JP5551671B2 - 光導波路 - Google Patents
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Description
はじめに、本発明の実施の形態1について図1を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態1における光導波路の構成を示す断面図である。この光導波路は、まず、基板101の上に形成された六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層としての第1窒化ホウ素層102を備える。基板101は、例えば、サファイア(Al2O3)から構成されていればよい。第1窒化ホウ素層102は、例えば、層厚1000nm程度に形成されていればよい。
次に、本発明の実施の形態2について、図5を用いて説明する。図5は、本発明の実施の形態2における光導波路の構成を示す断面図である。この光導波路は、まず、基板501の上に核形成層502を介し、AlxGa1-xN(0.1≦x≦1)からなるクラッド層としての第3半導体層503が形成されている。基板501は、例えば、サファイアから構成されていればよい。核形成層502は、GaNから構成され、層厚50nm程度とされていればよい。また、第3半導体層503は、例えば、Al0.1Ga0.9Nから構成され、層厚1450nm程度に形成されていればよい。
第1窒化ホウ素層504,第1半導体層505,コア層506,第2半導体層507,第2窒化ホウ素層508,および第4半導体層509をエッチング加工し、メサ形状とする。また、このエッチングは、第3半導体層503の途中まで行い、一部の第3半導体層503もメサ形状に加工する。この後、SiNxからなるパタンを除去する。
この光導波路は、まず、基板701の上に核形成層702を介し、AlxGa1-xN(0.1≦x≦1)からなる第5半導体層703が形成されている。基板701は、例えば、サファイアから構成されていればよい。核形成層702は、GaNから構成され、層厚50nm程度とされていればよい。第5半導体層703は、例えば、例えば、Al0.1Ga0.9Nから構成され、層厚600nm程度に形成されていればよい。
Claims (3)
- 基板の上に形成された六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層としての第1窒化ホウ素層と、
前記第1窒化ホウ素層に接して形成されたAlxGa1-xN(0.1≦x≦1)からなる第1半導体層と、
前記第1半導体層の上に形成されたAlyGa1-yN(0≦y≦1)からなるコア層と、
前記コア層の上に形成されたAlxGa1-xN(0.1≦x≦1)からなる第2半導体層と、
前記第2半導体層の上に接して形成された六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層としての第2窒化ホウ素層と
を少なくとも備え、x≧yであることを特徴とする光導波路。 - 請求項1記載の光導波路において、
前記第1窒化ホウ素層の下に接して前記基板の上に形成されたAlxGa1-xN(0.1≦x≦1)からなるクラッド層としての第3半導体層と、
前記第2窒化ホウ素層の上に接して形成されたAlxGa1-xN(0.1≦x≦1)からなるクラッド層としての第4半導体層と
を備えることを特徴とする光導波路。 - 請求項2記載の光導波路において、
第3半導体層の下に接して前記基板の上に形成された六方晶系の窒化ホウ素からなる第3窒化ホウ素層と、
前記第3窒化ホウ素層の下に接して前記基板の上に形成されたAlxGa1-xN(0.1≦x≦1)からなる第5半導体層と、
前記第4半導体層の上に接して形成された六方晶系の窒化ホウ素からなる第4窒化ホウ素層と、
前記第4窒化ホウ素層の上に接して形成されたAlxGa1-xN(0.1≦x≦1)からなる第6半導体層と
を少なくとも備えることを特徴とする光導波路。
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