JP5544444B1 - Resin base material, printed wiring board, printed circuit board, copper-clad laminate, and printed wiring board manufacturing method - Google Patents

Resin base material, printed wiring board, printed circuit board, copper-clad laminate, and printed wiring board manufacturing method Download PDF

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Abstract

【課題】微細配線形成性を維持し、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現する表面のプロファイル形状を備える樹脂基材を提供する。
【解決手段】表面の面粗さSzが1〜5μmである樹脂基材。
【選択図】図3
The present invention provides a resin base material having a surface profile shape that maintains fine wiring formability and realizes good adhesion of an electroless copper plating film.
A resin base material having a surface roughness Sz of 1 to 5 μm.
[Selection] Figure 3

Description

本発明は、樹脂基材、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法に関する。   The present invention relates to a resin substrate, a printed wiring board, a printed circuit board, a copper-clad laminate, and a method for manufacturing a printed wiring board.

半導体パッケージ基板及びプリント配線基板の回路形成工法はサブトラクティブ工法が主流である。しかしながら、近年、半導体の高集積化に伴い、それに使用される半導体パッケージ基板、プリント配線基板の回路の微細化が進展し、サブトラクティブ工法での微細回路形成が困難となりつつある。   The circuit forming method for the semiconductor package substrate and the printed wiring board is mainly a subtractive method. However, in recent years, with higher integration of semiconductors, miniaturization of circuits of semiconductor package substrates and printed wiring boards used therein has progressed, and it has become difficult to form microcircuits by a subtractive method.

更なる微細配線化への対応として、極薄銅箔を給電層としてパターン銅めっきを施し、最後に極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去し配線形成する回路形成工法(1)、プリプレグやビルドアップフィルムを真空プレス等で硬化させ、その表面を粗面化し、基材面に適切な凹凸を形成させることで、信頼性のある微細配線を形成する回路形成工法(2)、銅箔表面プロファイルを基材表面に転写させ、基材表面に適切な凹凸を形成させることで、信頼性のある微細配線を形成する回路形成工法(3)が注目されている。これらの工法は一般的にSAP工法(セミアディティブ工法)と呼ばれる。   As a countermeasure for further miniaturization, circuit formation method (1), prepreg and build-up is performed by pattern copper plating using ultra-thin copper foil as a power feeding layer and finally removing the ultra-thin copper layer by flash etching. Circuit formation method (2), copper foil surface profile that forms reliable fine wiring by curing the film with a vacuum press etc., roughening the surface and forming appropriate irregularities on the substrate surface A circuit forming method (3) that forms a reliable fine wiring by transferring to a substrate surface and forming appropriate irregularities on the substrate surface has attracted attention. These methods are generally called the SAP method (semi-additive method).

銅箔表面のプロファイルを用いたSAP工法は、例えば特許文献1に記載されている。このような銅箔表面のプロファイルを用いた典型的なSAP工法の例としては、次が挙げられる。すなわち、樹脂に積層した銅箔を全面エッチングし、エッチング基材面を穴開けし、穴開け部及び基材の全面或いは一部にデスミア処理を施し、穴開け部のエッチング面にドライフィルムを貼付し、回路を形成しない部分のドライフィルムを露光・現像し、ドライフィルム不要部を薬液で除去し、ドライフィルムの被覆されていない銅箔表面プロファイルが転写したエッチング基材面に無電解銅めっき、電気銅めっきを施し、最終的に無電解銅めっき層をフラッシュエッチングにより除去して微細配線を形成するというものである。   The SAP method using the profile of the copper foil surface is described in Patent Document 1, for example. The following is mentioned as an example of the typical SAP method using the profile of such copper foil surface. That is, the entire surface of the copper foil laminated on the resin is etched, the etched substrate surface is perforated, the desmear treatment is applied to the entire surface or part of the perforated portion and the substrate, and the dry film is applied to the etched surface of the perforated portion. Then, the portion of the dry film that does not form a circuit is exposed and developed, the unnecessary portion of the dry film is removed with a chemical solution, and the electroless copper plating is applied to the etching substrate surface to which the copper foil surface profile not covered with the dry film is transferred. Electro copper plating is performed, and finally the electroless copper plating layer is removed by flash etching to form fine wiring.

特開2006−196863号公報JP 2006-196863 A

微細配線形成のためには、基材表面のプロファイルが小さく平滑な方が好ましいが、この場合、無電解銅めっき皮膜の密着力が弱くなり、半導体パッケージ基板或いはプリント配線板に求められる信頼性を損なう恐れがある。一方で、無電解銅めっき皮膜の密着力を確保するためには、基材表面のプロファイルが大きい方が好ましいが、この場合、微細配線形成性が損なわれる恐れがある。   For fine wiring formation, it is preferable that the profile of the substrate surface is small and smooth, but in this case, the adhesion of the electroless copper plating film is weakened, and the reliability required for the semiconductor package substrate or printed wiring board is reduced. There is a risk of damage. On the other hand, in order to ensure the adhesion of the electroless copper plating film, it is preferable that the profile of the base material surface is large. However, in this case, the fine wiring formability may be impaired.

これらの点に関して、従来技術では十分な検討がなされておらず、未だ改善の余地が残されている。そこで、本発明は、微細配線形成性を維持し、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現する表面のプロファイル形状を備える樹脂基材を提供することを課題とする。   With respect to these points, the prior art has not been sufficiently studied, and there is still room for improvement. Then, this invention makes it a subject to provide the resin base material provided with the profile shape of the surface which maintains the fine wiring formation property and implement | achieves the favorable adhesive force of an electroless copper plating film.

上記目的を達成するため、本発明者らは鋭意研究を重ねたところ、表面の面粗さSzが所定範囲に制御された樹脂基材を用いることで、樹脂基材表面に回路を形成する際の、微細配線形成性を維持し、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現することができることを見出した。   In order to achieve the above-mentioned object, the present inventors have conducted intensive research and have found that when a circuit is formed on the surface of a resin substrate by using a resin substrate whose surface roughness Sz is controlled within a predetermined range. It has been found that the fine wiring formability can be maintained and the good adhesion of the electroless copper plating film can be realized.

本発明は上記知見を基礎として完成したものであり、一側面において、表面の面粗さISO25178に準拠したSzが1〜5μmである樹脂基材である。
The present invention has been completed on the basis of the above knowledge. In one aspect, the present invention is a resin base material having Sz of 1 to 5 μm based on surface roughness ISO25178 .

本発明は別の一側面において、表面の三次元表面積Bと二次元表面積Aとの比B/Aが1.01〜1.5である樹脂基材である。   In another aspect of the present invention, the resin base material has a ratio B / A of the surface three-dimensional surface area B to the two-dimensional surface area A of 1.01 to 1.5.

本発明は更に別の一側面において、本発明の樹脂基材を用いて製造したプリント配線板である。   In still another aspect, the present invention is a printed wiring board manufactured using the resin base material of the present invention.

本発明は更に別の一側面において、本発明の樹脂基材を用いて製造したプリント回路板である。   In still another aspect, the present invention is a printed circuit board manufactured using the resin base material of the present invention.

本発明は更に別の一側面において、本発明の樹脂基材を用いて製造した銅張積層板である。   In still another aspect, the present invention is a copper clad laminate produced using the resin base material of the present invention.

本発明は更に別の一側面において、表面処理銅箔と樹脂基材とを準備する工程、前記表面処理銅箔を、表面処理層側から樹脂基材に積層する工程、前記樹脂基材上の表面処理銅箔を除去して本発明の樹脂基材を得る工程、前記表面処理銅箔を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。   In yet another aspect of the present invention, the step of preparing a surface-treated copper foil and a resin base material, the step of laminating the surface-treated copper foil on the resin base material from the surface-treated layer side, on the resin base material It is a manufacturing method of a printed wiring board including the process of removing the surface treatment copper foil, and obtaining the resin base material of the present invention, and the process of forming a circuit on the surface of the resin base material from which the surface treatment copper foil was removed.

本発明は更に別の一側面において、キャリア、中間層、極薄銅層がこの順で積層されて構成されたキャリア付銅箔と、樹脂基材とを準備する工程、前記キャリア付銅箔を極薄銅層側から樹脂基材に積層する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がした後の樹脂基材上の極薄銅層を除去して本発明の樹脂基材を得る工程、前記極薄銅層を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。   In yet another aspect of the present invention, the carrier, intermediate layer, and ultrathin copper layer are laminated in this order to prepare a carrier-attached copper foil and a resin base material, The step of laminating the resin base material from the ultrathin copper layer side, the step of peeling the carrier of the copper foil with carrier and the resin base material after peeling the carrier after laminating the copper foil with carrier and the resin base material It is the manufacturing method of a printed wiring board including the process of removing the upper ultra-thin copper layer and obtaining the resin base material of this invention, and the process of forming a circuit on the surface of the resin base material from which the ultra-thin copper layer was removed.

本発明によれば、微細配線形成性を維持し、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現する表面のプロファイル形状を備える樹脂基材を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the resin base material provided with the profile shape of the surface which maintains the fine wiring formation property and implement | achieves the favorable adhesive force of an electroless copper plating film | membrane can be provided.

銅箔のプロファイルを使用したセミアディティブ工法の概略例を示す。A schematic example of a semi-additive construction method using a copper foil profile is shown. 実施例及び比較例のデータを得るためのサンプル作製フローを示す。The sample preparation flow for obtaining the data of an Example and a comparative example is shown. (a)、(b)、(c)、(d)、(e)に、それぞれ実施例1、2、3、5、6の樹脂基材面SEM像を示す。Resin base material surface SEM images of Examples 1, 2, 3, 5, and 6 are shown in (a), (b), (c), (d), and (e), respectively. (f)、(g)に、それぞれ比較例1、2の樹脂基材面SEM像を示す。(F), (g) shows the resin base material surface SEM images of Comparative Examples 1 and 2, respectively.

〔樹脂基材〕
本発明に係る樹脂基材は、後述の表面形態が形成可能なものであれば特に限定されないが、例えば、三菱ガス化学社製プリプレグ(GHPL−830MBT等)、日立化成工業社製プリプレグ(679−FG等)、住友ベークライト社製プリプレグ(EI−6785TS−F等)で形成することができる。本発明においては、三菱ガス化学社製プリプレグGHPL−830MBTを準備した。積層プレスの温度、圧力、時間は、基材メーカーの推奨条件を用いた。
[Resin substrate]
The resin base material according to the present invention is not particularly limited as long as the surface form described below can be formed. FG, etc.) and a prepreg (EI-6785TS-F, etc.) manufactured by Sumitomo Bakelite. In the present invention, a prepreg GHPL-830MBT manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company was prepared. The substrate press manufacturer's recommended conditions were used for the temperature, pressure, and time of the lamination press.

本発明に係る樹脂基材の厚さとしては特に限定されないが、例えば、750〜850μm、100〜200μm、30〜100μmとすることができ、典型的には30〜200μm(両面板の場合)である。   Although it does not specifically limit as thickness of the resin base material which concerns on this invention, For example, it can be set as 750-850 micrometers, 100-200 micrometers, 30-100 micrometers, and is typically 30-200 micrometers (in the case of a double-sided board). is there.

〔面粗さSz〕
SAP工法において、従来、回路を形成する基材表面のプロファイル形状を定量化する方法として、接触式粗さ計を用いた粗度測定が一般的であった。これに対し、本発明では、レーザー粗さ測定計で測定される面粗さSzが適性範囲に規定された基材表面のプロファイル形状が、より良好に微細配線形成性を維持し、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現することを見出した。このような観点から、本発明に係る樹脂基材は、1〜5μmに制御されている。樹脂基材表面の面粗さSzが1μm未満であると、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力の実現が困難となる。また、樹脂基材表面の面粗さSzが5μm超であると、樹脂基材表面の微細配線形成性が劣化する。樹脂基材表面の面粗さSzは好ましくは1〜4μm、より好ましくは1.5〜3.5μm、更により好ましくは2〜3μmである。
[Surface roughness Sz]
In the SAP method, conventionally, as a method for quantifying the profile shape of the surface of a substrate forming a circuit, roughness measurement using a contact-type roughness meter has been common. On the other hand, in the present invention, the profile shape of the substrate surface in which the surface roughness Sz measured by the laser roughness meter is defined within the appropriate range maintains the fine wiring formability more satisfactorily. It has been found that good adhesion of the electrolytic copper plating film can be realized. From such a viewpoint, the resin base material according to the present invention is controlled to 1 to 5 μm. When the surface roughness Sz of the resin base material surface is less than 1 μm, it is difficult to achieve good adhesion of the electroless copper plating film. Further, when the surface roughness Sz on the surface of the resin substrate is more than 5 μm, the fine wiring formability on the surface of the resin substrate is deteriorated. The surface roughness Sz of the resin substrate surface is preferably 1 to 4 μm, more preferably 1.5 to 3.5 μm, and still more preferably 2 to 3 μm.

〔面積比B/A〕
三次元表面積と二次元表面積との比を所定の範囲で有する樹脂基材の表面のプロファイル形状は、微細配線形成性が良好で、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現する。このような観点から、本発明に係る樹脂基材表面の三次元表面積Bと二次元表面積Aとの比B/Aは、1.01〜1.5に制御されているのが好ましい。樹脂基材表面の三次元表面積Bと二次元表面積Aとの比B/Aが1.01未満であると、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力の実現が困難となる。また、樹脂基材表面の三次元表面積Bと二次元表面積Aとの比B/Aが1.5超であると、樹脂基材表面の微細配線形成性が劣化する。本発明に係る樹脂基材表面の三次元表面積Bと二次元表面積Aとの比B/Aは好ましくは1.03〜1.4、より好ましくは1.05〜1.35、更により好ましくは1.1〜1.3である。
[Area ratio B / A]
The profile shape of the surface of the resin base material having the ratio of the three-dimensional surface area to the two-dimensional surface area within a predetermined range provides good fine wiring formability and good adhesion of the electroless copper plating film. From such a viewpoint, it is preferable that the ratio B / A between the three-dimensional surface area B and the two-dimensional surface area A on the surface of the resin substrate according to the present invention is controlled to 1.01 to 1.5. When the ratio B / A between the three-dimensional surface area B and the two-dimensional surface area A on the surface of the resin substrate is less than 1.01, it is difficult to achieve good adhesion of the electroless copper plating film. Further, when the ratio B / A of the three-dimensional surface area B and the two-dimensional surface area A on the resin base material surface is more than 1.5, the fine wiring formability on the resin base material surface is deteriorated. The ratio B / A between the three-dimensional surface area B and the two-dimensional surface area A of the resin substrate surface according to the present invention is preferably 1.03 to 1.4, more preferably 1.05 to 1.35, and still more preferably. 1.1 to 1.3.

〔黒色面積率及び穴の直径平均値〕
樹脂基材表面の凹凸の程度をSEM観察写真から得られる黒色面積率で示したとき、当該黒色面積率を所定の範囲で有する樹脂基材の表面のプロファイル形状は、微細配線形成性が良好で、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現する。このような観点から、本発明に係る樹脂基材表面の黒色面積率は10〜50%となるように制御されているのが好ましい。ここで、黒色面積率として、基材表面のSEM像(30k倍)について、Photo Shop 7.0ソフトウェアを使用し、白色・黒色画像処理を施し、当該黒色領域の面積率(%)を求めた。黒色面積率(%)は、Photo Shop 7.0にある「イメージ」の「ヒストグラム」を選定し、閾値128における比率とした。なお、黒色領域は測定表面が凹状、白色部は測定表面が凸状になっていることを示す。基材表面の当該黒色面積率が10%未満であると、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力の実現が困難となる。基材表面の当該黒色面積率が50%超であると、微細配線形成性が劣化する。
[Black area ratio and average hole diameter]
When the degree of unevenness on the surface of the resin base material is indicated by the black area ratio obtained from the SEM observation photograph, the profile shape of the surface of the resin base material having the black area ratio in a predetermined range has good fine wiring formability. In addition, good adhesion of the electroless copper plating film is realized. From such a viewpoint, it is preferable that the black area ratio on the surface of the resin substrate according to the present invention is controlled to be 10 to 50%. Here, as the black area ratio, the SEM image (30 k times) of the substrate surface was subjected to white / black image processing using Photoshop 7.0 software, and the area ratio (%) of the black area was obtained. For the black area ratio (%), a “histogram” of “image” in Photoshop 7.0 was selected, and the ratio at the threshold value 128 was used. The black region indicates that the measurement surface is concave, and the white portion indicates that the measurement surface is convex. If the black area ratio on the surface of the substrate is less than 10%, it is difficult to achieve good adhesion of the electroless copper plating film. If the black area ratio on the surface of the substrate is more than 50%, the fine wiring formability deteriorates.

黒色面積比率と同時に、表面の穴の直径平均値を所定の範囲で有する樹脂基材の表面のプロファイル形状は、微細配線形成性が良好で、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現するための必要条件である。その理由は、黒色面積比率だけではプロファイルのサイズとその平面上の適切な分布を満足しないためである。このような観点から、本発明に係る樹脂基材表面の穴の直径平均値が0.03〜1.0μmとなるように制御されているのが好ましい。樹脂基材表面の当該穴の直径平均値が0.03μm未満であると、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力の実現が困難となる。樹脂基材表面の当該穴の直径平均値が1.0μm超であると、微細配線形成性が劣化する。   At the same time as the black area ratio, the profile shape of the surface of the resin base material having a diameter average value of holes on the surface within a predetermined range has good fine wiring formability and good adhesion of the electroless copper plating film It is a necessary condition to realize. The reason is that the black area ratio alone does not satisfy the profile size and the appropriate distribution on the plane. From such a viewpoint, it is preferable that the average diameter value of the holes on the surface of the resin substrate according to the present invention is controlled to be 0.03 to 1.0 μm. If the average diameter of the holes on the surface of the resin substrate is less than 0.03 μm, it is difficult to achieve good adhesion of the electroless copper plating film. If the average diameter value of the holes on the surface of the resin substrate is more than 1.0 μm, the fine wiring formability deteriorates.

このように、本発明に係る樹脂基材は、基材表面の当該黒色面積比率が10〜50%であり且つ当該穴の直径平均値が0.03〜1.0μmであるのが好ましく、黒色面積比率が15〜45%であり且つ穴の直径平均値が0.1〜0.8μmであるのがより好ましく、黒色面積比率が20〜40%であり且つ穴の直径平均値が0.15〜0.7μmであるのが更により好ましい。   Thus, the resin base material according to the present invention preferably has a black surface area ratio of 10 to 50% on the base material surface and a diameter average value of the holes of 0.03 to 1.0 μm. More preferably, the area ratio is 15 to 45% and the average diameter of the holes is 0.1 to 0.8 μm, the black area ratio is 20 to 40% and the average diameter of the holes is 0.15. Even more preferably, it is -0.7 μm.

〔樹脂基材の表面プロファイルの形成方法〕
本発明に係る樹脂基材の表面のプロファイル形状は、樹脂基材に表面処理銅箔を積層した後、当該表面処理銅箔を全面エッチング等で除去することで形成することができる。また、本発明に係る樹脂基材の表面のプロファイル形状は、樹脂基材表面を所定の薬液によって処理することで形成することができる。
[Method for forming surface profile of resin substrate]
The profile shape of the surface of the resin base material according to the present invention can be formed by laminating the surface-treated copper foil on the resin base material and then removing the surface-treated copper foil by etching or the like on the entire surface. Moreover, the profile shape of the surface of the resin base material which concerns on this invention can be formed by processing the resin base material surface by a predetermined chemical | medical solution.

表面処理銅箔を用いた本発明に係る樹脂基材の表面プロファイルの形成方法としては、まず、表面処理層表面の面粗さSzが2〜6μmに制御されている表面処理銅箔を準備する。次に、当該表面処理銅箔の表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせて、表面処理銅箔を全面エッチング等により除去する。これにより、表面処理銅箔除去後の樹脂基材表面の面粗さSzが1〜5μmとなる。
また、表面処理銅箔として、表面処理層表面の三次元表面積Bと二次元表面積Aとの比B/Aが1.05〜1.8に制御されたものを用いて、同様に樹脂基材に貼り合わせて、全面エッチング等により当該表面処理銅箔を除去すると、表面処理銅箔除去後の樹脂基材表面の三次元表面積Bと二次元表面積Aとの比B/Aが1.01〜1.5となる。
また、同様に、表面処理銅箔として、レーザー粗さ計での面粗さSzが2〜6μmで、三次元表面積Bと二次元表面積Aとの比B/Aが1.05〜1.8で制御されたものを用いて、同様に樹脂基材に貼り合わせて、全面エッチング等により当該表面処理銅箔を除去すると、樹脂基材表面の黒色面積率を10〜50%、樹脂基材表面の穴の直径平均値を0.03〜1.0μmにそれぞれ制御することができる。
粗化粒子形成時などの表面処理時に表面処理の電流密度と表面処理終了後のメッキ液中の浸漬時間とを制御することで、表面処理後の銅箔の表面状態や粗化粒子の形態や形成密度が決まり、これにより上記表面処理銅箔の面粗さSz、面積比B/A、黒色面積率、及び、穴の直径平均値を制御することができる。
具体的には、粗化粒子形成時などの表面処理時に、表面処理の電流密度を高く制御して表面処理を行い、続いて表面処理の電流密度を低く制御して表面処理を行うことで、表面処理後の銅箔の表面状態や粗化粒子の形態や形成密度が決まり、上記面粗さSz、面積比B/A、黒色面積率、及び、穴の直径平均値を制御することができる。また、表面処理の電流密度を高く制御して表面処理を行い、続いて表面処理の電流密度を低く制御して表面処理を行うことを繰り返し行うことも有効である。
ここで、粗化粒子形成時などの表面処理時に表面処理の電流密度を高くすると、析出する金属粒子が、銅箔の表面に対して垂直方向に成長しやすい傾向にある。また、粗化粒子形成時などの表面処理時に表面処理の電流密度を低くすると、銅箔表面が平滑(凹凸が少なくなる)になりやすい傾向にある。
そのため、表面処理の電流密度を高く制御して表面処理を行い、続いて表面処理の電流密度を低く制御して表面処理を行うことは、金属粒子を銅箔表面と垂直方向に成長させた後に、前記金属粒子と銅箔表面の凹凸を埋めて平滑にするという表面状態の制御することであると考えられる。
また、銅箔の表面処理層がめっき液に溶けやすい場合、表面処理銅箔の表面形態に及ぼす、表面処理終了後のめっき液中の浸漬時間の影響がより大きくなる傾向がある。
As a method for forming a surface profile of a resin substrate according to the present invention using a surface-treated copper foil, first, a surface-treated copper foil in which the surface roughness Sz of the surface-treated layer surface is controlled to 2 to 6 μm is prepared. . Next, it bonds together to the resin base material from the surface treatment layer side of the said surface treatment copper foil, and removes surface treatment copper foil by whole surface etching etc. Thereby, the surface roughness Sz of the resin base material surface after surface treatment copper foil removal will be 1-5 micrometers.
In addition, as the surface-treated copper foil, a resin base material is similarly used by using a surface-treated layer whose surface ratio B / A of the three-dimensional surface area B and the two-dimensional surface area A is controlled to 1.05 to 1.8. When the surface-treated copper foil is removed by overall etching or the like, the ratio B / A of the three-dimensional surface area B and the two-dimensional surface area A of the resin base material surface after the surface-treated copper foil is removed is 1.01. 1.5.
Similarly, as the surface-treated copper foil, the surface roughness Sz with a laser roughness meter is 2 to 6 μm, and the ratio B / A of the three-dimensional surface area B to the two-dimensional surface area A is 1.05 to 1.8. In the same manner, when the surface-treated copper foil is removed by overall etching or the like, the black area ratio of the resin substrate surface is 10 to 50%, the resin substrate surface The average diameter of the holes can be controlled to 0.03 to 1.0 μm.
By controlling the current density of the surface treatment and the immersion time in the plating solution after completion of the surface treatment during the surface treatment such as the formation of the roughened particles, the surface state of the copper foil after the surface treatment, the form of the roughened particles, The formation density is determined, whereby the surface roughness Sz, the area ratio B / A, the black area ratio, and the average diameter of the holes of the surface-treated copper foil can be controlled.
Specifically, at the time of surface treatment such as when roughening particles are formed, the surface treatment is performed by controlling the current density of the surface treatment high, and then the surface treatment is performed by controlling the current density of the surface treatment low, The surface state of the copper foil after the surface treatment, the form and formation density of the roughened particles are determined, and the surface roughness Sz, the area ratio B / A, the black area ratio, and the average diameter of the holes can be controlled. . It is also effective to repeatedly perform the surface treatment by controlling the current density of the surface treatment high, and then performing the surface treatment by controlling the current density of the surface treatment low.
Here, when the current density of the surface treatment is increased during the surface treatment such as during the formation of roughened particles, the deposited metal particles tend to grow in a direction perpendicular to the surface of the copper foil. Moreover, when the current density of the surface treatment is lowered during the surface treatment such as the formation of roughened particles, the copper foil surface tends to be smooth (unevenness is reduced).
Therefore, the surface treatment is performed by controlling the current density of the surface treatment high, and then the surface treatment is performed by controlling the current density of the surface treatment low, after the metal particles are grown in the direction perpendicular to the copper foil surface. It is considered that the surface state is controlled by filling the metal particles and the copper foil surface with unevenness and smoothing the surface.
Moreover, when the surface treatment layer of copper foil is easy to melt | dissolve in a plating solution, there exists a tendency for the influence of the immersion time in the plating solution after completion | finish of a surface treatment which acts on the surface form of a surface treatment copper foil to become larger.

薬液を用いた処理による本発明に係る樹脂基材の表面プロファイル(上記面粗さSz、面積比B/A、黒色面積率、穴の直径平均値)の形成方法としては、樹脂基材に以下の浸漬処理条件A又はBにてデスミア処理を行い、その後中和処理を行うことで形成することができる。   As a method for forming the surface profile of the resin substrate according to the present invention by treatment with a chemical solution (the surface roughness Sz, area ratio B / A, black area ratio, hole diameter average value), It can form by performing a desmear process on the immersion process conditions A or B of No. 1, and performing a neutralization process after that.

(デスミア処理条件A)
・デスミア処理液:40g/L KMnO4、20g/L NaOH
・処理温度:室温
・浸漬時間:20分
・攪拌子回転数:300rpm
(デスミア処理条件B)
・デスミア処理液:90g/L KMnO4、5g/L HCl
・処理温度:49℃
・浸漬時間:20分
・攪拌子回転数:300rpm
(中和処理条件)
・中和処理液:L−アスコルビン酸 80g/L
・処理温度:室温
・浸漬時間:3分
・攪拌なし
(Desmear processing condition A)
Desmear treatment liquid: 40 g / L KMnO 4 , 20 g / L NaOH
・ Processing temperature: Room temperature ・ Immersion time: 20 minutes ・ Rotating speed of stirring bar: 300 rpm
(Desmear processing condition B)
Desmear treatment solution: 90 g / L KMnO 4 , 5 g / L HCl
・ Processing temperature: 49 ℃
・ Immersion time: 20 minutes ・ Stirrer rotation speed: 300 rpm
(Neutralization conditions)
・ Neutralization treatment liquid: L-ascorbic acid 80 g / L
・ Processing temperature: Room temperature ・ Immersion time: 3 minutes ・ No stirring

また、上記浸漬処理の他に、以下の処理条件にて樹脂基材表面にシャワー処理A、B及び中和処理を行うことでも、同様に樹脂基材の表面プロファイル(上記面粗さSz、面積比B/A、黒色面積率、穴の直径平均値)の形成を行うことができる。
(シャワー処理条件A)
・デスミア処理液:40g/L KMnO4、20g/L NaOH
・処理温度:室温
・処理時間:20分
・シャワー圧力:0.2MPa
(シャワー処理条件B)
・デスミア処理液:90g/L KMnO4、5g/L HCl
・処理温度:49℃
・処理時間:20分
・シャワー圧力:0.2MPa
(中和処理条件)
・中和処理液:L−アスコルビン酸 80g/L
・処理温度:室温
・浸漬時間:3分
・攪拌なし
In addition to the immersion treatment, the surface profile of the resin substrate (the surface roughness Sz, the area is the same) by performing shower treatments A and B and neutralization treatment on the resin substrate surface under the following treatment conditions. (B / A ratio, black area ratio, hole diameter average value) can be formed.
(Shower treatment condition A)
Desmear treatment liquid: 40 g / L KMnO 4 , 20 g / L NaOH
・ Processing temperature: Room temperature ・ Processing time: 20 minutes ・ Shower pressure: 0.2 MPa
(Shower treatment condition B)
Desmear treatment solution: 90 g / L KMnO 4 , 5 g / L HCl
・ Processing temperature: 49 ℃
・ Processing time: 20 minutes ・ Shower pressure: 0.2 MPa
(Neutralization conditions)
・ Neutralization treatment liquid: L-ascorbic acid 80 g / L
・ Processing temperature: Room temperature ・ Immersion time: 3 minutes ・ No stirring

〔表面処理銅箔〕
上記樹脂基材の表面プロファイルを形成するための表面処理銅箔において使用する銅箔は、電解銅箔或いは圧延銅箔いずれでもよい。当該銅箔の厚みは特に限定する必要は無いが、例えば1μm以上、2μm以上、3μm以上、5μm以上であり、例えば3000μm以下、1500μm以下、800μm以下、300μm以下、150μm以下、100μm以下、70μm以下、50μm以下、40μm以下である。
[Surface treated copper foil]
The copper foil used in the surface-treated copper foil for forming the surface profile of the resin substrate may be either an electrolytic copper foil or a rolled copper foil. The thickness of the copper foil is not particularly limited, but is, for example, 1 μm or more, 2 μm or more, 3 μm or more, 5 μm or more, for example, 3000 μm or less, 1500 μm or less, 800 μm or less, 300 μm or less, 150 μm or less, 100 μm or less, 70 μm or less. , 50 μm or less and 40 μm or less.

本発明で使用する圧延銅箔にはAg、Sn、In、Ti、Zn、Zr、Fe、P、Ni、Si、Te、Cr、Nb、V、B、Co等の元素を一種以上含む銅合金箔も含まれる。上記元素の濃度が高くなる(例えば合計で10質量%以上)と、導電率が低下する場合がある。圧延銅箔の導電率は、好ましくは50%IACS以上、より好ましくは60%IACS以上、更に好ましくは80%IACS以上である。また、圧延銅箔にはタフピッチ銅(JIS H3100 C1100)や無酸素銅(JIS H3100 C1020)を用いて製造した銅箔も含まれる。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。   The rolled copper foil used in the present invention contains a copper alloy containing one or more elements such as Ag, Sn, In, Ti, Zn, Zr, Fe, P, Ni, Si, Te, Cr, Nb, V, B, and Co. Foil is also included. When the concentration of the above elements increases (for example, 10% by mass or more in total), the conductivity may decrease. The conductivity of the rolled copper foil is preferably 50% IACS or more, more preferably 60% IACS or more, and still more preferably 80% IACS or more. The rolled copper foil includes copper foil produced using tough pitch copper (JIS H3100 C1100) or oxygen-free copper (JIS H3100 C1020). In addition, when the term “copper foil” is used alone in this specification, a copper alloy foil is also included.

また、本発明に用いることができる電解銅箔については、以下の電解液組成および製造条件で作製することができる。
・一般電解生箔:
<電解液組成>
銅:80〜120g/L
硫酸:80〜120g/L
塩素:30〜100ppm
レベリング剤(ニカワ):0.1〜10ppm
・両面フラット電解生箔、キャリア付極薄銅箔のキャリア銅箔:
<電解液組成>
銅:80〜120g/L
硫酸:80〜120g/L
塩素:30〜100ppm
レベリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm
レベリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
Moreover, about the electrolytic copper foil which can be used for this invention, it can produce with the following electrolyte solution composition and manufacturing conditions.
・ General electrolytic raw foil:
<Electrolyte composition>
Copper: 80-120 g / L
Sulfuric acid: 80-120 g / L
Chlorine: 30-100ppm
Leveling agent (Nika): 0.1-10ppm
・ Double-sided flat electrolytic foil, carrier copper foil of ultra-thin copper foil with carrier:
<Electrolyte composition>
Copper: 80-120 g / L
Sulfuric acid: 80-120 g / L
Chlorine: 30-100ppm
Leveling agent 1 (bis (3sulfopropyl) disulfide): 10 to 30 ppm
Leveling agent 2 (amine compound): 10 to 30 ppm
As the amine compound, an amine compound having the following chemical formula can be used.

(上記化学式中、R1及びR2はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。) (In the above chemical formula, R 1 and R 2 are selected from the group consisting of a hydroxyalkyl group, an ether group, an aryl group, an aromatic substituted alkyl group, an unsaturated hydrocarbon group, and an alkyl group.)

<製造条件>
電流密度:70〜100A/dm2
電解液温度:50〜65℃
電解液線速:1.5〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間(析出させる銅厚、電流密度により調整)
<Production conditions>
Current density: 70 to 100 A / dm 2
Electrolyte temperature: 50-65 ° C
Electrolyte linear velocity: 1.5-5 m / sec
Electrolysis time: 0.5 to 10 minutes (adjusted according to the thickness of copper to be deposited and current density)

粗化処理として銅−コバルト−ニッケル合金めっき、銅−ニッケル−リン合金めっき、銅−ニッケル−タングステン合金めっき、銅−コバルト−タングステン合金めっきなどの合金めっき、より好ましくは銅合金めっきを用いることができる。粗化処理としての銅−コバルト−ニッケル合金めっきは、電解めっきにより、付着量が15〜40mg/dm2の銅−100〜3000μg/dm2のコバルト−100〜1500μg/dm2のニッケルであるような3元系合金層を形成するように実施することができる。Co付着量が100μg/dm2未満では、耐熱性が悪化し、エッチング性が悪くなることがある。Co付着量が3000μg/dm2 を超えると、磁性の影響を考慮せねばならない場合には好ましくなく、エッチングシミが生じ、また、耐酸性及び耐薬品性の悪化がすることがある。Ni付着量が100μg/dm2未満であると、耐熱性が悪くなることがある。他方、Ni付着量が1500μg/dm2を超えると、エッチング残が多くなることがある。好ましいCo付着量は1000〜2500μg/dm2であり、好ましいニッケル付着量は500〜1200μg/dm2である。ここで、エッチングシミとは、塩化銅でエッチングした場合、Coが溶解せずに残ってしまうことを意味しそしてエッチング残とは塩化アンモニウムでアルカリエッチングした場合、Niが溶解せずに残ってしまうことを意味するものである。 As the roughening treatment, alloy plating such as copper-cobalt-nickel alloy plating, copper-nickel-phosphorus alloy plating, copper-nickel-tungsten alloy plating, copper-cobalt-tungsten alloy plating, and more preferably copper alloy plating is used. it can. Copper as roughening treatment - cobalt - nickel alloy plating, by electrolytic plating, coating weight is to be the 15~40mg / dm 2 of copper -100~3000μg / dm 2 of cobalt -100~1500μg / dm 2 of nickel It can be carried out so as to form a ternary alloy layer. If the amount of deposited Co is less than 100 μg / dm 2 , the heat resistance may deteriorate and the etching property may deteriorate. When the amount of Co deposition exceeds 3000 μg / dm 2 , it is not preferable when the influence of magnetism must be taken into account, etching spots may occur, and acid resistance and chemical resistance may deteriorate. If the Ni adhesion amount is less than 100 μg / dm 2 , the heat resistance may deteriorate. On the other hand, when the Ni adhesion amount exceeds 1500 μg / dm 2 , the etching residue may increase. A preferable Co adhesion amount is 1000 to 2500 μg / dm 2 , and a preferable nickel adhesion amount is 500 to 1200 μg / dm 2 . Here, the etching stain means that Co remains without being dissolved when etched with copper chloride, and the etching residue means that Ni remains without being dissolved when alkaline etching is performed with ammonium chloride. It means that.

このような3元系銅−コバルト−ニッケル合金めっきを形成するためのめっき浴及びめっき条件は次の通りである:
めっき浴組成:Cu10〜20g/L、Co1〜10g/L、Ni1〜10g/L
pH:1〜4
温度:30〜50℃
電流密度Dk:20〜30A/dm2
めっき時間:1〜5秒
めっき終了後の同めっき液浸漬時間:20秒以下(20秒よりも長く浸漬すると粒子形状が乱れるため)、好ましくは10秒以下、より好ましくは5秒以下
前記めっき終了後は、通常であれば特に急いでめっき液から取り出すことは無いが、本発明では、当該めっき終了後、所定の時間内にめっき液から取り出す必要がある。このため、上記のように前記めっき終了後の同めっき液浸漬時間を20秒以下としている。当該浸漬時間が、20秒を超えて浸漬してしまうと、めっき液により粗化粒子の一部が溶解している可能性がある。当該粗化粒子の一部の溶解が、粒子形状の乱れの原因の一つとなると考えられる。
前記めっき終了後の同めっき液浸漬時間を10秒以下、あるいは5秒以下と短くすることで、粒子形状をより乱れにくくすることができるため有効である。
なお、銅−コバルト−ニッケル合金めっきと同様に、銅−コバルト−ニッケル合金めっき以外の合金めっきもめっき終了後の同めっき液浸漬時間を20秒以下(20秒よりも長く浸漬すると粒子形状が乱れるため)、好ましくは10秒以下、より好ましくは5秒以下に制御することが重要である。当該浸漬時間が、20秒を超えて浸漬してしまうと、めっき液により粗化粒子の一部が溶解している可能性がある。当該粗化粒子の一部の溶解が、粒子形状の乱れの原因の一つとなると考えられる。銅−コバルト−ニッケル合金めっき以外の合金めっきのpH、温度、電流密度、めっき時間は公知の条件を用いることができる。
前記めっき終了後の同めっき液浸漬時間を10秒以下、あるいは5秒以下と短くすることで、粒子形状をより乱れにくくすることができるため有効である。
また、表面処理として以下の粗化処理としての銅めっきを行うことも良い。以下の粗化処理としての銅めっきにより形成される表面処理層は銅濃度が高く、大部分が銅で構成される粗化処理層(めっき層)となる。銅濃度が高い、粗化処理層(めっき層)はメッキ液に溶けにくいという特徴がある。以下の粗化処理としての銅めっきは銅めっき1、銅めっき2の順に行う。
・銅めっき1
(液組成1)
Cu濃度:10〜30g/L
2SO4濃度:50〜150g/L
タングステン濃度:0.5〜50mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム: 0.5〜50mg/L
(電気めっき条件1)
温度: 30〜70℃
(一段目電流条件)
電流密度: 18〜70A/dm2
粗化クーロン量: 1.8〜1000A/dm2好ましくは1.8〜500A/dm2
めっき時間: 0.1〜20秒
(二段目電流条件)
電流密度: 0.5〜13A/dm2
粗化クーロン量: 0.05〜1000A/dm2好ましくは0.05〜500A/dm2
めっき時間: 0.1〜20秒
なお、一段目と二段目を繰り返してもよい。また、一段目を1回または複数回行った後、二段目を1回または複数回行ってもよい。また、一段目を1回または複数回行った後、二段目を1回または複数回行うことを繰り返してもよい。
・銅めっき2
(液組成2)
Cu濃度:20〜80g/L
2SO4濃度:50〜200g/L
(電気めっき条件2)
温度: 30〜70℃
(電流条件)
電流密度: 5〜50A/dm2
粗化クーロン量: 50〜300A/dm2
めっき時間: 1〜60秒
また、銅箔上に前述の銅−コバルト−ニッケル合金めっきなどの合金めっきと前述の銅めっきを組み合わせて行ってもよい。銅箔上に前述の銅めっきを行った後に、前述の合金めっきを行うことが好ましい。
The plating bath and plating conditions for forming such ternary copper-cobalt-nickel alloy plating are as follows:
Plating bath composition: Cu 10-20 g / L, Co 1-10 g / L, Ni 1-10 g / L
pH: 1-4
Temperature: 30-50 ° C
Current density D k : 20 to 30 A / dm 2
Plating time: 1 to 5 seconds The plating solution immersion time after the end of plating: 20 seconds or less (because the particle shape is disturbed when immersed for longer than 20 seconds), preferably 10 seconds or less, more preferably 5 seconds or less Thereafter, if it is normal, it is not particularly quickly removed from the plating solution, but in the present invention, it is necessary to remove from the plating solution within a predetermined time after the completion of the plating. For this reason, as described above, the plating solution immersion time after the completion of the plating is set to 20 seconds or less. If the immersion time exceeds 20 seconds, a part of the roughened particles may be dissolved by the plating solution. It is considered that dissolution of a part of the roughened particles is one of the causes of the disturbance of the particle shape.
By shortening the plating solution immersion time after the completion of the plating to 10 seconds or less, or 5 seconds or less, the particle shape can be made more difficult to disturb, which is effective.
In addition, as with copper-cobalt-nickel alloy plating, alloy plating other than copper-cobalt-nickel alloy plating also has a plating solution immersion time of 20 seconds or less after completion of plating. Therefore, it is important to control to 10 seconds or less, more preferably 5 seconds or less. If the immersion time exceeds 20 seconds, a part of the roughened particles may be dissolved by the plating solution. It is considered that dissolution of a part of the roughened particles is one of the causes of the disturbance of the particle shape. Known conditions can be used for pH, temperature, current density, and plating time of alloy plating other than copper-cobalt-nickel alloy plating.
By shortening the plating solution immersion time after the completion of the plating to 10 seconds or less, or 5 seconds or less, the particle shape can be made more difficult to disturb, which is effective.
Further, copper plating as the following roughening treatment may be performed as the surface treatment. The surface treatment layer formed by copper plating as the following roughening treatment has a high copper concentration, and becomes a roughening treatment layer (plating layer) mostly composed of copper. A roughening layer (plating layer) having a high copper concentration is characterized by being hardly soluble in the plating solution. Copper plating as the following roughening treatment is performed in the order of copper plating 1 and copper plating 2.
・ Copper plating 1
(Liquid composition 1)
Cu concentration: 10-30 g / L
H 2 SO 4 concentration: 50 to 150 g / L
Tungsten concentration: 0.5-50 mg / L
Sodium dodecyl sulfate: 0.5-50 mg / L
(Electroplating condition 1)
Temperature: 30-70 ° C
(First stage current condition)
Current density: 18 to 70 A / dm 2
Roughening coulomb amount: 1.8 to 1000 A / dm 2, preferably 1.8 to 500 A / dm 2
Plating time: 0.1 to 20 seconds (second stage current condition)
Current density: 0.5 to 13 A / dm 2
Roughening Coulomb amount: 0.05~1000A / dm 2 preferably 0.05~500A / dm 2
Plating time: 0.1 to 20 seconds Note that the first and second steps may be repeated. Further, after the first stage is performed once or a plurality of times, the second stage may be performed once or a plurality of times. Further, after the first stage is performed once or a plurality of times, the second stage may be repeated once or a plurality of times.
・ Copper plating 2
(Liquid composition 2)
Cu concentration: 20-80 g / L
H 2 SO 4 concentration: 50 to 200 g / L
(Electroplating condition 2)
Temperature: 30-70 ° C
(Current condition)
Current density: 5 to 50 A / dm 2
Roughening coulomb amount: 50 to 300 A / dm 2
Plating time: 1 to 60 seconds In addition, the above-described copper plating may be combined with the above-described copper-cobalt-nickel alloy plating alloy plating. It is preferable to perform the alloy plating described above after the copper plating is performed on the copper foil.

本発明において、銅箔上に形成する表面処理層は、粗化処理層であってもよい。粗化処理は、通常、銅箔の、樹脂基板と接着する面、即ち表面処理側の表面に積層後の銅箔の引き剥し強さを向上させることを目的として、脱脂後の銅箔の表面にふしこぶ状の電着を形成する処理を云う。電解銅箔は製造時点で凹凸を有しているが、粗化処理により電解銅箔の凸部を増強して凹凸を一層大きくすることができる。粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良い。粗化処理層は、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金からなる層などであってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。また、粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよい。   In the present invention, the surface treatment layer formed on the copper foil may be a roughening treatment layer. The roughening treatment is usually performed on the surface of the copper foil after degreasing for the purpose of improving the peel strength of the copper foil after being laminated on the surface of the copper foil to be bonded to the resin substrate, that is, the surface on the surface treatment side. A process for forming a fist-like electrodeposition. Although the electrolytic copper foil has irregularities at the time of manufacture, the irregularities can be further increased by enhancing the convex portions of the electrolytic copper foil by roughening treatment. The roughening treatment can be performed, for example, by forming roughened particles with copper or a copper alloy. The roughening process may be fine. The roughening treatment layer is a layer made of any single element selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium and zinc, or an alloy containing one or more of them. Also good. Moreover, after forming the roughened particles with copper or a copper alloy, a roughening treatment can be performed in which secondary particles or tertiary particles are further formed of nickel, cobalt, copper, zinc alone or an alloy. Moreover, you may form 1 or more types of layers selected from the group which consists of a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a chromate processing layer, and a silane coupling processing layer on the surface of a roughening processing layer.

また、本発明において銅箔上に形成する表面処理層は、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層であってもよい。
耐熱層、防錆層としては公知の耐熱層、防錆層を用いることが出来る。例えば、耐熱層および/または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素を含む層であってもよく、ニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素からなる金属層または合金層であってもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素を含む酸化物、窒化物、珪化物を含んでもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル−亜鉛合金を含む層であってもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル−亜鉛合金層であってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層は、不可避不純物を除き、ニッケルを50wt%〜99wt%、亜鉛を50wt%〜1wt%含有するものであってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層の亜鉛及びニッケルの合計付着量が5〜1000mg/m2、好ましくは10〜500mg/m2、好ましくは20〜100mg/m2であってもよい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量と亜鉛の付着量との比(=ニッケルの付着量/亜鉛の付着量)が1.5〜10であることが好ましい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量は0.5mg/m2〜500mg/m2であることが好ましく、1mg/m2〜50mg/m2であることがより好ましい。耐熱層および/または防錆層がニッケル−亜鉛合金を含む層である場合、スルーホールやビアホール等の内壁部がデスミア液と接触したときに銅箔と樹脂基板との界面がデスミア液に浸食されにくく、銅箔と樹脂基板との密着性が向上する。
In the present invention, the surface treatment layer formed on the copper foil may be one or more layers selected from the group consisting of a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer.
As the heat-resistant layer and the rust-proof layer, known heat-resistant layers and rust-proof layers can be used. For example, the heat-resistant layer and / or the anticorrosive layer is a group of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, iron, tantalum A layer containing one or more elements selected from nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements Further, it may be a metal layer or an alloy layer made of one or more elements selected from the group consisting of iron, tantalum and the like. The heat-resistant layer and / or rust preventive layer is a group of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, iron, and tantalum. An oxide, nitride, or silicide containing one or more elements selected from the above may be included. Further, the heat-resistant layer and / or the rust preventive layer may be a layer containing a nickel-zinc alloy. Further, the heat-resistant layer and / or the rust preventive layer may be a nickel-zinc alloy layer. The nickel-zinc alloy layer may contain 50 wt% to 99 wt% nickel and 50 wt% to 1 wt% zinc, excluding inevitable impurities. The total adhesion amount of zinc and nickel in the nickel-zinc alloy layer may be 5 to 1000 mg / m 2 , preferably 10 to 500 mg / m 2 , preferably 20 to 100 mg / m 2 . Further, the ratio of the nickel adhesion amount and the zinc adhesion amount of the layer containing the nickel-zinc alloy or the nickel-zinc alloy layer (= nickel adhesion amount / zinc adhesion amount) is 1.5 to 10. It is preferable. Further, the nickel - in adhesion amount of nickel in the zinc alloy layer is preferably from 0.5mg / m 2 ~500mg / m 2 , 1mg / m 2 ~50mg / m 2 - zinc alloy layer or the nickel containing More preferably. When the heat-resistant layer and / or rust prevention layer is a layer containing a nickel-zinc alloy, the interface between the copper foil and the resin substrate is eroded by the desmear liquid when the inner wall such as a through hole or via hole comes into contact with the desmear liquid. It is difficult to improve the adhesion between the copper foil and the resin substrate.

例えば耐熱層および/または防錆層は、付着量が1mg/m2〜100mg/m2、好ましくは5mg/m2〜50mg/m2のニッケルまたはニッケル合金層と、付着量が1mg/m2〜80mg/m2、好ましくは5mg/m2〜40mg/m2のスズ層とを順次積層したものであってもよく、前記ニッケル合金層はニッケル−モリブデン、ニッケル−亜鉛、ニッケル−モリブデン−コバルトのいずれか一種により構成されてもよい。また、耐熱層および/または防錆層は、ニッケルまたはニッケル合金とスズとの合計付着量が2mg/m2〜150mg/m2であることが好ましく、10mg/m2〜70mg/m2であることがより好ましい。また、耐熱層および/または防錆層は、[ニッケルまたはニッケル合金中のニッケル付着量]/[スズ付着量]=0.25〜10であることが好ましく、0.33〜3であることがより好ましい。当該耐熱層および/または防錆層を用いるとキャリア付銅箔をプリント配線板に加工して以降の回路の引き剥がし強さ、当該引き剥がし強さの耐薬品性劣化率等が良好になる。 For example heat-resistant layer and / or anticorrosive layer has coating weight of 1 mg / m 2 -100 mg / m 2, preferably from 5 mg / m 2 and to 50 mg / m 2 of nickel or nickel alloy layer, the adhesion amount is 1 mg / m 2 to 80 mg / m 2, preferably it may be obtained by sequentially laminating a tin layer of 5mg / m 2 ~40mg / m 2 , wherein the nickel alloy layer of nickel - molybdenum, nickel - zinc, nickel - molybdenum - cobalt You may be comprised by any one of these. The heat-resistant layer and / or anticorrosive layer, it is preferably, 10mg / m 2 ~70mg / m 2 total deposition amount of nickel or nickel alloy and tin is 2mg / m 2 ~150mg / m 2 It is more preferable. Further, the heat-resistant layer and / or the rust preventive layer is preferably [nickel or nickel adhesion amount in nickel or nickel alloy] / [tin adhesion amount] = 0.25 to 10, preferably 0.33 to 3. More preferred. When the heat-resistant layer and / or rust-preventing layer is used, the carrier-clad copper foil is processed into a printed wiring board, and the subsequent circuit peeling strength, the chemical resistance deterioration rate of the peeling strength, and the like are improved.

なお、シランカップリング処理に用いられるシランカップリング剤には公知のシランカップリング剤を用いてよく、例えばアミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤、メルカプト系シランカップリング剤を用いてよい。また、シランカップリング剤にはビニルトリメトキシシラン、ビニルフェニルトリメトキシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、4−グリシジルブチルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−3−(4−(3−アミノプロポキシ)プトキシ)プロピル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、イミダゾールシラン、トリアジンシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等を用いてもよい。   In addition, you may use a well-known silane coupling agent for the silane coupling agent used for a silane coupling process, for example, using an amino-type silane coupling agent or an epoxy-type silane coupling agent, a mercapto-type silane coupling agent. Good. Silane coupling agents include vinyltrimethoxysilane, vinylphenyltrimethoxylane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 4-glycidylbutyltrimethoxysilane, and γ-aminopropyl. Triethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (4- (3-aminopropoxy) ptoxy) propyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, imidazolesilane, triazinesilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane or the like may be used.

前記シランカップリング処理層は、エポキシ系シラン、アミノ系シラン、メタクリロキシ系シラン、メルカプト系シランなどのシランカップリング剤などを使用して形成してもよい。なお、このようなシランカップリング剤は、2種以上混合して使用してもよい。中でも、アミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤を用いて形成したものであることが好ましい。   The silane coupling treatment layer may be formed using a silane coupling agent such as an epoxy silane, an amino silane, a methacryloxy silane, or a mercapto silane. In addition, you may use 2 or more types of such silane coupling agents in mixture. Especially, it is preferable to form using an amino-type silane coupling agent or an epoxy-type silane coupling agent.

ここで言うアミノ系シランカップリング剤とは、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−(N−スチリルメチル−2−アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス(2−ヒドロキシエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、N−メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、N−(3−アクリルオキシ−2−ヒドロキシプロピル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、4−アミノブチルトリエトキシシラン、(アミノエチルアミノメチル)フェネチルトリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル−3−アミノプロピル)トリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル−3−アミノプロピル)トリス(2−エチルヘキソキシ)シラン、6−(アミノヘキシルアミノプロピル)トリメトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、3−(1−アミノプロポキシ)−3,3−ジメチル−1−プロペニルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリス(メトキシエトキシエトキシ)シラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、ω−アミノウンデシルトリメトキシシラン、3−(2−N−ベンジルアミノエチルアミノプロピル)トリメトキシシラン、ビス(2−ヒドロキシエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、(N,N−ジエチル−3−アミノプロピル)トリメトキシシラン、(N,N−ジメチル−3−アミノプロピル)トリメトキシシラン、N−メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、3−(N−スチリルメチル−2−アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−3−(4−(3−アミノプロポキシ)プトキシ)プロピル−3−アミノプロピルトリメトキシシランからなる群から選択されるものであってもよい。   The amino silane coupling agent referred to here is N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane, 3- Aminopropyltriethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, aminopropyltrimethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, N- (3 -Acryloxy-2-hydroxypropyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, 4-aminobutyltriethoxysilane, (aminoethylaminomethyl) phenethyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl-3-aminopropyl) Trimethoxysilane, N (2-aminoethyl-3-aminopropyl) tris (2-ethylhexoxy) silane, 6- (aminohexylaminopropyl) trimethoxysilane, aminophenyltrimethoxysilane, 3- (1-aminopropoxy) -3,3- Dimethyl-1-propenyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltris (methoxyethoxyethoxy) silane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, ω-aminoundecyltrimethoxysilane, 3- (2 -N-benzylaminoethylaminopropyl) trimethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, (N, N-diethyl-3-aminopropyl) trimethoxysilane, (N, N- Dimethyl-3-aminopropyl) Limethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N -Β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (4- (3-aminopropoxy) ptoxy) propyl-3-aminopropyltrimethoxysilane may be selected from the group consisting of Good.

シランカップリング処理層は、ケイ素原子換算で、0.05mg/m2〜200mg/m2、好ましくは0.15mg/m2〜20mg/m2、好ましくは0.3mg/m2〜2.0mg/m2の範囲で設けられていることが望ましい。前述の範囲の場合、基材と表面処理銅箔との密着性をより向上させることが出来る。 The silane coupling treatment layer is 0.05 mg / m 2 to 200 mg / m 2 , preferably 0.15 mg / m 2 to 20 mg / m 2 , preferably 0.3 mg / m 2 to 2.0 mg in terms of silicon atoms. / M 2 is desirable. In the case of the above-mentioned range, the adhesiveness between the substrate and the surface-treated copper foil can be further improved.

〔キャリア付銅箔〕
上記樹脂基材の表面プロファイルを形成するための表面処理銅箔としては、キャリア付銅箔を用いても良い。キャリア付銅箔は、キャリアと、キャリア上に積層された中間層と、中間層上に積層された極薄銅層とを備える。
[Copper foil with carrier]
As the surface-treated copper foil for forming the surface profile of the resin substrate, a copper foil with a carrier may be used. The copper foil with a carrier includes a carrier, an intermediate layer laminated on the carrier, and an ultrathin copper layer laminated on the intermediate layer.

<キャリア>
本発明に用いることのできるキャリアとしては銅箔を使用する。キャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅や無酸素銅といった高純度の銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。
<Career>
A copper foil is used as a carrier that can be used in the present invention. The carrier is typically provided in the form of rolled copper foil or electrolytic copper foil. In general, the electrolytic copper foil is produced by electrolytic deposition of copper from a copper sulfate plating bath onto a drum of titanium or stainless steel, and the rolled copper foil is produced by repeating plastic working and heat treatment with a rolling roll. In addition to high-purity copper such as tough pitch copper and oxygen-free copper, the copper foil material is, for example, Sn-containing copper, Ag-containing copper, copper alloy added with Cr, Zr, Mg, etc., and Corson-based added with Ni, Si, etc. Copper alloys such as copper alloys can also be used.

本発明に用いることのできるキャリアの厚さについても特に制限はないが、キャリアとしての役目を果たす上で適した厚さに適宜調節すればよく、例えば12μm以上とすることができる。但し、厚すぎると生産コストが高くなるので一般には35μm以下とするのが好ましい。従って、キャリアの厚みは典型的には12〜70μmであり、より典型的には18〜35μmである。   The thickness of the carrier that can be used in the present invention is not particularly limited, but may be appropriately adjusted to a thickness suitable for serving as a carrier, for example, 12 μm or more. However, if it is too thick, the production cost becomes high, so generally it is preferably 35 μm or less. Accordingly, the thickness of the carrier is typically 12-70 μm, more typically 18-35 μm.

<中間層>
キャリア上には中間層を設ける。本発明で用いる中間層は、キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるような構成であれば特に限定されない。例えば、本発明のキャリア付銅箔の中間層はCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。
また、例えば、中間層はキャリア側からCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成し、その上にCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素の水和物または酸化物からなる層を形成することで構成することができる。
また、例えば、中間層は、キャリア上に、ニッケル、ニッケル−リン合金又はニッケル−コバルト合金と、クロムとがこの順で積層されて構成することができる。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とクロムとの界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。中間層におけるニッケルの付着量は好ましくは100μg/dm2以上40000μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上4000μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上2500μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上1000μg/dm2未満であり、中間層におけるクロムの付着量は5μg/dm2以上100μg/dm2以下であることが好ましい。中間層を片面にのみ設ける場合、キャリアの反対面にはNiめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。
<Intermediate layer>
An intermediate layer is provided on the carrier. In the intermediate layer used in the present invention, the ultrathin copper layer is hardly peeled off from the carrier before the copper foil with the carrier is laminated on the insulating substrate, while the ultrathin copper layer is separated from the carrier after the lamination step on the insulating substrate. There is no particular limitation as long as it can be peeled off. For example, the intermediate layer of the copper foil with a carrier of the present invention is Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, alloys thereof, hydrates thereof, oxides thereof, One or two or more selected from the group consisting of organic substances may be included. The intermediate layer may be a plurality of layers.
Further, for example, the intermediate layer is a single metal layer composed of one kind of element selected from the element group composed of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn from the carrier side. Or forming an alloy layer composed of one or more elements selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, A layer made of a hydrate or oxide of one or more elements selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, and Zn. It can comprise by forming.
Further, for example, the intermediate layer can be configured by laminating nickel, a nickel-phosphorus alloy or a nickel-cobalt alloy, and chromium in this order on a carrier. Since the adhesive strength between nickel and copper is higher than the adhesive strength between chromium and copper, when the ultrathin copper layer is peeled off, it peels at the interface between the ultrathin copper layer and chromium. Further, the nickel of the intermediate layer is expected to have a barrier effect that prevents the copper component from diffusing from the carrier into the ultrathin copper layer. Adhesion amount of nickel in the intermediate layer is preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 40000μg / dm 2 or less, more preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 4000μg / dm 2 or less, more preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 2500 g / dm 2 or less, more Preferably, it is 100 μg / dm 2 or more and less than 1000 μg / dm 2 , and the amount of chromium deposited on the intermediate layer is preferably 5 μg / dm 2 or more and 100 μg / dm 2 or less. When the intermediate layer is provided only on one side, it is preferable to provide a rust preventive layer such as a Ni plating layer on the opposite side of the carrier.

<極薄銅層>
中間層の上には極薄銅層を設ける。当該極薄銅層は、本発明の表面処理銅箔である。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば12μm以下である。典型的には0.5〜12μmであり、より典型的には1.5〜5μmである。また、中間層の上に極薄銅層を設ける前に、極薄銅層のピンホールを低減させるために銅−リン合金によるストライクめっきを行ってもよい。ストライクめっきにはピロリン酸銅めっき液などが挙げられる。
<Ultrathin copper layer>
An ultrathin copper layer is provided on the intermediate layer. The ultrathin copper layer is the surface-treated copper foil of the present invention. The thickness of the ultrathin copper layer is not particularly limited, but is generally thinner than the carrier, for example, 12 μm or less. Typically, it is 0.5 to 12 μm, and more typically 1.5 to 5 μm. Further, strike plating with a copper-phosphorus alloy may be performed before reducing the pinholes in the ultrathin copper layer before providing the ultrathin copper layer on the intermediate layer. Examples of the strike plating include a copper pyrophosphate plating solution.

〔表面処理層上の樹脂層〕
本発明の表面処理銅箔の表面処理層の上に樹脂層を備えても良い。前記樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。
[Resin layer on the surface treatment layer]
A resin layer may be provided on the surface treatment layer of the surface-treated copper foil of the present invention. The resin layer may be an insulating resin layer.

前記樹脂層は接着剤であってもよく、接着用の半硬化状態(Bステージ状態)の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態(Bステージ状態)とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。   The resin layer may be an adhesive, or an insulating resin layer in a semi-cured state (B stage state) for bonding. The semi-cured state (B stage state) is a state in which there is no sticky feeling even if the surface is touched with a finger, the insulating resin layer can be stacked and stored, and a curing reaction occurs when subjected to heat treatment. Including that.

また前記樹脂層は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記樹脂層は熱可塑性樹脂を含んでもよい。その種類は格別限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、多官能性シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、マレイミド系樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルスルホン樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ゴム変成エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、カルボキシル基変性アクリロニトリル-ブタジエン樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ビスマレイミドトリアジン樹脂、熱硬化性ポリフェニレンオキサイド樹脂、シアネートエステル系樹脂、多価カルボン酸の無水物などを含む樹脂を好適なものとしてあげることができる。また、前記樹脂層がブロック共重合ポリイミド樹脂層を含有する樹脂層またはブロック共重合ポリイミド樹脂とポリマレイミド化合物を含有する樹脂層であってもよい。また前記エポキシ樹脂は、分子内に2個以上のエポキシ基を有するものであって、電気・電子材料用途に用いることのできるものであれば、特に問題なく使用できる。また、前記エポキシ樹脂は分子内に2個以上のグリシジル基を有する化合物を用いてエポキシ化したエポキシ樹脂が好ましい。また、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ブロム化エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、N,N-ジグリシジルアニリン等のグリシジルアミン化合物、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等のグリシジルエステル化合物、リン含有エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、の群から選ばれる1種又は2種以上を混合して用いることができ、又は前記エポキシ樹脂の水素添加体やハロゲン化体を用いることができる。   The resin layer may contain a thermosetting resin or may be a thermoplastic resin. The resin layer may include a thermoplastic resin. The type is not particularly limited. For example, epoxy resin, polyimide resin, polyfunctional cyanate ester compound, maleimide compound, maleimide resin, polyvinyl acetal resin, urethane resin, polyethersulfone, polyethersulfone Resin, aromatic polyamide resin, polyamideimide resin, rubber-modified epoxy resin, phenoxy resin, carboxyl group-modified acrylonitrile-butadiene resin, polyphenylene oxide, bismaleimide triazine resin, thermosetting polyphenylene oxide resin, cyanate ester resin, polyvalent carboxyl A resin containing an acid anhydride or the like can be mentioned as a preferable one. The resin layer may be a resin layer containing a block copolymerized polyimide resin layer or a resin layer containing a block copolymerized polyimide resin and a polymaleimide compound. The epoxy resin has two or more epoxy groups in the molecule and can be used without any problem as long as it can be used for electric / electronic materials. The epoxy resin is preferably an epoxy resin epoxidized using a compound having two or more glycidyl groups in the molecule. Bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AD type epoxy resin, novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, brominated epoxy resin, glycidylamine Type epoxy resin, triglycidyl isocyanurate, glycidyl amine compound such as N, N-diglycidyl aniline, glycidyl ester compound such as tetrahydrophthalic acid diglycidyl ester, phosphorus-containing epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, biphenyl novolac type epoxy resin, One or two or more selected from the group of trishydroxyphenylmethane type epoxy resin and tetraphenylethane type epoxy resin can be used, or the epoxy Resin hydrogenated products and halogenated products can be used.

前記多価カルボン酸の無水物はエポキシ樹脂の硬化剤として寄与する成分であることが好ましい。また、前記多価カルボン酸の無水物は、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、テトラヒドロキシ無水フタル酸、ヘキサヒドロキシ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロキシ無水フタル酸、ナジン酸、メチルナジン酸であることが好ましい。   The polyhydric carboxylic acid anhydride is preferably a component that contributes as a curing agent for the epoxy resin. The anhydride of the polyvalent carboxylic acid is phthalic anhydride, maleic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, tetrahydroxyphthalic anhydride, hexahydroxyphthalic anhydride, methylhexahydroxyphthalic anhydride, nadine. Acid and methyl nadic acid are preferred.

また、前記樹脂層を形成するための樹脂組成物は多価カルボン酸の無水物、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂を含有してもよい。前記酸無水物は、フェノキシ樹脂に含有される水酸基1molに対して0.01mol〜0.5mol含有するものであることが好ましい。前記フェノキシ樹脂は、ビスフェノールと2価のエポキシ樹脂との反応により合成されるものを用いることができる。前記フェノキシ樹脂の含有量は、前記樹脂組成物の全量を100重量部としたときに3重量部〜30重量部含有するものであってもよい。前記エポキシ樹脂は、分子内に2個以上のグリシジル基を有する化合物を用いてエポキシ化したエポキシ樹脂であってもよい。なお、前記樹脂組成物は、多価カルボン酸の無水物とフェノキシ樹脂とを反応させ、フェノキシ樹脂の水酸基に対して多価カルボン酸を開環付加した後に、エポキシ樹脂を添加して得ることができる。   The resin composition for forming the resin layer may contain an anhydride of polyvalent carboxylic acid, a phenoxy resin, and an epoxy resin. The acid anhydride is preferably contained in an amount of 0.01 mol to 0.5 mol with respect to 1 mol of a hydroxyl group contained in the phenoxy resin. As the phenoxy resin, one synthesized by a reaction between bisphenol and a divalent epoxy resin can be used. The content of the phenoxy resin may be 3 to 30 parts by weight when the total amount of the resin composition is 100 parts by weight. The epoxy resin may be an epoxy resin epoxidized with a compound having two or more glycidyl groups in the molecule. The resin composition can be obtained by reacting a polycarboxylic acid anhydride with a phenoxy resin, ring-opening addition of the polyvalent carboxylic acid to the hydroxyl group of the phenoxy resin, and then adding an epoxy resin. it can.

前記ビスフェノールとしてビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、テトラブロモビスフェノールA、4,4’−ジヒドロキシビフェニル、HCA(9,10−Dihydro−9−Oxa−10−Phosphaphenanthrene−10−Oxide)とハイドロキノン、ナフトキノン等のキノン類との付加物として得られるビスフェノール等を使用することができる。   As the bisphenol, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, tetrabromobisphenol A, 4,4′-dihydroxybiphenyl, HCA (9,10-Dihydro-9-Oxa-10-Phosphophenanthrene-10-Oxide), hydroquinone, naphthoquinone, etc. Bisphenol obtained as an adduct with quinones can be used.

また、前記熱可塑性樹脂はエポキシ樹脂と重合可能なアルコール性水酸基以外の官能基を有する熱可塑性樹脂であってもよい。
前記樹脂層の組成は樹脂成分総量に対してエポキシ樹脂50〜90重量%、ポリビニルアセタール樹脂5〜20重量%、ウレタン樹脂0.1〜20重量%を含有し、該エポキシ樹脂の0.5〜40重量%がゴム変成エポキシ樹脂であってもよい。
また、前記ポリビニルアセタール樹脂は酸基および水酸基以外のエポキシ樹脂またはマレイミド化合物と重合可能な官能基を有してもよい。前記樹脂層に用いられる樹脂組成物の総量100重量部に対し、エポキシ樹脂配合物40〜80重量部、マレイミド化合物10〜50重量部、水酸基および水酸基以外のエポキシ樹脂またはマレイミド化合物と重合可能な官能基を有するポリビニルアセタール樹脂5〜30重量部からであってもよい。また、前記ポリビニルアセタール樹脂が分子内にカルボキシル基、アミノ基または不飽和二重結合を導入したものであってもよい。
The thermoplastic resin may be a thermoplastic resin having a functional group other than an alcoholic hydroxyl group polymerizable with an epoxy resin.
The composition of the resin layer contains 50 to 90% by weight of an epoxy resin, 5 to 20% by weight of a polyvinyl acetal resin, and 0.1 to 20% by weight of a urethane resin with respect to the total amount of the resin components. 40% by weight may be a rubber-modified epoxy resin.
The polyvinyl acetal resin may have a functional group polymerizable with an epoxy resin or a maleimide compound other than an acid group and a hydroxyl group. Functionality polymerizable with 40 to 80 parts by weight of an epoxy resin composition, 10 to 50 parts by weight of a maleimide compound, an epoxy resin other than a hydroxyl group and a hydroxyl group, or a maleimide compound with respect to 100 parts by weight of the resin composition used for the resin layer It may be from 5 to 30 parts by weight of a polyvinyl acetal resin having a group. Further, the polyvinyl acetal resin may have a carboxyl group, an amino group or an unsaturated double bond introduced into the molecule.

また、前記樹脂層は、20〜80重量部のエポキシ樹脂(硬化剤を含む)、20〜80重量部の溶剤に可溶な芳香族ポリアミド樹脂ポリマー、及び、必要に応じて適宜量添加する硬化促進剤からなる樹脂組成物を用いて形成したものであってもよい。また、前記樹脂層は、5〜80重量部のエポキシ樹脂(硬化剤を含む)、20〜95重量部の溶剤に可溶な芳香族ポリアミド樹脂ポリマー、及び、必要に応じて適宜量添加する硬化促進剤からなる樹脂組成物を用いて形成したものであってもよい。前記樹脂層の形成に用いる樹脂組成物の構成に用いる芳香族ポリアミド樹脂ポリマーは、芳香族ポリアミドとゴム性樹脂とを反応させることで得られるものであってもよい。前記樹脂層は、誘電体フィラーを含有したものであってもよい。前記樹脂層は、骨格材を含有したものであってもよい。   The resin layer is 20 to 80 parts by weight of an epoxy resin (including a curing agent), 20 to 80 parts by weight of an aromatic polyamide resin polymer soluble in a solvent, and a curing that is added in an appropriate amount as necessary. It may be formed using a resin composition made of an accelerator. In addition, the resin layer is 5 to 80 parts by weight of an epoxy resin (including a curing agent), 20 to 95 parts by weight of an aromatic polyamide resin polymer soluble in a solvent, and curing that is added in an appropriate amount as necessary. It may be formed using a resin composition made of an accelerator. The aromatic polyamide resin polymer used for the composition of the resin composition used for forming the resin layer may be obtained by reacting an aromatic polyamide with a rubber resin. The resin layer may contain a dielectric filler. The resin layer may contain a skeleton material.

ここで、前記芳香族ポリアミド樹脂ポリマーとしては、芳香族ポリアミド樹脂とゴム性樹脂とを反応させて得られるものが挙げられる。ここで、芳香族ポリアミド樹脂とは、芳香族ジアミンとジカルボン酸との縮重合により合成されるものである。このときの芳香族ジアミンには、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、m−キシレンジアミン、3,3’−オキシジアニリン等を用いる。そして、ジカルボン酸には、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、フマル酸等を用いる。   Here, examples of the aromatic polyamide resin polymer include those obtained by reacting an aromatic polyamide resin and a rubber resin. Here, the aromatic polyamide resin is synthesized by condensation polymerization of an aromatic diamine and a dicarboxylic acid. In this case, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, m-xylenediamine, 3,3'-oxydianiline, or the like is used as the aromatic diamine. As the dicarboxylic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, fumaric acid or the like is used.

そして、前記芳香族ポリアミド樹脂と反応させる前記ゴム性樹脂とは、天然ゴム及び合成ゴムを含む概念として記載しており、後者の合成ゴムにはスチレン−ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、ブチルゴム、エチレン−プロピレンゴム等がある。更に、形成する誘電体層の耐熱性を確保する際には、ニトリルゴム、クロロプレンゴム、シリコンゴム、ウレタンゴム等の耐熱性を備えた合成ゴムを選択使用することも有用である。これらのゴム性樹脂に関しては、芳香族ポリアミド樹脂と反応して共重合体を製造するようになるため、両末端に種々の官能基を備えるものであることが望ましい。特に、CTBN(カルボキシ基末端ブタジエンニトリル)を用いることが有用である。   The rubbery resin to be reacted with the aromatic polyamide resin is described as a concept including natural rubber and synthetic rubber, and the latter synthetic rubber includes styrene-butadiene rubber, butadiene rubber, butyl rubber, ethylene-propylene. There is rubber. Furthermore, when ensuring the heat resistance of the dielectric layer to be formed, it is also useful to select and use a synthetic rubber having heat resistance such as nitrile rubber, chloroprene rubber, silicon rubber, urethane rubber or the like. Since these rubber resins react with an aromatic polyamide resin to produce a copolymer, it is desirable to have various functional groups at both ends. In particular, it is useful to use CTBN (carboxy group-terminated butadiene nitrile).

芳香族ポリアミド樹脂ポリマーを構成することとなる芳香族ポリアミド樹脂とゴム性樹脂とは、芳香族ポリアミド樹脂が25wt%〜75wt%、残部ゴム性樹脂という配合で用いることが好ましい。芳香族ポリアミド樹脂が25wt%未満の場合には、ゴム成分の存在比率が大きくなりすぎ耐熱性に劣るものとなり、一方、75wt%を越えると芳香族ポリアミド樹脂の存在比率が大きくなりすぎて、硬化後の硬度が高くなりすぎ、脆くなるのである。この芳香族ポリアミド樹脂ポリマーは、銅張積層板に加工した後の銅箔をエッチング加工する際に、エッチング液によりアンダーエッチングによる損傷を受けないことを目的に用いたものである。   The aromatic polyamide resin and rubber resin that constitute the aromatic polyamide resin polymer are preferably used in a blend of 25 wt% to 75 wt% of the aromatic polyamide resin and the remaining rubber resin. When the aromatic polyamide resin is less than 25 wt%, the abundance ratio of the rubber component is too high and the heat resistance is inferior. On the other hand, when it exceeds 75 wt%, the abundance ratio of the aromatic polyamide resin is too large to be cured. Later hardness becomes too high and becomes brittle. This aromatic polyamide resin polymer is used for the purpose of not being damaged by under-etching by an etchant when etching a copper foil after being processed into a copper-clad laminate.

この芳香族ポリアミド樹脂ポリマーには、まず溶剤に可溶であるという性質が求められる。この芳香族ポリアミド樹脂ポリマーは、20重量部〜80重量部の配合割合で用いる。芳香族ポリアミド樹脂ポリマーが20重量部未満の場合には、銅張積層板の製造を行う一般的プレス条件で硬化しすぎて脆くなり、基板表面にマイクロクラックを生じやすくなるのである。一方、80重量部を越えて芳香族ポリアミド樹脂ポリマーを添加しても特に支障はないが、80重量部を越えて芳香族ポリアミド樹脂ポリマーを添加してもそれ以上に硬化後の強度は向上しないのである。従って、経済性を考慮すれば、80重量部が上限値であると言えるのである。   The aromatic polyamide resin polymer is required to have a property of being soluble in a solvent. This aromatic polyamide resin polymer is used in a blending ratio of 20 to 80 parts by weight. When the amount of the aromatic polyamide resin polymer is less than 20 parts by weight, it becomes too brittle under general press conditions for producing a copper clad laminate, and becomes microcracked easily on the substrate surface. On the other hand, there is no particular problem even if the aromatic polyamide resin polymer is added in an amount exceeding 80 parts by weight, but the strength after curing is not further improved even if the aromatic polyamide resin polymer is added in an amount exceeding 80 parts by weight. It is. Therefore, if economics are considered, it can be said that 80 weight part is an upper limit.

「必要に応じて適宜量添加する硬化促進剤」とは、3級アミン、イミダゾール、尿素系硬化促進剤等である。本件発明では、この硬化促進剤の配合割合は、特に限定を設けていない。なぜなら、硬化促進剤は、銅張積層板製造の工程での生産条件性等を考慮して、製造者が任意に選択的に添加量を定めて良いものであるからである。   “A curing accelerator to be added in an appropriate amount as needed” includes tertiary amines, imidazoles, urea-based curing accelerators, and the like. In the present invention, the mixing ratio of the curing accelerator is not particularly limited. This is because the curing accelerator may be arbitrarily selected by the manufacturer in consideration of production conditions in the process of producing the copper-clad laminate.

前記樹脂層を形成するための樹脂組成物はビスフェノールA型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂の3種のエポキシ樹脂を溶剤に溶解させ、そこに硬化剤、微粉砕シリカ、三酸化アンチモン等の反応触媒を添加した樹脂組成物であってもよい。このときの硬化剤に関しては前記と同様である。この樹脂組成も、良好な銅箔と基材樹脂との密着性を示すのである。
前記樹脂層を形成するための樹脂組成物はポリフェニレンエーテル樹脂、2,2−ビス(4−シアナトフェニル)プロパン、リン含有フェノール化合物、ナフテン酸マンガン、2,2−ビス(4−グリシジルフェニル)プロパンを溶剤に溶解させたポリフェニレンエーテル−シアネート系の樹脂組成物であってもよい。この樹脂組成も、良好な銅箔と基材樹脂との密着性を示すのである。
前記樹脂層を形成するための樹脂組成物はシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を溶剤で溶解させたシロキサン変性ポリアミドイミド系の樹脂組成物であってもよい。この樹脂組成も、良好な銅箔と基材樹脂との密着性を示すのである。
The resin composition for forming the resin layer is prepared by dissolving three types of epoxy resins, a bisphenol A type epoxy resin, a cresol novolac type epoxy resin, and a brominated bisphenol A type epoxy resin, in a solvent, and a curing agent and finely pulverizing them. It may be a resin composition to which a reaction catalyst such as silica or antimony trioxide is added. The curing agent at this time is the same as described above. This resin composition also shows good adhesion between the copper foil and the base resin.
The resin composition for forming the resin layer is polyphenylene ether resin, 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane, phosphorus-containing phenol compound, manganese naphthenate, 2,2-bis (4-glycidylphenyl) It may be a polyphenylene ether-cyanate resin composition in which propane is dissolved in a solvent. This resin composition also shows good adhesion between the copper foil and the base resin.
The resin composition for forming the resin layer may be a siloxane-modified polyamideimide resin composition or a siloxane-modified polyamideimide resin composition in which a cresol novolac type epoxy resin is dissolved in a solvent. This resin composition also shows good adhesion between the copper foil and the base resin.

(誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層の場合)
上記いずれかの樹脂層または樹脂組成物に誘電体(誘電体フィラー)を含ませる場合には、キャパシタ層を形成する用途に用い、キャパシタ回路の電気容量を増大させることができるのである。この誘電体(誘電体フィラー)には、BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr−Ti)O3(通称PZT)、PbLaTiO3・PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi2Ta29(通称SBT)等のペブロスカイト構造を持つ複合酸化物の誘電体粉を用いる。
(In the case of a resin layer containing a dielectric (dielectric filler))
When a dielectric (dielectric filler) is included in any of the above resin layers or resin compositions, it can be used for the purpose of forming a capacitor layer and increase the capacitance of the capacitor circuit. Examples of the dielectric (dielectric filler) include BaTiO 3 , SrTiO 3 , Pb (Zr—Ti) O 3 (common name PZT), PbLaTiO 3 · PbLaZrO (common name PLZT), SrBi 2 Ta 2 O 9 (common name SBT), and the like. A composite oxide dielectric powder having a perovskite structure is used.

誘電体(誘電体フィラー)は粉状であってもよい。誘電体(誘電体フィラー)が粉状である場合、この誘電体(誘電体フィラー)の粉体特性は、まず粒径が0.01μm〜3.0μm、好ましくは0.02μm〜2.0μmの範囲のものである必要がある。ここで言う粒径は、粉粒同士がある一定の2次凝集状態を形成しているため、レーザー回折散乱式粒度分布測定法やBET法等の測定値から平均粒径を推測するような間接測定では精度が劣るものとなるため用いることができず、誘電体(誘電体フィラー)を走査型電子顕微鏡(SEM)で直接観察し、そのSEM像を画像解析し得られる平均粒径を言うものである。本件明細書ではこの時の粒径をDIAと表示している。なお、本件明細書における走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察される誘電体(誘電体フィラー)の粉体の画像解析は、旭エンジニアリング株式会社製のIP−1000PCを用いて、円度しきい値10、重なり度20として円形粒子解析を行い、平均粒径DIAを求めたものである。   The dielectric (dielectric filler) may be powdery. When the dielectric (dielectric filler) is powdery, the powder characteristics of the dielectric (dielectric filler) are as follows. First, the particle size is 0.01 μm to 3.0 μm, preferably 0.02 μm to 2.0 μm. Must be in range. The particle size referred to here is indirect in which the average particle size is estimated from the measured values of the laser diffraction scattering type particle size distribution measurement method and the BET method because the particles form a certain secondary aggregation state. It cannot be used because the accuracy is inferior in measurement, and it refers to the average particle diameter obtained by directly observing a dielectric (dielectric filler) with a scanning electron microscope (SEM) and image analysis of the SEM image. It is. In this specification, the particle size at this time is indicated as DIA. The image analysis of the dielectric (dielectric filler) powder observed using a scanning electron microscope (SEM) in this specification is performed using IP-1000PC manufactured by Asahi Engineering Co., Ltd. Circular particle analysis was performed with a threshold value of 10 and an overlapping degree of 20, and the average particle diameter DIA was obtained.

更に、レーザー回折散乱式粒度分布測定法による体積累積粒径D50が0.2μm〜2.0μmであり、且つ、体積累積粒径D50と画像解析により得られる平均粒径DIAとを用いてD50/DIAで表される凝集度の値が4.5以下である略球形の形状をしたペロブスカイト構造を持つ誘電体粉末であることが求められる。   Furthermore, the volume cumulative particle diameter D50 by the laser diffraction scattering particle size distribution measurement method is 0.2 μm to 2.0 μm, and the volume cumulative particle diameter D50 and the average particle diameter DIA obtained by image analysis are used to obtain D50 / It is required to be a dielectric powder having a substantially spherical perovskite structure with a cohesion value represented by DIA of 4.5 or less.

レーザー回折散乱式粒度分布測定法による体積累積粒径D50とは、レーザー回折散乱式粒度分布測定法を用いて得られる重量累積50%における粒径のことであり、この体積累積粒径D50の値が小さいほど、誘電体(誘電体フィラー)粉の粒径分布の中で微細な粉粒の占める割合が多いことになる。本件発明では、この値が0.2μm〜2.0μmであることが求められる。即ち、体積累積粒径D50の値が0.2μm未満の場合には、どのような製造方法を採用した誘電体(誘電体フィラー)粉であれ、凝集の進行が著しく以下に述べる凝集度を満足するものとはならないのである。一方、体積累積粒径D50の値が2.0μmを越える場合には、本件発明の目的とするところであるプリント配線板の内蔵キャパシタ層形成用の誘電体(誘電体フィラー)としての使用が不可能となるのである。即ち、内蔵キャパシタ層を形成するのに用いる両面銅張積層板の誘電体層は、通常10μm〜25μmの厚さのものであり、ここに誘電体フィラーを均一に分散させるためには2.0μmが上限となるのである。   The volume cumulative particle size D50 by the laser diffraction scattering type particle size distribution measurement method is a particle size at 50% weight cumulative obtained by using the laser diffraction scattering type particle size distribution measurement method, and the value of this volume cumulative particle size D50. The smaller the is, the larger the proportion of fine powder particles in the particle size distribution of the dielectric (dielectric filler) powder. In the present invention, this value is required to be 0.2 μm to 2.0 μm. That is, when the value of the volume cumulative particle diameter D50 is less than 0.2 μm, the progress of aggregation is remarkably satisfied with the degree of aggregation described below regardless of the production method of dielectric (dielectric filler) powder. It is not what you do. On the other hand, when the value of the volume cumulative particle diameter D50 exceeds 2.0 μm, it cannot be used as a dielectric (dielectric filler) for forming a built-in capacitor layer of a printed wiring board, which is an object of the present invention. It becomes. That is, the dielectric layer of the double-sided copper-clad laminate used to form the built-in capacitor layer is usually 10 μm to 25 μm thick, and 2.0 μm to uniformly disperse the dielectric filler therein. Is the upper limit.

本件発明における体積累積粒径D50の測定は、誘電体(誘電体フィラー)粉をメチルエチルケトンに混合分散させ、この溶液をレーザー回折散乱式粒度分布測定装置 Micro Trac HRA 9320−X100型(日機装株式会社製)の循環器に投入して測定を行った。   In the present invention, the volume cumulative particle size D50 is measured by mixing and dispersing dielectric (dielectric filler) powder in methyl ethyl ketone, and using this solution as a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring device, Micro Trac HRA 9320-X100 (manufactured by Nikkiso Co., Ltd.). ) And then measured.

ここで凝集度という概念を用いているが、以下のような理由から採用したものである。即ち、レーザー回折散乱式粒度分布測定法を用いて得られる体積累積粒径D50の値は、真に粉粒の一つ一つの径を直接観察したものではないと考えられる。殆どの誘電体粉を構成する粉粒は、個々の粒子が完全に分離した、いわゆる単分散粉ではなく、複数個の粉粒が凝集して集合した状態になっているからである。レーザー回折散乱式粒度分布測定法は、凝集した粉粒を一個の粒子(凝集粒子)として捉えて、体積累積粒径を算出していると言えるからである。   Here, the concept of cohesion is used, which is adopted for the following reason. That is, the value of the volume cumulative particle size D50 obtained by using the laser diffraction / scattering particle size distribution measurement method is considered not to be a direct observation of each individual particle size. This is because the powder particles constituting most of the dielectric powder are not so-called monodispersed powders in which individual particles are completely separated, but are in a state where a plurality of powder particles are aggregated and aggregated. This is because the laser diffraction / scattering particle size distribution measurement method regards the aggregated particles as one particle (aggregated particle) and calculates the volume cumulative particle size.

これに対して、走査型電子顕微鏡を用いて観察される誘電体粉の観察像を画像処理することにより得られる平均粒径DIAは、SEM観察像から直接得るものであるため、一次粒子が確実に捉えられることになり、反面には粉粒の凝集状態の存在を全く反映させていないことになる。   On the other hand, since the average particle diameter DIA obtained by image processing the observation image of the dielectric powder observed using the scanning electron microscope is obtained directly from the SEM observation image, the primary particles are surely obtained. On the other hand, the presence of the agglomerated state of the particles is not reflected at all.

以上のように考えると、本件発明者等は、レーザー回折散乱式粒度分布測定法の体積累積粒径D50と画像解析により得られる平均粒径DIAとを用いて、D50/DIAで算出される値を凝集度として捉えることとしたのである。即ち、同一ロットの銅粉においてD50とDIAとの値が同一精度で測定できるものと仮定して、上述した理論で考えると、凝集状態のあることを測定値に反映させるD50の値は、DIAの値よりも大きな値になると考えられる。   Considering the above, the present inventors calculated the value calculated by D50 / DIA using the volume cumulative particle diameter D50 of the laser diffraction scattering particle size distribution measurement method and the average particle diameter DIA obtained by image analysis. Is regarded as the degree of cohesion. That is, assuming that the values of D50 and DIA can be measured with the same accuracy in the same lot of copper powder, considering the above-mentioned theory, the value of D50 that reflects the presence of an agglomerated state is DIA. It is considered that the value is larger than the value of.

このとき、D50の値は、誘電体(誘電体フィラー)粉の粉粒の凝集状態が全くなくなるとすれば、限りなくDIAの値に近づいてゆき、凝集度であるD50/DIAの値は、1に近づくことになる。凝集度が1となった段階で、粉粒の凝集状態が全く無くなった単分散粉と言えるのである。但し、現実には、凝集度が1未満の値を示す場合もある。理論的に考え真球の場合には、1未満の値にはならないのであるが、現実には、粉粒が真球ではないために1未満の凝集度の値が得られることになるようである。   At this time, the value of D50 approaches the value of DIA as much as possible if the state of aggregation of the dielectric (dielectric filler) powder is completely eliminated. The value of D50 / DIA as the degree of aggregation is It approaches 1 It can be said that it is a monodispersed powder in which the agglomeration state of the powder is completely lost when the aggregation degree becomes 1. However, in reality, the degree of aggregation may be less than 1. Theoretically, in the case of a true sphere, it does not become a value less than 1, but in reality, it seems that a cohesion value of less than 1 is obtained because the powder is not a true sphere. is there.

本件発明では、この誘電体(誘電体フィラー)粉の凝集度が4.5以下であることが好ましい。この凝集度が4.5を越えると、誘電体フィラーの粉粒同士の凝集レベルが高くなりすぎて、上述した樹脂組成物との均一混合が困難となるのである。   In this invention, it is preferable that the aggregation degree of this dielectric material (dielectric filler) powder is 4.5 or less. If this degree of aggregation exceeds 4.5, the level of aggregation between the powder particles of the dielectric filler becomes too high, and uniform mixing with the above-described resin composition becomes difficult.

誘電体(誘電体フィラー)粉の製造方法として、アルコキシド法、水熱合成法、オキサレート法等のいずれの製造方法を採用しても、一定の凝集状態が不可避的に形成されるため、上述の凝集度を満足しない誘電体フィラー粉が発生し得るものである。特に、湿式法である水熱合成法の場合には、凝集状態の形成が起こりやすい傾向にある。そこで、この凝集した状態の粉体を、一粒一粒の粉粒に分離する解粒処理を行うことで、誘電体フィラー粉の凝集状態を、上述の凝集度の範囲とすることが可能なのである。   As a method for producing a dielectric (dielectric filler) powder, a fixed aggregation state is inevitably formed even if any production method such as an alkoxide method, a hydrothermal synthesis method, or an oxalate method is employed. Dielectric filler powder that does not satisfy the degree of aggregation can be generated. In particular, in the case of the hydrothermal synthesis method which is a wet method, the formation of an aggregated state tends to occur. Therefore, the aggregated state of the dielectric filler powder can be set within the above-described aggregation degree range by performing a pulverization process for separating the agglomerated powder into one granular particle. is there.

単に解粒作業を行うことを目的とするのであれば、解粒の行える手段として、高エネルギーボールミル、高速導体衝突式気流型粉砕機、衝撃式粉砕機、ゲージミル、媒体攪拌型ミル、高水圧式粉砕装置等種々の物を用いることが可能である。ところが、誘電体(誘電体フィラー)粉と樹脂組成物との混合性及び分散性を確保するためには、以下に述べる誘電体(誘電体フィラー)含有樹脂溶液としての粘度低減を考えるべきである。誘電体(誘電体フィラー)含有樹脂溶液の粘度の低減を図る上では、誘電体(誘電体フィラー)の粉粒の比表面積が小さく、滑らかなものとすることが求められる。従って、解粒は可能であっても、解粒時に粉粒の表面に損傷を与え、その比表面積を増加させるような解粒手法であってはならないのである。   If the purpose is simply pulverization, high energy ball mill, high-speed conductor impingement airflow pulverizer, impact pulverizer, gauge mill, medium agitation mill, high water pressure Various things such as a pulverizer can be used. However, in order to ensure the mixing and dispersibility of the dielectric (dielectric filler) powder and the resin composition, it should be considered to reduce the viscosity as a dielectric (dielectric filler) -containing resin solution described below. . In order to reduce the viscosity of the dielectric (dielectric filler) -containing resin solution, the specific surface area of the dielectric particles (dielectric filler) is required to be small and smooth. Therefore, even if granulation is possible, it should not be a granulation technique that damages the surface of the granule during granulation and increases its specific surface area.

このような認識に基づいて、本件発明者等が鋭意研究した結果、二つの手法が有効であることが見いだされた。この二つの方法に共通することは、誘電体(誘電体フィラー)の粉体の粉粒が装置の内壁部、攪拌羽根、粉砕媒体等の部分と接触することを最小限に抑制し、凝集した粉粒同士の相互衝突を行わせることで、解粒が十分可能な方法という点である。即ち、装置の内壁部、攪拌羽根、粉砕媒体等の部分と接触することは粉粒の表面を傷つけ、表面粗さを増大させ、真球度を劣化させることにつながり、これを防止するのである。そして、十分な粉粒同士の衝突を起こさせることで、凝集状態にある粉粒を解粒し、同時に、粉粒同士の衝突による粉粒表面の平滑化の可能な手法を採用できるのである。   Based on this recognition, the inventors of the present invention diligently researched and found that the two methods are effective. What is common to these two methods is that the powder particles of the dielectric (dielectric filler) are agglomerated while minimizing the contact of the powder with the inner wall of the device, the stirring blade, the grinding media, etc. This is a method capable of sufficiently pulverizing particles by causing the particles to collide with each other. That is, contact with parts such as the inner wall of the apparatus, stirring blades, and grinding media damages the surface of the powder, increases the surface roughness, and deteriorates the sphericity, thereby preventing this. . Then, by causing sufficient collision between the powder particles, it is possible to disaggregate the powder particles in an agglomerated state, and at the same time, it is possible to employ a method capable of smoothing the surface of the powder particles by the collision between the powder particles.

その一つは、凝集状態にある誘電体(誘電体フィラー)粉を、ジェットミルを利用して解粒処理するのである。ここで言う「ジェットミル」とは、エアの高速気流を用いて、この気流中に誘電体(誘電体フィラー)粉を入れ、この高速気流中で粉粒同士を相互に衝突させ、解粒作業を行うのである。   One of them is a pulverization treatment of dielectric (dielectric filler) powder in an agglomerated state using a jet mill. “Jet mill” as used here refers to the use of a high-speed air current to place dielectric (dielectric filler) powder in this air current, and the particles collide with each other in this high-speed air current to break up the particles. Is done.

また、凝集状態にある誘電体(誘電体フィラー)粉を、そのストイキメトリを崩すことのない溶媒中に分散させたスラリーを、遠心力を利用した流体ミルを用いて解粒処理するのである。ここで言う「遠心力を利用した流体ミル」を用いることで、当該スラリーを円周軌道を描くように高速でフローさせ、このときに発生する遠心力により凝集した粉粒同士を溶媒中で相互に衝突させ、解粒作業を行うのである。このようにすることで、解粒作業の終了したスラリーを洗浄、濾過、乾燥することで解粒作業の終了した誘電体(誘電体フィラー)粉が得られることになるのである。以上に述べた方法で、凝集度の調整及び誘電体フィラー粉の粉体表面の平滑化を図ることができるのである。   In addition, a slurry in which a dielectric (dielectric filler) powder in an agglomerated state is dispersed in a solvent that does not destroy the stoichiometry is pulverized using a fluid mill using centrifugal force. By using the “fluid mill using centrifugal force”, the slurry is allowed to flow at a high speed so as to draw a circumferential trajectory. And then pulverize. By doing in this way, the dielectric (dielectric filler) powder which finished the granulation work is obtained by washing, filtering, and drying the slurry after the granulation work. By the method described above, the degree of aggregation can be adjusted and the powder surface of the dielectric filler powder can be smoothed.

以上述べてきた樹脂組成物と誘電体(誘電体フィラー)とを混合して、プリント配線板の内蔵キャパシタ層形成用の誘電体(誘電体フィラー)含有樹脂とするのである。なお、誘電体(誘電体フィラー)と混合するための樹脂組成物に用いる樹脂として、前記樹脂層に用いることができる樹脂を挙げることができる。このときの、樹脂組成物と誘電体(誘電体フィラー)との配合割合は、誘電体(誘電体フィラー)の含有率が75wt%〜85wt%、残部樹脂組成物とすることが望ましい。   The resin composition described above and a dielectric (dielectric filler) are mixed to form a dielectric (dielectric filler) -containing resin for forming a built-in capacitor layer of a printed wiring board. In addition, resin which can be used for the said resin layer can be mentioned as resin used for the resin composition for mixing with a dielectric material (dielectric filler). At this time, the blending ratio of the resin composition and the dielectric (dielectric filler) is preferably such that the content of the dielectric (dielectric filler) is 75 wt% to 85 wt%, and the remaining resin composition.

誘電体(誘電体フィラー)の含有率が75wt%未満の場合には、市場で現在要求されている比誘電率20を満足できず、誘電体(誘電体フィラー)の含有率が85wt%を越えると、樹脂組成物の含有率が15wt%未満となり、誘電体(誘電体フィラー)含有樹脂とそこに張り合わせる銅箔との密着性が損なわれ、プリント配線板製造用としての要求特性を満足する銅張積層板の製造が困難となるのである。
なお、前記誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層は、誘電体(誘電体フィラー)、エポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂および硬化促進剤を含む樹脂組成物を用いて形成されてもよい。
また、前記誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層は、エポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、硬化促進剤を含む樹脂組成物重量を100重量部としたとき、エポキシ樹脂を25重量部〜60重量部含有する樹脂組成物と誘電体(誘電体フィラー)とを用いて形成したものであってもよい。
また、前記誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層は、エポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、硬化促進剤を含む樹脂組成物重量を100重量部としたとき、活性エステル樹脂を28重量部〜60重量部含有する樹脂組成物と誘電体(誘電体フィラー)とを用いて形成したものであってもよい。
また、前記誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層は、エポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、硬化促進剤を含む樹脂組成物重量を100重量部としたとき、エポキシ樹脂と活性エステル樹脂との合計含有量が78重量部〜95重量部含有する樹脂組成物と誘電体(誘電体フィラー)とを用いて形成したものであってもよい。
また、前記誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層は、エポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、硬化促進剤を含む樹脂組成物重量を100重量部としたとき、ポリビニルアセタール樹脂を1重量部〜20重量部含有する樹脂組成物と誘電体(誘電体フィラー)とを用いて形成したものであってもよい。
また、前記誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層は、エポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、硬化促進剤を含む樹脂組成物重量を100重量部としたとき、硬化促進剤を0.01重量部〜2重量部含有する樹脂組成物と誘電体(誘電体フィラー)とを用いて形成したものであってもよい。
When the content of the dielectric (dielectric filler) is less than 75 wt%, the relative permittivity of 20 currently required in the market cannot be satisfied, and the content of the dielectric (dielectric filler) exceeds 85 wt%. And the resin composition content is less than 15 wt%, the adhesiveness between the dielectric (dielectric filler) -containing resin and the copper foil laminated thereon is impaired, and the required characteristics for manufacturing a printed wiring board are satisfied. This makes it difficult to produce a copper-clad laminate.
The resin layer containing the dielectric (dielectric filler) may be formed using a resin composition containing a dielectric (dielectric filler), an epoxy resin, an active ester resin, a polyvinyl acetal resin, and a curing accelerator. Good.
Further, the resin layer containing the dielectric (dielectric filler) is 25 parts by weight of epoxy resin when the weight of the resin composition containing epoxy resin, active ester resin, polyvinyl acetal resin, and curing accelerator is 100 parts by weight. It may be formed using a resin composition containing ˜60 parts by weight and a dielectric (dielectric filler).
The resin layer containing the dielectric material (dielectric filler) is 28 weight parts of the active ester resin when the weight of the resin composition containing the epoxy resin, the active ester resin, the polyvinyl acetal resin, and the curing accelerator is 100 parts by weight. It may be formed using a resin composition containing a part to 60 parts by weight and a dielectric (dielectric filler).
Further, the resin layer containing the dielectric (dielectric filler) has an epoxy resin and an active ester resin when the weight of the resin composition containing an epoxy resin, an active ester resin, a polyvinyl acetal resin, and a curing accelerator is 100 parts by weight. May be formed using a resin composition containing 78 parts by weight to 95 parts by weight and a dielectric (dielectric filler).
In addition, the resin layer containing the dielectric (dielectric filler) has 1 weight of polyvinyl acetal resin when the weight of the resin composition containing epoxy resin, active ester resin, polyvinyl acetal resin, and curing accelerator is 100 parts by weight. It may be formed using a resin composition containing 20 parts by weight to 20 parts by weight and a dielectric (dielectric filler).
Further, the resin layer containing the dielectric (dielectric filler) has a curing accelerator of 0.00 when the weight of the resin composition containing epoxy resin, active ester resin, polyvinyl acetal resin, and curing accelerator is 100 parts by weight. It may be formed using a resin composition containing 01 to 2 parts by weight and a dielectric (dielectric filler).

また、前記誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層は、当該樹脂層を構成する樹脂組成物重量を100重量部としたとき、当該樹脂組成物を構成するエポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、硬化促進剤の各成分の合計量が70重量部以上である樹脂組成物と誘電体(誘電体フィラー)とを用いて形成したものであってもよい。
また、前記誘電体を含む樹脂層は、当該誘電体(誘電体フィラー)を含有する樹脂重量を100wt%としたとき、誘電体(誘電体フィラー)を65wt%〜85wt%の範囲で含有するものであることが好ましい。
なお、エポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂および硬化促進剤には公知のエポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂および硬化促進剤または本願明細書に記載のエポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂および硬化促進剤を用いることができる。
また、前記誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層は、MIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して測定したときのレジンフローが1%未満であることが好ましい。
なお、硬化促進剤、エポキシ樹脂としては公知のものまたは本願明細書に記載の硬化促進剤、エポキシ樹脂を用いることができる。また、硬化促進剤としては公知のイミダゾール化合物または、本願明細書に記載のイミダゾール化合物を用いることができる。
Moreover, the resin layer containing the dielectric (dielectric filler) has an epoxy resin, an active ester resin, and a polyvinyl acetal constituting the resin composition when the weight of the resin composition constituting the resin layer is 100 parts by weight. It may be formed using a resin composition in which the total amount of each component of the resin and the curing accelerator is 70 parts by weight or more and a dielectric (dielectric filler).
The resin layer containing the dielectric contains a dielectric (dielectric filler) in a range of 65 wt% to 85 wt% when the weight of the resin containing the dielectric (dielectric filler) is 100 wt%. It is preferable that
The epoxy resin, active ester resin, polyvinyl acetal resin and curing accelerator include known epoxy resins, active ester resins, polyvinyl acetal resins and curing accelerators, or the epoxy resins, active ester resins and polyvinyl acetals described in the present specification. Resins and cure accelerators can be used.
The resin layer containing the dielectric (dielectric filler) preferably has a resin flow of less than 1% when measured according to MIL-P-13949G in the MIL standard.
In addition, as a hardening accelerator and an epoxy resin, a well-known thing or the hardening accelerator and epoxy resin as described in this-application specification can be used. Moreover, as a hardening accelerator, a well-known imidazole compound or the imidazole compound as described in this-application specification can be used.

そして、この誘電体(誘電体フィラー)としては、現段階に置いて、粉体としての製造精度を考慮すると、ペブロスカイト構造を持つ複合酸化物の内、チタン酸バリウムを用いることが好ましい。このときの誘電体(誘電体フィラー)には、仮焼したチタン酸バリウム又は未仮焼のチタン酸バリウムのいずれをも用いることが出来る。高い誘電率を得ようとする場合には仮焼したチタン酸バリウムを用いることが好ましいのであるが、プリント配線板製品の設計品質に応じて選択使用すればよいものである。   As this dielectric (dielectric filler), it is preferable to use barium titanate among complex oxides having a perovskite structure in consideration of manufacturing accuracy as a powder at the present stage. As the dielectric (dielectric filler) at this time, either calcined barium titanate or uncalcined barium titanate can be used. In order to obtain a high dielectric constant, it is preferable to use calcined barium titanate, but it may be selectively used according to the design quality of the printed wiring board product.

また更に、チタン酸バリウムの誘電体フィラーが、立方晶の結晶構造を持つものであることが最も好ましい。チタン酸バリウムのもつ結晶構造には、立方晶と正方晶とが存在するが、立方晶の構造を持つチタン酸バリウムの誘電体(誘電体フィラー)の方が、正方晶の構造のみを持つチタン酸バリウムの誘電体(誘電体フィラー)を用いた場合に比べて、最終的に得られる誘電体層の誘電率の値が安定化するのである。従って、少なくとも、立方晶と正方晶との双方の結晶構造を併有したチタン酸バリウム粉を用いる必要があると言えるのである。
上述の実施の形態により、当該内層コア材の内層回路表面と誘電体を含む樹脂層との密着性を向上させ、低い誘電正接を備えるキャパシタ回路層を形成するための誘電体を含む樹脂層を有する表面処理銅箔を提供することができる。
Furthermore, it is most preferable that the dielectric filler of barium titanate has a cubic crystal structure. The crystal structure of barium titanate includes cubic and tetragonal crystals, but the cubic barium titanate dielectric (dielectric filler) has a tetragonal structure only. The value of the dielectric constant of the finally obtained dielectric layer is stabilized as compared with the case where a barium acid dielectric (dielectric filler) is used. Therefore, it can be said that it is necessary to use barium titanate powder having both a cubic crystal structure and a tetragonal crystal structure.
According to the above-described embodiment, the resin layer containing the dielectric for forming the capacitor circuit layer having a low dielectric loss tangent is improved by improving the adhesion between the inner layer circuit surface of the inner layer core material and the resin layer containing the dielectric The surface-treated copper foil which has can be provided.

また、前記樹脂層は表面処理層側から順に硬化樹脂層(「硬化樹脂層」とは硬化済みの樹脂層のことを意味するとする。)と半硬化樹脂層とを順次形成した樹脂層であってもよい。前記硬化樹脂層は、熱膨張係数が0ppm/℃〜25ppm/℃のポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、これらの複合樹脂のいずれかの樹脂成分で構成されてもよい。   The resin layer is a resin layer in which a cured resin layer (“cured resin layer” means a cured resin layer) and a semi-cured resin layer are sequentially formed from the surface treatment layer side. May be. The cured resin layer may be composed of a resin component of any one of a polyimide resin, a polyamideimide resin, and a composite resin having a thermal expansion coefficient of 0 ppm / ° C. to 25 ppm / ° C.

また、前記硬化樹脂層上に、硬化した後の熱膨張係数が0ppm/℃〜50ppm/℃の半硬化樹脂層を設けてもよい。また、前記硬化樹脂層と前記半硬化樹脂層とが硬化した後の樹脂層全体の熱膨張係数が40ppm/℃以下であってもよい。前記硬化樹脂層は、ガラス転移温度が300℃以上であってもよい。また、前記半硬化樹脂層は、マレイミド系樹脂を用いて形成したものであってもよく、前記マレイミド系樹脂は、分子内に2個以上のマレイミド基を有する芳香族マレイミド樹脂であってもよく、前記マレイミド系樹脂は、分子内に2個以上のマレイミド基を有する芳香族マレイミド樹脂と芳香族ポリアミンとを重合させた重合付加物であってもよい。また、前記半硬化樹脂層は、当該半硬化樹脂層を100重量部としたとき、マレイミド系樹脂を20重量部〜70重量部含有するものであってもよい。前記半硬化樹脂層を形成するための樹脂組成物は、マレイミド系樹脂、エポキシ樹脂、架橋可能な官能基を有する線状ポリマーを必須成分をとすることが好ましい。そして、マレイミド系樹脂には、芳香族マレイミド樹脂と芳香族ポリアミンとを重合させた重合付加物を用いることもできる。また、半硬化樹脂層には必要に応じて、マレイミド系樹脂と反応性を有するシアノエステル樹脂やエポキシ樹脂を添加してもよい。エポキシ樹脂は公知のエポキシ樹脂または本願明細書に記載のエポキシ樹脂を用いることができる。   Moreover, you may provide the semi-hardened resin layer whose thermal expansion coefficient after hardening is 0 ppm / degrees C-50 ppm / degrees C on the said cured resin layer. In addition, the thermal expansion coefficient of the entire resin layer after the cured resin layer and the semi-cured resin layer are cured may be 40 ppm / ° C. or less. The cured resin layer may have a glass transition temperature of 300 ° C. or higher. The semi-cured resin layer may be formed using a maleimide resin, and the maleimide resin may be an aromatic maleimide resin having two or more maleimide groups in the molecule. The maleimide resin may be a polymerized adduct obtained by polymerizing an aromatic maleimide resin having two or more maleimide groups in the molecule and an aromatic polyamine. The semi-cured resin layer may contain 20 to 70 parts by weight of a maleimide resin when the semi-cured resin layer is 100 parts by weight. The resin composition for forming the semi-cured resin layer preferably contains a maleimide resin, an epoxy resin, and a linear polymer having a crosslinkable functional group as an essential component. The maleimide resin may be a polymerization adduct obtained by polymerizing an aromatic maleimide resin and an aromatic polyamine. Moreover, you may add the cyanoester resin and epoxy resin which have reactivity with a maleimide-type resin as needed to a semi-hardened resin layer. As the epoxy resin, a known epoxy resin or an epoxy resin described in the present specification can be used.

また、前記架橋可能な官能基を有する線状ポリマーは、水酸基、カルボキシル基等のエポキシ樹脂の硬化反応に寄与する官能基を備えることが好ましい。そして、この架橋可能な官能基を有する線状ポリマーは、沸点が50℃〜200℃の温度の有機溶剤に可溶であることが好ましい。ここで言う官能基を有する線状ポリマーを具体的に例示すると、ポリビニルアセタール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアミドイミド樹脂等である。この架橋可能な官能基を有する線状ポリマーは、樹脂組成物を100重量部としたとき、3重量部〜30重量部の配合割合で用いられることが好ましい。当該エポキシ樹脂が3重量部未満の場合には、樹脂流れが大きくなる場合がある。この結果、製造した銅張積層板の端部から樹脂粉の発生が多く見られる場合があり、半硬化状態での樹脂層の耐吸湿性も改善出来ない場合がある。一方、30重量部を超えても、樹脂流れが小さい場合があり、製造した銅張積層板の絶縁層内にボイド等の欠陥を生じやすくなる場合がある。   Moreover, it is preferable that the linear polymer which has the said crosslinkable functional group is equipped with the functional group which contributes to hardening reaction of epoxy resins, such as a hydroxyl group and a carboxyl group. And it is preferable that the linear polymer which has this crosslinkable functional group is soluble in the organic solvent of the temperature of 50 to 200 degreeC of boiling points. Specific examples of the linear polymer having a functional group mentioned here include polyvinyl acetal resin, phenoxy resin, polyethersulfone resin, polyamideimide resin and the like. The linear polymer having a crosslinkable functional group is preferably used in a blending ratio of 3 to 30 parts by weight when the resin composition is 100 parts by weight. When the epoxy resin is less than 3 parts by weight, the resin flow may increase. As a result, a large amount of resin powder may be observed from the end of the produced copper-clad laminate, and the moisture absorption resistance of the resin layer in a semi-cured state may not be improved. On the other hand, even if it exceeds 30 parts by weight, the resin flow may be small, and defects such as voids may easily occur in the insulating layer of the produced copper-clad laminate.

ここで言うマレイミド系樹脂としては、4,4’−ジフェニルメタンビスマレイミド、ポリフェニルメタンマレイミド、m−フェニレンビスマレイミド、ビスフェノールAジフェニルエーテルビスマレイミド、3,3’−ジメチル−5,5’−ジエチル−4,4’−ジフェニルメタンビスマレイミド、4−メチル−1,3−フェニレンビスマレイミド、4,4’−ジフェニルエーテルビスマレイミド、4,4’−ジフェニルスルフォンビスマレイミド、1,3−ビス(3−マレイミドフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−マレイミドフェノキシ)ベンゼン等の使用が可能である。マレイミド系樹脂の含有量が20重量部未満の場合には、硬化後の半硬化樹脂層の熱膨張係数を低下させる効果が得られない場合がある。一方、マレイミド系樹脂の含有量が70重量部を超えると、半硬化樹脂層が硬化すると脆い樹脂層になる場合があり、当該樹脂層にクラックが生じやすくなる場合があり、プリント配線板の絶縁層としての信頼性が低下する場合がある。   As the maleimide resin here, 4,4′-diphenylmethane bismaleimide, polyphenylmethane maleimide, m-phenylene bismaleimide, bisphenol A diphenyl ether bismaleimide, 3,3′-dimethyl-5,5′-diethyl-4 , 4′-diphenylmethane bismaleimide, 4-methyl-1,3-phenylene bismaleimide, 4,4′-diphenyl ether bismaleimide, 4,4′-diphenylsulfone bismaleimide, 1,3-bis (3-maleimidophenoxy) Benzene, 1,3-bis (4-maleimidophenoxy) benzene and the like can be used. When the content of the maleimide resin is less than 20 parts by weight, the effect of reducing the thermal expansion coefficient of the semi-cured resin layer after curing may not be obtained. On the other hand, if the content of the maleimide resin exceeds 70 parts by weight, the semi-cured resin layer may become a brittle resin layer when cured, and the resin layer may be easily cracked. The reliability as a layer may be reduced.

分子内に2個以上のマレイミド基を有する芳香族マレイミド樹脂と芳香族ポリアミンとを重合させた重合付加物を形成させる場合には、芳香族ポリアミンとして、例えば、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノジシクロヘキシルメタン、1,4−ジアミノシクロヘキサン、2,6−ジアミノピリジン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノ−3−メチルジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、ビス(4−アミノフェニル)フェニルアミン、m−キシレンジアミン、p−キシレンジアミン、1,3−ビス[4−アミノフェノキシ]ベンゼン、3−メチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジクロロ−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2’,5,5’−テトラクロロ−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ビス(3−メチル−4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−エチル−4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス(2,3−ジクロロ−4−アミノフェニル)プロパン、ビス(2,3−ジメチル−4−アミノフェニル)フェニルエタン、エチレンジアミンおよびヘキサメチレンジアミン等を、樹脂組成物に添加して用いて樹脂層を形成することが好ましい。   When forming a polymerization adduct obtained by polymerizing an aromatic maleimide resin having two or more maleimide groups in the molecule and an aromatic polyamine, examples of the aromatic polyamine include m-phenylenediamine and p-phenylenediamine. 4,4′-diaminodicyclohexylmethane, 1,4-diaminocyclohexane, 2,6-diaminopyridine, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 4,4′- Diaminodiphenyl ether, 4,4′-diamino-3-methyldiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenyl sulfide, 4,4′-diaminobenzophenone, 4,4′-diaminodiphenyl sulfone, bis (4-aminophenyl) phenylamine , M-xylenediamine, p-xylenediamine 1,3-bis [4-aminophenoxy] benzene, 3-methyl-4,4′-diaminodiphenylmethane, 3,3′-diethyl-4,4′-diaminodiphenylmethane, 3,3′-dichloro-4,4 '-Diaminodiphenylmethane, 2,2', 5,5'-tetrachloro-4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2-bis (3-methyl-4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (3 -Ethyl-4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (2,3-dichloro-4-aminophenyl) propane, bis (2,3-dimethyl-4-aminophenyl) phenylethane, ethylenediamine and hexamethylenediamine Etc. are preferably added to the resin composition to form a resin layer.

そして、エポキシ樹脂硬化剤を必要とする場合には、ジシアンジアミド、イミダゾール類、芳香族アミン等のアミン類、ビスフェノールA、ブロム化ビスフェノールA等のフェノール類、フェノールノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂等のノボラック類、無水フタル酸等の酸無水物等を用いる。このときのエポキシ樹脂に対するエポキシ樹脂硬化剤の添加量は、それぞれの当量から自ずと導き出されるものであるから、特段の添加量限定は行っていない。   When an epoxy resin curing agent is required, amines such as dicyandiamide, imidazoles and aromatic amines, phenols such as bisphenol A and brominated bisphenol A, novolacs such as phenol novolac resin and cresol novolac resin Acid anhydrides such as phthalic anhydride are used. Since the addition amount of the epoxy resin curing agent with respect to the epoxy resin at this time is naturally derived from the respective equivalents, no special addition amount limitation is performed.

また、立体成型プリント配線板製造用途に適した、樹脂層を有する表面処理銅箔を提供する場合、前記硬化樹脂層は硬化した可撓性を有する高分子ポリマー層であることが好ましい。前記高分子ポリマー層は、はんだ実装工程に耐えられるように、150℃以上のガラス転移温度をもつ樹脂からなるものが好適である。前記高分子ポリマー層は、ポリアミド樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、アラミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリアミドイミド樹脂のいずれか1種又は2種以上の混合樹脂からなることが好ましい。また、前記高分子ポリマー層の厚さは3μm〜10μmであることが好ましい。
また、前記高分子ポリマー層は、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂のいずれか1種又は2種以上を含むことが好ましい。また、前記半硬化樹脂層は厚さが10μm〜50μmのエポキシ樹脂組成物で構成されていることが好ましい。
Moreover, when providing the surface-treated copper foil which has a resin layer suitable for a three-dimensional molded printed wiring board manufacture use, it is preferable that the said cured resin layer is a polymeric polymer layer which has hardened | cured flexibility. The polymer layer is preferably made of a resin having a glass transition temperature of 150 ° C. or higher so that it can withstand the solder mounting process. The polymer layer is preferably composed of one or a mixture of two or more of a polyamide resin, a polyether sulfone resin, an aramid resin, a phenoxy resin, a polyimide resin, a polyvinyl acetal resin, and a polyamideimide resin. The thickness of the polymer layer is preferably 3 μm to 10 μm.
Moreover, it is preferable that the said high polymer layer contains any 1 type, or 2 or more types of an epoxy resin, a maleimide resin, a phenol resin, and a urethane resin. The semi-cured resin layer is preferably composed of an epoxy resin composition having a thickness of 10 μm to 50 μm.

また、前記エポキシ樹脂組成物は以下のA成分〜E成分の各成分を含むものであることが好ましい。
A成分: エポキシ当量が200以下で、室温で液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上からなるエポキシ樹脂。
B成分: 高耐熱性エポキシ樹脂。
C成分: リン含有エポキシ系樹脂、フォスファゼン系樹脂のいずれか1種又はこれらを混合した樹脂であるリン含有難燃性樹脂。
D成分: 沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤に可溶な性質を備える液状ゴム成分で変成したゴム変成ポリアミドイミド樹脂。
E成分: 樹脂硬化剤。
Moreover, it is preferable that the said epoxy resin composition contains each component of the following A component-E component.
Component A: An epoxy resin having one or more selected from the group consisting of a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, and a bisphenol AD type epoxy resin that have an epoxy equivalent of 200 or less and are liquid at room temperature.
B component: High heat resistant epoxy resin.
Component C: Phosphorus-containing flame-retardant resin, which is any one of phosphorus-containing epoxy resin and phosphazene-based resin, or a resin obtained by mixing these.
Component D: A rubber-modified polyamide-imide resin modified with a liquid rubber component having a property that is soluble in a solvent having a boiling point in the range of 50 ° C. to 200 ° C.
E component: Resin curing agent.

A成分は、エポキシ当量が200以下で、室温で液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上からなるエポキシ樹脂である。ここで、ビスフェノール系エポキシ樹脂を選択使用しているのは、後述するD成分(ゴム変成ポリアミドイミド樹脂)との相性が良く、半硬化状態での樹脂膜に適度なフレキシビリティの付与が容易だからである。そして、エポキシ当量が200を超えると、樹脂が室温で半固形となり、半硬化状態でのフレキシビリティが減少するので好ましくない。更に、上述のビスフェノール系エポキシ樹脂であれば、1種を単独で用いても、2種以上を混合で用いても構わない。しかも、2種以上を混合して用いる場合には、その混合比に関しても特段の限定はない。   The component A is an epoxy resin composed of one or more selected from the group consisting of a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, and a bisphenol AD type epoxy resin that have an epoxy equivalent of 200 or less and are liquid at room temperature. Here, the bisphenol-based epoxy resin is selectively used because it has good compatibility with the D component (rubber-modified polyamideimide resin) described later, and it is easy to impart appropriate flexibility to the resin film in a semi-cured state. It is. If the epoxy equivalent exceeds 200, the resin becomes semi-solid at room temperature, and the flexibility in the semi-cured state decreases, which is not preferable. Furthermore, if it is the above-mentioned bisphenol-type epoxy resin, 1 type may be used independently or 2 or more types may be used in mixture. In addition, when two or more kinds are mixed and used, there is no particular limitation with respect to the mixing ratio.

このエポキシ樹脂は、半硬化樹脂層を構成するエポキシ樹脂組成物を100重量部としたとき、3重量部〜30重量部の配合割合で用いることが好ましい。当該エポキシ樹脂が3重量部未満の場合には、熱硬化性を十分に発揮せず内層フレキシブルプリント配線板とのバインダーとしての機能も、樹脂付銅箔としての銅箔との密着性も十分に果たせなくなる。一方、30重量部を越えると、他の樹脂成分とのバランスから樹脂ワニスとしたときの粘度が高くなり、樹脂付銅箔を製造するとき、銅箔表面へ均一な厚さでの樹脂膜の形成が困難となる。しかも、後述するD成分(ゴム変成ポリアミドイミド樹脂)の添加量を考慮すると、硬化後の樹脂層として十分な靭性が得られなくなる。   This epoxy resin is preferably used in a blending ratio of 3 to 30 parts by weight, with 100 parts by weight of the epoxy resin composition constituting the semi-cured resin layer. When the epoxy resin is less than 3 parts by weight, the thermosetting property is not sufficiently exhibited, and the function as a binder with the inner layer flexible printed wiring board and the adhesiveness with the copper foil as the resin-coated copper foil are sufficient. Can't be done. On the other hand, when the amount exceeds 30 parts by weight, the viscosity of the resin varnish increases from the balance with other resin components, and when the resin-coated copper foil is produced, the resin film with a uniform thickness is formed on the copper foil surface. Formation becomes difficult. Moreover, considering the amount of D component (rubber-modified polyamideimide resin) to be described later, sufficient toughness as a cured resin layer cannot be obtained.

B成分は、所謂ガラス転移点Tgの高い「高耐熱性エポキシ樹脂」である。ここで言う「高耐熱性エポキシ樹脂」は、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂であることが好ましい。そして、このB成分は、半硬化樹脂層を構成するエポキシ樹脂組成物を100重量部としたとき、3重量部〜30重量部の範囲で用いることが好ましい。B成分が3重量部未満の場合には、樹脂組成物の高Tg化が不十分となる傾向があるので好ましくない。一方、B成分が30重量部を超える場合には、硬化後の樹脂が脆くなり、フレキシビリティが損なわれるためフレキシブルプリント配線板用途として好ましくない。より好ましくは、B成分は、10重量部〜20重量部の範囲で用いることで、樹脂組成物の高Tg化と硬化後の樹脂の良好なフレキシビリティとを安定して両立できる。   The B component is a “high heat resistant epoxy resin” having a high so-called glass transition point Tg. The “high heat-resistant epoxy resin” referred to here is preferably a polyfunctional epoxy resin such as a novolac-type epoxy resin, a cresol novolac-type epoxy resin, a phenol novolac-type epoxy resin, or a naphthalene-type epoxy resin. And it is preferable to use this B component in the range of 3-30 weight part, when the epoxy resin composition which comprises a semi-hardened resin layer is 100 weight part. When the component B is less than 3 parts by weight, it is not preferable because the Tg of the resin composition tends to be insufficient. On the other hand, if the component B exceeds 30 parts by weight, the cured resin becomes brittle and flexibility is impaired, which is not preferable for flexible printed wiring board applications. More preferably, by using the B component in the range of 10 to 20 parts by weight, it is possible to stably achieve both high Tg of the resin composition and good flexibility of the cured resin.

C成分は、所謂ハロゲンフリー系の難燃性樹脂であり、リン含有エポキシ系樹脂、フォスファゼン系樹脂のいずれか1種又はこれらを混合した樹脂であるリン含有難燃性樹脂を用いる。まず、リン含有エポキシ系樹脂とは、エポキシ骨格の中にリンを含んだエポキシ樹脂の総称である。そして、半硬化樹脂層を構成するエポキシ樹脂組成物のリン原子含有量を、当該エポキシ樹脂組成物重量を100重量%としたとき、C成分由来のリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲とできるリン含有エポキシ系樹脂であれば、いずれの使用も可能である。しかしながら、上述のリン含有エポキシ系樹脂の中でも、分子内に2以上のエポキシ基を備える9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド誘導体であるリン含有エポキシ系樹脂を用いると、半硬化状態での樹脂品質の安定性に優れ、同時に難燃性効果が高いため好ましい。参考のために、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドの構造式を下記に示す。   The component C is a so-called halogen-free flame-retardant resin, and a phosphorus-containing flame-retardant resin that is any one of a phosphorus-containing epoxy resin and a phosphazene-based resin or a mixture of these is used. First, the phosphorus-containing epoxy resin is a general term for epoxy resins containing phosphorus in an epoxy skeleton. And when the phosphorus atom content of the epoxy resin composition constituting the semi-cured resin layer is 100% by weight of the epoxy resin composition, the phosphorus atom derived from component C is 0.5% by weight to 3.0%. Any phosphorus-containing epoxy resin that can be in the range of% by weight can be used. However, among the phosphorus-containing epoxy resins described above, a phosphorus-containing epoxy resin which is a 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide derivative having two or more epoxy groups in the molecule is used. When used, it is preferable because it is excellent in the stability of the resin quality in the semi-cured state and at the same time has a high flame retardant effect. For reference, the structural formula of 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide is shown below.

更に、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド誘導体であるリン含有エポキシ系樹脂の具体例として、化3に示す構造式を備える化合物を示す。この化3に示す構造式を備える化合物を使用すると、半硬化状態での樹脂品質の安定性により一層優れ、同時に難燃性効果が高くなるので、好ましい。   Furthermore, as a specific example of the phosphorus-containing epoxy resin that is a 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide derivative, a compound having the structural formula shown in Chemical Formula 3 is shown. It is preferable to use a compound having the structural formula shown in Chemical Formula 3 because it is more excellent in the stability of the resin quality in the semi-cured state and at the same time the flame retardancy effect is enhanced.

また、C成分のリン含有エポキシ系樹脂として、以下に示す化4に示す構造式を備える化合物も好ましい。化3に示すリン含有エポキシ系樹脂と同様に、半硬化状態での樹脂品質の安定性に優れ、同時に高い難燃性の付与が可能であるため好ましい。   Further, as the phosphorus-containing epoxy resin of the C component, a compound having a structural formula shown in Chemical Formula 4 shown below is also preferable. Similar to the phosphorus-containing epoxy resin shown in Chemical Formula 3, it is preferable because it is excellent in the stability of the resin quality in a semi-cured state and at the same time can impart high flame retardancy.

更に、C成分のリン含有エポキシ系樹脂として、以下に示す化5に示す構造式を備える化合物も好ましい。化3及び化4に示すリン含有エポキシ系樹脂と同様に、半硬化状態での樹脂品質の安定性に優れ、同時に高い難燃性の付与が可能であるため好ましい。   Further, as the C component phosphorus-containing epoxy resin, a compound having the structural formula shown in Chemical Formula 5 below is also preferable. Like the phosphorus-containing epoxy resin shown in Chemical Formula 3 and Chemical Formula 4, it is preferable because it is excellent in the stability of the resin quality in a semi-cured state, and at the same time it is possible to impart high flame retardancy.

この9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂は、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドにナフトキノンやハイドロキノンを反応させて、以下の化6(HCA−NQ)又は化7(HCA−HQ)に示す化合物とした後に、そのOH基の部分にエポキシ樹脂を反応させてリン含有難燃性樹脂としたものが挙げられる。   The epoxy resin obtained as a derivative from 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide is converted to 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide. After making naphthoquinone and hydroquinone react to make a compound shown in the following chemical formula 6 (HCA-NQ) or chemical formula 7 (HCA-HQ), an epoxy resin is reacted with the OH group portion to make a phosphorus-containing flame retardant resin Are listed.

ここで、リン含有難燃性樹脂として、リン含有エポキシ系樹脂を用いる場合の樹脂組成物は、リン含有エポキシ系樹脂の1種類を単独で用いても、2種類以上のリン含有エポキシ系樹脂を混合して用いても構わない。但し、C成分としてのリン含有難燃性樹脂の総量を考慮して、半硬化樹脂層を構成するエポキシ樹脂組成物重量を100重量%としたとき、C成分由来のリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲となるように添加量を定めることが好ましい。リン含有エポキシ系樹脂は、その種類によりエポキシ骨格内に含有するリン原子量が異なる。そこで、上述のようにリン原子の含有量を、C成分の添加量に優先させて設計することが可能である。   Here, the resin composition in the case of using a phosphorus-containing epoxy resin as the phosphorus-containing flame retardant resin is not limited to two or more types of phosphorus-containing epoxy resins, even if one kind of phosphorus-containing epoxy resin is used alone. You may mix and use. However, in consideration of the total amount of the phosphorus-containing flame retardant resin as the C component, when the weight of the epoxy resin composition constituting the semi-cured resin layer is 100% by weight, the phosphorus atom derived from the C component is 0.5% by weight. It is preferable to determine the addition amount so as to be in the range of% to 3.0% by weight. The phosphorus-containing epoxy resin has different amounts of phosphorus atoms contained in the epoxy skeleton depending on the type. Therefore, as described above, the phosphorus atom content can be designed with priority over the added amount of the C component.

次に、リン含有難燃性樹脂として、フォスファゼン系樹脂を用いる場合を説明する。フォスファゼン系樹脂は、リン及び窒素を構成元素とする二重結合を持つフォスファゼンを含む樹脂である。フォスファゼン系樹脂は、分子中の窒素とリンの相乗効果により、難燃性能を飛躍的に向上させることができる。また、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド誘導体と異なり、樹脂中で安定して存在し、マイグレーションの発生を防ぐ効果が得られる。   Next, a case where a phosphazene resin is used as the phosphorus-containing flame retardant resin will be described. The phosphazene resin is a resin containing phosphazene having a double bond having phosphorus and nitrogen as constituent elements. The phosphazene resin can dramatically improve the flame retardancy due to the synergistic effect of nitrogen and phosphorus in the molecule. In addition, unlike 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide derivatives, it exists stably in the resin, and the effect of preventing the occurrence of migration is obtained.

また、リン含有難燃性樹脂として、フォスファゼン系樹脂を用いる場合の樹脂組成物は、フォスファゼン系樹脂の1種類を単独で用いても、2種類以上のフォスファゼン系樹脂を混合して用いても構わない。但し、C成分としてのリン含有難燃性樹脂の総量を考慮して、半硬化樹脂層を構成するフォスファゼン系樹脂組成物重量を100重量%としたとき、C成分由来のリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲となるように添加量を定めることが好ましい。このことは、C成分として、リン含有エポキシ系樹脂とフォスファゼン系樹脂を混合して用いる場合も同様である。   Moreover, the resin composition in the case of using a phosphazene resin as the phosphorus-containing flame retardant resin may be used alone or in combination of two or more phosphazene resins. Absent. However, in consideration of the total amount of the phosphorus-containing flame retardant resin as the C component, when the weight of the phosphazene resin composition constituting the semi-cured resin layer is 100% by weight, the phosphorus atom derived from the C component is 0.5%. It is preferable to determine the addition amount so as to be in the range of wt% to 3.0 wt%. The same applies to the case where a phosphorus-containing epoxy resin and a phosphazene resin are mixed and used as the C component.

そして、C成分としてのリン含有難燃性樹脂は、リン含有エポキシ系樹脂、フォスファゼン系樹脂のいずれか一種またはこれらを混合したものを用いれば良い。リン含有難燃性樹脂としてリン含有エポキシ系樹脂を単独で用いる場合は、リン含有エポキシ系樹脂は、半硬化樹脂層を構成するエポキシ樹脂組成物を100重量部としたとき、5重量部〜50重量部の範囲で用いられることが好ましい。リン含有エポキシ系樹脂からなるC成分が5重量部未満の場合には、他の樹脂成分の配合割合を考慮すると、C成分由来のリン原子が不足し、難燃性を得ることが困難になる。一方、リン含有エポキシ系樹脂からなるC成分が50重量部を超えるようにしても、難燃性向上効果も飽和すると同時に、硬化後の樹脂層が脆くなるため好ましくない。   As the phosphorus-containing flame retardant resin as the C component, any one of a phosphorus-containing epoxy resin and a phosphazene resin or a mixture thereof may be used. When the phosphorus-containing epoxy resin is used alone as the phosphorus-containing flame retardant resin, the phosphorus-containing epoxy resin is 5 parts by weight to 50 parts when the epoxy resin composition constituting the semi-cured resin layer is 100 parts by weight. It is preferably used in the range of parts by weight. When the C component comprising the phosphorus-containing epoxy resin is less than 5 parts by weight, considering the blending ratio of other resin components, phosphorus atoms derived from the C component are insufficient, and it becomes difficult to obtain flame retardancy. . On the other hand, even if the C component made of phosphorus-containing epoxy resin exceeds 50 parts by weight, the effect of improving flame retardancy is saturated, and at the same time, the cured resin layer becomes brittle.

また、リン含有難燃性樹脂として、フォスファゼン系樹脂を単独で用いる場合は、フォスファゼン系樹脂は、半硬化樹脂層を構成するエポキシ樹脂組成物を100重量部としたとき、2重量部〜18重量部の範囲で用いられることが好ましい。フォスファゼン系樹脂からなるC成分が2重量部未満の場合には、他の樹脂成分の配合割合を考慮すると、C成分由来のリン原子が不足し、難燃性を得ることが困難になる。一方、フォスファゼン系樹脂からなるC成分が18重量部を超えると、樹脂組成物のガラス転移点Tg、半田耐熱性、ピール強度が不十分となる傾向があるので好ましくない。   When a phosphazene resin is used alone as the phosphorus-containing flame retardant resin, the phosphazene resin is 2 to 18 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the epoxy resin composition constituting the semi-cured resin layer. It is preferably used in the range of parts. When the C component composed of the phosphazene resin is less than 2 parts by weight, the phosphorus atom derived from the C component is insufficient and it becomes difficult to obtain flame retardancy in consideration of the blending ratio of the other resin components. On the other hand, when the C component made of phosphazene resin exceeds 18 parts by weight, the glass transition point Tg, solder heat resistance, and peel strength of the resin composition tend to be insufficient, which is not preferable.

上述の硬化樹脂の「高Tg化」と「フレキシビリティ」とは、一般的に反比例する特性である。このときリン含有難燃性樹脂は、硬化後の樹脂のフレキシビリティの向上に寄与するもの、高Tg化に寄与するものが存在する。従って、1種類のリン含有難燃性エポキシ樹脂を用いるよりは、「高Tg化に寄与するリン含有難燃性エポキシ樹脂」と「フレキシビリティの向上に寄与するリン含有難燃性エポキシ樹脂」とをバランス良く配合して用いることで、フレキシブルプリント配線板用途で好適な樹脂組成とすることが可能である。   “High Tg” and “flexibility” of the cured resin described above are generally inversely proportional characteristics. At this time, there are phosphorus-containing flame retardant resins that contribute to the improvement of the flexibility of the cured resin and those that contribute to an increase in Tg. Therefore, rather than using one type of phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin, “phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin that contributes to higher Tg” and “phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin that contributes to improved flexibility” By mixing and using in a well-balanced manner, it is possible to obtain a resin composition suitable for flexible printed wiring board applications.

D成分は、沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤に可溶で、液状ゴム成分で変成されたゴム変成ポリアミドイミド樹脂である。このゴム変成ポリアミドイミド樹脂は、ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂とを反応させて得られるものである。ここで言う、ゴム変成ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂とを反応させて用いるのは、ポリアミドイミド樹脂そのものの柔軟性を向上させる目的で行う。すなわち、ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂とを反応させ、ポリアミドイミド樹脂の酸成分(シクロヘキサンジカルボン酸等)の一部をゴム成分に置換するのである。ゴム成分としては、天然ゴム及び合成ゴムを含み、後者の合成ゴムにはスチレン−ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、ブチルゴム、エチレン−プロピレンゴム等がある。更に、耐熱性を確保する観点からは、ニトリルゴム、クロロプレンゴム、シリコンゴム、ウレタンゴム等の耐熱性を備えた合成ゴムを選択使用することも有用である。これらのゴム性樹脂に関しては、ポリアミドイミド樹脂と反応して共重合体を製造するようになるため、両末端に種々の官能基を備えるものであることが望ましい。特に、カルボキシル基を有するCTBN(カルボキシ基末端ブタジエンニトリル)を用いることが有用である。なお、上記ゴム成分は、1種のみを共重合させても、2種以上を共重合させても構わない。更に、ゴム成分を用いる場合には、そのゴム成分の数平均分子量が1000以上のものを用いることが、当該フレキシビリティの安定化の観点から好ましい。   Component D is a rubber-modified polyamideimide resin that is soluble in a solvent having a boiling point in the range of 50 ° C. to 200 ° C. and modified with a liquid rubber component. This rubber-modified polyamideimide resin is obtained by reacting a polyamideimide resin and a rubber resin. The rubber-modified polyamide-imide resin and the rubber-like resin used here are reacted for the purpose of improving the flexibility of the polyamide-imide resin itself. That is, the polyamideimide resin and the rubber resin are reacted to replace a part of the acid component (cyclohexanedicarboxylic acid or the like) of the polyamideimide resin with the rubber component. The rubber component includes natural rubber and synthetic rubber. Examples of the latter synthetic rubber include styrene-butadiene rubber, butadiene rubber, butyl rubber, and ethylene-propylene rubber. Furthermore, from the viewpoint of ensuring heat resistance, it is also useful to selectively use a synthetic rubber having heat resistance such as nitrile rubber, chloroprene rubber, silicon rubber, urethane rubber and the like. Since these rubber resins react with the polyamide-imide resin to produce a copolymer, it is desirable to have various functional groups at both ends. In particular, it is useful to use CTBN (carboxy group-terminated butadiene nitrile) having a carboxyl group. In addition, the said rubber component may copolymerize only 1 type or may copolymerize 2 or more types. Further, when a rubber component is used, it is preferable to use a rubber component having a number average molecular weight of 1000 or more from the viewpoint of stabilization of the flexibility.

ゴム変成ポリアミドイミド樹脂を重合させる際に、ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂との溶解に使用する溶剤には、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ニトロメタン、ニトロエタン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトニトリル、γ−ブチロラクトン等を、1種又は2種以上を混合して用いることが好ましい。そして、重合反応を起こさせるには、80℃〜200℃の範囲の重合温度を採用することが好ましい。これらの重合に沸点が200℃を超える溶剤を用いた場合には、その後、用途に応じて沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤に溶媒置換することが好ましい。   Solvents used for dissolving the polyamideimide resin and the rubbery resin when polymerizing the rubber-modified polyamideimide resin include dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylsulfoxide, nitromethane, nitroethane, tetrahydrofuran , Cyclohexanone, methyl ethyl ketone, acetonitrile, γ-butyrolactone, and the like are preferably used alone or in combination. And in order to raise | generate a polymerization reaction, it is preferable to employ | adopt the polymerization temperature of the range of 80 to 200 degreeC. When a solvent having a boiling point of more than 200 ° C. is used for these polymerizations, it is preferable that the solvent be replaced with a solvent having a boiling point in the range of 50 ° C. to 200 ° C., depending on the application.

ここで、前記沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤とは、メチルエチルケトン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等の群から選ばれる1種の単独溶剤又は2種以上の混合溶剤が挙げられる。沸点が50℃未満の場合には、加熱による溶剤の気散が著しくなり、樹脂ワニスの状態から半硬化樹脂とする場合に、良好な半硬化状態が得られにくくなる。一方、沸点が200℃を超える場合には、樹脂ワニスの状態から半硬化樹脂とする場合に、バブリングが起こりやすくなるため、良好な半硬化樹脂膜を得にくくなる。   Here, examples of the solvent having a boiling point in the range of 50 ° C. to 200 ° C. include one single solvent or two or more mixed solvents selected from the group of methyl ethyl ketone, dimethylacetamide, dimethylformamide and the like. When the boiling point is lower than 50 ° C., the solvent is greatly diffused by heating, and it is difficult to obtain a good semi-cured state when the resin varnish is changed to a semi-cured resin. On the other hand, when the boiling point exceeds 200 ° C., bubbling is likely to occur when the resin varnish is used as a semi-cured resin, so that it is difficult to obtain a good semi-cured resin film.

エポキシ樹脂組成物で用いるゴム変成ポリアミドイミド樹脂の中で、ゴム変成ポリアミドイミド樹脂の重量を100重量%としたとき、ゴム成分の共重合量は0.8重量%以上であることが好ましい。当該共重合量が0.8重量%未満の場合には、ゴム変成ポリアミドイミド樹脂としても、本件発明に言うエポキシ樹脂組成物を用いて形成した樹脂層を硬化させたときのフレキシビリティが欠如し、銅箔との密着性も低下するため好ましくない。なお、より好ましくは、当該ゴム成分の共重合量は3重量%以上、更に好ましくは5重量%以上がより好ましい。経験的に40重量%を超えてゴム成分の添加量を向上させても、特段の問題はない。しかし、当該硬化後の樹脂層のフレキシビリティの向上効果は飽和するために資源の無駄となり好ましくない。   Among the rubber-modified polyamideimide resins used in the epoxy resin composition, when the weight of the rubber-modified polyamideimide resin is 100% by weight, the copolymerization amount of the rubber component is preferably 0.8% by weight or more. When the copolymerization amount is less than 0.8% by weight, the rubber-modified polyamideimide resin lacks flexibility when the resin layer formed using the epoxy resin composition according to the present invention is cured. In addition, the adhesiveness with the copper foil is also lowered, which is not preferable. More preferably, the copolymerization amount of the rubber component is 3% by weight or more, more preferably 5% by weight or more. Empirically, there is no particular problem even if the amount of the rubber component added is increased beyond 40% by weight. However, since the effect of improving the flexibility of the cured resin layer is saturated, resources are wasted, which is not preferable.

以上に述べてきたゴム変成ポリアミドイミド樹脂には、溶剤に可溶であるという性質が求められる。溶剤に可溶でなければ、樹脂ワニスとしての調製が困難だからである。このゴム変成ポリアミドイミド樹脂は、樹脂組成物の重量を100重量部としたとき、10重量部〜40重量部の配合割合で用いることが好ましい。ゴム変成ポリアミドイミド樹脂が10重量部未満の場合には、硬化後の樹脂層のフレキシビリティは向上させ得ず脆くなり、樹脂層へのマイクロクラックを生じやすくなる。一方、40重量部を越えてゴム変成ポリアミドイミド樹脂を添加しても特に支障はないが、それ以上に硬化後の樹脂層のフレキシビリティは向上せず、硬化後の樹脂の高Tg化が図れない。従って、経済性を考慮すれば、40重量部が上限値であると言える。   The rubber-modified polyamideimide resin described above is required to be soluble in a solvent. This is because preparation as a resin varnish is difficult unless it is soluble in a solvent. This rubber-modified polyamideimide resin is preferably used in a blending ratio of 10 to 40 parts by weight, when the weight of the resin composition is 100 parts by weight. When the rubber-modified polyamideimide resin is less than 10 parts by weight, the flexibility of the cured resin layer cannot be improved and becomes brittle, and microcracks are easily generated in the resin layer. On the other hand, adding rubber-modified polyamideimide resin in excess of 40 parts by weight has no particular problem, but the flexibility of the cured resin layer is not improved further, and the cured resin can have a higher Tg. Absent. Therefore, considering the economy, it can be said that 40 parts by weight is the upper limit.

E成分の樹脂硬化剤に関して述べる。ここで言う樹脂硬化剤は、ビフェニル型フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂の1種又は2種以上を用いることが好ましい。この樹脂硬化剤の添加量は、硬化させる樹脂に対する反応当量から自ずと導き出されるものであり、特段の量的な限定を要するものではない。しかしながら、本件発明に用いるエポキシ樹脂組成物の場合には、当該エポキシ樹脂組成物を100重量部としたとき、E成分を20重量部〜35重量部の範囲で用いることが好ましい。このE成分が20重量部未満の場合には、上記樹脂組成を考慮すると、十分な硬化状態を得ることが出来なくなり、硬化後の樹脂としてフレキシビリティを得ることが出来なくなる。一方、E成分が35重量部を超える場合には、硬化した後の樹脂層の耐吸湿特性が劣化する傾向にあり、好ましくない。   The E component resin curing agent will be described. As the resin curing agent referred to here, it is preferable to use one or more of biphenyl type phenol resin and phenol aralkyl type phenol resin. The addition amount of the resin curing agent is naturally derived from the reaction equivalent to the resin to be cured, and does not require any particular quantitative limitation. However, in the case of the epoxy resin composition used in the present invention, the E component is preferably used in the range of 20 to 35 parts by weight when the epoxy resin composition is 100 parts by weight. When the E component is less than 20 parts by weight, considering the resin composition, a sufficient cured state cannot be obtained, and flexibility as a cured resin cannot be obtained. On the other hand, when the E component exceeds 35 parts by weight, the moisture absorption resistance of the cured resin layer tends to deteriorate, which is not preferable.

以上に示した樹脂組成物に溶剤を加えて樹脂ワニスとして用い、プリント配線板の接着層として熱硬化性樹脂層を形成する。当該樹脂ワニスは、上述の樹脂組成物に溶剤を加えて、樹脂固形分量が30wt%〜70wt%の範囲に調製し、MIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して測定したときのレジンフローが5%〜35%の範囲にある半硬化樹脂膜の形成が可能なことを特徴とする。ここで言う溶剤には、沸点が50℃〜200℃の範囲であり、メチルエチルケトン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等の群から選ばれる1種の単独溶剤又は2種以上の混合溶剤を用いることが好ましい。上述のように良好な半硬化樹脂膜を得るためである。そして、ここに示した樹脂固形分量の範囲が、銅箔の表面に塗布したときに、最も膜厚を精度の良いものに制御できる範囲である。樹脂固形分が30wt%未満の場合には、粘度が低すぎて、銅箔表面への塗布直後に流れて膜厚均一性を確保しにくい。これに対して、樹脂固形分が70wt%を越えると、粘度が高くなり、銅箔表面への薄膜形成が困難となる。なお、レジンフローが、5%未満の場合には、内層コア材の表面にある内層回路の凹凸部等にエアーの噛み込み等を起こすため好ましくない。一方、当該レジンフローが、35%を超える場合には、レジンフローが大きくなりすぎて、樹脂層を有する表面処理銅箔の樹脂層を用いて形成する絶縁層の厚さが不均一になる。
表面処理銅箔に前記硬化樹脂層および、半硬化樹脂層を設けた場合、立体成型プリント配線板製造用途に適した、樹脂層を有する表面処理銅箔を提供することができる。
A solvent is added to the resin composition shown above and used as a resin varnish, and a thermosetting resin layer is formed as an adhesive layer of a printed wiring board. The resin varnish is prepared by adding a solvent to the above resin composition so that the resin solid content is in the range of 30 wt% to 70 wt%, and the resin flow when measured in accordance with MIL-P-13949G in the MIL standard. A semi-cured resin film in the range of 5% to 35% can be formed. As the solvent, the boiling point is in the range of 50 ° C. to 200 ° C., and it is preferable to use one kind of single solvent or two or more kinds of mixed solvents selected from the group of methyl ethyl ketone, dimethylacetamide, dimethylformamide and the like. This is to obtain a good semi-cured resin film as described above. And the range of the resin solid content shown here is a range in which the film thickness can be controlled to the most accurate one when applied to the surface of the copper foil. When the resin solid content is less than 30 wt%, the viscosity is too low, and it flows immediately after application to the copper foil surface, making it difficult to ensure film thickness uniformity. On the other hand, when the resin solid content exceeds 70 wt%, the viscosity increases and it becomes difficult to form a thin film on the surface of the copper foil. In addition, when the resin flow is less than 5%, it is not preferable because air entrapment or the like occurs in the uneven portions of the inner layer circuit on the surface of the inner layer core material. On the other hand, when the resin flow exceeds 35%, the resin flow becomes too large, and the thickness of the insulating layer formed using the resin layer of the surface-treated copper foil having the resin layer becomes nonuniform.
When the cured resin layer and the semi-cured resin layer are provided on the surface-treated copper foil, it is possible to provide a surface-treated copper foil having a resin layer suitable for three-dimensional molded printed wiring board manufacturing applications.

また、前記樹脂層は前記半硬化絶縁層の片面に引き剥がし可能な保護フィルムを備えることが好ましい。前記保護フィルムには公知の絶縁フィルムや樹脂フィルムを用いることができる。例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、金属箔等を前記保護フィルムに用いることができる。
なお、前記樹脂層は硬化剤および/または硬化促進剤を含んでもよい。
前記樹脂層はMIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して測定したときのレジンフローが5%以内である樹脂組成物で形成された樹脂層であってもよい。
前記樹脂層は5重量部〜50重量部のエポキシ樹脂(硬化剤を含む)、50重量部〜95重量部の溶剤に可溶なポリエーテルサルホン、及び、必要に応じて適宜量添加する硬化促進剤からなる樹脂組成物を用いて構成したものであってもよい。
Moreover, it is preferable that the said resin layer is equipped with the protective film which can be peeled off to the single side | surface of the said semi-hardened insulating layer. A known insulating film or resin film can be used for the protective film. For example, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a metal foil, or the like can be used for the protective film.
The resin layer may contain a curing agent and / or a curing accelerator.
The resin layer may be a resin layer formed of a resin composition having a resin flow of 5% or less when measured according to MIL-P-13949G in the MIL standard.
The resin layer is 5 parts by weight to 50 parts by weight of an epoxy resin (including a curing agent), 50 parts by weight to 95 parts by weight of a polyether sulfone soluble in a solvent, and curing that is added in an appropriate amount as necessary. What was comprised using the resin composition which consists of an accelerator may be used.

また、前記樹脂層は以下に示す成分A〜成分Dを、下記含有量(但し、エポキシ樹脂
硬化剤を除き、樹脂組成物を100重量部としたときの重量部として記載)の範囲で含む
樹脂組成物で形成したものであってもよい。
成分A: 25℃における引張強度200MPa以上のポリアミドイミド樹脂 10重量
部〜20重量部
成分B: 25℃における引張強度100MPa以下のポリアミドイミド樹脂 20重量
部〜40重量部
成分C: エポキシ樹脂
成分D: エポキシ樹脂硬化剤
前記樹脂層は半硬化樹脂層であってもよい。
In addition, the resin layer contains the following components A to D in a range of the following content (provided that the resin composition is 100 parts by weight excluding the epoxy resin curing agent). It may be formed of a composition.
Component A: Polyamideimide resin having a tensile strength of 200 MPa or more at 25 ° C. 10 to 20 parts by weight Component B: Polyamideimide resin having a tensile strength of 100 MPa or less at 25 ° C. 20 to 40 parts by weight Component C: Epoxy resin component D: Epoxy resin curing agent The resin layer may be a semi-cured resin layer.

前記成分Aは、25℃における引張強度200MPa以上のポリアミドイミド樹脂である。ここで言う「引張強度200MPa以上のポリアミドイミド樹脂」とは、例えば、トリメリット酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物及びビトリレンジイソシアネートをN−メチル−2−ピロリドン又は/及びN,N−ジメチルアセトアミド等の溶剤中で加熱することで得られる樹脂等である。ここで、上限値を記載していないがポリイミドアミド樹脂の引張強度を考慮すると、このポリアミドイミド樹脂の引張強度の上限は、500MPa程度である。なお、本件発明における成分A及び成分Bに係るポリアミドイミド樹脂の引張強度は、ポリアミドイミド樹脂溶液から、JIS K7113に定めるフィルム状の2号試験片(全長115mm、チャック間距離80±5mm、平行部長さ33±2mm、平行部幅6±0.4mm、フィルム厚1〜3mm)を用いて、引張試験機で測定した値である。   The component A is a polyamideimide resin having a tensile strength of 200 MPa or more at 25 ° C. Here, “polyamideimide resin having a tensile strength of 200 MPa or more” means, for example, trimellitic acid anhydride, benzophenone tetracarboxylic acid anhydride and vitorylene diisocyanate as N-methyl-2-pyrrolidone or / and N, N— A resin obtained by heating in a solvent such as dimethylacetamide. Here, although the upper limit is not described, the upper limit of the tensile strength of the polyamide-imide resin is about 500 MPa in consideration of the tensile strength of the polyimide amide resin. In addition, the tensile strength of the polyamide-imide resin according to Component A and Component B in the present invention was determined from the polyamide-imide resin solution using a film-shaped No. 2 test piece as defined in JIS K7113 (total length 115 mm, distance between chucks 80 ± 5 mm, parallel part length) The thickness is 33 ± 2 mm, the parallel part width is 6 ± 0.4 mm, and the film thickness is 1 to 3 mm.

前記成分Bは、25℃における引張強度100MPa以下のポリアミドイミド樹脂である。ここで言う「引張強度100MPa以下のポリアミドイミド樹脂」とは、例えば、トリメリット酸無水物、ジフェニルメタンジイソシアネート及びカルボキシル基末端アクリロニトリル−ブタジエンゴムをN−メチル−2−ピロリドン又は/及びN,N−ジメチルアセトアミド等の溶剤中で加熱することで得られるものである。
前記成分C(エポキシ樹脂)の含有量は、樹脂組成物を100重量部としたとき、40重量部〜70重量部であってもよい。なお、エポキシ樹脂としては前述のエポキシ樹脂を用いることができる。前記成分D(エポキシ樹脂硬化剤)の含有量は、樹脂組成物に対して、エポキシ樹脂の硬化可能な程度のイミダゾール化合物を含有させるものであることが好ましい。前記半硬化樹脂層は、前記樹脂組成物で形成した揮発分が1wt%未満の半硬化状態の樹脂層であることが好ましい。上記含有量を満たした場合、樹脂層を有する表面処理銅箔をロール状で保管又は輸送しても、樹脂層を有する表面処理銅箔の樹脂層から表面処理銅箔への有機溶剤の転写が無く、しかも、耐熱性、表面処理銅箔との接着性の各特性に優れる樹脂層を備える表面処理銅箔を得ることができる。
The component B is a polyamideimide resin having a tensile strength at 25 ° C. of 100 MPa or less. Here, “polyamideimide resin having a tensile strength of 100 MPa or less” means, for example, trimellitic anhydride, diphenylmethane diisocyanate, and carboxyl group-terminated acrylonitrile-butadiene rubber with N-methyl-2-pyrrolidone and / or N, N-dimethyl. It is obtained by heating in a solvent such as acetamide.
The content of component C (epoxy resin) may be 40 to 70 parts by weight when the resin composition is 100 parts by weight. In addition, the above-mentioned epoxy resin can be used as an epoxy resin. The content of component D (epoxy resin curing agent) is preferably such that the resin composition contains an imidazole compound that can cure the epoxy resin. The semi-cured resin layer is preferably a semi-cured resin layer having a volatile content of less than 1 wt% formed from the resin composition. When the above content is satisfied, even if the surface-treated copper foil having the resin layer is stored or transported in a roll shape, the transfer of the organic solvent from the resin layer of the surface-treated copper foil having the resin layer to the surface-treated copper foil can be performed. In addition, it is possible to obtain a surface-treated copper foil provided with a resin layer having excellent heat resistance and adhesive properties with the surface-treated copper foil.

ここで、イミダゾール化合物は、公知のものを用いることができ、例えば、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールなどが挙げられ、これらを単独若しくは混合して用いることができる。   Here, as the imidazole compound, known compounds can be used. For example, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1- Cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl- 5-hydroxymethylimidazole etc. are mentioned, These can be used individually or in mixture.

なお、添加すべき硬化剤の量は、エポキシ樹脂の量、工程で要求する硬化速度等に応じて必然的に定まるものである。敢えて硬化剤としてのイミダゾール化合物の添加量を記載すると、樹脂組成物100重量部としたとき(但し、この場合は、成分A〜成分D全ての樹脂組成物を100重量部としたときの重量部として記載)、当該樹脂組成物中に0.01重量部〜2重量部の範囲で配合して用いる。そして、イミダゾール化合物の配合量は、0.02重量部〜1.5重量部がより好ましく、更に好ましくは、0.03重量部〜1.0重量部である。このイミダゾール化合物の配合量が0.01重量部未満の場合には、上記エポキシ樹脂の含有量を考慮すると硬化が不十分となる場合があり、樹脂層を有する表面処理銅箔の樹脂層同士を張り合わせる際の接着強度が低下する。一方、イミダゾール化合物の配合量が2重量部を超える場合には、エポキシ樹脂の硬化反応が速くなり、硬化後の樹脂層が脆くなり、硬化樹脂フィルムの強度、樹脂付銅箔の樹脂層同士を張り合わせる際の接着性が低下する場合がある。
なお、成分Cのエポキシ樹脂、成分Dのエポキシ樹脂硬化剤には公知の成分Cのエポキシ樹脂、成分Dのエポキシ樹脂硬化剤または本願明細書に記載の成分Cのエポキシ樹脂、成分Dのエポキシ樹脂硬化剤を用いることができる。
The amount of the curing agent to be added is inevitably determined according to the amount of epoxy resin, the curing rate required in the process, and the like. When the addition amount of the imidazole compound as a curing agent is described, when the resin composition is 100 parts by weight (however, in this case, all parts A to D are 100 parts by weight of the resin composition). In the range of 0.01 to 2 parts by weight in the resin composition. And the compounding quantity of an imidazole compound has more preferable 0.02 weight part-1.5 weight part, More preferably, it is 0.03 weight part-1.0 weight part. When the blending amount of the imidazole compound is less than 0.01 parts by weight, the curing may be insufficient in consideration of the content of the epoxy resin, and the resin layers of the surface-treated copper foil having a resin layer may be combined. Adhesive strength at the time of bonding decreases. On the other hand, when the compounding amount of the imidazole compound exceeds 2 parts by weight, the curing reaction of the epoxy resin is accelerated, the resin layer after curing becomes brittle, the strength of the cured resin film, the resin layers of the copper foil with resin, Adhesiveness at the time of pasting may deteriorate.
In addition, the epoxy resin of component C, the epoxy resin curing agent of component D, the known epoxy resin of component C, the epoxy resin curing agent of component D or the epoxy resin of component C described in this specification, the epoxy resin of component D A curing agent can be used.

前記樹脂層は半硬化状態における耐吸湿特性を備える樹脂組成物であって、当該樹脂組成物は、以下のA成分〜E成分を含み、樹脂組成物重量を100重量%としたときリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲で含有した樹脂組成物を用いて形成されてもよい。
A成分: エポキシ当量が200以下で、25℃で液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上。
B成分: 架橋可能な官能基を有する線状ポリマー。
C成分: 架橋剤。
D成分: イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤。
E成分: リン含有エポキシ樹脂。
前記B成分である官能基を有する線状ポリマーは、沸点が50℃〜200℃の温度の有機溶剤に可溶なポリマー成分であることが好ましい。具体的にはポリビニルアセタール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアミドイミド樹脂等である。前記架橋可能な官能基を有する線状ポリマーは、樹脂組成物を100重量部としたとき、3重量部〜30重量部の配合割合で用いられることが好ましい。当該エポキシ樹脂が3重量部未満の場合には、樹脂流れが大きくなる場合がある。この結果、製造した銅張積層板の端部から樹脂粉の発生が多く見られる場合があり、半硬化状態での樹脂層の耐吸湿性も改善出来ない場合がある。一方、30重量部を超えても、樹脂流れが小さい場合があり、製造した銅張積層板の絶縁層内にボイド等の欠陥を生じやすくなる場合がある。
The resin layer is a resin composition having moisture absorption resistance in a semi-cured state, and the resin composition includes the following components A to E, and contains phosphorus atoms when the resin composition weight is 100% by weight. You may form using the resin composition contained in 0.5 weight%-3.0 weight%.
Component A: One or more selected from the group consisting of bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, and bisphenol AD type epoxy resin having an epoxy equivalent of 200 or less and liquid at 25 ° C.
Component B: A linear polymer having a crosslinkable functional group.
Component C: Crosslinking agent.
D component: Imidazole-based epoxy resin curing agent.
E component: Phosphorus-containing epoxy resin.
The linear polymer having a functional group as the component B is preferably a polymer component soluble in an organic solvent having a boiling point of 50 ° C. to 200 ° C. Specifically, polyvinyl acetal resin, phenoxy resin, polyethersulfone resin, polyamideimide resin, and the like. The linear polymer having a crosslinkable functional group is preferably used in a blending ratio of 3 to 30 parts by weight when the resin composition is 100 parts by weight. When the epoxy resin is less than 3 parts by weight, the resin flow may increase. As a result, a large amount of resin powder may be observed from the end of the produced copper-clad laminate, and the moisture absorption resistance of the resin layer in a semi-cured state may not be improved. On the other hand, even if it exceeds 30 parts by weight, the resin flow may be small, and defects such as voids may easily occur in the insulating layer of the produced copper-clad laminate.

また、ここで言う沸点が50℃〜200℃の温度の有機溶剤を具体的に例示すると、メタノール、エタノール、メチルエチルケトン、トルエン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、シクロヘキサノン、エチルセロソルブ等の群から選ばれる1種の単独溶剤又は2種以上の混合溶剤である。沸点が50℃未満の場合には、加熱による溶剤の気散が著しく、樹脂ワニスの状態から半硬化樹脂とする場合に、良好な半硬化状態が得られにくくなる場合がある。一方、沸点が200℃を超える場合には、半硬化状態で溶剤が残りやすい場合がある。そして、通常要求される揮発速度を満足せず、工業生産性を満足しない可能性がある。
C成分は、B成分とエポキシ樹脂との架橋反応を起こさせるための架橋剤である。この架橋剤には、ウレタン系樹脂を使用することが好ましい。この架橋剤は、B成分の混合量に応じて添加されるものであり、本来厳密にその配合割合を明記する必要性はないものと考える。しかしながら、樹脂組成物を100重量部としたとき、10重量部以下の配合割合で用いる事が好ましい。10重量部を超えて、ウレタン系樹脂であるC成分が存在すると、半硬化状態での樹脂層の耐吸湿性が劣化し、硬化後の樹脂層が脆くなるからである。
Specific examples of the organic solvent having a boiling point of 50 ° C. to 200 ° C. mentioned here include groups such as methanol, ethanol, methyl ethyl ketone, toluene, propylene glycol monomethyl ether, dimethylformamide, dimethylacetamide, cyclohexanone, and ethyl cellosolve. 1 type of single solvent chosen from these, or 2 or more types of mixed solvents. When the boiling point is less than 50 ° C., the solvent is greatly diffused by heating, and it may be difficult to obtain a good semi-cured state from the resin varnish to the semi-cured resin. On the other hand, when the boiling point exceeds 200 ° C., the solvent may easily remain in a semi-cured state. In addition, the normally required volatilization rate may not be satisfied, and industrial productivity may not be satisfied.
The component C is a crosslinking agent for causing a crosslinking reaction between the component B and the epoxy resin. As this crosslinking agent, it is preferable to use a urethane-based resin. This cross-linking agent is added according to the mixing amount of the B component, and it is considered that there is no need to specify the mixing ratio strictly strictly. However, when the resin composition is 100 parts by weight, it is preferably used at a blending ratio of 10 parts by weight or less. If the C component which is a urethane-based resin is present exceeding 10 parts by weight, the moisture absorption resistance of the resin layer in the semi-cured state is deteriorated, and the cured resin layer becomes brittle.

D成分は、イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤である。本件発明に係る樹脂組成物で、半硬化状態の樹脂層の耐吸湿性を向上させるという観点からイミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤を選択的に用いる事が好ましい。中でも、以下の化8に示す構造式を備えるイミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤を用いる事が好ましい。この化8に示す構造式のイミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤を用いることで、半硬化状態の樹脂層の耐吸湿性を顕著に向上でき、長期保存安定性に優れる。なお、エポキシ樹脂に対するエポキシ樹脂硬化剤の添加量は、反応当量から計算するのではなく、実験上得られる最適量を採用することが好ましい。イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤は、エポキシ樹脂の硬化に際して触媒的な働きを行うものであり、硬化反応の初期段階において、エポキシ樹脂の自己重合反応を引き起こす反応開始剤として寄与するからである。   Component D is an imidazole epoxy resin curing agent. In the resin composition according to the present invention, it is preferable to selectively use an imidazole epoxy resin curing agent from the viewpoint of improving the moisture absorption resistance of the semi-cured resin layer. Among these, it is preferable to use an imidazole-based epoxy resin curing agent having the structural formula shown in Chemical Formula 8 below. By using the imidazole-type epoxy resin curing agent having the structural formula shown in Chemical Formula 8, the moisture absorption resistance of the semi-cured resin layer can be remarkably improved, and the long-term storage stability is excellent. In addition, it is preferable to employ | adopt the optimal amount obtained experimentally as the addition amount of the epoxy resin hardening | curing agent with respect to an epoxy resin rather than calculating from a reaction equivalent. This is because the imidazole-based epoxy resin curing agent performs a catalytic function in curing the epoxy resin and contributes as a reaction initiator that causes a self-polymerization reaction of the epoxy resin in the initial stage of the curing reaction.

前記E成分であるリン含有エポキシ樹脂は、分子内に2以上のエポキシ基を備える9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂であることが好ましい。
10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドの構造式は下記の通りである。
The phosphorus-containing epoxy resin as the E component is an epoxy resin obtained as a derivative from 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide having two or more epoxy groups in the molecule. It is preferable.
The structural formula of 10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide is as follows.

この9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂は、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドにナフトキノンやハイドロキノンを反応させて、以下の化10(HCA−NQ)又は化11(HCA−HQ)に示す化合物とした後に、そのOH基の部分にエポキシ樹脂を反応させてリン含有エポキシ樹脂としたものである。   The epoxy resin obtained as a derivative from 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide is converted to 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide. After reacting naphthoquinone or hydroquinone to obtain a compound represented by the following chemical formula 10 (HCA-NQ) or chemical formula 11 (HCA-HQ), an epoxy resin is reacted with the OH group portion to obtain a phosphorus-containing epoxy resin. Is.

上述の化合物を原料として得られた前記E成分であるリン含有エポキシ樹脂は、以下に示す化12〜化14のいずれかに示す構造式を備える化合物の1種又は2種を混合して用いることが好ましい。半硬化状態での樹脂品質の安定性に優れ、同時に難燃性効果が高いためである。   The phosphorus-containing epoxy resin, which is the E component obtained using the above-mentioned compound as a raw material, is used by mixing one or two kinds of compounds having the structural formula shown in any one of Chemical Formulas 12 to 14 below. Is preferred. This is because the resin quality in a semi-cured state is excellent in stability, and at the same time, the flame retardant effect is high.

前記樹脂組成物は樹脂組成物重量を100重量部としたとき、A成分が3重量部〜20重量部、B成分が3重量部〜30重量部、樹脂組成物重量を100重量%としたときリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲となるようにE成分の重量部を定める樹脂組成物であることが好ましい。   When the resin composition has a resin composition weight of 100 parts by weight, the A component is 3 parts by weight to 20 parts by weight, the B component is 3 parts by weight to 30 parts by weight, and the resin composition weight is 100% by weight. The resin composition is preferably a resin composition in which parts by weight of the E component are determined so that the phosphorus atom is in the range of 0.5 wt% to 3.0 wt%.

前記樹脂層は、以下のA成分〜F成分の各成分を含む樹脂組成物を用いて形成してもよい。
A成分: エポキシ当量が200以下で、25℃で液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上。
B成分: 架橋可能な官能基を有する線状ポリマー。
C成分: 架橋剤(但し、A成分がB成分の架橋剤として機能する場合には省略可。)。D成分: 4,4’−ジアミノジフェニルスルホン又は2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン。
E成分: 難燃性エポキシ樹脂。
F成分: 多官能エポキシ樹脂。
G成分: 硬化促進剤。
前記B成分である架橋可能な官能基を有する線状ポリマーは、ポリビニルアセタール樹脂又はポリアミドイミド樹脂であることが好ましい。
前記C成分である架橋剤は、ウレタン系樹脂であることが好ましい。
前記E成分である難燃性エポキシ樹脂は、分子内に2以上のエポキシ基を備えるテトラブロモビスフェノールAからの誘導体として得られる化15に示す構造式を備える臭素化エポキシ樹脂、以下に示す化16に示す構造式を備える臭素化エポキシ樹脂の1種又は2種を混合して用いることが好ましい。
You may form the said resin layer using the resin composition containing each component of the following A component-F component.
Component A: One or more selected from the group consisting of bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, and bisphenol AD type epoxy resin having an epoxy equivalent of 200 or less and liquid at 25 ° C.
Component B: A linear polymer having a crosslinkable functional group.
Component C: Crosslinking agent (provided that the component A can be omitted when the component A functions as a crosslinking agent for the component B). Component D: 4,4′-diaminodiphenylsulfone or 2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane.
E component: Flame retardant epoxy resin.
F component: Polyfunctional epoxy resin.
G component: A curing accelerator.
The linear polymer having a crosslinkable functional group as the component B is preferably a polyvinyl acetal resin or a polyamideimide resin.
It is preferable that the crosslinking agent as the component C is a urethane resin.
The flame retardant epoxy resin as the component E is a brominated epoxy resin having the structural formula shown in Chemical formula 15 obtained as a derivative from tetrabromobisphenol A having two or more epoxy groups in the molecule, and chemical formula 16 shown below. It is preferable to use one or two brominated epoxy resins having the structural formula shown in FIG.

前記E成分である難燃性エポキシ樹脂は、分子内に2以上のエポキシ基を備える9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド誘導体であるリン含有エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
前記E成分である難燃性エポキシ樹脂は、以下に示す化17〜化19のいずれかに示す構造式を備えるリン含有エポキシ樹脂の1種又は2種を混合して用いることが好ましい。
The flame retardant epoxy resin which is the E component uses a phosphorus-containing epoxy resin which is a 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide derivative having two or more epoxy groups in the molecule. It is preferable.
The flame retardant epoxy resin as the component E is preferably used by mixing one or two phosphorus-containing epoxy resins having the structural formula shown in any one of the following chemical formulas 17 to 19.

前記F成分の多官能エポキシ樹脂としてオルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
前記樹脂層を形成するための樹脂組成物の重量を100重量部としたとき、A成分が3重量部〜20重量部、B成分が3重量部〜30重量部、C成分が3重量部〜10重量部(A成分がB成分の架橋剤として機能する場合には0重量部〜10重量部)、D成分が5重量部〜20重量部、F成分が3重量部〜20重量部であり、樹脂組成物重量を100重量%としたとき、E成分由来の臭素原子を12重量%〜18重量%の範囲含有するようにE成分の重量部を定めることが好ましい。
前記樹脂層を形成するための樹脂組成物の重量を100重量部としたとき、A成分が3重量部〜20重量部、B成分が3重量部〜30重量部、C成分が3重量部〜10重量部(A成分がB成分の架橋剤として機能する場合には0重量部〜10重量部)、D成分が5重量部〜20重量部、F成分が3重量部〜20重量部であり、樹脂組成物重量を100重量%としたとき、E成分由来のリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲含有するようにE成分の重量部を定めるものであることが好ましい。
前記樹脂層を形成するための樹脂組成物はG成分として硬化促進剤を含むことが好ましい。
前記樹脂層は以下の工程a、工程bの手順で樹脂層の形成に用いる樹脂ワニスを調製し、当該樹脂ワニスを表面処理銅箔の表面に塗布し、乾燥させることで5μm〜100μmの平均厚さの半硬化樹脂膜を形成してされることが好ましい。
工程a: 前記A成分、B成分、C成分(A成分がB成分の架橋剤として機能する場合には省略可)、D成分、E成分、F成分、G成分の内、A成分〜F成分を必須成分とした樹脂組成物の重量を100重量%としたとき、E成分由来の臭素原子を12重量%〜18重量%の範囲又はリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲で含有するように各成分を混合して樹脂組成物とする。
工程b: 前記樹脂組成物を、有機溶剤を用いて溶解し、樹脂固形分量が25重量%〜50重量%の樹脂ワニスとする。
It is preferable to use an ortho cresol novolac type epoxy resin as the polyfunctional epoxy resin of the F component.
When the weight of the resin composition for forming the resin layer is 100 parts by weight, the A component is 3 to 20 parts by weight, the B component is 3 to 30 parts by weight, and the C component is 3 parts by weight. 10 parts by weight (0 to 10 parts by weight when the A component functions as a crosslinking agent for the B component), 5 to 20 parts by weight of the D component, and 3 to 20 parts by weight of the F component When the weight of the resin composition is 100% by weight, it is preferable to determine the weight part of the E component so that the bromine atom derived from the E component is contained in the range of 12% by weight to 18% by weight.
When the weight of the resin composition for forming the resin layer is 100 parts by weight, the A component is 3 to 20 parts by weight, the B component is 3 to 30 parts by weight, and the C component is 3 parts by weight. 10 parts by weight (0 to 10 parts by weight when the A component functions as a crosslinking agent for the B component), 5 to 20 parts by weight of the D component, and 3 to 20 parts by weight of the F component In addition, when the weight of the resin composition is 100% by weight, it is preferable that the part by weight of the E component is determined so that the phosphorus atom derived from the E component is contained in the range of 0.5% by weight to 3.0% by weight. .
The resin composition for forming the resin layer preferably contains a curing accelerator as the G component.
The said resin layer prepares the resin varnish used for formation of a resin layer with the procedure of the following processes a and process b, applies the said resin varnish to the surface of surface-treated copper foil, and is dried, and average thickness of 5 micrometers-100 micrometers It is preferable to form a semi-cured resin film.
Step a: A component to F component among the A component, B component, C component (may be omitted when the A component functions as a crosslinking agent for the B component), D component, E component, F component, G component When the weight of the resin composition containing as an essential component is 100% by weight, the bromine atom derived from the E component is in the range of 12% to 18% by weight or the phosphorus atom is 0.5% to 3.0% by weight. Each component is mixed so that it may be contained in a range to obtain a resin composition.
Process b: The said resin composition is melt | dissolved using an organic solvent, and it is set as the resin varnish whose resin solid content is 25 to 50 weight%.

前記樹脂層は以下のA成分〜E成分の各成分を含む樹脂組成物を用いて形成されることが好ましい。
A成分: エポキシ当量が200以下で、室温で液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上からなるエポキシ樹脂。
B成分: 高耐熱性エポキシ樹脂。
C成分: リンを含有した難燃性エポキシ樹脂。
D成分: 沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤に可溶な性質を備える液状ゴム成分で変成したゴム変成ポリアミドイミド樹脂。
E成分: ビフェニル型フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂の1種又は2種以上からなる樹脂硬化剤。
前記樹脂層は前記A成分〜E成分の各成分に加えて、更にF成分としてエポキシ樹脂との反応性を有さないリン含有難燃剤を含む樹脂組成物を用いて形成されることが好ましい。
The resin layer is preferably formed using a resin composition containing the following components A to E.
Component A: An epoxy resin having one or more selected from the group consisting of a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, and a bisphenol AD type epoxy resin that have an epoxy equivalent of 200 or less and are liquid at room temperature.
B component: High heat resistant epoxy resin.
Component C: Flame retardant epoxy resin containing phosphorus.
Component D: A rubber-modified polyamide-imide resin modified with a liquid rubber component having a property that is soluble in a solvent having a boiling point in the range of 50 ° C. to 200 ° C.
Component E: A resin curing agent comprising one or more of a biphenyl type phenol resin and a phenol aralkyl type phenol resin.
The resin layer is preferably formed using a resin composition containing a phosphorus-containing flame retardant having no reactivity with an epoxy resin as an F component in addition to the components A to E.

A成分は、エポキシ当量が200以下で、室温で液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上からなるエポキシ樹脂である。ここで、ビスフェノール系エポキシ樹脂を選択使用しているのは、後述するD成分(ゴム変成ポリアミドイミド樹脂)との相性が良く、半硬化状態での樹脂膜に適度なフレキシビリティの付与が容易だからである。そして、エポキシ当量が200を超えると、樹脂が室温で半固形となり、半硬化状態でのフレキシビリティーが減少するので好ましくない。更に、上述のビスフェノール系エポキシ樹脂であれば、1種を単独で用いても、2種以上を混合で用いても構わない。しかも、2種以上を混合して用いる場合には、その混合比に関しても特段の限定はない。   The component A is an epoxy resin composed of one or more selected from the group consisting of a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, and a bisphenol AD type epoxy resin that have an epoxy equivalent of 200 or less and are liquid at room temperature. Here, the bisphenol-based epoxy resin is selectively used because it has good compatibility with the D component (rubber-modified polyamideimide resin) described later, and it is easy to impart appropriate flexibility to the resin film in a semi-cured state. It is. When the epoxy equivalent exceeds 200, the resin becomes semi-solid at room temperature, and the flexibility in the semi-cured state is decreased, which is not preferable. Furthermore, if it is the above-mentioned bisphenol-type epoxy resin, 1 type may be used independently or 2 or more types may be used in mixture. In addition, when two or more kinds are mixed and used, there is no particular limitation with respect to the mixing ratio.

このエポキシ樹脂は、樹脂組成物を100重量部としたとき、3重量部〜20重量部の配合割合で用いることが好ましい。当該エポキシ樹脂が3重量部未満の場合には、熱硬化性を十分に発揮せず内層フレキシブルプリント配線板とのバインダーとしての機能も、樹脂付銅箔としての銅箔との密着性も十分に果たし難くなる。一方、20重量部を超えると、他の樹脂成分とのバランスから樹脂ワニスとしたときの粘度が高くなり、樹脂付銅箔を製造するとき、銅箔表面へ均一な厚さでの樹脂膜の形成が困難となる。しかも、後述するD成分(ゴム変成ポリアミドイミド樹脂)との添加量を考慮すると、硬化後の樹脂層として十分な靭性が得られなくなる。   This epoxy resin is preferably used in a blending ratio of 3 parts by weight to 20 parts by weight when the resin composition is 100 parts by weight. When the epoxy resin is less than 3 parts by weight, the thermosetting property is not sufficiently exhibited, and the function as a binder with the inner layer flexible printed wiring board and the adhesiveness with the copper foil as the resin-coated copper foil are sufficient. It becomes difficult to do. On the other hand, when the amount exceeds 20 parts by weight, the viscosity of the resin varnish increases from the balance with other resin components, and when the resin-coated copper foil is produced, the resin film with a uniform thickness is formed on the copper foil surface. Formation becomes difficult. In addition, considering the amount of addition with a D component (rubber-modified polyamideimide resin) described later, sufficient toughness as a cured resin layer cannot be obtained.

B成分は、所謂ガラス転移点の高い「高耐熱性エポキシ樹脂」である。ここで言う「高耐熱性エポキシ樹脂」は、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂であることが好ましい。そして、このB成分は、樹脂組成物を100重量部としたとき、3重量部〜30重量部の範囲で用いることが好ましい。B成分が3重量部未満の場合には、樹脂組成物の高Tg化が全く図れない。一方、B成分が30重量部を超える場合には、硬化後の樹脂が脆くなり、フレキシビリティが完全に損なわれるためフレキシブルプリント配線板用途として好ましくない。より好ましくは、B成分は、10重量部〜20重量部の範囲で用いることで、樹脂組成物の高Tg化と硬化後の樹脂の良好なフレキシビリティとを安定して両立できる。   The B component is a “high heat resistant epoxy resin” having a high so-called glass transition point. The “high heat-resistant epoxy resin” referred to here is preferably a polyfunctional epoxy resin such as a novolac-type epoxy resin, a cresol novolac-type epoxy resin, a phenol novolac-type epoxy resin, or a naphthalene-type epoxy resin. And it is preferable to use this B component in the range of 3 weight part-30 weight part, when a resin composition is 100 weight part. When the component B is less than 3 parts by weight, the resin composition cannot have a high Tg. On the other hand, when the B component exceeds 30 parts by weight, the cured resin becomes brittle and the flexibility is completely impaired, which is not preferable for flexible printed wiring board applications. More preferably, by using the B component in the range of 10 to 20 parts by weight, it is possible to stably achieve both high Tg of the resin composition and good flexibility of the cured resin.

C成分としては、所謂ハロゲンフリー系の難燃性エポキシ樹脂であり、リン含有難燃性エポキシ樹脂を用いる。リン含有難燃性エポキシ樹脂とは、エポキシ骨格の中にリンを含んだエポキシ樹脂の総称である。そして、本件出願に係る樹脂組成物のリン原子含有量を、樹脂組成物重量を100重量%としたとき、C成分由来のリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲とできるリン含有難燃性エポキシ樹脂であれば、いずれの使用も可能である。しかしながら、分子内に2以上のエポキシ基を備える9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド誘導体であるリン含有難燃性エポキシ樹脂を用いることが、半硬化状態での樹脂品質の安定性に優れ、同時に難燃性効果が高いため好ましい。参考のために、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドの構造式を化20に示す。   The component C is a so-called halogen-free flame-retardant epoxy resin, and a phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin is used. The phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin is a general term for epoxy resins containing phosphorus in an epoxy skeleton. And when the phosphorus atom content of the resin composition according to the present application is 100% by weight of the resin composition, the phosphorus atom derived from component C can be in the range of 0.5% to 3.0% by weight. Any phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin can be used. However, it is possible to use a phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin that is a 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide derivative having two or more epoxy groups in the molecule in a semi-cured state. It is preferable because of its excellent resin quality stability and high flame retardant effect. For reference, the structural formula of 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide is shown in Chemical Formula 20.

そして、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド誘導体であるリン含有難燃性エポキシ樹脂を具体的に例示すると、化21に示す構造式を備える化合物の使用が好ましい。半硬化状態での樹脂品質の安定性に優れ、同時に難燃性効果が高いため好ましい。   A specific example of a phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin that is a 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide derivative is the use of a compound having the structural formula shown in Chemical Formula 21. preferable. It is preferable because it is excellent in stability of the resin quality in a semi-cured state and at the same time has a high flame retardant effect.

また、C成分のリン含有難燃性エポキシ樹脂として、以下に示す化22に示す構造式を備える化合物も好ましい。化21に示すリン含有難燃性エポキシ樹脂と同様に、半硬化状態での樹脂品質の安定性に優れ、同時に高い難燃性の付与が可能であるため好ましい。   Moreover, as a C component phosphorus containing flame-retardant epoxy resin, the compound provided with the structural formula shown in the chemical formula 22 shown below is also preferable. Like the phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin shown in Chemical formula 21, it is preferable because it is excellent in the stability of the resin quality in a semi-cured state and at the same time imparting high flame retardancy.

更に、C成分のリン含有難燃性エポキシ樹脂として、以下に示す化23に示す構造式を備える化合物も好ましい。化21及び化22に示すリン含有難燃性エポキシ樹脂と同様に、半硬化状態での樹脂品質の安定性に優れ、同時に高い難燃性の付与が可能であるため好ましい。   Furthermore, as the phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin of component C, a compound having the structural formula shown in Chemical Formula 23 below is also preferable. Like the phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin shown in Chemical formula 21 and Chemical formula 22, it is preferable because it is excellent in the stability of the resin quality in the semi-cured state and at the same time imparting high flame retardancy.

この9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂は、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドにナフトキノンやハイドロキノンを反応させて、以下の化24(HCA−NQ)又は化25(HCA−HQ)に示す化合物とした後に、そのOH基の部分にエポキシ樹脂を反応させてリン含有難燃性エポキシ樹脂としたものが挙げられる。   The epoxy resin obtained as a derivative from 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide is converted to 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide. After reacting with naphthoquinone or hydroquinone to obtain a compound shown in the following chemical formula 24 (HCA-NQ) or chemical formula 25 (HCA-HQ), an epoxy resin is reacted with the OH group portion to make a phosphorus-containing flame-retardant epoxy. What was made into resin is mentioned.

ここでリン含有難燃性エポキシ樹脂を用いる場合の樹脂組成物は、C成分としてのリン含有難燃性エポキシ樹脂の1種類を単独で用いても、2種類以上のリン含有難燃性エポキシ樹脂を混合して用いても構わない。但し、C成分としてのリン含有難燃性エポキシ樹脂の総量を考慮して、樹脂組成物重量を100重量%としたとき、C成分由来のリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲となるように添加することが好ましい。リン含有難燃性エポキシ樹脂は、その種類によりエポキシ骨格内に含有するリン原子量が異なる。そこで、上述のようにリン原子の含有量を規定して、C成分の添加量に代える事が可能である。但し、C成分は、通常、樹脂組成物を100重量部としたとき、5重量部〜50重量部の範囲で用いられる。C成分が5重量部未満の場合には、他の樹脂成分の配合割合を考慮すると、C成分由来のリン原子を0.5重量%以上とすることが困難になり、難燃性を得ることが出来ない。一方、C成分が50重量部を超えるようにしても、難燃性向上効果も飽和すると同時に、硬化後の樹脂層が脆くなるため好ましくない。   Here, the resin composition in the case of using the phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin is not limited to two types of phosphorus-containing flame-retardant epoxy resins even if one of the phosphorus-containing flame-retardant epoxy resins as the C component is used alone. May be used in combination. However, in consideration of the total amount of the phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin as the C component, when the weight of the resin composition is 100% by weight, the phosphorus atom derived from the C component is 0.5% to 3.0% by weight. It is preferable to add so that it may become this range. The phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin has different amounts of phosphorus atoms contained in the epoxy skeleton depending on the type. Therefore, it is possible to define the phosphorus atom content as described above and replace it with the added amount of the C component. However, the component C is usually used in the range of 5 to 50 parts by weight when the resin composition is 100 parts by weight. In the case where the C component is less than 5 parts by weight, it is difficult to make the phosphorus atom derived from the C component 0.5% by weight or more in consideration of the blending ratio of other resin components, and to obtain flame retardancy. I can't. On the other hand, even if the C component exceeds 50 parts by weight, the effect of improving flame retardancy is saturated, and at the same time, the cured resin layer becomes brittle, which is not preferable.

上述の硬化樹脂の「高Tg化」と「フレキシビリティ」とは、一般的に反比例する特性である。このときリン含有難燃性エポキシ樹脂は、硬化後の樹脂のフレキシビリティの向上に寄与するもの、高Tg化に寄与するものが存在する。従って、1種類のリン含有難燃性エポキシ樹脂を用いるよりは、「高Tg化に寄与するリン含有難燃性エポキシ樹脂」と「フレキシビリティの向上に寄与するリン含有難燃性エポキシ樹脂」とをバランス良く配合して用いることで、フレキシブルプリント配線板用途で好適な樹脂組成とすることが可能である。   “High Tg” and “flexibility” of the cured resin described above are generally inversely proportional characteristics. At this time, there are phosphorus-containing flame-retardant epoxy resins that contribute to improving the flexibility of the cured resin and those that contribute to a higher Tg. Therefore, rather than using one type of phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin, “phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin that contributes to higher Tg” and “phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin that contributes to improved flexibility” By mixing and using in a well-balanced manner, it is possible to obtain a resin composition suitable for flexible printed wiring board applications.

D成分は、沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤に可溶で、液状ゴム成分で変成されたゴム変成ポリアミドイミド樹脂である。このゴム変成ポリアミドイミド樹脂は、ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂とを反応させて得られるものである。ここで言う、ゴム変成ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂とを反応させて用いるのは、ポリアミドイミド樹脂そのものの柔軟性を向上させる目的で行う。即ち、ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂とを反応させ、ポリアミドイミド樹脂の酸成分(シクロヘキサンジカルボン酸等)の一部をゴム成分に置換するのである。ゴム成分としては、天然ゴム及び合成ゴムを含む概念として記載しており、後者の合成ゴムにはスチレン−ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、ブチルゴム、エチレン−プロピレンゴム等がある。更に、耐熱性を確保する観点からは、ニトリルゴム、クロロプレンゴム、シリコンゴム、ウレタンゴム等の耐熱性を備えた合成ゴムを選択使用することも有用である。これらのゴム性樹脂に関しては、ポリアミドイミド樹脂と反応して共重合体を製造するようになるため、両末端に種々の官能基を備えるものであることが望ましい。特に、カルボキシル基を有するCTBN(カルボキシ基末端ブタジエンニトリル)を用いることが有用である。なお、上記ゴム成分は、1種のみを共重合させても、2種以上を共重合させても構わない。更に、ゴム成分を用いる場合には、そのゴム成分の数平均分子量が1000以上のものを用いることが、当該フレキシビリティの安定化の観点から好ましい。   Component D is a rubber-modified polyamideimide resin that is soluble in a solvent having a boiling point in the range of 50 ° C. to 200 ° C. and modified with a liquid rubber component. This rubber-modified polyamideimide resin is obtained by reacting a polyamideimide resin and a rubber resin. The rubber-modified polyamide-imide resin and the rubber-like resin used here are reacted for the purpose of improving the flexibility of the polyamide-imide resin itself. That is, the polyamideimide resin and the rubber resin are reacted to replace a part of the acid component (cyclohexanedicarboxylic acid or the like) of the polyamideimide resin with the rubber component. The rubber component is described as a concept including natural rubber and synthetic rubber, and the latter synthetic rubber includes styrene-butadiene rubber, butadiene rubber, butyl rubber, ethylene-propylene rubber and the like. Furthermore, from the viewpoint of ensuring heat resistance, it is also useful to selectively use a synthetic rubber having heat resistance such as nitrile rubber, chloroprene rubber, silicon rubber, urethane rubber and the like. Since these rubber resins react with the polyamide-imide resin to produce a copolymer, it is desirable to have various functional groups at both ends. In particular, it is useful to use CTBN (carboxy group-terminated butadiene nitrile) having a carboxyl group. In addition, the said rubber component may copolymerize only 1 type or may copolymerize 2 or more types. Further, when a rubber component is used, it is preferable to use a rubber component having a number average molecular weight of 1000 or more from the viewpoint of stabilization of the flexibility.

ゴム変成ポリアミドイミド樹脂を重合させる際に、ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂との溶解に使用する溶剤には、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ニトロメタン、ニトロエタン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトニトリル、γ−ブチロラクトン等を、1種又は2種以上を混合して用いることが好ましい。そして、重合反応を起こさせるには、80℃〜200℃の範囲の重合温度を採用することが好ましい。これらの重合に沸点が200℃を超える溶剤を用いた場合には、その後、用途に応じて沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤に溶媒置換することが好ましい。   Solvents used for dissolving the polyamideimide resin and the rubbery resin when polymerizing the rubber-modified polyamideimide resin include dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylsulfoxide, nitromethane, nitroethane, tetrahydrofuran , Cyclohexanone, methyl ethyl ketone, acetonitrile, γ-butyrolactone, and the like are preferably used alone or in combination. And in order to raise | generate a polymerization reaction, it is preferable to employ | adopt the polymerization temperature of the range of 80 to 200 degreeC. When a solvent having a boiling point of more than 200 ° C. is used for these polymerizations, it is preferable that the solvent be replaced with a solvent having a boiling point in the range of 50 ° C. to 200 ° C., depending on the application.

ここで、前記沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤としては、メチルエチルケトン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等の群から選ばれる1種の単独溶剤又は2種以上の混合溶剤が挙げられる。沸点が50℃未満の場合には、加熱による溶剤の気散が著しくなり、樹脂ワニスの状態から半硬化樹脂とする場合に、良好な半硬化状態が得られにくくなる。一方、沸点が200℃を超える場合には、樹脂ワニスの状態から半硬化樹脂とする場合に、バブリングが起こりやすくなるため、良好な半硬化樹脂膜が得られ難くなる。   Here, examples of the solvent having a boiling point in the range of 50 ° C. to 200 ° C. include one single solvent or two or more mixed solvents selected from the group of methyl ethyl ketone, dimethylacetamide, dimethylformamide and the like. When the boiling point is lower than 50 ° C., the solvent is greatly diffused by heating, and it is difficult to obtain a good semi-cured state when the resin varnish is changed to a semi-cured resin. On the other hand, when the boiling point exceeds 200 ° C., bubbling is likely to occur when the resin varnish is used as a semi-cured resin, and it is difficult to obtain a good semi-cured resin film.

本件発明に係る樹脂組成物で用いるゴム変成ポリアミドイミド樹脂の中で、ゴム変成ポリアミドイミド樹脂の重量を100重量%としたとき、ゴム成分の共重合量は0.8重量%以上であることが好ましい。当該共重合量が0.8重量%未満の場合には、ゴム変成ポリアミドイミド樹脂としても、本件発明に言う樹脂組成物を用いて形成した樹脂層を硬化させたときのフレキシビリティが欠如し、銅箔との密着性も低下するため好ましくない。なお、より好ましくは、当該ゴム成分の共重合量は3重量%以上、更に好ましくは5重量%以上がより好ましい。経験的に40重量%を超えてゴム成分の添加量を向上させても、特段の問題はない。しかし、当該硬化後の樹脂層のフレキシビリティの向上効果は飽和するために資源の無駄となり好ましくない。   Among the rubber-modified polyamideimide resins used in the resin composition according to the present invention, when the weight of the rubber-modified polyamideimide resin is 100% by weight, the copolymerization amount of the rubber component is 0.8% by weight or more. preferable. When the copolymerization amount is less than 0.8% by weight, the rubber-modified polyamide-imide resin lacks flexibility when the resin layer formed using the resin composition according to the present invention is cured, Since the adhesiveness with copper foil also falls, it is not preferable. More preferably, the copolymerization amount of the rubber component is 3% by weight or more, more preferably 5% by weight or more. Empirically, there is no particular problem even if the amount of the rubber component added is increased beyond 40% by weight. However, since the effect of improving the flexibility of the cured resin layer is saturated, resources are wasted, which is not preferable.

以上に述べてきたゴム変成ポリアミドイミド樹脂には、溶剤に可溶であるという性質が求められる。溶剤に可溶でなければ、樹脂ワニスとしての調製が困難だからである。このゴム変成ポリアミドイミド樹脂は、樹脂組成物の重量を100重量部としたとき、10重量部〜40重量部の配合割合で用いる。ゴム変成ポリアミドイミド樹脂が10重量部未満の場合には、硬化後の樹脂層のフレキシビリティは向上させ難く、また脆くなり、樹脂層へのマイクロクラックを生じやすくなる。一方、40重量部を超えてゴム変成ポリアミドイミド樹脂を添加しても特に支障はないが、それ以上に硬化後の樹脂層のフレキシビリティは向上せず、硬化後の樹脂の高Tg化が図れない。従って、経済性を考慮すれば、40重量部が上限値であると言える。   The rubber-modified polyamideimide resin described above is required to be soluble in a solvent. This is because preparation as a resin varnish is difficult unless it is soluble in a solvent. This rubber-modified polyamideimide resin is used in a blending ratio of 10 to 40 parts by weight, when the weight of the resin composition is 100 parts by weight. When the rubber-modified polyamide-imide resin is less than 10 parts by weight, the flexibility of the cured resin layer is difficult to improve, becomes brittle, and tends to cause micro cracks in the resin layer. On the other hand, adding more than 40 parts by weight of the rubber-modified polyamideimide resin will not cause any particular problem, but the flexibility of the cured resin layer will not be further improved, and the cured resin will have a higher Tg. Absent. Therefore, considering the economy, it can be said that 40 parts by weight is the upper limit.

E成分の樹脂硬化剤に関して述べる。ここで言う樹脂硬化剤は、ビフェニル型フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂の1種又は2種以上を用いる。一般的に、この樹脂硬化剤の添加量は、硬化させる樹脂に対する反応当量から自ずと導き出されるものであり、特段の量的な限定を要するものではない。しかしながら、本件発明に係る樹脂組成物の場合のE成分は、樹脂組成物を100重量部としたとき、20重量部〜35重量部の範囲で用いることが好ましい。このE成分が20重量部未満の場合には、上記樹脂組成を考慮すると、十分な硬化状態を得ることが出来なくなり、硬化後の樹脂としてフレキシビリティを得ることが出来なくなる。一方、E成分が35重量部を超える場合には、硬化した後の樹脂層の耐吸湿特性が劣化する傾向にあり、好ましくない。   The E component resin curing agent will be described. The resin hardening | curing agent said here uses 1 type, or 2 or more types of a biphenyl type phenol resin and a phenol aralkyl type phenol resin. Generally, the addition amount of the resin curing agent is naturally derived from the reaction equivalent to the resin to be cured, and does not require any particular quantitative limitation. However, the E component in the case of the resin composition according to the present invention is preferably used in the range of 20 to 35 parts by weight when the resin composition is 100 parts by weight. When the E component is less than 20 parts by weight, considering the resin composition, a sufficient cured state cannot be obtained, and flexibility as a cured resin cannot be obtained. On the other hand, when the E component exceeds 35 parts by weight, the moisture absorption resistance of the cured resin layer tends to deteriorate, which is not preferable.

F成分のリン含有難燃剤に関して述べる。このリン含有難燃剤は、任意の添加成分であり、樹脂の硬化反応に寄与する必要はなく、単に難燃性を大幅に向上させるために用いる。このようなリン含有難燃剤としては、ホスファゼン化合物のハロゲンフリー難燃剤を用いることが好ましい。従って、このF成分は、0重量部〜7重量部の範囲で用いられる。ここで、「0重量部」と記載しているのは、F成分を用いる必要のない場合があり、任意の添加成分であることを明確にするためである。一方、F成分が7重量部を超えるようにしても、難燃性の顕著な向上は望めなくなる。   The phosphorus-containing flame retardant for the F component will be described. This phosphorus-containing flame retardant is an optional additive component and does not need to contribute to the curing reaction of the resin, and is simply used to greatly improve the flame retardancy. As such a phosphorus-containing flame retardant, it is preferable to use a halogen-free flame retardant of a phosphazene compound. Therefore, this F component is used in the range of 0 to 7 parts by weight. Here, “0 part by weight” is described in order to clarify that the F component may not be used and is an optional additive component. On the other hand, even if the F component exceeds 7 parts by weight, no significant improvement in flame retardancy can be expected.

前記樹脂組成物重量を100重量部としたとき、A成分が3重量部〜20重量部、B成分が3重量部〜30重量部、C成分が5重量部〜50重量部、D成分が10重量部〜40重量部、E成分が20重量部〜35重量部、F成分が0重量部〜7重量部であり、樹脂組成物重量を100重量%としたとき、樹脂組成物にはC成分由来のリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲で含有されることが好ましい。
前記D成分は、沸点が50℃〜200℃の範囲にあるメチルエチルケトン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミドの群から選ばれる1種の単独溶剤又は2種以上の混合溶剤に可溶な性質を備える液状ゴム成分で変成したゴム変成ポリアミドイミド樹脂であることが好ましい。
前記D成分であるゴム変成ポリアミドイミド樹脂は、ポリアミドイミドとゴム性樹脂とを反応させることで得られるものであることが好ましい。
前記樹脂層は前述の樹脂組成物に溶剤を加えて、樹脂固形分量が30重量%〜70重量%の範囲に調製し、MIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して測定したときのレジンフローが1%〜30%の範囲にある半硬化樹脂層の形成が可能な樹脂組成物(樹脂ワニス)を用いて形成されることが好ましい。
前記樹脂層は以下の工程a、工程bの手順で樹脂層の形成に用いる樹脂ワニスを調製し、当該樹脂ワニスを銅箔の表面に塗布し、乾燥させることで10μm〜50μmの厚さの半硬化樹脂層として形成されることが好ましい。
工程a: A成分が3重量部〜20重量部、B成分が3重量部〜30重量部、C成分が5重量部〜50重量部、D成分が10重量部〜40重量部、E成分が20重量部〜35重量部、F成分が0重量部〜7重量部の範囲において、各成分を混合して、C成分由来のリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲含有する樹脂組成物とする。
工程b: 前記樹脂組成物を、有機溶剤を用いて溶解し、樹脂固形分量が30重量%〜70重量%の樹脂ワニスとする。
When the weight of the resin composition is 100 parts by weight, the A component is 3 to 20 parts by weight, the B component is 3 to 30 parts by weight, the C component is 5 to 50 parts by weight, and the D component is 10 parts by weight. Parts by weight to 40 parts by weight, E component from 20 parts by weight to 35 parts by weight, F component from 0 parts by weight to 7 parts by weight, and when the resin composition weight is 100% by weight, the resin composition contains C component The derived phosphorus atom is preferably contained in the range of 0.5 wt% to 3.0 wt%.
The component D is a liquid rubber component having a property soluble in one single solvent or two or more mixed solvents selected from the group of methyl ethyl ketone, dimethylacetamide, and dimethylformamide having a boiling point in the range of 50 ° C to 200 ° C. A rubber-modified polyamide-imide resin modified with
The rubber-modified polyamideimide resin that is the component D is preferably obtained by reacting polyamideimide with a rubber resin.
The resin layer is prepared by adding a solvent to the above-described resin composition so that the resin solid content is in the range of 30% by weight to 70% by weight, and measured according to MIL-P-13949G in the MIL standard. Is preferably formed using a resin composition (resin varnish) capable of forming a semi-cured resin layer in the range of 1% to 30%.
For the resin layer, a resin varnish to be used for forming the resin layer is prepared by the following steps a and b, and the resin varnish is applied to the surface of the copper foil and dried to be half the thickness of 10 μm to 50 μm. It is preferably formed as a cured resin layer.
Step a: A component is 3 to 20 parts by weight, B component is 3 to 30 parts by weight, C component is 5 to 50 parts by weight, D component is 10 to 40 parts by weight, and E component is In the range of 20 parts by weight to 35 parts by weight and F component in the range of 0 part by weight to 7 parts by weight, each component is mixed, and the phosphorus atom derived from the C component is contained in the range of 0.5% by weight to 3.0% by weight. The resin composition is made.
Process b: The said resin composition is melt | dissolved using an organic solvent, and it is set as the resin varnish whose resin solid content amount is 30 weight%-70 weight%.

前記樹脂層は内層フレキシブルプリント配線板を多層化するための接着層を形成するために用いる樹脂組成物であって、以下のA成分〜E成分の各成分を含む樹脂組成物で形成されることが好ましい。
A成分: 軟化点が50℃以上である固形状の高耐熱性エポキシ樹脂(但し、ビフェニ
ル型エポキシ樹脂を除く。)。
B成分: ビフェニル型フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂の1
種又は2種以上からなるエポキシ樹脂硬化剤。
C成分: 沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤に可溶なゴム変性ポリアミドイミ
ド樹脂。
D成分: 有機リン含有難燃剤。
E成分: ビフェニル型エポキシ樹脂。
前記樹脂層を形成するために用いられる樹脂組成物は前記A成分〜E成分の各成分に加えて、更に、F成分として、リン含有難燃性エポキシ樹脂を含むことが好ましい。
前記樹脂層を形成するために用いられる樹脂組成物はG成分として、エポキシ当量が200以下で、室温で液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上からなるエポキシ樹脂を更に含むことが好ましい。
前記樹脂層を形成するために用いられる樹脂組成物はH成分として、熱可塑性樹脂及び/又は合成ゴムからなる低弾性物質を更に含むことが好ましい。
前記A成分の軟化点が50℃以上である固形状の高耐熱性エポキシ樹脂は、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂のいずれか1種又は2種以上であることが好ましい。
前記A成分として、室温で液状のノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂のいずれか1種又は2種以上からなる高耐熱性エポキシ樹脂を更に含む樹脂組成物を用いて前記樹脂層を形成することが好ましい。
前記樹脂層を形成するための樹脂組成物の重量を100重量部としたとき、A成分が3重量部〜30重量部、B成分が13重量部〜35重量部、C成分が10重量部〜50重量部、D成分が3重量部〜16重量部、E成分が5重量部〜35重量部であることが好ましい。
The resin layer is a resin composition used for forming an adhesive layer for multilayering an inner layer flexible printed wiring board, and is formed of a resin composition containing each of the following components A to E: Is preferred.
A component: Solid high heat-resistant epoxy resin having a softening point of 50 ° C. or higher (excluding biphenyl type epoxy resin).
B component: 1 of biphenyl type phenol resin, phenol aralkyl type phenol resin
Epoxy resin curing agent comprising two or more species.
Component C: A rubber-modified polyamideimide resin soluble in a solvent having a boiling point in the range of 50 ° C to 200 ° C.
D component: An organic phosphorus-containing flame retardant.
E component: Biphenyl type epoxy resin.
The resin composition used for forming the resin layer preferably contains a phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin as the F component in addition to the components A to E.
The resin composition used to form the resin layer is selected from the group consisting of bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, and bisphenol AD type epoxy resin having an epoxy equivalent of 200 or less and liquid at room temperature as the G component. It is preferable that the epoxy resin which consists of 1 type (s) or 2 or more types is further included.
It is preferable that the resin composition used for forming the resin layer further contains a low-elasticity material made of a thermoplastic resin and / or a synthetic rubber as the H component.
The solid high heat resistant epoxy resin in which the softening point of the component A is 50 ° C. or higher is one or more of cresol novolac type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, and naphthalene type epoxy resin. Is preferred.
Resin further including a high heat-resistant epoxy resin composed of one or more of a novolak type epoxy resin, a cresol novolak type epoxy resin, a phenol novolak type epoxy resin, and a naphthalene type epoxy resin that is liquid at room temperature as the component A The resin layer is preferably formed using a composition.
When the weight of the resin composition for forming the resin layer is 100 parts by weight, the A component is 3 to 30 parts by weight, the B component is 13 to 35 parts by weight, and the C component is 10 parts by weight. It is preferable that 50 parts by weight, the D component is 3 to 16 parts by weight, and the E component is 5 to 35 parts by weight.

前記樹脂組成物に溶剤を加えて、樹脂固形分量が30重量%〜70重量%の範囲に調製した樹脂ワニスであって、半硬化樹脂層とした際に、MIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して、樹脂厚さ55μmで測定したときのレジンフローが0%〜10%の範囲であることを特徴とする樹脂ワニスを用いて前記樹脂層を形成することが好ましい。   A resin varnish prepared by adding a solvent to the resin composition so that the resin solid content is in the range of 30 wt% to 70 wt%. When a semi-cured resin layer is formed, the MIL-P-13949G in the MIL standard In conformity, it is preferable to form the resin layer using a resin varnish characterized by having a resin flow in a range of 0% to 10% when measured at a resin thickness of 55 μm.

前記樹脂層は以下の工程a、工程bの手順で樹脂層の形成に用いる樹脂ワニスを調製し、当該樹脂ワニスを表面処理銅箔の表面に塗布し、乾燥させることで10μm〜80μmの厚さの半硬化樹脂層として形成されることが好ましい。
工程a: 樹脂組成物重量を100重量部としたとき、A成分が3重量部〜30重量部、B成分が13重量部〜35重量部、C成分が10重量部〜50重量部、D成分が3重量部〜16重量部、E成分が5重量部〜35重量部の範囲で各成分を含有する樹脂組成物とする。
工程b: 前記樹脂組成物を、有機溶剤を用いて溶解し、樹脂固形分量が30重量%〜70重量%の樹脂ワニスとする。
The resin layer has a thickness of 10 μm to 80 μm by preparing a resin varnish used for forming the resin layer in the following steps a and b, applying the resin varnish to the surface of the surface-treated copper foil, and drying the resin varnish. The semi-cured resin layer is preferably formed.
Step a: When the weight of the resin composition is 100 parts by weight, the A component is 3 to 30 parts by weight, the B component is 13 to 35 parts by weight, the C component is 10 to 50 parts by weight, and the D component Is a resin composition containing each component in the range of 3 to 16 parts by weight and E component in the range of 5 to 35 parts by weight.
Process b: The said resin composition is melt | dissolved using an organic solvent, and it is set as the resin varnish whose resin solid content amount is 30 weight%-70 weight%.

A成分は、軟化点が50℃以上である固形状の高耐熱性エポキシ樹脂である。A成分は
、所謂ガラス転移温度Tgが高いエポキシ樹脂である。エポキシ樹脂のうち、軟化点が50℃以上である固形状の高耐熱性エポキシ樹脂を採用した理由は、ガラス転移温度Tgが高く、少量添加することで、高耐熱効果が得られるからである。
The component A is a solid high heat resistant epoxy resin having a softening point of 50 ° C. or higher. Component A is an epoxy resin having a high so-called glass transition temperature Tg. The reason why a solid high heat resistant epoxy resin having a softening point of 50 ° C. or higher among the epoxy resins is used is that the glass transition temperature Tg is high, and a high heat resistance effect can be obtained by adding a small amount.

ここで言う「軟化点が50℃以上である固形状の高耐熱性エポキシ樹脂」は、クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂のいずれか1種又は2種以上であることが好ましい。
The “solid high heat resistant epoxy resin having a softening point of 50 ° C. or higher” mentioned here is one or more of cresol novolac type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, and naphthalene type epoxy resin. It is preferable.

なお、A成分には、上述の軟化点が50℃以上である固形状の高耐熱性エポキシ樹脂の他に、更に、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂のいずれか1種又は2種以上からなる高耐熱性エポキシ樹脂を含むものとしても良い。このように、A成分として、更に、室温で液状のノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂のいずれか1種又は2種以上からなる高耐熱性エポキシ樹脂を含むものとすれば、ガラス転移温度Tgの更なる向上及びBステージ割れを改善する効果を高めることができる。   In addition to the solid high heat-resistant epoxy resin having a softening point of 50 ° C. or higher, the component A further includes a novolac type epoxy resin, a cresol novolac type epoxy resin, a phenol novolak type epoxy resin, and a naphthalene type. It is good also as what contains the highly heat-resistant epoxy resin which consists of any 1 type or 2 types or more of an epoxy resin. As described above, as the component A, a high heat-resistant epoxy composed of one or more of a novolak type epoxy resin, a cresol novolak type epoxy resin, a phenol novolak type epoxy resin, and a naphthalene type epoxy resin that is liquid at room temperature. If the resin is contained, the effect of further improving the glass transition temperature Tg and improving the B stage cracking can be enhanced.

そして、A成分は、樹脂組成物を100重量部としたとき、3重量部〜30重量部の範囲で用いることが好ましい。A成分が3重量部未満の場合には、樹脂組成物の高Tg化が図りにくい。一方、A成分が30重量部を超える場合には、硬化後の樹脂層が脆くなり、フレキシビリティが完全に損なわれるためフレキシブルプリント配線板用途として好ましくない。より好ましくは、A成分は、10重量部〜25重量部の範囲で用いることで、樹脂組成物の高Tg化と硬化後の樹脂層の良好なフレキシビリティとを安定して両立できる。   The component A is preferably used in the range of 3 to 30 parts by weight when the resin composition is 100 parts by weight. When the component A is less than 3 parts by weight, it is difficult to increase the Tg of the resin composition. On the other hand, when the component A exceeds 30 parts by weight, the cured resin layer becomes brittle and the flexibility is completely impaired, which is not preferable for use as a flexible printed wiring board. More preferably, the component A is used in the range of 10 to 25 parts by weight, so that both high Tg of the resin composition and good flexibility of the resin layer after curing can be stably achieved.

B成分は、ビフェニル型フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂の1種又は2種以上からなるエポキシ樹脂硬化剤である。エポキシ樹脂硬化剤の添加量は、硬化させる樹脂に対する反応当量から自ずと導き出されるものであり、特段の量的な限定を要するものではない。しかしながら、本件発明に係る樹脂組成物の場合、B成分は、樹脂組成物を100重量部としたとき、13重量部〜35重量部の範囲で用いることが好ましい。このB成分が13重量部未満の場合には、本件発明の樹脂組成を考慮すると、十分な硬化状態を得ることが出来なくなり、硬化後の樹脂層のフレキシビリティを得ることが出来なくなる。一方、B成分が35重量部を超える場合には、硬化後の樹脂層の耐吸湿特性が劣化する傾向にあり、好ましくない。
ビフェニル型フェノール樹脂の具体例を化26に示す。
Component B is an epoxy resin curing agent composed of one or more of a biphenyl type phenol resin and a phenol aralkyl type phenol resin. The addition amount of the epoxy resin curing agent is naturally derived from the reaction equivalent to the resin to be cured, and does not require any particular quantitative limitation. However, in the case of the resin composition according to the present invention, the component B is preferably used in the range of 13 parts by weight to 35 parts by weight when the resin composition is 100 parts by weight. When this B component is less than 13 parts by weight, considering the resin composition of the present invention, it becomes impossible to obtain a sufficiently cured state, and it becomes impossible to obtain the flexibility of the cured resin layer. On the other hand, when the component B exceeds 35 parts by weight, the moisture absorption resistance of the cured resin layer tends to deteriorate, which is not preferable.
A specific example of the biphenyl type phenol resin is shown in Chemical formula 26.

また、フェノールアラルキル型フェノール樹脂の具体例を化27に示す。   A specific example of the phenol aralkyl type phenol resin is shown in Chemical Formula 27.

C成分は、沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤に可溶なゴム変性ポリアミドイミド樹脂である。当該C成分を配合することにより、フレキシブル性能を向上させるとともに、樹脂流れを抑制する効果が得られる。このゴム変性ポリアミドイミド樹脂は、ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂とを反応させて得られるものであり、ポリアミドイミド樹脂そのものの柔軟性を向上させる目的で行う。即ち、ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂とを反応させ、ポリアミドイミド樹脂の酸成分(シクロヘキサンジカルボン酸等)の一部をゴム成分に置換するのである。ゴム成分としては、天然ゴム及び合成ゴムを含む概念として記載しており、後者の合成ゴムにはスチレン−ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、ブチルゴム、エチレン−プロピレンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム等がある。更に、耐熱性を確保する観点からは、ニトリルゴム、クロロプレンゴム、シリコンゴム、ウレタンゴム等の耐熱性を備えた合成ゴムを選択使用することも有用である。これらのゴム性樹脂に関しては、ポリアミドイミド樹脂と反応して共重合体を製造するため、両末端に種々の官能基を備えるものであることが望ましい。特に、カルボキシル基を有するCTBN(カルボキシ基末端ブタジエンニトリルゴム)を用いることが有用である。なお、上記ゴム成分は、1種のみを共重合させても、2種以上を共重合させても構わない。更に、ゴム成分を用いる場合には、そのゴム成分の数平均分子量が1000以上のものを用いることが、フレキシビリティの安定化の観点から好ましい。   Component C is a rubber-modified polyamideimide resin that is soluble in a solvent having a boiling point in the range of 50 ° C to 200 ° C. By mix | blending the said C component, while improving a flexible performance, the effect which suppresses a resin flow is acquired. This rubber-modified polyamideimide resin is obtained by reacting a polyamideimide resin and a rubber resin, and is performed for the purpose of improving the flexibility of the polyamideimide resin itself. That is, the polyamideimide resin and the rubber resin are reacted to replace a part of the acid component (cyclohexanedicarboxylic acid or the like) of the polyamideimide resin with the rubber component. The rubber component is described as a concept including natural rubber and synthetic rubber. Examples of the latter synthetic rubber include styrene-butadiene rubber, butadiene rubber, butyl rubber, ethylene-propylene rubber, and acrylonitrile butadiene rubber. Furthermore, from the viewpoint of ensuring heat resistance, it is also useful to selectively use a synthetic rubber having heat resistance such as nitrile rubber, chloroprene rubber, silicon rubber, urethane rubber and the like. Since these rubber-like resins react with the polyamide-imide resin to produce a copolymer, it is desirable to have various functional groups at both ends. In particular, it is useful to use CTBN (carboxy group-terminated butadiene nitrile rubber) having a carboxyl group. In addition, the said rubber component may copolymerize only 1 type or may copolymerize 2 or more types. Further, when a rubber component is used, it is preferable to use a rubber component having a number average molecular weight of 1000 or more from the viewpoint of stabilization of flexibility.

ゴム変性ポリアミドイミド樹脂を重合させる際に、ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂との溶解に使用する溶剤には、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ニトロメタン、ニトロエタン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトニトリル、γ−ブチロラクトン等を、1種又は2種以上を混合して用いることが好ましい。そして、重合反応を起こさせるには、80℃〜200℃の範囲の重合温度を採用することが好ましい。これらの重合に沸点が200℃を超える溶剤を用いた場合には、その後、用途に応じて沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤に溶媒置換することが好ましい。   When polymerizing the rubber-modified polyamideimide resin, the solvents used for dissolving the polyamideimide resin and the rubbery resin include dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethyl sulfoxide, nitromethane, nitroethane, and tetrahydrofuran. , Cyclohexanone, methyl ethyl ketone, acetonitrile, γ-butyrolactone, and the like are preferably used alone or in combination. And in order to raise | generate a polymerization reaction, it is preferable to employ | adopt the polymerization temperature of the range of 80 to 200 degreeC. When a solvent having a boiling point of more than 200 ° C. is used for these polymerizations, it is preferable that the solvent be replaced with a solvent having a boiling point in the range of 50 ° C. to 200 ° C., depending on the application.

ここで、沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤としては、メチルエチルケトン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等の群から選ばれる1種の単独溶剤又は2種以上の混合溶剤が挙げられる。沸点が50℃未満の場合には、加熱による溶剤の気散が著しくなり、樹脂ワニスの状態から半硬化樹脂とする場合に、良好な半硬化状態が得られにくくなる。一方、沸点が200℃を超える場合には、樹脂ワニスの状態から半硬化樹脂とする場合に、溶剤が乾きにくいため、良好な半硬化樹脂層が得られ難くなる。   Here, examples of the solvent having a boiling point in the range of 50 ° C. to 200 ° C. include one single solvent or two or more mixed solvents selected from the group of methyl ethyl ketone, dimethylacetamide, dimethylformamide and the like. When the boiling point is lower than 50 ° C., the solvent is greatly diffused by heating, and it is difficult to obtain a good semi-cured state when the resin varnish is changed to a semi-cured resin. On the other hand, when the boiling point exceeds 200 ° C., when the semi-cured resin is used from the state of the resin varnish, it is difficult to obtain a good semi-cured resin layer because the solvent is difficult to dry.

本件発明に係る樹脂組成物で用いるゴム変性ポリアミドイミド樹脂の中で、ゴム変性ポリアミドイミド樹脂の重量を100重量%としたとき、ゴム成分の共重合量は0.8重量%以上であることが好ましい。当該共重合量が0.8重量%未満の場合には、ゴム変性ポリアミドイミド樹脂としても、本件発明に言う樹脂組成物を用いて形成した樹脂層を硬化させたときのフレキシビリティが欠如し、銅箔との密着性も低下するため好ましくない。なお、より好ましくは、当該ゴム成分の共重合量は3重量%以上、更に好ましくは5重量%以上がより好ましい。経験的に共重合量が40重量%を超えても特段の問題はない。しかし、当該硬化後の樹脂層のフレキシビリティの向上効果は飽和するために資源の無駄となり好ましくない。   Among the rubber-modified polyamideimide resins used in the resin composition according to the present invention, when the weight of the rubber-modified polyamideimide resin is 100% by weight, the copolymerization amount of the rubber component may be 0.8% by weight or more. preferable. When the copolymerization amount is less than 0.8% by weight, the rubber-modified polyamide-imide resin lacks flexibility when the resin layer formed using the resin composition according to the present invention is cured, Since the adhesiveness with copper foil also falls, it is not preferable. More preferably, the copolymerization amount of the rubber component is 3% by weight or more, more preferably 5% by weight or more. Empirically, there is no particular problem even if the copolymerization amount exceeds 40% by weight. However, since the effect of improving the flexibility of the cured resin layer is saturated, resources are wasted, which is not preferable.

以上に述べてきたゴム変性ポリアミドイミド樹脂には、溶剤に可溶であるという性質が求められる。溶剤に可溶でなければ、樹脂ワニスとしての調製が困難だからである。そして、このゴム変性ポリアミドイミド樹脂は、樹脂組成物の重量を100重量部としたとき、10重量部〜50重量部の配合割合で用いる。ゴム変性ポリアミドイミド樹脂が10重量部未満の場合には、樹脂流れの抑制効果が発揮されにくい。また、硬化後の樹脂層が脆くなり、フレキシビリティが向上させ難くなる。その結果、樹脂層のマイクロクラックが生じやすくなるといった影響が生じる。一方、50重量部を超えてゴム変性ポリアミドイミド樹脂を添加した場合、内層回路への埋め込み性が低下し、結果としてボイドが生じやすくなるため、好ましくない。   The rubber-modified polyamide-imide resin described above is required to be soluble in a solvent. This is because preparation as a resin varnish is difficult unless it is soluble in a solvent. The rubber-modified polyamide-imide resin is used in a blending ratio of 10 to 50 parts by weight when the weight of the resin composition is 100 parts by weight. When the rubber-modified polyamideimide resin is less than 10 parts by weight, the resin flow suppressing effect is hardly exhibited. In addition, the cured resin layer becomes brittle and it is difficult to improve flexibility. As a result, there is an effect that microcracks of the resin layer are easily generated. On the other hand, when the rubber-modified polyamide-imide resin is added in an amount exceeding 50 parts by weight, the embedding property in the inner layer circuit is lowered, and as a result, voids are likely to be generated.

D成分は、有機リン含有難燃剤であり、難燃性を向上させるために用いる。有機リン含有難燃剤としては、リン酸エステル及び/又はホスファゼン化合物からなるリン含有難燃剤が挙げられる。このD成分は、樹脂組成物を100重量部としたとき、3重量部〜16重量部の範囲で用いることが好ましい。D成分の含有量を3重量部未満とすると、難燃性の効果が得られない。一方、D成分の含有量が16重量部を超えるようにしても、難燃性の向上が望めない。なお、D成分のより好ましい含有量は、5重量部〜14重量部である。   Component D is an organic phosphorus-containing flame retardant and is used to improve flame retardancy. Examples of organic phosphorus-containing flame retardants include phosphorus-containing flame retardants composed of phosphate esters and / or phosphazene compounds. The component D is preferably used in the range of 3 to 16 parts by weight when the resin composition is 100 parts by weight. When the content of the D component is less than 3 parts by weight, the flame retardancy effect cannot be obtained. On the other hand, even if the content of the D component exceeds 16 parts by weight, improvement in flame retardancy cannot be expected. In addition, more preferable content of D component is 5 weight part-14 weight part.

なお、本件発明に係る樹脂組成物は、樹脂組成物重量を100重量%としたとき、リンの総含有量が0.5重量%〜5重量%の範囲となるように添加すると、難燃性が確保されるため好ましい。   In addition, when the resin composition according to the present invention is added so that the total content of phosphorus is in the range of 0.5 wt% to 5 wt% when the weight of the resin composition is 100 wt%, it is flame retardant. Is preferable.

E成分は、ビフェニル型エポキシ樹脂である。ビフェニル型エポキシ樹脂は、所謂ガラス転移温度Tgの向上と屈曲性の向上に寄与する。ビフェニル型エポキシ樹脂は、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂が挙げられる。このE成分は、樹脂組成物を100重量部としたとき、5重量部〜35重量部の範囲で用いることが好ましい。E成分の含有量を5重量部未満とすると、ガラス転移温度Tg及び屈曲性を高くする効果が得られない。一方、E成分の含有量が35重量部を超えるようにしても、高Tg化が望めない上に、屈曲性の向上が望めない。なお、E成分のより好ましい含有量は、7重量部〜25重量部である。   The E component is a biphenyl type epoxy resin. The biphenyl type epoxy resin contributes to improvement of so-called glass transition temperature Tg and flexibility. Examples of the biphenyl type epoxy resin include a biphenyl aralkyl type epoxy resin. The component E is preferably used in the range of 5 to 35 parts by weight when the resin composition is 100 parts by weight. When the content of the E component is less than 5 parts by weight, the effect of increasing the glass transition temperature Tg and the flexibility cannot be obtained. On the other hand, even if the content of the E component exceeds 35 parts by weight, it is not possible to expect a high Tg and an improvement in flexibility. In addition, more preferable content of E component is 7 weight part-25 weight part.

上記A成分〜E成分の他に、更に、F成分として、リン含有難燃性エポキシ樹脂を含む樹脂組成物とすると、難燃性を更に向上させることができる。リン含有難燃性エポキシ樹脂とは、エポキシ骨格の中にリンを含んだエポキシ樹脂の総称であり、所謂ハロゲンフリー系の難燃性エポキシ樹脂である。そして、本件出願に係る樹脂組成物のリン原子含有量を、樹脂組成物重量を100重量%としたとき、F成分由来のリン原子を0.1重量%〜5重量%の範囲とできるリン含有難燃性エポキシ樹脂であれば、いずれの使用も可能である。しかしながら、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド誘導体である、分子内に2以上のエポキシ基を備えるリン含有難燃性エポキシ樹脂を用いることが、半硬化状態での樹脂品質の安定性に優れ、同時に難燃性効果が高いため好ましい。参考のために、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドの構造式を化28に示す。   In addition to the A component to the E component, if the resin composition includes a phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin as the F component, the flame retardancy can be further improved. The phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin is a general term for epoxy resins containing phosphorus in an epoxy skeleton, and is a so-called halogen-free flame-retardant epoxy resin. And phosphorus content which can make phosphorus atom derived from F component into the range of 0.1 weight%-5 weight% when the resin composition weight is 100 weight% about the phosphorus atom content of the resin composition concerning this application Any flame retardant epoxy resin can be used. However, using a phosphorus-containing flame retardant epoxy resin having two or more epoxy groups in the molecule, which is a 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide derivative, is a semi-cured state. It is preferable because it has excellent resin quality stability at the same time and has a high flame retardant effect. For reference, the structural formula of 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide is shown in Chemical Formula 28.

この9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド誘導体である、分子内に2以上のエポキシ基を備えるリン含有難燃性エポキシ樹脂は、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドにナフトキノンやハイドロキノンを反応させて、以下の化29又は化30に示す化合物とした後に、そのOH基の部分にエポキシ樹脂を反応させてリン含有難燃性エポキシ樹脂としたものが好ましい。   This 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide derivative, a phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin having two or more epoxy groups in the molecule, is 9,10-dihydro-9. -Oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide is reacted with naphthoquinone or hydroquinone to form a compound shown in the following chemical formula 29 or chemical formula 30, and then the epoxy resin is reacted with the OH group portion to make it difficult to contain phosphorus. What was made into the flammable epoxy resin is preferable.

そして、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド誘導体である、分子内に2以上のエポキシ基を備えるリン含有難燃性エポキシ樹脂を具体的に例示すると、化31、化32または化33に示す構造式を備える化合物の使用が好ましい。   A specific example of a phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin having two or more epoxy groups in the molecule, which is a 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide derivative, The use of a compound having the structural formula shown in Chemical Formula 31, Chemical Formula 32 or Chemical Formula 33 is preferred.

ここでリン含有難燃性エポキシ樹脂を用いる場合の樹脂組成物は、F成分としてのリン含有難燃性エポキシ樹脂の1種類を単独で用いても、2種類以上のリン含有難燃性エポキシ樹脂を混合して用いても構わない。但し、F成分としてのリン含有難燃性エポキシ樹脂の総量を考慮して、樹脂組成物重量を100重量%としたとき、F成分由来のリン原子を0.1重量%〜5重量%の範囲となるように添加することが好ましい。リン含有難燃性エポキシ樹脂は、その種類によりエポキシ骨格内に含有するリン原子量が異なる。そこで、上述のようにリン原子の含有量を規定して、F成分の添加量に代えることが可能である。但し、F成分は、通常、樹脂組成物を100重量部としたとき、5重量部〜50重量部の範囲で用いられる。F成分が5重量部未満の場合には、他の樹脂成分の配合割合を考慮すると、F成分由来のリン原子を0.1重量%以上とすることが困難になり、難燃性の向上効果を得ることが出来ない。一方、F成分が50重量部を超えるようにしても、難燃性向上効果も飽和すると同時に、硬化後の樹脂層が脆くなるため好ましくない。   Here, when the phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin is used, the resin composition may be one of the phosphorus-containing flame-retardant epoxy resins as the F component, or two or more phosphorus-containing flame-retardant epoxy resins. May be used in combination. However, considering the total amount of the phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin as the F component, when the resin composition weight is 100% by weight, the phosphorus atom derived from the F component is in the range of 0.1% to 5% by weight. It is preferable to add so that it becomes. The phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin has different amounts of phosphorus atoms contained in the epoxy skeleton depending on the type. Therefore, it is possible to define the content of phosphorus atoms as described above and replace it with the addition amount of the F component. However, the component F is usually used in the range of 5 to 50 parts by weight when the resin composition is 100 parts by weight. In the case where the F component is less than 5 parts by weight, it becomes difficult to make the phosphorus atom derived from the F component 0.1% by weight or more in consideration of the blending ratio of the other resin components. Can not get. On the other hand, even if the F component exceeds 50 parts by weight, the effect of improving flame retardancy is saturated, and at the same time, the cured resin layer becomes brittle.

上述の硬化樹脂層の「高Tg化」と「フレキシビリティ」とは、一般的に反比例する特性である。このときリン含有難燃性エポキシ樹脂は、硬化後の樹脂層のフレキシビリティの向上に寄与するもの、高Tg化に寄与するものが存在する。従って、1種類のリン含有難燃性エポキシ樹脂を用いるよりは、「高Tg化に寄与するリン含有難燃性エポキシ樹脂」と「フレキシビリティの向上に寄与するリン含有難燃性エポキシ樹脂」とをバランス良く配合して用いることで、フレキシブルプリント配線板用途で好適な樹脂組成物とすることが可能である。   “High Tg” and “flexibility” of the cured resin layer described above are generally inversely proportional characteristics. At this time, there are phosphorus-containing flame-retardant epoxy resins that contribute to improving the flexibility of the cured resin layer and those that contribute to high Tg. Therefore, rather than using one type of phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin, “phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin that contributes to higher Tg” and “phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin that contributes to improved flexibility” By mixing and using in a well-balanced manner, it is possible to obtain a resin composition suitable for flexible printed wiring board applications.

本件発明に係る樹脂組成物は、更に、G成分として、エポキシ当量が200以下で、室温で液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上からなるエポキシ樹脂を含むものとしても良い。ここで、ビスフェノール系エポキシ樹脂を選択使用しているのは、C成分(ゴム変性ポリアミドイミド樹脂)との相性が良く、半硬化樹脂層に適度なフレキシビリティの付与が容易だからである。そして、エポキシ当量が200を超えると、樹脂が室温で半固形となり、半硬化状態でのフレキシビリティが減少するので好ましくない。更に、上述のビスフェノール系エポキシ樹脂であれば、1種を単独で用いても、2種以上を混合で用いても構わない。しかも、2種以上を混合して用いる場合には、その混合比に関しても特段の限定はない。   The resin composition according to the present invention is further selected from the group consisting of bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, and bisphenol AD type epoxy resin having an epoxy equivalent of 200 or less and being liquid at room temperature as the G component. Or it is good also as what contains the epoxy resin which consists of 2 or more types. Here, the reason why the bisphenol-based epoxy resin is selectively used is that the compatibility with the component C (rubber-modified polyamideimide resin) is good, and it is easy to impart appropriate flexibility to the semi-cured resin layer. If the epoxy equivalent exceeds 200, the resin becomes semi-solid at room temperature, and the flexibility in the semi-cured state decreases, which is not preferable. Furthermore, if it is the above-mentioned bisphenol-type epoxy resin, 1 type may be used independently or 2 or more types may be used in mixture. In addition, when two or more kinds are mixed and used, there is no particular limitation with respect to the mixing ratio.

このG成分のエポキシ樹脂は、樹脂組成物を100重量部としたとき、2重量部〜15重量部の配合割合で用いることが、熱硬化性を十分に発揮し、半硬化状態において、カールと呼ばれる反り現象の発生を低減させることが可能となり、また、半硬化状態での樹脂層のフレキシビリティの更なる向上を図ることができるため好ましい。当該エポキシ樹脂が15重量部を超えると、他の樹脂成分とのバランスから難燃性が低下したり、硬化後の樹脂層が硬くなる傾向がある。しかも、C成分(ゴム変性ポリアミドイミド樹脂)の添加量を考慮すると、硬化後の樹脂層として十分な靭性が得られなくなる。   This G component epoxy resin, when the resin composition is 100 parts by weight, exhibits a sufficient thermosetting property when used in a blending ratio of 2 to 15 parts by weight. It is preferable because the occurrence of a so-called warp phenomenon can be reduced, and the flexibility of the resin layer in a semi-cured state can be further improved. When the said epoxy resin exceeds 15 weight part, there exists a tendency for a flame retardance to fall from the balance with another resin component, or for the resin layer after hardening to become hard. Moreover, considering the amount of component C (rubber-modified polyamideimide resin) added, sufficient toughness for the cured resin layer cannot be obtained.

本件発明に係る樹脂組成物は、更に、H成分として、熱可塑性樹脂及び/又は合成ゴムからなる低弾性物質を含むものとしても良い。H成分を含む樹脂組成物とすることにより、樹脂組成物の半硬化状態における割れを防ぎ、且つ硬化後のフレキシビリティを向上させることができる。このH成分としての低弾性物質は、例えば、アクリロニトリルブタジエンゴム、アクリルゴム(アクリル酸エステル共重合体)、ポリブタジエンゴム、イソプレン、水素添加型ポリブタジエン、ポリビニルブチラール、ポリエーテルサルフォン、フェノキシ、高分子エポキシ、芳香族ポリアミドが挙げられる。これらの中から1種を単独で用いても、2種以上を混合で用いても構わない。特に、アクリロニトリルブタジエンゴムを用いることが好ましい。アクリロニトリルブタジエンゴムの中でも、カルボキシル変性体であると、エポキシ樹脂と架橋構造を取り、硬化後の樹脂層のフレキシビリティを向上させることができる。カルボキシル変性体としては、カルボキシ基末端ニトリルブタジエンゴム(CTBN)、カルボキシ基末端ブタジエンゴム(CTB)、カルボキシ変性ニトリルブタジエンゴム(C−NBR)を用いることが好ましい。   The resin composition according to the present invention may further include a low-elasticity substance made of a thermoplastic resin and / or a synthetic rubber as the H component. By setting it as the resin composition containing H component, the crack in the semi-hardened state of a resin composition can be prevented, and the flexibility after hardening can be improved. Examples of the low-elasticity material as the H component include acrylonitrile butadiene rubber, acrylic rubber (acrylic ester copolymer), polybutadiene rubber, isoprene, hydrogenated polybutadiene, polyvinyl butyral, polyethersulfone, phenoxy, and polymer epoxy. And aromatic polyamides. One of these may be used alone, or two or more may be used in combination. In particular, acrylonitrile butadiene rubber is preferably used. Among the acrylonitrile butadiene rubbers, a carboxyl-modified product can take a crosslinked structure with an epoxy resin and improve the flexibility of the cured resin layer. As a carboxyl modified body, it is preferable to use carboxy group terminal nitrile butadiene rubber (CTBN), carboxy group terminal butadiene rubber (CTB), and carboxy modified nitrile butadiene rubber (C-NBR).

H成分は、樹脂組成物を100重量部としたとき、25重量部以下の配合割合で用いることが好ましい。25重量部を超える量のH成分を加えると、ガラス転移温度Tgの低下、半田耐熱性能の低下、ピール強度の低下、熱膨張係数の増大といった問題が発生するため好ましくない。   The H component is preferably used at a blending ratio of 25 parts by weight or less when the resin composition is 100 parts by weight. If an H component in an amount exceeding 25 parts by weight is added, problems such as a decrease in glass transition temperature Tg, a decrease in solder heat resistance, a decrease in peel strength, and an increase in thermal expansion coefficient are undesirable.

本件発明に係る樹脂組成物は、上述のA成分〜E成分を組み合わせることにより、難燃性の向上及びガラス転移温度Tgが高くなり、また、耐折性の熱劣化を防ぐことができる。そして、従来の接着剤用樹脂組成物のような無機充填剤を加えることなく、十分な屈曲性を得ることができる。さらに、半硬化状態での割れや打ち抜き加工時の粉落ちを防ぐことができる。   The resin composition according to the present invention can improve the flame retardancy and the glass transition temperature Tg by combining the above-described components A to E, and can prevent the heat resistance of the folding resistance. And sufficient flexibility can be obtained, without adding an inorganic filler like the conventional resin composition for adhesive agents. Furthermore, it is possible to prevent cracking in a semi-cured state and powder falling off during punching.

本件発明に係る樹脂ワニス: 本件発明に係る樹脂ワニスは、上述の樹脂組成物に溶剤を加えて、樹脂固形分量が30重量%〜70重量%の範囲に調製したものである。そして、この樹脂ワニスにより形成する半硬化樹脂層は、MIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して樹脂厚さを55μmとして測定したときのレジンフローが0%〜10%の範囲にあることを特徴とする。ここで言う溶剤には、上述の沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤であるメチルエチルケトン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等の群から選ばれる1種の単独溶剤又は2種以上の混合溶剤を用いることが好ましい。上述のように良好な半硬化樹脂層を得るためである。そして、ここに示した樹脂固形分量の範囲が、銅箔の表面に塗布したときに、最も膜厚を精度の良いものに制御できる範囲である。樹脂固形分が30重量%未満の場合には、粘度が低すぎて、銅箔表面への塗布直後に流れて膜厚均一性を確保しにくい。これに対して、樹脂固形分が70重量%を超えると、粘度が高くなり、銅箔表面への薄膜形成が困難となる。   Resin varnish according to the present invention: The resin varnish according to the present invention is prepared by adding a solvent to the above resin composition so that the resin solid content is in the range of 30 wt% to 70 wt%. The semi-cured resin layer formed with this resin varnish has a resin flow in the range of 0% to 10% when measured with a resin thickness of 55 μm according to MIL-P-13949G in the MIL standard. Features. As the solvent mentioned here, one kind of single solvent selected from the group of methyl ethyl ketone, dimethylacetamide, dimethylformamide, etc., which is a solvent having a boiling point in the range of 50 ° C. to 200 ° C., or a mixed solvent of two or more kinds is used. It is preferable. This is for obtaining a good semi-cured resin layer as described above. And the range of the resin solid content shown here is a range in which the film thickness can be controlled to the most accurate one when applied to the surface of the copper foil. When the resin solid content is less than 30% by weight, the viscosity is too low and it flows immediately after application to the copper foil surface, making it difficult to ensure film thickness uniformity. On the other hand, when the resin solid content exceeds 70% by weight, the viscosity increases and it becomes difficult to form a thin film on the surface of the copper foil.

当該樹脂ワニスは、これを用いて半硬化樹脂層を形成したとき、測定したレジンフローが0%〜10%の範囲にあることが好ましい。当該レジンフローが高いと、樹脂付銅箔の樹脂層を用いて形成する絶縁層の厚さが不均一になる。しかし、本件発明に係る樹脂ワニスは、レジンフローを10%以下という低い値に抑えることができる。なお、本件発明に係る樹脂ワニスは、樹脂流れが殆ど生じないレベルが実現可能であるので、当該レジンフローの下限値を0%とした。なお、本件発明に係る樹脂ワニスのレジンフローのより好ましい範囲は0%〜5%である。   When the resin varnish is used to form a semi-cured resin layer, the measured resin flow is preferably in the range of 0% to 10%. When the resin flow is high, the thickness of the insulating layer formed using the resin layer of the resin-coated copper foil becomes nonuniform. However, the resin varnish according to the present invention can suppress the resin flow to a low value of 10% or less. In addition, since the resin varnish which concerns on this invention can implement | achieve the level which resin flow hardly produces, the lower limit of the said resin flow was made into 0%. In addition, the more preferable range of the resin flow of the resin varnish concerning this invention is 0%-5%.

本件明細書において、レジンフローとは、MIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して、樹脂厚さを55μmとした樹脂付銅箔から10cm角試料を4枚サンプリングし、この4枚の試料を重ねた状態(積層体)でプレス温度171℃、プレス圧14kgf/cm2、プレス時間10分の条件で張り合わせ、そのときの樹脂流出重量を測定した結果から数1に基づいて算出した値である。   In this specification, the resin flow is based on MIL-P-13949G in the MIL standard. Four 10 cm square samples are sampled from a resin-coated copper foil with a resin thickness of 55 μm. It is a value calculated based on Equation 1 from the result of measuring the resin outflow weight at the time of laminating under the conditions of a press temperature of 171 ° C., a press pressure of 14 kgf / cm 2, and a press time of 10 minutes in a stacked state (laminate).

また、前記樹脂層は溶剤に可溶で且つ官能基として分子内に水酸基、カルボキシル基、アミノ基の1種又は2種以上を有するポリマー成分を2重量部〜50重量部、沸点200℃以上のエポキシ樹脂及び沸点200℃以上のアミン系エポキシ樹脂硬化剤からなるエポキシ樹脂配合物を50重量部以上、を含有してもよい。前記樹脂層はフッ素樹脂基材またはフッ素樹脂フィルム接着用樹脂であってもよい。また、前記ポリマー成分は、ポリビニルアセタール樹脂、フェノキシ樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリアミドイミド樹脂の群から選ばれた1種又は2種以上を混合したものであってもよい。前記沸点200℃以上のエポキシ樹脂は、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ゴム変性ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上を混合したものであってもよい。
前記アミン系エポキシ樹脂硬化剤は、芳香族ポリアミン、ポリアミド類及びこれらをエポキシ樹脂や多価カルボン酸と重合或いは縮合させて得られるアミンアダクト体の群から選ばれた1種又は2種以上を用いてもよい。
The resin layer is soluble in a solvent and contains 2 to 50 parts by weight of a polymer component having one or more of hydroxyl group, carboxyl group and amino group in the molecule as a functional group, and a boiling point of 200 ° C. or more. You may contain 50 weight part or more of the epoxy resin compound which consists of an epoxy resin and an amine epoxy resin hardening | curing agent with a boiling point of 200 degreeC or more. The resin layer may be a fluororesin substrate or a fluororesin film adhesive resin. The polymer component may be a mixture of one or more selected from the group of polyvinyl acetal resins, phenoxy resins, aromatic polyamide resins, polyether sulfone resins, and polyamideimide resins. The epoxy resin having a boiling point of 200 ° C. or higher is a mixture of one or more selected from the group of bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, rubber-modified bisphenol A type epoxy resin, and biphenyl type epoxy resin. There may be.
The amine-based epoxy resin curing agent is an aromatic polyamine, a polyamide, and one or more selected from the group of amine adducts obtained by polymerizing or condensing these with an epoxy resin or a polyvalent carboxylic acid. May be.

なお、前記フッ素樹脂基材またはフッ素樹脂フィルムとは、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン(4フッ化))、PFA(テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体)、FEP(テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体(4.6フッ化))、ETFE(テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体)、PVDF(ポリビニリデンフルオライド(2フッ化))、PCTFE(ポリクロロトリフルオロエチレン(3フッ化))、ポリアリルスルフォン、芳香族ポリスルフィドおよび芳香族ポリエーテルの中から選ばれるいずれか少なくとも1種の熱可塑性樹脂とフッ素樹脂とからなるフッ素系樹脂等を用いた基材またはフィルムであってもよい。ガラスクロス等の骨格材を含んでも含まなくとも構わない。また、このフッ素樹脂基材の厚さに関しても、特段の限定はない。   The fluororesin substrate or fluororesin film refers to PTFE (polytetrafluoroethylene (tetrafluoroethylene)), PFA (tetrafluoroethylene / perfluoroalkyl vinyl ether copolymer), FEP (tetrafluoroethylene / hexafluoro). Propylene copolymer (4.6 fluoride)), ETFE (tetrafluoroethylene / ethylene copolymer), PVDF (polyvinylidene fluoride (difluoride)), PCTFE (polychlorotrifluoroethylene (trifluoride)) ), A base material or a film using a fluororesin composed of at least one thermoplastic resin selected from polyallylsulfone, aromatic polysulfide, and aromatic polyether and a fluororesin. . It does not matter whether or not a skeletal material such as glass cloth is included. Moreover, there is no special limitation also about the thickness of this fluororesin base material.

また、前記硬化剤としては、単に硬化させることのみを目的とすれば、ジシアンジアミド、イミダゾール類、芳香族アミン等のアミン類、ビスフェノールA、ブロム化ビスフェノールA等のフェノール類、フェノールノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂等のノボラック類、無水フタル酸等の酸無水物等のあらゆる硬化剤を用いることができる。これらの硬化剤はエポキシ樹脂に特に有効である。しかしながら、沸点200℃以上のアミン系エポキシ樹脂硬化剤を用いることが、フッ素樹脂基材と金属箔との密着性を顕著に向上させるという観点から最も好ましい。プレス成形温度が180℃付近であり、このプレス成形温度付近に硬化剤の沸点があると、プレス成形によりエポキシ樹脂硬化剤が沸騰するため硬化した絶縁樹脂層内に気泡が発生しやすくなる。そして、フッ素樹脂基材と金属箔との間に接着層を構成するのにアミン系エポキシ樹脂硬化剤を用いると最も安定した密着性が得られる。即ち、「沸点200℃以上のアミン系エポキシ樹脂硬化剤」とは、芳香族ポリアミン、ポリアミド類及びこれらをエポキシ樹脂や多価カルボン酸と重合或いは縮合させて得られるアミンアダクト体の群から選ばれた一種又は二種以上を用いる場合を言う。そして、これをより具体的に言えば、4,4’−ジアミノジフェニレンサルフォン、3,3’−ジアミノジフェニレンサルフォン、4,4−ジアミノジフェニレル、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]サルフォンのいずれかを用いることが好ましい。また、当該アミン系エポキシ樹脂硬化剤のエポキシ樹脂に対する添加量は、それぞれの当量から自ずと導き出されるものであるため、本来厳密にその配合割合を明記する必要性はないものと考える。従って、本件発明では、硬化剤の添加量を特に限定していない。   Further, as the curing agent, for the purpose of merely curing, amines such as dicyandiamide, imidazoles and aromatic amines, phenols such as bisphenol A and brominated bisphenol A, phenol novolac resins and cresol novolacs Any curing agent such as novolaks such as resins and acid anhydrides such as phthalic anhydride can be used. These curing agents are particularly effective for epoxy resins. However, it is most preferable to use an amine epoxy resin curing agent having a boiling point of 200 ° C. or higher from the viewpoint of significantly improving the adhesion between the fluororesin substrate and the metal foil. If the press molding temperature is around 180 ° C. and the boiling point of the curing agent is near the press molding temperature, the epoxy resin curing agent will boil due to the press molding, and bubbles are likely to be generated in the cured insulating resin layer. The most stable adhesion can be obtained when an amine-based epoxy resin curing agent is used to form an adhesive layer between the fluororesin substrate and the metal foil. That is, the “amine epoxy resin curing agent having a boiling point of 200 ° C. or more” is selected from the group of aromatic polyamines, polyamides, and amine adducts obtained by polymerizing or condensing these with epoxy resins or polyvalent carboxylic acids. The case where one kind or two kinds or more are used. More specifically, 4,4′-diaminodiphenylenesulfone, 3,3′-diaminodiphenylenesulfone, 4,4-diaminodiphenylel, 2,2-bis [4- It is preferable to use either (4-aminophenoxy) phenyl] propane or bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone. Moreover, since the addition amount with respect to the epoxy resin of the said amine epoxy resin hardening | curing agent is derived from each equivalent naturally, it thinks that it is not necessary to specify the compounding ratio strictly strictly. Therefore, in this invention, the addition amount of a hardening | curing agent is not specifically limited.

また、必要に応じて適宜量添加する硬化促進剤を用いることも好ましい。ここで言う硬化促進剤とは、3級アミン、イミダゾール、尿素系硬化促進剤等である。本件発明では、この硬化促進剤の配合割合は、特に限定を設けていない。なぜなら、硬化促進剤は、プレス加工時の加熱条件等を考慮して、製造者が任意に選択的に添加量を定めて良いものであるからである。   It is also preferable to use a curing accelerator that is added in an appropriate amount as required. The curing accelerator referred to here is a tertiary amine, imidazole, urea curing accelerator or the like. In the present invention, the mixing ratio of the curing accelerator is not particularly limited. This is because the amount of the hardening accelerator can be arbitrarily determined by the manufacturer in consideration of heating conditions during press working.

そして、前記樹脂層はゴム性樹脂を含むことも好ましい。ここで言うゴム性樹脂とは、天然ゴム及び合成ゴムを含む概念として記載しており、後者の合成ゴムにはスチレン−ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、ブチルゴム、エチレン−プロピレンゴム等がある。更に、耐熱性を要求される場合には、ニトリルゴム、クロロプレンゴム、シリコンゴム、ウレタンゴム等の耐熱性合成ゴムを選択使用することも有用である。これらのゴム性樹脂に関しては、上記ポリマー成分と反応して共重合体を形成するように、両末端に種々の官能基を備えるものであることが望ましい。   The resin layer preferably contains a rubbery resin. The rubber resin referred to here is described as a concept including natural rubber and synthetic rubber, and the latter synthetic rubber includes styrene-butadiene rubber, butadiene rubber, butyl rubber, ethylene-propylene rubber and the like. Furthermore, when heat resistance is required, it is also useful to selectively use heat-resistant synthetic rubbers such as nitrile rubber, chloroprene rubber, silicon rubber, urethane rubber. Regarding these rubber resins, it is desirable to have various functional groups at both ends so as to react with the polymer component to form a copolymer.

更に、上記高分子ポリマーの架橋剤を必要に応じて添加して用いることも好ましい。例えば、上記高分子ポリマーとして、ポリビニルアセタール樹脂を用いる場合には、ウレタン樹脂を架橋材として用いる等である。   Furthermore, it is also preferable to add the above-mentioned high-molecular polymer crosslinking agent as necessary. For example, when a polyvinyl acetal resin is used as the polymer, a urethane resin is used as a cross-linking material.

前記樹脂層の樹脂組成物の構成成分は、樹脂組成物を100重量部としたとき、エポキシ樹脂が50重量部〜80重量部、硬化剤が1重量部〜15重量部、硬化促進剤が0.01重量部〜1.0重量部、ポリマー成分が2重量部〜50重量部、架橋剤が1重量部〜5重量部、ゴム性樹脂が1重量部〜10重量部の範囲の組成を採用してもよい。この組成範囲に含まれる限り、フッ素樹脂基材と金属箔との良好な密着性を維持し、且つ、製品の密着性のバラツキが少なくなる。   The components of the resin composition of the resin layer are 50 parts by weight to 80 parts by weight of the epoxy resin, 1 part by weight to 15 parts by weight of the curing agent, and 0 part of the curing accelerator when the resin composition is 100 parts by weight. .01 parts by weight to 1.0 parts by weight, 2 to 50 parts by weight of the polymer component, 1 to 5 parts by weight of the crosslinking agent, and 1 to 10 parts by weight of the rubbery resin are employed. May be. As long as it is included in this composition range, good adhesion between the fluororesin substrate and the metal foil is maintained, and variation in product adhesion is reduced.

前記樹脂層は5〜50重量部のエポキシ樹脂(硬化剤を含む)、50〜95重量部のポリエーテルサルホン樹脂(末端に水酸基又はアミノ基を持ち且つ溶剤に可溶なもの)、及び、必要に応じて適宜量添加する硬化促進剤からなる樹脂混合物を用いて形成したものまたは当該樹脂混合物を半硬化させたものであってもよい。   The resin layer is 5 to 50 parts by weight of an epoxy resin (including a curing agent), 50 to 95 parts by weight of a polyethersulfone resin (having a hydroxyl group or an amino group at the terminal and being soluble in a solvent), and What was formed using the resin mixture which consists of a hardening accelerator added suitably as needed, or what made the said resin mixture semi-hardened may be used.

前記樹脂層は銅箔側から順に第1熱硬化性樹脂層と、当該第1熱硬化性樹脂層の表面に位置する第2熱硬化性樹脂層とを有する樹脂層であって、第1熱硬化性樹脂層は、配線板製造プロセスにおけるデスミア処理時の薬品に溶解しない樹脂成分で形成されたものであり、第2熱硬化性樹脂層は、配線板製造プロセスにおけるデスミア処理時の薬品に溶解し洗浄除去可能な樹脂を用いて形成したものであってもよい。前記第1熱硬化性樹脂層は、ポリイミド樹脂、ポリエーテルサルホン、ポリフェニレンオキサイドのいずれか一種又は2種以上を混合した樹脂成分を用いて形成したものであってもよい。前記第2熱硬化性樹脂層は、エポキシ樹脂成分を用いて形成したものであってもよい。前記第1熱硬化性樹脂層の厚さt1(μm)は、表面処理銅箔の粗化面粗さをRz(μm)とし、第2熱硬化性樹脂層の厚さをt2(μm)としたとき、t1は、Rz<t1<t2の条件を満たす厚さであることが好ましい。   The resin layer is a resin layer having a first thermosetting resin layer and a second thermosetting resin layer located on the surface of the first thermosetting resin layer in order from the copper foil side, The curable resin layer is formed of a resin component that does not dissolve in chemicals during desmear processing in the wiring board manufacturing process, and the second thermosetting resin layer dissolves in chemicals during desmear processing in the wiring board manufacturing process. Then, it may be formed using a resin that can be washed and removed. The first thermosetting resin layer may be formed using a resin component obtained by mixing one or more of polyimide resin, polyethersulfone, and polyphenylene oxide. The second thermosetting resin layer may be formed using an epoxy resin component. The thickness t1 (μm) of the first thermosetting resin layer is such that the roughened surface roughness of the surface-treated copper foil is Rz (μm), and the thickness of the second thermosetting resin layer is t2 (μm). Then, t1 is preferably a thickness that satisfies the condition of Rz <t1 <t2.

前記樹脂層は骨格材に樹脂を含浸させたプリプレグであってもよい。前記骨格材に含浸させた樹脂は熱硬化性樹脂であることが好ましい。前記プリプレグは公知のプリプレグまたはプリント配線板製造に用いるプリプレグであってもよい。前記プリプレグは次の工程を有する製造方法により製造されたプリプレグであってもよい。1.液体状の熱硬化性樹脂を用いて、平坦なワーク平面の上に所定厚さの被膜として液体樹脂層を形成する液体樹脂被膜形成工程。2.ワーク平面上にある液体樹脂層を、そのままの状態で乾燥させることで乾燥樹脂層とする予備乾燥工程。3.ワーク平面上にある前記乾燥樹脂層の表面に、骨格材を重ね合わせ、予備加熱して圧着することで骨格材付乾燥樹脂層とする骨格材予備接着工程。4.ワーク平面上に骨格材付乾燥樹脂層を載置したまま、樹脂が再流動可能な温度で加熱し、当該骨格材に熱硬化性樹脂成分を含浸させる樹脂含浸工程。5.樹脂含浸が終了すると、熱硬化性樹脂を完全硬化させることなく、直ちに降温操作を行い、骨格材に含浸させた熱硬化性樹脂の半硬化状態を維持してプリプレグ状態となるようにする冷却工程。   The resin layer may be a prepreg in which a skeleton material is impregnated with a resin. The resin impregnated in the skeleton material is preferably a thermosetting resin. The prepreg may be a known prepreg or a prepreg used for manufacturing a printed wiring board. The prepreg may be a prepreg manufactured by a manufacturing method having the following steps. 1. A liquid resin film forming step of forming a liquid resin layer as a film having a predetermined thickness on a flat work plane using a liquid thermosetting resin. 2. A preliminary drying step in which the liquid resin layer on the work plane is dried as it is to obtain a dry resin layer. 3. A skeleton material pre-adhesion step in which a skeleton material is superimposed on the surface of the dry resin layer on the work plane, preheated and pressed to form a dry resin layer with a skeleton material. 4). A resin impregnation step in which the resin is heated at a temperature at which the resin can be reflowed while the dry resin layer with the skeleton material is placed on the work plane, and the skeleton material is impregnated with the thermosetting resin component. 5. When the resin impregnation is completed, the cooling step is performed so that the temperature setting operation is immediately performed without completely curing the thermosetting resin, and the semi-cured state of the thermosetting resin impregnated in the skeleton material is maintained to be in the prepreg state. .

前記骨格材はアラミド繊維又はガラス繊維又は全芳香族ポリエステル繊維を含んでもよい。前記骨格材はアラミド繊維又はガラス繊維又は全芳香族ポリエステル繊維の不織布若しくは織布であることが好ましい。また、前記全芳香族ポリエステル繊維は融点が300℃以上の全芳香族ポリエステル繊維であることが好ましい。前記融点が300℃以上の全芳香族ポリエステル繊維とは、所謂液晶ポリマーと称される樹脂を用いて製造される繊維であり、当該液晶ポリマーは2−ヒドロキシル−6−ナフトエ酸及びp−ヒドロキシ安息香酸の重合体を主成分とするものである。この全芳香族ポリエステル繊維は、低誘電率、低い誘電正接を持つため、電気的絶縁層の構成材として優れた性能を有し、ガラス繊維及びアラミド繊維と同様に使用することが可能なものである。
なお、前記不織布及び織布を構成する繊維は、その表面の樹脂との濡れ性を向上させるため、シランカップリング剤処理を施す事が好ましい。このときのシランカップリング剤は、使用目的に応じてアミノ系、エポキシ系等のシランカップリング剤を用いればよいのである。
The skeleton material may include aramid fibers, glass fibers, or wholly aromatic polyester fibers. The skeleton material is preferably an aramid fiber, a glass fiber, or a nonwoven fabric or woven fabric of wholly aromatic polyester fibers. The wholly aromatic polyester fiber is preferably a wholly aromatic polyester fiber having a melting point of 300 ° C. or higher. The wholly aromatic polyester fiber having a melting point of 300 ° C. or higher is a fiber produced using a resin called a so-called liquid crystal polymer, and the liquid crystal polymer contains 2-hydroxyl-6-naphthoic acid and p-hydroxybenzoic acid. The main component is an acid polymer. Since this wholly aromatic polyester fiber has a low dielectric constant and low dielectric loss tangent, it has excellent performance as a constituent material of an electrically insulating layer and can be used in the same manner as glass fiber and aramid fiber. is there.
In addition, in order to improve the wettability with the resin of the surface, it is preferable to perform the silane coupling agent process for the fiber which comprises the said nonwoven fabric and woven fabric. The silane coupling agent at this time may be an amino or epoxy silane coupling agent depending on the purpose of use.

また、前記プリプレグは公称厚さが70μm以下のアラミド繊維又はガラス繊維を用いた不織布、あるいは、公称厚さが30μm以下のガラスクロスからなる骨格材に熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグであってもよい。   The prepreg is a prepreg obtained by impregnating a thermosetting resin into a nonwoven fabric using an aramid fiber or glass fiber having a nominal thickness of 70 μm or less, or a skeleton material made of glass cloth having a nominal thickness of 30 μm or less. Also good.

これらの樹脂を例えばメチルエチルケトン(MEK)、シクロペンタノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、トルエン、メタノール、エタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、シクロヘキサノン、エチルセロソルブ、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミドなどの溶剤に溶解して樹脂液とし、これを前記極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート処理層、あるいは前記シランカップリング剤層の上に、例えばロールコータ法などによって塗布し、ついで必要に応じて加熱乾燥して溶剤を除去しBステージ状態にする。乾燥には例えば熱風乾燥炉を用いればよく、乾燥温度は100〜250℃、好ましくは130〜200℃であればよい。前記樹脂層の組成物を、溶剤を用いて溶解し、樹脂固形分3wt%〜60wt%、好ましくは、10wt%〜40wt%、より好ましくは25wt%〜40wt%の樹脂液としてもよい。なお、メチルエチルケトンとシクロペンタノンとの混合溶剤を用いて溶解することが、環境的な見地より現段階では最も好ましい。   These resins are, for example, methyl ethyl ketone (MEK), cyclopentanone, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, toluene, methanol, ethanol, propylene glycol monomethyl ether, dimethylformamide, dimethylacetamide, cyclohexanone, ethyl cellosolve, N-methyl. 2-Pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, etc., dissolved in a solvent to give a resin liquid, which is applied to the ultrathin copper layer, the heat-resistant layer, the rust-proof layer, or the chromate On the treatment layer or the silane coupling agent layer, for example, it is applied by a roll coater method or the like, and then heated and dried as necessary to remove the solvent to obtain a B stage state. For example, a hot air drying furnace may be used for drying, and the drying temperature may be 100 to 250 ° C, preferably 130 to 200 ° C. The resin layer composition may be dissolved using a solvent to obtain a resin liquid having a resin solid content of 3 wt% to 60 wt%, preferably 10 wt% to 40 wt%, more preferably 25 wt% to 40 wt%. In addition, it is most preferable at this stage from an environmental standpoint to dissolve using a mixed solvent of methyl ethyl ketone and cyclopentanone.

前記樹脂層を備えた表面処理銅箔(樹脂付き表面処理銅箔)は、その樹脂層を基材に重ね合わせたのち全体を熱圧着して該樹脂層を熱硬化せしめ、ついで銅箔に所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。また、当該表面処理銅箔を極薄銅層として用いたキャリア付銅箔について、樹脂層を備えたキャリア付銅箔(樹脂付きキャリア付銅箔)は、その樹脂層を基材に重ね合わせたのち全体を熱圧着して該樹脂層を熱硬化せしめ、ついでキャリアを剥離して極薄銅層を表出せしめ(当然に表出するのは該極薄銅層の中間層側の表面である)、そこに所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。   The surface-treated copper foil provided with the resin layer (surface-treated copper foil with resin) is superposed on the base material, and the whole is thermocompressed to thermally cure the resin layer. This wiring pattern is used in the form of forming. Moreover, about the copper foil with a carrier which used the said surface-treated copper foil as an ultra-thin copper layer, the copper foil with a carrier provided with the resin layer (copper foil with a carrier with a resin) overlapped the resin layer on the base material After that, the entire resin layer is thermocompression-bonded to thermally cure the resin layer, and then the carrier is peeled off to expose the ultrathin copper layer (naturally it is the surface on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer) And a predetermined wiring pattern is formed there.

この樹脂付き表面処理銅箔或いは樹脂付きキャリア付銅箔を使用すると、多層プリント配線基板の製造時におけるプリプレグ材の使用枚数を減らすことができる。しかも、樹脂層の厚みを層間絶縁が確保できるような厚みにしたり、プリプレグ材を全く使用していなくても銅張積層板を製造することができる。またこのとき、基材の表面に絶縁樹脂をアンダーコートして表面の平滑性を更に改善することもできる。   When this surface-treated copper foil with resin or copper foil with carrier with resin is used, the number of prepreg materials used in the production of the multilayer printed wiring board can be reduced. In addition, the copper-clad laminate can be manufactured even if the resin layer is made thick enough to ensure interlayer insulation or no prepreg material is used. At this time, the surface smoothness can be further improved by undercoating the surface of the substrate with an insulating resin.

なお、プリプレグ材を使用しない場合には、プリプレグ材の材料コストが節約され、また積層工程も簡略になるので経済的に有利となり、しかも、プリプレグ材の厚み分だけ製造される多層プリント配線基板の厚みは薄くなり、特に樹脂付きキャリア付銅箔については1層の厚みが100μm以下である極薄の多層プリント配線基板を製造することができるという利点がある。当該樹脂層の厚みは0.1〜120μmであることが好ましい。   In addition, when the prepreg material is not used, the material cost of the prepreg material is saved and the laminating process is simplified, which is economically advantageous. Moreover, the multilayer printed wiring board manufactured by the thickness of the prepreg material is used. The thickness is reduced, and particularly with respect to the copper foil with a carrier with resin, there is an advantage that an extremely thin multilayer printed wiring board in which the thickness of one layer is 100 μm or less can be manufactured. The thickness of the resin layer is preferably 0.1 to 120 μm.

樹脂層の厚みが0.1μmより薄くなると、接着力が低下し、プリプレグ材を介在させることなくこの樹脂付き表面処理銅箔或いは樹脂付きキャリア付銅箔を内層材を備えた基材に積層したときに、内層材の回路との間の層間絶縁を確保することが困難になる場合がある。また、前記硬化樹脂層、半硬化樹脂層との総樹脂層厚みは0.1μm〜120μmであるものが好ましく、35μm〜120μmのものが実用上好ましい。そして、その場合の各厚みは、硬化樹脂層は5〜20μmで、半硬化樹脂層は15〜115μmであることが望ましい。総樹脂層厚みが120μmを超えると、薄厚の多層プリント配線板を製造することが難しくなる場合があり、35μm未満では薄厚の多層プリント配線板を形成し易くなるものの、内層の回路間における絶縁層である樹脂層が薄くなりすぎ、内層の回路間の絶縁性を不安定にする傾向が生じる場合があるためである。また、硬化樹脂層厚みが5μm未満であると、銅箔粗化面の表面粗度を考慮する必要が生じる場合がある。逆に硬化樹脂層厚みが20μmを超えると硬化済み樹脂層による効果は特に向上することがなくなる場合があり、総絶縁層厚は厚くなる。また、前記硬化樹脂層は、厚さが3μm〜30μmであってもよい。また、前記半硬化樹脂層は、厚さが7μm〜55μmであってもよい。また、前記硬化樹脂層と前記半硬化樹脂層との合計厚さは10μm〜60μmであってもよい。   When the thickness of the resin layer becomes thinner than 0.1 μm, the adhesive strength is reduced, and the surface-treated copper foil with resin or the copper foil with carrier with resin is laminated on the base material provided with the inner layer material without interposing a prepreg material. In some cases, it may be difficult to ensure interlayer insulation with the circuit of the inner layer material. The total resin layer thickness with the cured resin layer and the semi-cured resin layer is preferably 0.1 μm to 120 μm, and practically preferable is 35 μm to 120 μm. And in that case, as for each thickness, it is desirable that a cured resin layer is 5-20 micrometers, and a semi-hardened resin layer is 15-115 micrometers. If the total resin layer thickness exceeds 120 μm, it may be difficult to produce a thin multilayer printed wiring board. If the total resin layer thickness is less than 35 μm, it is easy to form a thin multilayer printed wiring board. This is because the resin layer may become too thin and the insulation between the circuits of the inner layer tends to become unstable. Moreover, when the cured resin layer thickness is less than 5 μm, it may be necessary to consider the surface roughness of the roughened copper foil surface. Conversely, if the cured resin layer thickness exceeds 20 μm, the effect of the cured resin layer may not be particularly improved, and the total insulating layer thickness becomes thick. The cured resin layer may have a thickness of 3 μm to 30 μm. The semi-cured resin layer may have a thickness of 7 μm to 55 μm. The total thickness of the cured resin layer and the semi-cured resin layer may be 10 μm to 60 μm.

また、樹脂付き表面処理銅箔或いは樹脂付きキャリア付銅箔が極薄の多層プリント配線板を製造することに用いられる場合には、前記樹脂層の厚みを0.1μm〜5μm、より好ましくは0.5μm〜5μm、より好ましくは1μm〜5μmとすることが、多層プリント配線板の厚みを小さくするために好ましい。なお、前記樹脂層の厚みを0.1μm〜5μmとする場合には、樹脂層と銅箔との密着性を向上させるため、表面処理層の上に耐熱層および/または防錆層および/またはクロメート処理層および/またはシランカップリング処理層を設けた後に、当該耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング処理層の上に樹脂層を形成することが好ましい。
また、樹脂層が誘電体を含む場合には、樹脂層の厚みは0.1〜50μmであることが好ましく、0.5μm〜25μmであることが好ましく、1.0μm〜15μmであることがより好ましい。なお、前述の樹脂層の厚みは、任意の10点において断面観察により測定した厚みの平均値をいう。
Further, when the surface-treated copper foil with resin or the copper foil with carrier with resin is used for producing an ultra-thin multilayer printed wiring board, the thickness of the resin layer is 0.1 μm to 5 μm, more preferably 0. The thickness is preferably 5 μm to 5 μm, more preferably 1 μm to 5 μm, in order to reduce the thickness of the multilayer printed wiring board. When the thickness of the resin layer is 0.1 μm to 5 μm, in order to improve the adhesion between the resin layer and the copper foil, a heat-resistant layer and / or a rust-proof layer and / or on the surface treatment layer After providing the chromate treatment layer and / or the silane coupling treatment layer, it is preferable to form a resin layer on the heat-resistant layer, rust prevention layer, chromate treatment layer or silane coupling treatment layer.
When the resin layer includes a dielectric, the thickness of the resin layer is preferably 0.1 to 50 μm, preferably 0.5 μm to 25 μm, and more preferably 1.0 μm to 15 μm. preferable. In addition, the thickness of the above-mentioned resin layer says the average value of the thickness measured by cross-sectional observation in arbitrary 10 points | pieces.

一方、樹脂層の厚みを120μmより厚くすると、1回の塗布工程で目的厚みの樹脂層を形成することが困難となり、余分な材料費と工数がかかるため経済的に不利となる。更には、形成された樹脂層はその可撓性が劣るので、ハンドリング時にクラックなどが発生しやすくなり、また内層材との熱圧着時に過剰な樹脂流れが起こって円滑な積層が困難になる場合がある。   On the other hand, if the thickness of the resin layer is thicker than 120 μm, it becomes difficult to form a resin layer having a desired thickness in a single coating process, which is economically disadvantageous because of extra material costs and man-hours. Furthermore, since the formed resin layer is inferior in flexibility, cracks are likely to occur during handling, and excessive resin flow occurs during thermocompression bonding with the inner layer material, making smooth lamination difficult. There is.

更に、樹脂付きキャリア付銅箔のもう一つの製品形態としては、前記極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート処理層、あるいは前記シランカップリング処理層の上に樹脂層で被覆し、半硬化状態とした後、ついでキャリアを剥離して、キャリアが存在しない樹脂付き銅箔の形で製造することも可能である。   Furthermore, another product form of the copper foil with a carrier with resin is a resin on the ultrathin copper layer, or on the heat-resistant layer, rust-proof layer, chromate-treated layer, or silane coupling-treated layer. After coating with a layer and making it into a semi-cured state, the carrier can then be peeled off and manufactured in the form of a copper foil with resin in which no carrier is present.

以下に、本発明に係る樹脂基材を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。また、プリント配線板に電子部品類を搭載することで、プリント回路板が完成する。   Below, some examples of the manufacturing process of the printed wiring board using the resin base material which concerns on this invention are shown. Moreover, a printed circuit board is completed by mounting electronic components on the printed wiring board.

セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、表面処理銅箔と樹脂基材とを準備する工程、表面処理銅箔を、表面処理層側から樹脂基材に積層する工程、樹脂基材上の表面処理銅箔を除去して本発明の樹脂基材を得る工程、表面処理銅箔を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程を含む。   In one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, a step of preparing a surface-treated copper foil and a resin base material, the surface-treated copper foil is formed from the surface-treated layer side with a resin substrate. A step of laminating the material, a step of removing the surface-treated copper foil on the resin base material to obtain the resin base material of the present invention, and a step of forming a circuit on the surface of the resin base material from which the surface-treated copper foil has been removed.

図1に銅箔のプロファイルを使用したセミアディティブ工法の概略例を示す。当該工法では、樹脂基材の表面プロファイルの形成のために、銅箔の表面プロファイルを用いている。具体的には、まず、樹脂基材に本発明の銅箔を積層させて銅張積層体を作製する。次に、銅張積層体の銅箔を全面エッチングする。次に、銅箔表面プロファイルが転写した樹脂基材(全面エッチング基材)の表面に無電解銅メッキを施す。そして、樹脂基材(全面エッチング基材)の回路を形成しない部分をドライフィルム等で被覆し、ドライフィルムに被覆されていない無電解銅メッキ層の表面に電気(電解)銅メッキを施す。その後、ドライフィルムを除去した後に、回路を形成しない部分に形成された無電解銅メッキ層を除去することにより微細な回路を形成する。本発明で形成される微細回路は、本発明の銅箔表面プロファイルが転写された樹脂基材(全面エッチング基材)のエッチング面と密着しているため、その密着力(ピール強度)が良好となっている。   FIG. 1 shows a schematic example of a semi-additive construction method using a copper foil profile. In this construction method, the surface profile of the copper foil is used for forming the surface profile of the resin base material. Specifically, first, the copper foil of the present invention is laminated on a resin base material to produce a copper clad laminate. Next, the entire surface of the copper foil of the copper clad laminate is etched. Next, electroless copper plating is applied to the surface of the resin substrate (entire etching substrate) to which the copper foil surface profile has been transferred. Then, a portion of the resin base material (entire etching base material) where the circuit is not formed is covered with a dry film or the like, and electroless (electrolytic) copper plating is applied to the surface of the electroless copper plating layer not covered with the dry film. Then, after removing the dry film, a fine circuit is formed by removing the electroless copper plating layer formed in the portion where the circuit is not formed. Since the fine circuit formed in the present invention is in close contact with the etching surface of the resin base material (entire etching base material) to which the copper foil surface profile of the present invention is transferred, the adhesion force (peel strength) is good. It has become.

樹脂基材は内層回路入りのものとすることも可能である。また、本発明において、セミアディティブ法とは、樹脂基材又は銅箔シード層上に薄い無電解めっきを行い、パターンを形成後、電気めっき及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を指す。   The resin base material can also have an inner layer circuit. In the present invention, the semi-additive method refers to a method in which a thin electroless plating is performed on a resin substrate or a copper foil seed layer, a pattern is formed, and then a conductor pattern is formed using electroplating and etching.

セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、キャリア付銅箔と、樹脂基材とを準備する工程、キャリア付銅箔を極薄銅層側から樹脂基材に積層する工程、キャリア付銅箔と樹脂基材とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、キャリアを剥がした後の樹脂基材上の極薄銅層を除去して本発明の樹脂基材を得る工程、極薄銅層を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程を含む。   In one embodiment of a method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and a resin base material, the copper foil with a carrier is resin from the ultrathin copper layer side The process of laminating on the substrate, laminating the carrier-attached copper foil and the resin substrate, removing the carrier of the copper foil with carrier, removing the ultrathin copper layer on the resin substrate after removing the carrier And a step of forming a circuit on the surface of the resin substrate from which the ultrathin copper layer has been removed.

本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、表面処理銅箔を、表面処理層側から本発明の樹脂基材に積層して銅張積層板を形成し、その後、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含む。   In one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention, a surface-treated copper foil is laminated on the resin base material of the present invention from the surface-treated layer side to form a copper-clad laminate, and then subtractive Forming a circuit by any one of a method, a partial additive method, or a modified semi-additive method.

本発明において、サブトラクティブ法とは、銅張積層板上の銅箔の不要部分を、エッチングなどによって、選択的に除去して、導体パターンを形成する方法を指す。   In the present invention, the subtractive method refers to a method of forming a conductor pattern by selectively removing unnecessary portions of a copper foil on a copper clad laminate by etching or the like.

本発明において、パートリーアディティブ法とは、導体層を設けてなる基板、必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導体回路を形成し、必要に応じてソルダレジストまたはメッキレジストを設けた後に、前記導体回路上、スルーホールやバイアホールなどに無電解めっき処理によって厚付けを行うことにより、プリント配線板を製造する方法を指す。   In the present invention, the partial additive method means that a catalyst circuit is formed on a substrate provided with a conductor layer, and if necessary, a substrate provided with holes for through holes or via holes, and etched to form a conductor circuit. Then, after providing a solder resist or a plating resist as necessary, it refers to a method of manufacturing a printed wiring board by thickening through holes, via holes, etc. on the conductor circuit by electroless plating.

本発明において、モディファイドセミアディティブ法とは、樹脂基材上に金属箔を積層し、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けを行った後、レジストを除去し、前記回路形成部以外の金属箔を(フラッシュ)エッチングで除去することにより、樹脂基材上に回路を形成する方法を指す。   In the present invention, the modified semi-additive method is a method of laminating a metal foil on a resin base material, protecting a non-circuit forming portion with a plating resist, thickening the copper of the circuit forming portion by electrolytic plating, It refers to a method of forming a circuit on a resin substrate by removing and removing the metal foil other than the circuit forming part by (flash) etching.

本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、キャリア付銅箔を極薄銅層側から本発明の樹脂基材に積層する工程、キャリア付銅箔と樹脂基材とを積層した後に、キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、その後、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含む。   In one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention, the step of laminating the copper foil with carrier on the resin base material of the present invention from the ultrathin copper layer side, laminating the copper foil with carrier and the resin base material Thereafter, a copper-clad laminate is formed through a step of peeling the carrier of the carrier-attached copper foil, and then a step of forming a circuit by either the partial additive method or the modified semi-additive method is included.

セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、表面に回路が形成された金属箔を準備する工程、回路が埋没するように金属箔表面に樹脂基材を形成する工程、表面処理銅箔を、表面処理層側から樹脂基材に積層する工程、樹脂基材上の表面処理銅箔を除去して本発明の樹脂基材を得る工程、表面処理銅箔を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程、及び、金属箔を除去することで、金属箔表面に形成した、樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程を含む。   In one embodiment of a method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, a step of preparing a metal foil having a circuit formed on the surface, a resin base material on the surface of the metal foil so that the circuit is buried A step of laminating the surface-treated copper foil on the resin substrate from the surface-treated layer side, a step of removing the surface-treated copper foil on the resin substrate to obtain the resin substrate of the present invention, the surface-treated copper A step of forming a circuit on the surface of the resin base material from which the foil has been removed, and a step of exposing the circuit embedded in the resin base material formed on the surface of the metal foil by removing the metal foil.

セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、第1のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に回路を形成する工程、回路が埋没するように第1のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に樹脂基材を形成する工程、第2のキャリア付銅箔を準備し、第2のキャリア付銅箔の極薄銅層側から樹脂基材に積層する工程、第2のキャリア付銅箔を樹脂基材に積層した後に、第2のキャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、第2のキャリア付銅箔のキャリアを剥がした後の樹脂基材上の極薄銅層を除去して本発明の樹脂基材を得る工程、極薄銅層を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程、樹脂基材上に回路を形成した後に、第1のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させる工程、及び、第1のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、第1のキャリア付銅箔の極薄銅層を除去することで、第1のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に形成した、樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程を含む。   In one embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention using the semi-additive method, a step of forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface of the first copper foil with carrier so that the circuit is buried Forming a resin base material on the surface of the ultrathin copper layer side of the first copper foil with carrier, preparing a second copper foil with carrier, and forming a resin base from the ultrathin copper layer side of the second copper foil with carrier The step of laminating on the material, the step of peeling the carrier of the second copper foil with carrier after laminating the second copper foil with carrier on the resin substrate, the resin after peeling off the carrier of the second copper foil with carrier The process of obtaining the resin base material of the present invention by removing the ultrathin copper layer on the base material, the step of forming a circuit on the surface of the resin base material from which the ultrathin copper layer was removed, and the circuit was formed on the resin base material Later, the step of peeling the carrier of the first copper foil with carrier, and the first copper with carrier After removing the carrier, the ultrathin copper layer of the first carrier-attached copper foil is removed, so that it is buried in the resin substrate formed on the ultrathin copper layer side surface of the first carrier-attached copper foil. Exposing the active circuit.

本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、表面に回路が形成された金属箔を準備する工程、回路が埋没するように金属箔表面に本発明の樹脂基材を形成する工程、表面処理銅箔を、表面処理層側から樹脂基材に積層し、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって樹脂層上に回路を形成する工程、及び、金属箔を除去することで、金属箔表面に形成した、樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程を含む。   In one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention, a step of preparing a metal foil having a circuit formed on the surface, the resin base material of the present invention is formed on the surface of the metal foil so that the circuit is buried A step of laminating a surface-treated copper foil on a resin base material from the surface-treated layer side, and forming a circuit on the resin layer by any one of a subtractive method, a partial additive method, or a modified semi-additive method; and The process of exposing the circuit embedded in the resin base material formed in the metal foil surface by removing metal foil is included.

本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、第1のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に回路を形成する工程、回路が埋没するように第1のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に本発明の樹脂基材を形成する工程、第2のキャリア付銅箔を準備し、第2のキャリア付銅箔の極薄銅層側から樹脂基材に積層して第2のキャリア付銅箔のキャリアを剥がし、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって樹脂基材上に回路を形成する工程、樹脂基材上に回路を形成した後に、第1のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させる工程、及び、第1のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、第1のキャリア付銅箔の極薄銅層を除去することで、第1のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に形成した、樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程を含む。   In one embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention, a step of forming a circuit on the surface of the first copper foil with carrier on the ultrathin copper layer side, the first copper with carrier so that the circuit is buried The step of forming the resin base material of the present invention on the surface of the ultrathin copper layer of the foil, preparing a second copper foil with carrier, and laminating the resin base material from the ultrathin copper layer side of the second copper foil with carrier And removing the carrier of the copper foil with the second carrier, forming a circuit on the resin substrate by any one of the subtractive method, the partial additive method or the modified semi-additive method, and forming the circuit on the resin substrate. After the formation, the step of peeling the carrier of the first copper foil with carrier, and after peeling the carrier of the first copper foil with carrier, the ultrathin copper layer of the first copper foil with carrier is removed. With that, with the first carrier It formed in the ultrathin copper layer side surface of the foil, comprising the step of exposing the circuit are embedded in the resin substrate.

セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、キャリア付銅箔と樹脂基材とを準備する工程、キャリア付銅箔と樹脂基材を積層する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去して本発明の樹脂基材を得る工程、前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、前記めっきレジストを除去する工程、前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程を含む。   In one embodiment of a method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and a resin base material, a step of laminating the copper foil with a carrier and a resin base material, After laminating the copper foil with carrier and the resin base material, the step of peeling the carrier of the copper foil with carrier, the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier is etched using a corrosive solution such as acid or plasma Removing all by a method to obtain the resin base material of the present invention, providing a through hole or / and a blind via in the resin exposed by removing the ultrathin copper layer by etching, the through hole or / and A step of performing a desmear process on a region including the blind via, including the resin and the through hole or / and the blind via; A step of providing an electroless plating layer for a region, a step of providing a plating resist on the electroless plating layer, a step of exposing the plating resist, and then removing the plating resist in a region where a circuit is formed, A step of providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist is removed is formed, a step of removing the plating resist, a flash etching of an electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed, etc. The step of removing by.

セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、キャリア付銅箔と樹脂基材とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去して本発明の樹脂基材を得る工程、前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、前記めっきレジストを除去する工程、前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程を含む。   In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and a resin base material, and laminating the copper foil with a carrier and a resin base material A step of peeling the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and a resin base material, etching using a corrosive solution such as an acid on the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier, Removing all by a method such as plasma to obtain the resin substrate of the present invention, providing an electroless plating layer on the surface of the resin exposed by removing the ultrathin copper layer by etching, the electroless plating Providing a plating resist on the layer, exposing the plating resist, and then removing the plating resist in a region where a circuit is formed, the plating A step of providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the dies are removed is formed, a step of removing the plating resist, an electroless plating layer and an ultrathin copper layer in a region other than the region where the circuit is formed Is removed by flash etching or the like.

モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、キャリア付銅箔と樹脂基材とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と樹脂基材にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行い、本発明の樹脂基材の表面プロファイルを得る工程、前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、前記めっきレジストを除去する工程、前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程を含む。   In one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the modified semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and a resin base material, and laminating the copper foil with a carrier and a resin base material A step of peeling the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the resin base, a through hole or / and a blind via in the ultrathin copper layer and the resin base exposed by peeling the carrier Providing a surface profile of the resin base material of the present invention by performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via, and electroless plating layer on the region including the through hole or / and the blind via Providing a plating resist on the surface of the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier, After providing the serial plating resist to form a circuit by electroplating, removing the plating resist, comprising the step of removing the ultra-thin copper layer exposed by removing the plating resist by flash etching.

モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、キャリア付銅箔と樹脂基材とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、前記めっきレジストを除去する工程、前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去し、本発明の樹脂基材の表面プロファイルを得る工程を含む。   In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the modified semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and a resin base, the copper foil with a carrier and the resin base A step of laminating, a step of peeling the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and a resin base material, a step of providing a plating resist on the exposed ultrathin copper layer by peeling off the carrier, Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in the region where the circuit is formed; providing an electrolytic plating layer in the region where the circuit where the plating resist is removed; and the plating resist Removing the electroless plating layer and the ultrathin copper layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like, It comprises obtaining the surface profile of the resin substrate of the invention.

パートリーアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、キャリア付銅箔と樹脂基材とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と樹脂基材にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行い、本発明の樹脂基材の表面プロファイルを得る工程、前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、前記エッチングレジストを除去する工程、前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記樹脂基材表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程を含む。   In one embodiment of a method for producing a printed wiring board according to the present invention using a partly additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and a resin base material, a step of laminating the copper foil with a carrier and a resin base material The step of peeling the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the resin base material, through holes or / and blind vias in the ultrathin copper layer and the resin base material exposed by peeling the carrier A step of performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via to obtain a surface profile of the resin base material of the present invention, and providing a catalyst nucleus for the region including the through hole or / and the blind via. A step of providing an etching resist on the surface of the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier, the etching Exposing the resist to form a circuit pattern, removing the ultrathin copper layer and the catalyst core by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid to form a circuit, A step of removing an etching resist, a solder resist or a plating resist on the surface of the resin substrate exposed by removing the ultrathin copper layer and the catalyst core by a method such as etching using a corrosive solution such as acid or plasma. And a step of providing an electroless plating layer in a region where the solder resist or the plating resist is not provided.

サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、キャリア付銅箔と樹脂基材とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と樹脂基材にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行い、本発明の樹脂基材の表面プロファイルを得る工程、前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、前記エッチングレジストを除去する工程を含む。   In one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a subtractive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and a resin base material, a step of laminating the copper foil with a carrier and a resin base material The step of peeling the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the resin base material, through holes or / and blind vias in the ultrathin copper layer and the resin base material exposed by peeling the carrier A step of performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via to obtain a surface profile of the resin base material of the present invention, and an electroless plating layer on the region including the through hole or / and the blind via. The step of providing, the step of providing an electroplating layer on the surface of the electroless plating layer, the electroplating layer or / and before A step of providing an etching resist on the surface of the ultrathin copper layer, a step of exposing the etching resist to form a circuit pattern, a corrosion of the ultrathin copper layer, the electroless plating layer, and the electrolytic plating layer with an acid or the like It includes a step of forming a circuit by removing it by a method such as etching using a solution or plasma, and a step of removing the etching resist.

サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、キャリア付銅箔と樹脂基材とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と樹脂基材にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行い、本発明の樹脂基材の表面プロファイルを得る工程、前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、マスクが形成されいない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、前記エッチングレジストを除去する工程を含む。   In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a subtractive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and a resin base material, and laminating the copper foil with a carrier and the resin base material A step of peeling the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the resin base material, a through hole or / and a blind in the ultrathin copper layer and the resin base material exposed by peeling the carrier A step of providing vias, a step of obtaining a surface profile of the resin base material of the present invention by performing desmear treatment on the region including the through hole or / and the blind via, and electroless plating on the region including the through hole or / and the blind via. A step of providing a layer, a step of forming a mask on the surface of the electroless plating layer, and the electroless plating without a mask. A step of providing an electrolytic plating layer on the surface of the coating layer, a step of providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer or / and the ultrathin copper layer, a step of exposing the etching resist to form a circuit pattern, A step of forming a circuit by removing the ultra-thin copper layer and the electroless plating layer by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid, and a step of removing the etching resist.

スルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、及びその後のデスミア工程は行わなくてもよい。   The process of providing a through hole or / and a blind via and the subsequent desmear process may not be performed.

以下に本発明の実施例を示すが、これらの実施例は本発明及びその利点をよりよく理解するために提供するものであり、発明が限定されることを意図するものではない。
本実施例では、以下のように、樹脂基材の表面プロファイルについて、銅箔を用いて形成したものと、薬液を用いて形成したものとを作製した。
Examples of the present invention are shown below, but these examples are provided for better understanding of the present invention and its advantages, and are not intended to limit the invention.
In this example, as described below, the surface profile of the resin substrate was formed using a copper foil and the surface profile formed using a chemical solution.

1.銅箔を用いた樹脂基材の表面プロファイルの形成
図2に、実施例及び比較例のデータを得るためのサンプル作製フローを示す。
実施例1〜8、10〜12及び比較例1〜4の基材表面プロファイルを作製するための銅箔として、以下の銅箔バルク層(生箔)を準備した。
1. Formation of Surface Profile of Resin Base Material Using Copper Foil FIG. 2 shows a sample production flow for obtaining data of examples and comparative examples.
The following copper foil bulk layers (raw foils) were prepared as copper foils for producing the substrate surface profiles of Examples 1-8, 10-12 and Comparative Examples 1-4.

・一般電解生箔
銅濃度80〜120g/L、硫酸濃度80〜120g/L、塩化物イオン濃度30〜100ppm、ニカワ濃度1〜5ppm、電解液温度57〜62℃の硫酸銅電解液を電解銅メッキ浴とし、アノードとカソード(銅箔用電着用金属製ドラム)の間を流れる電解液の線速度を1.5〜2.5m/秒、電流密度70A/dm2で厚み12μm(重量厚み95g/m2)の一般電解生箔を作製した。
・ General electrolytic green foil Copper concentration of 80 to 120 g / L, sulfuric acid concentration of 80 to 120 g / L, chloride ion concentration of 30 to 100 ppm, glue concentration of 1 to 5 ppm, and electrolytic solution temperature of 57 to 62 ° C. The electrolytic solution flowing between the anode and the cathode (a metal drum for electrodeposition for copper foil) as a plating bath has a linear velocity of 1.5 to 2.5 m / sec, a current density of 70 A / dm 2 and a thickness of 12 μm (weight thickness 95 g). / M 2 ) general electrolytic green foil was prepared.

・両面フラット電解生箔
銅濃度80〜120g/L、硫酸濃度80〜120g/L、塩化物イオン濃度30〜100ppm、レベリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm、レベリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm、電解液温度57〜62℃の硫酸銅電解液を電解銅メッキ浴とし、アノードとカソード(銅箔用電着用金属製ドラム)の間を流れる電解液の線速度を1.5〜2.5m/秒、電流密度70A/dm2で厚み12μm(重量厚み95g/m2)の両面フラット電解生箔を作製した。上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いた。
(上記化学式中、R1及びR2はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。)
-Double-sided flat electrolytic green foil Copper concentration 80-120 g / L, sulfuric acid concentration 80-120 g / L, chloride ion concentration 30-100 ppm, leveling agent 1 (bis (3sulfopropyl) disulfide): 10-30 ppm, leveling agent 2 (Amine compound): The linear velocity of the electrolyte flowing between the anode and the cathode (electrodeposition metal drum for copper foil) using a copper sulfate electrolyte of 10 to 30 ppm and an electrolyte temperature of 57 to 62 ° C. as an electrolytic copper plating bath Was produced at a current density of 70 A / dm 2 and a thickness of 12 μm (weight thickness 95 g / m 2 ). As the amine compound, an amine compound having the following chemical formula was used.
(In the above chemical formula, R 1 and R 2 are selected from the group consisting of a hydroxyalkyl group, an ether group, an aryl group, an aromatic substituted alkyl group, an unsaturated hydrocarbon group, and an alkyl group.)

・キャリア付き極薄生銅箔
前述の両面フラット電解生箔製造条件で、厚み18μmの両面フラット電解生箔を作製した。これを銅箔キャリアとして、以下の方法により、剥離層、極薄銅層を形成し、厚み1.5、2、3、5μmのキャリア付き極薄銅箔を得た。
(1)Ni層(剥離層:下地メッキ1)
銅箔キャリアのS面に対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続メッキラインで電気メッキすることにより1000μg/dm2の付着量のNi層を形成した。具体的なメッキ条件を以下に記す。
硫酸ニッケル:270〜280g/L
塩化ニッケル:35〜45g/L
酢酸ニッケル:10〜20g/L
ホウ酸:30〜40g/L
光沢剤:サッカリン、ブチンジオール等
ドデシル硫酸ナトリウム:55〜75ppm
pH:4〜6
浴温:55〜65℃
電流密度:10A/dm2
(2)Cr層(剥離層:下地メッキ2)
次に、(1)にて形成したNi層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続メッキライン上でNi層の上に11μg/dm2の付着量のCr層を以下の条件で電解クロメート処理することにより付着させた。
重クロム酸カリウム1〜10g/L、亜鉛0g/L
pH:7〜10
液温:40〜60℃
電流密度:2A/dm2
(3)極薄銅層
次に、(2)にて形成したCr層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続メッキライン上で、Cr層の上に厚み1.5、2、3、5μmの極薄銅層を以下の条件で電気メッキすることにより形成し、キャリア付極薄銅箔を作製した。
銅濃度:80〜120g/L
硫酸濃度:80〜120g/L
塩化物イオン濃度:30〜100ppm
レベリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm
レベリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
なお、レベリング剤2には以下のアミン化合物を用いた。上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いた。
(上記化学式中、R1及びR2はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。)
電解液温度:50〜80℃
電流密度:100A/dm2
-Ultra-thin raw copper foil with carrier A double-sided flat electrolytic raw foil having a thickness of 18 µm was produced under the above-mentioned double-sided flat electrolytic raw foil manufacturing conditions. Using this as a copper foil carrier, a peeling layer and an ultrathin copper layer were formed by the following method to obtain an ultrathin copper foil with a carrier having a thickness of 1.5, 2, 3, 5 μm.
(1) Ni layer (peeling layer: base plating 1)
An Ni layer having an adhesion amount of 1000 μg / dm 2 was formed on the S surface of the copper foil carrier by electroplating with a roll-to-roll type continuous plating line under the following conditions. Specific plating conditions are described below.
Nickel sulfate: 270-280 g / L
Nickel chloride: 35 to 45 g / L
Nickel acetate: 10-20g / L
Boric acid: 30-40 g / L
Brightener: Saccharin, butynediol, etc. Sodium dodecyl sulfate: 55-75 ppm
pH: 4-6
Bath temperature: 55-65 ° C
Current density: 10 A / dm 2
(2) Cr layer (peeling layer: base plating 2)
Next, after the surface of the Ni layer formed in (1) was washed with water and pickled, a Cr layer having an adhesion amount of 11 μg / dm 2 was subsequently formed on the Ni layer on a roll-to-roll type continuous plating line. It was made to adhere by carrying out the electrolytic chromate process on the conditions of.
Potassium dichromate 1-10g / L, zinc 0g / L
pH: 7-10
Liquid temperature: 40-60 degreeC
Current density: 2 A / dm 2
(3) Ultra-thin copper layer Next, after the surface of the Cr layer formed in (2) was washed with water and pickled, the thickness 1. on the Cr layer on a continuous roll-to-roll type continuous plating line. An ultrathin copper layer of 5, 2, 3, 5 μm was formed by electroplating under the following conditions to produce an ultrathin copper foil with a carrier.
Copper concentration: 80-120 g / L
Sulfuric acid concentration: 80-120 g / L
Chloride ion concentration: 30-100ppm
Leveling agent 1 (bis (3sulfopropyl) disulfide): 10 to 30 ppm
Leveling agent 2 (amine compound): 10 to 30 ppm
In addition, the following amine compounds were used for the leveling agent 2. As the amine compound, an amine compound having the following chemical formula was used.
(In the above chemical formula, R 1 and R 2 are selected from the group consisting of a hydroxyalkyl group, an ether group, an aryl group, an aromatic substituted alkyl group, an unsaturated hydrocarbon group, and an alkyl group.)
Electrolyte temperature: 50-80 ° C
Current density: 100 A / dm 2

次に、上記生箔の樹脂基材との接着側表面であるM(マット面)面或いはS面(シャイニー面)に、粗化処理、バリヤー処理、防錆処理、シランカップリング材塗布の各表面処理をこの順で施した。各処理条件を以下に示す。   Next, each of roughening treatment, barrier treatment, rust prevention treatment, and silane coupling material application is applied to the M (matte surface) or S surface (shiny surface) which is the surface of the green foil bonded to the resin base material. The surface treatment was applied in this order. Each processing condition is shown below.

〔粗化処理〕
・球状粗化(通常):
先に記した各種生箔のM面或いはS面に、下記条件で粗化処理を行った。
(電解液組成)
Cu:20〜30g/L(硫酸銅5水和物で添加、以下同様)
2SO4:80〜120g/L
砒素:1.0〜2.0g/L
(電解液温)
35〜40℃
(電流条件)
電流密度:70A/dm2
[Roughening treatment]
・ Spherical roughening (normal):
The roughening process was performed on the M surface or S surface of the various raw foils described above under the following conditions.
(Electrolytic solution composition)
Cu: 20-30 g / L (added with copper sulfate pentahydrate, the same applies hereinafter)
H 2 SO 4 : 80-120 g / L
Arsenic: 1.0-2.0 g / L
(Electrolyte temperature)
35-40 ° C
(Current condition)
Current density: 70 A / dm 2

上記条件で粗化処理を施した各種銅箔のM面、キャリア付き極薄銅箔の表面に、粗化粒子の脱落防止とピール強度向上のため、硫酸・硫酸銅からなる銅電解浴で被せメッキを行った。被せメッキ条件を以下に記す。   Cover the M surface of various copper foils roughened under the above conditions and the surface of the ultrathin copper foil with carrier with a copper electrolytic bath made of sulfuric acid and copper sulfate to prevent the removal of the roughened particles and improve the peel strength. Plating was performed. The covering plating conditions are described below.

(電解液組成)
Cu:40〜50g/L
2SO4:80〜120g/L
(電解液温)
43〜47℃
(電流条件)
電流密度:29A/dm2
(Electrolytic solution composition)
Cu: 40-50 g / L
H 2 SO 4 : 80-120 g / L
(Electrolyte temperature)
43-47 ° C
(Current condition)
Current density: 29 A / dm 2

・微細粗化(1):
先に記した各種生箔のM面、キャリア付き極薄生銅箔の表面に、下記条件で粗化処理を行った。
(電解液組成)
Cu濃度:10〜20g/L
2SO4濃度:80〜120g/L
タングステン濃度:1〜10mg/L(タングステン酸ナトリウム2水和物で添加)
ドデシル硫酸ナトリウム濃度:1〜10mg/L
(電解液温)
35〜45℃
(電流条件)
所定の穴形状を得るため、四段式で電流を付与した。電流密度は次の通りとした。
一段目: 30A/dm2
二段目: 10A/dm2
三段目: 30A/dm2
四段目: 10A/dm2
-Fine roughening (1):
The M surface of the various raw foils described above and the surface of the ultrathin raw copper foil with a carrier were subjected to a roughening treatment under the following conditions.
(Electrolytic solution composition)
Cu concentration: 10 to 20 g / L
H 2 SO 4 concentration: 80 to 120 g / L
Tungsten concentration: 1 to 10 mg / L (added with sodium tungstate dihydrate)
Sodium dodecyl sulfate concentration: 1 to 10 mg / L
(Electrolyte temperature)
35-45 ° C
(Current condition)
In order to obtain a predetermined hole shape, a current was applied in a four-stage system. The current density was as follows.
First stage: 30 A / dm 2
Second stage: 10 A / dm 2
Third stage: 30 A / dm 2
Fourth stage: 10 A / dm 2

上記条件で粗化処理を施した各種銅箔のM面、キャリア付き極薄銅箔の表面に、粗化粒子の脱落防止とピール強度向上のため、硫酸・硫酸銅からなる銅電解浴で被せメッキを行った。被せメッキ条件を以下に記す。
(電解液組成)
Cu:40〜50g/L
2SO4:80〜120g/L
(電解液温)
43〜47℃
(電流条件)
電流密度:41A/dm2
Cover the M surface of various copper foils roughened under the above conditions and the surface of the ultrathin copper foil with carrier with a copper electrolytic bath made of sulfuric acid and copper sulfate to prevent the removal of the roughened particles and improve the peel strength. Plating was performed. The covering plating conditions are described below.
(Electrolytic solution composition)
Cu: 40-50 g / L
H 2 SO 4 : 80-120 g / L
(Electrolyte temperature)
43-47 ° C
(Current condition)
Current density: 41 A / dm 2

・微細粗化(2):
先に記したキャリア付き極薄生銅箔の表面に、下記条件で粗化処理を行った。
(電解液組成)
Cu濃度:10〜20g/L
2SO4濃度:80〜120g/L
タングステン濃度:1〜10mg/L(タングステン酸ナトリウム2水和物で添加)
ドデシル硫酸ナトリウム濃度:1〜10mg/L
(電解液温)
35〜45℃
(電流条件)
所定の穴形状を得るため、二段式を適用した。電流密度は次の通りとした。
一段目:50A/dm2
二段目:10A/dm2
-Fine roughening (2):
The surface of the ultrathin raw copper foil with a carrier described above was roughened under the following conditions.
(Electrolytic solution composition)
Cu concentration: 10 to 20 g / L
H 2 SO 4 concentration: 80 to 120 g / L
Tungsten concentration: 1 to 10 mg / L (added with sodium tungstate dihydrate)
Sodium dodecyl sulfate concentration: 1 to 10 mg / L
(Electrolyte temperature)
35-45 ° C
(Current condition)
A two-stage system was applied to obtain a predetermined hole shape. The current density was as follows.
First stage: 50 A / dm 2
Second stage: 10 A / dm 2

上記条件で粗化処理を施した各種銅箔のM面、キャリア付き極薄銅箔の表面に、粗化粒子の脱落防止とピール強度向上のため、硫酸・硫酸銅からなる銅電解浴で被せメッキを行った。被せメッキ条件を以下に記す。
(電解液組成)
Cu:40〜50g/L
2SO4:80〜120g/L
(電解液温)
43〜47℃
(電流条件)
電流密度:41A/dm2
Cover the M surface of various copper foils roughened under the above conditions and the surface of the ultrathin copper foil with carrier with a copper electrolytic bath made of sulfuric acid and copper sulfate to prevent the removal of the roughened particles and improve the peel strength. Plating was performed. The covering plating conditions are described below.
(Electrolytic solution composition)
Cu: 40-50 g / L
H 2 SO 4 : 80-120 g / L
(Electrolyte temperature)
43-47 ° C
(Current condition)
Current density: 41 A / dm 2

・微細粗化(3):
先に記した両面フラット電解生箔のM面、及び、キャリア付き極薄生銅箔の表面に、下記条件で粗化処理を行った。
(電解液組成)
Cu:10〜20g/L
Co:1〜10g/L
Ni:1〜10g/L
pH:1〜4
(電解液温度)
40〜50℃
(電流条件)
電流密度:25A/dm2
(メッキ終了後のメッキ液中の浸漬時間)
所定の穴形状を得るため5秒以内とした。
-Fine roughening (3):
The roughening process was performed on the M surface of the double-sided flat electrolytic raw foil described above and the surface of the ultrathin raw copper foil with a carrier under the following conditions.
(Electrolytic solution composition)
Cu: 10 to 20 g / L
Co: 1-10 g / L
Ni: 1-10g / L
pH: 1-4
(Electrolyte temperature)
40-50 ° C
(Current condition)
Current density: 25 A / dm 2
(Immersion time in plating solution after plating)
In order to obtain a predetermined hole shape, it was within 5 seconds.

上記条件で粗化処理を施した両面フラット銅箔のM面、及び、キャリア付き極薄銅箔の表面に、Co−Niの被せメッキを行った。被せメッキ条件を以下に記す。
(電解液組成)
Co:1〜30g/L
Ni:1〜30g/L
pH:1.0〜3.5
(電解液温)
30〜80℃
(電流条件)
電流密度5.0A/dm2
Co-Ni plating was performed on the M surface of the double-sided flat copper foil subjected to the roughening treatment under the above conditions and the surface of the ultrathin copper foil with carrier. The covering plating conditions are described below.
(Electrolytic solution composition)
Co: 1-30 g / L
Ni: 1-30 g / L
pH: 1.0-3.5
(Electrolyte temperature)
30-80 ° C
(Current condition)
Current density 5.0A / dm 2

・微細粗化(4):
先に記したキャリア付き極薄生銅箔の表面に、下記条件で第一次粒子と第二次粒子を形成させる粗化処理を行った。
第一次粒子形成:
(電解液組成)
Cu濃度:10〜20g/L
2SO4濃度:80〜120g/L
タングステン濃度:1〜10mg/L(タングステン酸ナトリウム2水和物で添加)
ドデシル硫酸ナトリウム濃度:1〜10mg/L
(電解液温)
35〜45℃
(電流条件)
所定の穴形状を得るため、二段式を適用した。電流密度は次の通りとした。
一段目:50A/dm2
二段目:10A/dm2
-Fine roughening (4):
The surface of the ultrathin raw copper foil with a carrier described above was subjected to a roughening treatment for forming primary particles and secondary particles under the following conditions.
Primary particle formation:
(Electrolytic solution composition)
Cu concentration: 10 to 20 g / L
H 2 SO 4 concentration: 80 to 120 g / L
Tungsten concentration: 1 to 10 mg / L (added with sodium tungstate dihydrate)
Sodium dodecyl sulfate concentration: 1 to 10 mg / L
(Electrolyte temperature)
35-45 ° C
(Current condition)
A two-stage system was applied to obtain a predetermined hole shape. The current density was as follows.
First stage: 50 A / dm 2
Second stage: 10 A / dm 2

上記条件で第一次粗化粒子を形成したキャリア付き極薄銅箔の表面に、第一次粗化粒子の脱落防止とピール強度向上のため、硫酸・硫酸銅からなる銅電解浴で被せメッキを行った。被せメッキ条件を以下に記す。
(電解液組成)
Cu:40〜50g/L
2SO4:80〜120g/L
(電解液温)
43〜47℃
(電流条件)
電流密度:41A/dm2
The surface of the ultrathin copper foil with carrier on which the primary roughened particles are formed under the above conditions is covered with a copper electrolytic bath composed of sulfuric acid and copper sulfate to prevent the primary roughened particles from falling off and improve the peel strength. Went. The covering plating conditions are described below.
(Electrolytic solution composition)
Cu: 40-50 g / L
H 2 SO 4 : 80-120 g / L
(Electrolyte temperature)
43-47 ° C
(Current condition)
Current density: 41 A / dm 2

第二次粒子形成:
次に、キャリア付き極薄銅箔の第一次粗化粒子の上に第二次粗化粒子を形成させるための粗化処理を行った。
(電解液組成)
Cu:10〜20g/L
Co:1〜10g/L
Ni:1〜10g/L
pH:1〜4
(電解液温度)
40〜50℃
(電流条件)
電流密度:25A/dm2
(メッキ終了後のメッキ液中の浸漬時間)
所定の穴形状を得るため5秒以内とした。
Secondary particle formation:
Next, the roughening process for forming a secondary coarse particle on the primary coarse particle of the ultra-thin copper foil with a carrier was performed.
(Electrolytic solution composition)
Cu: 10 to 20 g / L
Co: 1-10 g / L
Ni: 1-10g / L
pH: 1-4
(Electrolyte temperature)
40-50 ° C
(Current condition)
Current density: 25 A / dm 2
(Immersion time in plating solution after plating)
In order to obtain a predetermined hole shape, it was within 5 seconds.

上記条件で第二次粒子粗化処理を施したキャリア付き極薄銅箔の表面にCo−Niの被せメッキを行った。被せメッキ条件を以下に記す。
(電解液組成)
Co:1〜30g/L
Ni:1〜30g/L
pH:1.0〜3.5
(電解液温)
30〜80℃
(電流条件)
電流密度5.0A/dm2
Co-Ni covering plating was performed on the surface of the ultrathin copper foil with a carrier that had been subjected to secondary particle roughening treatment under the above conditions. The covering plating conditions are described below.
(Electrolytic solution composition)
Co: 1-30 g / L
Ni: 1-30 g / L
pH: 1.0-3.5
(Electrolyte temperature)
30-80 ° C
(Current condition)
Current density 5.0A / dm 2

・微細粗化(5):
先に記したキャリア付き極薄生銅箔の表面に、下記条件で第一次粒子と第二次粒子を形成させる粗化処理を行った。
第一次粒子形成:
(電解液組成)
Cu濃度:10〜20g/L
2SO4濃度:80〜120g/L
タングステン濃度:1〜10mg/L(タングステン酸ナトリウム2水和物で添加)
ドデシル硫酸ナトリウム濃度:1〜10mg/L
(電解液温)
35〜45℃
(電流条件)
所定の穴形状を得るため、二段式を適用した。電流密度は次の通りとした。
一段目:20A/dm2
二段目:10A/dm2
-Fine roughening (5):
The surface of the ultrathin raw copper foil with a carrier described above was subjected to a roughening treatment for forming primary particles and secondary particles under the following conditions.
Primary particle formation:
(Electrolytic solution composition)
Cu concentration: 10 to 20 g / L
H 2 SO 4 concentration: 80 to 120 g / L
Tungsten concentration: 1 to 10 mg / L (added with sodium tungstate dihydrate)
Sodium dodecyl sulfate concentration: 1 to 10 mg / L
(Electrolyte temperature)
35-45 ° C
(Current condition)
A two-stage system was applied to obtain a predetermined hole shape. The current density was as follows.
First stage: 20 A / dm 2
Second stage: 10 A / dm 2

上記条件で第一次粗化粒子を形成したキャリア付き極薄銅箔の表面に、第一次粗化粒子の脱落防止とピール強度向上のため、硫酸・硫酸銅からなる銅電解浴で被せメッキを行った。被せメッキ条件を以下に記す。
(電解液組成)
Cu:40〜50g/L
2SO4:80〜120g/L
(電解液温)
43〜47℃
(電流条件)
電流密度:41A/dm2
The surface of the ultrathin copper foil with carrier on which the primary roughened particles are formed under the above conditions is covered with a copper electrolytic bath composed of sulfuric acid and copper sulfate to prevent the primary roughened particles from falling off and improve the peel strength. Went. The covering plating conditions are described below.
(Electrolytic solution composition)
Cu: 40-50 g / L
H 2 SO 4 : 80-120 g / L
(Electrolyte temperature)
43-47 ° C
(Current condition)
Current density: 41 A / dm 2

第二次粒子形成:
次に、キャリア付き極薄銅箔の第一次粗化粒子の上に第二次粗化粒子を形成させるための粗化処理を行った。
(電解液組成)
Cu:10〜20g/L
Co:1〜10g/L
Ni:1〜10g/L
pH:1〜4
(電解液温度)
40〜50℃
(電流条件)
電流密度:25A/dm2
(メッキ終了後のメッキ液中の浸漬時間)
所定の穴形状を得るため15〜20秒とした。
Secondary particle formation:
Next, the roughening process for forming a secondary coarse particle on the primary coarse particle of the ultra-thin copper foil with a carrier was performed.
(Electrolytic solution composition)
Cu: 10 to 20 g / L
Co: 1-10 g / L
Ni: 1-10g / L
pH: 1-4
(Electrolyte temperature)
40-50 ° C
(Current condition)
Current density: 25 A / dm 2
(Immersion time in plating solution after plating)
In order to obtain a predetermined hole shape, it was set to 15 to 20 seconds.

上記条件で第二次粒子粗化処理を施したキャリア付き極薄銅箔の表面にCo−Niの被せメッキを行った。被せメッキ条件を以下に記す。
(電解液組成)
Co:1〜30g/L
Ni:1〜30g/L
pH:1.0〜3.5
(電解液温)
30〜80℃
(電流条件)
電流密度5.0A/dm2
Co-Ni covering plating was performed on the surface of the ultrathin copper foil with a carrier that had been subjected to secondary particle roughening treatment under the above conditions. The covering plating conditions are described below.
(Electrolytic solution composition)
Co: 1-30 g / L
Ni: 1-30 g / L
pH: 1.0-3.5
(Electrolyte temperature)
30-80 ° C
(Current condition)
Current density 5.0A / dm 2

・微細粗化(6):
先に記したキャリア付き極薄生銅箔の表面に、下記条件で粗化処理を行った。
(電解液組成)
Cu濃度:10〜20g/L
2SO4濃度:80〜120g/L
タングステン濃度:1〜10mg/L(タングステン酸ナトリウム2水和物で添加)
ドデシル硫酸ナトリウム濃度:1〜10mg/L
(電解液温)
35〜45℃
(電流条件)
所定の穴形状を得るため、四段式を適用した。電流密度は次の通りとした。
一段目:50A/dm2
二段目:10A/dm2
三段目:50A/dm2
四段目:10A/dm2
-Fine roughening (6):
The surface of the ultrathin raw copper foil with a carrier described above was roughened under the following conditions.
(Electrolytic solution composition)
Cu concentration: 10 to 20 g / L
H 2 SO 4 concentration: 80 to 120 g / L
Tungsten concentration: 1 to 10 mg / L (added with sodium tungstate dihydrate)
Sodium dodecyl sulfate concentration: 1 to 10 mg / L
(Electrolyte temperature)
35-45 ° C
(Current condition)
A four-stage system was applied to obtain a predetermined hole shape. The current density was as follows.
First stage: 50 A / dm 2
Second stage: 10 A / dm 2
Third stage: 50 A / dm 2
Fourth stage: 10 A / dm 2

上記条件で粗化処理を施した各種銅箔のM面、キャリア付き極薄銅箔の表面に、粗化粒子の脱落防止とピール強度向上のため、硫酸・硫酸銅からなる銅電解浴で被せメッキを行った。被せメッキ条件を以下に記す。
(電解液組成)
Cu:40〜50g/L
2SO4:80〜120g/L
(電解液温)
43〜47℃
(電流条件)
電流密度:41A/dm2
Cover the M surface of various copper foils roughened under the above conditions and the surface of the ultrathin copper foil with carrier with a copper electrolytic bath made of sulfuric acid and copper sulfate to prevent the removal of the roughened particles and improve the peel strength. Plating was performed. The covering plating conditions are described below.
(Electrolytic solution composition)
Cu: 40-50 g / L
H 2 SO 4 : 80-120 g / L
(Electrolyte temperature)
43-47 ° C
(Current condition)
Current density: 41 A / dm 2

・微細粗化(7):
先に記したキャリア付き極薄生銅箔の表面に、下記条件で第一次粒子と第二次粒子を形成させる粗化処理を行った。
第一次粒子形成:
(電解液組成)
Cu濃度:10〜20g/L
2SO4濃度:80〜120g/L
タングステン濃度:1〜10mg/L(タングステン酸ナトリウム2水和物で添加)
ドデシル硫酸ナトリウム濃度:1〜10mg/L
(電解液温)
35〜45℃
(電流条件)
所定の穴形状を得るため、三段式を適用した。電流密度は次の通りとした。
一段目:25A/dm2
二段目:10A/dm2
三段目:5A/dm2
-Fine roughening (7):
The surface of the ultrathin raw copper foil with a carrier described above was subjected to a roughening treatment for forming primary particles and secondary particles under the following conditions.
Primary particle formation:
(Electrolytic solution composition)
Cu concentration: 10 to 20 g / L
H 2 SO 4 concentration: 80 to 120 g / L
Tungsten concentration: 1 to 10 mg / L (added with sodium tungstate dihydrate)
Sodium dodecyl sulfate concentration: 1 to 10 mg / L
(Electrolyte temperature)
35-45 ° C
(Current condition)
A three-stage system was applied to obtain a predetermined hole shape. The current density was as follows.
First stage: 25 A / dm 2
Second stage: 10 A / dm 2
Third stage: 5 A / dm 2

上記条件で第一次粗化粒子を形成したキャリア付き極薄銅箔の表面に、第一次粗化粒子の脱落防止とピール強度向上のため、硫酸・硫酸銅からなる銅電解浴で被せメッキを行った。被せメッキ条件を以下に記す。
(電解液組成)
Cu:40〜50g/L
2SO4:80〜120g/L
(電解液温)
43〜47℃
(電流条件)
電流密度:41A/dm2
The surface of the ultrathin copper foil with carrier on which the primary roughened particles are formed under the above conditions is covered with a copper electrolytic bath composed of sulfuric acid and copper sulfate to prevent the primary roughened particles from falling off and improve the peel strength. Went. The covering plating conditions are described below.
(Electrolytic solution composition)
Cu: 40-50 g / L
H 2 SO 4 : 80-120 g / L
(Electrolyte temperature)
43-47 ° C
(Current condition)
Current density: 41 A / dm 2

第二次粒子形成:
次に、キャリア付き極薄銅箔の第一次粗化粒子の上に第二次粗化粒子を形成させるための粗化処理を行った。
(電解液組成)
Cu:10〜20g/L
Co:1〜10g/L
Ni:1〜10g/L
pH:1〜4
(電解液温度)
40〜50℃
(電流条件)
電流密度:25A/dm2
(メッキ終了後のメッキ液中の浸漬時間)
所定の穴形状を得るため5〜10秒とした。
Secondary particle formation:
Next, the roughening process for forming a secondary coarse particle on the primary coarse particle of the ultra-thin copper foil with a carrier was performed.
(Electrolytic solution composition)
Cu: 10 to 20 g / L
Co: 1-10 g / L
Ni: 1-10g / L
pH: 1-4
(Electrolyte temperature)
40-50 ° C
(Current condition)
Current density: 25 A / dm 2
(Immersion time in plating solution after plating)
In order to obtain a predetermined hole shape, it was set to 5 to 10 seconds.

上記条件で第二次粒子粗化処理を施したキャリア付き極薄銅箔の表面にCo−Niの被せメッキを行った。被せメッキ条件を以下に記す。
(電解液組成)
Co:1〜30g/L
Ni:1〜30g/L
pH:1.0〜3.5
(電解液温)
30〜80℃
(電流条件)
電流密度5.0A/dm2
Co-Ni covering plating was performed on the surface of the ultrathin copper foil with a carrier that had been subjected to secondary particle roughening treatment under the above conditions. The covering plating conditions are described below.
(Electrolytic solution composition)
Co: 1-30 g / L
Ni: 1-30 g / L
pH: 1.0-3.5
(Electrolyte temperature)
30-80 ° C
(Current condition)
Current density 5.0A / dm 2

〔バリヤー(耐熱)処理〕
バリヤー(耐熱)処理を下記の条件で行い、真鍮メッキ層又は亜鉛・ニッケル合金メッキ層を形成した。
[Barrier (heat resistant) treatment]
A barrier (heat resistant) treatment was performed under the following conditions to form a brass plating layer or a zinc / nickel alloy plating layer.

実施例6、比較例3、4のバリヤー層(真鍮メッキ)形成条件:
銅濃度50〜80g/L、亜鉛濃度2〜10g/L、水酸化ナトリウム濃度50〜80g/L、シアン化ナトリウム濃度5〜30g/L、温度60〜90℃の真鍮メッキ浴を用い、電流密度5〜10A/dm2(多段処理)でメッキ電気量30As/dm2を、粗化処理層を形成したM面に付与した。
Barrier layer (brass plating) formation conditions of Example 6 and Comparative Examples 3 and 4:
Using a brass plating bath having a copper concentration of 50 to 80 g / L, a zinc concentration of 2 to 10 g / L, a sodium hydroxide concentration of 50 to 80 g / L, a sodium cyanide concentration of 5 to 30 g / L, and a temperature of 60 to 90 ° C. The plating electric quantity of 30 As / dm 2 was applied to the M surface on which the roughening treatment layer was formed by 5 to 10 A / dm 2 (multistage treatment).

実施例3、比較例1のバリヤー層(亜鉛・ニッケルメッキ)形成条件:
Ni:10g/L〜30g/L、 Zn:1g/L〜15g/L、 硫酸(H2SO4):1g/L〜12g/L、塩化物イオン:0g/L〜5g/Lを添加したメッキ浴を用い、電流密度1.3A/dm2でメッキ電気量5.5As/dm2を、粗化処理層を形成したM面に付与した。
Conditions for forming the barrier layer (zinc / nickel plating) of Example 3 and Comparative Example 1:
Ni: 10 g / L to 30 g / L, Zn: 1 g / L to 15 g / L, sulfuric acid (H 2 SO 4 ): 1 g / L to 12 g / L, chloride ion: 0 g / L to 5 g / L Using a plating bath, a plating electric quantity of 5.5 As / dm 2 was applied to the M surface on which the roughening treatment layer was formed at a current density of 1.3 A / dm 2 .

〔防錆処理〕
防錆処理(クロメート処理)を下記の条件で行い、防錆処理層を形成した。

(クロメート条件) CrO3:2.5g/L、Zn:0.7g/L、Na2SO4:10g/L、pH4.8、54℃のクロメート浴で0.7As/dm2の電気量を付加。更に、クロメート浴での防錆処理終了直後、液シャワー配管を用いて、同じクロメート浴を使って粗化処理面全面をシャワーリングした。
[Rust prevention treatment]
Rust prevention treatment (chromate treatment) was performed under the following conditions to form a rust prevention treatment layer.

(Chromate conditions) CrO 3 : 2.5 g / L, Zn: 0.7 g / L, Na 2 SO 4 : 10 g / L, pH 4.8, an electric quantity of 0.7 As / dm 2 in a chromate bath at 54 ° C. Addition. Furthermore, immediately after completion of the rust prevention treatment in the chromate bath, the entire roughened surface was showered using the same chromate bath using a liquid shower pipe.

〔シランカップリング材塗布〕
銅箔の粗化処理面に、0.2〜2%のアルコキシシランを含有量するpH7〜8の溶液を噴霧することで、シランカップリング材塗布処理を行った。
[Silane coupling material application]
A silane coupling material coating treatment was performed by spraying a solution having a pH of 7 to 8 containing 0.2 to 2% of alkoxysilane on the roughened surface of the copper foil.

実施例8については、防錆処理、シランカップリング材塗布の後、更に下記の条件で樹脂層の形成を行った。
(樹脂合成例)
ステンレス製の碇型攪拌棒、窒素導入管とストップコックのついたトラップ上に、玉付冷却管を取り付けた還流冷却器を取り付けた2リットルの三つ口フラスコに、3,4、3',4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物117.68g(400mmol)、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン87.7g(300mmol)、γ-バレロラクトン4.0g(40mmol)、ピリジン4.8g(60mmol)、N-メチル-2-ピロリドン(以下NMPと記す)300g、トルエン20gを加え、180℃で1時間加熱した後室温付近まで冷却した後、3,4、3',4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物29.42g(100mmol)、2,2-ビス{4-(4-アミノフェノキシ)フェニル}プロパン82.12g(200mmol)、NMP200g、トルエン40gを加え、室温で1時間混合後、180℃で3時間加熱して、固形分38%のブロック共重合ポリイミドを得た。このブロック共重合ポリイミドは、下記に示す一般式(1):一般式(2)=3:2であり、数平均分子量:70000、重量平均分子量:150000であった。
About Example 8, the resin layer was formed on the following conditions after the antirust process and silane coupling material application | coating.
(Resin synthesis example)
To a 2-liter three-necked flask equipped with a stainless steel vertical stirring bar, a trap equipped with a nitrogen inlet tube and a stopcock, and a reflux condenser equipped with a ball cooling tube, 3,4, 3 ', 117.68 g (400 mmol) of 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 87.7 g (300 mmol) of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 4.0 g (40 mmol) of γ-valerolactone, 4. 8 g (60 mmol), N-methyl-2-pyrrolidone (hereinafter referred to as NMP) 300 g, and toluene 20 g were added, heated at 180 ° C. for 1 hour, cooled to near room temperature, then 3, 4, 3 ′, 4′- Add 29.42 g (100 mmol) of biphenyltetracarboxylic dianhydride, 82.12 g (200 mmol) of 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} propane, 200 g of NMP, and 40 g of toluene. After 1 hour mixing at room temperature, and heated for 3 hours at 180 ° C., to obtain a 38% solids polyimide block copolymer. The block copolymerized polyimide had the following general formula (1): general formula (2) = 3: 2, number average molecular weight: 70000, and weight average molecular weight: 150,000.

合成例で得られたブロック共重合ポリイミド溶液をNMPで更に希釈し、固形分10%のブロック共重合ポリイミド溶液とした。このブロック共重合ポリイミド溶液にビス(4-マレイミドフェニル)メタン(BMI-H、ケイ・アイ化成)を固形分重量比率35、ブロック共重合ポリイミドの固形分重量比率65として(即ち、樹脂溶液に含まれるビス(4-マレイミドフェニル)メタン固形分重量:樹脂溶液に含まれるブロック共重合ポリイミド固形分重量=35:65)60℃、20分間溶解混合して樹脂溶液とした。その後、実施例8では銅箔の極薄銅表面に、リバースロール塗工機を用いて前記樹脂溶液を塗工し、窒素雰囲気下で、120℃で3分間、160℃で3分間乾燥処理後、最後に300℃で2分間加熱処理を行い、樹脂層を備える銅箔を作製した。なお、樹脂層の厚みは2μmとした。   The block copolymerized polyimide solution obtained in the synthesis example was further diluted with NMP to obtain a block copolymerized polyimide solution having a solid content of 10%. In this block copolymerized polyimide solution, bis (4-maleimidophenyl) methane (BMI-H, Silica Chemical) is contained in a solid content weight ratio of 35 and a solid content weight ratio of block copolymer polyimide of 65 (that is, included in the resin solution). Bis (4-maleimidophenyl) methane solid content weight: block copolymerized polyimide solid content weight contained in resin solution = 35: 65) A resin solution was prepared by dissolving and mixing at 60 ° C. for 20 minutes. Thereafter, in Example 8, the resin solution was applied to the ultrathin copper surface of the copper foil using a reverse roll coating machine, and after a drying treatment at 120 ° C. for 3 minutes and at 160 ° C. for 3 minutes in a nitrogen atmosphere. Finally, heat treatment was performed at 300 ° C. for 2 minutes to produce a copper foil provided with a resin layer. The thickness of the resin layer was 2 μm.

各実施例、比較例の表面処理銅箔、キャリア付銅箔について、20cm角サイズの下記の樹脂基材を準備し、樹脂基材と銅箔とを、銅箔の表面処理層を有する面を樹脂基材に接するようにして積層プレスした。積層プレスの温度、圧力、時間は、基材メーカーの推奨条件を用いた。
使用樹脂:三菱ガス化学社GHPL−830MBT
About the surface-treated copper foil and the copper foil with carrier of each example and comparative example, the following resin base material having a 20 cm square size is prepared, and the surface having the surface treatment layer of the copper foil is prepared with the resin base material and the copper foil. The laminate was pressed so as to contact the resin substrate. The substrate press manufacturer's recommended conditions were used for the temperature, pressure, and time of the lamination press.
Resin used: Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. GHPL-830MBT

次に、樹脂基材上の表面処理銅箔を下記のエッチング条件にて全面エッチングで除去した。また、樹脂基材上のキャリア付銅箔については、キャリアを剥がした後、極薄銅層を下記のエッチング条件にて全面エッチングで除去した。なお、「全面エッチング」とは、銅箔が厚み分、全て除去されて、全面に樹脂が露出するまでエッチングすることをいう。
(エッチング条件)エッチング液:塩化第二銅溶液、HCl濃度:3.5mol/L、温度:50℃、比重1.26となるようにCuCl2濃度調節
Next, the surface-treated copper foil on the resin substrate was removed by whole surface etching under the following etching conditions. Moreover, about the copper foil with a carrier on a resin base material, after peeling a carrier, the ultra-thin copper layer was removed by the whole surface etching on the following etching conditions. Note that “entire surface etching” means that etching is performed until the copper foil is completely removed by a thickness and the resin is exposed on the entire surface.
(Etching conditions) Etching solution: cupric chloride solution, HCl concentration: 3.5 mol / L, temperature: 50 ° C., CuCl 2 concentration adjusted so as to have a specific gravity of 1.26

2.薬液を用いた樹脂基材の表面プロファイルの形成
比較例5として、厚さ100μmの三菱ガス化学社製の樹脂基材GHPL−830MBTを2枚準備した。この樹脂基材2枚を重ねあわせ、その両側に離型層フィルムを貼り合わせて積層プレスした。積層プレスの温度、圧力、時間は、基材メーカーの推奨条件を用いた。積層プレス終了後、離型層フィルムを樹脂基材から剥離し、以下の浸漬処理の条件でデスミア処理A、B及び中和処理を行い、樹脂基材の表面プロファイルを形成した。
(デスミア処理条件A)
・デスミア処理液:40g/L KMnO4、20g/L NaOH
・処理温度:室温
・浸漬時間:20分
・攪拌子回転数:300rpm
(デスミア処理条件B)
・デスミア処理液:90g/L KMnO4、5g/L HCl
・処理温度:49℃
・浸漬時間:20分
・攪拌子回転数:300rpm
(中和処理条件)
・中和処理液:L−アスコルビン酸 80g/L
・処理温度:室温
・浸漬時間:3分
・攪拌なし
2. Formation of Surface Profile of Resin Base Material Using Chemical Solution As Comparative Example 5, two resin base materials GHPL-830MBT having a thickness of 100 μm manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company were prepared. The two resin base materials were overlapped, and a release layer film was bonded to both sides of the two resin base materials, followed by lamination pressing. The substrate press manufacturer's recommended conditions were used for the temperature, pressure, and time of the lamination press. After the lamination press was completed, the release layer film was peeled from the resin substrate, and desmear treatments A and B and neutralization treatment were performed under the following immersion treatment conditions to form a surface profile of the resin substrate.
(Desmear processing condition A)
Desmear treatment liquid: 40 g / L KMnO 4 , 20 g / L NaOH
・ Processing temperature: Room temperature ・ Immersion time: 20 minutes ・ Rotating speed of stirring bar: 300 rpm
(Desmear processing condition B)
Desmear treatment solution: 90 g / L KMnO 4 , 5 g / L HCl
・ Processing temperature: 49 ℃
・ Immersion time: 20 minutes ・ Stirrer rotation speed: 300 rpm
(Neutralization conditions)
・ Neutralization treatment liquid: L-ascorbic acid 80 g / L
・ Processing temperature: Room temperature ・ Immersion time: 3 minutes ・ No stirring

比較例6として、厚さ100μmの三菱ガス化学社製の樹脂基材GHPL−830MBTを2枚準備した。この樹脂基材2枚を重ねあわせ、その両側に離型層フィルムを貼り合わせて積層プレスした。積層プレスの温度、圧力、時間は、基材メーカーの推奨条件を用いた。積層プレス終了後、離型層フィルムを樹脂基材から剥離し、以下の浸漬処理の条件でデスミア処理A、B及び中和処理を行い、樹脂基材の表面プロファイルを形成した。
(デスミア処理条件A)
・デスミア処理液:40g/L KMnO4、20g/L NaOH
・処理温度:室温
・浸漬時間:20分
・攪拌子回転数:300rpm
(デスミア処理条件B)
・デスミア処理液:90g/L KMnO4、5g/L HCl
・処理温度:49℃
・浸漬時間:30分
・攪拌子回転数:300rpm
(中和処理条件)
・中和処理液:L−アスコルビン酸 80g/L
・処理温度:室温
・浸漬時間:3分
・攪拌なし
As Comparative Example 6, two sheets of a resin base material GHPL-830MBT manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company with a thickness of 100 μm were prepared. The two resin base materials were overlapped, and a release layer film was bonded to both sides of the two resin base materials, followed by lamination pressing. The substrate press manufacturer's recommended conditions were used for the temperature, pressure, and time of the lamination press. After the lamination press was completed, the release layer film was peeled from the resin substrate, and desmear treatments A and B and neutralization treatment were performed under the following immersion treatment conditions to form a surface profile of the resin substrate.
(Desmear processing condition A)
Desmear treatment liquid: 40 g / L KMnO 4 , 20 g / L NaOH
・ Processing temperature: Room temperature ・ Immersion time: 20 minutes ・ Rotating speed of stirring bar: 300 rpm
(Desmear processing condition B)
Desmear treatment solution: 90 g / L KMnO 4 , 5 g / L HCl
・ Processing temperature: 49 ℃
・ Immersion time: 30 minutes ・ Rotating speed of stirrer: 300 rpm
(Neutralization conditions)
・ Neutralization treatment liquid: L-ascorbic acid 80 g / L
・ Processing temperature: Room temperature ・ Immersion time: 3 minutes ・ No stirring

実施例9として、厚さ100μmの三菱ガス化学社製の樹脂基材GHPL−830MBTを2枚準備した。この樹脂基材2枚を重ねあわせ、その両側に離型層フィルムを貼り合わせて積層プレスした。積層プレスの温度、圧力、時間は、基材メーカーの推奨条件を用いた。積層プレス終了後、離型層フィルムを樹脂基材から剥離し、以下の処理条件にて樹脂基材表面にシャワー処理A、B及び中和処理を行うことで、樹脂基材の表面プロファイルを形成した。
(シャワー処理条件A)
・デスミア処理液:40g/L KMnO4、20g/L NaOH
・処理温度:室温
・処理時間:20分
・シャワー圧力:0.2MPa
(シャワー処理条件B)
・デスミア処理液:90g/L KMnO4、5g/L HCl
・処理温度:49℃
・処理時間:20分
・シャワー圧力:0.2MPa
(中和処理条件)
・中和処理液:L−アスコルビン酸 80g/L
・処理温度:室温
・浸漬時間:3分
・攪拌なし
このようにして、薬液を用いた樹脂基材の表面プロファイルの形成を行った。
As Example 9, two sheets of a resin base material GHPL-830MBT manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company with a thickness of 100 μm were prepared. The two resin base materials were overlapped, and a release layer film was bonded to both sides of the two resin base materials, followed by lamination pressing. The substrate press manufacturer's recommended conditions were used for the temperature, pressure, and time of the lamination press. After the lamination press is completed, the release layer film is peeled from the resin substrate, and the surface profile of the resin substrate is formed by performing shower treatments A and B and neutralization treatment on the resin substrate surface under the following processing conditions. did.
(Shower treatment condition A)
Desmear treatment liquid: 40 g / L KMnO 4 , 20 g / L NaOH
・ Processing temperature: Room temperature ・ Processing time: 20 minutes ・ Shower pressure: 0.2 MPa
(Shower treatment condition B)
Desmear treatment solution: 90 g / L KMnO 4 , 5 g / L HCl
・ Processing temperature: 49 ℃
・ Processing time: 20 minutes ・ Shower pressure: 0.2 MPa
(Neutralization conditions)
・ Neutralization treatment liquid: L-ascorbic acid 80 g / L
-Processing temperature: Room temperature-Immersion time: 3 minutes-No stirring In this way, the surface profile of the resin base material was formed using a chemical solution.

−樹脂基材の評価−
上記で作製した表面プロファイルを有する実施例及び比較例の樹脂基材について、以下の評価を行った。
<線粗さRz>
各実施例、比較例の樹脂基材のエッチング側表面について、株式会社小阪研究所製接触粗さ計Surfcorder SE−3Cを使用してJIS B0601−1994に準拠して十点平均粗さを測定した。測定基準長さ0.8mm、評価長さ4mm、カットオフ値0.25mm、送り速さ0.1mm/秒の条件でそれぞれ3回行い、3回の測定での値を求めた。
-Evaluation of resin substrate-
The following evaluation was performed about the resin base material of the Example and comparative example which have the surface profile produced above.
<Line roughness Rz>
About the etching side surface of the resin base material of each Example and a comparative example, ten-point average roughness was measured based on JIS B0601-1994 using Kosaka Laboratory Co., Ltd. contact roughness meter Surfcorder SE-3C. . The measurement was performed three times under the conditions of a measurement reference length of 0.8 mm, an evaluation length of 4 mm, a cut-off value of 0.25 mm, and a feed rate of 0.1 mm / second, and values obtained by three measurements were obtained.

<面粗さSz>
各実施例、比較例の樹脂基材のエッチング側表面について、オリンパス社製レーザー顕微鏡(試験機:OLYMPUS LEXT OLS 4000、解像度:XY - 0.12μm、Z - 0.0μm、カットオフ:無し)を用いて、面粗さSzを、ISO25178に準拠して測定した。
<Roughness Sz>
Using the Olympus laser microscope (test machine: OLYMPUS LEXT OLS 4000, resolution: XY-0.12 μm, Z-0.0 μm, cut-off: none) for the etching side surface of the resin base material of each example and comparative example , the surface roughness Sz, was measured in accordance with ISO2517 8.

<面積比(B/A)>
各実施例、比較例の樹脂基材のエッチング側表面について、オリンパス社製レーザー顕微鏡(試験機:OLYMPUS LEXT OLS 4000、解像度:XY - 0.12μm、Z - 0.0μm、カットオフ:無し)を用いて、256μm×256μm相当面積(平面視したときに得られる表面積)A(実データでは66,524μm2)における三次元表面積Bを測定して、三次元表面積B÷二次元表面積A=面積比(B/A)とする手法により算出を行った。なお、レーザー顕微鏡による三次元表面積Bの測定環境温度は23〜25℃とした。
<Area ratio (B / A)>
Using the Olympus laser microscope (test machine: OLYMPUS LEXT OLS 4000, resolution: XY-0.12 μm, Z-0.0 μm, cut-off: none) for the etching side surface of the resin base material of each example and comparative example A three-dimensional surface area B in an area equivalent to 256 μm × 256 μm (surface area obtained when viewed in plan) A (66,524 μm 2 in actual data) is measured, and three-dimensional surface area B ÷ two-dimensional surface area A = area ratio (B / A). In addition, the measurement environmental temperature of the three-dimensional surface area B with a laser microscope was 23-25 degreeC.

<黒色面積率>
各実施例、比較例の樹脂基材のエッチング側表面について、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて加速電圧を15kVとして、写真撮影を行った。なお、写真撮影の際に、観察視野全体の穴の輪郭が明確に見えるように、コントラストとブライトネスを調整した。写真全体が真っ白や真っ黒ではなく、穴の輪郭が観察できる状態で写真撮影を行った。写真全体が真っ白や真っ黒ではなく、穴の輪郭が観察できる状態で写真撮影を行ったのであれば、当該写真における黒色面積率(%)はほぼ同じ値となる。そして撮影した写真(SEM像(30k倍(30000倍)))について、Photo Shop 7.0ソフトウェアを使用し、白色・黒色画像処理を施し、黒色面積率(%)を求めた。黒色面積率(%)は、Photo Shop 7.0にある「イメージ」の「ヒストグラム」を選定し、閾値128とした場合の観察面積(白色面積と黒色面積とを合計した面積)に対する黒色面積の割合とした。
<Black area ratio>
About the etching side surface of the resin base material of each Example and a comparative example, the acceleration voltage was set to 15 kV using the scanning electron microscope (SEM), and photography was performed. Note that the contrast and brightness were adjusted so that the outline of the hole in the entire observation field could be clearly seen when taking a picture. The photo was taken while the whole photo was not white or black and the outline of the hole could be observed. If the photo was taken in a state where the entire photo was not white or black and the outline of the hole could be observed, the black area ratio (%) in the photo would be almost the same value. The photograph (SEM image (30k times (30000 times))) was subjected to white / black image processing using Photoshop 7.0 software, and the black area ratio (%) was obtained. The black area ratio (%) is the ratio of the black area to the observation area (the total area of the white area and the black area) when the “image” “histogram” in Photoshop 7.0 is selected and the threshold value is 128. did.

<穴の直径平均値>
各実施例、比較例の樹脂基材のエッチング側表面について、SEM像(x6000〜x30000)から線分法により穴の直径を縦、横、斜めで測定し、それらN=3の平均値を算定した。
<Average diameter of holes>
For the etching side surface of the resin base material of each example and comparative example, the hole diameter is measured vertically, horizontally and diagonally from the SEM image (x6000 to x30000) by the line segment method, and the average value of these N = 3 is calculated. did.

<ピール強度>
樹脂基材(全面エッチング基材)のエッチング面に、無電解銅を析出させるための触媒付与、及び、関東化成製のKAP−8浴を用い、下記条件にて無電解銅メッキを実施した。得られた無電解銅メッキの厚みは0.5μmであった。
CuSO4濃度:0.06mol/L、HCHO濃度:0.5mol/L、EDTA濃度:0.12mol/L、pH12.5、添加剤:2,2’−ジピリジル、添加剤濃度:10mg/L、表面活性剤:REG−1000、表面活性剤濃度:500mg/L
次に、無電解銅メッキ上に、さらに下記の電解液を使用して電解メッキを実施した。銅厚み(無電解メッキ及び電解メッキの総厚)は12μmとなった。
単純硫酸銅電解液:Cu濃度:100g/L、H2SO4濃度:80g/L
上述のように樹脂基材(全面エッチング基材)に無電解銅メッキ、電解銅メッキを施して銅層厚を12μmとしたメッキ銅付き積層板について、幅10mmの銅回路を湿式エッチングにより作製した。JIS−C−6481に準じ、この銅回路を90度で剥離したときの強度を測定し、ピール強度とした。
<Peel strength>
Electroless copper plating was performed under the following conditions using a catalyst application for precipitating electroless copper and a KAP-8 bath manufactured by Kanto Kasei Co., Ltd. on the etching surface of a resin base material (entire etching base material). The thickness of the obtained electroless copper plating was 0.5 μm.
CuSO 4 concentration: 0.06 mol / L, HCHO concentration: 0.5 mol / L, EDTA concentration: 0.12 mol / L, pH 12.5, additive: 2,2′-dipyridyl, additive concentration: 10 mg / L, Surfactant: REG-1000, Surfactant concentration: 500 mg / L
Next, electrolytic plating was further performed on the electroless copper plating using the following electrolytic solution. The copper thickness (total thickness of electroless plating and electrolytic plating) was 12 μm.
Simple copper sulfate electrolyte: Cu concentration: 100 g / L, H 2 SO 4 concentration: 80 g / L
As described above, a copper circuit having a width of 10 mm was prepared by wet etching on a laminated board with plated copper having electroless copper plating and electrolytic copper plating applied to the resin base material (entire etching base material) to a copper layer thickness of 12 μm. . In accordance with JIS-C-6481, the strength when this copper circuit was peeled at 90 degrees was measured and defined as peel strength.

<微細配線形成性>
上述のように樹脂基材(全面エッチング基材)に無電解銅メッキ、電解銅メッキを施して銅層厚を12μmとしたメッキ銅付き積層板について、メッキ銅をエッチングにより加工し、L(ライン)/S(スペース)=15μm/15μm、及び、10μm/10μmの回路を形成した。このとき、樹脂基板上に形成された微細配線を目視で観察し、回路の剥離、回路間のショート(回路間の銅異常析出)、回路の欠けがないものをOK(○)とした。
<Fine wiring formability>
As described above, the plated copper is processed by etching on the laminated board with plated copper, in which the electroless copper plating and the electrolytic copper plating are applied to the resin base material (entire etching base material) and the copper layer thickness is 12 μm. ) / S (space) = 15 μm / 15 μm and 10 μm / 10 μm circuits were formed. At this time, the fine wiring formed on the resin substrate was visually observed, and it was determined as OK (◯) if there was no peeling of the circuit, shorting between the circuits (abnormal copper deposition between the circuits), and chipping of the circuit.

表1に、上述の、銅箔表面プロファイルの基材面への転写によって、実施例1〜12、比較例1〜4の基材面プロファイルを得るために使用される銅箔の製造条件を示す。
表2に、上述の、基材面プロファイルの評価結果を示す。
表3に、上述の、基材面プロファイルを与える銅箔表面プロファイルの評価結果を示す。
In Table 1, the manufacturing conditions of the copper foil used in order to obtain the base material surface profile of Examples 1-12 and Comparative Examples 1-4 by the transfer to the base material surface of the above-mentioned copper foil surface profile are shown. .
Table 2 shows the evaluation results of the substrate surface profile described above.
In Table 3, the evaluation result of the copper foil surface profile which gives the above-mentioned base-material surface profile is shown.

(評価結果)
実施例1〜12の基材は、いずれも良好な微細配線形成性を有し、さらに良好なピール強度を示した。
比較例1〜6の基材は、いずれも表面の面粗さSzが1〜5μmの範囲外であったため、微細配線形成性又はピール強度が不良となった。また、比較例1〜4の基材は、いずれも表面の三次元表面積Bと二次元表面積Aとの比B/Aが1.01〜1.5の範囲外であったため、微細配線形成性又はピール強度が不良となった。また、比較例1〜6の基材は、いずれも表面の黒色面積率が10〜50%、表面の穴の直径平均値が0.03〜1.0μmの両方或いはいずれかが範囲外であったため、微細配線形成性又はピール強度が不良となった。
なお、実施例及び比較例の評価結果から、樹脂基材表面のRzの数値は、良好な微細配線形成性及びピール強度を兼ね備えることに対して、特に関連性が無いことが確認された。
図3(a)、(b)、(c)、(d)、(e)に、それぞれ実施例1、2、3、5、6の樹脂基材面SEM像を示す。
図4(f)、(g)に、それぞれ比較例1、2の樹脂基材面SEM像を示す。
(Evaluation results)
The base materials of Examples 1 to 12 all had good fine wiring formability, and further exhibited good peel strength.
Since all the base materials of Comparative Examples 1 to 6 had a surface roughness Sz outside the range of 1 to 5 μm, the fine wiring formability or peel strength was poor. Moreover, since the base materials of Comparative Examples 1 to 4 all had a ratio B / A of the surface three-dimensional surface area B to the two-dimensional surface area A outside the range of 1.01 to 1.5, the fine wiring formability Or the peel strength was poor. Further, the base materials of Comparative Examples 1 to 6 each had a surface black area ratio of 10 to 50% and a surface hole diameter average value of 0.03 to 1.0 μm, or either of them was out of range. Therefore, the fine wiring formability or peel strength was poor.
In addition, it was confirmed from the evaluation result of an Example and a comparative example that the numerical value of Rz of the resin base-material surface has no relationship in particular with respect to having favorable fine wiring formation property and peel strength.
3 (a), (b), (c), (d), and (e) show resin base material surface SEM images of Examples 1, 2, 3, 5, and 6, respectively.
The resin base material surface SEM image of the comparative examples 1 and 2 is shown to FIG.4 (f), (g), respectively.

Claims (18)

表面の面粗さISO25178に準拠したSzが1〜5μmである樹脂基材。 A resin base material having an Sz of 1 to 5 μm based on surface roughness ISO25178 . 表面の三次元表面積Bと二次元表面積Aとの比B/Aが1.01〜1.5である請求項1に記載の樹脂基材。   2. The resin base material according to claim 1, wherein the ratio B / A of the surface three-dimensional surface area B to the two-dimensional surface area A is 1.01 to 1.5. セミアディティブ工法用である請求項1又は2に記載の樹脂基材。 The resin base material according to claim 1 or 2 , which is for a semi-additive construction method. 請求項1〜のいずれか一項に記載の樹脂基材を用いて製造したプリント配線板。 The printed wiring board manufactured using the resin base material as described in any one of Claims 1-3 . 請求項1〜のいずれか一項に記載の樹脂基材を用いて製造したプリント回路板。 The printed circuit board manufactured using the resin base material as described in any one of Claims 1-3 . 請求項1〜のいずれか一項に記載の樹脂基材を用いて製造した銅張積層板。 The copper clad laminated board manufactured using the resin base material as described in any one of Claims 1-3 . 表面処理銅箔と樹脂基材とを準備する工程、
前記表面処理銅箔を、表面処理層側から樹脂基材に積層する工程、
前記樹脂基材上の表面処理銅箔を除去して請求項1〜3のいずれか一項に記載の樹脂基材を得る工程、
前記表面処理銅箔を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程
を含むプリント配線板の製造方法。
Preparing a surface-treated copper foil and a resin base material,
Laminating the surface-treated copper foil on the resin substrate from the surface-treated layer side,
The process of removing the surface treatment copper foil on the said resin base material, and obtaining the resin base material as described in any one of Claims 1-3 ,
The manufacturing method of a printed wiring board including the process of forming a circuit in the surface of the resin base material which removed the said surface treatment copper foil.
キャリア、中間層、極薄銅層この順で備えたキャリア付銅箔と、樹脂基材とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔を極薄銅層側から樹脂基材に積層する工程、
前記キャリア付銅箔と樹脂基材とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がした後の樹脂基材上の極薄銅層を除去して請求項1〜3のいずれか一項に記載の樹脂基材を得る工程、
前記極薄銅層を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程
を含むプリント配線板の製造方法。
A step of preparing a carrier, an intermediate layer, a copper foil with a carrier provided with an ultrathin copper layer in this order, and a resin base material;
Laminating the copper foil with carrier on the resin substrate from the ultrathin copper layer side,
After laminating the copper foil with carrier and the resin base material, the step of peeling the carrier of the copper foil with carrier,
The process of obtaining the resin base material as described in any one of Claims 1-3 by removing the ultra-thin copper layer on the resin base material after peeling the said carrier,
A method for producing a printed wiring board, comprising a step of forming a circuit on the surface of a resin substrate from which the ultrathin copper layer has been removed.
表面処理銅箔を、表面処理層側から請求項1又は2に記載の樹脂基材に積層して銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。 A surface-treated copper foil is laminated on the resin substrate according to claim 1 or 2 from the surface-treated layer side to form a copper-clad laminate, and then a semi-additive method , a subtractive method, a partially additive method, or a modified semi A printed wiring board manufacturing method including a step of forming a circuit by any one of the additive methods. キャリア、中間層、極薄銅層この順で備えたキャリア付銅箔を極薄銅層側から請求項1又は2に記載の樹脂基材に積層する工程、
前記キャリア付銅箔と樹脂基材とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
Laminating a carrier, an intermediate layer, a copper foil with a carrier provided with an ultrathin copper layer in this order from the ultrathin copper layer side to the resin substrate according to claim 1 or 2 ,
After laminating the copper foil with carrier and the resin base material, a copper-clad laminate is formed through a step of peeling the carrier of the copper foil with carrier, and then a semi-additive method , a partial additive method or a modified semi-additive method. A printed wiring board manufacturing method including a step of forming a circuit by any one of the methods.
表面に回路が形成された金属箔を準備する工程、
前記回路が埋没するように前記金属箔表面に樹脂基材を形成する工程、
表面処理銅箔を、表面処理層側から前記樹脂基材に積層する工程、
前記樹脂基材上の表面処理銅箔を除去して請求項1〜3のいずれか一項に記載の樹脂基材を得る工程、
前記表面処理銅箔を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程、及び、
前記金属箔を除去することで、前記金属箔表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
Preparing a metal foil having a circuit formed on the surface;
Forming a resin base material on the surface of the metal foil so that the circuit is buried;
Laminating a surface-treated copper foil on the resin substrate from the surface-treated layer side,
The process of removing the surface treatment copper foil on the said resin base material, and obtaining the resin base material as described in any one of Claims 1-3 ,
Forming a circuit on the surface of the resin base material from which the surface-treated copper foil has been removed; and
A method for producing a printed wiring board, comprising: removing the metal foil to expose a circuit formed on the surface of the metal foil and buried in the resin base material.
キャリア、中間層、極薄銅層この順で備えた第1のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記第1のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂基材を形成する工程、
キャリア、中間層、極薄銅層この順で備えた第2のキャリア付銅箔を準備し、前記第2のキャリア付銅箔の極薄銅層側から前記樹脂基材に積層する工程、
前記第2のキャリア付銅箔を前記樹脂基材に積層した後に、前記第2のキャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記第2のキャリア付銅箔のキャリアを剥がした後の樹脂基材上の極薄銅層を除去して請求項1〜3のいずれか一項に記載の樹脂基材を得る工程、
前記極薄銅層を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程、
前記樹脂基材上に回路を形成した後に、前記第1のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させる工程、及び、
前記第1のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、前記第1のキャリア付銅箔の極薄銅層を除去することで、前記第1のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
Carrier, an intermediate layer, forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface of the first copper foil with carrier having ultrathin copper layer in this order,
Forming a resin base material on the ultrathin copper layer side surface of the first carrier-attached copper foil so that the circuit is buried;
Preparing a second copper foil with a carrier provided with a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order, and laminating the resin base material from the ultrathin copper layer side of the second copper foil with a carrier;
A step of peeling the carrier of the second carrier-attached copper foil after laminating the second carrier-attached copper foil on the resin substrate;
The process of obtaining the resin base material as described in any one of Claims 1-3 by removing the ultra-thin copper layer on the resin base material after peeling the carrier of the copper foil with said 2nd carrier,
Forming a circuit on the surface of the resin substrate from which the ultrathin copper layer has been removed,
After forming the circuit on the resin base material, the step of peeling the carrier of the first copper foil with carrier, and
After peeling the carrier of the first copper foil with carrier, the ultra thin copper layer side surface of the first copper foil with carrier is removed by removing the ultra thin copper layer of the first copper foil with carrier. A method for producing a printed wiring board, comprising the step of exposing a circuit embedded in the resin base material, which is formed on the substrate.
表面に回路が形成された金属箔を準備する工程、
前記回路が埋没するように前記金属箔表面に請求項1又は2に記載の樹脂基材を形成する工程、
表面処理銅箔を、表面処理層側から前記樹脂基材に積層し、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって前記樹脂基材上に回路を形成する工程、及び、
前記金属箔を除去することで、前記金属箔表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
Preparing a metal foil having a circuit formed on the surface;
Forming the resin base material according to claim 1 or 2 on the surface of the metal foil so that the circuit is buried;
A surface-treated copper foil is laminated on the resin substrate from the surface-treated layer side, and a circuit is formed on the resin substrate by any of the semi-additive method , subtractive method, partly additive method, or modified semi-additive method. And the process of
A method for producing a printed wiring board, comprising: removing the metal foil to expose a circuit formed on the surface of the metal foil and buried in the resin base material.
キャリア、中間層、極薄銅層この順で備えた第1のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記第1のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に請求項1又は2に記載の樹脂基材を形成する工程、
キャリア、中間層、極薄銅層この順で備えた第2のキャリア付銅箔を準備し、前記第2のキャリア付銅箔の極薄銅層側から前記樹脂基材に積層して前記第2のキャリア付銅箔のキャリアを剥がし、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって前記樹脂基材上に回路を形成する工程、
前記樹脂基材上に回路を形成した後に、前記第1のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させる工程、及び、
前記第1のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、前記第1のキャリア付銅箔の極薄銅層を除去することで、前記第1のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
Carrier, an intermediate layer, forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface of the first copper foil with carrier having ultrathin copper layer in this order,
Forming the resin base material according to claim 1 or 2 on the ultrathin copper layer side surface of the first carrier-attached copper foil so that the circuit is buried;
Prepare a second carrier-attached copper foil provided with a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order, and laminate the resin base material from the ultrathin copper layer side of the second carrier-attached copper foil. Removing the carrier of the second carrier-attached copper foil, and forming a circuit on the resin substrate by any one of a semi-additive method , a subtractive method, a partial additive method, or a modified semi-additive method,
After forming the circuit on the resin base material, the step of peeling the carrier of the first copper foil with carrier, and
After peeling the carrier of the first copper foil with carrier, the ultra thin copper layer side surface of the first copper foil with carrier is removed by removing the ultra thin copper layer of the first copper foil with carrier. A method for producing a printed wiring board, comprising the step of exposing a circuit embedded in the resin base material, which is formed on the substrate.
表面に回路が形成された金属箔を準備する工程、Preparing a metal foil having a circuit formed on the surface;
前記回路が埋没するように前記金属箔表面に樹脂基材を形成する工程、Forming a resin base material on the surface of the metal foil so that the circuit is buried;
キャリア、中間層、極薄銅層をこの順で備えたキャリア付銅箔を極薄銅層側表面から前記樹脂基材に積層する工程、Laminating a carrier, an intermediate layer, a copper foil with a carrier provided with an ultrathin copper layer in this order from the ultrathin copper layer side surface to the resin base material,
前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、前記樹脂基材上の極薄銅層を除去して請求項1〜3のいずれか一項に記載の樹脂基材を得る工程、The process of obtaining the resin base material as described in any one of Claims 1-3 after removing the ultra-thin copper layer on the said resin base material, after peeling the carrier of the said copper foil with a carrier,
前記極薄銅層を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程、及び、Forming a circuit on the surface of the resin substrate from which the ultrathin copper layer has been removed, and
前記金属箔を除去することで、前記金属箔表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程The step of exposing the circuit buried in the resin base material formed on the surface of the metal foil by removing the metal foil
を含むプリント配線板の製造方法。A method of manufacturing a printed wiring board including:
キャリア、中間層、極薄銅層をこの順で備えたキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に回路を形成する工程、Forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface of the carrier-added copper foil provided with the carrier, the intermediate layer, and the ultrathin copper layer in this order;
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂基材を形成する工程、Forming a resin base material on the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with carrier so that the circuit is buried;
表面処理銅箔を、表面処理層側から前記樹脂基材に積層する工程、Laminating a surface-treated copper foil on the resin substrate from the surface-treated layer side,
前記樹脂基材上の表面処理銅箔を除去して請求項1〜3のいずれか一項に記載の樹脂基材を得る工程、The process of removing the surface treatment copper foil on the said resin base material, and obtaining the resin base material as described in any one of Claims 1-3,
前記表面処理銅箔を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程、Forming a circuit on the surface of the resin base material from which the surface-treated copper foil has been removed,
前記樹脂基材上に回路を形成した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させる工程、及び、After forming the circuit on the resin substrate, the step of peeling the carrier of the copper foil with carrier, and
前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、前記キャリア付銅箔の極薄銅層を除去することで、前記キャリア付銅箔の極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程After peeling the carrier of the copper foil with carrier, by removing the ultra thin copper layer of the copper foil with carrier, the resin base material formed on the ultra thin copper layer side surface of the copper foil with carrier The process of exposing the buried circuit
を含むプリント配線板の製造方法。A method of manufacturing a printed wiring board including:
表面に回路が形成された金属箔を準備する工程、Preparing a metal foil having a circuit formed on the surface;
前記回路が埋没するように前記金属箔表面に請求項1又は2に記載の樹脂基材を形成する工程、Forming the resin base material according to claim 1 or 2 on the surface of the metal foil so that the circuit is buried;
キャリア、中間層、極薄銅層をこの順で備えたキャリア付銅箔を準備し、前記キャリア付銅箔の極薄銅層側から前記樹脂基材に積層した後、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がし、その後、前記樹脂基材上に回路を形成する工程、及び、After preparing the carrier, the intermediate layer, the copper foil with a carrier provided with the ultra-thin copper layer in this order, and laminating the copper foil with the carrier from the ultra-thin copper layer side of the copper foil with the carrier, Peeling the carrier, and then forming a circuit on the resin substrate; and
前記金属箔を除去することで、前記金属箔表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程The step of exposing the circuit buried in the resin base material formed on the surface of the metal foil by removing the metal foil
を含むプリント配線板の製造方法。A method of manufacturing a printed wiring board including:
キャリア、中間層、極薄銅層をこの順で備えたキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に回路を形成する工程、Forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface of the carrier-added copper foil provided with the carrier, the intermediate layer, and the ultrathin copper layer in this order;
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に請求項1又は2に記載の樹脂基材を形成する工程、The step of forming the resin substrate according to claim 1 or 2 on the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with carrier so that the circuit is buried,
表面処理銅箔を、表面処理層側から前記樹脂基材に積層し、その後、前記樹脂基材上に回路を形成する工程、Laminating a surface-treated copper foil on the resin substrate from the surface treatment layer side, and then forming a circuit on the resin substrate;
前記樹脂基材上に回路を形成した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させる工程、及び、After forming the circuit on the resin substrate, the step of peeling the carrier of the copper foil with carrier, and
前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、前記キャリア付銅箔の極薄銅層を除去することで、前記キャリア付銅箔の極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程After peeling the carrier of the copper foil with carrier, by removing the ultra thin copper layer of the copper foil with carrier, the resin base material formed on the ultra thin copper layer side surface of the copper foil with carrier The process of exposing the buried circuit
を含むプリント配線板の製造方法。A method of manufacturing a printed wiring board including:
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