JP5560777B2 - 鍵盤楽器 - Google Patents

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Description

本発明は、鍵盤楽器及びソレノイド駆動機構に関する。
例えば、自動演奏を行う鍵盤楽器の押鍵駆動機構として、ソレノイドが用いられている(例えば、特許文献1参照)。押鍵動作後の終了位置(以下、エンド位置という)で鍵を保持するのに大きな力を得るため、押鍵動作前の鍵の初期位置(以下、レスト位置という)よりもエンド位置でソレノイドによって発生される力(以下、ソレノイド力という)が大きくなるように(すなわち、ソレノイドの効率が良くなるように)、ソレノイドが設計されることが多い。しかし、一方、鍵がレスト位置近傍にある状態でソレノイド力が小さいと、押鍵駆動初期の応答性が悪くなり、速いパッセージの演奏表現が難しくなる。
その他例えば、演奏者の押鍵に対する力覚付与のためにも、ソレノイドが用いられる。例えば鍵盤楽器の演奏表現をより豊かにするために、ソレノイド力の制御性を向上させることが望ましい。
特許第3799706号公報
本発明の一目的は、ソレノイド力の制御性が向上したソレノイドを用いた鍵盤楽器、及びそのようなソレノイドの駆動機構を提供することである。
本発明の一観点によれば、プランジャ、及び前記プランジャが挿入されるコイルを含むソレノイドと、前記ソレノイドに電圧を印加する駆動装置と、前記プランジャに連動し、前記ソレノイドによって発生される力を受ける鍵とを有し、前記駆動装置は、前記鍵の押離鍵方向の位置を検出する位置検出装置を含み、前記鍵が動いている間において、前記位置検出装置によって検出された鍵位置に応じて、前記ソレノイドへの印加電圧を変化させて、前記ソレノイドによって発生される力を変化させ、前記ソレノイドは、演奏者による押鍵に対する反力を前記鍵に与え、前記駆動装置は、前記位置検出装置によって検出された鍵位置に応じて、前記鍵の押鍵途中の第1の鍵位置で、前記ソレノイドへの印加電圧を、第1の電圧から、前記第1の電圧よりも低い第2の電圧へ切り換えて、前記反力を減少させる鍵盤楽器が提供される。
鍵位置に応じて、ソレノイドへの印加電圧を変化させ、ソレノイドによって発生される力を変化させることにより、例えば、自動演奏の押鍵駆動や、演奏者の押鍵に対し付与する力覚の制御性向上が図られ、鍵盤楽器の演奏表現をより豊かにできる。
図1A及び図1Bは、それぞれ、第1の実施例の鍵盤楽器の、レスト位置及びエンド位置にある鍵を示す概略断面図である。 図2は、第1の実施例のソレノイド駆動装置の概略構成を示す等価回路図である。 図3は、第1の実施例のソレノイドの駆動方法を概略的に示すタイミングチャートである。 図4は、第1の実施例の、押鍵時の鍵位置とソレノイド力との関係を概略的に示すグラフである。 図5A及び図5Bは、それぞれ、第2(〜第4)の実施例の鍵盤楽器の、レスト位置及びエンド位置にある鍵を示す概略断面図である。 図6は、第2の実施例のソレノイド駆動装置の概略構成を示す等価回路図である。 図7は、第2の実施例のソレノイドの駆動方法を概略的に示すタイミングチャートである。 図8は、第2の実施例の、押鍵時の鍵位置とソレノイド力との関係を概略的に示すグラフである。 図9は、第3の実施例のソレノイド駆動装置の概略構成を示す等価回路図である。 図10は、第3の実施例のソレノイドの駆動方法を概略的に示すタイミングチャートである。 図11は、第3の実施例の、押鍵時の鍵位置と、最大のソレノイド力及び反力との関係を概略的に示すグラフである。 図12は、第4の実施例のソレノイド駆動装置の概略構成を示す等価回路図である。 図13は、第4の実施例のソレノイドの駆動方法を概略的に示すタイミングチャートである。 図14は、第4の実施例の、押鍵時の鍵位置と、最大のソレノイド力及び反力との関係を概略的に示すグラフである。 図15A及び図15Bは、それぞれ、その他の実施例の鍵盤楽器の、レスト位置及びエンド位置にある鍵を示す概略断面図である。
a.第1の実施例
まず、本発明の第1の実施例による鍵盤楽器について説明する。第1の実施例の鍵盤楽器は、自動演奏(自動押鍵)を行なうものである。
図1A及び図1Bは、それぞれ、押鍵動作前の初期位置(すなわち、レスト位置)及び押鍵動作後の終了位置(すなわち、エンド位置)にある鍵を示す概略断面図である。鍵盤楽器は多数の鍵(例えば88鍵)を含むが、1つの鍵を代表させて図示する。
図1A及び図1Bに示すように、鍵1が、支点2の回りに回動する。鍵1に対し演奏者側(図示右側)を前方と呼ぶこととする。支点2に対して鍵1の後方の下方に、ソレノイド3が配置されている。
ソレノイド3は、プランジャ3aと、コイル3bと、ヨーク3cと、連動棒(連動部材)3dとを含む。プランジャ3aは、例えば鉄を用いた磁性体部材からなり、コイル3bに挿入され、上下方向に移動可能である。
コイル3bに通電することにより、磁束が発生して、プランジャ3aをコイル3b内に引き込む力が生じ、プランジャ3aは動かされる。ヨーク3cが、磁気回路形成のために、コイル3bの上下側と外側側方を覆って配置される。連動棒3dは、例えばプラスチックや真鍮等の非磁性体で形成される。連動棒3dに、プランジャ3aが取り付けられている。なお、連動棒とプランジャとを鉄等で一体形成して、プランジャ部分を吸引するようにすることもできる。
コイル3bに対して一定電圧が印加され、かつ一定電流が流れるとき、プランジャ3aが、コイル3bに深く引き込まれているほど(プランジャ3aとヨーク3cとのギャップが狭いほど)、ソレノイド3によって発生される力(すなわち、ソレノイド力)が大きい。
第1の実施例のソレノイド3は、通電によってプランジャ3aが上方に押し出されるプッシュ型である。連動棒3dが、プランジャ3aと鍵1とを結合し、プランジャ3aと鍵1の動きを連動させる。ソレノイド駆動装置4が、ソレノイド3を駆動する。
鍵1がエンド位置にあるときは、プランジャ3aはコイル3b内に最も深く引き込まれた状態となる。鍵1がレスト位置にあるときは、プランジャ3aは下方からコイル3bに途中まで引き込まれた状態となる。これらの場合、コイル3bに対して常に一定電圧が印加され、かつ一定電流が流れている条件下では、鍵1がエンド位置にあるとき、ソレノイド力は最大である。すなわちソレノイド3の効率が最大となる。また、前記同一条件下で、鍵1がレスト位置にあるとき、ソレノイド力は鍵1がエンド位置にあるときのそれよりも小さい。
鍵1がレスト位置にある状態で、コイル3bへの通電が開始されると、プランジャ3aにより連動棒3dを介して鍵1が下方から押され、押鍵動作が行なわれる。鍵1がエンド位置に到達した後も引き続き、コイル3bへの通電を続けることにより、鍵1が押し込まれた状態を維持して、音が持続する演奏表現がなされる。なお、鍵1のレスト位置への鍵復帰手段は、例えばバネや重り等で実現でき、それによって鍵1の復帰がなされる。
エンド位置に鍵1が押し込まれた状態の維持に大きな力を使えるようにするため、鍵1がエンド位置にあるときソレノイド力が大きくなっていることは好ましい。その反面、鍵1がレスト位置にあるときのソレノイド力が小さければ、鍵1の押鍵初期の動きを速くできず、速いパッセージの演奏表現が難しい。第1の実施例では、以下に説明するように、鍵1がレスト位置近傍にある状態における、ソレノイド力の向上を図る。
次に、第1の実施例のソレノイド駆動装置4の構成及びソレノイドの駆動方法について説明する。
図2は、第1の実施例のソレノイド駆動装置4の概略構成を示す等価回路図である。自動演奏装置11が、自動演奏データK0を出力する。自動演奏データK0は、ノート情報、キーオンタイミング情報、及びキーオフタイミング情報を含む。キーイング信号生成回路12が、自動演奏データK0から、キーオンタイミングで立ち上がり、キーオフタイミングで立ち下がるキーイング信号K11を生成する。なお、自動演奏データK0は、音源装置101にも出力され、音源装置101が自動演奏データK0に基づいて楽音を再生する。
ソレノイド3のプランジャ3aの位置(あるいは、それに連動する連動棒3d、鍵1等の部材の位置)を検出する位置検出装置13が、レスト位置からエンド位置までに対応する押離鍵方向の鍵1の位置を検出して、鍵位置を表す鍵位置信号x1を出力する。位置検出装置13として、磁気位置センサ等を用いることができる。
切替位置信号生成回路14は、位置検出装置13から出力された鍵位置信号x1を受けて、切替位置信号S11を生成する。鍵1のレスト位置からエンド位置までの途中(例えば中央)に、切替位置が設定されている。切替位置信号S11は、押鍵時に切替位置で立ち上がり、離鍵時に切替位置で立ち下がる。
電圧切替信号生成回路15は、例えばアンド回路で構成されており、キーイング信号K11及び切替位置信号S11を入力として、そのアンドの演算結果である電圧切替信号T11を出力する。すなわち、電圧切替信号T11は、キーイング信号K11及び切替位置信号S11の両者が立ち上がっているときに立ち上がっている信号であり、押鍵時に切替位置到達タイミングで立ち上がり、離鍵時にキーオフのタイミングで立ち下がる。
電圧切替信号T11が、抵抗16を介して、pnpトランジスタ17のベースに印加される。pnpトランジスタ17のエミッタ及びコレクタがそれぞれ、高電源電圧VH1及びソレノイド3(のコイル3aの)電源電圧側端子18に接続されている。
高電源電圧VH1よりも低い低電源電圧VL1が、ダイオード21を介して、ソレノイド3の電源電圧側端子18に接続されている。この場合、ダイオード21のp極が低電源電圧VL1に接続され、ダイオードのn極がソレノイド3の電源電圧側端子18に接続されている。また、ダイオード21のn極はキャパシタ22の一方の端子に接続され、キャパシタ22の他方の端子が接地されている。
キーイング信号K11が、通電切替信号T12として、抵抗23を介して、npnトランジスタ24のベースに印加される。npnトランジスタ24のコレクタが、ソレノイド3の(コイル3aの)接地電圧側端子19に接続され、npnトランジスタ24のエミッタが、接地されている。
さらに、ソレノイド3の接地電圧側端子19が、保護用のダイオード20を介して、高電源電圧VH1に接続されている。この場合、ダイオード20のp極がソレノイド3の接地電圧側端子19に接続され、ダイオード20のn極が高電源電圧VH1に接続されている。
次に、さらに図3も参照して、第1の実施例のソレノイドの駆動方法について説明する。
図3は、第1の実施例のソレノイドの駆動方法を概略的に示すタイミングチャートである。キーイング信号K11(通電切替信号T12)、鍵位置x1、切替位置信号S11、電圧切替信号T11、及び、ソレノイド3の電源電圧側端子18へ接続される電源電圧V1を示す。
時刻t10が、キーオンのタイミングであり、時刻t10でキーイング信号K11及び通電切替信号T12が立ち上がる。また、時刻t13が、キーオフのタイミングであり、時刻t13でキーイング信号K11及び通電切替信号T12が立ち下がる。時刻t10から時刻t13まで、npnトランジスタ24がオンとなり、ソレノイド3の接地電圧側端子19が接地され、ソレノイド3が通電可能となる。
一方、時刻t10では、鍵位置x1が切替位置に達しておらず、切替位置信号S11は立ち下がっており、電圧切替信号T11も立ち下がっている。電圧切替信号T11が立ち下がっているとき、pnpトランジスタ17はオンしており、高電源電圧VH1がソレノイド3の電源電圧側端子18に接続される。なお、電源電圧側端子18と低電源電圧VL1との間のダイオード21には逆バイアスが印加される。時刻t10から時刻t11まで、ソレノイド3に高電源電圧VH1が印加されて、通電が行なわれる。
時刻t11に、鍵位置x1が切替位置に達して、切替位置信号S11が立ち上がると、電圧切替信号T11も立ち上がり、電圧切替信号T11が高電源電圧VH1と同電圧になり、pnpトランジスタ17がオフして、低電源電圧VL1がソレノイド3の電源電圧側端子18に接続される。pnpトランジスタ17がオフになった時刻t11から、キーオフタイミングの時刻t13まで、ソレノイド3に低電源電圧VL1が印加されて、通電が行なわれる。
鍵位置x1が、時刻t12にエンド位置に達し、時刻t13までエンド位置で維持される。鍵がエンド位置で保持されている間、pnpトランジスタ17はオフであり、低電源電圧VL1がソレノイド3に印加される。
時刻t13のキーオフタイミングで、キーイング信号K11及び通電切替信号T12が立ち下がって、ソレノイド3の通電が終了する。時刻t13で、電圧切替信号T11も立ち下がり、pnpトランジスタ17がオンし、ソレノイド3の電源電圧側端子18に接続される電源電圧V1が、低電源電圧VL1から高電源電圧VH1に切り替わる。時刻t13以後は、通電切替信号T12が立ち下がっているので、ソレノイド3の通電が行なわれない。なお、通電時間帯外の電圧V1を点線で示す。
時刻t14に、鍵位置x1が、エンド位置側から切替位置に戻り、切替位置信号S11が立ち下がる。時刻t15に、鍵位置x1がレスト位置に戻る。
図4は、第1の実施例の、押鍵時の鍵位置とソレノイド力との関係を概略的に示すグラフである。曲線CH1が、ソレノイド3の電源電圧側端子18に高電源電圧VH1を印加し、かつ一定電流を流した場合のソレノイド力を示す。曲線CL1が、ソレノイド3の電源電圧側端子18に低電源電圧VL1を印加し、かつ一定電流を流した場合のソレノイド力を示す。実線で示すように、切替位置で曲線CH1から曲線CL1に切り替わる曲線C1が、第1の実施例のソレノイド駆動方法のソレノイド力を示す。
上述のように、第1の実施例のソレノイドの特性としては、ソレノイド3に対して一定電圧が印加され、かつ一定電流が流れているとき、鍵1がレスト位置にある場合よりも、鍵1がエンド位置にある場合の方が、ソレノイド力が大きくなる。
まず、レスト位置からエンド位置まで一定に低電源電圧VL1を印加した場合を、比較例とする。
切替位置からエンド位置まで(エンド位置近傍で)、十分なソレノイド力が得られるように、低電源電圧VL1の大きさが選択されている。しかし、低電源電圧VL1では、レスト位置から切替位置までは(レスト位置近傍で)、十分なソレノイド力が得られない。
第1の実施例のソレノイド駆動方法では、レスト位置から切替位置まで、ソレノイドに十分に高い高電源電圧VH1を印加することにより、所望の大きなソレノイド力を得ることができる。従って、例えばレスト位置近傍におけるソレノイド力の向上が図られ、鍵1の応答性が上がる。例えば早いパッセージの演奏表現が容易になる。
また、別の比較例として、レスト位置からエンド位置まで一定の高電源電圧VH1を印加した場合を考える。
レスト位置から切替位置まで(レスト位置近傍で)、十分なソレノイド力が得られるように、高電源電圧VH1の大きさが選択されている。しかし、切替位置からエンド位置までは、必要以上に高い電圧でソレノイド3が駆動されることとなり、例えば消費電力抑制の観点で望ましくない。
第1の実施例のソレノイド駆動方法では、切替位置からエンド位置まで、必要なソレノイド力が得られる範囲で、低い低電源電圧VL1を印加することにより、例えば消費電力抑制が図られる。
b.第2の実施例
次に、第2の実施例による鍵盤楽器について説明する。第2の実施例の鍵盤楽器は、演奏者による押鍵に対し力覚(反力)を付与するものである。
図5A及び図5Bは、それぞれ、レスト位置及びエンド位置にある鍵を示す概略断面図である。多数の鍵のうち1つを代表させて図示する。
図5A及び図5Bに示すように、鍵1が、支点2の回りに回動する。支点2に対して鍵1の後方の下方に、ソレノイド33が配置されており、ソレノイド33が、プランジャ33aと、コイル33bと、ヨーク33cと、連動棒33dとを含む点は、第1の実施例と同様である。
ただし、第1の実施例の自動演奏用のソレノイド3は、通電によってプランジャ3aが上方に押し出されるプッシュ型であったが、反力付与用のソレノイド33は、通電によりプランジャ33aが下方に引っ張られるプル型である。連動棒33dが、プランジャ33aと鍵1とを結合し、プランジャ33aと鍵1の動きを連動させる。
第2の実施例の反力付与用のソレノイド33では、鍵1がレスト位置にあるとき、プランジャ33aはコイル33b内に最も引き込まれた状態となる。鍵1がエンド位置にあるとき、プランジャ33aは上方からコイル33bに途中まで引き込まれた状態(プランジャ33aがコイル33bから上方に突き出した状態)となる。これらの場合、コイル33bに対して常に一定電圧が印加され、かつ一定電流が流れている条件下では、鍵1がレスト位置にあるとき、ソレノイド力は最大である。すなわちソレノイド33の効率が最大となる。また、前記同一条件下で、鍵1がエンド位置にあるとき、ソレノイド力は鍵1がレスト位置にあるときのそれよりも小さい。
鍵1がレスト位置にある状態で、演奏者の指35が、支点2の前方で、鍵1を下方に押す。押鍵が開始されたら、コイル33bへの通電を開始することにより、鍵1が下方に引っ張られ、押鍵に対して反力が付与される。所望の反力が付与されるように、ソレノイド駆動装置34が、ソレノイド33を駆動する。
次に、第2の実施例のソレノイド駆動装置34の構成及びソレノイドの駆動方法について説明する。
図6は、第2の実施例のソレノイド駆動装置34の概略構成を示す等価回路図である。演奏者の押鍵動作によって、押鍵が開始される。ソレノイド33のプランジャの位置(あるいは、それに連動する連動棒、鍵等の部材の位置)を検出する位置検出装置41が、レスト位置からエンド位置までに対応する押離鍵方向の鍵位置を検出して、鍵位置を表す鍵位置信号x2を出力する。位置検出装置41として、磁気位置センサ等を用いることができる。
電圧切替信号生成回路42は、位置検出装置41から出力された鍵位置信号x2を受けて、電圧切替信号T21を生成する。鍵1のレスト位置からエンド位置までの途中(例えば中央)に、切替位置が設定されている。電圧切替信号T21は、押鍵時に切替位置で立ち上がり、離鍵時に切替位置で立ち下がる。
電圧切替信号T21が、抵抗16を介して、pnpトランジスタ17のベースに印加される。pnpトランジスタ17のエミッタ及びコレクタがそれぞれ、高電源電圧VH2及びソレノイド33(コイル33a)の電源電圧側端子18に接続されている。
高電源電圧VH2よりも低い低電源電圧VL2が、ダイオード21を介して、ソレノイド33の電源電圧側端子18に接続されている。この場合、ダイオード21のp極が低電圧電源VL2に接続され、ダイオード21のn極がソレノイド33の電源電圧側端子18に接続されている。また、ダイオード21のn極はキャパシタ22の一方の端子に接続され、キャパシタ22の他方の端子が接地されている。
通電切替信号生成回路43は、位置検出装置41から出力された鍵位置信号x2を受けて、通電切替信号T22を生成する。レスト位置から微小に押された鍵1の位置が、押鍵検出位置として設定されている。通電切替信号T22は、押鍵時に押鍵検出位置で立ち上がり、離鍵時に押鍵検出位置で立ち下がる。
通電切替信号T22は、抵抗23を介して、npnトランジスタ24のベースに印加される。npnトランジスタ24のコレクタが、ソレノイド33(コイル33a)の接地電圧側端子19に接続され、npnトランジスタ24のエミッタが、接地されている。
さらに、ソレノイド33の接地電圧側端子19が、保護用のダイオード20を介して、高電源電圧VH2に接続されている。この場合、ダイオード20のp極がソレノイド33の接地電圧側端子19に接続され、ダイオード20のn極が高電源電圧VH2に接続されている。
なお、抵抗16、pnpトランジスタ17、ダイオード20、21、キャパシタ22、抵抗23、npnトランジスタ24の接続構成は、第1の実施例と同様であるので、同様の参照番号を付している。しかし、各素子の特性は、本実施例に合わせて適宜選択され、第1の実施例と同一とは限らない。
次に、さらに図7も参照して、第2の実施例のソレノイドの駆動方法について説明する。
図7は、第2の実施例のソレノイドの駆動方法を概略的に示すタイミングチャートである。鍵位置x2、電圧切替信号T21、通電切替信号T22、及び、ソレノイド33の電源電圧側端子18へ接続される電源電圧V2を示す。
時刻t20に、演奏者が押鍵を開始する。時刻t21で、鍵位置x2が、押鍵検出位置に達し、通電切替信号T22が立ち上がる。また、離鍵時の時刻t26に、鍵位置x2がエンド位置側から押鍵検出位置(押鍵初期位置)まで戻り、通電切替信号T22が立ち下がる。時刻t21から時刻t26まで、npnトランジスタ24がオンとなり、ソレノイド33の接地電圧側端子19が接地され、ソレノイド33が通電可能となる。
一方、時刻t21では、鍵位置x2が切替位置に達しておらず、電圧切替信号T21は立ち下がっており、pnpトランジスタ17がオンであり、高電源電圧VH2がソレノイド33の電源電圧側端子18に接続される。なお、電源電圧側端子18と低電源電圧VL2との間のダイオード21には逆バイアスが印加される。時刻t21から時刻t22まで、ソレノイド33に高電源電圧VH2が印加されて、通電が行なわれる。
時刻t22に、鍵位置x2が切替位置に達して、電圧切替信号T21が立ち上がり、pnpトランジスタ17がオフして、低電源電圧VL2がソレノイド33の電源電圧側端子18に接続される。鍵位置x2が、時刻t23にエンド位置に達し、時刻t24までエンド位置で維持される。
時刻24に、離鍵動作が開始され、時刻t25に、鍵位置x2がエンド位置側から切替位置に戻る。時刻t22から時刻t25まで、ソレノイド33に低電源電圧VL2が印加されて、通電が行なわれる。時刻t25に、電圧切替信号T21が立ち下がり、pnpトランジスタ17がオンし、ソレノイド3の電源電圧側端子18に接続される電源電圧V2が、低電源電圧VL2から高電源電圧VH2に切り替わる。
時刻t26で、鍵位置x2がエンド位置側から押鍵検出位置に戻って、通電切替信号T22が立ち下がり、ソレノイド33の通電が終了する。なお、通電時間帯外の電圧V2を点線で示す。時刻t27に、鍵位置x2がレスト位置に戻る。
図8は、第2の実施例の、押鍵時の鍵位置とソレノイド力との関係を概略的に示すグラフである。曲線CH2が、ソレノイド33の電源電圧側端子18に高電源電圧VH2を印加し、かつ一定電流を流した場合のソレノイド力を示す。曲線CL2が、ソレノイド33の電源電圧側端子18に低電源電圧VL2を印加し、かつ一定電流を流した場合のソレノイド力を示す。実線で示すように、切替位置で曲線CH2から曲線CL2に切り替わる曲線C2が、第2の実施例のソレノイド駆動方法のソレノイド力を示す。
第2の実施例のソレノイド駆動方法では、押鍵時に切替位置で、電源電圧V2を高電源電圧VH2から低電源電圧VL2に低下させる。これにより、ハンマーを駆動する駆動機構等を持たない鍵盤楽器であっても、押鍵途中で反力を急減少させることができ、トラッカータッチと呼ばれる力覚を、演奏者に与えることができる。
c.第3の実施例
次に、第3の実施例による鍵盤楽器について説明する。第3の実施例の鍵盤楽器は、第2の実施例と同様に、演奏者による押鍵に対し力覚(反力)を付与するものである。鍵とソレノイドの配置関係は、第2の実施例と共通であり、図5に示される。
ただし、第3の実施例は、鍵位置に応じて定められた反力のプロファイルに基づいて、演奏者の押鍵に対する反力を付与する。プロファイルに従った反力は、ソレノイド33に流す平均電流を調整することにより発生させられる。
ソレノイドに通電する状態と通電しない状態を繰り返し切り換えて、ソレノイド33に流れる平均電流を変化させることにより、一定電流(直流)を流した場合のソレノイド力を最大として、ソレノイド33の発生する力を調整することができる。
一方で、鍵位置に応じて、第2の実施例と同様に、ソレノイドの印加電圧を切り替えることにより、最大のソレノイド力も変化させる。ソレノイド駆動装置34が、このような駆動を行う。
図9は、第3の実施例のソレノイド駆動装置34の概略構成を示す等価回路図である。抵抗16、pnpトランジスタ17、ダイオード20、21、キャパシタ22、抵抗23、npnトランジスタ24の接続構成は、第2の実施例と同様である。なお、各素子の特性は、本実施例に合わせて適宜選択され、第2の実施例と同一とは限らない。
以下、pnpトランジスタ17のベースに印加される制御信号T31、及びnpnトランジスタ24のベースに印加される制御信号T32について説明する。
演奏者の押鍵動作によって、押鍵が開始される。位置検出装置51が、鍵位置を検出して、鍵位置を表す鍵位置信号x3を出力する。電圧切替信号生成回路52は、位置検出装置51から出力された鍵位置信号x3を受けて、電圧切替信号T31を生成する。
レスト位置からエンド位置までの途中(例えば中央)に切替位置が設定されており、電圧切替信号T31は、押鍵時に切替位置で立ち下がり、離鍵時に切替位置で立ち上がる。電圧切替信号T31が、pnpトランジスタ17のベースに印加される。
pnpトランジスタ17のエミッタ及びコレクタがそれぞれ、高電源電圧VH3及びソレノイド33の電源電圧側端子18に接続されている。高電源電圧VH3よりも低い低電源電圧VL3が、ダイオード21を介して、ソレノイド33の電源電圧側端子18に接続されている。この場合、ダイオード21のp極が低電圧電源VL3に接続され、ダイオード21のn極がソレノイド33の電源電圧側端子18に接続されている。
位置検出装置51から出力された鍵位置信号x3は、また、パルス幅変調(PWM)信号を生成するためのデューティ比を供給(出力)するデューティ比供給(出力)回路53に入力される。デューティ比供給回路53は、反力プロファイルのテーブル53a及びデューティ比のテーブル53bを持つ。
反力プロファイルのテーブル53aは、鍵位置x3に応じて発生すべき反力を規定するプロファイル(例えば、後述する図11のCF3)、具体的には鍵位置x3に応じて変化する(定められる)反力(ソレノイド力)を記録している。
デューティ比のテーブル53bは、反力プロファイルテーブル53aに基づいた反力を発生するためのデューティ比、すなわち反力(ソレノイド力)の大きさに応じて変化するデューティ比を記録している。
そして、デューティ比供給回路53は、位置検出装置51から鍵位置信号x3が入力されると、まず、反力プロファイルのテーブル53aを参照することにより、鍵位置信号x3に対応した反力(ソレノイド力)を決定する。次に、デューティ比供給回路53は、デューティ比のテーブル53bを参照することにより、前記決定した反力に対応したデューティ比を決定する。その結果、デューティ比供給回路53は、鍵位置x3に従ったデューティ比を決定して、決定したデューティ比をPWM信号発生回路(通電切替信号生成回路)54に供給する。
デューティ比供給回路53から供給されたデューティ比で、PWM信号発生回路(通電切替信号生成回路)54が、PWM信号(通電切替信号)T32を生成する。通電切替信号T32が、npnトランジスタ24のベースに印加される。
npnトランジスタ24のベースに印加されたPWM信号のデューティ比に応じて、ソレノイド33に通電する状態と通電しない状態とが繰り返し切り替えられる。これにより、ソレノイド33に流れる平均電流が制御される。デューティ比を大きくすることにより、平均電流が大きくなり、ソレノイド力(反力)を大きくすることができる。
次に、さらに図10も参照して、第3の実施例のソレノイドの駆動方法について説明する。
図10は、第3の実施例のソレノイドの駆動方法を概略的に示すタイミングチャートである。鍵位置x3、電圧切替信号T31、通電切替信号T32、及び、ソレノイド33の電源電圧側端子18へ接続される電源電圧V3を示す。
時刻t30に、演奏者が押鍵を開始し、鍵位置x3がレスト位置からエンド位置に向けて動き出す。離鍵時の時刻t35に、鍵位置x3がエンド位置側からレスト位置まで戻る。時刻t30から時刻t35まで、PWM信号の通電切替信号T32がnpnトランジスタ24のベースに印加され、各鍵位置x3に応じたデューティ比で、npnトランジスタ24のオン状態とオフ状態、すなわちソレノイドの通電状態と非通電状態とが繰り返される。
一方、時刻t30では、鍵位置x3が切替位置に達しておらず、電圧切替信号T31は高電源電圧VH3と同電圧である(立ち上がっている)。これにより、pnpトランジスタ17はオフ状態を呈し、低電源電圧VL3がソレノイド33の電源電圧側端子18に接続される。
時刻t31に、鍵位置x3が切替位置に達して、電圧切替信号T31が立ち下がり、pnpトランジスタ17がオンして、高電源電圧VH3がソレノイド33の電源電圧側端子18に接続される。鍵位置x3が、時刻t32にエンド位置に達し、時刻t33までエンド位置で維持される。
時刻t33に、離鍵動作が開始され、時刻t34に、鍵位置x3がエンド位置側から切替位置に戻って、電圧切替信号T31が立ち上がり、pnpトランジスタ17がオフし、ソレノイド33の電源電圧側端子18に接続される電源電圧V3が、高電源電圧VH3から低電源電圧VL3に切り替わる。時刻t35に、鍵位置x3がエンド位置側からレスト位置に戻る。
図11は、第3の実施例の、押鍵時の鍵位置と、最大のソレノイド力及び反力の関係を概略的に示すグラフである。曲線CH3が、ソレノイド33の電源電圧側端子18に高電源電圧VH3を印加し、かつ一定電流を流した場合の最大のソレノイド力を示し、曲線CL3が、ソレノイド33の電源電圧側端子18に低電源電圧VL3を印加し、かつ一定電流を流した場合の最大のソレノイド力を示す。実線で示すように、切替位置で曲線CL3から曲線CH3に切り替わる曲線C3が、第3の実施例の駆動方法の最大のソレノイド力を示す。
曲線CF3が、押鍵に対して付与すべき反力のプロファイルの一例を示す。この反力プロファイルは、ピアノのタッチを想定したものであり、全体的に、レスト位置からエンド位置に向けて大きくなる傾向を持ち(例えば切替位置に関して、エンド位置側で大きくなる傾向を持ち)、エンド位置の少し前で急減少する。
上述のように、第3(第2)の実施例のソレノイドの特性は、ソレノイド33に対して一定電圧を印加し、かつ一定電流を流したとき、レスト位置よりもエンド位置でソレノイド力が小さくなる。
まず、レスト位置からエンド位置まで、ソレノイド33の電源電圧側端子18に常に低電源電圧VL3を印加した場合を、比較例とする。
前記一定の低電源電圧VL3を印加した場合、一定電流によるソレノイド33の駆動が最大のソレノイド力を規定し、平均電流を変えることにより、最大のソレノイド力の範囲内で、反力プロファイルに応じたソレノイド力を得ることができる。
レスト位置近傍では、発生すべき反力が小さく、また最大のソレノイド力が大きいので、低電源電圧VL3の駆動での最大のソレノイド力内で、反力をまかなえる。しかし、エンド位置近傍では、反力が大きく、また最大のソレノイド力が小さいので、低電源電圧VL3の駆動での最大のソレノイド力内で、反力をまかなえなくなる。
第3の実施例のソレノイド駆動方法では、切替位置からエンド位置まで、ソレノイド33に十分に高い高電源電圧VH3を印加することにより、所望の大きな、最大のソレノイド力を得ることができ、エンド位置近傍の大きな反力がまかなえる。
また、別の比較例として、レスト位置からエンド位置まで、ソレノイド33の電源電圧側端子18に常に高電源電圧VH3を印加した場合を考える。
切替位置からエンド位置まで、十分な最大のソレノイド力が得られるように、高電源電圧VH3の大きさが選択されている。しかし、レスト位置から切替位置までは、エンド位置側に比べ小さな反力で済むにもかかわらず、必要以上に高い電圧でソレノイドが駆動されることとなり、例えば消費電力抑制の観点で望ましくない。
第3の実施例のソレノイド駆動方法では、レスト位置から切替位置まで、必要な反力が得られる範囲で、低い低電源電圧VL3を印加することにより、例えば消費電力抑制が図られる。
さらに、反力制御の分解能の観点からも利点がある。一定の反力を表すデューティ比は、最大のソレノイド力が小さくなるほど、大きくなる。従って、最大のソレノイド力が小さくなるほど、デューティ比の差当たりの、反力の差が小さくなる。すなわち、最大のソレノイド力が小さくなるほど、デューティ比による反力の制御を、高い分解能で行なうことが容易となる。
第3の実施例のソレノイド駆動方法では、レスト位置から切替位置までにおいて、低い低電源電圧VL3を印加して最大のソレノイド力を抑えることにより、一定に高電源電圧VH3を印加する場合に比べ、反力制御の分解能向上が図られている。
なお、切替位置では最大のソレノイド力が階段状に変化するので、それに応じて、反力を表すデューティ比は、切替位置を挟んでレスト位置側とエンド位置側で階段状に変化するように、用意されている。これにより、切替位置を挟んでも連続的に(滑らかに)変化する出力が得られる。
d.第4の実施例
次に、第4の実施例による鍵盤楽器について説明する。第4の実施例の鍵盤楽器は、第3の実施例と同様に、鍵位置に応じて定められた反力のプロファイルに基づいて反力を付与するものである。鍵とソレノイドの配置関係は、第3の実施例と共通であり、図5に示される。
第3の実施例は、ソレノイド33の印加電圧を、押鍵方向の切替位置で切り替えることにより、最大のソレノイド力を変化させた。第4の実施例では、鍵位置に応じて定められた、最大のソレノイド力のプロファイルに基づいて、最大のソレノイド力を変化させる。プロファイルに従った最大のソレノイド力を、ソレノイド33に印加する実効電圧を制御することにより得る。ソレノイド駆動装置34が、このような駆動を行う。
図12は、第4の実施例のソレノイド駆動装置34の概略構成を示す等価回路図である。抵抗16、pnpトランジスタ17、ダイオード20、抵抗23、npnトランジスタ24の接続構成は、第3の実施例と同様である。なお、各素子の特性は、本実施例に合わせて適宜選択され、第3の実施例と同一とは限らない。
第3の実施例では、高電源電圧と低電源電圧とを切り替えて用いたが、第4の実施例では所望の高さの1つの電源電圧(高電源電圧)VH4を用いている。なお、高電源電圧とは、数百Vという意味ではなく、デューティ比制御を行なうに充分高い電圧のことであり、前実施例(例えば図2)の装置系全体が、例えば24Vで駆動されるとするならば、例えばその2倍程度の48V程度をいう。
以下、第4の実施例で1種類の電源電圧を用いることに伴う変更点について説明する。また、pnpトランジスタ17のベースに印加される制御信号T41、及びnpnトランジスタ24のベースに印加される制御信号T42について説明する。
演奏者の押鍵動作によって、押鍵が開始される。位置検出装置61が、鍵位置を検出して、鍵位置を表す鍵位置信号x4を出力する。位置検出装置61から出力された鍵位置信号x4が、PWM信号を生成するためのデューティ比を供給(出力)する第1のデューティ比供給(出力)回路62に入力される。
第1のデューティ比供給回路62は、最大のソレノイド力のプロファイルのテーブル62a及びデューティ比のテーブル62bを持つ。プロファイルのテーブル62aは、鍵位置x4に応じて発生すべき最大のソレノイド力を規定するプロファイル(例えば、後述する図14のC4)、具体的には鍵位置x4に応じて変化する(定められる)最大のソレノイド力を記録している。デューティ比のテーブル62bは、前記プロファイルのテーブル62aに基づいた最大のソレノイド力を発生するためのデューティ比、すなわち最大のソレノイド力に応じて変化するデューティ比を記録している。
そして、第1のデューティ比供給回路62は、位置検出装置61から鍵位置信号x4が入力されると、まず、プロファイルのテーブル62aを参照することにより、鍵位置信号x4に対応した最大のソレノイド力を決定する。次に、第1のデューティ比供給回路62は、デューティ比のテーブル62bを参照することにより、前記決定した最大のソレノイド力に対応したデューティ比を決定する。その結果、第1のデューティ比供給回路62は、鍵位置x4に従ったデューティ比を決定して、決定したデューティ比を第1のPWM信号発生回路(電圧切替信号生成回路)63に供給する。
第1のPWM信号発生回路(電圧切替信号生成回路)63は、第1のデューティ比供給回路62から供給されたデューティ比で、第1のPWM信号(電圧切替信号)T41を生成する。電圧切替信号T41が、pnpトランジスタ17のベースに印加される。
pnpトランジスタ17のエミッタ及びコレクタがそれぞれ、高電源電圧VH4及びソレノイド33の電源電圧側端子18に接続されている。ソレノイド33の電源電圧側端子18と接地電位との間に、キャパシタ66と抵抗67とが並列に接続されている。
第1のPWM信号T41のデューティ比で、pnpトランジスタ17のオンオフが繰り返される。オン状態で、ソレノイド33に高電源電圧VH4が印加され、そのタイミングでキャパシタ66に充電される。オフ状態で、オン時にキャパシタに充電された電荷がソレノイド33に流れ込む。これによって、第1のPWM信号T41のデューティ比に応じて、ソレノイド33の電源電圧側端子18に印加される実効電圧が制御される。このようにして、最大のソレノイド力が制御される。
位置検出装置61から出力された鍵位置信号x4が、また、PWM信号のデューティ比を供給する第2のデューティ比供給回路64に入力される。第2のデューティ比供給回路64は、上記第3の実施例のデューティ比供給回路53と同様に、反力プロファイルのテーブル64a及びデューティ比のテーブル64bを持つ。
そして、第2のデューティ比供給回路64は、上記第3の実施例のデューティ比供給回路53と同様に、位置検出装置61から鍵位置信号x4が入力されると、まず、反力プロファイルのテーブル64aを参照することにより、鍵位置信号x4に対応した反力(ソレノイド力)を決定する。次に、第2のデューティ比供給回路64は、デューティ比のテーブル64bを参照することにより、前記決定した反力に対応したデューティ比を決定する。その結果、第2のデューティ比供給回路64は、鍵位置x4に従ったデューティ比を決定して、決定したデューティ比を第2のPWM信号発生回路(通電切替信号生成回路)65に供給する。
第2のPWM信号発生回路(通電切替信号生成回路)65は、第2のデューティ比供給回路64から供給されたデューティ比で、第2のPWM信号(通電切替信号)T42を生成する。通電切替信号T42が、npnトランジスタ24のベースに印加される。
第3の実施例と同様に、npnトランジスタ24のベースに印加された第2のPWM信号T42のデューティ比に応じて、ソレノイド33に流れる平均電流が制御され、反力プロファイルに応じた反力が得られる。
次に、さらに図13も参照して、第4の実施例のソレノイドの駆動方法について説明する。
図13は、第4の実施例のソレノイドの駆動方法を概略的に示すタイミングチャートである。鍵位置x4、電圧切替信号T41、及び通電切替信号T42を示す。
時刻t40に、演奏者が押鍵を開始し、鍵位置x4がレスト位置からエンド位置に向けて動き出す。鍵位置x4が、時刻t41にエンド位置に達し、時刻t42までエンド位置で維持される。時刻t42に、離鍵動作が開始され、時刻t43に、鍵位置x4がエンド位置側からレスト位置まで戻る。
時刻t40から時刻t43まで、第1のPWM信号の電圧切替信号T41がpnpトランジスタ17のベースに印加され、各鍵位置x4に応じたデューティ比で、ソレノイド33に印加される実効電圧が制御される。
一方、時刻t40から時刻t43まで、第2のPWM信号の通電切替信号T42がnpnトランジスタ24のベースに印加され、各鍵位置x4に応じたデューティ比で、ソレノイド33に流れる平均電流が制御される。
図14は、第4の実施例の、押鍵時の鍵位置と、最大のソレノイド力及び反力の関係を概略的に示すグラフである。曲線CH4が、ソレノイド33の電源電圧側端子18に常に高電源電圧VH4を印加し、かつ一定電流を印加した場合の最大のソレノイド力を示す。実線で示すように、曲線C4が、第4の実施例の駆動方法の最大のソレノイド力を示す。曲線CF4が、押鍵に対して付与すべき反力のプロファイルの一例を示す。
この実施例では、最大のソレノイド力のプロファイルC4として、鍵位置によらず均一なものを想定している。一定の高電源電圧VH4で得られる最大のソレノイド力の範囲内で、実効電圧を制御することにより、均一な、最大のソレノイド力のプロファイルC4を得ている。そして、均一な最大のソレノイド力のプロファイルC4のもとで、平均電流を制御して、反力のプロファイルCF4を得る。
第3の実施例では、切替位置で最大のソレノイド力が階段状に変化したので、それに応じて、反力を表すデューティ比として、切替位置を挟んでレスト位置側とエンド位置側で階段状に変化するものを用意した。
第4の実施例では、最大のソレノイド力が均一に近づけられているので、反力制御のためのデューティ比を、切替位置で急激に変化させる必要がない。鍵位置に応じてデューティ比を滑らかに変化させられるので、第3の実施例に比べ、反力の制御が容易となる。
なお、最大のソレノイド力のプロファイルとして均一のもの(曲線CH4に比べ均一に近づけられているもの)を例としたが、デューティ比のテーブルを適当に用意することにより、任意形状の、最大のソレノイド力のプロファイルを得ることができる。
e.その他の変形例
なお、図15A及び15Bに示すように、プッシュ型とプル型のソレノイドを連ね、自動演奏と力覚付与の両方に対応したソレノイド装置を用いることもできる。
図1に示した自動演奏の実施例、及び、図5に反力付与の実施例と同様に、鍵1の支点2に対し後方の下方に、ソレノイド装置73が配置されている。
ソレノイド装置73は、上側のプッシュ型のソレノイド73Aと下側のプル型のソレノイド73Bとを含む。上側のソレノイド73Aは、プランジャ73a、コイル73b、及びヨーク73cを含む。下側のソレノイド73Bは、プランジャ73e、コイル73f、及びヨーク73gを含む。ソレノイド装置73は、さらに、上下のソレノイド73A、73Bに共通の連動棒73dと、ケース73hと、レスト位置復帰バネ73iとを含む。
図15Aが鍵1のレスト位置を示す。図15Bが鍵1のエンド位置を示す。第1の実施例で説明したのと同様に、プッシュ型のソレノイド73Aが自動演奏に用いられる。また、第2〜第4の実施例で説明したのと同様に、プル型のソレノイド73Bが反力付与に用いられる。
ケース73hは、コイル73b、73fとヨーク73c、73gを固定する。レスト位置復帰バネ73iが、連動棒73dとケース73hをつなぐ。レスト位置復帰バネ73iは、エンド位置側に動いた連動棒73dと、それに取り付けられたプランジャ73a、73eを、レスト位置に戻す力を与える。
ソレノイド駆動装置74が、第1の実施例の自動演奏用のソレノイド駆動、または(及び)第2の実施例等の反力付与のソレノイド駆動を行う。なお、自動演奏と反力付与とで、ソレノイド駆動回路が共通にできる部分は共通にしてもよい。
なお、プッシュ型のソレノイドで、演奏者の押鍵に対し押鍵方向の力を付与することにより、鍵が軽くなるような力覚を付与することも可能である。
なお、必要に応じて、演奏者の離鍵時に鍵に加える力や、自動演奏の押鍵時、離鍵時に鍵に加える力を、鍵位置に応じて、所望のプロファイルに従って変化させることも可能である。
なお、上記第3及び第4の実施例において、デューティ比供給回路53、64は、反力プロファイルのテーブル53a、64a及びデューティ比のテーブル53b、64bをそれぞれ有するとともに、ディーティ比供給回路62は、最大のソレノイド力のプロファイルのテーブル62a及びデューティ比のテーブル62bを有した。
しかし、デューティ比供給回路53、62、64は、反力プロファイルまたは最大ソレノイド力のプロファイルに従ったデューティ比を得るために、鍵位置x3、x4に応じて変化するデューティ比を記録したデューティ比テーブルのみを用いるようにしてもよい。この場合、デューティ比供給回路53、62、64は、入力した鍵位置信号x3、x4に応じてデューティ比を直接決定して、決定したデューティ比をPWM信号発生回路(通電切替信号生成回路または電圧切替信号生成回路)54、63、65に供給するようにする。
この場合も、デューティ比供給回路53、62、64内に、第3、第4実施例と同様な反力プロファイルまたは最大ソレノイド力のプロファイルに関するテーブル53a、62a、64aを設けるようにしてもよい。しかし、この場合には、このプロファイルに関するテーブルは、反力または最大ソレノイド力の変化特性の表示、確認、編集などのために利用されるとともに、デューティ比のテーブルを作成するために利用されるが、デューティ比の実際の制御には利用されない。
なお、以上の実施例はソレノイドを鍵盤楽器に適用したものであるが、実施例のソレノイド力の制御は、ゲーム機器や医療機器等、他の分野に応用することも可能であろう。
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
1 鍵
2 支点
3、33 ソレノイド
3a、33a プランジャ
3b、33b コイル
3c、33c ヨーク
3d、33d 連動棒
4、34 ソレノイド駆動装置
13、41、51、61 位置検出装置
x1、x2、x3、x4 鍵位置信号
15、42、52、63 電圧切替信号生成回路
T11、T21、T31、T41 電圧切替信号
17 pnpトランジスタ
VH1、VH2、VH3、VH4 高電源電圧
VL1、VL2、VL3 低電源電圧
43、54、65 通電切替信号生成回路
T12、T22、T32、T42 通電切替信号
24 npnトランジスタ
53、62、64 デューティ比供給回路
53a、64a 反力プロファイルのテーブル
62a 最大のソレノイド力のテーブル
53b、62b、64b デューティ比のテーブル

Claims (1)

  1. プランジャ、及び前記プランジャが挿入されるコイルを含むソレノイドと、
    前記ソレノイドに電圧を印加する駆動装置と、
    前記プランジャに連動し、前記ソレノイドによって発生される力を受ける鍵と
    を有し、
    前記駆動装置は、
    前記鍵の押離鍵方向の位置を検出する位置検出装置を含み、
    前記鍵が動いている間において、前記位置検出装置によって検出された鍵位置に応じて、前記ソレノイドへの印加電圧を変化させて、前記ソレノイドによって発生される力を変化させ
    前記ソレノイドは、演奏者による押鍵に対する反力を前記鍵に与え、
    前記駆動装置は、前記位置検出装置によって検出された鍵位置に応じて、前記鍵の押鍵途中の第1の鍵位置で、前記ソレノイドへの印加電圧を、第1の電圧から、前記第1の電圧よりも低い第2の電圧へ切り換えて、前記反力を減少させる
    鍵盤楽器。
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