 2014-01-20 | コネクタの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5575348B1 true JP5575348B1 (ja) | 2014-08-20 |
JPWO2015107568A1 JPWO2015107568A1 (ja) | 2017-03-23 |
Family
ID=51579019
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014520091A Active JP5575348B1 (ja) | 2014-01-20 | 2014-01-20 | コネクタの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5575348B1 (ja) |
TW (1) | TW201541767A (ja) |
WO (1) | WO2015107568A1 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8829967B2 (en) | 2012-06-27 | 2014-09-09 | Triquint Semiconductor, Inc. | Body-contacted partially depleted silicon on insulator transistor |
US8847672B2 (en) | 2013-01-15 | 2014-09-30 | Triquint Semiconductor, Inc. | Switching device with resistive divider |
US8923782B1 (en) | 2013-02-20 | 2014-12-30 | Triquint Semiconductor, Inc. | Switching device with diode-biased field-effect transistor (FET) |
US8977217B1 (en) | 2013-02-20 | 2015-03-10 | Triquint Semiconductor, Inc. | Switching device with negative bias circuit |
US9203396B1 (en) | 2013-02-22 | 2015-12-01 | Triquint Semiconductor, Inc. | Radio frequency switch device with source-follower |
US9214932B2 (en) | 2013-02-11 | 2015-12-15 | Triquint Semiconductor, Inc. | Body-biased switching device |
US9379698B2 (en) | 2014-02-04 | 2016-06-28 | Triquint Semiconductor, Inc. | Field effect transistor switching circuit |
JP2019114467A (ja) * | 2017-12-25 | 2019-07-11 | 合同会社シナプス | 同軸ケーブルコネクタおよび同軸ケーブルコネクタの製造方法 |
US10622993B2 (en) | 2001-10-10 | 2020-04-14 | Psemi Corporation | Switch circuit and method of switching radio frequency signals |
US10797691B1 (en) | 2005-07-11 | 2020-10-06 | Psemi Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink |
US10804892B2 (en) | 2005-07-11 | 2020-10-13 | Psemi Corporation | Circuit and method for controlling charge injection in radio frequency switches |
US10818796B2 (en) | 2005-07-11 | 2020-10-27 | Psemi Corporation | Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge |
US11011633B2 (en) | 2005-07-11 | 2021-05-18 | Psemi Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction |
USRE48965E1 (en) | 2005-07-11 | 2022-03-08 | Psemi Corporation | Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004247216A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 異方性導電シートの製造方法 |
JP2006269400A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 異方性導電シート、その製造方法、接続方法および検査方法 |
JP2007141731A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 異方性導電シート、その製造方法、接続方法および検査方法 |
JP2008218285A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 異方導電性シートの形成方法 |
WO2011111639A1 (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-15 | オムロン株式会社 | コンタクト製造用組成物およびこれを用いたコンタクト並びにコネクタ |
WO2013072952A1 (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-23 | 株式会社Leap | 転写金型及び転写金型の製造方法 |
WO2013072954A1 (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-23 | 株式会社Leap | 転写金型の製造方法、それによって作製された転写金型、及びその転写金型によって作製された部品 |
-
2014
- 2014-01-20 JP JP2014520091A patent/JP5575348B1/ja active Active
- 2014-01-20 WO PCT/JP2014/000255 patent/WO2015107568A1/ja active Application Filing
- 2014-12-18 TW TW103144252A patent/TW201541767A/zh unknown
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004247216A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 異方性導電シートの製造方法 |
JP2006269400A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 異方性導電シート、その製造方法、接続方法および検査方法 |
JP2007141731A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 異方性導電シート、その製造方法、接続方法および検査方法 |
JP2008218285A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 異方導電性シートの形成方法 |
WO2011111639A1 (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-15 | オムロン株式会社 | コンタクト製造用組成物およびこれを用いたコンタクト並びにコネクタ |
WO2013072952A1 (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-23 | 株式会社Leap | 転写金型及び転写金型の製造方法 |
WO2013072954A1 (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-23 | 株式会社Leap | 転写金型の製造方法、それによって作製された転写金型、及びその転写金型によって作製された部品 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10622993B2 (en) | 2001-10-10 | 2020-04-14 | Psemi Corporation | Switch circuit and method of switching radio frequency signals |
US10812068B2 (en) | 2001-10-10 | 2020-10-20 | Psemi Corporation | Switch circuit and method of switching radio frequency signals |
US10797694B2 (en) | 2001-10-10 | 2020-10-06 | Psemi Corporation | Switch circuit and method of switching radio frequency signals |
US10790820B2 (en) | 2001-10-10 | 2020-09-29 | Psemi Corporation | Switch circuit and method of switching radio frequency signals |
US10804892B2 (en) | 2005-07-11 | 2020-10-13 | Psemi Corporation | Circuit and method for controlling charge injection in radio frequency switches |
US10818796B2 (en) | 2005-07-11 | 2020-10-27 | Psemi Corporation | Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge |
USRE48965E1 (en) | 2005-07-11 | 2022-03-08 | Psemi Corporation | Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge |
USRE48944E1 (en) | 2005-07-11 | 2022-02-22 | Psemi Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETS using an accumulated charge sink |
US11011633B2 (en) | 2005-07-11 | 2021-05-18 | Psemi Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction |
US10797691B1 (en) | 2005-07-11 | 2020-10-06 | Psemi Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink |
US8829967B2 (en) | 2012-06-27 | 2014-09-09 | Triquint Semiconductor, Inc. | Body-contacted partially depleted silicon on insulator transistor |
US8847672B2 (en) | 2013-01-15 | 2014-09-30 | Triquint Semiconductor, Inc. | Switching device with resistive divider |
US9214932B2 (en) | 2013-02-11 | 2015-12-15 | Triquint Semiconductor, Inc. | Body-biased switching device |
US8923782B1 (en) | 2013-02-20 | 2014-12-30 | Triquint Semiconductor, Inc. | Switching device with diode-biased field-effect transistor (FET) |
US8977217B1 (en) | 2013-02-20 | 2015-03-10 | Triquint Semiconductor, Inc. | Switching device with negative bias circuit |
US9203396B1 (en) | 2013-02-22 | 2015-12-01 | Triquint Semiconductor, Inc. | Radio frequency switch device with source-follower |
US9379698B2 (en) | 2014-02-04 | 2016-06-28 | Triquint Semiconductor, Inc. | Field effect transistor switching circuit |
JP2019114467A (ja) * | 2017-12-25 | 2019-07-11 | 合同会社シナプス | 同軸ケーブルコネクタおよび同軸ケーブルコネクタの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2015107568A1 (ja) | 2017-03-23 |
TW201541767A (zh) | 2015-11-01 |
WO2015107568A1 (ja) | 2015-07-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5575348B1 (ja) | コネクタの製造方法 | |
KR101038351B1 (ko) | 회로 기판 및 그 제조 방법 | |
JP5294286B1 (ja) | コイル素子の製造方法 | |
TW201411964A (zh) | 嵌入模製之連接器接觸點 | |
KR20150079935A (ko) | 수지 기판을 이용해 전기 주조에 의해 코일 소자를 제조하는 방법 | |
US20150302987A1 (en) | Production method for coil element, coil element assembly, and coil component | |
JP5514375B1 (ja) | コイル部品及びコイル部品の製造方法 | |
JP4503604B2 (ja) | 電子パッケージ及びそれを構成する方法 | |
TW201114348A (en) | Printed circuit board and manufacturing method thereof | |
JP5481002B1 (ja) | コネクタの製造方法 | |
JP2009266957A (ja) | 配線基板とその製造方法 | |
US10910300B1 (en) | Method for manufacturing interposer | |
JP6340217B2 (ja) | めっき加工された樹脂成形品および製造方法 | |
JP4720767B2 (ja) | フレキシブル基板およびその製造方法 | |
CN104409365A (zh) | 一种bga基板的制作方法 | |
JP5073868B1 (ja) | 転写金型の製造方法及びその転写金型 | |
US20210176866A1 (en) | Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board | |
JP3947500B2 (ja) | パッケージの製造方法及びパッケージ用金型 | |
JP2005026412A (ja) | 配線基板の圧印製造用金型及びその製造方法 | |
CN114141632A (zh) | 引线框架制备方法、引线框架制备模具和引线框架 | |
JP2016103608A (ja) | パッケージ基板とその製造方法、および半導体装置 | |
TWI573505B (zh) | Circuit board manufacturing method and structure thereof with extremely fine metal wiring | |
WO2002056653A2 (en) | Antenna configuration in or on dielectric bodies | |
JP2013045828A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
JP2020027723A (ja) | 電気コネクターの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20140527 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140603 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140701 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5575348 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |