JP2007141731A - 異方性導電シート、その製造方法、接続方法および検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】耐熱性および耐寒性を有し、電極の接続に適する異方性導電シートおよびその製造方法を提供する。また、かかる異方性導電シートを用いる接続方法および検査方法を提供する。
【解決手段】本発明は、厚さ方向に導電性を有する異方性導電シートであって、合成樹脂からなる電気絶縁性の膜を基膜とし、基膜は、厚さ方向に形成された複数の空孔を有し、空孔は、基膜の一方の主面の方向に開口し、他方の主面の方向は閉口し、空孔の閉口部分と空孔の内壁に金属が付着しており、空孔の閉口部分に外部から電極を接触することにより、付着した金属を介して、空孔が開口する主面と、接触する電極とが電気的に導通することを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウェハ、半導体チップまたは回路基板の接続に適する異方性導電シートに関する。半導体チップとしては、ＢＧＡ（ball grid array）、ＬＧＡ（land grid array）およびＣＳＰ（chip size package）などが挙げられる。また、かかる異方性導電シートを用いる接続方法および検査方法に関する。さらに、耐熱性および耐寒性を有し、生産性に優れる異方性導電シートの製造方法に関する。

ＩＣまたはＬＳＩなどの半導体ウェハは、製造後、電気的導通などの検査が行なわれる。検査は、加速試験により短時間で不良品が取り除くため、半導体ウェハの通常の動作温度よりも高温の１５０℃〜２００℃の雰囲気下で行なわれる。したがって、この試験はバーンインテストと呼ばれ、検査に使用する測定基材には耐熱性が必要となる。一方、自動車用のデバイスなどでは、極低温での動作保障が求められ、−３０℃以下での検査が行なわれるため、検査基材には、耐寒性が要求される。

半導体ウェハのバーンインテストは、半導体ウェハの表面の電極を介して行なうが、電極の高さにはバラツキがあり、また検査装置の電極の高さにもバラツキがあるため、電極の高さのバラツキによる接触不良を解消する必要がある。このため、電極の間に平坦で柔らかな導電シートを挟んで検査を行なう。この導電シートは、半導体ウェハ表面の電極のパターンに沿って配置された導電部分を有し、導電部分において厚さ方向に導通するが、隣り合う電極同士は導通しないように、シートの面方向は絶縁されている。したがって、このシートは、異方性導電シートという。異方性導電シートは、半導体ウェハの検査に使用されるほか、パッケージした半導体ウェハをプリント配線基板などに実装する際にも、電極の高さのバラツキによる接触不良を解消するために使用される。

半導体ウェハを収納したパッケージには、ＢＧＡまたはＬＧＡなどの表面実装型パッケージと、ＰＧＡ（pin grid array）などの挿入実装型パッケージがある。これらのうち、ＢＧＡは、パッケージの裏面にボール状の電極をアレイ状に配列した構造を有し、実装後、ボール状の電極をリード線の代わりに使用し、良好な接続を得るため、パッケージを異方性導電シートに押し付けて使用する。

ＢＧＡなどのバンプ電極の接続に使用する従来の異方性導電シートの例を図５に示す（特許文献１参照）。図５（ａ）は、半導体ウェハを実装する前の異方性導電シートの断面図であり、図５（ｂ）は、半導体ウェハ５６を実装した後の状態を示す断面図である。図５（ａ）に示すように、この異方性導電シート５０は、絶縁性樹脂であるポリイミド樹脂またはポリエステル樹脂などの可撓性フィルムからなる絶縁部５１と、銅または金などからなる導体部５２により構成されている。絶縁部５１には、半導体ウェハ５６のバンプ電極５７と同一の位置に円錐台上の接続孔５３を形成している。

半導体ウェハ５６を実装すると、図５（ｂ）に示すように、半導体ウェハ５６のバンプ電極５７が接続孔５３に挿入し、導体部５２と接触し、導通を得ることができる。また、バンプ電極５７は、接続孔５３の内壁に接触し、支持されているため、半導体ウェハ５６をシートに押し付けても、押圧力が導体部５２に集中することなく分散するため、導体部５２の破損を抑えることができるとある。また、図５（ｃ）に示すように、接続孔５３の底部の導体部５２に金属ピンなどの突出部５８を設けることにより、電気的接続をより確実にすることができるとある。
特許第３２３３８６７号公報

しかし、図５に示す異方性導電シートは、合成樹脂フィルムなどからなる絶縁部５１がある程度、可撓性を有するとしても、柔軟性のない導体部５２とバンプ電極５７との接触により導通を得る構造であるため、バンプ電極５７の高さのバラツキを十分に吸収することができない。したがって、導通が得られないバンプ電極５７が生じる場合があり、半導体ウェハ５６と異方性導電シート５０の押圧力を上げると、バンプ電極５７および導体部５２の破損につながる。また、接続孔５３の底部に金属ピンなどの突出部５８を設けると、接続する毎にバンプ電極５７の表面を傷付けるため、接触不良が生じやすい。一方、この異方性導電シートは、銅などの導体部５２と合成樹脂フィルムなどの絶縁部５１の２層構造であるため、１５０℃〜２００℃でのバーンインテストまたは−３０℃以下での耐寒テストを繰り返すと、導体部５２と絶縁部５１との層間剥離が生じやすい。

本発明の課題は、耐熱性および耐寒性を有し、電極の接続に適する異方性導電シートおよびその製造方法を提供することにある。また、かかる異方性導電シートを用いる接続方法および検査方法を提供することにある。

本発明は、厚さ方向に導電性を有する異方性導電シートであって、合成樹脂からなる電気絶縁性の膜を基膜とし、基膜は、厚さ方向に形成された複数の空孔を有し、空孔は、基膜の一方の主面の方向に開口し、他方の主面の方向は閉口し、空孔の閉口部分と空孔の内壁に金属が付着しており、空孔の閉口部分に外部から電極を接触することにより、付着した金属を介して、空孔が開口する主面と、接触する電極とが電気的に導通することを特徴とする。合成樹脂は、延伸ポリテトラフルオロエチレンが好ましい。

本発明の異方性導電シートは、シンクロトロン放射のＸ線またはレーザ光を照射することにより、または、ドリルにより、厚さ方向に空孔を形成して製造することができる。本発明の接続方法は、異方性導電シートの空孔の閉口部分に半導体チップまたは回路基板の電極を接触して行なうことを特徴とする。また、本発明の検査方法は、半導体チップまたは回路基板の電気検査において、異方性導電シートの空孔の閉口部分に被検査物の電極を接触して行なうことを特徴とする。

本発明の異方性導電シートは、ＢＧＡなどの電極の接続に適し、空孔が開口する主面と押し付ける電極とを導通することができ、接続に際して電極の高さのバラツキおよび位置ズレに柔軟に対応することが可能である。また、電極の幅の大小に拘わらず、繰り返し使用することができ、接続信頼性が高い。さらに、耐熱性および耐寒性を有し、小型化、薄肉化および電極のファインピッチ化が容易である。

（異方性導電シート）
本発明の異方性導電シートは、図１（ａ）に示すように、厚さ方向に導電性を有する異方性導電シート８であって、合成樹脂からなる電気絶縁性の膜を基膜１とし、基膜は、厚さ方向に形成された複数の空孔３を有する。空孔３は、基膜の一方の主面の方向に開口し、他方の主面の方向は閉口し、空孔３の閉口部分２ａと空孔３の内壁２ｂに金属が付着している。この異方性導電シート８に半導体ウェハ９を実装した状態を図１（ｂ）に示す。図１（ｂ）に示すように、半導体ウェハ９の電極７を空孔３の閉口部分２ａに外部から接触することにより、空孔３の閉口部分２ａおよび内壁２ｂに付着している金属を介して、空孔３が開口する主面と、接触する電極７とを電気的に導通することができる。

基膜１は、柔軟な弾性シートである点で多孔質膜が好適であり、半導体ウェハ９の電極７と接触すると、図１（ｂ）に示すように、空孔３の閉口部分２ａが撓み、電極７の表面を包み込むように柔らかく接続することができる。したがって、接続する電極の高さのバラツキを柔軟に吸収し、信頼性の高い接続を得ることができる。また、空孔３の中心と電極７の中心がずれても接続が得られるため、半導体ウェハ９などが温度変化により熱膨張または収縮しても、電極７の位置の変化を吸収し、信頼性の高い接続を得ることができる。このように本発明の異方性導電シートは、耐熱性および耐寒性を有するため、１５０℃以上の高温雰囲気下で行なうバーンインテスト、または−３０℃以下の低温下で行なう耐寒テストのような過酷な環境下でも使用することができる。

厚さ方向に貫通孔を有する異方性導電シートに半導体ウェハを実装する態様を図２に示す。図２（ａ）に示すように、半導体ウェハ２９の電極２７の径が貫通孔２３の径より小さい場合には、異方性導電シート２８に電極２７を押し付けても電気的導通が得られない場合が生じ得る。また、図２（ｂ）に示すように、半導体ウェハ２９の電極２７の径が貫通孔２３の径より大きい場合でも、基膜２１が面方向に十分な弾性がないようなときは、電極２７を押し付けることにより貫通孔２３の端部２３ａが広がってしまい、十分に復元しないため、接続信頼性が低下し、繰り返し使用することができない事態が生じることがある。

本発明の異方性導電シートに形成される空孔は、一方の主面の方向に開口し、他方の主面の方向は閉口しているため、図１（ｂ）に示すように、電極７を閉口部分２ａに押し付けると、閉口部分２ａが電極７を包み込むように柔軟に接続し、電極を取り去ると、閉口部分２ａが復元する。したがって、電極７の形状および大きさに拘わらず、繰り返し押し付けても信頼性の高い接続を維持することができる。特に、半田バンプまたは半田ボールのような傾斜した側面を有する電極に対しても確実な接続が得られる点で有用である。このため、異方性導電シートの空孔の閉口部分に外部から半導体チップまたは回路基板の電極を接触して行なう本発明の接続方法は、柔軟かつ確実な接続が得られる点で、利用価値が高く、同様に行なう本発明の検査方法は、半導体チップまたは回路基板の電気検査に最適である。

本発明の異方性導電シートにおける空孔は、一方の主面の方向に開口し、他方の主面の方向が閉口する。かかる態様は、主面の方向がいずれも閉口し、中空構造を有する態様に比べて、より低い荷重で変形し、導通を得ることができる点で有利である。したがって、本発明によれば、被検査部品の個々の電極にダメージを与えず、または、より小さいダメージで検査することができる。また、実際の検査では、数千個〜数万個の電極を一括して圧縮し、導通させるため、総荷重を低減することができ、被検査部品全体へのダメージを減らして、クラックなどの発生を抑えることができる。また、検査装置を低荷重用の簡易な構造とすることができる。

基膜は、合成樹脂からなる電気絶縁性膜である。電気絶縁性材料を用いることにより、基膜の面方向における絶縁性を確保し、隣り合う電極同士の影響を排除することができる。基膜は、厚さ方向に形成された複数の空孔を備え、空孔は、閉口部分と空孔の内壁に金属が付着している。したがって、図１（ｂ）に示すように、空孔３の閉口部分２ａに外部から電極７を押し付けることにより、閉口部分２ａと内壁２ｂの金属を介して、空孔３が閉口する主面と電極７とが導通する。したがって、本発明の導電シートは、厚さ方向にのみ導電性を有する。

基膜を形成する合成樹脂は、電気絶縁性と柔軟性を有する点で、ポリエステル、ポリアミド、ポリオレフィン、ポリウレタンなどが好ましく、フィルム、織布または不織布などの態様で用いることができる。また、耐熱性、耐薬品性、加工性、機械特性および誘電特性（低誘電率）などが優れている点で、フッ素置換したポリマーがより好ましい。フッ素置換したポリマーとしては、ポリテトラフルオロエチレン（以下、「ＰＴＦＥ」ともいう。）、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン／パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン共重合体、エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体などがあり、耐熱性、耐寒性、加工性および機械的強度の面から延伸ポリテトラフルオロエチレンが特に好ましく、２００℃以上の高温および−３０℃以下の低温でも弾性を失わず、安定した接続を維持することができる。また、ポリイミド、ポリアミドイミド、変性ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、液晶ポリマーなどのエンジニアリングプラスチックなども使用することができる。

基膜は弾力性および柔軟性を有するため、基膜に多孔質材料を用いることにより、半導体ウェハを実装する際に、電極の位置ズレによる接触不良を緩和し、柔らかで確実な接続を得ることができるようになる。このような観点から、多孔質材料の内部に含まれる気孔の平均孔径は１０μｍ以下が好ましく、バブルポイントは２ｋＰａ以上が好ましい。また、導通部のファインピッチ化の観点から、平均孔径１μｍ以下がより好ましく、バブルポイントは１０ｋＰａ以上がより好ましい。平均孔径を１０μｍ以下またはバブルポイントを２ｋＰａ以上とすることにより、膜強度を高め、使用を容易にすることができる。

多孔質材料の気孔率は２０％〜８０％が好ましい。気孔率を２０％以上とすることにより、多孔質材料の弾力性および柔軟性を維持することができる。一方、気孔率を８０％以下とすることにより十分な膜強度を確保することができる。気孔率とは、多孔質材料の全容積に対する気孔部分の容積の割合（％）をいう。

図１（ａ）に示すように、基膜１の厚さＴは、シンクロトロン放射のＸ線、レーザ光またはドリルを用いて空孔３を形成するときは、最大３ｍｍとすることができるが、シートの柔軟性の確保する観点からＴは厚い方が好ましく、加工性なども考慮すると、厚さＴは０．１ｍｍ〜２ｍｍが好ましく、たとえば、１ｍｍとすることができる。したがって、異方性導電シートの小型化および薄肉化を図ることができる。

空孔の閉口部分と内壁に付着する金属は、空孔の閉口部分と内壁面に触媒を付着させ、メッキにより形成することができる。メッキ法としては、無電解メッキ法を好適に採用することができる。まず、無電解メッキを行なう前に、空孔の内壁面および閉口部分に触媒を付着させた後、残留する触媒（パラジウム−スズ）を活性化させる。具体的には、メッキ触媒活性化用として市販されている有機酸塩などに浸漬することにより、スズを溶解し、パラジウム触媒を活性化する。

つぎに、活性化した触媒が付着した基膜を無電解メッキ液に浸漬し、空孔の閉口部分および内壁面にのみ導電性金属を析出させ、導通部（「導電路」または「電極」ともいう。）を形成する。導電性金属としては、銅、ニッケル、銀、金、ニッケル合金などが挙げられるが、特に高い導電性が必要な場合は、銅が好ましい。

基膜として延伸多孔質ＰＴＦＥシートを用いる場合、メッキ粒子（結晶粒）は、最初、多孔質ＰＴＦＥシートの表面に露出したフィブリルに絡むように析出し、メッキ時間を調整することにより、導電性金属の付着状態をコントロールすることができる。無電解メッキ時間が短すぎると、金属の析出量が少なく、十分な導通性を確保することが難しい。また、無電解メッキ時間が長すぎると、金属が析出している層の厚さが厚くなり、金属塊になり、多孔質膜の弾性復元力が低下する。適度なメッキ量とすることにより、多孔質構造を維持した状態で導電性金属を付着させて、十分な弾力性と柔軟性および膜厚方向への導通性を確保することができる。延伸多孔質ＰＴＦＥなどからなる多孔質膜のフィブリルの太さは、５０μｍ以下が好ましく、導電性金属の粒子径は、０．００１μｍ〜５μｍ程度が好ましい。また、導電性金属の付着量は、多孔質構造と弾力性を維持するために、０．０１ｇ／ｃｍ³〜４．０ｇ／ｃｍ³程度が好ましい。

図１（ｂ）に示すように、電極７を閉口部分２ａに押し付けると、閉口部分２ａの弾力性によって、閉口部分２ａの導電性金属が電極７に押し付けられる。これにより電極７と導電性金属が接続し、内壁面２ｂの金属を介して、空孔３が開口する主面と、電極７とを確実に導通することができる。電極７を取り去ると、多孔質膜などからなる閉口部分２ａの弾力性により復元するため、検査などで繰り返し電極を着脱することができる。

図１（ａ）に示すように、空孔３の閉口部分２ａの厚さｔは、１０μｍ〜１００μｍが好ましく、３０μｍ〜８０μｍがより好ましい。厚さｔを１０μｍ以上とすることにより、電極７の押し付けに対して十分な強度を発揮し、復元力を確保することができる。一方、厚さｔを１００μｍ以下とすることにより、閉口部分２ａに金属を均一に付着させ、十分な導通性を確保することができ、閉口部分２ａの柔軟性を維持することが可能となる。

このようにして付着させた金属は、酸化防止および電気的接触性を高める点で、酸化防止剤、貴金属または貴金属の合金で被覆しておく態様が好ましい。貴金属としては、電気抵抗が小さい点で、パラジウム、ロジウム、金が好ましい。貴金属などの被覆層の厚さは、０．００５μｍ〜０．５μｍが好ましく、０．０１μｍ〜０．１μｍがより好ましい。被覆層の厚みが薄すぎると、電気的接触性の改善効果が小さく、厚すぎると、被覆層が剥離しやすくなる。また、金で被覆する場合、８ｎｍ程度のニッケルで被覆した後、置換金メッキを行なう方法が効果的である。

（異方性導電シートの製造方法）
実施の形態１
本発明の異方性導電シートの製造方法は、シンクロトロン放射のＸ線またはレーザ光を照射することにより、厚さ方向に空孔を形成することを特徴とする。製造方法の工程図を図３に例示する。まず、図３（ａ）に示すように、たとえば、厚さ６００μｍのＰＴＦＥシートを基膜３１ｂとし、基膜３１ｂの２つの主面上に、犠牲層３１ａ，３１ｃを形成する。犠牲層３１ａ，３１ｃは、基膜３１ｂとの密着性と剥離性を高める点で、同材料であるＰＴＦＥからなるものが好ましい。犠牲層３１ａ，３１ｃは、各々厚さ１００μｍ程度のものを熱融着などにより形成することができる。

つぎに、図３（ｂ）に示すように、犠牲層３１ｃの側から、所定のパターンを有するマスク吸収体３７ｂを介して、シンクロトロン放射のＸ線３８ｂまたはレーザ光を照射し、照射エネルギおよび照射時間を調整し、犠牲層３１ｃと基膜３１ｂを部分的に分解し、除去することにより厚さ方向に空孔を形成する。

照射するＸ線としては、シンクロトロン放射のＸ線が好ましい。シンクロトロン放射のＸ線によるアブレーションでは、露光のみの１工程で所定の複数の空孔を同時に形成することができ、露光後の現像工程が不要である。さらにアブレーション速度が１００μｍ／分と速いため、フォトンコストを大幅に削減でき、数千μｍの高さで数十μｍの幅を持った大きなアスペクト比の加工も容易に達成できる。また、レーザ光によっても所定の孔を形成することができ、装置サイズおよび装置コストが小さく、容易に加工が行なうことができ、シンクロトロン放射のＸ線による場合と同様に、電極のファインピッチ化が容易である。特に、１０ｐｓ以下の短いパルスのレーザ光を用いると、基膜の微細構造を破壊することなく、空孔を形成することができる。また、空孔の形成は、実施の形態２において述べるドリルなどを利用して形成することもできる。

つぎに、図３（ｃ）に示すように、無電解メッキを行ない、金属を付着する。メッキ法は、一度に導電化することができ、生産性に優れる。無電解メッキ法には各種の態様があるが、無電解銅メッキを行なう場合には、たとえば、日鉱メタルプレーティング社製ＣＲ−３０２３によりプレディップし、つぎに触媒として日鉱メタルプレーティング社製ＣＰ−３３１６を用い、メッキ促進剤として日鉱メタルプレーティング社製ＮＲ−２ＡおよびＮＲ−２Ｂを用い、日鉱メタルプレーティング社製ＮＫＭ５５４により行なうことができる。

その後、犠牲層３１ａ、３１ｃ１を剥離すると、図３（ｄ）に示すような本発明の異方性導電シート３０が得られる。この異方性導電シート３０は、電気絶縁性の多孔質膜であるＰＴＦＥシートを基膜３１とし、基膜３１は、厚さ方向に形成された複数の空孔３３を有し、空孔３３は、基膜３１の一方の主面の方向に開口し、他方の主面の方向は閉口し、空孔３３の閉口部分３２ａと内壁３２ｂに金属が付着しており、空孔３３の閉口部分３２ａに外部から電極を接触することにより、付着した金属を介して、空孔３３が開口する主面と、接触する電極とが電気的に導通し、厚さ方向に導電性を有する。

実施の形態２
本発明の異方性導電シートの製造方法の他の態様は、ドリルにより厚さ方向に空孔を形成することを特徴とする。製造方法の工程図を図４に示す。まず、図４（ａ）に示すように、厚さ１ｍｍのＰＴＦＥシートからなる基膜４１ｂの２つの主面上に、各々厚さ１００μｍのＰＴＦＥからなる犠牲層４１ａ，４１ｃを形成する。

つぎに、図４（ｂ）に示すように、犠牲層４１ｃ側から、ドリル４８ｂにより、犠牲層４１ｃと基膜４１ｂに所定の深さの空孔を形成する。シンクロトロン放射のＸ線またはレーザ光により所定の空孔を形成することができるが、レーザまたはＸ線の発生装置は高価であるため、マイクロドリルで孔を形成することにより製造コストを低減することができる。たとえば、刃径１００μｍ以上、刃長１．５ｍｍ以上のドリル（大和精工製の超硬マイクロドリルＳＣＭＭＲなど）を使用し、内径１００μｍ以上の孔を簡易に形成することができる。

より加工性を向上するため、ドリル加工の前に、多孔質ＰＴＦＥシートを、溶融したパラフィンなどで充填し、冷却固化する態様が好ましい。かかる態様においては、ドリル加工での機械的負荷による多孔質ＰＴＦＥの空孔部の変形および潰れを抑えることができる。充填したパラフィンは、ドリル加工後、たとえば、キシレンなどにより容易に除去することができる。

ドリル加工後、機械的に形成したＰＴＦＥシートの空孔は、側壁が荒れたり、空孔が潰れたりすることがあるため、側壁をわずかにエッチングし、空孔を復元しておく態様が好ましい。エッチングは、アルカリ金属を含有するエッチング液によって行なうことができる。また、アルカリ金属としては、ナトリウムまたはリチウムが好ましい。

つぎに、図４（ｃ）において、空孔の閉口部分４２ａおよび内壁４２ｂを含む全表面に、還元反応を促進する触媒粒子（図示していない。）を付着する。たとえば、無電解銅メッキをする場合には、触媒としてＰｄ−Ｓｎコロイド触媒付与液を含侵させる。その後、図４（ｄ）に示すように、犠牲層４１ａ、４１ｃ１を剥離する。犠牲層の剥離により、無電解メッキを促進する触媒粒子が、空孔の閉口部分４２ａおよび内壁４２ｂにのみ形成されている状態になる。その後、無電解メッキを行なう。無電解メッキにより、空孔の閉口部分４２ａおよび内壁４２ｂにのみ金属が付着し、図４（ｅ）に示すような異方性導電シート４０が得られる。

この異方性導電シート４０は、合成樹脂からなる電気絶縁性の多孔質膜４１を基膜とし、基膜は、厚さ方向に形成された複数の空孔４３を有する。空孔４３は、基膜の一方の主面の方向に開口し、他方の主面の方向は閉口し、空孔４３の閉口部分４２ａと内壁４２ｂに金属が付着しており、空孔の閉口部分４２ａに外部から電極を接触することにより、金属を介して、空孔４３が開口する主面と、接触する電極とが電気的に導通し、厚さ方向に導電性を有する。

本実施の形態においても、メッキにより一度に導電化できるので、生産性に優れる。また、触媒粒子を付与することなく、実施の形態１と同様に、無電解メッキを行なうことにより、本発明の異方性導電シートを製造することができるが、本実施の形態によれば、メッキしたい領域である空孔４３の閉口部分４２ａおよび内壁４２ｂのみを効率的にメッキできる点で有利である。

本発明の異方性導電シートにおける空孔は、一方の主面の方向に開口し、他方の主面の方向が閉口する。かかる態様は、主面の方向がいずれも閉口し、中空構造を有する態様に比べて、空孔の形成が容易であり、閉口部分の厚さｔの制御が容易である。また、開口部分からメッキ液を浸透させることにより、閉口部分と空孔内壁に容易に金属を付着させることができる。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明の異方性導電シートは、小型化、薄肉化および電極のファインピッチ化が容易であるため、電子機器、情報機器に求められる小型化のニーズに応えることができる。

本発明の異方性導電シートの構造および実装状態を示す図である。 本発明外である貫通孔を有する異方性導電シートの構造および実装状態を示す図である。 本発明の異方性導電シートの製造方法を示す工程図である。 本発明の異方性導電シートの製造方法を示す工程図である。 従来の異方性導電シートの構造および実装状態を示す図である。

符号の説明

１，２１ 基膜、２ａ 閉口部分、２ｂ 内壁、３ 空孔、７，２７ 電極、８，２８ 異方性導電シート、９，２９ 半導体ウェハ。

Claims (6)

1. 厚さ方向に導電性を有する異方性導電シートであって、合成樹脂からなる電気絶縁性の膜を基膜とし、該基膜は、厚さ方向に形成された複数の空孔を有し、該空孔は、基膜の一方の主面の方向に開口し、他方の主面の方向は閉口し、空孔の前記閉口部分と空孔の内壁に金属が付着しており、空孔の閉口部分に外部から電極を接触することにより、前記金属を介して、空孔が開口する主面と、接触する電極とが電気的に導通することを特徴とする異方性導電シート。
2. 前記合成樹脂は、延伸ポリテトラフルオロエチレンであることを特徴とする請求項１に記載の異方性導電シート。
3. 請求項１または２に記載の異方性導電シートの製造方法であって、シンクロトロン放射のＸ線またはレーザ光を照射することにより厚さ方向に空孔を形成することを特徴とする異方性導電シートの製造方法。
4. 請求項１または２に記載の異方性導電シートの製造方法であって、ドリルにより厚さ方向に空孔を形成することを特徴とする異方性導電シートの製造方法。
5. 請求項１または２に記載の異方性導電シートの空孔の閉口部分に半導体チップまたは回路基板の電極を接触して行なうことを特徴とする接続方法。
6. 半導体チップまたは回路基板の電気検査において、請求項１または２に記載の異方性導電シートの空孔の閉口部分に被検査物の電極を接触して行なうことを特徴とする検査方法。

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