WO2013072954A1 - 転写金型の製造方法、それによって作製された転写金型、及びその転写金型によって作製された部品 - Google Patents

転写金型の製造方法、それによって作製された転写金型、及びその転写金型によって作製された部品 Download PDF

Info

Publication number
WO2013072954A1
WO2013072954A1 PCT/JP2011/006356 JP2011006356W WO2013072954A1 WO 2013072954 A1 WO2013072954 A1 WO 2013072954A1 JP 2011006356 W JP2011006356 W JP 2011006356W WO 2013072954 A1 WO2013072954 A1 WO 2013072954A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
transfer mold
pattern
manufacturing
insulating layer
produced
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/006356
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
佐野 孝史
常徳 寺田
Original Assignee
株式会社Leap
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社Leap filed Critical 株式会社Leap
Priority to EP11875786.3A priority Critical patent/EP2781626A4/en
Priority to CN201180074854.9A priority patent/CN104024485A/zh
Priority to PCT/JP2011/006356 priority patent/WO2013072954A1/ja
Priority to US14/358,059 priority patent/US20140287202A1/en
Priority to JP2012518645A priority patent/JP5111687B1/ja
Priority to KR1020147016233A priority patent/KR20140092913A/ko
Priority to TW101100877A priority patent/TW201319324A/zh
Publication of WO2013072954A1 publication Critical patent/WO2013072954A1/ja

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00Electroforming
    • C25D1/20Separation of the formed objects from the electrodes with no destruction of said electrodes
    • C25D1/22Separating compounds
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • B29C33/3842Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/56Coatings, e.g. enameled or galvanised; Releasing, lubricating or separating agents
    • B29C33/58Applying the releasing agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00Electroforming
    • C25D1/0033D structures, e.g. superposed patterned layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00Electroforming
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]

Definitions

  • the present invention relates to a method of manufacturing a transfer mold, a transfer mold manufactured thereby, and a part manufactured by the transfer mold, more specifically, the workability for forming a part by electroforming is
  • the invention relates to a method for producing a good, durable transfer mold, a transfer mold thereby and parts thereby.
  • the electric casting method is less subject to area limitations and can form thick film conductors, display parts such as display letters and needles of watches, mechanical parts such as small gears, springs, pipes and diagrams (pressure sensors) They are widely used in electronic components such as wiring of semiconductor devices and coils.
  • Patent Document 1 when manufacturing a insert, first, a cutting master on which a fine pattern is formed in advance is formed, and then a transfer master is formed from the cutting master by hot pressing, and then, a transfer master using electroforming method. There is a statement to the effect of forming a nest.
  • Patent Document 2 a process of forming a mask pattern having an opening on a silicon wafer surface, a process of performing anisotropic etching, a process of forming a common electrode film, and an electroformed film grown from the common electrode film are described.
  • the timepiece dial is formed by the steps of forming, etching the silicon wafer, and forming a resin dial having a convex portion using the electroformed film as a transfer mask.
  • FIG. 8 is a structural view of a part formed by a conventional transfer mold.
  • the component shape is patterned on the photoresist 30 on the metal substrate 70 by photowork.
  • a predetermined metal (Ag, Cu, Ni or the like) is electrodeposited by electroforming (hereinafter referred to as electroforming) using the metal substrate 70 on which the resist pattern is formed as a transfer mold, and a component 80 is formed.
  • the component 80 transferred and formed by electroforming is transferred to the component substrate 90 via the adhesive 85.
  • components of any shape according to the application are formed by electroforming and used by being transplanted to the component substrate 90.
  • the angle ⁇ of the side wall of the photoresist 30 is set to a gentle angle less than 45 ° in order to facilitate peeling of the part 80 and implant.
  • electronic components such as wires and coils formed on a semiconductor substrate
  • they are formed in a state of being embedded by electroforming along the side walls of the photoresist 30, so wiring patterns, inductive coils, etc.
  • the contact area of the side walls with each other is increased, and the exfoliation resistance in exfoliation during implantation is increased.
  • the peeling force against this increased peeling resistance is applied, and therefore, it adheres to the metal substrate 70.
  • the resist pattern edge of the photoresist 30 tends to peel off, and peeling of the resist occurs in 2 to 3 times of use, causing a problem that the transfer mold can not be used.
  • each conventional component is manufactured in the process of FIG. Also in this case, depending on the type of parts such as gears, the contact area between the metal substrate 70 and the part 80 increases, the peeling resistance in peeling when transplanting the part 80 increases, and the transplanting work becomes difficult. Further, in the case of a spring or the like, since the contact of the side walls with each other is long, peeling resistance with the side wall of the photoresist 30 is increased, and the resist pattern edge of the photoresist 30 is easily peeled in peeling at the time of transplantation. Become.
  • JP 2004-1535 A Japanese Patent Application Publication No. 2004-257861
  • the present invention has been made to solve such a problem, and its object is to provide a method of manufacturing a transfer mold having good workability and high durability for forming a part by electroforming.
  • the present invention is to provide such a transfer mold and parts thereby.
  • the method for producing a transfer mold according to the present invention is a method for producing a transfer mold used for producing a part by electroforming, wherein a reverse pattern of a desired part pattern is formed on a metal substrate, and the reverse pattern is used as a mask. Etching the metal substrate to form a component pattern having a desired sidewall angle; and heat treating the reverse pattern or removing the reverse pattern and forming an insulating layer at the removed location. It is characterized by
  • the method of manufacturing a transfer mold includes the steps of removing an inverted pattern and forming an insulating layer on the removed location and the side wall of the pattern of the formed part. It is characterized by
  • the step of depositing or forming a release layer for facilitating the release of a part produced by electroforming after the formation of the insulating layer is included. It is characterized by
  • the transfer mold of the present invention is characterized in that it is manufactured by the above-described method of manufacturing the transfer mold.
  • a method of manufacturing a transfer mold according to the present invention is a method of manufacturing a transfer mold in manufacturing a part by electroforming, comprising the steps of: controlling cutting means to directly form a part pattern having a desired side wall angle on a metal substrate And covering the place excluding the formed part pattern or the place excluding the formed part pattern and the side wall of the part pattern with an insulating layer.
  • a release layer is formed to facilitate the release of a part produced by electroforming. And the step of producing by heat treatment.
  • peeling for facilitating peeling of a component manufactured by electroforming is characterized by including the steps of: forming the layer by heat treatment; and forming an insulating layer at a place excluding the formed part pattern.
  • the transfer mold of the present invention is characterized by being manufactured by the above-described method of manufacturing the transfer mold.
  • a component according to the present invention is characterized by being produced by the above-mentioned transfer mold.
  • FIG. 5 is a manufacturing process diagram of a transfer mold according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a manufacturing process diagram of a transfer mold according to a sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a manufacturing process of a transfer mold according to the first embodiment.
  • a photoresist 30 applied on a metal substrate 10 is exposed in the direction of the arrow through a photomask 40 having a reverse pattern of a desired part.
  • FIG. 1b shows a resist pattern 30 formed by developing the reverse pattern of the exposed part.
  • processing conditions are controlled chemically by chemical etching etc. or physically by beam etching etc., and a desired part pattern is formed so as to have an arbitrary sidewall angle ⁇ . Be done.
  • the resist pattern 30 is cured by heat treatment to form an insulating layer, or the resist pattern 30 is removed, and an insulating layer process is performed to form an insulating layer 50 such as SiO 2 at the removed location.
  • the parts are electrically isolated to complete the transfer mold.
  • This transfer mold has a structure in which the pattern of a desired part is imprinted on the metal substrate 10 and integrated to be formed, so that peeling of the pattern does not occur, and the transfer mold is rich in durability. It becomes.
  • FIG. 2 is a manufacturing process diagram of a transfer mold according to a second embodiment of the present invention.
  • 2a and 2b are the same as FIG. 1a and FIG.
  • an insulating layer process is performed to form an insulating layer 50 such as SiO 2 on the removed location and the side wall of the formed desired pattern, thereby forming a transfer mold.
  • an insulating layer 50 such as SiO 2
  • FIG. 3 is a manufacturing process diagram of a transfer mold according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 a is the same as FIG.
  • a metal oxide (AlOx) with a thickness of 1 ⁇ to 1000 ⁇ which can maintain conductivity with respect to the thickness plane to facilitate peeling of the parts produced by electroforming over the entire surface on the processing side of FIG. , TiO x, etc.), nitride, or organic substance (resist) to form a peeling layer 60 to complete a transfer mold.
  • AlOx metal oxide
  • TiO x titanium oxide
  • nitride nitride
  • organic substance resist
  • FIG. 3 c is the same as FIG. In FIG. 3d, any metal oxide having a thickness of 1 ⁇ to 1000 ⁇ that can maintain conductivity with respect to the thickness plane to facilitate peeling of the parts produced by electroforming over the entire surface of the processing side of FIG. 3c.
  • a release layer process is performed to physically form the release layer 60 of (AlOx, TiOx, etc.), nitride, or organic substance (resist) chemically or by the CVD method to complete the transfer mold.
  • the release layer 60 of (AlOx, TiOx, etc.), nitride, or organic substance (resist) chemically or by the CVD method to complete the transfer mold.
  • FIG. 4 is a manufacturing process diagram of a transfer mold according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 a is the same as FIG. In FIG. 4 b, after the insulating layer processing of FIG. 4 a is completed, a peeling layer processing is performed by using a metal oxide layer formed on the processed surface of the metal substrate 10 as a peeling layer 60 by subsequent heat treatment. The mold is complete. In this transfer mold, since all the contact surfaces between the mold and the part to be manufactured are covered with the peeling layer 60, the workability can be improved.
  • FIG. 4c is the same as FIG. In FIG. 4d, when the insulating layer process of FIG. 4c is completed, a heat treatment is subsequently performed to perform a release layer process using the metal oxide layer formed on the processed surface of the metal substrate 10 as the release layer 60. The mold is complete. In this transfer mold, since the metal surface of the mold is covered with the peeling layer 60, the workability can be improved.
  • FIG. 5 is a manufacturing process diagram of a transfer mold according to the fifth embodiment of the present invention.
  • the processing conditions of the cutting means with an electrical beam or mechanical cutting tool are controlled, and the desired pattern of parts with any sidewall angle ⁇ is formed directly on the metal substrate 10 from the arrow direction.
  • an insulating layer process for forming an insulating layer 50 such as SiO 2 as in FIG. 1c is performed in the place except for the formed pattern, and the transfer mold is completed. Subsequently, a peeling layer process may be performed in FIG. 3b to complete the transfer mold.
  • FIG. 5c as in FIG. 2c, after the processing, the resist pattern is removed, and an insulating layer process is performed to form an insulating layer 50 such as SiO 2 on the removed location and the side wall of the formed desired pattern.
  • an insulating layer process is performed to form an insulating layer 50 such as SiO 2 on the removed location and the side wall of the formed desired pattern.
  • a release layer process shown in FIG. 3d may be performed to complete the transfer mold.
  • FIG. 6 is a manufacturing process diagram of a transfer mold according to the sixth embodiment of the present invention.
  • the processing conditions of the cutting means with an electrical beam or mechanical cutting tool are controlled, and the desired pattern of parts with any sidewall angle ⁇ is stamped directly onto the metal substrate 10 from the direction of the arrows. It is formed.
  • FIG. 6b the same heat treatment as in FIGS. 4b and 4d is performed, and a peeling layer treatment is performed using the metal oxide film formed on the metal substrate 10 as the peeling layer 60.
  • an insulating layer process is performed to form an insulating layer 50 such as SiO 2 as in FIG. 5b, and a transfer mold is completed.
  • FIG. 7 is a manufacturing process diagram of a part according to the present invention.
  • the desired metal Al, Cu, Ni, etc.
  • the electroformed component 95 is implanted to the component substrate 90 through the adhesive 85 as in the case of FIG. 8b, or is implanted with the green sheet 98, and the green sheet 98 is Heat treated and cured.
  • the adhesive 85 is not necessary because the part is soft enough to be embedded before curing. In this manner, a component 95 having a shape with an arbitrary side wall angle ⁇ can be repeatedly implanted on the substrate 97 or the green sheet 98 formed by electroforming and used for each application.
  • the metal substrate 10 may be a metal plate such as SUS, Ni, Cu or the like.
  • the electroformed material of the part 95 may be Ag, Cu, Ni, Au, Sn, Pb, Fe, Cr, Pt, Pd, and their alloys.
  • the peeling layer 60 is any of metal oxides (FeOx, NiOx, AlOx, TiOx, CrOx, CuOx, NbOx, VOx, WO), nitride and organic resist, and the film thickness is such that a tunnel current flows.
  • the thickness may be, for example, 1 to 1000 ⁇ .

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Abstract

 電気鋳造により部品を形成するための、作業性が良く、耐久性に富んだ転写金型、及びそれによる部品を提供する。金属基板10上に所望の部品パターンの反転パターンを形成し、この反転パターンをマスクにして、金属基板10をエッチングし、所望の部品パターンを形成するステップと、反転パターンを熱処理するか、又は、反転パターンを取り去り、その取り去った場所に絶縁層30、50を形成するステップと、を含む。

Description

転写金型の製造方法、それによって作製された転写金型、及びその転写金型によって作製された部品
 本発明は、転写金型の製造方法、それによって作製された転写金型、及びその転写金型によって作製された部品に係り、より詳しくは、電気鋳造により部品を形成するための、作業性が良く、耐久性に富んだ転写金型の製造方法、それによる転写金型、及びそれによる部品に関する。
 電気鋳造法は、面積の制限を受けることが少なく、厚膜導体を形成できることから、腕時計の表示文字や針などの表示部品、小型のギア、バネ、パイプ、ダイヤグラム(圧力センサ)などの機械部品、半導体装置の配線、コイルなどの電子部品に、幅広く用いられている。
 特許文献1には、入れ子を製造する際、先ず予め微細パターンが形成された切削マスタを形成し、続いて熱プレスにより切削マスタから転写マスタを形成し、続いて電気鋳造法を用いて転写マスタから入れ子を形成する、旨の記載がある。
 特許文献2には、シリコンウェハ表面に開口部を有するマスクパターンを形成する工程と、異方性エッチングをする工程と、共通電極膜を形成する工程と、共通電極膜から成長する電鋳膜を形成する工程と、シリコンウェハをエッチングする工程と、電鋳膜を転写マスクとして凸部を有する樹脂製の時計文字板を形成する工程により時計文字板を形成する、旨の記載がある。
 図8は、従来の転写金型で形成された部品構造図である。図8aにおいて、部品80を形成するため、金属基板70上に、フォトワークによりフォトレジスト30に部品形状をパターン形成する。このレジストパターンが形成された金属基板70を転写金型として、電気鋳造(以下電鋳と呼ぶ)により所定の金属(Ag、Cu、Ni等)が電着され、部品80が形成される。
 図8bにおいて、電鋳により転写形成された部品80は、接着剤85を介して部品基板90に移植される。このようにして、用途に応じた任意の形状の部品が、電鋳により形成され部品基板90に移植されて用いられていた。
 この場合、フォトレジスト30の側壁の角度βは、部品80の剥離を容易にして移植するため、45°未満の緩やかな角度に設定されている。ところで、半導体基板上に形成される配線、コイルなどの電子部品を作成する場合、フォトレジスト30の側壁に沿って、電鋳により埋め込まれる状態で形成されるため、配線パターンや誘導性コイルなどが長尺であった場合、互いの側壁の接触面積が増大し、移植する際の剥離における剥離抵抗が増大することになる。このようにパターン化されたフォトレジストを用いた転写金型を使用する場合、部品基板90に移植するには、この増大した剥離抵抗に対抗した剥離力が加えられるため、金属基板70に密着したフォトレジスト30のレジストパターンエッジが剥がれ易くなり、2~3回の使用でレジスト剥離を生じ、転写金型が使用でき無くなるという問題を生じる。
 つぎに、電気鋳造による従来の腕時計の表示文字や針などの表示部品、小型のギア、バネ、パイプ、ダイヤグラム(圧力センサ)などの機械部品の製造について説明する。従来の各部品についても同様に、図8の工程で作製される。この場合も、ギア等の部品の種類によっては、金属基板70と部品80との接触面積が増大し、部品80を移植する際の剥離における剥離抵抗が増大し、移植作業が困難となる。また、バネなどの場合は、互いの側壁の接触が長尺となるため、フォトレジスト30の側壁との剥離抵抗が増大し、移植する際の剥離において、フォトレジスト30のレジストパターンエッジが剥がれ易くなる。
特開2004-1535号公報 特開2004-257861号公報
 本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、その目的は、電気鋳造により部品を形成するための、作業性が良く、耐久性に富んだ転写金型の製造方法、その転写金型、及びそれによる部品を提供することにある。
 本発明の転写金型の製造方法は、電気鋳造による部品製造に使用する転写金型の製造方法であって、金属基板上に所望の部品パターンの反転パターンを形成し、反転パターンをマスクにして金属基板をエッチングし、所望の側壁角度を有する部品パターンを形成するステップと、反転パターンを熱処理するか、又は、反転パターンを取り去り、その取り去った場所に絶縁層を形成するステップと、を含むことを特徴とする。
 本発明の転写金型の製造方法は、上記転写金型の製造方法において、反転パターンを取り去り、その取り去った場所と形成された前記部品のパターンの側壁とに絶縁層を形成するステップ、を含むことを特徴とする。
 本願発明の転写金型の製造方法において、絶縁層の形成後に電気鋳造により作製される部品の剥離を容易にするための剥離層を被着形成するか、又は、熱処理により生成するステップ、を含むことを特徴とする。
 本発明の転写金型は、上記転写金型の製造方法により作製されたこと特徴とする。
 本発明の転写金型の製造方法は、電気鋳造による部品製造における転写金型の製造方法であって、切削手段を制御し、所望の側壁角度を有する部品パターンを金属基板に直接形成するステップと、形成された部品パターンを除く場所、又は、形成された部品パターンを除く場所と部品パターンの側壁とを、絶縁層で被覆するステップ、を含むことを特徴とする。
 本発明の転写マスクの製造方法は、上記転写金型の製造方法において、絶縁層を被覆するステップに続いて、電気鋳造により作製される部品の剥離を容易にするための剥離層を被着形成するか、又は、熱処理により生成するステップと、を含むことを特徴とする。
 本発明の転写金型の製造方法は、上記転写金型の製造方法において、部品パターンを金属基板に直接形成するステップに続いて、電気鋳造により作製される部品の剥離を容易にするための剥離層を熱処理により生成するステップと、形成された部品パターンを除く場所に絶縁層を形成するステップと、を含むことを特徴とする。
 本発明の転写金型は、上記転写金型の製造方法により作製されたことを特徴とする。
 本発明による部品は、上記転写金型により作製されたことを特徴とする。
 本発明によれば、電気鋳造により部品を形成するための、作業性が良く、耐久性に富んだ転写金型とそれによる部品を提供することができる。
本発明の第1の実施例による転写金型の製造工程図。 本発明の第2の実施例による転写金型の製造工程図。 本発明の第3の実施例による転写金型の製造工程図。 本発明の第4の実施例による転写金型の製造工程図。 本発明の第5の実施例による転写金型の製造工程図。 本発明の第6の実施例による転写金型の製造工程図。 本発明による部品の製造工程図。 従来の転写金型で形成された部品構造図。
 本発明による転写金型の製造工程について、図を用いて説明する。図1は、第1の実施例による転写金型の製造工程である。図1aにおいて、金属基板10上に塗布されたフォトレジスト30に、所望の部品の反転パターンを有するフォトマスク40を介して、矢印方向から露光が行われる。図1bは、露光された部品の反転パターンが、現像されて形成されたレジストパターン30を示す。図1cにおいて、レジストパターン30をマスクとして、ケミカルエッチング等により化学的に、又は、ビームエッチング等により物理的に加工条件が制御され、任意の側壁角度αを有するように所望の部品のパターンが形成される。
 続いて、レジストパターン30を熱処理により硬化させ、絶縁層とするか、又は、レジストパターン30を取り去り、その取り去った場所にSiO等の絶縁層50を形成する絶縁層処理を行ない、パターン以外の部分が電気的に絶縁されて、転写金型が完成する。この転写金型は、金属基板10に所望の部品のパターンが刻印されて一体化されて形成された構造となっているため、パターンの剥離が生じることは無く、耐久性に富んだ転写金型となる。
 図2は、本発明の第2の実施例による転写金型の製造工程図である。図2a、図2bは、図1a、図1bと同様であるため説明を省略する。図2cにおいて、加工後、レジストパターン30を取り去り、その取り去った場所と、形成された所望のパターンの側壁とにSiO等の絶縁層50を形成する絶縁層処理を行なって、転写金型を完成させる。
 図3は、本発明の第3の実施例による転写金型の製造工程図である。図3aは、図1cと同様であるため説明を省略する。図3bにおいて、図3aの加工側の全面に、電気鋳造により作製される部品の剥離を容易にするため、厚さ面に対し導電性を維持できる1Å~1000Åの厚さの金属酸化物(AlOx,TiOx等)、窒化物、又は有機物(レジスト)の剥離層60を形成する剥離層処理を行い転写金型が完成する。この転写金型は、金型と作製される部品との接触面が全て剥離層60で覆われているため、より一層、剥離作業性を向上させることが可能となる。
 図3cは、図2cと同様であるため説明を省略する。図3dにおいて、図3cの加工側の全面に、電気鋳造により作製される部品の剥離を容易にするため、厚さ面に対し導電性を維持できる1Å~1000Åの厚さの任意の金属酸化物(AlOx,TiOx等)、窒化物、又は有機物(レジスト)の剥離層60をCVD法により化学的に又はスパッタ法により物理的に形成する剥離層処理を行い転写金型が完成する。この転写金型は、図3bの場合と同様に金型と作製される部品との接触面が全て剥離層で覆われているため、より一層、剥離作業性を向上させることが可能となる。
 図4は、本発明の第4の実施例による転写金型の製造工程図である。図4aは、図1cと同様であるため説明を省略する。図4bにおいて、図4aの絶縁層処理が終わると、続いて熱処理することにより、金属基板10の加工面に形成される金属の酸化層を剥離層60とする剥離層処理が行なわれ、転写金型が完成する。この転写金型は、金型と作製される部品との接触面が全て剥離層60で覆われているため、作業性を向上させることが可能となる。
 図4cは、図2cと同様であるため説明を省略する。図4dにおいて、図4cの絶縁層処理が終わると、続いて熱処理することにより、金属基板10の加工面に形成される金属の酸化層を剥離層60とする剥離層処理が行なわれ、転写金型が完成する。この転写金型は、金型の金属面が剥離層60で覆われているため、作業性を向上させることが可能となる。
 図5は、本発明の第5の実施例による転写金型の製造工程図である。図5aにおいて、電気的なビーム又は機械的な切削工具による切削手段の加工条件が制御され、矢印方向から、任意の側壁角度αを有する部品の所望のパターンが、金属基板10に直接形成される。図5bにおいて、形成されたパターンを除く場所に、図1cにおけると同様のSiO等の絶縁層50を形成する絶縁層処理が行なわれ、転写金型が完成する。さらに続いて、図3bにおける、剥離層処理を行い転写金型が完成しても良い。
 また、図5cにおいて、図2cにおけると同様に、加工後、レジストパターンを取り去り、その取り去った場所と、形成された所望のパターンの側壁とにSiO等の絶縁層50を形成する絶縁層処理を行ない、転写金型を完成させる。さらに続いて、図3dにおける、剥離層処理を行ない転写金型を完成させても良い。
 図6は、本発明の第6の実施例による転写金型の製造工程図である。図6aにおいて、電気的なビーム又は機械的な切削工具による切削手段の加工条件が制御され、矢印方向から、任意の側壁角度αを有する部品の所望のパターンが、金属基板10に直接刻印されて形成される。図6bにおいて、図4b、図4dと同様の熱処理をして、金属基板10に形成される金属の酸化膜を剥離層60とする剥離層処理が行なわれる。図6cにおいて、図5bと同様のSiO等の絶縁層50を形成する絶縁層処理が行なわれ、転写金型が完成する。
 次に、本発明の転写金型を用いた部品の製造方法について説明する。図7は、本発明による部品の製造工程図である。図7aにおいて、例えば図6cにおける転写金型に、電鋳により所望の金属(Ag、Cu、Ni等)を電着し、部品95を形成する。図7bにおいて、電鋳により転写形成された部品95は、図8bの場合と同様に、接着剤85を介して部品基板90に移植するか、または、グリーンシート98により移植し、グリーンシート98は熱処理されて硬化される。グリーンシート98による移植の場合は、硬化前は部品95が埋め込まれる程度に柔らかいため、接着剤85を必要としない。このようにして、任意の側壁角度αを有する形状の部品95が、電鋳により形成され基板97、又はグリーンシート98に、繰り返し移植されて、それぞれの用途に用いることができる。
 金属基板10は、SUS、Ni、Cuなどの金属板であっても良い。部品95の電鋳材料は、Ag、Cu、Ni、Au、Sn、Pb、Fe、Cr、Pt、Pdおよびこれらの合金であっても良い。また、剥離層60は、金属酸化物(FeOx、NiOx、AlOx、TiOx、CrOx、CuOx、NbOx、VOx、WO)と窒化物と有機レジストのいずれかであって、膜厚は、トンネル電流が流れる厚さ(例えば、1~1000Å)であれば良い。
 以上説明したように本発明によれば、作業性が良く、耐久性に富んだ転写及びそれによる部品を提供することができる。
    10 金属基板
    30 フォトレジスト
    40 フォトマスク
    50 絶縁層
    60 剥離層
    80 部品
    85 接着剤
    90 部品基板
    95 部品
    98 グリーンシート
     α 側壁の傾斜角
     β 側壁の傾斜角

Claims (9)

  1.  電気鋳造による部品製造に使用する転写金型の製造方法であって、
     金属基板上に所望の部品パターンの反転パターンを形成し、前記反転パターンをマスクにして前記金属基板をエッチングし、所望の側壁角度を有する部品パターンを形成するステップと、
     前記反転パターンを熱処理するか、又は、前記反転パターンを取り去り、その取り去った場所に絶縁層を形成するステップと、を含むことを特徴とする転写金型の製造方法。
  2.  請求項1に記載の転写金型の製造方法において、前記反転パターンを取り去り、その取り去った場所と形成された前記部品パターンの側壁とに絶縁層を形成するステップ、を含むことを特徴とする転写金型の製造方法。
  3.  請求項1又は請求項2に記載の転写金型の製造方法において、前記絶縁層の形成後に電気鋳造により作製される部品の剥離を容易にするための剥離層を被着形成するか、又は、熱処理により生成するステップ、を含むことを特徴とする転写金型の製造方法。
  4.  請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の転写金型の製造方法により作製されたことを特徴とする転写金型。
  5.  電気鋳造による部品製造における転写金型の製造方法であって、
     切削手段を制御し、所望の側壁角度を有する部品パターンを金属基板に直接形成するステップと、
     形成された前記部品パターンを除く場所、又は、前記形成された前記部品パターンを除く場所と前記部品パターンの側壁とを、絶縁層で被覆するステップ、を含むことを特徴とする転写金型の製造方法。
  6.  請求項5に記載の転写金型の製造方法において、
     前記絶縁層を被覆するステップに続いて、電気鋳造により作製される部品の剥離を容易にするための剥離層を被着形成するか、又は、熱処理により生成するステップと、を含むことを特徴とする転写金型の製造方法。
  7.  請求項5に記載の転写金型の製造方法において、
     前記部品パターンを金属基板に直接形成するステップに続いて、電気鋳造により作製される部品の剥離を容易にするための剥離層を熱処理により生成するステップと、形成された前記部品パターンを除く場所に絶縁層を形成するステップと、を含むことを特徴とする転写金型の製造方法。
  8.  請求項5乃至7のいずれかに記載の転写金型の製造方法により作製されたことを特徴とする転写金型。
  9.  請求項4又は請求項8に記載の転写金型により作製されたことを特徴とする部品。
PCT/JP2011/006356 2011-11-15 2011-11-15 転写金型の製造方法、それによって作製された転写金型、及びその転写金型によって作製された部品 WO2013072954A1 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP11875786.3A EP2781626A4 (en) 2011-11-15 2011-11-15 METHOD OF MANUFACTURING A PRESSURE INJECTION MOLD, PRESSURE INJECTION MANUFACTURED BY THIS METHOD AND COMPONENT PRODUCED BY MEANS OF THIS PRESSURE INJECTION MOLDING
CN201180074854.9A CN104024485A (zh) 2011-11-15 2011-11-15 转印模具的制造方法、利用该方法制造的转印模具以及利用该转印模具制造的零件
PCT/JP2011/006356 WO2013072954A1 (ja) 2011-11-15 2011-11-15 転写金型の製造方法、それによって作製された転写金型、及びその転写金型によって作製された部品
US14/358,059 US20140287202A1 (en) 2011-11-15 2011-11-15 Transfer mold manufacturing method, transfer mold manufactured thereby, and component produced by the transfer mold
JP2012518645A JP5111687B1 (ja) 2011-11-15 2011-11-15 転写金型の製造方法、それによって作製された転写金型、及びその転写金型によって作製された部品
KR1020147016233A KR20140092913A (ko) 2011-11-15 2011-11-15 전사 금형의 제조 방법, 그것에 의하여 제작된 전사 금형, 및 그 전사 금형에 의하여 제작된 부품
TW101100877A TW201319324A (zh) 2011-11-15 2012-01-10 轉印模具的製造方法、利用該方法製造的轉印模具以及利用該轉印模具製造的零件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2011/006356 WO2013072954A1 (ja) 2011-11-15 2011-11-15 転写金型の製造方法、それによって作製された転写金型、及びその転写金型によって作製された部品

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013072954A1 true WO2013072954A1 (ja) 2013-05-23

Family

ID=47676435

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/006356 WO2013072954A1 (ja) 2011-11-15 2011-11-15 転写金型の製造方法、それによって作製された転写金型、及びその転写金型によって作製された部品

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20140287202A1 (ja)
EP (1) EP2781626A4 (ja)
JP (1) JP5111687B1 (ja)
KR (1) KR20140092913A (ja)
CN (1) CN104024485A (ja)
TW (1) TW201319324A (ja)
WO (1) WO2013072954A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5481002B1 (ja) * 2013-07-11 2014-04-23 株式会社Leap コネクタの製造方法
JP5575348B1 (ja) * 2014-01-20 2014-08-20 株式会社Leap コネクタの製造方法
WO2024106129A1 (ja) * 2022-11-14 2024-05-23 株式会社ヨコオ 電鋳バネの製造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6632200B2 (ja) * 2015-02-27 2020-01-22 キヤノン株式会社 パターンの形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法
JP2023044211A (ja) * 2021-09-17 2023-03-30 富士フイルム株式会社 電鋳用原盤、電鋳用原盤の製造方法及び電鋳物の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5591866U (ja) * 1978-12-16 1980-06-25
JPH08162352A (ja) * 1994-10-04 1996-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 転写導体の製造方法およびグリーンシート積層体の製造方法
JP2002260753A (ja) * 2001-03-05 2002-09-13 Kyushu Hitachi Maxell Ltd バンプ付きシートの製造方法
JP2003138393A (ja) * 2001-08-23 2003-05-14 Kanagawa Prefecture 金属部品の製造方法及び金属部品
JP2004001535A (ja) 2003-06-23 2004-01-08 Fujitsu Ltd 金型の製造方法
JP2004257861A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Citizen Watch Co Ltd 時計文字板の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5591866A (en) * 1978-12-29 1980-07-11 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
US5647966A (en) * 1994-10-04 1997-07-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for producing a conductive pattern and method for producing a greensheet lamination body including the same
CN1590593A (zh) * 2003-08-30 2005-03-09 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 模仁制造方法
JP4840756B2 (ja) * 2005-01-14 2011-12-21 セイコーインスツル株式会社 電鋳型とその製造方法及び電鋳部品の製造方法
JP5773624B2 (ja) * 2010-01-08 2015-09-02 キヤノン株式会社 微細構造体の製造方法
WO2012073545A1 (en) * 2010-11-29 2012-06-07 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing an x-ray diffraction grating microstructure for imaging apparatus

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5591866U (ja) * 1978-12-16 1980-06-25
JPH08162352A (ja) * 1994-10-04 1996-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 転写導体の製造方法およびグリーンシート積層体の製造方法
JP2002260753A (ja) * 2001-03-05 2002-09-13 Kyushu Hitachi Maxell Ltd バンプ付きシートの製造方法
JP2003138393A (ja) * 2001-08-23 2003-05-14 Kanagawa Prefecture 金属部品の製造方法及び金属部品
JP2004257861A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Citizen Watch Co Ltd 時計文字板の製造方法
JP2004001535A (ja) 2003-06-23 2004-01-08 Fujitsu Ltd 金型の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2781626A4

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5481002B1 (ja) * 2013-07-11 2014-04-23 株式会社Leap コネクタの製造方法
WO2015004698A1 (ja) * 2013-07-11 2015-01-15 株式会社Leap コネクタの製造方法
JP5575348B1 (ja) * 2014-01-20 2014-08-20 株式会社Leap コネクタの製造方法
WO2015107568A1 (ja) * 2014-01-20 2015-07-23 株式会社Leap コネクタの製造方法
WO2024106129A1 (ja) * 2022-11-14 2024-05-23 株式会社ヨコオ 電鋳バネの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5111687B1 (ja) 2013-01-09
JPWO2013072954A1 (ja) 2015-04-02
EP2781626A4 (en) 2015-06-24
CN104024485A (zh) 2014-09-03
US20140287202A1 (en) 2014-09-25
EP2781626A1 (en) 2014-09-24
TW201319324A (zh) 2013-05-16
KR20140092913A (ko) 2014-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2013072954A1 (ja) 転写金型の製造方法、それによって作製された転写金型、及びその転写金型によって作製された部品
KR20150138913A (ko) 전자장치 및 그 제조 방법
JP2007070709A (ja) 電鋳型、電鋳型の製造方法及び電鋳部品の製造方法
CN103943512A (zh) 一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法
JP5073878B1 (ja) 転写金型の製造方法、それによって作製された転写金型、及びその転写金型によって作製された部品
JP5073880B1 (ja) 転写金型の製造方法及びその転写金型
JP5073869B1 (ja) 転写金型の製造方法、それによって作製された転写金型、及びその転写金型によって作製された部品
JP2004311713A (ja) 半導体装置製造用モールド
JP5073868B1 (ja) 転写金型の製造方法及びその転写金型
JP2021506137A (ja) ウェハレベル低融点相互接続体の製造方法
JP2008511977A5 (ja)
US20140311911A1 (en) Multi-stage transfer mold manufacturing method, multi-stage transfer mold manufactured thereby, and component produced thereby
WO2013072952A1 (ja) 転写金型及び転写金型の製造方法
CN107845606B (zh) 一种tft基板的制备方法以及tft基板
KR100901017B1 (ko) 기판의 금속패턴 형성방법
JPWO2013153578A1 (ja) 電気鋳造部品の製造方法
TW580734B (en) Method to fabricate vertical comb actuator by surface micromachining technology
JP2013045828A (ja) 回路基板の製造方法
CN113078053A (zh) 一种顶栅结构的制备方法及半导体结构
JP2007103510A (ja) 薄膜デバイスおよびその製造方法、ならびに薄膜インダクタ
JP2005101849A (ja) 圧電基板の製造方法
JP2006305786A (ja) 金型の製造方法
KR20120088110A (ko) 반도체에 도금 패턴을 형성하는 방법 및 이에 의해 제조된 반도체
TW201241926A (en) Method of forming wiring of a semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2012518645

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11875786

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14358059

Country of ref document: US

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2011875786

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2011875786

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20147016233

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A