JP2015200025A - Carrier-provided copper foil, printed wiring board, laminate sheet, electronic equipment, laminate and method of producing printed wiring board - Google Patents

Carrier-provided copper foil, printed wiring board, laminate sheet, electronic equipment, laminate and method of producing printed wiring board Download PDF

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美里 本多
雅史 石井
Masashi Ishii
雅史 石井
宣明 宮本
Nobuaki Miyamoto
宣明 宮本
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide carrier-provided copper foil having good circuit formability.SOLUTION: Carrier-provided copper foil has a carrier, an intermediate layer and a very thin copper layer, in this order, and the intermediate layer contains Ni. When the carrier is peeled from the carrier-provided copper foil, the average value of the abundance ratio of nickel oxide and nickel hydroxide in Ni, (NiO+Ni(OH))/Ni, is 5-50%, determined by XPS analysis of the surface of the carrier on the side of the intermediate layer.

Description

本発明は、キャリア付銅箔、プリント配線板、積層板、電子機器、積層体及びプリント配線板の製造方法に関する。   The present invention relates to a carrier-attached copper foil, a printed wiring board, a laminated board, an electronic device, a laminated body, and a printed wiring board manufacturing method.

プリント配線板は銅箔に絶縁基板を接着させて銅張積層体(銅張積層板)とした後に、エッチングにより銅箔面に導体パターンを形成するという工程を経て製造されるのが一般的である。近年の電子機器の小型化、高性能化ニーズの増大に伴い搭載部品の高密度実装化や信号の高周波化が進展し、プリント配線板に対して導体パターンの微細化(ファインピッチ化)や高周波対応等が求められている。   A printed wiring board is generally manufactured through a process of forming a copper clad laminate (copper clad laminate) by bonding an insulating substrate to copper foil and then forming a conductor pattern on the copper foil surface by etching. is there. In recent years, with the increasing needs for miniaturization and higher performance of electronic devices, higher density mounting of components and higher frequency of signals have progressed, and conductor patterns have become finer (fine pitch) and higher frequency than printed circuit boards. Response is required.

ファインピッチ化に対応して、最近では厚さ9μm以下、更には厚さ5μm以下の銅箔が要求されているが、このような極薄の銅箔は機械的強度が低くプリント配線板の製造時に破れたり、皺が発生したりしやすいので、厚みのある金属箔をキャリアとして利用し、これに剥離層を介して極薄銅層を電着させたキャリア付銅箔が登場している。極薄銅層の表面を絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後、キャリアは剥離層を介して剥離除去される。露出した極薄銅層上にレジストで回路パターンを形成した後に、極薄銅層を硫酸-過酸化水素系のエッチャントでエッチング除去する手法(MSAP:Modified-Semi-Additive-Process)により、微細回路が形成される。   Recently, copper foils with a thickness of 9 μm or less and further with a thickness of 5 μm or less have been required in response to the fine pitch, but such ultra-thin copper foils have low mechanical strength and are used in the manufacture of printed wiring boards. Copper foil with a carrier has appeared, in which a thick metal foil is used as a carrier, and an ultrathin copper layer is electrodeposited through a release layer, since it is easily broken or wrinkled. After bonding the surface of the ultrathin copper layer to an insulating substrate and thermocompression bonding, the carrier is peeled and removed through the peeling layer. After forming a circuit pattern with resist on the exposed ultra-thin copper layer, the micro-thin copper layer is etched with a sulfuric acid-hydrogen peroxide etchant (MSAP: Modified-Semi-Additive-Process). Is formed.

ここで、樹脂との接着面となるキャリア付き銅箔の極薄銅層の表面に対しては、主として、極薄銅層と樹脂基材との剥離強度が十分であること、そしてその剥離強度が高温加熱、湿式処理、半田付け、薬品処理等の後でも十分に保持されていることが要求される。極薄銅層と樹脂基材の間の剥離強度を高める方法としては、一般的に、表面のプロファイル(凹凸、粗さ)を大きくした極薄銅層の上に多量の粗化粒子を付着させる方法が代表的である。   Here, for the surface of the ultrathin copper layer of the copper foil with a carrier that becomes the adhesive surface with the resin, the peel strength between the ultrathin copper layer and the resin base material is mainly sufficient, and the peel strength Is required to be sufficiently retained after high-temperature heating, wet processing, soldering, chemical processing, and the like. As a method of increasing the peel strength between the ultrathin copper layer and the resin base material, generally, a large amount of roughened particles are adhered on the ultrathin copper layer having a large surface profile (unevenness, roughness). The method is representative.

しかしながら、プリント配線板の中でも特に微細な回路パターンを形成する必要のある半導体パッケージ基板に、このようなプロファイル(凹凸、粗さ)の大きい極薄銅層を使用すると、回路エッチング時に不要な銅粒子が残ってしまい、回路パターン間の絶縁不良等の問題が発生する。   However, if a very thin copper layer with such a large profile (irregularity, roughness) is used on a semiconductor package substrate that needs to form a particularly fine circuit pattern among printed wiring boards, unnecessary copper particles during circuit etching Will remain, causing problems such as poor insulation between circuit patterns.

このため、WO2004/005588号(特許文献1)では、半導体パッケージ基板をはじめとする微細回路用途のキャリア付銅箔として、極薄銅層の表面に粗化処理を施さないキャリア付銅箔を用いることが試みられている。このような粗化処理を施さない極薄銅層と樹脂との密着性(剥離強度)は、その低いプロファイル(凹凸、粗度、粗さ)の影響で一般的なプリント配線板用銅箔と比較すると低下する傾向がある。そのため、キャリア付銅箔について更なる改善が求められている。   For this reason, in WO2004 / 005588 (Patent Document 1), a copper foil with a carrier that is not subjected to a roughening treatment on the surface of an ultrathin copper layer is used as a copper foil with a carrier for use in a fine circuit including a semiconductor package substrate. It has been tried. The adhesion (peeling strength) between the ultrathin copper layer not subjected to such roughening treatment and the resin is affected by the low profile (unevenness, roughness, roughness) of the general copper foil for printed wiring boards. There is a tendency to decrease when compared. Therefore, the further improvement is calculated | required about copper foil with a carrier.

そこで、特開2007−007937号公報(特許文献2)及び特開2010−006071号公報(特許文献3)では、キャリア付き極薄銅箔のポリイミド系樹脂基板と接触(接着)する面に、Ni層又は/及びNi合金層を設けること、クロメート層を設けること、Cr層又は/及びCr合金層を設けること、Ni層とクロメート層とを設けること、Ni層とCr層とを設けることが記載されている。これらの表面処理層を設けることにより、ポリイミド系樹脂基板とキャリア付き極薄銅箔との密着強度を粗化処理なし、または粗化処理の程度を低減(微細化)しながら所望の接着強度を得ている。更に、シランカップリング剤で表面処理したり、防錆処理を施したりすることも記載されている。   Therefore, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-007937 (Patent Document 2) and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-006071 (Patent Document 3), the surface of the ultrathin copper foil with carrier that contacts (adheres) the polyimide resin substrate is Ni. It is described that a layer or / and a Ni alloy layer are provided, a chromate layer is provided, a Cr layer or / and a Cr alloy layer are provided, a Ni layer and a chromate layer are provided, and a Ni layer and a Cr layer are provided. Has been. By providing these surface treatment layers, the adhesion strength between the polyimide resin substrate and the ultra-thin copper foil with carrier is not roughened, or the desired adhesive strength is achieved while reducing the degree of the roughening treatment (miniaturization). It has gained. Further, it is described that the surface treatment is performed with a silane coupling agent or the rust prevention treatment is performed.

WO2004/005588号WO2004 / 005588 特開2007−007937号公報JP 2007-007937 A 特開2010−006071号公報JP 2010-006071 A

キャリア付銅箔の開発においては、これまで極薄銅層と樹脂基材との剥離強度を確保することに重きが置かれていた。そのため、極薄銅層の回路形成性に関しては未だ十分な検討がなされておらず、未だ改善の余地が残されている。   In the development of a copper foil with a carrier, the emphasis has so far been on ensuring the peel strength between the ultrathin copper layer and the resin substrate. Therefore, sufficient investigation has not yet been made on the circuit formability of the ultrathin copper layer, and there is still room for improvement.

キャリア付銅箔を極薄銅層側から樹脂へ貼り合わせるときに加熱圧着するが、その際、キャリア/極薄銅層間に発生する水蒸気等の気体によって気泡(フクレ)が発生することがある。このようなフクレが発生すると、回路形成に用いる極薄銅層が陥没し、回路形成性に悪影響を及ぼすという問題が生じる。このような問題に対し、本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、中間層表面におけるNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率を制御することで、キャリア付銅箔を所定の条件で加熱処理した際に発生する水分量を抑制することができ、これにより、キャリア/極薄銅層間に発生する水蒸気等の気体によるフクレの発生を抑制し、良好なエッチング性を有するキャリア付銅箔を提供することができることを見出した。   When the carrier-attached copper foil is bonded to the resin from the ultrathin copper layer side, heat-compression bonding is performed. At this time, bubbles (bulges) may be generated by a gas such as water vapor generated between the carrier and the ultrathin copper layer. When such blisters occur, the ultrathin copper layer used for circuit formation sinks, causing a problem of adversely affecting circuit formability. As a result of intensive studies on these problems, the present inventors have determined that the carrier-attached copper foil can be obtained under predetermined conditions by controlling the abundance of nickel oxide and nickel hydroxide in Ni on the surface of the intermediate layer. The amount of moisture generated during heat treatment can be suppressed, thereby suppressing the occurrence of blistering due to gas such as water vapor generated between the carrier / ultra-thin copper layer, and having good etching properties. Found that can be provided.

以上の知見を基礎として完成された本発明は一側面において、キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に備えたキャリア付銅箔であって、中間層はNiを含み、前記キャリア付銅箔から前記キャリアを剥離させたとき、前記キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの平均値が5〜50%であるキャリア付銅箔である。 The present invention completed on the basis of the above knowledge is, in one aspect, a carrier-attached copper foil comprising a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order, the intermediate layer containing Ni, and the copper foil with carrier When the carrier was peeled off from the carrier, the average value of the abundance of nickel oxide and nickel hydroxide (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier was 5 It is copper foil with a carrier which is -50%.

本発明のキャリア付銅箔は一実施形態において、前記キャリア付銅箔から前記キャリアを剥離させたとき、前記キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの平均値が8〜45%である。 In one embodiment of the copper foil with a carrier of the present invention, nickel oxide and hydroxide in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier when the carrier is peeled from the copper foil with a carrier. The average value of nickel abundance (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni is 8 to 45%.

本発明のキャリア付銅箔は別の一実施形態において、前記キャリアを剥離させたとき、前記キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの平均値が8〜40%である。 In another embodiment of the copper foil with a carrier of the present invention, when the carrier is peeled, the presence ratio of nickel oxide and nickel hydroxide in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier The average value of (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni is 8 to 40%.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリアを剥離させたとき、前記キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの平均値が8〜30%である。 In yet another embodiment of the carrier-attached copper foil of the present invention, when the carrier is peeled, the presence of nickel oxide and nickel hydroxide in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier The average value of the rate (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni is 8-30%.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリアを剥離させたとき、前記キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの平均値が8〜18%である。 In yet another embodiment of the carrier-attached copper foil of the present invention, when the carrier is peeled, the presence of nickel oxide and nickel hydroxide in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier The average value of the rate (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni is 8 to 18%.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリア付銅箔から前記キャリアを剥離させたとき、前記キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの最大値が40〜95%である。 In yet another embodiment of the copper foil with carrier according to the present invention, nickel oxide in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier when the carrier is peeled from the copper foil with carrier. The maximum value of nickel hydroxide abundance (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni is 40 to 95%.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリアを剥離させたとき、前記キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの最大値が40〜87%である。 In yet another embodiment of the carrier-attached copper foil of the present invention, when the carrier is peeled, the presence of nickel oxide and nickel hydroxide in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier The maximum value of the rate (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni is 40 to 87%.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリアを剥離させたとき、前記キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの最大値が40〜84%である。 In yet another embodiment of the carrier-attached copper foil of the present invention, when the carrier is peeled, the presence of nickel oxide and nickel hydroxide in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier The maximum value of the rate (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni is 40 to 84%.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリアを剥離させたとき、前記キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの最大値が40〜75%である。 In yet another embodiment of the carrier-attached copper foil of the present invention, when the carrier is peeled, the presence of nickel oxide and nickel hydroxide in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier The maximum value of the rate (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni is 40 to 75%.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリアを剥離させたとき、前記キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの最大値が40〜68%である。 In yet another embodiment of the carrier-attached copper foil of the present invention, when the carrier is peeled, the presence of nickel oxide and nickel hydroxide in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier The maximum value of the rate (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni is 40 to 68%.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記中間層が、Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含む。   In another embodiment of the copper foil with a carrier according to the present invention, the intermediate layer has Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, an alloy thereof, and a water thereof. 1 type or 2 types or more selected from the group which consists of a Japanese thing, these oxides, and organic substance are included.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記中間層が、Crを含む場合は、Crを5μg/dm2以上100μg/dm2以下含有し、Moを含む場合は、Moを50μg/dm2以上1000μg/dm2以下含有し、Niを含む場合は、Niを100μg/dm2以上40000μg/dm2以下含有し、Coを含む場合は、Coを100μg/dm2以上40000μg/dm2以下含有し、Znを含む場合は、Znを1μg/dm2以上120μg/dm2以下含有する。 In still another embodiment of the copper foil with a carrier according to the present invention, when the intermediate layer contains Cr, it contains 5 μg / dm 2 or more and 100 μg / dm 2 or less of Cr, and when Mo contains Mo, 50 [mu] g / dm 2 or more 1000 [mu] g / dm 2 contain less, if it contains Ni, an Ni containing 100 [mu] g / dm 2 or more 40000μg / dm 2 or less, if it contains Co, the Co 100μg / dm 2 or more 40000μg / dm 2 or less, and when Zn is contained, Zn is contained in an amount of 1 μg / dm 2 to 120 μg / dm 2 .

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記中間層が有機物を厚みで25nm以上80nm以下含有する。   In another embodiment of the copper foil with a carrier of the present invention, the intermediate layer contains an organic substance in a thickness of 25 nm or more and 80 nm or less.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記有機物が、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸の中から選択される1種又は2種以上からなる有機物である。   In another embodiment of the copper foil with a carrier of the present invention, the organic substance is an organic substance composed of one or more selected from nitrogen-containing organic compounds, sulfur-containing organic compounds and carboxylic acids.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリア両方の面に中間層及び極薄銅層をこの順に有する。   In another embodiment, the copper foil with a carrier of the present invention has an intermediate layer and an ultrathin copper layer in this order on both sides of the carrier.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層表面または前記キャリアの表面のいずれか一方または両方に粗化処理層を有する。   In still another embodiment, the carrier-attached copper foil of the present invention has a roughened layer on one or both of the ultrathin copper layer surface and the carrier surface.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する。   In yet another embodiment, the carrier-attached copper foil of the present invention is one type selected from the group consisting of a heat-resistant layer, a rust-proof layer, a chromate-treated layer, and a silane coupling-treated layer on the surface of the roughened layer. It has the above layers.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記防錆層及び前記耐熱層の少なくとも一方が、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛から選択される1つ以上の元素を含む。   In still another embodiment of the copper foil with a carrier according to the present invention, at least one of the rust preventive layer and the heat resistant layer contains one or more elements selected from nickel, cobalt, copper, and zinc.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記防錆層及び前記耐熱層の少なくとも一方が、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛から選択される1つ以上の元素からなる。   In another embodiment of the copper foil with a carrier according to the present invention, at least one of the rust prevention layer and the heat-resistant layer is composed of one or more elements selected from nickel, cobalt, copper, and zinc.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記粗化処理層の上に前記耐熱層を有する。   In still another embodiment, the copper foil with a carrier of the present invention has the heat-resistant layer on the roughening treatment layer.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記粗化処理層または前記耐熱層の上に前記防錆層を有する。   In still another embodiment, the carrier-attached copper foil of the present invention has the rust-preventing layer on the roughening treatment layer or the heat-resistant layer.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記防錆層の上に前記クロメート処理層を有する。   In yet another embodiment, the carrier-attached copper foil of the present invention has the chromate treatment layer on the rust prevention layer.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記クロメート処理層の上に前記シランカップリング処理層を有する。   In still another embodiment, the copper foil with a carrier of the present invention has the silane coupling treatment layer on the chromate treatment layer.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する。   In yet another embodiment, the carrier-attached copper foil of the present invention is one type selected from the group consisting of a heat-resistant layer, a rust-proof layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer on the surface of the ultrathin copper layer. It has the above layers.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層上に樹脂層を備える。   In still another embodiment, the carrier-attached copper foil of the present invention includes a resin layer on the ultrathin copper layer.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記粗化処理層上に樹脂層を備える。   In yet another embodiment, the carrier-attached copper foil of the present invention includes a resin layer on the roughening treatment layer.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層の上に樹脂層を備える。   In yet another embodiment, the carrier-attached copper foil of the present invention is a resin layer on one or more layers selected from the group consisting of the heat-resistant layer, the rust-proof layer, the chromate-treated layer, and the silane coupling-treated layer. Is provided.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記樹脂層が誘電体を含む。   In still another embodiment of the copper foil with a carrier according to the present invention, the resin layer includes a dielectric.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いて製造したプリント配線板である。   In still another aspect, the present invention is a printed wiring board manufactured using the carrier-attached copper foil of the present invention.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いて製造した積層板である。   In still another aspect, the present invention is a laminated plate manufactured using the carrier-attached copper foil of the present invention.

本発明は更に別の一側面において、本発明のプリント配線板を用いて製造した電子機器である。   In yet another aspect, the present invention is an electronic device manufactured using the printed wiring board of the present invention.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いて製造した積層体である。   In another aspect of the present invention, there is provided a laminate manufactured using the carrier-attached copper foil of the present invention.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔と樹脂とを含む積層体であって、前記キャリア付銅箔の端面の一部または全部が前記樹脂により覆われている積層体である。   According to still another aspect of the present invention, there is provided a laminate including the carrier-attached copper foil of the present invention and a resin, wherein the end face of the carrier-attached copper foil is partially or entirely covered with the resin. It is.

本発明は更に別の一側面において、一つの本発明のキャリア付銅箔を前記キャリア側又は前記極薄銅層側から、もう一つの本発明のキャリア付銅箔の前記キャリア側又は前記極薄銅層側に積層した積層体である。   In yet another aspect of the present invention, the carrier-attached copper foil of the present invention is separated from the carrier side or the ultrathin copper layer side of the present invention, and the carrier-side copper foil of the present invention of the other is provided. It is the laminated body laminated | stacked on the copper layer side.

本発明の積層体は一実施形態において、前記一つのキャリア付銅箔の前記キャリア側表面又は前記極薄銅層側表面と前記もう一つのキャリア付銅箔の前記キャリア側表面又は前記極薄銅層側表面とが、必要に応じて接着剤を介して、直接積層させて構成されている。   In one embodiment of the laminate of the present invention, the carrier-side surface or ultrathin copper layer side surface of the one carrier-attached copper foil and the carrier-side surface or ultrathin copper of the another carrier-attached copper foil. The layer-side surface is configured to be directly laminated through an adhesive as necessary.

本発明の積層体は別の一実施形態において、前記一つのキャリア付銅箔の前記キャリア又は前記極薄銅層と前記もう一つのキャリア付銅箔の前記キャリア又は前記極薄銅層とが接合されている。   In another embodiment of the laminate of the present invention, the carrier or the ultrathin copper layer of the one carrier-attached copper foil and the carrier or the ultrathin copper layer of the other carrier-attached copper foil are joined. Has been.

本発明は更に別の一側面において、本発明の積層体であって、前記積層体の端面の一部または全部が樹脂により覆われている積層体である。   In another aspect of the present invention, the laminate of the present invention is a laminate in which part or all of the end surface of the laminate is covered with a resin.

本発明は更に別の一側面において、本発明の積層体を用いたプリント配線板の製造方法である。   In yet another aspect, the present invention is a method for producing a printed wiring board using the laminate of the present invention.

本発明は更に別の一側面において、本発明の積層体に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、前記樹脂層及び回路の2層を少なくとも1回形成した後に、前記積層体のキャリア付銅箔から前記極薄銅層又は前記キャリアを剥離させる工程を含むプリント配線板の製造方法である。   In another aspect of the present invention, the step of providing the laminate of the present invention with two layers of a resin layer and a circuit at least once, and after forming the resin layer and the two layers of the circuit at least once, It is a manufacturing method of a printed wiring board including the process of peeling the ultra-thin copper layer or the carrier from the copper foil with a carrier of the layered product.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔の銅箔キャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。   In yet another aspect of the present invention, the step of preparing the copper foil with carrier and the insulating substrate of the present invention, the step of laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, the copper foil with carrier and the insulating substrate, After laminating, a copper clad laminate is formed through a step of peeling the copper foil carrier of the carrier-attached copper foil, and then by a semi-additive method, a subtractive method, a partial additive method, or a modified semi-additive method. A method of manufacturing a printed wiring board including a step of forming a circuit.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に回路を形成する工程、前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層又は前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程を含むプリント配線板の製造方法である。   In another aspect of the present invention, the step of forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the carrier-attached copper foil of the present invention, the carrier-attached copper foil so that the circuit is buried. After forming the resin layer on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface, peeling the carrier or the ultrathin copper layer, and peeling the carrier or the ultrathin copper layer, A method for producing a printed wiring board, comprising: removing an ultrathin copper layer or the carrier to expose a circuit embedded in the resin layer formed on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface It is.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に回路を形成する工程、前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、前記樹脂層上に回路を形成する工程、前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリア又は前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、前記キャリア又は前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層又は前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程を含むプリント配線板の製造方法である。   In another aspect of the present invention, the step of forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the carrier-attached copper foil of the present invention, the carrier-attached copper foil so that the circuit is buried. A step of forming a resin layer on the surface of the ultrathin copper layer or the surface of the carrier, a step of forming a circuit on the resin layer, and after forming a circuit on the resin layer, the carrier or the ultrathin copper layer And after the carrier or the ultrathin copper layer is peeled off, the ultrathin copper layer or the carrier is removed to form the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface. And a method of manufacturing a printed wiring board including a step of exposing a circuit buried in the resin layer.

本発明のプリント配線板の製造方法は一実施形態において、前記樹脂層上に回路を形成する工程が、前記樹脂層上に別のキャリア付銅箔を極薄銅層側から貼り合わせ、前記樹脂層に貼り合わせたキャリア付銅箔を用いて前記回路を形成する工程である。   In one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention, the step of forming a circuit on the resin layer is performed by laminating another copper foil with a carrier on the resin layer from the ultrathin copper layer side. In this step, the circuit is formed using a copper foil with a carrier bonded to a layer.

本発明のプリント配線板の製造方法は別の一実施形態において、前記樹脂層上に貼り合わせる別のキャリア付銅箔が、本発明のキャリア付銅箔である。   In another embodiment of the method for producing a printed wiring board of the present invention, another copper foil with a carrier to be bonded onto the resin layer is the copper foil with a carrier of the present invention.

本発明のプリント配線板の製造方法は更に別の一実施形態において、前記樹脂層上に回路を形成する工程が、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって行われる。   In still another embodiment of the method for producing a printed wiring board of the present invention, the step of forming a circuit on the resin layer is any one of a semi-additive method, a subtractive method, a partly additive method, or a modified semi-additive method. Done by the method.

本発明のプリント配線板の製造方法は更に別の一実施形態において、前記表面に回路を形成するキャリア付銅箔が、当該キャリア付銅箔のキャリア側の表面または極薄銅層側の表面に基板を有する。   In yet another embodiment of the method for producing a printed wiring board of the present invention, the carrier-attached copper foil for forming a circuit on the surface is formed on the carrier-side surface or the ultrathin copper layer-side surface of the carrier-attached copper foil. Having a substrate.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、前記樹脂層及び回路の2層を少なくとも1回形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程を含むプリント配線板の製造方法である。   In yet another aspect of the present invention, the step of laminating the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with carrier of the present invention and the resin substrate, laminating with the resin substrate of the copper foil with carrier. A step of providing at least once a resin layer and a circuit on the surface of the ultrathin copper layer opposite to the side or the carrier side surface, and forming the resin layer and the circuit at least once It is a manufacturing method of a printed wiring board including the process of peeling the carrier or the ultra-thin copper layer from the copper foil with a carrier later.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔の前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、前記樹脂層及び回路の2層を少なくとも1回形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記極薄銅層を剥離させる工程を含むプリント配線板の製造方法である。   In yet another aspect of the present invention, the step of laminating the carrier-side surface of the copper foil with a carrier and a resin substrate of the present invention, the ultrathin side opposite to the side of the copper foil with carrier and laminating the resin substrate A step of providing at least once a resin layer and a circuit on the copper layer side surface, and after forming the resin layer and the circuit at least once, the ultrathin copper layer from the copper foil with carrier It is a manufacturing method of a printed wiring board including the process of peeling.

本発明によれば、回路形成性が良好なキャリア付銅箔を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the copper foil with a carrier with favorable circuit formation property can be provided.

A〜Cは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、回路めっき・レジスト除去までの工程における配線板断面の模式図である。AC is a schematic diagram of the wiring board cross section in the process to circuit plating and the resist removal based on the specific example of the manufacturing method of the printed wiring board using the copper foil with a carrier of this invention. D〜Fは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、樹脂及び2層目キャリア付銅箔積層からレーザー穴あけまでの工程における配線板断面の模式図である。DF is a schematic diagram of a cross section of a wiring board in a process from lamination of a resin and copper foil with a second layer carrier to laser drilling according to a specific example of a method for producing a printed wiring board using a copper foil with a carrier of the present invention. It is. G〜Iは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、ビアフィル形成から1層目のキャリア剥離までの工程における配線板断面の模式図である。GI is a schematic diagram of the wiring board cross section in the process from the via fill formation to the first layer carrier peeling according to a specific example of the method for manufacturing a printed wiring board using the carrier-attached copper foil of the present invention. J〜Kは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、フラッシュエッチングからバンプ・銅ピラー形成までの工程における配線板断面の模式図である。J to K are schematic views of a cross section of a wiring board in steps from flash etching to bump / copper pillar formation according to a specific example of a method of manufacturing a printed wiring board using the carrier-attached copper foil of the present invention. 実施例における回路パターンの幅方向の横断面の模式図、及び、該模式図を用いたエッチングファクター(EF)の計算方法の概略である。It is the schematic of the cross section of the width direction of the circuit pattern in an Example, and the outline of the calculation method of the etching factor (EF) using this schematic diagram. 実施例6の中間層表面(キャリアの中間層側表面)のNiのナロースペクトルのグラフである。7 is a graph of Ni narrow spectrum of an intermediate layer surface (surface of an intermediate layer side of a carrier) of Example 6.

<キャリア付銅箔>
本発明のキャリア付銅箔は、キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に備える。キャリア付銅箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルム、フッ素樹脂フィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的にプリント配線板を製造することができる。
<Copper foil with carrier>
The copper foil with a carrier of the present invention includes a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order. The method of using the copper foil with carrier itself is well known to those skilled in the art. For example, the surface of the ultra-thin copper layer is made of paper base phenol resin, paper base epoxy resin, synthetic fiber cloth base epoxy resin, glass cloth / paper composite. Substrate epoxy resin, glass cloth / glass nonwoven fabric composite substrate epoxy resin and glass cloth substrate epoxy resin, polyester film, polyimide film, liquid crystal polymer film, fluororesin film, etc. Then, an ultrathin copper layer bonded to an insulating substrate is etched into a target conductor pattern, and finally a printed wiring board can be manufactured.

<キャリア>
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には金属箔または樹脂フィルムであり、例えば銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、絶縁樹脂フィルム、ポリイミドフィルム、LCDフィルムの形態で提供される。
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅(JIS H3100 合金番号C1100)や無酸素銅(JIS H3100 合金番号C1020またはJIS H3510 合金番号C1011)といった高純度の銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。
また、電解銅箔としては、以下の電解液組成及び製造条件にて作製することができる。
以下の条件で、電解銅箔を製造した場合、銅箔表面のTD(銅箔の製造設備での、銅箔の進行方向に直角の方向(幅方向))のRzが小さく、TDの60度光沢度が高い電解銅箔を得ることが出来る。
<電解液組成>
銅:90〜110g/L
硫酸:90〜110g/L
塩素:50〜100ppm
レベリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm
レベリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
なお、本発明に用いられる電解、表面処理又はめっき等に用いられる処理液の残部は特に明記しない限り水である。
<Career>
Carriers that can be used in the present invention are typically metal foils or resin films, such as copper foil, copper alloy foil, nickel foil, nickel alloy foil, iron foil, iron alloy foil, stainless steel foil, aluminum foil, aluminum. It is provided in the form of alloy foil, insulating resin film, polyimide film, LCD film.
Carriers that can be used in the present invention are typically provided in the form of rolled copper foil or electrolytic copper foil. In general, the electrolytic copper foil is produced by electrolytic deposition of copper from a copper sulfate plating bath onto a drum of titanium or stainless steel, and the rolled copper foil is produced by repeating plastic working and heat treatment with a rolling roll. Examples of copper foil materials include high-purity copper such as tough pitch copper (JIS H3100 alloy number C1100) and oxygen-free copper (JIS H3100 alloy number C1020 or JIS H3510 alloy number C1011), for example, Sn-containing copper, Ag-containing copper, Cr A copper alloy such as a copper alloy added with Zr or Mg, or a Corson copper alloy added with Ni, Si or the like can also be used.
Moreover, as electrolytic copper foil, it can produce with the following electrolyte solution composition and manufacturing conditions.
When electrolytic copper foil is manufactured under the following conditions, Rz in the TD on the copper foil surface (direction perpendicular to the traveling direction of the copper foil (width direction) in the copper foil manufacturing equipment) is small, and TD is 60 degrees. An electrolytic copper foil with high gloss can be obtained.
<Electrolyte composition>
Copper: 90-110 g / L
Sulfuric acid: 90-110 g / L
Chlorine: 50-100ppm
Leveling agent 1 (bis (3sulfopropyl) disulfide): 10 to 30 ppm
Leveling agent 2 (amine compound): 10 to 30 ppm
As the amine compound, an amine compound having the following chemical formula can be used.
The balance of the treatment liquid used for electrolysis, surface treatment or plating used in the present invention is water unless otherwise specified.

(上記化学式中、R1及びR2はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。) (In the above chemical formula, R 1 and R 2 are selected from the group consisting of a hydroxyalkyl group, an ether group, an aryl group, an aromatic substituted alkyl group, an unsaturated hydrocarbon group, and an alkyl group.)

<製造条件>
電流密度:70〜100A/dm2
電解液温度:50〜60℃
電解液線速:3〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間
なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。
<Production conditions>
Current density: 70 to 100 A / dm 2
Electrolyte temperature: 50-60 ° C
Electrolyte linear velocity: 3-5 m / sec
Electrolysis time: 0.5 to 10 minutes In addition, when the term “copper foil” is used alone in this specification, a copper alloy foil is also included.

本発明に用いることのできるキャリアの厚さについても特に制限はないが、キャリアとしての役目を果たす上で適した厚さに適宜調節すればよく、例えば5μm以上とすることができる。但し、厚すぎると生産コストが高くなるので一般には35μm以下とするのが好ましい。従って、キャリアの厚みは典型的には8〜70μmであり、より典型的には12〜70μmであり、より典型的には18〜35μmである。また、原料コストを低減する観点からはキャリアの厚みは小さいことが好ましい。そのため、キャリアの厚みは、典型的には5μm以上35μm以下であり、好ましくは5μm以上18μm以下であり、好ましくは5μm以上12μm以下であり、好ましくは5μm以上11μm以下であり、好ましくは5μm以上10μm以下である。なお、キャリアの厚みが小さい場合には、キャリアの通箔の際に折れシワが発生しやすい。折れシワの発生を防止するため、例えばキャリア付銅箔製造装置の搬送ロールを平滑にすることや、搬送ロールと、その次の搬送ロールとの距離を短くすることが有効である。なお、プリント配線板の製造方法の一つである埋め込み工法(エンベッティド法(Enbedded Process))にキャリア付銅箔が用いられる場合には、キャリアの剛性が高いことが必要である。そのため、埋め込み工法に用いる場合には、キャリアの厚みは18μm以上300μm以下であることが好ましく、25μm以上150μm以下であることが好ましく、35μm以上100μm以下であることが好ましく、35μm以上70μm以下であることが更により好ましい。
なお、キャリアの極薄銅層を設ける側の表面とは反対側の表面に粗化処理層を設けてもよい。当該粗化処理層を公知の方法を用いて設けてもよく、後述の粗化処理により設けてもよい。キャリアの極薄銅層を設ける側の表面とは反対側の表面に粗化処理層を設けることは、キャリアを当該粗化処理層を有する表面側から樹脂基板などの支持体に積層する際、キャリアと樹脂基板が剥離し難くなるという利点を有する。
The thickness of the carrier that can be used in the present invention is not particularly limited, but may be appropriately adjusted to a thickness suitable for serving as a carrier, and may be, for example, 5 μm or more. However, if it is too thick, the production cost becomes high, so generally it is preferably 35 μm or less. Accordingly, the thickness of the carrier is typically 8 to 70 μm, more typically 12 to 70 μm, and more typically 18 to 35 μm. Moreover, it is preferable that the thickness of a carrier is small from a viewpoint of reducing raw material cost. Therefore, the thickness of the carrier is typically 5 μm or more and 35 μm or less, preferably 5 μm or more and 18 μm or less, preferably 5 μm or more and 12 μm or less, preferably 5 μm or more and 11 μm or less, preferably 5 μm or more and 10 μm or less. It is as follows. In addition, when the thickness of a carrier is small, it is easy to generate | occur | produce a wrinkle in the case of a carrier foil. In order to prevent the generation of folding wrinkles, for example, it is effective to smooth the transport roll of the copper foil manufacturing apparatus with a carrier and to shorten the distance between the transport roll and the next transport roll. In addition, when the copper foil with a carrier is used for the embedding method (embedded process) which is one of the manufacturing methods of a printed wiring board, the rigidity of a carrier needs to be high. Therefore, when used in the embedding method, the thickness of the carrier is preferably 18 μm or more and 300 μm or less, preferably 25 μm or more and 150 μm or less, preferably 35 μm or more and 100 μm or less, and 35 μm or more and 70 μm or less. Even more preferred.
In addition, you may provide a roughening process layer in the surface on the opposite side to the surface in the side which provides the ultra-thin copper layer of a carrier. The said roughening process layer may be provided using a well-known method, and may be provided by the below-mentioned roughening process. Providing a roughened layer on the surface opposite to the surface on which the ultrathin copper layer of the carrier is provided, when laminating the carrier from the surface side having the roughened layer to a support such as a resin substrate, There is an advantage that the carrier and the resin substrate are hardly separated.

<中間層>
キャリアの片面又は両面上には中間層を設ける。キャリアと中間層との間に他の層を設けてもよい。本発明で用いる中間層は、キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるように構成されている。本発明のキャリア付銅箔の中間層はNiを含む。また、例えば、本発明のキャリア付銅箔の中間層は、Niを含み、更にNiの他に、Cr、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。
<Intermediate layer>
An intermediate layer is provided on one or both sides of the carrier. Another layer may be provided between the carrier and the intermediate layer. In the intermediate layer used in the present invention, the ultrathin copper layer is hardly peeled off from the carrier before the copper foil with the carrier is laminated on the insulating substrate, while the ultrathin copper layer is separated from the carrier after the lamination step on the insulating substrate. It is configured to be peelable. The intermediate layer of the copper foil with a carrier of the present invention contains Ni. Further, for example, the intermediate layer of the copper foil with a carrier of the present invention contains Ni, and in addition to Ni, Cr, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, alloys thereof, You may contain 1 type, or 2 or more types selected from the group which consists of these hydrates, these oxides, and organic substances. The intermediate layer may be a plurality of layers.

また、例えば、中間層はキャリア側からNiからなる単一金属層、或いは、Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成し、その上にCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素の水和物または酸化物からなる層を形成することで構成することができる。   Further, for example, the intermediate layer is selected from a single metal layer made of Ni from the carrier side or an element group composed of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn. An alloy layer composed of one or more elements is formed, and selected from a group of elements composed of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, and Zn. It can be configured by forming a layer made of a hydrate or oxide of one or more elements.

また、中間層は、キャリア上にニッケルまたはニッケルを含む合金のいずれか1種の層、及びクロム、クロム合金、クロムの酸化物のいずれか1種以上を含む層がこの順で積層されて構成されているのが好ましい。そして、ニッケルまたはニッケルを含む合金のいずれか1種の層、及び/または、クロム、クロム合金、クロムの酸化物のいずれか1種以上を含む層に亜鉛が含まれているのが好ましい。ここで、ニッケルを含む合金とはニッケルと、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素からなる合金のことをいう。ニッケルを含む合金は3種以上の元素からなる合金でも良い。また、クロム合金とはクロムと、コバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素からなる合金のことをいう。クロム合金は3種以上の元素からなる合金でも良い。また、クロム、クロム合金、クロムの酸化物のいずれか1種以上を含む層はクロメート処理層であってもよい。ここでクロメート処理層とはクロム酸塩または二クロム酸塩を含む液で処理された層のことをいう。クロメート処理層はコバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタン等の金属を含んでもよい。本発明においては、無水クロム酸または二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層を純クロメート処理層という。また、本発明においては無水クロム酸または二クロム酸カリウムおよび亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層を亜鉛クロメート処理層という。   The intermediate layer is formed by laminating any one layer of nickel or an alloy containing nickel on the carrier and a layer containing any one or more of chromium, a chromium alloy, and an oxide of chromium in this order. It is preferable. In addition, it is preferable that zinc is contained in any one layer of nickel or an alloy containing nickel and / or a layer containing any one or more of chromium, a chromium alloy, and an oxide of chromium. Here, the alloy containing nickel is composed of nickel and one or more elements selected from the group consisting of cobalt, iron, chromium, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic, and titanium. An alloy. The alloy containing nickel may be an alloy composed of three or more elements. The chromium alloy is an alloy composed of chromium and one or more elements selected from the group consisting of cobalt, iron, nickel, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic, and titanium. Say. The chromium alloy may be an alloy composed of three or more elements. Further, the layer containing any one or more of chromium, a chromium alloy, and a chromium oxide may be a chromate treatment layer. Here, the chromate-treated layer refers to a layer treated with a liquid containing chromate or dichromate. The chromate treatment layer may contain a metal such as cobalt, iron, nickel, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic, and titanium. In the present invention, a chromate treatment layer treated with an anhydrous chromic acid or potassium dichromate aqueous solution is referred to as a pure chromate treatment layer. In the present invention, a chromate treatment layer treated with a treatment liquid containing chromic anhydride or potassium dichromate and zinc is referred to as a zinc chromate treatment layer.

また、中間層は、キャリア上にニッケル、ニッケル−亜鉛合金、ニッケル−リン合金、ニッケル−コバルト合金のいずれか1種の層、及び亜鉛クロメート処理層、純クロメート処理層、クロムめっき層のいずれか1種の層がこの順で積層されて構成されているのが好ましく、中間層は、キャリア上にニッケル層またはニッケル−亜鉛合金層、及び、亜鉛クロメート処理層がこの順で積層されて構成されている、又は、ニッケル−亜鉛合金層、及び、純クロメート処理層または亜鉛クロメート処理層がこの順で積層されて構成されているのが更に好ましい。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とクロメート処理層との界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。また、中間層にクロムめっきではなくクロメート処理層を形成するのが好ましい。クロムめっきは表面に緻密なクロム酸化物層を形成するため、電気めっきで極薄銅箔を形成する際に電気抵抗が上昇し、ピンホールが発生しやすくなる。クロメート処理層を形成した表面は、クロムめっきとくらべ緻密ではないクロム酸化物層が形成されるため、極薄銅箔を電気めっきで形成する際の抵抗になりにくく、ピンホールを減少させることができる。ここで、クロメート処理層として、亜鉛クロメート処理層を形成することにより、極薄銅箔を電気めっきで形成する際の抵抗が、通常のクロメート処理層より低くなり、よりピンホールの発生を抑制することができる。
キャリアとして電解銅箔を使用する場合には、ピンホールを減少させる観点からシャイニー面に中間層を設けることが好ましい。
The intermediate layer is any one of nickel, nickel-zinc alloy, nickel-phosphorus alloy and nickel-cobalt alloy on the carrier, and any of zinc chromate treatment layer, pure chromate treatment layer and chromium plating layer. It is preferable that one kind of layer is laminated in this order, and the intermediate layer is constituted by laminating a nickel layer or a nickel-zinc alloy layer and a zinc chromate treatment layer in this order on the carrier. More preferably, the nickel-zinc alloy layer and the pure chromate treatment layer or the zinc chromate treatment layer are laminated in this order. Since the adhesive force between nickel and copper is higher than the adhesive force between chromium and copper, when the ultrathin copper layer is peeled off, it peels at the interface between the ultrathin copper layer and the chromate treatment layer. Further, the nickel of the intermediate layer is expected to have a barrier effect that prevents the copper component from diffusing from the carrier into the ultrathin copper layer. Further, it is preferable to form a chromate treatment layer on the intermediate layer instead of chrome plating. Since chromium plating forms a dense chromium oxide layer on the surface, when an ultrathin copper foil is formed by electroplating, the electrical resistance increases and pinholes are likely to occur. The surface on which the chromate treatment layer is formed has a chromium oxide layer that is less dense than chrome plating, so resistance to formation of ultrathin copper foil by electroplating is less likely to reduce pinholes. it can. Here, by forming a zinc chromate treatment layer as a chromate treatment layer, the resistance when forming an ultrathin copper foil by electroplating is lower than that of a normal chromate treatment layer, and the generation of pinholes is further suppressed. be able to.
When using electrolytic copper foil as a carrier, it is preferable to provide an intermediate layer on the shiny surface from the viewpoint of reducing pinholes.

中間層のうちクロメート処理層は極薄銅層の界面に薄く存在することが、絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離しない一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能であるという特性を得る上で好ましい。ニッケル層またはニッケルを含む合金層(例えばニッケル−亜鉛合金層)を設けずにクロメート処理層をキャリアと極薄銅層の境界に存在させた場合は、剥離性はほとんど向上しないし、クロメート処理層がなくニッケル層またはニッケルを含む合金層(例えばニッケル−亜鉛合金層)と極薄銅層を直接積層した場合は、ニッケル層またはニッケルを含む合金層(例えばニッケル−亜鉛合金層)におけるニッケル量に応じて剥離強度が強すぎたり弱すぎたりして適切な剥離強度は得られない。   Among the intermediate layers, the chromate treatment layer is thinly present at the interface of the ultrathin copper layer, while the ultrathin copper layer does not peel off from the carrier before the laminating process on the insulating substrate, while after the laminating process on the insulating substrate It is preferable for obtaining the property that the ultrathin copper layer can be peeled from the carrier. When the chromate treatment layer is present at the boundary between the carrier and the ultrathin copper layer without providing a nickel layer or an alloy layer containing nickel (for example, a nickel-zinc alloy layer), the peelability is hardly improved, and the chromate treatment layer When the nickel layer or the nickel-containing alloy layer (for example, nickel-zinc alloy layer) and the ultrathin copper layer are directly laminated, the nickel amount in the nickel layer or the nickel-containing alloy layer (for example, nickel-zinc alloy layer) Accordingly, the peel strength is too strong or too weak to obtain an appropriate peel strength.

また、クロメート処理層がキャリアとニッケル層またはニッケルを含む合金層(例えばニッケル−亜鉛合金層)の境界に存在すると、極薄銅層の剥離時に中間層も付随して剥離されてしまう、すなわちキャリアと中間層の間で剥離が生じてしまうので好ましくない。このような状況は、キャリアとの界面にクロメート処理層を設けた場合のみならず、極薄銅層との界面にクロメート処理層を設けたとしてもクロム量が多すぎると生じ得る。これは、銅とニッケルは固溶しやすいので、これらが接触していると相互拡散によって接着力が高くなり剥離しにくくなる一方で、クロムと銅は固溶しにくく、相互拡散が生じにくいので、クロムと銅の界面では接着力が弱く、剥離しやすいことが原因と考えられる。また、中間層のニッケル量が不足している場合、キャリアと極薄銅層の間には微量のクロムしか存在しないので両者が密着して剥がれにくくなる。   Further, if the chromate treatment layer is present at the boundary between the carrier and the nickel layer or nickel-containing alloy layer (for example, nickel-zinc alloy layer), the intermediate layer is also peeled along with the peeling of the ultrathin copper layer, that is, the carrier. And the intermediate layer is undesirably peeled off. Such a situation may occur not only when the chromate treatment layer is provided at the interface with the carrier, but also when the amount of chromium is excessive even if the chromate treatment layer is provided at the interface with the ultrathin copper layer. This is because copper and nickel are likely to be in solid solution, so if they are in contact with each other, the adhesive force increases due to mutual diffusion and is difficult to peel off, while chromium and copper are less likely to dissolve and cause mutual diffusion. It is considered that the adhesion between the chromium and copper interface is weak and easy to peel off. Further, when the nickel amount in the intermediate layer is insufficient, there is only a very small amount of chromium between the carrier and the ultrathin copper layer, so that they are in close contact with each other and are difficult to peel off.

中間層のニッケル層またはニッケルを含む合金層(例えばニッケル−亜鉛合金層)は、例えば電気めっき、無電解めっき及び浸漬めっきのような湿式めっき、或いはスパッタリング、CVD及びPDVのような乾式めっきにより形成することができる。コストの観点から電気めっきが好ましい。なお、キャリアが樹脂フィルムの場合には、CVD及びPDVのような乾式めっきまたは無電解めっき及び浸漬めっきのような湿式めっきにより中間層を形成することができる。
また、クロメート処理層は、例えば電解クロメートや浸漬クロメート等で形成することができるが、クロム濃度を高くすることができ、キャリアからの極薄銅層の剥離強度が良好となるため、電解クロメートで形成するのが好ましい。
The intermediate nickel layer or nickel-containing alloy layer (for example, nickel-zinc alloy layer) is formed by wet plating such as electroplating, electroless plating and immersion plating, or dry plating such as sputtering, CVD and PDV. can do. Electroplating is preferable from the viewpoint of cost. When the carrier is a resin film, the intermediate layer can be formed by dry plating such as CVD and PDV or wet plating such as electroless plating and immersion plating.
In addition, the chromate treatment layer can be formed with, for example, electrolytic chromate or immersion chromate, but the chromium concentration can be increased, and the peel strength of the ultra-thin copper layer from the carrier is improved. Preferably formed.

また、中間層におけるニッケルの付着量が100〜40000μg/dm2、クロムの付着量が5〜100μg/dm2、亜鉛の付着量が1〜70μg/dm2であるのが好ましい。このようにニッケル、クロム、亜鉛の付着量を制御することにより、本発明のキャリア付銅箔は、キャリア付銅箔から極薄銅層を剥離した後の極薄銅層の表面のNi量を制御することが可能である。このように剥離後の極薄銅層表面のNi量を制御するためには、中間層のNi付着量を少なくするとともに、Niが極薄銅層側へ拡散するのを抑制する金属種(Cr、Zn)を中間層が含んでいることが好ましい。このような観点から、中間層のNi含有量は、100〜40000μg/dm2であるのが好ましく、200μg/dm2以上20000μg/dm2以下であるのが更に好ましく、500μg/dm2以上10000μg/dm2以下であるのが更に好ましく、700μg/dm2以上5000μg/dm2以下であるのが更に好ましい。また、Crは5〜100μg/dm2含有するのが好ましく、8μg/dm2以上50μg/dm2以下であるのが更に好ましく、10μg/dm2以上40μg/dm2以下であるのが更に好ましく、12μg/dm2以上30μg/dm2以下であるのが更に好ましい。Znは1〜70μg/dm2含有するのが好ましく、3μg/dm2以上30μg/dm2以下であるのが更に好ましく、5μg/dm2以上20μg/dm2以下であるのが更に好ましい。キャリア付銅箔から極薄銅層を剥離した後の極薄銅層の表面のNi量が制御される(例えばNi量が5〜300μg/dm2)と、極薄銅層のエッチング性(溶けやすさや回路形状等)が向上する等の効果がある。なお、上記ニッケルの代わりにコバルトを用いることも可能である。その際のコバルトの付着量はニッケルの付着量と同じとすることができる。 Further, the amount of adhered 100~40000μg / dm 2 of nickel in the intermediate layer, the adhesion amount of chromium 5~100μg / dm 2, the amount of deposition of zinc is preferably 1~70μg / dm 2. Thus, by controlling the adhesion amount of nickel, chromium, and zinc, the copper foil with carrier of the present invention can reduce the amount of Ni on the surface of the ultra thin copper layer after peeling the ultra thin copper layer from the copper foil with carrier. It is possible to control. Thus, in order to control the amount of Ni on the surface of the ultrathin copper layer after peeling, the amount of Ni attached to the intermediate layer is reduced and the metal species (Cr is suppressed from diffusing to the ultrathin copper layer side). , Zn) is preferably contained in the intermediate layer. From this point of view, Ni content of the intermediate layer is preferably from 100~40000μg / dm 2, more preferably not less 200 [mu] g / dm 2 or more 20000μg / dm 2 or less, 500 [mu] g / dm 2 or more 10000 / more preferably at dm 2 or less, and even more preferably 700 [mu] g / dm 2 or more 5000 [mu] g / dm 2 or less. Further, Cr is preferably contained 5~100μg / dm 2, more preferably not less 8 [mu] g / dm 2 or more 50 [mu] g / dm 2 or less, more preferably at 10 [mu] g / dm 2 or more 40 [mu] g / dm 2 or less, More preferably, it is 12 μg / dm 2 or more and 30 μg / dm 2 or less. Zn is preferably contained 1~70μg / dm 2, more preferably not less 3 [mu] g / dm 2 or more 30 [mu] g / dm 2 or less, and even more preferably 5 [mu] g / dm 2 or more 20 [mu] g / dm 2 or less. When the amount of Ni on the surface of the ultrathin copper layer after peeling the ultrathin copper layer from the carrier-attached copper foil is controlled (for example, the Ni amount is 5 to 300 μg / dm 2 ), the etching property (melting) of the ultrathin copper layer Easiness and circuit shape) are improved. In addition, it is also possible to use cobalt instead of the nickel. In this case, the amount of cobalt deposited can be the same as the amount of nickel deposited.

本発明のキャリア付銅箔の中間層は、キャリア上にニッケル層、及び、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む有機物層の順で積層されて構成されており、中間層におけるニッケルの付着量が100〜40000μg/dm2であってもよい。また、本発明のキャリア付銅箔の中間層は、キャリア上に窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む有機物層、及び、ニッケル層の順で積層されて構成されており、中間層におけるニッケルの付着量が100〜40000μg/dm2であってもよい。上述のように、本発明のキャリア付銅箔は、キャリア付銅箔から極薄銅層を剥離した後の極薄銅層の表面のNi量が制御されているが、このように剥離後の極薄銅層表面のNi量を制御するためには、中間層のNi付着量を少なくするとともに、Niが極薄銅層側へ拡散するのを抑制する窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む有機物層を中間層が含んでいることが好ましい。このような観点から、中間層のNi含有量は、100〜40000μg/dm2であるのが好ましく、200μg/dm2以上20000μg/dm2以下であるのが更に好ましく、300μg/dm2以上10000μg/dm2以下であるのが更に好ましく、500μg/dm2以上5000μg/dm2以下であるのが更に好ましい。なお、上記ニッケルの代わりにコバルトを用いることも可能である。その際のコバルトの付着量はニッケルの付着量と同じとすることができる。また、当該窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む有機物としては、BTA(ベンゾトリアゾール)、MBT(メルカプトベンゾチアゾール)等が挙げられる。 The intermediate layer of the carrier-attached copper foil of the present invention is formed by laminating a nickel layer on a carrier and an organic material layer containing any one of a nitrogen-containing organic compound, a sulfur-containing organic compound and a carboxylic acid, The adhesion amount of nickel in the intermediate layer may be 100 to 40,000 μg / dm 2 . Further, the intermediate layer of the carrier-attached copper foil of the present invention is configured by laminating in order of a nitrogen-containing organic compound, a sulfur-containing organic compound and a carboxylic acid, and a nickel layer on the carrier. The adhesion amount of nickel in the intermediate layer may be 100 to 40,000 μg / dm 2 . As described above, in the copper foil with carrier of the present invention, the amount of Ni on the surface of the ultrathin copper layer after the ultrathin copper layer is peeled from the copper foil with carrier is controlled. In order to control the amount of Ni on the surface of the ultrathin copper layer, a nitrogen-containing organic compound, a sulfur-containing organic compound that suppresses the diffusion of Ni to the ultrathin copper layer side while reducing the Ni adhesion amount of the intermediate layer and It is preferable that the intermediate layer includes an organic material layer containing any of carboxylic acids. From this point of view, Ni content of the intermediate layer is preferably from 100~40000μg / dm 2, more preferably not less 200 [mu] g / dm 2 or more 20000μg / dm 2 or less, 300 [mu] g / dm 2 or more 10000 / more preferably at dm 2 or less, and even more preferably 500 [mu] g / dm 2 or more 5000 [mu] g / dm 2 or less. In addition, it is also possible to use cobalt instead of the nickel. In this case, the amount of cobalt deposited can be the same as the amount of nickel deposited. Moreover, BTA (benzotriazole), MBT (mercaptobenzothiazole), etc. are mentioned as an organic substance containing either the said nitrogen containing organic compound, sulfur containing organic compound, and carboxylic acid.

また、中間層が含有する有機物としては、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸の中から選択される1種又は2種以上からなるものを用いることが好ましい。窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のうち、窒素含有有機化合物は、置換基を有する窒素含有有機化合物を含んでいる。具体的な窒素含有有機化合物としては、置換基を有するトリアゾール化合物である1,2,3−ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、N’,N’−ビス(ベンゾトリアゾリルメチル)ユリア、1H−1,2,4−トリアゾール及び3−アミノ−1H−1,2,4−トリアゾール等を用いることが好ましい。
硫黄含有有機化合物には、メルカプトベンゾチアゾール、2−メルカプトベンゾチアゾールナトリウム、チオシアヌル酸及び2−ベンズイミダゾールチオール等を用いることが好ましい。
カルボン酸としては、特にモノカルボン酸を用いることが好ましく、中でもオレイン酸、リノール酸及びリノレイン酸等を用いることが好ましい。
前述の有機物は厚みで25nm以上80nm以下含有するのが好ましく、30nm以上70nm以下含有するのがより好ましい。中間層は前述の有機物を複数種類(一種以上)含んでもよい。
なお、有機物の厚みは以下のようにして測定することができる。
Moreover, as an organic substance which an intermediate | middle layer contains, it is preferable to use what consists of 1 type (s) or 2 or more types selected from a nitrogen containing organic compound, a sulfur containing organic compound, and carboxylic acid. Among the nitrogen-containing organic compound, the sulfur-containing organic compound, and the carboxylic acid, the nitrogen-containing organic compound includes a nitrogen-containing organic compound having a substituent. Specific nitrogen-containing organic compounds include 1,2,3-benzotriazole, carboxybenzotriazole, N ′, N′-bis (benzotriazolylmethyl) urea, 1H-1 which are triazole compounds having a substituent. 2,4-triazole, 3-amino-1H-1,2,4-triazole and the like are preferably used.
For the sulfur-containing organic compound, it is preferable to use mercaptobenzothiazole, 2-mercaptobenzothiazole sodium, thiocyanuric acid, 2-benzimidazolethiol, and the like.
As the carboxylic acid, it is particularly preferable to use a monocarboxylic acid, and it is particularly preferable to use oleic acid, linoleic acid, linolenic acid, or the like.
The organic material is preferably contained in a thickness of 25 nm to 80 nm, more preferably 30 nm to 70 nm. The intermediate layer may contain a plurality of types (one or more) of the aforementioned organic substances.
In addition, the thickness of organic substance can be measured as follows.

<中間層の有機物厚み>
キャリア付銅箔の極薄銅層をキャリアから剥離した後に、露出した極薄銅層の中間層側の表面と、露出したキャリアの中間層側の表面をXPS測定し、デプスプロファイルを作成する。そして、極薄銅層の中間層側の表面から最初に炭素濃度が3at%以下となった深さをA(nm)とし、キャリアの中間層側の表面から最初に炭素濃度が3at%以下となった深さをB(nm)とし、AとBとの合計を中間層の有機物の厚み(nm)とすることができる。
XPSの稼働条件を以下に示す。
・装置:XPS測定装置(アルバックファイ社、型式5600MC)
・到達真空度:3.8×10-7Pa
・X線:単色AlKαまたは非単色MgKα、エックス線出力300W、検出面積800μmφ、試料と検出器のなす角度45°
・イオン線:イオン種Ar+、加速電圧3kV、掃引面積3mm×3mm、スパッタリングレート2.8nm/min(SiO2換算)
<Thickness of organic material in the intermediate layer>
After peeling off the ultrathin copper layer of the carrier-attached copper foil from the carrier, the surface of the exposed ultrathin copper layer on the intermediate layer side and the exposed surface of the intermediate layer side of the carrier are subjected to XPS measurement to create a depth profile. The depth at which the carbon concentration first becomes 3 at% or less from the surface on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer is defined as A (nm), and the carbon concentration is initially 3 at% or less from the surface on the intermediate layer side of the carrier. The resulting depth can be defined as B (nm), and the sum of A and B can be defined as the thickness (nm) of the organic substance in the intermediate layer.
XPS operating conditions are shown below.
・ Device: XPS measuring device (ULVAC-PHI, Model 5600MC)
・ Achieving vacuum: 3.8 × 10 −7 Pa
X-ray: Monochromatic AlKα or non-monochromatic MgKα, X-ray output 300 W, detection area 800 μmφ, angle between sample and detector 45 °
Ion beam: ion species Ar + , acceleration voltage 3 kV, sweep area 3 mm × 3 mm, sputtering rate 2.8 nm / min (in terms of SiO 2 )

中間層が含有する有機物の使用方法について、以下に、キャリア箔上への中間層の形成方法についても述べつつ説明する。キャリア上への中間層の形成は、上述した有機物を溶媒に溶解させ、その溶媒中にキャリアを浸漬させるか、中間層を形成しようとする面に対するシャワーリング、噴霧法、滴下法及び電着法等を用いて行うことができ、特に限定した手法を採用する必要性はない。このときの溶媒中の有機系剤の濃度は、上述した有機物の全てにおいて、濃度0.01g/L〜30g/L、液温20〜60℃の範囲が好ましい。有機物の濃度は、特に限定されるものではなく、本来濃度が高くとも低くとも問題のないものである。なお、有機物の濃度が高いほど、また、上述した有機物を溶解させた溶媒へのキャリアの接触時間が長いほど、中間層の有機物厚みは大きくなる傾向にある。そして、中間層の有機物厚みが厚い場合、Niの極薄銅層側への拡散を抑制するという、有機物の効果が大きくなる傾向にある。   The method for using the organic substance contained in the intermediate layer will be described below with reference to the method for forming the intermediate layer on the carrier foil. The intermediate layer is formed on the carrier by dissolving the above-mentioned organic substance in a solvent and immersing the carrier in the solvent, or showering, spraying method, dropping method and electrodeposition method on the surface on which the intermediate layer is to be formed. Etc., and there is no need to adopt a particularly limited method. At this time, the concentration of the organic agent in the solvent is preferably in the range of a concentration of 0.01 g / L to 30 g / L and a liquid temperature of 20 to 60 ° C. in all the organic substances described above. The concentration of the organic substance is not particularly limited, and there is no problem even if the concentration is originally high or low. In addition, the organic substance thickness of an intermediate | middle layer tends to become large, so that the density | concentration of organic substance is high, and the contact time of the carrier to the solvent which dissolved the organic substance mentioned above is long. And when the organic substance thickness of an intermediate | middle layer is thick, it exists in the tendency for the effect of organic substance to suppress the spreading | diffusion to the ultra-thin copper layer side of Ni to become large.

また、中間層は、キャリア上に、ニッケルと、モリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金とがこの順で積層されて構成されていることが好ましい。ニッケルと銅との接着力は、モリブデンまたはコバルトと銅との接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とモリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金との界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。   In addition, the intermediate layer is preferably configured by stacking nickel and molybdenum or cobalt or a molybdenum-cobalt alloy in this order on a carrier. Since the adhesion force between nickel and copper is higher than the adhesion force between molybdenum or cobalt and copper, when peeling the ultrathin copper layer, the interface between the ultrathin copper layer and molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy It will come off. Further, the nickel of the intermediate layer is expected to have a barrier effect that prevents the copper component from diffusing from the carrier into the ultrathin copper layer.

なお、前述のニッケルはニッケルを含む合金であっても良い。ここで、ニッケルを含む合金とはニッケルと、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素からなる合金のことをいう。また、前述のモリブデンはモリブデンを含む合金であっても良い。ここで、モリブデンを含む合金とはモリブデンと、コバルト、鉄、クロム、ニッケル、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素からなる合金のことをいう。また、前述のコバルトはコバルトを含む合金であっても良い。ここで、コバルトを含む合金とはコバルトと、モリブデン、鉄、クロム、ニッケル、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素からなる合金のことをいう。   The aforementioned nickel may be an alloy containing nickel. Here, the alloy containing nickel is composed of nickel and one or more elements selected from the group consisting of cobalt, iron, chromium, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic, and titanium. An alloy. The molybdenum described above may be an alloy containing molybdenum. Here, the alloy containing molybdenum is composed of molybdenum and one or more elements selected from the group consisting of cobalt, iron, chromium, nickel, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic, and titanium. An alloy. The cobalt described above may be an alloy containing cobalt. Here, the alloy containing cobalt is made of cobalt and one or more elements selected from the group consisting of molybdenum, iron, chromium, nickel, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic, and titanium. An alloy.

モリブデン−コバルト合金はモリブデン、コバルト以外の元素(例えばコバルト、鉄、クロム、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素)を含んでも良い。
キャリアとして電解銅箔を使用する場合には、ピンホールを減少させる観点からシャイニー面に中間層を設けることが好ましい。
Molybdenum-cobalt alloy is an element other than molybdenum and cobalt (for example, one or more elements selected from the group consisting of cobalt, iron, chromium, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic, and titanium). May be included.
When using electrolytic copper foil as a carrier, it is preferable to provide an intermediate layer on the shiny surface from the viewpoint of reducing pinholes.

中間層のうちモリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層は極薄銅層の界面に薄く存在することが、絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離しない一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能であるという特性を得る上で好ましい。ニッケル層を設けずにモリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層をキャリアと極薄銅層の境界に存在させた場合は、剥離性はほとんど向上しない場合があり、モリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層がなくニッケル層と極薄銅層を直接積層した場合はニッケル層におけるニッケル量に応じて剥離強度が強すぎたり弱すぎたりして適切な剥離強度は得られない場合がある。   Among the intermediate layers, the molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy layer is thinly present at the interface of the ultrathin copper layer, while the ultrathin copper layer does not peel off from the carrier before the lamination process to the insulating substrate, while the insulating substrate It is preferable for obtaining the property that the ultrathin copper layer can be peeled off from the carrier after the lamination step. If a molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy layer is present at the boundary between the carrier and the ultrathin copper layer without providing a nickel layer, the peelability may be hardly improved, and the molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy layer When the nickel layer and the ultrathin copper layer are directly laminated, the peel strength may be too strong or too weak depending on the amount of nickel in the nickel layer, and an appropriate peel strength may not be obtained.

また、モリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層がキャリアとニッケル層の境界に存在すると、極薄銅層の剥離時に中間層も付随して剥離されてしまう場合がある、すなわちキャリアと中間層の間で剥離が生じてしまうので好ましくない場合がある。このような状況は、キャリアとの界面にモリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層を設けた場合のみならず、極薄銅層との界面にモリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層を設けたとしてもモリブデン量またはコバルト量が多すぎると生じ得る。これは、銅とニッケルとは固溶しやすいので、これらが接触していると相互拡散によって接着力が高くなり剥離しにくくなる一方で、モリブデンまたはコバルトと銅とは固溶しにくく、相互拡散が生じにくいので、モリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層と銅との界面では接着力が弱く、剥離しやすいことが原因と考えられる。また、中間層のニッケル量が不足している場合、キャリアと極薄銅層の間には微量のモリブデンまたはコバルトしか存在しないので両者が密着して剥がれにくくなる場合がある。   In addition, if the molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy layer is present at the boundary between the carrier and the nickel layer, the intermediate layer may be additionally peeled off when the ultrathin copper layer is peeled off, that is, between the carrier and the intermediate layer. May cause undesirable peeling. Such a situation is not only when a molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy layer is provided at the interface with the carrier, but also when a molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy layer is provided at the interface with the ultrathin copper layer. This can occur if the amount of molybdenum or cobalt is too high. This is because copper and nickel are likely to be in solid solution, so if they are in contact with each other, the adhesive force increases due to mutual diffusion and it is difficult to peel off, while molybdenum or cobalt and copper are less likely to dissolve and mutual diffusion. This is considered to be because the adhesive force is weak at the interface between the molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy layer and copper and is easily peeled off. Further, when the amount of nickel in the intermediate layer is insufficient, since only a small amount of molybdenum or cobalt is present between the carrier and the ultrathin copper layer, they may be in close contact and difficult to peel off.

中間層のニッケル及びコバルトまたはモリブデン−コバルト合金は、例えば電気めっき、無電解めっき及び浸漬めっきのような湿式めっき、或いはスパッタリング、CVD及びPDVのような乾式めっきにより形成することができる。また、モリブデンはCVD及びPDVのような乾式めっきのみにより形成することができる。コストの観点から電気めっきが好ましい。   The intermediate layer nickel and cobalt or molybdenum-cobalt alloy can be formed by wet plating such as electroplating, electroless plating and immersion plating, or dry plating such as sputtering, CVD and PDV. Molybdenum can be formed only by dry plating such as CVD and PDV. Electroplating is preferable from the viewpoint of cost.

中間層において、ニッケルの付着量は100〜40000μg/dm2であり、モリブデンの付着量は10〜1000μg/dm2であり、コバルトの付着量は10〜1000μg/dm2であるのが好ましい。上述のように、本発明のキャリア付銅箔は、キャリア付銅箔から極薄銅層を剥離した後の極薄銅層の表面のNi量が制御されているが、このように剥離後の極薄銅層表面のNi量を制御するためには、中間層のNi付着量を少なくするとともに、Niが極薄銅層側へ拡散するのを抑制する金属種(Co、Mo)を中間層が含んでいることが好ましい。このような観点から、ニッケル付着量は100〜40000μg/dm2とすることが好ましく、200〜20000μg/dm2とすることが好ましく、300〜15000μg/dm2とすることがより好ましく、300〜10000μg/dm2とすることがより好ましい。中間層にモリブデンが含まれる場合には、モリブデン付着量は10〜1000μg/dm2とすることが好ましく、モリブデン付着量は20〜600μg/dm2とすることが好ましく、30〜400μg/dm2とすることがより好ましい。中間層にコバルトが含まれる場合には、コバルト付着量は10〜1000μg/dm2とすることが好ましく、コバルト付着量は20〜600μg/dm2とすることが好ましく、30〜400μg/dm2とすることがより好ましい。 In the intermediate layer, the adhesion amount of nickel is preferably 100 to 40000 μg / dm 2 , the adhesion amount of molybdenum is 10 to 1000 μg / dm 2 , and the adhesion amount of cobalt is preferably 10 to 1000 μg / dm 2 . As described above, in the copper foil with carrier of the present invention, the amount of Ni on the surface of the ultrathin copper layer after the ultrathin copper layer is peeled from the copper foil with carrier is controlled. In order to control the amount of Ni on the surface of the ultrathin copper layer, the intermediate layer is made of a metal species (Co, Mo) that suppresses the diffusion of Ni to the ultrathin copper layer side while reducing the amount of Ni deposited on the intermediate layer. Is preferably included. From this viewpoint, the amount of nickel deposited is preferably to 100~40000μg / dm 2, preferably to 200~20000μg / dm 2, more preferably to 300~15000μg / dm 2, 300~10000μg / Dm 2 is more preferable. If included molybdenum in the intermediate layer, a molybdenum deposition amount is preferably set to 10~1000μg / dm 2, the molybdenum deposition amount is preferably set to 20~600μg / dm 2, and 30~400μg / dm 2 More preferably. If included cobalt in the intermediate layer, the cobalt coating weight is preferably set to 10~1000μg / dm 2, cobalt deposition amount is preferably set to 20~600μg / dm 2, and 30~400μg / dm 2 More preferably.

なお、上述のように中間層は、キャリア上に、ニッケルと、モリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金とがこの順で積層した場合には、モリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層を設けるためのめっき処理での電流密度を低くし、キャリアの搬送速度を遅くするとモリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層の密度が高くなる傾向にある。モリブデン及び/またはコバルトを含む層の密度が高くなると、ニッケル層のニッケルが拡散し難くなり、剥離後の極薄銅層表面のNi量を制御することができる。   As described above, the intermediate layer is plated for providing a molybdenum, cobalt, or molybdenum-cobalt alloy layer when nickel and molybdenum, cobalt, or a molybdenum-cobalt alloy are stacked in this order on a carrier. When the current density in the treatment is lowered and the carrier transport speed is lowered, the density of the molybdenum, cobalt, or molybdenum-cobalt alloy layer tends to increase. When the density of the layer containing molybdenum and / or cobalt increases, nickel in the nickel layer becomes difficult to diffuse, and the amount of Ni on the surface of the ultrathin copper layer after peeling can be controlled.

中間層を片面にのみ設ける場合、キャリアの反対面にはNiめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。なお、中間層をクロメート処理や亜鉛クロメート処理やめっき処理で設けた場合には、クロムや亜鉛など、付着した金属の一部は水和物や酸化物となっている場合があると考えられる。   When the intermediate layer is provided only on one side, it is preferable to provide a rust preventive layer such as a Ni plating layer on the opposite side of the carrier. When the intermediate layer is provided by chromate treatment, zinc chromate treatment, or plating treatment, it is considered that some of the attached metal such as chromium and zinc may be hydrates or oxides.

本発明のキャリア付銅箔は、キャリア付銅箔からキャリアを剥離させたとき、キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの平均値が5〜50%となるように制御されている。
キャリア付銅箔を加熱すると、キャリア/極薄銅層間に発生する水蒸気等の気体によって気泡(フクレ)が発生することがある。このようなフクレが発生すると、回路形成に用いる極薄銅層が陥没し、回路形成性に悪影響を及ぼすという問題が生じる。これに対し、上述のようにキャリア付銅箔からキャリアを剥離させたとき、キャリアの中間層側表面のNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niが抑制されたキャリア付銅箔とすることで、水分発生量を抑制し、フクレの発生を良好に抑制することができ、極薄銅層の回路形成性が良好となる。具体的には、中間層表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの平均値が50%を超えると、極薄銅層をエッチングして、L/S=30μm/30μmよりも微細な配線、例えばL/S=25μm/25μmの微細な配線、例えばL/S=20μm/20μmの微細な配線、例えばL/S=15μm/15μmの微細な配線を形成することが困難となる。一方、キャリア付銅箔からキャリアを剥離させたとき、キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの平均値が5%未満であると、Ni層表面の酸化物の存在量が少ないため、剥離強度が高くなり過ぎるという問題が生じる。
The carrier-attached copper foil of the present invention is obtained by subjecting the intermediate layer side surface of the carrier to XPS analysis when the carrier is peeled off from the carrier-attached copper foil, and the presence ratio of nickel oxide and nickel hydroxide in Ni (NiO + Ni ( The average value of OH) 2 ) / Ni is controlled to be 5 to 50%.
When the carrier-attached copper foil is heated, bubbles (bulges) may be generated by a gas such as water vapor generated between the carrier and the ultrathin copper layer. When such blisters occur, the ultrathin copper layer used for circuit formation sinks, causing a problem of adversely affecting circuit formability. On the other hand, when the carrier is peeled off from the copper foil with the carrier as described above, the abundance of nickel oxide and nickel hydroxide (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni in the Ni on the intermediate layer side surface of the carrier is suppressed. By using the carrier-attached copper foil, the amount of moisture generation can be suppressed, the occurrence of swelling can be suppressed well, and the circuit forming property of the ultrathin copper layer becomes good. Specifically, when the average value of nickel oxide and nickel hydroxide (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer surface exceeds 50%, ultrathin copper By etching the layer, wiring finer than L / S = 30 μm / 30 μm, for example, fine wiring of L / S = 25 μm / 25 μm, for example, fine wiring of L / S = 20 μm / 20 μm, for example, L / S = It becomes difficult to form fine wiring of 15 μm / 15 μm. On the other hand, when the carrier was peeled from the carrier-attached copper foil, the presence ratio of nickel oxide and nickel hydroxide in Ni (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier If the average value is less than 5%, the amount of oxide on the surface of the Ni layer is small, resulting in a problem that the peel strength becomes too high.

本発明のキャリア付銅箔は、フクレ低減、エッチング異常低減の点から、キャリア付銅箔からキャリアを剥離させたとき、キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの平均値が8〜45%となるように制御されているのが好ましく、8〜40%となるように制御されているのがより好ましく、8〜30%となるように制御されているのが更により好ましく、8〜18%となるように制御されているのが更により好ましい。 The carrier-added copper foil of the present invention is nickel oxide in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier when the carrier is peeled from the carrier-attached copper foil from the viewpoint of reducing blisters and etching abnormalities. The average value of nickel hydroxide (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni is preferably controlled to be 8 to 45%, and is preferably controlled to be 8 to 40%. More preferably, it is more preferably controlled to be 8 to 30%, and still more preferably controlled to be 8 to 18%.

本発明のキャリア付銅箔は、キャリア付銅箔からキャリアを剥離させたとき、キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの最大値が40〜95%となるように制御されているのが好ましい。このような構成によれば、極薄銅層をエッチングして、L/S=30μm/30μmよりも微細な配線、例えばL/S=25μm/25μmの微細な配線、例えばL/S=20μm/20μmの微細な配線、例えばL/S=15μm/15μmの微細な配線をより良好に形成することができる。 The carrier-attached copper foil of the present invention has an abundance of nickel oxide and nickel hydroxide in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier (NiO + Ni ( It is preferable that the maximum value of OH) 2 ) / Ni is controlled to be 40 to 95%. According to such a configuration, the ultra-thin copper layer is etched to form a wiring finer than L / S = 30 μm / 30 μm, for example, a fine wiring of L / S = 25 μm / 25 μm, for example, L / S = 20 μm / A fine wiring of 20 μm, for example, a fine wiring of L / S = 15 μm / 15 μm can be formed better.

本発明のキャリア付銅箔は、フクレ低減、エッチング異常低減の点から、キャリア付銅箔からキャリアを剥離させたとき、キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの最大値が40〜87%となるように制御されているのがより好ましく、40〜84%となるように制御されているのが更により好ましく、40〜75%となるように制御されているのが更により好ましく、40〜68%となるように制御されているのが更により好ましい。 The carrier-added copper foil of the present invention is nickel oxide in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier when the carrier is peeled from the carrier-attached copper foil from the viewpoint of reducing blisters and etching abnormalities. And the presence rate of nickel hydroxide (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni is more preferably controlled to be 40 to 87%, more preferably 40 to 84%. Is more preferable, and it is still more preferable that it is controlled to be 40 to 75%, and it is even more preferable that the control is performed to be 40 to 68%.

上述のような存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niが制御されたキャリア付銅箔を作製するためには、以下に示す製造時の制御が重要となる。 In order to produce the carrier-attached copper foil in which the abundance ratio (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni is controlled as described above, the following control during production is important.

〔中間層形成のためのめっき条件〕
以下のめっき条件に基づいて中間層の形成を行うことで、上述のような存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niが制御されたキャリア付銅箔を作製することができる。
(1)前処理
前処理として、脱脂及び酸洗を行うことで、後続のめっき処理を効果的に行うことができる。
(脱脂)
脱脂をすることで、被めっき面が清浄され、表面濡れ性が向上するため、後続の酸洗を効果的に行うことができる。
・基本処理:水酸化ナトリウム水溶液(1〜100g/L)にキャリアを浸漬する。
・界面活性剤:水酸化ナトリウム水溶液には、界面活性剤を適量入れると表面張力が下がり、より効果的で好ましい。
・電解脱脂:以下のいずれかの電解を併用するとより効果的に脱脂を行うことができる。
(a)陰極脱脂のみ(10A/dm2程度)
(b)陽極脱脂のみ(5A/dm2程度)
(c)陰極脱脂→陽極脱脂
(d)陰極脱脂→陽極脱脂→陰極脱脂
[Plating conditions for intermediate layer formation]
By forming the intermediate layer based on the following plating conditions, the carrier-attached copper foil in which the abundance (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni is controlled as described above can be produced.
(1) Pretreatment By performing degreasing and pickling as pretreatment, subsequent plating treatment can be effectively performed.
(Degreasing)
Since the surface to be plated is cleaned and the surface wettability is improved by degreasing, the subsequent pickling can be performed effectively.
Basic treatment: The carrier is immersed in an aqueous sodium hydroxide solution (1 to 100 g / L).
-Surfactant: When an appropriate amount of a surfactant is added to the aqueous sodium hydroxide solution, the surface tension is lowered, which is more effective and preferable.
Electrolytic degreasing: When any of the following electrolysis is used in combination, degreasing can be performed more effectively.
(A) a cathode degreasing only (10A / dm 2 about)
(B) Anode degreasing only (about 5A / dm 2 )
(C) Cathode degreasing → Anode degreasing (d) Cathode degreasing → Anode degreasing → Cathode degreasing

(酸洗)
上述の脱脂の後、酸洗をすることで、キャリアが銅箔である場合には表面の酸化銅等を除去することができ、活性な銅表面を露出させることができる。このため、後続のニッケルめっきを効果的に行うことができる。
・基本処理:硫酸(50mL/L)にキャリアを浸漬する。
・酸化剤:硫酸に過硫酸塩、過酸化水素等の酸化剤を含有させることが好ましい。酸化剤を含有させることで、キャリア表面を若干削って活性な表面を露出させることができる。
(Pickling)
By pickling after the above degreasing, when the carrier is a copper foil, the surface copper oxide and the like can be removed, and the active copper surface can be exposed. For this reason, subsequent nickel plating can be performed effectively.
Basic treatment: Immerse the carrier in sulfuric acid (50 mL / L).
Oxidizing agent: It is preferable to contain an oxidizing agent such as persulfate or hydrogen peroxide in sulfuric acid. By containing an oxidizing agent, the carrier surface can be slightly shaved to expose the active surface.

(2)ニッケルめっき
前処理の後、続いてニッケルめっきを行う。この際、緻密で均一、且つ、欠陥の無いめっきに仕上げることが重要である。ニッケルめっきとしては、以下の条件にて行う。
・めっき液
ニッケル:20〜200g/L
ホウ酸:5〜60g/L
液温:40〜65℃
pH:1.5〜4.0、好ましくは、2.0〜3.0。pHは低めにして段階的にめっき処理することで、水素ガスが発生して陰極表面が還元雰囲気になる。このため、酸化物、水酸化物、水和物等の水分発生の原因要素の発生を抑制することができる。
電流密度:0.5〜20A/dm2、好ましくは、2〜8A/dm2。低電流密度で処理する方が、ヤケめっきとなり難く、欠陥が少なく緻密なめっきとなるため好ましい。
・攪拌(液循環量)
100〜1000L/分。液循環量が多い方が、発生する水素ガスのガス離れが良くなり、ピンホール等の欠陥が少なくなる。また、拡散層厚みを小さくする効果が有り、水酸化物等の水分発生の原因要素の発生を抑制することができる。そのため、存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの平均値の範囲を5〜50%にすることができるため、フクレは発生しない。
・搬送速度
2〜30m/分、好ましくは、5〜10m/分。搬送速度が遅い方が、平滑で緻密なNi層が形成される。
・添加剤
添加剤に以下の一次光沢剤及び二次光沢剤を使用するのが好ましい。これにより、結晶が平滑で緻密となる。このため、めっきに発生する欠陥が減少し、水分の取り込みが減少する。
(一次光沢剤)
1−5ナフタレン・ジスルフォン酸ナトリウム:2〜10g/L、1−3−6ナフタレン・トリスルフォン酸ナトリウム:10〜30g/L、パラトルエンスルフォン・アミド:0.5〜4g/L、サッカリンナトリウム:0.5〜5g/Lのいずれか1種。
(二次光沢剤)
ホルマリン:0.5〜5g/L、ゼラチン:0.005〜0.5g/L、チオ尿素:0.05〜1.0g/L、プロパルギルアルコール:0.01〜0.3g/L、1−4ブチンジオール:0.05〜0.5g/L、エチレンシアンヒドリン:0.05〜0.5g/Lのいずれか1種。
(2) Nickel plating Nickel plating is subsequently performed after the pretreatment. At this time, it is important to finish the plating so as to be dense, uniform and free from defects. Nickel plating is performed under the following conditions.
・ Plating solution Nickel: 20 ~ 200g / L
Boric acid: 5-60 g / L
Liquid temperature: 40-65 degreeC
pH: 1.5-4.0, preferably 2.0-3.0. By performing the plating process stepwise at a lower pH, hydrogen gas is generated and the cathode surface becomes a reducing atmosphere. For this reason, generation | occurrence | production of the causative element of moisture generation, such as an oxide, a hydroxide, and a hydrate, can be suppressed.
Current density: 0.5 to 20 A / dm 2 , preferably 2 to 8 A / dm 2 . It is preferable to process at a low current density because it is less likely to cause discoloration plating and is dense with few defects.
・ Stirring (liquid circulation amount)
100-1000 L / min. When the amount of liquid circulation is large, the separation of the generated hydrogen gas is improved, and defects such as pinholes are reduced. Moreover, there exists an effect which makes diffusion layer thickness small and generation | occurrence | production of the causative factors of moisture generation, such as a hydroxide, can be suppressed. Therefore, since the range of the average value of the abundance ratio (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni can be 5 to 50%, no blistering occurs.
-Conveying speed 2-30 m / min, preferably 5-10 m / min. A smoother and denser Ni layer is formed when the conveying speed is lower.
-Additives It is preferable to use the following primary brighteners and secondary brighteners as additives. This makes the crystal smooth and dense. For this reason, the defect which generate | occur | produces in metal plating reduces, and the uptake | capture of a moisture reduces.
(Primary brightener)
1-5 sodium naphthalene disulfonate: 2 to 10 g / L, 1-3-6 sodium naphthalene trisulfonate: 10 to 30 g / L, paratoluene sulfonamide: 0.5 to 4 g / L, sodium saccharin: 0 Any one of 5-5 g / L.
(Secondary brightener)
Formalin: 0.5-5 g / L, gelatin: 0.005-0.5 g / L, thiourea: 0.05-1.0 g / L, propargyl alcohol: 0.01-0.3 g / L, 1- 4-butynediol: 0.05 to 0.5 g / L, ethylene cyanohydrin: any one of 0.05 to 0.5 g / L.

ニッケルめっきの後、続いて以下の条件にて(3)クロメート処理または(4)有機物による処理を行う。
(3)クロメート処理
・処理液
クロム:0.5〜6.0g/L
亜鉛:0.1〜2.0g/L
pH:2.5〜5.0
液温:25〜60℃
電流密度:0.1〜4A/dm2
また、クロメート処理の処理液にはその他の元素が含まれても良い。
After nickel plating, subsequently, (3) chromate treatment or (4) treatment with organic matter is performed under the following conditions.
(3) Chromate treatment-Treatment liquid Chromium: 0.5-6.0 g / L
Zinc: 0.1-2.0 g / L
pH: 2.5-5.0
Liquid temperature: 25-60 degreeC
Current density: 0.1 to 4 A / dm 2
Further, the chromate treatment liquid may contain other elements.

(4)有機物による処理
・処理液
有機物:0.1〜20g/L
pH:2〜5
液温:20〜40℃
浸漬時間:5〜30秒
有機物は上述の有機物、例えば窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む有機物が好ましい。
(4) Treatment with organic substance Treatment liquid Organic substance: 0.1 to 20 g / L
pH: 2-5
Liquid temperature: 20-40 degreeC
Immersion time: 5 to 30 seconds The organic substance is preferably an organic substance containing any one of the above-mentioned organic substances, for example, a nitrogen-containing organic compound, a sulfur-containing organic compound and a carboxylic acid.

〔中間層形成後、極薄銅層形成までに行う処理〕
中間層形成後、極薄銅層形成までに、さらに以下の加熱処理及び/又は還元処理を行うことが好ましい。このような処理を行うことで、上述のような加熱の際の水分発生量が制御されたキャリア付銅箔を作製することができる。
(5)加熱処理
クロメート処理後、銅めっき前に以下の条件で加熱処理を行うことで水分を除去する。
・例えば、インライン処理にて100〜200℃、このましくは180℃程度で1分間の加熱。さらに、IRヒータを使用した加熱も併用すればより効果的である。また、水素ガスを通しながら加熱すれば、還元効果も有り、さらに効果的である。
(6)還元処理
以下の条件で還元剤を用いて後処理することでO(酸素)を減らすことができる。
・例えば、還元剤である蟻酸(0.1〜100g/L)を使用して浸漬処理を行う。
[Treatment performed after forming the intermediate layer and before forming the ultrathin copper layer]
It is preferable to further perform the following heat treatment and / or reduction treatment after forming the intermediate layer and before forming the ultrathin copper layer. By performing such a treatment, a carrier-attached copper foil in which the amount of moisture generated during heating as described above is controlled can be produced.
(5) Heat treatment After the chromate treatment, before the copper plating, heat treatment is performed under the following conditions to remove moisture.
・ For example, heating at 100 to 200 ° C., preferably about 180 ° C. for 1 minute by in-line treatment. Furthermore, it is more effective if heating using an IR heater is also used. Moreover, if it heats through hydrogen gas, there will also be a reduction effect and it will be more effective.
(6) Reduction treatment O (oxygen) can be reduced by post-treatment using a reducing agent under the following conditions.
-For example, formic acid treatment is performed using formic acid (0.1 to 100 g / L) as a reducing agent.

<極薄銅層>
中間層の上には極薄銅層を設ける。中間層と極薄銅層との間には他の層を設けてもよい。極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気めっきにより形成することができ、高電流密度での銅層形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば12μm以下である。典型的には0.5〜12μmであり、より典型的には1〜5μmであり、更により典型的には1.5〜5μmであり、更により典型的には2〜5μmである。なお、極薄銅層はキャリアの両面に設けてもよい。
<Ultrathin copper layer>
An ultrathin copper layer is provided on the intermediate layer. Another layer may be provided between the intermediate layer and the ultrathin copper layer. The ultra-thin copper layer can be formed by electroplating using an electrolytic bath such as copper sulfate, copper pyrophosphate, copper sulfamate, copper cyanide, etc., and the copper layer can be formed at a high current density. A copper sulfate bath is preferred. The thickness of the ultrathin copper layer is not particularly limited, but is generally thinner than the carrier, for example, 12 μm or less. It is typically 0.5-12 μm, more typically 1-5 μm, even more typically 1.5-5 μm, and even more typically 2-5 μm. The ultra thin copper layer may be provided on both sides of the carrier.

<粗化処理及びその他の表面処理>
極薄銅層の表面またはキャリアの表面のいずれか一方または両方には、例えば絶縁基板との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良い。粗化処理層は、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金からなる層などであってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。その後に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層および/または防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。または粗化処理を行わずに、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層および/又は防錆層を形成し、さらにその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。すなわち、粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよく、極薄銅層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層で形成されてもよい(例えば2層以上、3層以上など)。
ここでクロメート処理層とは無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩または二クロム酸塩を含む液で処理された層のことをいう。クロメート処理層はコバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタン等の元素(金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物等どのような形態でもよい)を含んでもよい。クロメート処理層の具体例としては、無水クロム酸または二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層や、無水クロム酸または二クロム酸カリウムおよび亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層等が挙げられる。
<Roughening treatment and other surface treatment>
Either or both of the surface of the ultra-thin copper layer and the surface of the carrier may be provided with a roughening treatment layer by applying a roughening treatment to improve adhesion to the insulating substrate, for example. Good. The roughening treatment can be performed, for example, by forming roughened particles with copper or a copper alloy. The roughening process may be fine. The roughening treatment layer is a layer made of any single element selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium and zinc, or an alloy containing one or more of them. Also good. Moreover, after forming the roughened particles with copper or a copper alloy, a roughening treatment can be performed in which secondary particles or tertiary particles are further formed of nickel, cobalt, copper, zinc alone or an alloy. Thereafter, a heat-resistant layer and / or a rust-preventing layer may be formed of nickel, cobalt, copper, zinc alone or an alloy, and the surface thereof may be subjected to a treatment such as chromate treatment or silane coupling treatment. . Alternatively, a heat-resistant layer and / or rust-preventing layer is formed with nickel, cobalt, copper, zinc alone or an alloy without roughening, and the surface is further treated with chromate treatment, silane coupling treatment, etc. May be. That is, one or more layers selected from the group consisting of a heat-resistant layer, a rust-preventing layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer may be formed on the surface of the roughening treatment layer. One or more layers selected from the group consisting of a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer may be formed on the surface. In addition, the above-mentioned heat-resistant layer, rust prevention layer, chromate treatment layer, and silane coupling treatment layer may each be formed of a plurality of layers (for example, 2 layers or more, 3 layers or more, etc.).
Here, the chromate-treated layer refers to a layer treated with a liquid containing chromic anhydride, chromic acid, dichromic acid, chromate or dichromate. Chromate treatment layer is any element such as cobalt, iron, nickel, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic and titanium (metal, alloy, oxide, nitride, sulfide, etc.) May be included). Specific examples of the chromate treatment layer include a chromate treatment layer treated with chromic anhydride or a potassium dichromate aqueous solution, a chromate treatment layer treated with a treatment solution containing anhydrous chromic acid or potassium dichromate and zinc, and the like. .

耐熱層、防錆層としては公知の耐熱層、防錆層を用いることが出来る。例えば、耐熱層および/または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素を含む層であってもよく、ニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素からなる金属層または合金層であってもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素を含む酸化物、窒化物、珪化物を含んでもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル−亜鉛合金を含む層であってもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル−亜鉛合金層であってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層は、不可避不純物を除き、ニッケルを50wt%〜99wt%、亜鉛を50wt%〜1wt%含有するものであってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層の亜鉛及びニッケルの合計付着量が5〜1000mg/m2、好ましくは10〜500mg/m2、好ましくは20〜100mg/m2であってもよい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量と亜鉛の付着量との比(=ニッケルの付着量/亜鉛の付着量)が1.5〜10であることが好ましい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量は0.5mg/m2〜500mg/m2であることが好ましく、1mg/m2〜50mg/m2であることがより好ましい。耐熱層および/または防錆層がニッケル−亜鉛合金を含む層である場合、銅箔と樹脂基板との密着性が向上する。 As the heat-resistant layer and the rust-proof layer, known heat-resistant layers and rust-proof layers can be used. For example, the heat-resistant layer and / or the anticorrosive layer is a group of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, iron, tantalum A layer containing one or more elements selected from nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements Further, it may be a metal layer or an alloy layer made of one or more elements selected from the group consisting of iron, tantalum and the like. The heat-resistant layer and / or rust preventive layer is a group of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, iron, and tantalum. An oxide, nitride, or silicide containing one or more elements selected from the above may be included. Further, the heat-resistant layer and / or the rust preventive layer may be a layer containing a nickel-zinc alloy. Further, the heat-resistant layer and / or the rust preventive layer may be a nickel-zinc alloy layer. The nickel-zinc alloy layer may contain 50 wt% to 99 wt% nickel and 50 wt% to 1 wt% zinc, excluding inevitable impurities. The total adhesion amount of zinc and nickel in the nickel-zinc alloy layer may be 5 to 1000 mg / m 2 , preferably 10 to 500 mg / m 2 , preferably 20 to 100 mg / m 2 . Further, the ratio of the nickel adhesion amount and the zinc adhesion amount of the layer containing the nickel-zinc alloy or the nickel-zinc alloy layer (= nickel adhesion amount / zinc adhesion amount) is 1.5 to 10. It is preferable. Further, the nickel - in adhesion amount of nickel in the zinc alloy layer is preferably from 0.5mg / m 2 ~500mg / m 2 , 1mg / m 2 ~50mg / m 2 - zinc alloy layer or the nickel containing More preferably. When the heat resistant layer and / or the rust preventive layer is a layer containing a nickel-zinc alloy, the adhesion between the copper foil and the resin substrate is improved.

例えば耐熱層および/または防錆層は、付着量が1mg/m2〜100mg/m2、好ましくは5mg/m2〜50mg/m2のニッケルまたはニッケル合金層と、付着量が1mg/m2〜80mg/m2、好ましくは5mg/m2〜40mg/m2のスズ層とを順次積層したものであってもよく、前記ニッケル合金層はニッケル−モリブデン、ニッケル−亜鉛、ニッケル−モリブデン−コバルトのいずれか一種により構成されてもよい。また、耐熱層および/または防錆層は、ニッケルまたはニッケル合金とスズとの合計付着量が2mg/m2〜150mg/m2であることが好ましく、10mg/m2〜70mg/m2であることがより好ましい。また、耐熱層および/または防錆層は、[ニッケルまたはニッケル合金中のニッケル付着量]/[スズ付着量]=0.25〜10であることが好ましく、0.33〜3であることがより好ましい。当該耐熱層および/または防錆層を用いるとキャリア付銅箔をプリント配線板に加工して以降の回路の引き剥がし強さ、当該引き剥がし強さの耐薬品性劣化率等が良好になる。 For example heat-resistant layer and / or anticorrosive layer has coating weight of 1 mg / m 2 -100 mg / m 2, preferably from 5 mg / m 2 and to 50 mg / m 2 of nickel or nickel alloy layer, the adhesion amount is 1 mg / m 2 to 80 mg / m 2, preferably it may be obtained by sequentially laminating a tin layer of 5mg / m 2 ~40mg / m 2 , wherein the nickel alloy layer of nickel - molybdenum, nickel - zinc, nickel - molybdenum - cobalt You may be comprised by any one of these. The heat-resistant layer and / or anticorrosive layer, it is preferably, 10mg / m 2 ~70mg / m 2 total deposition amount of nickel or nickel alloy and tin is 2mg / m 2 ~150mg / m 2 It is more preferable. Further, the heat-resistant layer and / or the rust preventive layer is preferably [nickel or nickel adhesion amount in nickel or nickel alloy] / [tin adhesion amount] = 0.25 to 10, preferably 0.33 to 3. More preferred. When the heat-resistant layer and / or rust-preventing layer is used, the carrier-clad copper foil is processed into a printed wiring board, and the subsequent circuit peeling strength, the chemical resistance deterioration rate of the peeling strength, and the like are improved.

なお、シランカップリング処理層を設けるために用いられるシランカップリング剤には公知のシランカップリング剤を用いてよく、例えばアミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤、メルカプト系シランカップリング剤を用いてよい。また、シランカップリング剤にはビニルトリメトキシシラン、ビニルフェニルトリメトキシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、4−グリシジルブチルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−3−(4−(3−アミノプロポキシ)プトキシ)プロピル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、イミダゾールシラン、トリアジンシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等を用いてもよい。   In addition, you may use a well-known silane coupling agent for the silane coupling agent used in order to provide a silane coupling process layer, for example, an amino-type silane coupling agent or an epoxy-type silane coupling agent, a mercapto-type silane coupling An agent may be used. Silane coupling agents include vinyltrimethoxysilane, vinylphenyltrimethoxylane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 4-glycidylbutyltrimethoxysilane, and γ-aminopropyl. Triethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (4- (3-aminopropoxy) ptoxy) propyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, imidazolesilane, triazinesilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane or the like may be used.

前記シランカップリング処理層は、エポキシ系シラン、アミノ系シラン、メタクリロキシ系シラン、メルカプト系シランなどのシランカップリング剤などを使用して形成してもよい。なお、このようなシランカップリング剤は、2種以上混合して使用してもよい。中でも、アミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤を用いて形成したものであることが好ましい。   The silane coupling treatment layer may be formed using a silane coupling agent such as an epoxy silane, an amino silane, a methacryloxy silane, or a mercapto silane. In addition, you may use 2 or more types of such silane coupling agents in mixture. Especially, it is preferable to form using an amino-type silane coupling agent or an epoxy-type silane coupling agent.

ここで言うアミノ系シランカップリング剤とは、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−(N−スチリルメチル−2−アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス(2−ヒドロキシエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、N−メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、N−(3−アクリルオキシ−2−ヒドロキシプロピル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、4−アミノブチルトリエトキシシラン、(アミノエチルアミノメチル)フェネチルトリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル−3−アミノプロピル)トリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル−3−アミノプロピル)トリス(2−エチルヘキソキシ)シラン、6−(アミノヘキシルアミノプロピル)トリメトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、3−(1−アミノプロポキシ)−3,3−ジメチル−1−プロペニルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリス(メトキシエトキシエトキシ)シラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、ω−アミノウンデシルトリメトキシシラン、3−(2−N−ベンジルアミノエチルアミノプロピル)トリメトキシシラン、ビス(2−ヒドロキシエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、(N,N−ジエチル−3−アミノプロピル)トリメトキシシラン、(N,N−ジメチル−3−アミノプロピル)トリメトキシシラン、N−メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、3−(N−スチリルメチル−2−アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−3−(4−(3−アミノプロポキシ)プトキシ)プロピル−3−アミノプロピルトリメトキシシランからなる群から選択されるものであってもよい。   The amino silane coupling agent referred to here is N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane, 3- Aminopropyltriethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, aminopropyltrimethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, N- (3 -Acryloxy-2-hydroxypropyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, 4-aminobutyltriethoxysilane, (aminoethylaminomethyl) phenethyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl-3-aminopropyl) Trimethoxysilane, N (2-aminoethyl-3-aminopropyl) tris (2-ethylhexoxy) silane, 6- (aminohexylaminopropyl) trimethoxysilane, aminophenyltrimethoxysilane, 3- (1-aminopropoxy) -3,3- Dimethyl-1-propenyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltris (methoxyethoxyethoxy) silane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, ω-aminoundecyltrimethoxysilane, 3- (2 -N-benzylaminoethylaminopropyl) trimethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, (N, N-diethyl-3-aminopropyl) trimethoxysilane, (N, N- Dimethyl-3-aminopropyl) Limethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N -Β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (4- (3-aminopropoxy) ptoxy) propyl-3-aminopropyltrimethoxysilane may be selected from the group consisting of Good.

シランカップリング処理層は、ケイ素原子換算で、0.05mg/m2〜200mg/m2、好ましくは0.15mg/m2〜20mg/m2、好ましくは0.3mg/m2〜2.0mg/m2の範囲で設けられていることが望ましい。前述の範囲の場合、基材と表面処理銅箔との密着性をより向上させることが出来る。 The silane coupling treatment layer is 0.05 mg / m 2 to 200 mg / m 2 , preferably 0.15 mg / m 2 to 20 mg / m 2 , preferably 0.3 mg / m 2 to 2.0 mg in terms of silicon atoms. / M 2 is desirable. In the case of the above-mentioned range, the adhesiveness between the substrate and the surface-treated copper foil can be further improved.

また、極薄銅層、粗化処理層、耐熱層、防錆層、シランカップリング処理層またはクロメート処理層の表面に、国際公開番号WO2008/053878、特開2008−111169号、特許第5024930号、国際公開番号WO2006/028207、特許第4828427号、国際公開番号WO2006/134868、特許第5046927号、国際公開番号WO2007/105635、特許第5180815号、特開2013−19056号に記載の表面処理を行うことができる。   In addition, on the surface of an ultrathin copper layer, a roughening treatment layer, a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a silane coupling treatment layer, or a chromate treatment layer, International Publication No. , International Publication No. WO2006 / 028207, Patent No. 4828427, International Publication No. WO2006 / 134868, Patent No. 5046927, International Publication No. WO2007 / 105635, Patent No. 5180815, JP2013-19056A. be able to.

また、本発明のキャリア付銅箔は前記極薄銅層上、あるいは前記粗化処理層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいはクロメート処理層、あるいはシランカップリング処理層の上に樹脂層を備えても良い。前記樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。   The copper foil with a carrier of the present invention is a resin layer on the ultrathin copper layer, on the roughened layer, on the heat-resistant layer, rust-proof layer, chromate-treated layer, or silane coupling-treated layer. May be provided. The resin layer may be an insulating resin layer.

前記樹脂層は接着剤であってもよく、接着用樹脂であってもよく、接着用の半硬化状態(Bステージ状態)の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態(Bステージ状態)とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。   The resin layer may be an adhesive, an adhesive resin, or an insulating resin layer in a semi-cured state (B stage state) for adhesion. The semi-cured state (B stage state) is a state in which there is no sticky feeling even if the surface is touched with a finger, the insulating resin layer can be stacked and stored, and a curing reaction occurs when subjected to heat treatment. Including that.

また前記樹脂層は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記樹脂層は熱可塑性樹脂を含んでもよい。前記樹脂層は公知の樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでよい。また、前記樹脂層は例えば国際公開番号WO2008/004399号、国際公開番号WO2008/053878、国際公開番号WO2009/084533、特開平11−5828号、特開平11−140281号、特許第3184485号、国際公開番号WO97/02728、特許第3676375号、特開2000−43188号、特許第3612594号、特開2002−179772号、特開2002−359444号、特開2003−304068号、特許第3992225、特開2003−249739号、特許第4136509号、特開2004−82687号、特許第4025177号、特開2004−349654号、特許第4286060号、特開2005−262506号、特許第4570070号、特開2005−53218号、特許第3949676号、特許第4178415号、国際公開番号WO2004/005588、特開2006−257153号、特開2007−326923号、特開2008−111169号、特許第5024930号、国際公開番号WO2006/028207、特許第4828427号、特開2009−67029号、国際公開番号WO2006/134868、特許第5046927号、特開2009−173017号、国際公開番号WO2007/105635、特許第5180815号、国際公開番号WO2008/114858、国際公開番号WO2009/008471、特開2011−14727号、国際公開番号WO2009/001850、国際公開番号WO2009/145179、国際公開番号WO2011/068157、特開2013−19056号に記載されている物質(樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等)および/または樹脂層の形成方法、形成装置を用いて形成してもよい。   The resin layer may contain a thermosetting resin or may be a thermoplastic resin. The resin layer may include a thermoplastic resin. The resin layer may contain a known resin, resin curing agent, compound, curing accelerator, dielectric, reaction catalyst, crosslinking agent, polymer, prepreg, skeleton material, and the like. The resin layer may be, for example, International Publication No. WO2008 / 004399, International Publication No. WO2008 / 053878, International Publication No. WO2009 / 084533, JP-A-11-5828, JP-A-11-140281, Patent 3184485, International Publication. No. WO 97/02728, Japanese Patent No. 3676375, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-43188, Japanese Patent No. 3612594, Japanese Patent Laid-Open No. 2002-179722, Japanese Patent Laid-Open No. 2002-359444, Japanese Patent Laid-Open No. 2003-302068, Japanese Patent No. 3992225, Japanese Patent Laid-Open No. 2003 -249739, Japanese Patent No. 4136509, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-82687, Japanese Patent No. 40251177, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-349654, Japanese Patent No. 4286060, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-262506, Japanese Patent No. 4570070, Japanese Patent Application Laid-Open No. No. 5-53218, Japanese Patent No. 3949676, Japanese Patent No. 4178415, International Publication No. WO2004 / 005588, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-257153, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-326923, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-11169, and Japanese Patent No. 5024930. No. WO 2006/028207, Japanese Patent No. 4828427, JP 2009-67029, International Publication No. WO 2006/134868, Japanese Patent No. 5046927, JP 2009-173017, International Publication No. WO 2007/105635, Patent No. 5180815, International Publication Number WO2008 / 114858, International Publication Number WO2009 / 008471, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-14727, International Publication Number WO2009 / 001850, International Publication Number WO2009 / 145179, International Publication Number Nos. WO2011 / 068157, JP-A-2013-19056 (resins, resin curing agents, compounds, curing accelerators, dielectrics, reaction catalysts, crosslinking agents, polymers, prepregs, skeletal materials, etc.) and / or You may form using the formation method and formation apparatus of a resin layer.

また、前記樹脂層は、その種類は格別限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、多官能性シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、マレイミド系樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルスルホン樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ゴム変成エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、カルボキシル基変性アクリロニトリル-ブタジエン樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ビスマレイミドトリアジン樹脂、熱硬化性ポリフェニレンオキサイド樹脂、シアネートエステル系樹脂、多価カルボン酸の無水物などを含む樹脂を好適なものとしてあげることができる。また、前記樹脂層がブロック共重合ポリイミド樹脂層を含有する樹脂層またはブロック共重合ポリイミド樹脂とポリマレイミド化合物を含有する樹脂層であってもよい。また前記エポキシ樹脂は、分子内に2個以上のエポキシ基を有するものであって、電気・電子材料用途に用いることのできるものであれば、特に問題なく使用できる。また、前記エポキシ樹脂は分子内に2個以上のグリシジル基を有する化合物を用いてエポキシ化したエポキシ樹脂が好ましい。また、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ブロム化エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、N,N-ジグリシジルアニリン等のグリシジルアミン化合物、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等のグリシジルエステル化合物、リン含有エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、の群から選ばれる1種又は2種以上を混合して用いることができ、又は前記エポキシ樹脂の水素添加体やハロゲン化体を用いることができる。   The type of the resin layer is not particularly limited. For example, epoxy resin, polyimide resin, polyfunctional cyanate ester compound, maleimide compound, maleimide resin, polyvinyl acetal resin, urethane resin, Ether sulfone, polyethersulfone resin, aromatic polyamide resin, polyamideimide resin, rubber modified epoxy resin, phenoxy resin, carboxyl group-modified acrylonitrile-butadiene resin, polyphenylene oxide, bismaleimide triazine resin, thermosetting polyphenylene oxide resin, cyanate Resins containing ester resins, polycarboxylic acid anhydrides and the like can be mentioned as suitable ones. The resin layer may be a resin layer containing a block copolymerized polyimide resin layer or a resin layer containing a block copolymerized polyimide resin and a polymaleimide compound. The epoxy resin has two or more epoxy groups in the molecule and can be used without any problem as long as it can be used for electric / electronic materials. The epoxy resin is preferably an epoxy resin epoxidized using a compound having two or more glycidyl groups in the molecule. Bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AD type epoxy resin, novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, brominated epoxy resin, glycidylamine Type epoxy resin, triglycidyl isocyanurate, glycidyl amine compound such as N, N-diglycidyl aniline, glycidyl ester compound such as tetrahydrophthalic acid diglycidyl ester, phosphorus-containing epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, biphenyl novolac type epoxy resin, One or two or more selected from the group of trishydroxyphenylmethane type epoxy resin and tetraphenylethane type epoxy resin can be used, or the epoxy Resin hydrogenated products and halogenated products can be used.

前記多価カルボン酸の無水物はエポキシ樹脂の硬化剤として寄与する成分であることが好ましい。また、前記多価カルボン酸の無水物は、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、テトラヒドロキシ無水フタル酸、ヘキサヒドロキシ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロキシ無水フタル酸、ナジン酸、メチルナジン酸であることが好ましい。   The polyhydric carboxylic acid anhydride is preferably a component that contributes as a curing agent for the epoxy resin. The anhydride of the polyvalent carboxylic acid is phthalic anhydride, maleic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, tetrahydroxyphthalic anhydride, hexahydroxyphthalic anhydride, methylhexahydroxyphthalic anhydride, nadine. Acid and methyl nadic acid are preferred.

また、前記樹脂層を形成するための樹脂組成物は多価カルボン酸の無水物、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂を含有してもよい。前記酸無水物は、フェノキシ樹脂に含有される水酸基1molに対して0.01mol〜0.5mol含有するものであることが好ましい。前記フェノキシ樹脂は、ビスフェノールと2価のエポキシ樹脂との反応により合成されるものを用いることができる。前記フェノキシ樹脂の含有量は、前記樹脂組成物の全量を100重量部としたときに3重量部〜30重量部含有するものであってもよい。前記エポキシ樹脂は、分子内に2個以上のグリシジル基を有する化合物を用いてエポキシ化したエポキシ樹脂であってもよい。なお、前記樹脂組成物は、多価カルボン酸の無水物とフェノキシ樹脂とを反応させ、フェノキシ樹脂の水酸基に対して多価カルボン酸を開環付加した後に、エポキシ樹脂を添加して得ることができる。   The resin composition for forming the resin layer may contain an anhydride of polyvalent carboxylic acid, a phenoxy resin, and an epoxy resin. The acid anhydride is preferably contained in an amount of 0.01 mol to 0.5 mol with respect to 1 mol of a hydroxyl group contained in the phenoxy resin. As the phenoxy resin, one synthesized by a reaction between bisphenol and a divalent epoxy resin can be used. The content of the phenoxy resin may be 3 to 30 parts by weight when the total amount of the resin composition is 100 parts by weight. The epoxy resin may be an epoxy resin epoxidized with a compound having two or more glycidyl groups in the molecule. The resin composition can be obtained by reacting a polycarboxylic acid anhydride with a phenoxy resin, ring-opening addition of the polyvalent carboxylic acid to the hydroxyl group of the phenoxy resin, and then adding an epoxy resin. it can.

前記ビスフェノールとしてビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、テトラブロモビスフェノールA、4,4’−ジヒドロキシビフェニル、HCA(9,10−Dihydro−9−Oxa−10−Phosphaphenanthrene−10−Oxide)とハイドロキノン、ナフトキノン等のキノン類との付加物として得られるビスフェノール等を使用することができる。   As the bisphenol, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, tetrabromobisphenol A, 4,4′-dihydroxybiphenyl, HCA (9,10-Dihydro-9-Oxa-10-Phosphophenanthrene-10-Oxide), hydroquinone, naphthoquinone, etc. Bisphenol obtained as an adduct with quinones can be used.

また、前記熱可塑性樹脂はエポキシ樹脂と重合可能なアルコール性水酸基以外の官能基を有する熱可塑性樹脂であってもよい。
前記樹脂層の組成は樹脂成分総量に対してエポキシ樹脂50〜90重量%、ポリビニルアセタール樹脂5〜20重量%、ウレタン樹脂0.1〜20重量%を含有し、該エポキシ樹脂の0.5〜40重量%がゴム変成エポキシ樹脂であってもよい。
また、前記ポリビニルアセタール樹脂は酸基および水酸基以外のエポキシ樹脂またはマレイミド化合物と重合可能な官能基を有してもよい。前記樹脂層に用いられる樹脂組成物の総量100重量部に対し、エポキシ樹脂配合物40〜80重量部、マレイミド化合物10〜50重量部、水酸基および水酸基以外のエポキシ樹脂またはマレイミド化合物と重合可能な官能基を有するポリビニルアセタール樹脂5〜30重量部からであってもよい。また、前記ポリビニルアセタール樹脂が分子内にカルボキシル基、アミノ基または不飽和二重結合を導入したものであってもよい。
The thermoplastic resin may be a thermoplastic resin having a functional group other than an alcoholic hydroxyl group polymerizable with an epoxy resin.
The composition of the resin layer contains 50 to 90% by weight of an epoxy resin, 5 to 20% by weight of a polyvinyl acetal resin, and 0.1 to 20% by weight of a urethane resin with respect to the total amount of the resin components. 40% by weight may be a rubber-modified epoxy resin.
The polyvinyl acetal resin may have a functional group polymerizable with an epoxy resin or a maleimide compound other than an acid group and a hydroxyl group. Functionality polymerizable with 40-80 parts by weight of epoxy resin composition, 10-50 parts by weight of maleimide compound, epoxy resin other than hydroxyl group and hydroxyl group or maleimide compound with respect to 100 parts by weight of the total resin composition used in the resin layer It may be from 5 to 30 parts by weight of a polyvinyl acetal resin having a group. Further, the polyvinyl acetal resin may have a carboxyl group, an amino group or an unsaturated double bond introduced into the molecule.

また、前記樹脂層は、20〜80重量部のエポキシ樹脂(硬化剤を含む)、20〜80重量部の溶剤に可溶な芳香族ポリアミド樹脂ポリマー、及び、必要に応じて適宜量添加する硬化促進剤からなる樹脂組成物を用いて形成したものであってもよい。また、前記樹脂層は、5〜80重量部のエポキシ樹脂(硬化剤を含む)、20〜95重量部の溶剤に可溶な芳香族ポリアミド樹脂ポリマー、及び、必要に応じて適宜量添加する硬化促進剤からなる樹脂組成物を用いて形成したものであってもよい。前記樹脂層の形成に用いる樹脂組成物の構成に用いる芳香族ポリアミド樹脂ポリマーは、芳香族ポリアミドとゴム性樹脂とを反応させることで得られるものであってもよい。前記樹脂層は、誘電体フィラーを含有したものであってもよい。前記樹脂層は、骨格材を含有したものであってもよい。   The resin layer is 20 to 80 parts by weight of an epoxy resin (including a curing agent), 20 to 80 parts by weight of an aromatic polyamide resin polymer soluble in a solvent, and a curing that is added in an appropriate amount as necessary. It may be formed using a resin composition made of an accelerator. In addition, the resin layer is 5 to 80 parts by weight of an epoxy resin (including a curing agent), 20 to 95 parts by weight of an aromatic polyamide resin polymer soluble in a solvent, and curing that is added in an appropriate amount as necessary. It may be formed using a resin composition made of an accelerator. The aromatic polyamide resin polymer used for the composition of the resin composition used for forming the resin layer may be obtained by reacting an aromatic polyamide with a rubber resin. The resin layer may contain a dielectric filler. The resin layer may contain a skeleton material.

ここで、前記芳香族ポリアミド樹脂ポリマーとしては、芳香族ポリアミド樹脂とゴム性樹脂とを反応させて得られるものが挙げられる。ここで、芳香族ポリアミド樹脂とは、芳香族ジアミンとジカルボン酸との縮重合により合成されるものである。このときの芳香族ジアミンには、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、m−キシレンジアミン、3,3’−オキシジアニリン等を用いる。そして、ジカルボン酸には、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、フマル酸等を用いる。   Here, examples of the aromatic polyamide resin polymer include those obtained by reacting an aromatic polyamide resin and a rubber resin. Here, the aromatic polyamide resin is synthesized by condensation polymerization of an aromatic diamine and a dicarboxylic acid. In this case, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, m-xylenediamine, 3,3'-oxydianiline, or the like is used as the aromatic diamine. As the dicarboxylic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, fumaric acid or the like is used.

そして、前記芳香族ポリアミド樹脂と反応させる前記ゴム性樹脂とは、天然ゴム及び合成ゴムを含む概念として記載しており、後者の合成ゴムにはスチレン−ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、ブチルゴム、エチレン−プロピレンゴム等がある。更に、形成する誘電体層の耐熱性を確保する際には、ニトリルゴム、クロロプレンゴム、シリコンゴム、ウレタンゴム等の耐熱性を備えた合成ゴムを選択使用することも有用である。これらのゴム性樹脂に関しては、芳香族ポリアミド樹脂と反応して共重合体を製造するようになるため、両末端に種々の官能基を備えるものであることが望ましい。特に、CTBN(カルボキシ基末端ブタジエンニトリル)を用いることが有用である。   The rubbery resin to be reacted with the aromatic polyamide resin is described as a concept including natural rubber and synthetic rubber, and the latter synthetic rubber includes styrene-butadiene rubber, butadiene rubber, butyl rubber, ethylene-propylene. There is rubber. Furthermore, when ensuring the heat resistance of the dielectric layer to be formed, it is also useful to select and use a synthetic rubber having heat resistance such as nitrile rubber, chloroprene rubber, silicon rubber, urethane rubber or the like. Since these rubber resins react with an aromatic polyamide resin to produce a copolymer, it is desirable to have various functional groups at both ends. In particular, it is useful to use CTBN (carboxy group-terminated butadiene nitrile).

芳香族ポリアミド樹脂ポリマーを構成することとなる芳香族ポリアミド樹脂とゴム性樹脂とは、芳香族ポリアミド樹脂が25wt%〜75wt%、残部ゴム性樹脂という配合で用いることが好ましい。芳香族ポリアミド樹脂が25wt%未満の場合には、ゴム成分の存在比率が大きくなりすぎ耐熱性に劣るものとなり、一方、75wt%を越えると芳香族ポリアミド樹脂の存在比率が大きくなりすぎて、硬化後の硬度が高くなりすぎ、脆くなるのである。この芳香族ポリアミド樹脂ポリマーは、銅張積層板に加工した後の銅箔をエッチング加工する際に、エッチング液によりアンダーエッチングによる損傷を受けないことを目的に用いたものである。   The aromatic polyamide resin and rubber resin that constitute the aromatic polyamide resin polymer are preferably used in a blend of 25 wt% to 75 wt% of the aromatic polyamide resin and the remaining rubber resin. When the aromatic polyamide resin is less than 25 wt%, the abundance ratio of the rubber component is too high and the heat resistance is inferior. Later hardness becomes too high and becomes brittle. This aromatic polyamide resin polymer is used for the purpose of not being damaged by under-etching by an etchant when etching a copper foil after being processed into a copper-clad laminate.

この芳香族ポリアミド樹脂ポリマーには、まず溶剤に可溶であるという性質が求められる。この芳香族ポリアミド樹脂ポリマーは、20重量部〜80重量部の配合割合で用いる。芳香族ポリアミド樹脂ポリマーが20重量部未満の場合には、銅張積層板の製造を行う一般的プレス条件で硬化しすぎて脆くなり、基板表面にマイクロクラックを生じやすくなるのである。一方、80重量部を越えて芳香族ポリアミド樹脂ポリマーを添加しても特に支障はないが、80重量部を越えて芳香族ポリアミド樹脂ポリマーを添加してもそれ以上に硬化後の強度は向上しないのである。従って、経済性を考慮すれば、80重量部が上限値であると言えるのである。   The aromatic polyamide resin polymer is required to have a property of being soluble in a solvent. This aromatic polyamide resin polymer is used in a blending ratio of 20 to 80 parts by weight. When the amount of the aromatic polyamide resin polymer is less than 20 parts by weight, it becomes too brittle under general press conditions for producing a copper clad laminate, and becomes microcracked easily on the substrate surface. On the other hand, there is no particular problem even if the aromatic polyamide resin polymer is added in an amount exceeding 80 parts by weight, but the strength after curing is not further improved even if the aromatic polyamide resin polymer is added in an amount exceeding 80 parts by weight. It is. Therefore, if economics are considered, it can be said that 80 weight part is an upper limit.

「必要に応じて適宜量添加する硬化促進剤」とは、3級アミン、イミダゾール、尿素系硬化促進剤等である。本件発明では、この硬化促進剤の配合割合は、特に限定を設けていない。なぜなら、硬化促進剤は、銅張積層板製造の工程での生産条件性等を考慮して、製造者が任意に選択的に添加量を定めて良いものであるからである。   “A curing accelerator to be added in an appropriate amount as needed” includes tertiary amines, imidazoles, urea-based curing accelerators, and the like. In the present invention, the mixing ratio of the curing accelerator is not particularly limited. This is because the curing accelerator may be arbitrarily selected by the manufacturer in consideration of production conditions in the process of producing the copper-clad laminate.

前記樹脂層を形成するための樹脂組成物はビスフェノールA型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂の3種のエポキシ樹脂を溶剤に溶解させ、そこに硬化剤、微粉砕シリカ、三酸化アンチモン等の反応触媒を添加した樹脂組成物であってもよい。このときの硬化剤に関しては前記と同様である。この樹脂組成も、良好な銅箔と基材樹脂との密着性を示すのである。
前記樹脂層を形成するための樹脂組成物はポリフェニレンエーテル樹脂、2,2−ビス(4−シアナトフェニル)プロパン、リン含有フェノール化合物、ナフテン酸マンガン、2,2−ビス(4−グリシジルフェニル)プロパンを溶剤に溶解させたポリフェニレンエーテル−シアネート系の樹脂組成物であってもよい。この樹脂組成も、良好な銅箔と基材樹脂との密着性を示すのである。
前記樹脂層を形成するための樹脂組成物はシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を溶剤で溶解させたシロキサン変性ポリアミドイミド系の樹脂組成物であってもよい。この樹脂組成も、良好な銅箔と基材樹脂との密着性を示すのである。
The resin composition for forming the resin layer is prepared by dissolving three types of epoxy resins, a bisphenol A type epoxy resin, a cresol novolac type epoxy resin, and a brominated bisphenol A type epoxy resin, in a solvent, and a curing agent and finely pulverizing them. It may be a resin composition to which a reaction catalyst such as silica or antimony trioxide is added. The curing agent at this time is the same as described above. This resin composition also shows good adhesion between the copper foil and the base resin.
The resin composition for forming the resin layer is polyphenylene ether resin, 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane, phosphorus-containing phenol compound, manganese naphthenate, 2,2-bis (4-glycidylphenyl) It may be a polyphenylene ether-cyanate resin composition in which propane is dissolved in a solvent. This resin composition also shows good adhesion between the copper foil and the base resin.
The resin composition for forming the resin layer may be a siloxane-modified polyamideimide resin composition or a siloxane-modified polyamideimide resin composition in which a cresol novolac type epoxy resin is dissolved in a solvent. This resin composition also shows good adhesion between the copper foil and the base resin.

(誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層の場合)
上記いずれかの樹脂層または樹脂組成物に誘電体(誘電体フィラー)を含ませる場合には、キャパシタ層を形成する用途に用い、キャパシタ回路の電気容量を増大させることができるのである。この誘電体(誘電体フィラー)には、BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr−Ti)O3(通称PZT)、PbLaTiO3・PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi2Ta2O9(通称SBT)等のペブロスカイト構造を持つ複合酸化物の誘電体粉を用いる。
(In the case of a resin layer containing a dielectric (dielectric filler))
In the case where a dielectric (dielectric filler) is included in any of the above resin layers or resin compositions, it can be used for the purpose of forming the capacitor layer and increase the capacitance of the capacitor circuit. The dielectric (dielectric filler) includes a composite oxide having a perovskite structure such as BaTiO3, SrTiO3, Pb (Zr-Ti) O3 (common name PZT), PbLaTiO3 / PbLaZrO (common name PLZT), SrBi2Ta2O9 (common name SBT). Dielectric powder is used.

誘電体(誘電体フィラー)は粉状であってもよい。誘電体(誘電体フィラー)が粉状である場合、この誘電体(誘電体フィラー)の粉体特性は、まず粒径が0.01μm〜3.0μm、好ましくは0.02μm〜2.0μmの範囲のものである必要がある。ここで言う粒径は、粉粒同士がある一定の2次凝集状態を形成しているため、レーザー回折散乱式粒度分布測定法やBET法等の測定値から平均粒径を推測するような間接測定では精度が劣るものとなるため用いることができず、誘電体(誘電体フィラー)を走査型電子顕微鏡(SEM)で直接観察し、そのSEM像を画像解析し得られる平均粒径を言うものである。本件明細書ではこの時の粒径をDIAと表示している。なお、本件明細書における走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察される誘電体(誘電体フィラー)の粉体の画像解析は、旭エンジニアリング株式会社製のIP−1000PCを用いて、円度しきい値10、重なり度20として円形粒子解析を行い、平均粒径DIAを求めたものである。   The dielectric (dielectric filler) may be powdery. When the dielectric (dielectric filler) is powdery, the powder characteristics of the dielectric (dielectric filler) are as follows. First, the particle size is 0.01 μm to 3.0 μm, preferably 0.02 μm to 2.0 μm. Must be in range. The particle size referred to here is indirect in which the average particle size is estimated from the measured values of the laser diffraction scattering type particle size distribution measurement method and the BET method because the particles form a certain secondary aggregation state. It cannot be used because the accuracy is inferior in measurement, and it refers to the average particle diameter obtained by directly observing a dielectric (dielectric filler) with a scanning electron microscope (SEM) and image analysis of the SEM image. It is. In this specification, the particle size at this time is indicated as DIA. The image analysis of the dielectric (dielectric filler) powder observed using a scanning electron microscope (SEM) in this specification is performed using IP-1000PC manufactured by Asahi Engineering Co., Ltd. Circular particle analysis was performed with a threshold value of 10 and an overlapping degree of 20, and the average particle diameter DIA was obtained.

更に、レーザー回折散乱式粒度分布測定法による体積累積粒径D50が0.2μm〜2.0μmであり、且つ、体積累積粒径D50と画像解析により得られる平均粒径DIAとを用いてD50/DIAで表される凝集度の値が4.5以下である略球形の形状をしたペロブスカイト構造を持つ誘電体粉末であることが求められる。   Furthermore, the volume cumulative particle diameter D50 by the laser diffraction scattering particle size distribution measurement method is 0.2 μm to 2.0 μm, and the volume cumulative particle diameter D50 and the average particle diameter DIA obtained by image analysis are used to obtain D50 / It is required to be a dielectric powder having a substantially spherical perovskite structure with a cohesion value represented by DIA of 4.5 or less.

レーザー回折散乱式粒度分布測定法による体積累積粒径D50とは、レーザー回折散乱式粒度分布測定法を用いて得られる重量累積50%における粒径のことであり、この体積累積粒径D50の値が小さいほど、誘電体(誘電体フィラー)粉の粒径分布の中で微細な粉粒の占める割合が多いことになる。本件発明では、この値が0.2μm〜2.0μmであることが求められる。即ち、体積累積粒径D50の値が0.2μm未満の場合には、どのような製造方法を採用した誘電体(誘電体フィラー)粉であれ、凝集の進行が著しく以下に述べる凝集度を満足するものとはならないのである。一方、体積累積粒径D50の値が2.0μmを越える場合には、本件発明の目的とするところであるプリント配線板の内蔵キャパシタ層形成用の誘電体(誘電体フィラー)としての使用が不可能となるのである。即ち、内蔵キャパシタ層を形成するのに用いる両面銅張積層板の誘電体層は、通常10μm〜25μmの厚さのものであり、ここに誘電体フィラーを均一に分散させるためには2.0μmが上限となるのである。   The volume cumulative particle size D50 by the laser diffraction scattering type particle size distribution measurement method is a particle size at 50% weight cumulative obtained by using the laser diffraction scattering type particle size distribution measurement method, and the value of this volume cumulative particle size D50. The smaller the is, the larger the proportion of fine powder particles in the particle size distribution of the dielectric (dielectric filler) powder. In the present invention, this value is required to be 0.2 μm to 2.0 μm. That is, when the value of the volume cumulative particle diameter D50 is less than 0.2 μm, the progress of aggregation is remarkably satisfied with the degree of aggregation described below regardless of the production method of dielectric (dielectric filler) powder. It is not what you do. On the other hand, when the value of the volume cumulative particle diameter D50 exceeds 2.0 μm, it cannot be used as a dielectric (dielectric filler) for forming a built-in capacitor layer of a printed wiring board, which is an object of the present invention. It becomes. That is, the dielectric layer of the double-sided copper-clad laminate used to form the built-in capacitor layer is usually 10 μm to 25 μm thick, and 2.0 μm to uniformly disperse the dielectric filler therein. Is the upper limit.

本件発明における体積累積粒径D50の測定は、誘電体(誘電体フィラー)粉をメチルエチルケトンに混合分散させ、この溶液をレーザー回折散乱式粒度分布測定装置 Micro Trac HRA 9320−X100型(日機装株式会社製)の循環器に投入して測定を行った。   In the present invention, the volume cumulative particle size D50 is measured by mixing and dispersing dielectric (dielectric filler) powder in methyl ethyl ketone, and using this solution as a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring device, Micro Trac HRA 9320-X100 (manufactured by Nikkiso Co., Ltd.). ) And then measured.

ここで凝集度という概念を用いているが、以下のような理由から採用したものである。即ち、レーザー回折散乱式粒度分布測定法を用いて得られる体積累積粒径D50の値は、真に粉粒の一つ一つの径を直接観察したものではないと考えられる。殆どの誘電体粉を構成する粉粒は、個々の粒子が完全に分離した、いわゆる単分散粉ではなく、複数個の粉粒が凝集して集合した状態になっているからである。レーザー回折散乱式粒度分布測定法は、凝集した粉粒を一個の粒子(凝集粒子)として捉えて、体積累積粒径を算出していると言えるからである。   Here, the concept of cohesion is used, which is adopted for the following reason. That is, the value of the volume cumulative particle size D50 obtained by using the laser diffraction / scattering particle size distribution measurement method is considered not to be a direct observation of each individual particle size. This is because the powder particles constituting most of the dielectric powder are not so-called monodispersed powders in which individual particles are completely separated, but are in a state where a plurality of powder particles are aggregated and aggregated. This is because the laser diffraction / scattering particle size distribution measurement method regards the aggregated particles as one particle (aggregated particle) and calculates the volume cumulative particle size.

これに対して、走査型電子顕微鏡を用いて観察される誘電体粉の観察像を画像処理することにより得られる平均粒径DIAは、SEM観察像から直接得るものであるため、一次粒子が確実に捉えられることになり、反面には粉粒の凝集状態の存在を全く反映させていないことになる。   On the other hand, since the average particle diameter DIA obtained by image processing the observation image of the dielectric powder observed using the scanning electron microscope is obtained directly from the SEM observation image, the primary particles are surely obtained. On the other hand, the presence of the agglomerated state of the particles is not reflected at all.

以上のように考えると、本件発明者等は、レーザー回折散乱式粒度分布測定法の体積累積粒径D50と画像解析により得られる平均粒径DIAとを用いて、D50/DIAで算出される値を凝集度として捉えることとしたのである。即ち、同一ロットの銅粉においてD50とDIAとの値が同一精度で測定できるものと仮定して、上述した理論で考えると、凝集状態のあることを測定値に反映させるD50の値は、DIAの値よりも大きな値になると考えられる。   Considering the above, the present inventors calculated the value calculated by D50 / DIA using the volume cumulative particle diameter D50 of the laser diffraction scattering particle size distribution measurement method and the average particle diameter DIA obtained by image analysis. Is regarded as the degree of cohesion. That is, assuming that the values of D50 and DIA can be measured with the same accuracy in the same lot of copper powder, considering the above-mentioned theory, the value of D50 that reflects the presence of an agglomerated state is DIA. It is considered that the value is larger than the value of.

このとき、D50の値は、誘電体(誘電体フィラー)粉の粉粒の凝集状態が全くなくなるとすれば、限りなくDIAの値に近づいてゆき、凝集度であるD50/DIAの値は、1に近づくことになる。凝集度が1となった段階で、粉粒の凝集状態が全く無くなった単分散粉と言えるのである。但し、現実には、凝集度が1未満の値を示す場合もある。理論的に考え真球の場合には、1未満の値にはならないのであるが、現実には、粉粒が真球ではないために1未満の凝集度の値が得られることになるようである。   At this time, the value of D50 approaches the value of DIA as much as possible if the state of aggregation of the dielectric (dielectric filler) powder is completely eliminated. The value of D50 / DIA as the degree of aggregation is It approaches 1 It can be said that it is a monodispersed powder in which the agglomeration state of the powder is completely lost when the aggregation degree becomes 1. However, in reality, the degree of aggregation may be less than 1. Theoretically, in the case of a true sphere, it does not become a value less than 1, but in reality, it seems that a cohesion value of less than 1 is obtained because the powder is not a true sphere. is there.

本件発明では、この誘電体(誘電体フィラー)粉の凝集度が4.5以下であることが好ましい。この凝集度が4.5を越えると、誘電体フィラーの粉粒同士の凝集レベルが高くなりすぎて、上述した樹脂組成物との均一混合が困難となるのである。   In this invention, it is preferable that the aggregation degree of this dielectric material (dielectric filler) powder is 4.5 or less. If this degree of aggregation exceeds 4.5, the level of aggregation between the powder particles of the dielectric filler becomes too high, and uniform mixing with the above-described resin composition becomes difficult.

誘電体(誘電体フィラー)粉の製造方法として、アルコキシド法、水熱合成法、オキサレート法等のいずれの製造方法を採用しても、一定の凝集状態が不可避的に形成されるため、上述の凝集度を満足しない誘電体フィラー粉が発生し得るものである。特に、湿式法である水熱合成法の場合には、凝集状態の形成が起こりやすい傾向にある。そこで、この凝集した状態の粉体を、一粒一粒の粉粒に分離する解粒処理を行うことで、誘電体フィラー粉の凝集状態を、上述の凝集度の範囲とすることが可能なのである。   As a method for producing a dielectric (dielectric filler) powder, a fixed aggregation state is inevitably formed even if any production method such as an alkoxide method, a hydrothermal synthesis method, or an oxalate method is employed. Dielectric filler powder that does not satisfy the degree of aggregation can be generated. In particular, in the case of the hydrothermal synthesis method which is a wet method, the formation of an aggregated state tends to occur. Therefore, the aggregated state of the dielectric filler powder can be set within the above-described aggregation degree range by performing a pulverization process for separating the agglomerated powder into one granular particle. is there.

単に解粒作業を行うことを目的とするのであれば、解粒の行える手段として、高エネルギーボールミル、高速導体衝突式気流型粉砕機、衝撃式粉砕機、ゲージミル、媒体攪拌型ミル、高水圧式粉砕装置等種々の物を用いることが可能である。ところが、誘電体(誘電体フィラー)粉と樹脂組成物との混合性及び分散性を確保するためには、以下に述べる誘電体(誘電体フィラー)含有樹脂溶液としての粘度低減を考えるべきである。誘電体(誘電体フィラー)含有樹脂溶液の粘度の低減を図る上では、誘電体(誘電体フィラー)の粉粒の比表面積が小さく、滑らかなものとすることが求められる。従って、解粒は可能であっても、解粒時に粉粒の表面に損傷を与え、その比表面積を増加させるような解粒手法であってはならないのである。   If the purpose is simply pulverization, high energy ball mill, high-speed conductor impingement airflow pulverizer, impact pulverizer, gauge mill, medium agitation mill, high water pressure Various things such as a pulverizer can be used. However, in order to ensure the mixing and dispersibility of the dielectric (dielectric filler) powder and the resin composition, it should be considered to reduce the viscosity as a dielectric (dielectric filler) -containing resin solution described below. . In order to reduce the viscosity of the dielectric (dielectric filler) -containing resin solution, the specific surface area of the dielectric particles (dielectric filler) is required to be small and smooth. Therefore, even if granulation is possible, it should not be a granulation technique that damages the surface of the granule during granulation and increases its specific surface area.

このような認識に基づいて、本件発明者等が鋭意研究した結果、二つの手法が有効であることが見いだされた。この二つの方法に共通することは、誘電体(誘電体フィラー)の粉体の粉粒が装置の内壁部、攪拌羽根、粉砕媒体等の部分と接触することを最小限に抑制し、凝集した粉粒同士の相互衝突を行わせることで、解粒が十分可能な方法という点である。即ち、装置の内壁部、攪拌羽根、粉砕媒体等の部分と接触することは粉粒の表面を傷つけ、表面粗さを増大させ、真球度を劣化させることにつながり、これを防止するのである。そして、十分な粉粒同士の衝突を起こさせることで、凝集状態にある粉粒を解粒し、同時に、粉粒同士の衝突による粉粒表面の平滑化の可能な手法を採用できるのである。   Based on this recognition, the inventors of the present invention diligently researched and found that the two methods are effective. What is common to these two methods is that the powder particles of the dielectric (dielectric filler) are agglomerated while minimizing the contact of the powder with the inner wall of the device, the stirring blade, the grinding media, etc. This is a method capable of sufficiently pulverizing particles by causing the particles to collide with each other. That is, contact with parts such as the inner wall of the apparatus, stirring blades, and grinding media damages the surface of the powder, increases the surface roughness, and deteriorates the sphericity, thereby preventing this. . Then, by causing sufficient collision between the powder particles, it is possible to disaggregate the powder particles in an agglomerated state, and at the same time, it is possible to employ a method capable of smoothing the surface of the powder particles by the collision between the powder particles.

その一つは、凝集状態にある誘電体(誘電体フィラー)粉を、ジェットミルを利用して解粒処理するのである。ここで言う「ジェットミル」とは、エアの高速気流を用いて、この気流中に誘電体(誘電体フィラー)粉を入れ、この高速気流中で粉粒同士を相互に衝突させ、解粒作業を行うのである。   One of them is a pulverization treatment of dielectric (dielectric filler) powder in an agglomerated state using a jet mill. “Jet mill” as used here refers to the use of a high-speed air current to place dielectric (dielectric filler) powder in this air current, and the particles collide with each other in this high-speed air current to break up the particles. Is done.

また、凝集状態にある誘電体(誘電体フィラー)粉を、そのストイキメトリを崩すことのない溶媒中に分散させたスラリーを、遠心力を利用した流体ミルを用いて解粒処理するのである。ここで言う「遠心力を利用した流体ミル」を用いることで、当該スラリーを円周軌道を描くように高速でフローさせ、このときに発生する遠心力により凝集した粉粒同士を溶媒中で相互に衝突させ、解粒作業を行うのである。このようにすることで、解粒作業の終了したスラリーを洗浄、濾過、乾燥することで解粒作業の終了した誘電体(誘電体フィラー)粉が得られることになるのである。以上に述べた方法で、凝集度の調整及び誘電体フィラー粉の粉体表面の平滑化を図ることができるのである。   In addition, a slurry in which a dielectric (dielectric filler) powder in an agglomerated state is dispersed in a solvent that does not destroy the stoichiometry is pulverized using a fluid mill using centrifugal force. By using the “fluid mill using centrifugal force”, the slurry is allowed to flow at a high speed so as to draw a circumferential trajectory. And then pulverize. By doing in this way, the dielectric (dielectric filler) powder which finished the granulation work is obtained by washing, filtering, and drying the slurry after the granulation work. By the method described above, the degree of aggregation can be adjusted and the powder surface of the dielectric filler powder can be smoothed.

以上述べてきた樹脂組成物と誘電体(誘電体フィラー)とを混合して、プリント配線板の内蔵キャパシタ層形成用の誘電体(誘電体フィラー)含有樹脂とするのである。なお、誘電体(誘電体フィラー)と混合するための樹脂組成物に用いる樹脂として、前記樹脂層に用いることができる樹脂を挙げることができる。このときの、樹脂組成物と誘電体(誘電体フィラー)との配合割合は、誘電体(誘電体フィラー)の含有率が75wt%〜85wt%、残部樹脂組成物とすることが望ましい。   The resin composition described above and a dielectric (dielectric filler) are mixed to form a dielectric (dielectric filler) -containing resin for forming a built-in capacitor layer of a printed wiring board. In addition, resin which can be used for the said resin layer can be mentioned as resin used for the resin composition for mixing with a dielectric material (dielectric filler). At this time, the blending ratio of the resin composition and the dielectric (dielectric filler) is preferably such that the content of the dielectric (dielectric filler) is 75 wt% to 85 wt%, and the remaining resin composition.

誘電体(誘電体フィラー)の含有率が75wt%未満の場合には、市場で現在要求されている比誘電率20を満足できず、誘電体(誘電体フィラー)の含有率が85wt%を越えると、樹脂組成物の含有率が15wt%未満となり、誘電体(誘電体フィラー)含有樹脂とそこに張り合わせる銅箔との密着性が損なわれ、プリント配線板製造用としての要求特性を満足する銅張積層板の製造が困難となるのである。
なお、前記誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層は、誘電体(誘電体フィラー)、エポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂および硬化促進剤を含む樹脂組成物を用いて形成されてもよい。
また、前記誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層は、エポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、硬化促進剤を含む樹脂組成物重量を100重量部としたとき、エポキシ樹脂を25重量部〜60重量部含有する樹脂組成物と誘電体(誘電体フィラー)とを用いて形成したものであってもよい。
また、前記誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層は、エポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、硬化促進剤を含む樹脂組成物重量を100重量部としたとき、活性エステル樹脂を28重量部〜60重量部含有する樹脂組成物と誘電体(誘電体フィラー)とを用いて形成したものであってもよい。
また、前記誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層は、エポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、硬化促進剤を含む樹脂組成物重量を100重量部としたとき、エポキシ樹脂と活性エステル樹脂との合計含有量が78重量部〜95重量部含有する樹脂組成物と誘電体(誘電体フィラー)とを用いて形成したものであってもよい。
また、前記誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層は、エポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、硬化促進剤を含む樹脂組成物重量を100重量部としたとき、ポリビニルアセタール樹脂を1重量部〜20重量部含有する樹脂組成物と誘電体(誘電体フィラー)とを用いて形成したものであってもよい。
また、前記誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層は、エポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、硬化促進剤を含む樹脂組成物重量を100重量部としたとき、硬化促進剤を0.01重量部〜2重量部含有する樹脂組成物と誘電体(誘電体フィラー)とを用いて形成したものであってもよい。
When the content of the dielectric (dielectric filler) is less than 75 wt%, the relative permittivity of 20 currently required in the market cannot be satisfied, and the content of the dielectric (dielectric filler) exceeds 85 wt%. And the resin composition content is less than 15 wt%, the adhesiveness between the dielectric (dielectric filler) -containing resin and the copper foil laminated thereon is impaired, and the required characteristics for manufacturing a printed wiring board are satisfied. This makes it difficult to produce a copper-clad laminate.
The resin layer containing the dielectric (dielectric filler) may be formed using a resin composition containing a dielectric (dielectric filler), an epoxy resin, an active ester resin, a polyvinyl acetal resin, and a curing accelerator. Good.
Further, the resin layer containing the dielectric (dielectric filler) is 25 parts by weight of epoxy resin when the weight of the resin composition containing epoxy resin, active ester resin, polyvinyl acetal resin, and curing accelerator is 100 parts by weight. It may be formed using a resin composition containing ˜60 parts by weight and a dielectric (dielectric filler).
The resin layer containing the dielectric material (dielectric filler) is 28 weight parts of the active ester resin when the weight of the resin composition containing the epoxy resin, the active ester resin, the polyvinyl acetal resin, and the curing accelerator is 100 parts by weight. It may be formed using a resin composition containing a part to 60 parts by weight and a dielectric (dielectric filler).
Further, the resin layer containing the dielectric (dielectric filler) has an epoxy resin and an active ester resin when the weight of the resin composition containing an epoxy resin, an active ester resin, a polyvinyl acetal resin, and a curing accelerator is 100 parts by weight. May be formed using a resin composition containing 78 parts by weight to 95 parts by weight and a dielectric (dielectric filler).
In addition, the resin layer containing the dielectric (dielectric filler) has 1 weight of polyvinyl acetal resin when the weight of the resin composition containing epoxy resin, active ester resin, polyvinyl acetal resin, and curing accelerator is 100 parts by weight. It may be formed using a resin composition containing 20 parts by weight to 20 parts by weight and a dielectric (dielectric filler).
Further, the resin layer containing the dielectric (dielectric filler) has a curing accelerator of 0.00 when the weight of the resin composition containing epoxy resin, active ester resin, polyvinyl acetal resin, and curing accelerator is 100 parts by weight. It may be formed using a resin composition containing 01 to 2 parts by weight and a dielectric (dielectric filler).

また、前記誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層は、当該樹脂層を構成する樹脂組成物重量を100重量部としたとき、当該樹脂組成物を構成するエポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、硬化促進剤の各成分の合計量が70重量部以上である樹脂組成物と誘電体(誘電体フィラー)とを用いて形成したものであってもよい。
また、前記誘電体を含む樹脂層は、当該誘電体(誘電体フィラー)を含有する樹脂重量を100wt%としたとき、誘電体(誘電体フィラー)を65wt%〜85wt%の範囲で含有するものであることが好ましい。
なお、エポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂および硬化促進剤には公知のエポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂および硬化促進剤または本願明細書に記載のエポキシ樹脂、活性エステル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂および硬化促進剤を用いることができる。
また、前記誘電体(誘電体フィラー)を含む樹脂層は、MIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して測定したときのレジンフローが1%未満であることが好ましい。
なお、硬化促進剤、エポキシ樹脂としては公知のものまたは本願明細書に記載の硬化促進剤、エポキシ樹脂を用いることができる。また、硬化促進剤としては公知のイミダゾール化合物または、本願明細書に記載のイミダゾール化合物を用いることができる。
Moreover, the resin layer containing the dielectric (dielectric filler) has an epoxy resin, an active ester resin, and a polyvinyl acetal constituting the resin composition when the weight of the resin composition constituting the resin layer is 100 parts by weight. It may be formed using a resin composition in which the total amount of each component of the resin and the curing accelerator is 70 parts by weight or more and a dielectric (dielectric filler).
The resin layer containing the dielectric contains a dielectric (dielectric filler) in a range of 65 wt% to 85 wt% when the weight of the resin containing the dielectric (dielectric filler) is 100 wt%. It is preferable that
The epoxy resin, active ester resin, polyvinyl acetal resin and curing accelerator include known epoxy resins, active ester resins, polyvinyl acetal resins and curing accelerators, or the epoxy resins, active ester resins and polyvinyl acetals described in the present specification. Resins and cure accelerators can be used.
The resin layer containing the dielectric (dielectric filler) preferably has a resin flow of less than 1% when measured according to MIL-P-13949G in the MIL standard.
In addition, as a hardening accelerator and an epoxy resin, a well-known thing or the hardening accelerator and epoxy resin as described in this-application specification can be used. Moreover, as a hardening accelerator, a well-known imidazole compound or the imidazole compound as described in this-application specification can be used.

そして、この誘電体(誘電体フィラー)としては、現段階に置いて、粉体としての製造精度を考慮すると、ペブロスカイト構造を持つ複合酸化物の内、チタン酸バリウムを用いることが好ましい。このときの誘電体(誘電体フィラー)には、仮焼したチタン酸バリウム又は未仮焼のチタン酸バリウムのいずれをも用いることが出来る。高い誘電率を得ようとする場合には仮焼したチタン酸バリウムを用いることが好ましいのであるが、プリント配線板製品の設計品質に応じて選択使用すればよいものである。   As this dielectric (dielectric filler), it is preferable to use barium titanate among complex oxides having a perovskite structure in consideration of manufacturing accuracy as a powder at the present stage. As the dielectric (dielectric filler) at this time, either calcined barium titanate or uncalcined barium titanate can be used. In order to obtain a high dielectric constant, it is preferable to use calcined barium titanate, but it may be selectively used according to the design quality of the printed wiring board product.

また更に、チタン酸バリウムの誘電体フィラーが、立方晶の結晶構造を持つものであることが最も好ましい。チタン酸バリウムのもつ結晶構造には、立方晶と正方晶とが存在するが、立方晶の構造を持つチタン酸バリウムの誘電体(誘電体フィラー)の方が、正方晶の構造のみを持つチタン酸バリウムの誘電体(誘電体フィラー)を用いた場合に比べて、最終的に得られる誘電体層の誘電率の値が安定化するのである。従って、少なくとも、立方晶と正方晶との双方の結晶構造を併有したチタン酸バリウム粉を用いる必要があると言えるのである。
上述の実施の形態により、当該内層コア材の内層回路表面と誘電体を含む樹脂層との密着性を向上させ、低い誘電正接を備えるキャパシタ回路層を形成するための誘電体を含む樹脂層を有するキャリア付銅箔を提供することができる。
Furthermore, it is most preferable that the dielectric filler of barium titanate has a cubic crystal structure. The crystal structure of barium titanate has cubic and tetragonal crystals, but the cubic barium titanate dielectric (dielectric filler) has a tetragonal structure only. The value of the dielectric constant of the finally obtained dielectric layer is stabilized as compared with the case where a barium acid dielectric (dielectric filler) is used. Therefore, it can be said that it is necessary to use barium titanate powder having both a cubic crystal structure and a tetragonal crystal structure.
According to the above-described embodiment, the resin layer containing the dielectric for forming the capacitor circuit layer having a low dielectric loss tangent is improved by improving the adhesion between the inner layer circuit surface of the inner layer core material and the resin layer containing the dielectric. The copper foil with a carrier which has can be provided.

また、前記樹脂層は粗化処理層側から順に硬化樹脂層(「硬化樹脂層」とは硬化済みの樹脂層のことを意味するとする。)と半硬化樹脂層とを順次形成した樹脂層であってもよい。前記硬化樹脂層は、熱膨張係数が0ppm/℃〜25ppm/℃のポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、これらの複合樹脂のいずれかの樹脂成分で構成されてもよい。   The resin layer is a resin layer in which a cured resin layer (“cured resin layer” means a cured resin layer) and a semi-cured resin layer are sequentially formed from the roughened layer side. There may be. The cured resin layer may be composed of a resin component of any one of a polyimide resin, a polyamideimide resin, and a composite resin having a thermal expansion coefficient of 0 ppm / ° C. to 25 ppm / ° C.

また、前記硬化樹脂層上に、硬化した後の熱膨張係数が0ppm/℃〜50ppm/℃の半硬化樹脂層を設けてもよい。また、前記硬化樹脂層と前記半硬化樹脂層とが硬化した後の樹脂層全体の熱膨張係数が40ppm/℃以下であってもよい。前記硬化樹脂層は、ガラス転移温度が300℃以上であってもよい。また、前記半硬化樹脂層は、マレイミド系樹脂を用いて形成したものであってもよく、前記マレイミド系樹脂は、分子内に2個以上のマレイミド基を有する芳香族マレイミド樹脂であってもよく、前記マレイミド系樹脂は、分子内に2個以上のマレイミド基を有する芳香族マレイミド樹脂と芳香族ポリアミンとを重合させた重合付加物であってもよい。また、前記半硬化樹脂層は、当該半硬化樹脂層を100重量部としたとき、マレイミド系樹脂を20重量部〜70重量部含有するものであってもよい。前記半硬化樹脂層を形成するための樹脂組成物は、マレイミド系樹脂、エポキシ樹脂、架橋可能な官能基を有する線状ポリマーを必須成分をとすることが好ましい。そして、マレイミド系樹脂には、芳香族マレイミド樹脂と芳香族ポリアミンとを重合させた重合付加物を用いることもできる。また、半硬化樹脂層には必要に応じて、マレイミド系樹脂と反応性を有するシアノエステル樹脂やエポキシ樹脂を添加してもよい。エポキシ樹脂は公知のエポキシ樹脂または本願明細書に記載のエポキシ樹脂を用いることができる。   Moreover, you may provide the semi-hardened resin layer whose thermal expansion coefficient after hardening is 0 ppm / degrees C-50 ppm / degrees C on the said cured resin layer. In addition, the thermal expansion coefficient of the entire resin layer after the cured resin layer and the semi-cured resin layer are cured may be 40 ppm / ° C. or less. The cured resin layer may have a glass transition temperature of 300 ° C. or higher. The semi-cured resin layer may be formed using a maleimide resin, and the maleimide resin may be an aromatic maleimide resin having two or more maleimide groups in the molecule. The maleimide resin may be a polymerized adduct obtained by polymerizing an aromatic maleimide resin having two or more maleimide groups in the molecule and an aromatic polyamine. The semi-cured resin layer may contain 20 to 70 parts by weight of a maleimide resin when the semi-cured resin layer is 100 parts by weight. The resin composition for forming the semi-cured resin layer preferably contains a maleimide resin, an epoxy resin, and a linear polymer having a crosslinkable functional group as an essential component. The maleimide resin may be a polymerization adduct obtained by polymerizing an aromatic maleimide resin and an aromatic polyamine. Moreover, you may add the cyanoester resin and epoxy resin which have reactivity with a maleimide-type resin as needed to a semi-hardened resin layer. As the epoxy resin, a known epoxy resin or an epoxy resin described in the present specification can be used.

また、前記架橋可能な官能基を有する線状ポリマーは、水酸基、カルボキシル基等のエポキシ樹脂の硬化反応に寄与する官能基を備えることが好ましい。そして、この架橋可能な官能基を有する線状ポリマーは、沸点が50℃〜200℃の温度の有機溶剤に可溶であることが好ましい。ここで言う官能基を有する線状ポリマーを具体的に例示すると、ポリビニルアセタール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアミドイミド樹脂等である。この架橋可能な官能基を有する線状ポリマーは、樹脂組成物を100重量部としたとき、3重量部〜30重量部の配合割合で用いられることが好ましい。当該エポキシ樹脂が3重量部未満の場合には、樹脂流れが大きくなる場合がある。この結果、製造した銅張積層板の端部から樹脂粉の発生が多く見られる場合があり、半硬化状態での樹脂層の耐吸湿性も改善出来ない場合がある。一方、30重量部を超えても、樹脂流れが小さい場合があり、製造した銅張積層板の絶縁層内にボイド等の欠陥を生じやすくなる場合がある。   Moreover, it is preferable that the linear polymer which has the said crosslinkable functional group is equipped with the functional group which contributes to hardening reaction of epoxy resins, such as a hydroxyl group and a carboxyl group. And it is preferable that the linear polymer which has this crosslinkable functional group is soluble in the organic solvent of the temperature of 50 to 200 degreeC of boiling points. Specific examples of the linear polymer having a functional group mentioned here include polyvinyl acetal resin, phenoxy resin, polyethersulfone resin, polyamideimide resin, and the like. The linear polymer having a crosslinkable functional group is preferably used in a blending ratio of 3 to 30 parts by weight when the resin composition is 100 parts by weight. When the epoxy resin is less than 3 parts by weight, the resin flow may increase. As a result, a large amount of resin powder may be observed from the end of the produced copper-clad laminate, and the moisture absorption resistance of the resin layer in a semi-cured state may not be improved. On the other hand, even if it exceeds 30 parts by weight, the resin flow may be small, and defects such as voids may easily occur in the insulating layer of the produced copper-clad laminate.

ここで言うマレイミド系樹脂としては、4,4’−ジフェニルメタンビスマレイミド、ポリフェニルメタンマレイミド、m−フェニレンビスマレイミド、ビスフェノールAジフェニルエーテルビスマレイミド、3,3’−ジメチルー5,5’−ジエチルー4,4’−ジフェニルメタンビスマレイミド、4−メチルー1,3−フェニレンビスマレイミド、4,4’−ジフェニルエーテルビスマレイミド、4,4’−ジフェニルスルフォンビスマレイミド、1,3−ビス(3−マレイミドフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−マレイミドフェノキシ)ベンゼン等の使用が可能である。マレイミド系樹脂の含有量が20重量部未満の場合には、硬化後の半硬化樹脂層の熱膨張係数を低下させる効果が得られない場合がある。一方、マレイミド系樹脂の含有量が70重量部を超えると、半硬化樹脂層が硬化すると脆い樹脂層になる場合があり、当該樹脂層にクラックが生じやすくなる場合があり、プリント配線板の絶縁層としての信頼性が低下する場合がある。   Examples of maleimide resins herein include 4,4′-diphenylmethane bismaleimide, polyphenylmethane maleimide, m-phenylene bismaleimide, bisphenol A diphenyl ether bismaleimide, 3,3′-dimethyl-5,5′-diethyl-4,4. '-Diphenylmethane bismaleimide, 4-methyl-1,3-phenylene bismaleimide, 4,4'-diphenyl ether bismaleimide, 4,4'-diphenylsulfone bismaleimide, 1,3-bis (3-maleimidophenoxy) benzene, 1 , 3-bis (4-maleimidophenoxy) benzene or the like can be used. When the content of the maleimide resin is less than 20 parts by weight, the effect of reducing the thermal expansion coefficient of the semi-cured resin layer after curing may not be obtained. On the other hand, if the content of the maleimide resin exceeds 70 parts by weight, the semi-cured resin layer may become a brittle resin layer when cured, and the resin layer may be easily cracked. The reliability as a layer may be reduced.

分子内に2個以上のマレイミド基を有する芳香族マレイミド樹脂と芳香族ポリアミンとを重合させた重合付加物を形成させる場合には、芳香族ポリアミンとして、例えば、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノジシクロヘキシルメタン、1,4−ジアミノシクロヘキサン、2,6−ジアミノピリジン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノー3−メチルジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、ビス(4−アミノフェニル)フェニルアミン、m−キシレンジアミン、p−キシレンジアミン、1,3−ビス[4−アミノフェノキシ]ベンゼン、3−メチルー4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジエチルー4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジクロロー4,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2’,5,5’−テトラクロロー4,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ビス(3−メチルー4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−エチルー4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス(2,3−ジクロロー4−アミノフェニル)プロパン、ビス(2,3−ジメチルー4−アミノフェニル)フェニルエタン、エチレンジアミンおよびヘキサメチレンジアミン等を、樹脂組成物に添加して用いて樹脂層を形成することが好ましい。   When forming a polymerization adduct obtained by polymerizing an aromatic maleimide resin having two or more maleimide groups in the molecule and an aromatic polyamine, examples of the aromatic polyamine include m-phenylenediamine and p-phenylenediamine. 4,4′-diaminodicyclohexylmethane, 1,4-diaminocyclohexane, 2,6-diaminopyridine, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 4,4′- Diaminodiphenyl ether, 4,4′-diamino-3-methyldiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenyl sulfide, 4,4′-diaminobenzophenone, 4,4′-diaminodiphenyl sulfone, bis (4-aminophenyl) phenylamine, m-xylenediamine, p-xylenediamine 1,3-bis [4-aminophenoxy] benzene, 3-methyl-4,4′-diaminodiphenylmethane, 3,3′-diethyl-4,4′-diaminodiphenylmethane, 3,3′-dichloro-4,4′-diamino Diphenylmethane, 2,2 ′, 5,5′-tetrachloro-4,4′-diaminodiphenylmethane, 2,2-bis (3-methyl-4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (3-ethyl-4-aminophenyl) ) Propane, 2,2-bis (2,3-dichloro-4-aminophenyl) propane, bis (2,3-dimethyl-4-aminophenyl) phenylethane, ethylenediamine, hexamethylenediamine and the like are added to the resin composition. To form a resin layer.

そして、エポキシ樹脂硬化剤を必要とする場合には、ジシアンジアミド、イミダゾール類、芳香族アミン等のアミン類、ビスフェノールA、ブロム化ビスフェノールA等のフェノール類、フェノールノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂等のノボラック類、無水フタル酸等の酸無水物等を用いる。このときのエポキシ樹脂に対するエポキシ樹脂硬化剤の添加量は、それぞれの当量から自ずと導き出されるものであるから、特段の添加量限定は行っていない。   When an epoxy resin curing agent is required, amines such as dicyandiamide, imidazoles and aromatic amines, phenols such as bisphenol A and brominated bisphenol A, novolacs such as phenol novolac resin and cresol novolac resin Acid anhydrides such as phthalic anhydride are used. Since the addition amount of the epoxy resin curing agent with respect to the epoxy resin at this time is naturally derived from the respective equivalents, no special addition amount limitation is performed.

また、立体成型プリント配線板製造用途に適した、樹脂層を有するキャリア付銅箔を提供する場合、前記硬化樹脂層は硬化した可撓性を有する高分子ポリマー層であることが好ましい。前記高分子ポリマー層は、はんだ実装工程に耐えられるように、150℃以上のガラス転移温度をもつ樹脂からなるものが好適である。前記高分子ポリマー層は、ポリアミド樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、アラミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリアミドイミド樹脂のいずれか1種又は2種以上の混合樹脂からなることが好ましい。また、前記高分子ポリマー層の厚さは3μm〜10μmであることが好ましい。
また、前記高分子ポリマー層は、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂のいずれか1種又は2種以上を含むことが好ましい。また、前記半硬化樹脂層は厚さが10μm〜50μmのエポキシ樹脂組成物で構成されていることが好ましい。
Moreover, when providing the copper foil with a carrier which has a resin layer suitable for a three-dimensional molded printed wiring board manufacture use, it is preferable that the said cured resin layer is a polymeric polymer layer which has hardened | cured flexibility. The polymer layer is preferably made of a resin having a glass transition temperature of 150 ° C. or higher so that it can withstand the solder mounting process. The polymer polymer layer is preferably made of one or a mixture of two or more of a polyamide resin, a polyether sulfone resin, an aramid resin, a phenoxy resin, a polyimide resin, a polyvinyl acetal resin, and a polyamideimide resin. The thickness of the polymer layer is preferably 3 μm to 10 μm.
Moreover, it is preferable that the said high polymer layer contains any 1 type, or 2 or more types of an epoxy resin, a maleimide resin, a phenol resin, and a urethane resin. The semi-cured resin layer is preferably composed of an epoxy resin composition having a thickness of 10 μm to 50 μm.

また、前記エポキシ樹脂組成物は以下のA成分〜E成分の各成分を含むものであることが好ましい。
A成分: エポキシ当量が200以下で、室温で液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上からなるエポキシ樹脂。
B成分: 高耐熱性エポキシ樹脂。
C成分: リン含有エポキシ系樹脂、フォスファゼン系樹脂のいずれか1種又はこれらを混合した樹脂であるリン含有難燃性樹脂。
D成分: 沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤に可溶な性質を備える液状ゴム成分で変成したゴム変成ポリアミドイミド樹脂。
E成分: 樹脂硬化剤。
Moreover, it is preferable that the said epoxy resin composition contains each component of the following A component-E component.
Component A: An epoxy resin having one or more selected from the group consisting of a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, and a bisphenol AD type epoxy resin that have an epoxy equivalent of 200 or less and are liquid at room temperature.
B component: High heat-resistant epoxy resin.
Component C: Phosphorus-containing flame-retardant resin, which is any one of phosphorus-containing epoxy resin and phosphazene-based resin, or a resin obtained by mixing these.
Component D: A rubber-modified polyamide-imide resin modified with a liquid rubber component having a property that is soluble in a solvent having a boiling point in the range of 50 ° C. to 200 ° C.
E component: Resin curing agent.

A成分は、エポキシ当量が200以下で、室温で液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上からなるエポキシ樹脂である。ここで、ビスフェノール系エポキシ樹脂を選択使用しているのは、後述するD成分(ゴム変成ポリアミドイミド樹脂)との相性が良く、半硬化状態での樹脂膜に適度なフレキシビリティの付与が容易だからである。そして、エポキシ当量が200を超えると、樹脂が室温で半固形となり、半硬化状態でのフレキシビリティが減少するので好ましくない。更に、上述のビスフェノール系エポキシ樹脂であれば、1種を単独で用いても、2種以上を混合で用いても構わない。しかも、2種以上を混合して用いる場合には、その混合比に関しても特段の限定はない。   The component A is an epoxy resin composed of one or more selected from the group consisting of a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, and a bisphenol AD type epoxy resin that have an epoxy equivalent of 200 or less and are liquid at room temperature. Here, the bisphenol-based epoxy resin is selectively used because it has good compatibility with the D component (rubber-modified polyamideimide resin) described later, and it is easy to impart appropriate flexibility to the resin film in a semi-cured state. It is. If the epoxy equivalent exceeds 200, the resin becomes semi-solid at room temperature, and the flexibility in the semi-cured state decreases, which is not preferable. Furthermore, if it is the above-mentioned bisphenol-type epoxy resin, 1 type may be used independently or 2 or more types may be used in mixture. In addition, when two or more kinds are mixed and used, there is no particular limitation with respect to the mixing ratio.

このエポキシ樹脂は、半硬化樹脂層を構成するエポキシ樹脂組成物を100重量部としたとき、3重量部〜30重量部の配合割合で用いることが好ましい。当該エポキシ樹脂が3重量部未満の場合には、熱硬化性を十分に発揮せず内層フレキシブルプリント配線板とのバインダーとしての機能も、樹脂付銅箔としての銅箔との密着性も十分に果たせなくなる。一方、30重量部を越えると、他の樹脂成分とのバランスから樹脂ワニスとしたときの粘度が高くなり、樹脂付銅箔を製造するとき、銅箔表面へ均一な厚さでの樹脂膜の形成が困難となる。しかも、後述するD成分(ゴム変成ポリアミドイミド樹脂)の添加量を考慮すると、硬化後の樹脂層として十分な靭性が得られなくなる。   This epoxy resin is preferably used in a blending ratio of 3 to 30 parts by weight, with 100 parts by weight of the epoxy resin composition constituting the semi-cured resin layer. When the epoxy resin is less than 3 parts by weight, the thermosetting property is not sufficiently exhibited, and the function as a binder with the inner layer flexible printed wiring board and the adhesiveness with the copper foil as the resin-coated copper foil are sufficient. Can't be done. On the other hand, when the amount exceeds 30 parts by weight, the viscosity of the resin varnish increases from the balance with other resin components, and when the resin-coated copper foil is produced, the resin film with a uniform thickness is formed on the copper foil surface. Formation becomes difficult. Moreover, considering the amount of D component (rubber-modified polyamideimide resin) to be described later, sufficient toughness as a cured resin layer cannot be obtained.

B成分は、所謂ガラス転移点Tgの高い「高耐熱性エポキシ樹脂」である。ここで言う「高耐熱性エポキシ樹脂」は、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂であることが好ましい。そして、このB成分は、半硬化樹脂層を構成するエポキシ樹脂組成物を100重量部としたとき、3重量部〜30重量部の範囲で用いることが好ましい。B成分が3重量部未満の場合には、樹脂組成物の高Tg化が不十分となる傾向があるので好ましくない。一方、B成分が30重量部を超える場合には、硬化後の樹脂が脆くなり、フレキシビリティが損なわれるためフレキシブルプリント配線板用途として好ましくない。より好ましくは、B成分は、10重量部〜20重量部の範囲で用いることで、樹脂組成物の高Tg化と硬化後の樹脂の良好なフレキシビリティとを安定して両立できる。   The B component is a “high heat resistant epoxy resin” having a high so-called glass transition point Tg. The “high heat-resistant epoxy resin” referred to here is preferably a polyfunctional epoxy resin such as a novolac-type epoxy resin, a cresol novolac-type epoxy resin, a phenol novolac-type epoxy resin, or a naphthalene-type epoxy resin. And it is preferable to use this B component in the range of 3-30 weight part, when the epoxy resin composition which comprises a semi-hardened resin layer is 100 weight part. When the component B is less than 3 parts by weight, it is not preferable because the Tg of the resin composition tends to be insufficient. On the other hand, if the component B exceeds 30 parts by weight, the cured resin becomes brittle and flexibility is impaired, which is not preferable for flexible printed wiring board applications. More preferably, by using the B component in the range of 10 to 20 parts by weight, it is possible to stably achieve both high Tg of the resin composition and good flexibility of the cured resin.

C成分は、所謂ハロゲンフリー系の難燃性樹脂であり、リン含有エポキシ系樹脂、フォスファゼン系樹脂のいずれか1種又はこれらを混合した樹脂であるリン含有難燃性樹脂を用いる。まず、リン含有エポキシ系樹脂とは、エポキシ骨格の中にリンを含んだエポキシ樹脂の総称である。そして、半硬化樹脂層を構成するエポキシ樹脂組成物のリン原子含有量を、当該エポキシ樹脂組成物重量を100重量%としたとき、C成分由来のリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲とできるリン含有エポキシ系樹脂であれば、いずれの使用も可能である。しかしながら、上述のリン含有エポキシ系樹脂の中でも、分子内に2以上のエポキシ基を備える9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド誘導体であるリン含有エポキシ系樹脂を用いると、半硬化状態での樹脂品質の安定性に優れ、同時に難燃性効果が高いため好ましい。参考のために、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドの構造式を下記に示す。   The component C is a so-called halogen-free flame-retardant resin, and a phosphorus-containing flame-retardant resin that is any one of a phosphorus-containing epoxy resin and a phosphazene-based resin or a mixture of these is used. First, the phosphorus-containing epoxy resin is a general term for epoxy resins containing phosphorus in an epoxy skeleton. And when the phosphorus atom content of the epoxy resin composition constituting the semi-cured resin layer is 100% by weight of the epoxy resin composition, the phosphorus atom derived from component C is 0.5% by weight to 3.0%. Any phosphorus-containing epoxy resin that can be in the range of% by weight can be used. However, among the phosphorus-containing epoxy resins described above, a phosphorus-containing epoxy resin which is a 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide derivative having two or more epoxy groups in the molecule is used. When used, it is preferable because it is excellent in the stability of the resin quality in the semi-cured state and at the same time has a high flame retardant effect. For reference, the structural formula of 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide is shown below.

更に、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド誘導体であるリン含有エポキシ系樹脂の具体例として、化2に示す構造式を備える化合物を示す。この化2に示す構造式を備える化合物を使用すると、半硬化状態での樹脂品質の安定性により一層優れ、同時に難燃性効果が高くなるので、好ましい。   Furthermore, as a specific example of a phosphorus-containing epoxy resin that is a 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide derivative, a compound having the structural formula shown in Chemical Formula 2 is shown. The use of a compound having the structural formula shown in Chemical Formula 2 is preferable because the resin quality is more stable in a semi-cured state, and at the same time, the flame retardant effect is enhanced.

また、C成分のリン含有エポキシ系樹脂として、以下に示す化3に示す構造式を備える化合物も好ましい。化2に示すリン含有エポキシ系樹脂と同様に、半硬化状態での樹脂品質の安定性に優れ、同時に高い難燃性の付与が可能であるため好ましい。   Further, as the phosphorus-containing epoxy resin of component C, a compound having the structural formula shown in Chemical Formula 3 shown below is also preferable. Like the phosphorus-containing epoxy resin shown in Chemical Formula 2, the resin quality is excellent in the semi-cured state, and high flame retardancy can be imparted at the same time.

更に、C成分のリン含有エポキシ系樹脂として、以下に示す化4に示す構造式を備える化合物も好ましい。化2及び化3に示すリン含有エポキシ系樹脂と同様に、半硬化状態での樹脂品質の安定性に優れ、同時に高い難燃性の付与が可能であるため好ましい。   Further, as the C-component phosphorus-containing epoxy resin, a compound having the structural formula shown in Chemical Formula 4 shown below is also preferable. Like the phosphorus-containing epoxy resin shown in Chemical Formula 2 and Chemical Formula 3, it is preferable because it is excellent in the stability of the resin quality in a semi-cured state and at the same time imparting high flame resistance.

この9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂は、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドにナフトキノンやハイドロキノンを反応させて、以下の化5(HCA−NQ)又は化6(HCA−HQ)に示す化合物とした後に、そのOH基の部分にエポキシ樹脂を反応させてリン含有難燃性樹脂としたものが挙げられる。   The epoxy resin obtained as a derivative from 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide is converted to 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide. After making naphthoquinone or hydroquinone react to form a compound shown in the following chemical formula 5 (HCA-NQ) or chemical formula 6 (HCA-HQ), an epoxy resin is reacted with the OH group portion to make a phosphorus-containing flame retardant resin. Are listed.

ここで、リン含有難燃性樹脂として、リン含有エポキシ系樹脂を用いる場合の樹脂組成物は、リン含有エポキシ系樹脂の1種類を単独で用いても、2種類以上のリン含有エポキシ系樹脂を混合して用いても構わない。但し、C成分としてのリン含有難燃性樹脂の総量を考慮して、半硬化樹脂層を構成するエポキシ樹脂組成物重量を100重量%としたとき、C成分由来のリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲となるように添加量を定めることが好ましい。リン含有エポキシ系樹脂は、その種類によりエポキシ骨格内に含有するリン原子量が異なる。そこで、上述のようにリン原子の含有量を、C成分の添加量に優先させて設計することが可能である。   Here, the resin composition in the case of using a phosphorus-containing epoxy resin as the phosphorus-containing flame retardant resin is not limited to two or more types of phosphorus-containing epoxy resins, even if one kind of phosphorus-containing epoxy resin is used alone. You may mix and use. However, in consideration of the total amount of the phosphorus-containing flame retardant resin as the C component, when the weight of the epoxy resin composition constituting the semi-cured resin layer is 100% by weight, the phosphorus atom derived from the C component is 0.5% by weight. It is preferable to determine the addition amount so as to be in the range of% to 3.0% by weight. The phosphorus-containing epoxy resin has different amounts of phosphorus atoms contained in the epoxy skeleton depending on the type. Therefore, as described above, the phosphorus atom content can be designed with priority over the added amount of the C component.

次に、リン含有難燃性樹脂として、フォスファゼン系樹脂を用いる場合を説明する。フォスファゼン系樹脂は、リン及び窒素を構成元素とする二重結合を持つフォスファゼンを含む樹脂である。フォスファゼン系樹脂は、分子中の窒素とリンの相乗効果により、難燃性能を飛躍的に向上させることができる。また、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド誘導体と異なり、樹脂中で安定して存在し、マイグレーションの発生を防ぐ効果が得られる。   Next, a case where a phosphazene resin is used as the phosphorus-containing flame retardant resin will be described. The phosphazene resin is a resin containing phosphazene having a double bond having phosphorus and nitrogen as constituent elements. The phosphazene resin can dramatically improve the flame retardancy due to the synergistic effect of nitrogen and phosphorus in the molecule. In addition, unlike 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide derivatives, it exists stably in the resin, and the effect of preventing the occurrence of migration is obtained.

また、リン含有難燃性樹脂として、フォスファゼン系樹脂を用いる場合の樹脂組成物は、フォスファゼン系樹脂の1種類を単独で用いても、2種類以上のフォスファゼン系樹脂を混合して用いても構わない。但し、C成分としてのリン含有難燃性樹脂の総量を考慮して、半硬化樹脂層を構成するフォスファゼン系樹脂組成物重量を100重量%としたとき、C成分由来のリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲となるように添加量を定めることが好ましい。このことは、C成分として、リン含有エポキシ系樹脂とフォスファゼン系樹脂を混合して用いる場合も同様である。   Moreover, the resin composition in the case of using a phosphazene resin as the phosphorus-containing flame retardant resin may be used alone or in combination of two or more phosphazene resins. Absent. However, in consideration of the total amount of the phosphorus-containing flame retardant resin as the C component, when the weight of the phosphazene resin composition constituting the semi-cured resin layer is 100% by weight, the phosphorus atom derived from the C component is 0.5%. It is preferable to determine the addition amount so as to be in the range of wt% to 3.0 wt%. The same applies to the case where a phosphorus-containing epoxy resin and a phosphazene resin are mixed and used as the C component.

そして、C成分としてのリン含有難燃性樹脂は、リン含有エポキシ系樹脂、フォスファゼン系樹脂のいずれか一種またはこれらを混合したものを用いれば良い。リン含有難燃性樹脂としてリン含有エポキシ系樹脂を単独で用いる場合は、リン含有エポキシ系樹脂は、半硬化樹脂層を構成するエポキシ樹脂組成物を100重量部としたとき、5重量部〜50重量部の範囲で用いられることが好ましい。リン含有エポキシ系樹脂からなるC成分が5重量部未満の場合には、他の樹脂成分の配合割合を考慮すると、C成分由来のリン原子が不足し、難燃性を得ることが困難になる。一方、リン含有エポキシ系樹脂からなるC成分が50重量部を超えるようにしても、難燃性向上効果も飽和すると同時に、硬化後の樹脂層が脆くなるため好ましくない。   As the phosphorus-containing flame retardant resin as the C component, any one of a phosphorus-containing epoxy resin and a phosphazene resin or a mixture thereof may be used. When the phosphorus-containing epoxy resin is used alone as the phosphorus-containing flame retardant resin, the phosphorus-containing epoxy resin is 5 parts by weight to 50 parts when the epoxy resin composition constituting the semi-cured resin layer is 100 parts by weight. It is preferably used in the range of parts by weight. When the C component comprising the phosphorus-containing epoxy resin is less than 5 parts by weight, considering the blending ratio of other resin components, phosphorus atoms derived from the C component are insufficient, and it becomes difficult to obtain flame retardancy. . On the other hand, even if the C component made of phosphorus-containing epoxy resin exceeds 50 parts by weight, the effect of improving flame retardancy is saturated, and at the same time, the cured resin layer becomes brittle.

また、リン含有難燃性樹脂として、フォスファゼン系樹脂を単独で用いる場合は、フォスファゼン系樹脂は、半硬化樹脂層を構成するエポキシ樹脂組成物を100重量部としたとき、2重量部〜18重量部の範囲で用いられることが好ましい。フォスファゼン系樹脂からなるC成分が2重量部未満の場合には、他の樹脂成分の配合割合を考慮すると、C成分由来のリン原子が不足し、難燃性を得ることが困難になる。一方、フォスファゼン系樹脂からなるC成分が18重量部を超えると、樹脂組成物のガラス転移点Tg、半田耐熱性、ピール強度が不十分となる傾向があるので好ましくない。   When a phosphazene resin is used alone as the phosphorus-containing flame retardant resin, the phosphazene resin is 2 to 18 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the epoxy resin composition constituting the semi-cured resin layer. It is preferably used in the range of parts. When the C component composed of the phosphazene resin is less than 2 parts by weight, the phosphorus atom derived from the C component is insufficient and it becomes difficult to obtain flame retardancy in consideration of the blending ratio of the other resin components. On the other hand, when the C component made of phosphazene resin exceeds 18 parts by weight, the glass transition point Tg, solder heat resistance, and peel strength of the resin composition tend to be insufficient, which is not preferable.

上述の硬化樹脂の「高Tg化」と「フレキシビリティ」とは、一般的に反比例する特性である。このときリン含有難燃性樹脂は、硬化後の樹脂のフレキシビリティの向上に寄与するもの、高Tg化に寄与するものが存在する。従って、1種類のリン含有難燃性エポキシ樹脂を用いるよりは、「高Tg化に寄与するリン含有難燃性エポキシ樹脂」と「フレキシビリティの向上に寄与するリン含有難燃性エポキシ樹脂」とをバランス良く配合して用いることで、フレキシブルプリント配線板用途で好適な樹脂組成とすることが可能である。   “High Tg” and “flexibility” of the cured resin described above are generally inversely proportional characteristics. At this time, there are phosphorus-containing flame retardant resins that contribute to the improvement of the flexibility of the cured resin and those that contribute to an increase in Tg. Therefore, rather than using one type of phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin, “phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin that contributes to higher Tg” and “phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin that contributes to improved flexibility” By mixing and using in a well-balanced manner, it is possible to obtain a resin composition suitable for flexible printed wiring board applications.

D成分は、沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤に可溶で、液状ゴム成分で変成されたゴム変成ポリアミドイミド樹脂である。このゴム変成ポリアミドイミド樹脂は、ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂とを反応させて得られるものである。ここで言う、ゴム変成ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂とを反応させて用いるのは、ポリアミドイミド樹脂そのものの柔軟性を向上させる目的で行う。すなわち、ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂とを反応させ、ポリアミドイミド樹脂の酸成分(シクロヘキサンジカルボン酸等)の一部をゴム成分に置換するのである。ゴム成分としては、天然ゴム及び合成ゴムを含み、後者の合成ゴムにはスチレン−ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、ブチルゴム、エチレン−プロピレンゴム等がある。更に、耐熱性を確保する観点からは、ニトリルゴム、クロロプレンゴム、シリコンゴム、ウレタンゴム等の耐熱性を備えた合成ゴムを選択使用することも有用である。これらのゴム性樹脂に関しては、ポリアミドイミド樹脂と反応して共重合体を製造するようになるため、両末端に種々の官能基を備えるものであることが望ましい。特に、カルボキシル基を有するCTBN(カルボキシ基末端ブタジエンニトリル)を用いることが有用である。なお、上記ゴム成分は、1種のみを共重合させても、2種以上を共重合させても構わない。更に、ゴム成分を用いる場合には、そのゴム成分の数平均分子量が1000以上のものを用いることが、当該フレキシビリティの安定化の観点から好ましい。   Component D is a rubber-modified polyamideimide resin that is soluble in a solvent having a boiling point in the range of 50 ° C. to 200 ° C. and modified with a liquid rubber component. This rubber-modified polyamideimide resin is obtained by reacting a polyamideimide resin and a rubber resin. The rubber-modified polyamide-imide resin and the rubber-like resin used here are reacted for the purpose of improving the flexibility of the polyamide-imide resin itself. That is, the polyamideimide resin and the rubber resin are reacted to replace a part of the acid component (cyclohexanedicarboxylic acid or the like) of the polyamideimide resin with the rubber component. The rubber component includes natural rubber and synthetic rubber. Examples of the latter synthetic rubber include styrene-butadiene rubber, butadiene rubber, butyl rubber, and ethylene-propylene rubber. Furthermore, from the viewpoint of ensuring heat resistance, it is also useful to selectively use a synthetic rubber having heat resistance such as nitrile rubber, chloroprene rubber, silicon rubber, urethane rubber and the like. Since these rubber resins react with the polyamide-imide resin to produce a copolymer, it is desirable to have various functional groups at both ends. In particular, it is useful to use CTBN (carboxy group-terminated butadiene nitrile) having a carboxyl group. In addition, the said rubber component may copolymerize only 1 type or may copolymerize 2 or more types. Further, when a rubber component is used, it is preferable to use a rubber component having a number average molecular weight of 1000 or more from the viewpoint of stabilization of the flexibility.

ゴム変成ポリアミドイミド樹脂を重合させる際に、ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂との溶解に使用する溶剤には、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ニトロメタン、ニトロエタン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトニトリル、γ−ブチロラクトン等を、1種又は2種以上を混合して用いることが好ましい。そして、重合反応を起こさせるには、80℃〜200℃の範囲の重合温度を採用することが好ましい。これらの重合に沸点が200℃を超える溶剤を用いた場合には、その後、用途に応じて沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤に溶媒置換することが好ましい。   Solvents used for dissolving the polyamideimide resin and the rubbery resin when polymerizing the rubber-modified polyamideimide resin include dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylsulfoxide, nitromethane, nitroethane, tetrahydrofuran , Cyclohexanone, methyl ethyl ketone, acetonitrile, γ-butyrolactone, and the like are preferably used alone or in combination. And in order to raise | generate a polymerization reaction, it is preferable to employ | adopt the polymerization temperature of the range of 80 to 200 degreeC. When a solvent having a boiling point of more than 200 ° C. is used for these polymerizations, it is preferable that the solvent be replaced with a solvent having a boiling point in the range of 50 ° C. to 200 ° C., depending on the application.

ここで、前記沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤とは、メチルエチルケトン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等の群から選ばれる1種の単独溶剤又は2種以上の混合溶剤が挙げられる。沸点が50℃未満の場合には、加熱による溶剤の気散が著しくなり、樹脂ワニスの状態から半硬化樹脂とする場合に、良好な半硬化状態が得られにくくなる。一方、沸点が200℃を超える場合には、樹脂ワニスの状態から半硬化樹脂とする場合に、バブリングが起こりやすくなるため、良好な半硬化樹脂膜を得にくくなる。   Here, examples of the solvent having a boiling point in the range of 50 ° C. to 200 ° C. include one single solvent or two or more mixed solvents selected from the group of methyl ethyl ketone, dimethylacetamide, dimethylformamide and the like. When the boiling point is lower than 50 ° C., the solvent is greatly diffused by heating, and it is difficult to obtain a good semi-cured state when the resin varnish is changed to a semi-cured resin. On the other hand, when the boiling point exceeds 200 ° C., bubbling is likely to occur when the resin varnish is used as a semi-cured resin, so that it is difficult to obtain a good semi-cured resin film.

エポキシ樹脂組成物で用いるゴム変成ポリアミドイミド樹脂の中で、ゴム変成ポリアミドイミド樹脂の重量を100重量%としたとき、ゴム成分の共重合量は0.8重量%以上であることが好ましい。当該共重合量が0.8重量%未満の場合には、ゴム変成ポリアミドイミド樹脂としても、本件発明に言うエポキシ樹脂組成物を用いて形成した樹脂層を硬化させたときのフレキシビリティが欠如し、銅箔との密着性も低下するため好ましくない。なお、より好ましくは、当該ゴム成分の共重合量は3重量%以上、更に好ましくは5重量%以上がより好ましい。経験的に40重量%を超えてゴム成分の添加量を向上させても、特段の問題はない。しかし、当該硬化後の樹脂層のフレキシビリティの向上効果は飽和するために資源の無駄となり好ましくない。   Among the rubber-modified polyamideimide resins used in the epoxy resin composition, when the weight of the rubber-modified polyamideimide resin is 100% by weight, the copolymerization amount of the rubber component is preferably 0.8% by weight or more. When the copolymerization amount is less than 0.8% by weight, the rubber-modified polyamideimide resin lacks flexibility when the resin layer formed using the epoxy resin composition according to the present invention is cured. In addition, the adhesiveness with the copper foil is also lowered, which is not preferable. More preferably, the copolymerization amount of the rubber component is 3% by weight or more, more preferably 5% by weight or more. Empirically, there is no particular problem even if the amount of the rubber component added is increased beyond 40% by weight. However, since the effect of improving the flexibility of the cured resin layer is saturated, resources are wasted, which is not preferable.

以上に述べてきたゴム変成ポリアミドイミド樹脂には、溶剤に可溶であるという性質が求められる。溶剤に可溶でなければ、樹脂ワニスとしての調製が困難だからである。このゴム変成ポリアミドイミド樹脂は、樹脂組成物の重量を100重量部としたとき、10重量部〜40重量部の配合割合で用いることが好ましい。ゴム変成ポリアミドイミド樹脂が10重量部未満の場合には、硬化後の樹脂層のフレキシビリティは向上させ得ず脆くなり、樹脂層へのマイクロクラックを生じやすくなる。一方、40重量部を越えてゴム変成ポリアミドイミド樹脂を添加しても特に支障はないが、それ以上に硬化後の樹脂層のフレキシビリティは向上せず、硬化後の樹脂の高Tg化が図れない。従って、経済性を考慮すれば、40重量部が上限値であると言える。   The rubber-modified polyamideimide resin described above is required to be soluble in a solvent. This is because preparation as a resin varnish is difficult unless it is soluble in a solvent. This rubber-modified polyamideimide resin is preferably used in a blending ratio of 10 to 40 parts by weight, when the weight of the resin composition is 100 parts by weight. When the rubber-modified polyamideimide resin is less than 10 parts by weight, the flexibility of the cured resin layer cannot be improved and becomes brittle, and microcracks are easily generated in the resin layer. On the other hand, adding rubber-modified polyamideimide resin in excess of 40 parts by weight has no particular problem, but the flexibility of the cured resin layer is not improved further, and the cured resin can have a higher Tg. Absent. Therefore, considering the economy, it can be said that 40 parts by weight is the upper limit.

E成分の樹脂硬化剤に関して述べる。ここで言う樹脂硬化剤は、ビフェニル型フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂の1種又は2種以上を用いることが好ましい。この樹脂硬化剤の添加量は、硬化させる樹脂に対する反応当量から自ずと導き出されるものであり、特段の量的な限定を要するものではない。しかしながら、本件発明に用いるエポキシ樹脂組成物の場合には、当該エポキシ樹脂組成物を100重量部としたとき、E成分を20重量部〜35重量部の範囲で用いることが好ましい。このE成分が20重量部未満の場合には、上記樹脂組成を考慮すると、十分な硬化状態を得ることが出来なくなり、硬化後の樹脂としてフレキシビリティを得ることが出来なくなる。一方、E成分が35重量部を超える場合には、硬化した後の樹脂層の耐吸湿特性が劣化する傾向にあり、好ましくない。   The E component resin curing agent will be described. As the resin curing agent referred to here, it is preferable to use one or more of biphenyl type phenol resin and phenol aralkyl type phenol resin. The addition amount of the resin curing agent is naturally derived from the reaction equivalent to the resin to be cured, and does not require any particular quantitative limitation. However, in the case of the epoxy resin composition used in the present invention, the E component is preferably used in the range of 20 to 35 parts by weight when the epoxy resin composition is 100 parts by weight. When the E component is less than 20 parts by weight, considering the resin composition, a sufficient cured state cannot be obtained, and flexibility as a cured resin cannot be obtained. On the other hand, when the E component exceeds 35 parts by weight, the moisture absorption resistance of the cured resin layer tends to deteriorate, which is not preferable.

以上に示した樹脂組成物に溶剤を加えて樹脂ワニスとして用い、プリント配線板の接着層として熱硬化性樹脂層を形成する。当該樹脂ワニスは、上述の樹脂組成物に溶剤を加えて、樹脂固形分量が30wt%〜70wt%の範囲に調製し、MIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して測定したときのレジンフローが5%〜35%の範囲にある半硬化樹脂膜の形成が可能なことを特徴とする。ここで言う溶剤には、沸点が50℃〜200℃の範囲であり、メチルエチルケトン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等の群から選ばれる1種の単独溶剤又は2種以上の混合溶剤を用いることが好ましい。上述のように良好な半硬化樹脂膜を得るためである。そして、ここに示した樹脂固形分量の範囲が、銅箔の表面に塗布したときに、最も膜厚を精度の良いものに制御できる範囲である。樹脂固形分が30wt%未満の場合には、粘度が低すぎて、銅箔表面への塗布直後に流れて膜厚均一性を確保しにくい。これに対して、樹脂固形分が70wt%を越えると、粘度が高くなり、銅箔表面への薄膜形成が困難となる。なお、レジンフローが、5%未満の場合には、内層コア材の表面にある内層回路の凹凸部等にエアーの噛み込み等を起こすため好ましくない。一方、当該レジンフローが、35%を超える場合には、レジンフローが大きくなりすぎて、樹脂層を有するキャリア付銅箔の樹脂層を用いて形成する絶縁層の厚さが不均一になる。
キャリア付銅箔に前記硬化樹脂層および、半硬化樹脂層を設けた場合、立体成型プリント配線板製造用途に適した、樹脂層を有するキャリア付銅箔を提供することができる。
A solvent is added to the resin composition shown above and used as a resin varnish, and a thermosetting resin layer is formed as an adhesive layer of a printed wiring board. The resin varnish is prepared by adding a solvent to the above resin composition so that the resin solid content is in the range of 30 wt% to 70 wt%, and the resin flow when measured in accordance with MIL-P-13949G in the MIL standard. A semi-cured resin film in the range of 5% to 35% can be formed. As the solvent, the boiling point is in the range of 50 ° C. to 200 ° C., and it is preferable to use one kind of single solvent or two or more kinds of mixed solvents selected from the group of methyl ethyl ketone, dimethylacetamide, dimethylformamide and the like. This is to obtain a good semi-cured resin film as described above. And the range of the resin solid content shown here is a range in which the film thickness can be controlled to the most accurate one when applied to the surface of the copper foil. When the resin solid content is less than 30 wt%, the viscosity is too low, and it flows immediately after application to the copper foil surface, making it difficult to ensure film thickness uniformity. On the other hand, when the resin solid content exceeds 70 wt%, the viscosity increases and it becomes difficult to form a thin film on the surface of the copper foil. In addition, when the resin flow is less than 5%, it is not preferable because air entrapment or the like occurs in the uneven portions of the inner layer circuit on the surface of the inner layer core material. On the other hand, when the resin flow exceeds 35%, the resin flow becomes too large, and the thickness of the insulating layer formed using the resin layer of the carrier-attached copper foil having the resin layer becomes nonuniform.
When the said cured resin layer and a semi-hardened resin layer are provided in copper foil with a carrier, the copper foil with a carrier which has a resin layer suitable for a solid molded printed wiring board manufacture use can be provided.

また、前記樹脂層は前記半硬化絶縁層の片面に引き剥がし可能な保護フィルムを備えることが好ましい。前記保護フィルムには公知の絶縁フィルムや樹脂フィルムを用いることができる。例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、金属箔等を前記保護フィルムに用いることができる。
なお、前記樹脂層は硬化剤および/または硬化促進剤を含んでもよい。
前記樹脂層はMIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して測定したときのレジンフローが5%以内である樹脂組成物で形成された樹脂層であってもよい。
前記樹脂層は5重量部〜50重量部のエポキシ樹脂(硬化剤を含む)、50重量部〜95重量部の溶剤に可溶なポリエーテルサルホン、及び、必要に応じて適宜量添加する硬化促進剤からなる樹脂組成物を用いて構成したものであってもよい。
Moreover, it is preferable that the said resin layer is equipped with the protective film which can be peeled off to the single side | surface of the said semi-hardened insulating layer. A known insulating film or resin film can be used for the protective film. For example, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a metal foil, or the like can be used for the protective film.
The resin layer may contain a curing agent and / or a curing accelerator.
The resin layer may be a resin layer formed of a resin composition having a resin flow of 5% or less when measured according to MIL-P-13949G in the MIL standard.
The resin layer is 5 parts by weight to 50 parts by weight of an epoxy resin (including a curing agent), 50 parts by weight to 95 parts by weight of a polyether sulfone soluble in a solvent, and curing that is added in an appropriate amount as necessary. What was comprised using the resin composition which consists of an accelerator may be used.

また、前記樹脂層は以下に示す成分A〜成分Dを、下記含有量(但し、エポキシ樹脂
硬化剤を除き、樹脂組成物を100重量部としたときの重量部として記載)の範囲で含む
樹脂組成物で形成したものであってもよい。
成分A: 25℃における引張強度200MPa以上のポリアミドイミド樹脂 10重量
部〜20重量部
成分B: 25℃における引張強度100MPa以下のポリアミドイミド樹脂 20重量
部〜40重量部
成分C: エポキシ樹脂
成分D: エポキシ樹脂硬化剤
前記樹脂層は半硬化樹脂層であってもよい。
In addition, the resin layer contains the following components A to D in a range of the following content (provided that the resin composition is 100 parts by weight excluding the epoxy resin curing agent). It may be formed of a composition.
Component A: Polyamideimide resin having a tensile strength of 200 MPa or more at 25 ° C. 10 to 20 parts by weight Component B: Polyamideimide resin having a tensile strength of 100 MPa or less at 25 ° C. 20 to 40 parts by weight Component C: Epoxy resin component D: Epoxy resin curing agent The resin layer may be a semi-cured resin layer.

前記成分Aは、25℃における引張強度200MPa以上のポリアミドイミド樹脂である。ここで言う「引張強度200MPa以上のポリアミドイミド樹脂」とは、例えば、トリメリット酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物及びビトリレンジイソシアネートをN−メチル−2−ピロリドン又は/及びN,N−ジメチルアセトアミド等の溶剤中で加熱することで得られる樹脂等である。ここで、上限値を記載していないがポリイミドアミド樹脂の引張強度を考慮すると、このポリアミドイミド樹脂の引張強度の上限は、500MPa程度である。なお、本件発明における成分A及び成分Bに係るポリアミドイミド樹脂の引張強度は、ポリアミドイミド樹脂溶液から、JIS K7113に定めるフィルム状の2号試験片(全長115mm、チャック間距離80±5mm、平行部長さ33±2mm、平行部幅6±0.4mm、フィルム厚1〜3mm)を用いて、引張試験機で測定した値である。   The component A is a polyamideimide resin having a tensile strength of 200 MPa or more at 25 ° C. Here, “polyamideimide resin having a tensile strength of 200 MPa or more” means, for example, trimellitic acid anhydride, benzophenone tetracarboxylic acid anhydride and vitorylene diisocyanate as N-methyl-2-pyrrolidone or / and N, N— A resin obtained by heating in a solvent such as dimethylacetamide. Here, although the upper limit is not described, the upper limit of the tensile strength of the polyamide-imide resin is about 500 MPa in consideration of the tensile strength of the polyimide amide resin. In addition, the tensile strength of the polyamide-imide resin according to Component A and Component B in the present invention was determined from the polyamide-imide resin solution using a film-shaped No. 2 test piece as defined in JIS K7113 (total length 115 mm, distance between chucks 80 ± 5 mm, parallel length The thickness is 33 ± 2 mm, the parallel part width is 6 ± 0.4 mm, and the film thickness is 1 to 3 mm.

前記成分Bは、25℃における引張強度100MPa以下のポリアミドイミド樹脂である。ここで言う「引張強度100MPa以下のポリアミドイミド樹脂」とは、例えば、トリメリット酸無水物、ジフェニルメタンジイソシアネート及びカルボキシル基末端アクリロニトリル−ブタジエンゴムをN−メチル−2−ピロリドン又は/及びN,N−ジメチルアセトアミド等の溶剤中で加熱することで得られるものである。
前記成分C(エポキシ樹脂)の含有量は、樹脂組成物を100重量部としたとき、40重量部〜70重量部であってもよい。なお、エポキシ樹脂としては前述のエポキシ樹脂を用いることができる。前記成分D(エポキシ樹脂硬化剤)の含有量は、樹脂組成物に対して、エポキシ樹脂の硬化可能な程度のイミダゾール化合物を含有させるものであることが好ましい。前記半硬化樹脂層は、前記樹脂組成物で形成した揮発分が1wt%未満の半硬化状態の樹脂層であることが好ましい。上記含有量を満たした場合、樹脂層を有するキャリア付銅箔をロール状で保管又は輸送しても、樹脂層を有するキャリア付銅箔の樹脂層からキャリア付銅箔への有機溶剤の転写が無く、しかも、耐熱性、キャリア付銅箔との接着性の各特性に優れる樹脂層を備えるキャリア付銅箔を得ることができる。
The component B is a polyamideimide resin having a tensile strength at 25 ° C. of 100 MPa or less. Here, “polyamideimide resin having a tensile strength of 100 MPa or less” means, for example, trimellitic anhydride, diphenylmethane diisocyanate and carboxyl group-terminated acrylonitrile-butadiene rubber with N-methyl-2-pyrrolidone and / or N, N-dimethyl. It is obtained by heating in a solvent such as acetamide.
The content of component C (epoxy resin) may be 40 to 70 parts by weight when the resin composition is 100 parts by weight. In addition, the above-mentioned epoxy resin can be used as an epoxy resin. The content of component D (epoxy resin curing agent) is preferably such that the resin composition contains an imidazole compound that can cure the epoxy resin. The semi-cured resin layer is preferably a semi-cured resin layer having a volatile content of less than 1 wt% formed from the resin composition. When the above content is satisfied, even if the carrier-attached copper foil having a resin layer is stored or transported in a roll shape, the transfer of the organic solvent from the resin layer of the carrier-attached copper foil having the resin layer to the carrier-attached copper foil can be performed. In addition, it is possible to obtain a copper foil with a carrier provided with a resin layer having excellent heat resistance and adhesive properties with the copper foil with a carrier.

ここで、イミダゾール化合物は、公知のものを用いることができ、例えば、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールなどが挙げられ、これらを単独若しくは混合して用いることができる。   Here, as the imidazole compound, known compounds can be used. For example, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1- Cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl- 5-hydroxymethylimidazole etc. are mentioned, These can be used individually or in mixture.

なお、添加すべき硬化剤の量は、エポキシ樹脂の量、工程で要求する硬化速度等に応じて必然的に定まるものである。敢えて硬化剤としてのイミダゾール化合物の添加量を記載すると、樹脂組成物100重量部としたとき(但し、この場合は、成分A〜成分D全ての樹脂組成物を100重量部としたときの重量部として記載)、当該樹脂組成物中に0.01重量部〜2重量部の範囲で配合して用いる。そして、イミダゾール化合物の配合量は、0.02重量部〜1.5重量部がより好ましく、更に好ましくは、0.03重量部〜1.0重量部である。このイミダゾール化合物の配合量が0.01重量部未満の場合には、上記エポキシ樹脂の含有量を考慮すると硬化が不十分となる場合があり、樹脂層を有するキャリア付銅箔の樹脂層同士を張り合わせる際の接着強度が低下する。一方、イミダゾール化合物の配合量が2重量部を超える場合には、エポキシ樹脂の硬化反応が速くなり、硬化後の樹脂層が脆くなり、硬化樹脂フィルムの強度、樹脂付銅箔の樹脂層同士を張り合わせる際の接着性が低下する場合がある。
なお、成分Cのエポキシ樹脂、成分Dのエポキシ樹脂硬化剤には公知の成分Cのエポキシ樹脂、成分Dのエポキシ樹脂硬化剤または本願明細書に記載の成分Cのエポキシ樹脂、成分Dのエポキシ樹脂硬化剤を用いることができる。
The amount of the curing agent to be added is inevitably determined according to the amount of epoxy resin, the curing rate required in the process, and the like. The amount of the imidazole compound added as a curing agent is described as 100 parts by weight of the resin composition. In the range of 0.01 to 2 parts by weight in the resin composition. And the compounding quantity of an imidazole compound has more preferable 0.02 weight part-1.5 weight part, More preferably, it is 0.03 weight part-1.0 weight part. When the compounding amount of the imidazole compound is less than 0.01 parts by weight, curing may be insufficient in consideration of the content of the epoxy resin, and the resin layers of the copper foil with a carrier having a resin layer may be combined. Adhesive strength at the time of bonding decreases. On the other hand, when the compounding amount of the imidazole compound exceeds 2 parts by weight, the curing reaction of the epoxy resin is accelerated, the resin layer after curing becomes brittle, the strength of the cured resin film, the resin layers of the copper foil with resin, Adhesiveness at the time of pasting may deteriorate.
In addition, the epoxy resin of component C, the epoxy resin curing agent of component D, the known epoxy resin of component C, the epoxy resin curing agent of component D or the epoxy resin of component C described in this specification, the epoxy resin of component D A curing agent can be used.

前記樹脂層は半硬化状態における耐吸湿特性を備える樹脂組成物であって、当該樹脂組成物は、以下のA成分〜E成分を含み、樹脂組成物重量を100重量%としたときリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲で含有した樹脂組成物を用いて形成されてもよい。
A成分: エポキシ当量が200以下で、25℃で液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上。
B成分: 架橋可能な官能基を有する線状ポリマー。
C成分: 架橋剤。
D成分: イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤。
E成分: リン含有エポキシ樹脂。
前記B成分である官能基を有する線状ポリマーは、沸点が50℃〜200℃の温度の有機溶剤に可溶なポリマー成分であることが好ましい。具体的にはポリビニルアセタール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアミドイミド樹脂等である。前記架橋可能な官能基を有する線状ポリマーは、樹脂組成物を100重量部としたとき、3重量部〜30重量部の配合割合で用いられることが好ましい。当該エポキシ樹脂が3重量部未満の場合には、樹脂流れが大きくなる場合がある。この結果、製造した銅張積層板の端部から樹脂粉の発生が多く見られる場合があり、半硬化状態での樹脂層の耐吸湿性も改善出来ない場合がある。一方、30重量部を超えても、樹脂流れが小さい場合があり、製造した銅張積層板の絶縁層内にボイド等の欠陥を生じやすくなる場合がある。
The resin layer is a resin composition having moisture absorption resistance in a semi-cured state, and the resin composition includes the following components A to E, and contains phosphorus atoms when the resin composition weight is 100% by weight. You may form using the resin composition contained in 0.5 weight%-3.0 weight%.
Component A: One or more selected from the group consisting of bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, and bisphenol AD type epoxy resin having an epoxy equivalent of 200 or less and liquid at 25 ° C.
Component B: A linear polymer having a crosslinkable functional group.
Component C: Crosslinking agent.
D component: Imidazole-based epoxy resin curing agent.
E component: Phosphorus-containing epoxy resin.
The linear polymer having a functional group as the component B is preferably a polymer component soluble in an organic solvent having a boiling point of 50 ° C. to 200 ° C. Specifically, polyvinyl acetal resin, phenoxy resin, polyethersulfone resin, polyamideimide resin, and the like. The linear polymer having a crosslinkable functional group is preferably used in a blending ratio of 3 to 30 parts by weight when the resin composition is 100 parts by weight. When the epoxy resin is less than 3 parts by weight, the resin flow may increase. As a result, a large amount of resin powder may be observed from the end of the produced copper-clad laminate, and the moisture absorption resistance of the resin layer in a semi-cured state may not be improved. On the other hand, even if it exceeds 30 parts by weight, the resin flow may be small, and defects such as voids may easily occur in the insulating layer of the produced copper-clad laminate.

また、ここで言う沸点が50℃〜200℃の温度の有機溶剤を具体的に例示すると、メタノール、エタノール、メチルエチルケトン、トルエン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、シクロヘキサノン、エチルセロソルブ等の群から選ばれる1種の単独溶剤又は2種以上の混合溶剤である。沸点が50℃未満の場合には、加熱による溶剤の気散が著しく、樹脂ワニスの状態から半硬化樹脂とする場合に、良好な半硬化状態が得られにくくなる場合がある。一方、沸点が200℃を超える場合には、半硬化状態で溶剤が残りやすい場合がある。そして、通常要求される揮発速度を満足せず、工業生産性を満足しない可能性がある。
C成分は、B成分とエポキシ樹脂との架橋反応を起こさせるための架橋剤である。この架橋剤には、ウレタン系樹脂を使用することが好ましい。この架橋剤は、B成分の混合量に応じて添加されるものであり、本来厳密にその配合割合を明記する必要性はないものと考える。しかしながら、樹脂組成物を100重量部としたとき、10重量部以下の配合割合で用いる事が好ましい。10重量部を超えて、ウレタン系樹脂であるC成分が存在すると、半硬化状態での樹脂層の耐吸湿性が劣化し、硬化後の樹脂層が脆くなるからである。
Specific examples of the organic solvent having a boiling point of 50 ° C. to 200 ° C. mentioned here include groups such as methanol, ethanol, methyl ethyl ketone, toluene, propylene glycol monomethyl ether, dimethylformamide, dimethylacetamide, cyclohexanone, and ethyl cellosolve. 1 type of single solvent or 2 or more types of mixed solvents chosen from these. When the boiling point is less than 50 ° C., the solvent is greatly diffused by heating, and it may be difficult to obtain a good semi-cured state from the resin varnish to the semi-cured resin. On the other hand, when the boiling point exceeds 200 ° C., the solvent may easily remain in a semi-cured state. In addition, the normally required volatilization rate may not be satisfied, and industrial productivity may not be satisfied.
The component C is a crosslinking agent for causing a crosslinking reaction between the component B and the epoxy resin. As this crosslinking agent, it is preferable to use a urethane-based resin. This cross-linking agent is added according to the mixing amount of the B component, and it is considered that there is no need to specify the mixing ratio strictly strictly. However, when the resin composition is 100 parts by weight, it is preferably used at a blending ratio of 10 parts by weight or less. If the C component which is a urethane-based resin is present exceeding 10 parts by weight, the moisture absorption resistance of the resin layer in the semi-cured state is deteriorated, and the cured resin layer becomes brittle.

D成分は、イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤である。本件発明に係る樹脂組成物で、半硬化状態の樹脂層の耐吸湿性を向上させるという観点からイミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤を選択的に用いる事が好ましい。中でも、以下の化7に示す構造式を備えるイミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤を用いる事が好ましい。この化7に示す構造式のイミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤を用いることで、半硬化状態の樹脂層の耐吸湿性を顕著に向上でき、長期保存安定性に優れる。なお、エポキシ樹脂に対するエポキシ樹脂硬化剤の添加量は、反応当量から計算するのではなく、実験上得られる最適量を採用することが好ましい。イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤は、エポキシ樹脂の硬化に際して触媒的な働きを行うものであり、硬化反応の初期段階において、エポキシ樹脂の自己重合反応を引き起こす反応開始剤として寄与するからである。   Component D is an imidazole epoxy resin curing agent. In the resin composition according to the present invention, it is preferable to selectively use an imidazole epoxy resin curing agent from the viewpoint of improving the moisture absorption resistance of the semi-cured resin layer. Among these, it is preferable to use an imidazole-based epoxy resin curing agent having the structural formula shown in Chemical Formula 7 below. By using the imidazole-type epoxy resin curing agent having the structural formula shown in Chemical Formula 7, the moisture absorption resistance of the semi-cured resin layer can be remarkably improved, and the long-term storage stability is excellent. In addition, it is preferable to employ | adopt the optimal amount obtained experimentally as the addition amount of the epoxy resin hardening | curing agent with respect to an epoxy resin not calculating from a reaction equivalent. This is because the imidazole-based epoxy resin curing agent performs a catalytic function in curing the epoxy resin and contributes as a reaction initiator that causes a self-polymerization reaction of the epoxy resin in the initial stage of the curing reaction.

前記E成分であるリン含有エポキシ樹脂は、分子内に2以上のエポキシ基を備える9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂であることが好ましい。
10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドの構造式は下記の通りである。
The phosphorus-containing epoxy resin as the E component is an epoxy resin obtained as a derivative from 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide having two or more epoxy groups in the molecule. It is preferable.
The structural formula of 10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide is as follows.

この9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂は、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドにナフトキノンやハイドロキノンを反応させて、以下の化9(HCA−NQ)又は化10(HCA−HQ)に示す化合物とした後に、そのOH基の部分にエポキシ樹脂を反応させてリン含有エポキシ樹脂としたものである。   The epoxy resin obtained as a derivative from 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide is converted to 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide. After reacting naphthoquinone or hydroquinone to obtain a compound represented by the following chemical formula 9 (HCA-NQ) or chemical formula 10 (HCA-HQ), an epoxy resin is reacted with the OH group portion to obtain a phosphorus-containing epoxy resin. Is.

上述の化合物を原料として得られた前記E成分であるリン含有エポキシ樹脂は、以下に示す化11〜化13のいずれかに示す構造式を備える化合物の1種又は2種を混合して用いることが好ましい。半硬化状態での樹脂品質の安定性に優れ、同時に難燃性効果が高いためである。   The phosphorus-containing epoxy resin, which is the E component obtained using the above-mentioned compound as a raw material, is used by mixing one or two compounds having the structural formula shown in any one of the following chemical formulas 11 to 13 Is preferred. This is because the resin quality in a semi-cured state is excellent in stability, and at the same time, the flame retardant effect is high.

前記樹脂組成物は樹脂組成物重量を100重量部としたとき、A成分が3重量部〜20重量部、B成分が3重量部〜30重量部、樹脂組成物重量を100重量%としたときリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲となるようにE成分の重量部を定める樹脂組成物であることが好ましい。   When the resin composition has a resin composition weight of 100 parts by weight, the A component is 3 parts by weight to 20 parts by weight, the B component is 3 parts by weight to 30 parts by weight, and the resin composition weight is 100% by weight. The resin composition is preferably a resin composition in which parts by weight of the E component are determined so that the phosphorus atom is in the range of 0.5 wt% to 3.0 wt%.

前記樹脂層は、以下のA成分〜F成分の各成分を含む樹脂組成物を用いて形成してもよい。
A成分: エポキシ当量が200以下で、25℃で液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上。
B成分: 架橋可能な官能基を有する線状ポリマー。
C成分: 架橋剤(但し、A成分がB成分の架橋剤として機能する場合には省略可。)。D成分: 4,4’−ジアミノジフェニルスルホン又は2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン。
E成分: 難燃性エポキシ樹脂。
F成分: 多官能エポキシ樹脂。
G成分: 硬化促進剤。
前記B成分である架橋可能な官能基を有する線状ポリマーは、ポリビニルアセタール樹脂又はポリアミドイミド樹脂であることが好ましい。
前記C成分である架橋剤は、ウレタン系樹脂であることが好ましい。
前記E成分である難燃性エポキシ樹脂は、分子内に2以上のエポキシ基を備えるテトラブロモビスフェノールAからの誘導体として得られる化14に示す構造式を備える臭素化エポキシ樹脂、以下に示す化15に示す構造式を備える臭素化エポキシ樹脂の1種又は2種を混合して用いることが好ましい。
You may form the said resin layer using the resin composition containing each component of the following A component-F component.
Component A: One or more selected from the group consisting of bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, and bisphenol AD type epoxy resin having an epoxy equivalent of 200 or less and liquid at 25 ° C.
Component B: A linear polymer having a crosslinkable functional group.
Component C: Crosslinking agent (provided that the component A can be omitted when the component A functions as a crosslinking agent for component B). Component D: 4,4′-diaminodiphenylsulfone or 2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane.
E component: Flame retardant epoxy resin.
F component: Polyfunctional epoxy resin.
G component: A curing accelerator.
The linear polymer having a crosslinkable functional group as the component B is preferably a polyvinyl acetal resin or a polyamideimide resin.
It is preferable that the crosslinking agent as the component C is a urethane resin.
The flame retardant epoxy resin as the component E is a brominated epoxy resin having the structural formula shown in Chemical formula 14 obtained as a derivative from tetrabromobisphenol A having two or more epoxy groups in the molecule, and chemical formula 15 shown below. It is preferable to use one or two brominated epoxy resins having the structural formula shown in FIG.

前記E成分である難燃性エポキシ樹脂は、分子内に2以上のエポキシ基を備える9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド誘導体であるリン含有エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
前記E成分である難燃性エポキシ樹脂は、以下に示す化16〜化18のいずれかに示す構造式を備えるリン含有エポキシ樹脂の1種又は2種を混合して用いることが好ましい。
The flame retardant epoxy resin which is the E component uses a phosphorus-containing epoxy resin which is a 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide derivative having two or more epoxy groups in the molecule. It is preferable.
The flame retardant epoxy resin that is the component E is preferably used by mixing one or two phosphorus-containing epoxy resins having the structural formula shown in any one of the following chemical formulas 16 to 18.

前記F成分の多官能エポキシ樹脂としてオルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
前記樹脂層を形成するための樹脂組成物の重量を100重量部としたとき、A成分が3重量部〜20重量部、B成分が3重量部〜30重量部、C成分が3重量部〜10重量部(A成分がB成分の架橋剤として機能する場合には0重量部〜10重量部)、D成分が5重量部〜20重量部、F成分が3重量部〜20重量部であり、樹脂組成物重量を100重量%としたとき、E成分由来の臭素原子を12重量%〜18重量%の範囲含有するようにE成分の重量部を定めることが好ましい。
前記樹脂層を形成するための樹脂組成物の重量を100重量部としたとき、A成分が3重量部〜20重量部、B成分が3重量部〜30重量部、C成分が3重量部〜10重量部(A成分がB成分の架橋剤として機能する場合には0重量部〜10重量部)、D成分が5重量部〜20重量部、F成分が3重量部〜20重量部であり、 樹脂組成物重量を100重量%としたとき、E成分由来のリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲含有するようにE成分の重量部を定めるものであることが好ましい。
前記樹脂層を形成するための樹脂組成物はG成分として硬化促進剤を含むことが好ましい。
前記樹脂層は以下の工程a、工程bの手順で樹脂層の形成に用いる樹脂ワニスを調製し、当該樹脂ワニスをキャリア付銅箔の表面に塗布し、乾燥させることで5μm〜100μmの平均厚さの半硬化樹脂膜を形成してされることが好ましい。
工程a: 前記A成分、B成分、C成分(A成分がB成分の架橋剤として機能する場合には省略可)、D成分、E成分、F成分、G成分の内、A成分〜F成分を必須成分とした樹脂組成物の重量を100重量%としたとき、E成分由来の臭素原子を12重量%〜18重量%の範囲又はリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲で含有するように各成分を混合して樹脂組成物とする。
工程b: 前記樹脂組成物を、有機溶剤を用いて溶解し、樹脂固形分量が25重量%〜50重量%の樹脂ワニスとする。
It is preferable to use an ortho cresol novolac type epoxy resin as the polyfunctional epoxy resin of the F component.
When the weight of the resin composition for forming the resin layer is 100 parts by weight, the A component is 3 to 20 parts by weight, the B component is 3 to 30 parts by weight, and the C component is 3 parts by weight. 10 parts by weight (0 to 10 parts by weight when the A component functions as a crosslinking agent for the B component), 5 to 20 parts by weight of the D component, and 3 to 20 parts by weight of the F component When the weight of the resin composition is 100% by weight, it is preferable to determine the weight part of the E component so that the bromine atom derived from the E component is contained in the range of 12% by weight to 18% by weight.
When the weight of the resin composition for forming the resin layer is 100 parts by weight, the A component is 3 to 20 parts by weight, the B component is 3 to 30 parts by weight, and the C component is 3 parts by weight. 10 parts by weight (0 to 10 parts by weight when the A component functions as a crosslinking agent for the B component), 5 to 20 parts by weight of the D component, and 3 to 20 parts by weight of the F component When the weight of the resin composition is 100% by weight, it is preferable that the part by weight of the E component is determined so that the phosphorus atom derived from the E component is contained in the range of 0.5% by weight to 3.0% by weight. .
The resin composition for forming the resin layer preferably contains a curing accelerator as the G component.
The said resin layer prepares the resin varnish used for formation of a resin layer in the procedure of the following process a and process b, the said resin varnish is apply | coated to the surface of copper foil with a carrier, and average thickness of 5 micrometers-100 micrometers is dried. It is preferable to form a semi-cured resin film.
Step a: A component to F component among the A component, B component, C component (may be omitted when the A component functions as a crosslinking agent for the B component), D component, E component, F component, G component When the weight of the resin composition containing as an essential component is 100% by weight, the bromine atom derived from the E component is in the range of 12% to 18% by weight or the phosphorus atom is 0.5% to 3.0% by weight. Each component is mixed so that it may be contained in a range to obtain a resin composition.
Process b: The said resin composition is melt | dissolved using an organic solvent, and it is set as the resin varnish whose resin solid content is 25 to 50 weight%.

前記樹脂層は以下のA成分〜E成分の各成分を含む樹脂組成物を用いて形成されることが好ましい。
A成分: エポキシ当量が200以下で、室温で液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上からなるエポキシ樹脂。
B成分: 高耐熱性エポキシ樹脂。
C成分: リンを含有した難燃性エポキシ樹脂。
D成分: 沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤に可溶な性質を備える液状ゴム成分で変成したゴム変成ポリアミドイミド樹脂。
E成分: ビフェニル型フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂の1種又は2種以上からなる樹脂硬化剤。
前記樹脂層は前記A成分〜E成分の各成分に加えて、更にF成分としてエポキシ樹脂との反応性を有さないリン含有難燃剤を含む樹脂組成物を用いて形成されることが好ましい。
The resin layer is preferably formed using a resin composition containing the following components A to E.
Component A: An epoxy resin having one or more selected from the group consisting of a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, and a bisphenol AD type epoxy resin that have an epoxy equivalent of 200 or less and are liquid at room temperature.
B component: High heat-resistant epoxy resin.
Component C: Flame retardant epoxy resin containing phosphorus.
Component D: A rubber-modified polyamide-imide resin modified with a liquid rubber component having a property that is soluble in a solvent having a boiling point in the range of 50 ° C. to 200 ° C.
Component E: A resin curing agent comprising one or more of a biphenyl type phenol resin and a phenol aralkyl type phenol resin.
The resin layer is preferably formed using a resin composition containing a phosphorus-containing flame retardant having no reactivity with an epoxy resin as the F component in addition to the components A to E.

A成分は、エポキシ当量が200以下で、室温で液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上からなるエポキシ樹脂である。ここで、ビスフェノール系エポキシ樹脂を選択使用しているのは、後述するD成分(ゴム変成ポリアミドイミド樹脂)との相性が良く、半硬化状態での樹脂膜に適度なフレキシビリティの付与が容易だからである。そして、エポキシ当量が200を超えると、樹脂が室温で半固形となり、半硬化状態でのフレキシビリティーが減少するので好ましくない。更に、上述のビスフェノール系エポキシ樹脂であれば、1種を単独で用いても、2種以上を混合で用いても構わない。しかも、2種以上を混合して用いる場合には、その混合比に関しても特段の限定はない。   The component A is an epoxy resin composed of one or more selected from the group consisting of a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, and a bisphenol AD type epoxy resin that have an epoxy equivalent of 200 or less and are liquid at room temperature. Here, the bisphenol-based epoxy resin is selectively used because it has good compatibility with the D component (rubber-modified polyamideimide resin) described later, and it is easy to impart appropriate flexibility to the resin film in a semi-cured state. It is. When the epoxy equivalent exceeds 200, the resin becomes semi-solid at room temperature, and the flexibility in the semi-cured state is decreased, which is not preferable. Furthermore, if it is the above-mentioned bisphenol-type epoxy resin, 1 type may be used independently or 2 or more types may be used in mixture. In addition, when two or more kinds are mixed and used, there is no particular limitation with respect to the mixing ratio.

このエポキシ樹脂は、樹脂組成物を100重量部としたとき、3重量部〜20重量部の配合割合で用いることが好ましい。当該エポキシ樹脂が3重量部未満の場合には、熱硬化性を十分に発揮せず内層フレキシブルプリント配線板とのバインダーとしての機能も、樹脂付銅箔としての銅箔との密着性も十分に果たし難くなる。一方、20重量部を超えると、他の樹脂成分とのバランスから樹脂ワニスとしたときの粘度が高くなり、樹脂付銅箔を製造するとき、銅箔表面へ均一な厚さでの樹脂膜の形成が困難となる。しかも、後述するD成分(ゴム変成ポリアミドイミド樹脂)との添加量を考慮すると、硬化後の樹脂層として十分な靭性が得られなくなる。   This epoxy resin is preferably used in a blending ratio of 3 parts by weight to 20 parts by weight when the resin composition is 100 parts by weight. When the epoxy resin is less than 3 parts by weight, the thermosetting property is not sufficiently exhibited, and the function as a binder with the inner layer flexible printed wiring board and the adhesiveness with the copper foil as the resin-coated copper foil are sufficient. It becomes difficult to do. On the other hand, when the amount exceeds 20 parts by weight, the viscosity of the resin varnish increases from the balance with other resin components, and when the resin-coated copper foil is produced, the resin film with a uniform thickness is formed on the copper foil surface. Formation becomes difficult. In addition, considering the amount of addition with a D component (rubber-modified polyamideimide resin) described later, sufficient toughness as a cured resin layer cannot be obtained.

B成分は、所謂ガラス転移点の高い「高耐熱性エポキシ樹脂」である。ここで言う「高耐熱性エポキシ樹脂」は、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂であることが好ましい。そして、このB成分は、樹脂組成物を100重量部としたとき、3重量部〜30重量部の範囲で用いることが好ましい。B成分が3重量部未満の場合には、樹脂組成物の高Tg化が全く図れない。一方、B成分が30重量部を超える場合には、硬化後の樹脂が脆くなり、フレキシビリティが完全に損なわれるためフレキシブルプリント配線板用途として好ましくない。より好ましくは、B成分は、10重量部〜20重量部の範囲で用いることで、樹脂組成物の高Tg化と硬化後の樹脂の良好なフレキシビリティとを安定して両立できる。   The B component is a “high heat resistant epoxy resin” having a high so-called glass transition point. The “high heat-resistant epoxy resin” referred to here is preferably a polyfunctional epoxy resin such as a novolac-type epoxy resin, a cresol novolac-type epoxy resin, a phenol novolac-type epoxy resin, or a naphthalene-type epoxy resin. And it is preferable to use this B component in the range of 3 weight part-30 weight part, when a resin composition is 100 weight part. When the component B is less than 3 parts by weight, the resin composition cannot have a high Tg. On the other hand, when the B component exceeds 30 parts by weight, the cured resin becomes brittle and the flexibility is completely impaired, which is not preferable for flexible printed wiring board applications. More preferably, by using the B component in the range of 10 to 20 parts by weight, it is possible to stably achieve both high Tg of the resin composition and good flexibility of the cured resin.

C成分としては、所謂ハロゲンフリー系の難燃性エポキシ樹脂であり、リン含有難燃性エポキシ樹脂を用いる。リン含有難燃性エポキシ樹脂とは、エポキシ骨格の中にリンを含んだエポキシ樹脂の総称である。そして、本件出願に係る樹脂組成物のリン原子含有量を、樹脂組成物重量を100重量%としたとき、C成分由来のリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲とできるリン含有難燃性エポキシ樹脂であれば、いずれの使用も可能である。しかしながら、分子内に2以上のエポキシ基を備える9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド誘導体であるリン含有難燃性エポキシ樹脂を用いることが、半硬化状態での樹脂品質の安定性に優れ、同時に難燃性効果が高いため好ましい。参考のために、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドの構造式を化19に示す。   The component C is a so-called halogen-free flame-retardant epoxy resin, and a phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin is used. The phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin is a general term for epoxy resins containing phosphorus in an epoxy skeleton. And when the phosphorus atom content of the resin composition according to the present application is 100% by weight of the resin composition, the phosphorus atom derived from component C can be in the range of 0.5% to 3.0% by weight. Any phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin can be used. However, it is possible to use a phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin that is a 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide derivative having two or more epoxy groups in the molecule in a semi-cured state. It is preferable because of its excellent resin quality stability and high flame retardant effect. For reference, the structural formula of 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide is shown in Chemical Formula 19.

そして、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド誘導体であるリン含有難燃性エポキシ樹脂を具体的に例示すると、化20に示す構造式を備える化合物の使用が好ましい。半硬化状態での樹脂品質の安定性に優れ、同時に難燃性効果が高いため好ましい。   And when the phosphorus containing flame-retardant epoxy resin which is a 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide derivative is illustrated concretely, use of the compound provided with the structural formula shown in Chemical formula 20 preferable. It is preferable because it is excellent in the stability of the resin quality in a semi-cured state and at the same time has a high flame retardant effect.

また、C成分のリン含有難燃性エポキシ樹脂として、以下に示す化21に示す構造式を備える化合物も好ましい。化20に示すリン含有難燃性エポキシ樹脂と同様に、半硬化状態での樹脂品質の安定性に優れ、同時に高い難燃性の付与が可能であるため好ましい。   In addition, as the phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin of component C, a compound having the structural formula shown in Chemical formula 21 shown below is also preferable. Like the phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin shown in Chemical formula 20, it is preferable because it is excellent in the stability of the resin quality in the semi-cured state and at the same time can impart high flame retardancy.

更に、C成分のリン含有難燃性エポキシ樹脂として、以下に示す化22に示す構造式を備える化合物も好ましい。化20及び化21に示すリン含有難燃性エポキシ樹脂と同様に、半硬化状態での樹脂品質の安定性に優れ、同時に高い難燃性の付与が可能であるため好ましい。   Furthermore, as the phosphorus-containing flame retardant epoxy resin of component C, a compound having the structural formula shown in Chemical Formula 22 shown below is also preferable. Like the phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin shown in Chemical Formula 20 and Chemical Formula 21, it is preferable because it is excellent in the stability of the resin quality in the semi-cured state and at the same time can impart high flame retardancy.

この9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂は、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドにナフトキノンやハイドロキノンを反応させて、以下の化23(HCA−NQ)又は化24(HCA−HQ)に示す化合物とした後に、そのOH基の部分にエポキシ樹脂を反応させてリン含有難燃性エポキシ樹脂としたものが挙げられる。   The epoxy resin obtained as a derivative from 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide is converted to 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide. After reacting with naphthoquinone or hydroquinone to obtain a compound represented by the following chemical formula 23 (HCA-NQ) or chemical formula 24 (HCA-HQ), an epoxy resin is reacted with the OH group portion to obtain a phosphorus-containing flame-retardant epoxy. What was made into resin is mentioned.

ここでリン含有難燃性エポキシ樹脂を用いる場合の樹脂組成物は、C成分としてのリン含有難燃性エポキシ樹脂の1種類を単独で用いても、2種類以上のリン含有難燃性エポキシ樹脂を混合して用いても構わない。但し、C成分としてのリン含有難燃性エポキシ樹脂の総量を考慮して、樹脂組成物重量を100重量%としたとき、C成分由来のリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲となるように添加することが好ましい。リン含有難燃性エポキシ樹脂は、その種類によりエポキシ骨格内に含有するリン原子量が異なる。そこで、上述のようにリン原子の含有量を規定して、C成分の添加量に代える事が可能である。但し、C成分は、通常、樹脂組成物を100重量部としたとき、5重量部〜50重量部の範囲で用いられる。C成分が5重量部未満の場合には、他の樹脂成分の配合割合を考慮すると、C成分由来のリン原子を0.5重量%以上とすることが困難になり、難燃性を得ることが出来ない。一方、C成分が50重量部を超えるようにしても、難燃性向上効果も飽和すると同時に、硬化後の樹脂層が脆くなるため好ましくない。   Here, the resin composition in the case of using the phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin is not limited to two types of phosphorus-containing flame-retardant epoxy resins even if one of the phosphorus-containing flame-retardant epoxy resins as the C component is used alone. May be used in combination. However, in consideration of the total amount of the phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin as the C component, when the weight of the resin composition is 100% by weight, the phosphorus atom derived from the C component is 0.5% to 3.0% by weight. It is preferable to add so that it may become this range. The phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin has different amounts of phosphorus atoms contained in the epoxy skeleton depending on the type. Therefore, it is possible to define the phosphorus atom content as described above and replace it with the added amount of the C component. However, the component C is usually used in the range of 5 to 50 parts by weight when the resin composition is 100 parts by weight. In the case where the C component is less than 5 parts by weight, it is difficult to make the phosphorus atom derived from the C component 0.5% by weight or more in consideration of the blending ratio of other resin components, and to obtain flame retardancy. I can't. On the other hand, even if the C component exceeds 50 parts by weight, the effect of improving flame retardancy is saturated, and at the same time, the cured resin layer becomes brittle, which is not preferable.

上述の硬化樹脂の「高Tg化」と「フレキシビリティ」とは、一般的に反比例する特性である。このときリン含有難燃性エポキシ樹脂は、硬化後の樹脂のフレキシビリティの向上に寄与するもの、高Tg化に寄与するものが存在する。従って、1種類のリン含有難燃性エポキシ樹脂を用いるよりは、「高Tg化に寄与するリン含有難燃性エポキシ樹脂」と「フレキシビリティの向上に寄与するリン含有難燃性エポキシ樹脂」とをバランス良く配合して用いることで、フレキシブルプリント配線板用途で好適な樹脂組成とすることが可能である。   “High Tg” and “flexibility” of the cured resin described above are generally inversely proportional characteristics. At this time, there are phosphorus-containing flame-retardant epoxy resins that contribute to improving the flexibility of the cured resin and those that contribute to a higher Tg. Therefore, rather than using one type of phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin, “phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin that contributes to higher Tg” and “phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin that contributes to improved flexibility” By mixing and using in a well-balanced manner, it is possible to obtain a resin composition suitable for flexible printed wiring board applications.

D成分は、沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤に可溶で、液状ゴム成分で変成されたゴム変成ポリアミドイミド樹脂である。このゴム変成ポリアミドイミド樹脂は、ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂とを反応させて得られるものである。ここで言う、ゴム変成ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂とを反応させて用いるのは、ポリアミドイミド樹脂そのものの柔軟性を向上させる目的で行う。即ち、ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂とを反応させ、ポリアミドイミド樹脂の酸成分(シクロヘキサンジカルボン酸等)の一部をゴム成分に置換するのである。ゴム成分としては、天然ゴム及び合成ゴムを含む概念として記載しており、後者の合成ゴムにはスチレン−ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、ブチルゴム、エチレン−プロピレンゴム等がある。更に、耐熱性を確保する観点からは、ニトリルゴム、クロロプレンゴム、シリコンゴム、ウレタンゴム等の耐熱性を備えた合成ゴムを選択使用することも有用である。これらのゴム性樹脂に関しては、ポリアミドイミド樹脂と反応して共重合体を製造するようになるため、両末端に種々の官能基を備えるものであることが望ましい。特に、カルボキシル基を有するCTBN(カルボキシ基末端ブタジエンニトリル)を用いることが有用である。なお、上記ゴム成分は、1種のみを共重合させても、2種以上を共重合させても構わない。更に、ゴム成分を用いる場合には、そのゴム成分の数平均分子量が1000以上のものを用いることが、当該フレキシビリティの安定化の観点から好ましい。   Component D is a rubber-modified polyamideimide resin that is soluble in a solvent having a boiling point in the range of 50 ° C. to 200 ° C. and modified with a liquid rubber component. This rubber-modified polyamideimide resin is obtained by reacting a polyamideimide resin and a rubber resin. The rubber-modified polyamide-imide resin and the rubber-like resin used here are reacted for the purpose of improving the flexibility of the polyamide-imide resin itself. That is, the polyamideimide resin and the rubber resin are reacted to replace a part of the acid component (cyclohexanedicarboxylic acid or the like) of the polyamideimide resin with the rubber component. The rubber component is described as a concept including natural rubber and synthetic rubber, and the latter synthetic rubber includes styrene-butadiene rubber, butadiene rubber, butyl rubber, ethylene-propylene rubber and the like. Furthermore, from the viewpoint of ensuring heat resistance, it is also useful to selectively use a synthetic rubber having heat resistance such as nitrile rubber, chloroprene rubber, silicon rubber, urethane rubber and the like. Since these rubber resins react with the polyamide-imide resin to produce a copolymer, it is desirable to have various functional groups at both ends. In particular, it is useful to use CTBN (carboxy group-terminated butadiene nitrile) having a carboxyl group. In addition, the said rubber component may copolymerize only 1 type or may copolymerize 2 or more types. Further, when a rubber component is used, it is preferable to use a rubber component having a number average molecular weight of 1000 or more from the viewpoint of stabilization of the flexibility.

ゴム変成ポリアミドイミド樹脂を重合させる際に、ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂との溶解に使用する溶剤には、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ニトロメタン、ニトロエタン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトニトリル、γ−ブチロラクトン等を、1種又は2種以上を混合して用いることが好ましい。そして、重合反応を起こさせるには、80℃〜200℃の範囲の重合温度を採用することが好ましい。これらの重合に沸点が200℃を超える溶剤を用いた場合には、その後、用途に応じて沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤に溶媒置換することが好ましい。   Solvents used for dissolving the polyamideimide resin and the rubbery resin when polymerizing the rubber-modified polyamideimide resin include dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylsulfoxide, nitromethane, nitroethane, tetrahydrofuran , Cyclohexanone, methyl ethyl ketone, acetonitrile, γ-butyrolactone, and the like are preferably used alone or in combination. And in order to raise | generate a polymerization reaction, it is preferable to employ | adopt the polymerization temperature of the range of 80 to 200 degreeC. When a solvent having a boiling point of more than 200 ° C. is used for these polymerizations, it is preferable that the solvent be replaced with a solvent having a boiling point in the range of 50 ° C. to 200 ° C., depending on the application.

ここで、前記沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤としては、メチルエチルケトン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等の群から選ばれる1種の単独溶剤又は2種以上の混合溶剤が挙げられる。沸点が50℃未満の場合には、加熱による溶剤の気散が著しくなり、樹脂ワニスの状態から半硬化樹脂とする場合に、良好な半硬化状態が得られにくくなる。一方、沸点が200℃を超える場合には、樹脂ワニスの状態から半硬化樹脂とする場合に、バブリングが起こりやすくなるため、良好な半硬化樹脂膜が得られ難くなる。   Here, examples of the solvent having a boiling point in the range of 50 ° C. to 200 ° C. include one single solvent or two or more mixed solvents selected from the group of methyl ethyl ketone, dimethylacetamide, dimethylformamide and the like. When the boiling point is lower than 50 ° C., the solvent is greatly diffused by heating, and it is difficult to obtain a good semi-cured state when the resin varnish is changed to a semi-cured resin. On the other hand, when the boiling point exceeds 200 ° C., bubbling is likely to occur when the resin varnish is used as a semi-cured resin, and it is difficult to obtain a good semi-cured resin film.

本件発明に係る樹脂組成物で用いるゴム変成ポリアミドイミド樹脂の中で、ゴム変成ポリアミドイミド樹脂の重量を100重量%としたとき、ゴム成分の共重合量は0.8重量%以上であることが好ましい。当該共重合量が0.8重量%未満の場合には、ゴム変成ポリアミドイミド樹脂としても、本件発明に言う樹脂組成物を用いて形成した樹脂層を硬化させたときのフレキシビリティが欠如し、銅箔との密着性も低下するため好ましくない。なお、より好ましくは、当該ゴム成分の共重合量は3重量%以上、更に好ましくは5重量%以上がより好ましい。経験的に40重量%を超えてゴム成分の添加量を向上させても、特段の問題はない。しかし、当該硬化後の樹脂層のフレキシビリティの向上効果は飽和するために資源の無駄となり好ましくない。   Among the rubber-modified polyamideimide resins used in the resin composition according to the present invention, when the weight of the rubber-modified polyamideimide resin is 100% by weight, the copolymerization amount of the rubber component is 0.8% by weight or more. preferable. When the copolymerization amount is less than 0.8% by weight, the rubber-modified polyamide-imide resin lacks flexibility when the resin layer formed using the resin composition according to the present invention is cured, Since the adhesiveness with copper foil also falls, it is not preferable. More preferably, the copolymerization amount of the rubber component is 3% by weight or more, more preferably 5% by weight or more. Empirically, there is no particular problem even if the amount of the rubber component added is increased beyond 40% by weight. However, since the effect of improving the flexibility of the cured resin layer is saturated, resources are wasted, which is not preferable.

以上に述べてきたゴム変成ポリアミドイミド樹脂には、溶剤に可溶であるという性質が求められる。溶剤に可溶でなければ、樹脂ワニスとしての調製が困難だからである。このゴム変成ポリアミドイミド樹脂は、樹脂組成物の重量を100重量部としたとき、10重量部〜40重量部の配合割合で用いる。ゴム変成ポリアミドイミド樹脂が10重量部未満の場合には、硬化後の樹脂層のフレキシビリティは向上させ難く、また脆くなり、樹脂層へのマイクロクラックを生じやすくなる。一方、40重量部を超えてゴム変成ポリアミドイミド樹脂を添加しても特に支障はないが、それ以上に硬化後の樹脂層のフレキシビリティは向上せず、硬化後の樹脂の高Tg化が図れない。従って、経済性を考慮すれば、40重量部が上限値であると言える。   The rubber-modified polyamideimide resin described above is required to be soluble in a solvent. This is because preparation as a resin varnish is difficult unless it is soluble in a solvent. This rubber-modified polyamideimide resin is used in a blending ratio of 10 to 40 parts by weight, when the weight of the resin composition is 100 parts by weight. When the rubber-modified polyamide-imide resin is less than 10 parts by weight, the flexibility of the cured resin layer is difficult to improve, becomes brittle, and tends to cause micro cracks in the resin layer. On the other hand, adding more than 40 parts by weight of the rubber-modified polyamideimide resin will not cause any particular problem, but the flexibility of the cured resin layer will not be further improved, and the cured resin will have a higher Tg. Absent. Therefore, considering the economy, it can be said that 40 parts by weight is the upper limit.

E成分の樹脂硬化剤に関して述べる。ここで言う樹脂硬化剤は、ビフェニル型フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂の1種又は2種以上を用いる。一般的に、この樹脂硬化剤の添加量は、硬化させる樹脂に対する反応当量から自ずと導き出されるものであり、特段の量的な限定を要するものではない。しかしながら、本件発明に係る樹脂組成物の場合のE成分は、樹脂組成物を100重量部としたとき、20重量部〜35重量部の範囲で用いることが好ましい。このE成分が20重量部未満の場合には、上記樹脂組成を考慮すると、十分な硬化状態を得ることが出来なくなり、硬化後の樹脂としてフレキシビリティを得ることが出来なくなる。一方、E成分が35重量部を超える場合には、硬化した後の樹脂層の耐吸湿特性が劣化する傾向にあり、好ましくない。   The E component resin curing agent will be described. The resin hardening | curing agent said here uses 1 type, or 2 or more types of a biphenyl type phenol resin and a phenol aralkyl type phenol resin. Generally, the addition amount of the resin curing agent is naturally derived from the reaction equivalent to the resin to be cured, and does not require any particular quantitative limitation. However, the E component in the case of the resin composition according to the present invention is preferably used in the range of 20 to 35 parts by weight when the resin composition is 100 parts by weight. When the E component is less than 20 parts by weight, considering the resin composition, a sufficient cured state cannot be obtained, and flexibility as a cured resin cannot be obtained. On the other hand, when the E component exceeds 35 parts by weight, the moisture absorption resistance of the cured resin layer tends to deteriorate, which is not preferable.

F成分のリン含有難燃剤に関して述べる。このリン含有難燃剤は、任意の添加成分であり、樹脂の硬化反応に寄与する必要はなく、単に難燃性を大幅に向上させるために用いる。このようなリン含有難燃剤としては、ホスファゼン化合物のハロゲンフリー難燃剤を用いることが好ましい。従って、このF成分は、0重量部〜7重量部の範囲で用いられる。ここで、「0重量部」と記載しているのは、F成分を用いる必要のない場合があり、任意の添加成分であることを明確にするためである。一方、F成分が7重量部を超えるようにしても、難燃性の顕著な向上は望めなくなる。   The phosphorus-containing flame retardant for the F component will be described. This phosphorus-containing flame retardant is an optional additive component and does not need to contribute to the curing reaction of the resin, and is simply used to greatly improve the flame retardancy. As such a phosphorus-containing flame retardant, it is preferable to use a halogen-free flame retardant of a phosphazene compound. Therefore, this F component is used in the range of 0 to 7 parts by weight. Here, “0 part by weight” is described in order to clarify that the F component may not be used and is an optional additive component. On the other hand, even if the F component exceeds 7 parts by weight, no significant improvement in flame retardancy can be expected.

前記樹脂組成物重量を100重量部としたとき、A成分が3重量部〜20重量部、B成分が3重量部〜30重量部、C成分が5重量部〜50重量部、D成分が10重量部〜40重量部、E成分が20重量部〜35重量部、F成分が0重量部〜7重量部であり、樹脂組成物重量を100重量%としたとき、樹脂組成物にはC成分由来のリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲で含有されることが好ましい。
前記D成分は、沸点が50℃〜200℃の範囲にあるメチルエチルケトン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミドの群から選ばれる1種の単独溶剤又は2種以上の混合溶剤に可溶な性質を備える液状ゴム成分で変成したゴム変成ポリアミドイミド樹脂であることが好ましい。
前記D成分であるゴム変成ポリアミドイミド樹脂は、ポリアミドイミドとゴム性樹脂とを反応させることで得られるものであることが好ましい。
前記樹脂層は前述の樹脂組成物に溶剤を加えて、樹脂固形分量が30重量%〜70重量%の範囲に調製し、MIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して測定したときのレジンフローが1%〜30%の範囲にある半硬化樹脂層の形成が可能な樹脂組成物(樹脂ワニス)を用いて形成されることが好ましい。
前記樹脂層は以下の工程a、工程bの手順で樹脂層の形成に用いる樹脂ワニスを調製し、当該樹脂ワニスを銅箔の表面に塗布し、乾燥させることで10μm〜50μmの厚さの半硬化樹脂層として形成されることが好ましい。
工程a: A成分が3重量部〜20重量部、B成分が3重量部〜30重量部、C成分が5重量部〜50重量部、D成分が10重量部〜40重量部、E成分が20重量部〜35重量部、F成分が0重量部〜7重量部の範囲において、各成分を混合して、C成分由来のリン原子を0.5重量%〜3.0重量%の範囲含有する樹脂組成物とする。
工程b: 前記樹脂組成物を、有機溶剤を用いて溶解し、樹脂固形分量が30重量%〜70重量%の樹脂ワニスとする。
When the weight of the resin composition is 100 parts by weight, the A component is 3 to 20 parts by weight, the B component is 3 to 30 parts by weight, the C component is 5 to 50 parts by weight, and the D component is 10 parts by weight. Parts by weight to 40 parts by weight, E component from 20 parts by weight to 35 parts by weight, F component from 0 parts by weight to 7 parts by weight, and when the resin composition weight is 100% by weight, the resin composition contains C component The derived phosphorus atom is preferably contained in the range of 0.5 wt% to 3.0 wt%.
The component D is a liquid rubber component having a property soluble in one single solvent or two or more mixed solvents selected from the group of methyl ethyl ketone, dimethylacetamide, and dimethylformamide having a boiling point in the range of 50 ° C to 200 ° C. A rubber-modified polyamide-imide resin modified with
The rubber-modified polyamideimide resin that is the component D is preferably obtained by reacting polyamideimide with a rubber resin.
The resin layer is prepared by adding a solvent to the above-described resin composition so that the resin solid content is in the range of 30% by weight to 70% by weight, and measured according to MIL-P-13949G in the MIL standard. Is preferably formed using a resin composition (resin varnish) capable of forming a semi-cured resin layer in the range of 1% to 30%.
For the resin layer, a resin varnish to be used for forming the resin layer is prepared by the following steps a and b, and the resin varnish is applied to the surface of the copper foil and dried to be half the thickness of 10 μm to 50 μm. It is preferably formed as a cured resin layer.
Step a: A component is 3 to 20 parts by weight, B component is 3 to 30 parts by weight, C component is 5 to 50 parts by weight, D component is 10 to 40 parts by weight, and E component is In the range of 20 parts by weight to 35 parts by weight and F component in the range of 0 part by weight to 7 parts by weight, each component is mixed, and the phosphorus atom derived from the C component is contained in the range of 0.5% by weight to 3.0% by weight. The resin composition is made.
Process b: The said resin composition is melt | dissolved using an organic solvent, and it is set as the resin varnish whose resin solid content amount is 30 weight%-70 weight%.

前記樹脂層は内層フレキシブルプリント配線板を多層化するための接着層を形成するために用いる樹脂組成物であって、以下のA成分〜E成分の各成分を含む樹脂組成物で形成されることが好ましい。
A成分: 軟化点が50℃以上である固形状の高耐熱性エポキシ樹脂(但し、ビフェニ
ル型エポキシ樹脂を除く。)。
B成分: ビフェニル型フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂の1
種又は2種以上からなるエポキシ樹脂硬化剤。
C成分: 沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤に可溶なゴム変性ポリアミドイミ
ド樹脂。
D成分: 有機リン含有難燃剤。
E成分: ビフェニル型エポキシ樹脂。
前記樹脂層を形成するために用いられる樹脂組成物は前記A成分〜E成分の各成分に加えて、更に、F成分として、リン含有難燃性エポキシ樹脂を含むことが好ましい。
前記樹脂層を形成するために用いられる樹脂組成物はG成分として、エポキシ当量が200以下で、室温で液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上からなるエポキシ樹脂を更に含むことが好ましい。
前記樹脂層を形成するために用いられる樹脂組成物はH成分として、熱可塑性樹脂及び/又は合成ゴムからなる低弾性物質を更に含むことが好ましい。
前記A成分の軟化点が50℃以上である固形状の高耐熱性エポキシ樹脂は、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂のいずれか1種又は2種以上であることが好ましい。
前記A成分として、室温で液状のノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂のいずれか1種又は2種以上からなる高耐熱性エポキシ樹脂を更に含む樹脂組成物を用いて前記樹脂層を形成することが好ましい。
前記樹脂層を形成するための樹脂組成物の重量を100重量部としたとき、A成分が3重量部〜30重量部、B成分が13重量部〜35重量部、C成分が10重量部〜50重量部、D成分が3重量部〜16重量部、E成分が5重量部〜35重量部であることが好ましい。
The resin layer is a resin composition used for forming an adhesive layer for multilayering an inner layer flexible printed wiring board, and is formed of a resin composition containing each of the following components A to E: Is preferred.
A component: Solid high heat-resistant epoxy resin having a softening point of 50 ° C. or higher (excluding biphenyl type epoxy resin).
B component: 1 of biphenyl type phenol resin, phenol aralkyl type phenol resin
Epoxy resin curing agent comprising two or more species.
Component C: A rubber-modified polyamideimide resin soluble in a solvent having a boiling point in the range of 50 ° C to 200 ° C.
D component: An organic phosphorus-containing flame retardant.
E component: Biphenyl type epoxy resin.
The resin composition used for forming the resin layer preferably contains a phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin as the F component in addition to the components A to E.
The resin composition used to form the resin layer is selected from the group consisting of bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, and bisphenol AD type epoxy resin having an epoxy equivalent of 200 or less and liquid at room temperature as the G component. It is preferable that the epoxy resin which consists of 1 type (s) or 2 or more types is further included.
It is preferable that the resin composition used for forming the resin layer further contains a low-elasticity material made of a thermoplastic resin and / or a synthetic rubber as the H component.
The solid high heat resistant epoxy resin in which the softening point of the component A is 50 ° C. or higher is one or more of cresol novolac type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, and naphthalene type epoxy resin. Is preferred.
Resin further including a high heat-resistant epoxy resin composed of one or more of a novolak type epoxy resin, a cresol novolak type epoxy resin, a phenol novolak type epoxy resin, and a naphthalene type epoxy resin that is liquid at room temperature as the component A The resin layer is preferably formed using a composition.
When the weight of the resin composition for forming the resin layer is 100 parts by weight, the A component is 3 to 30 parts by weight, the B component is 13 to 35 parts by weight, and the C component is 10 parts by weight. It is preferable that 50 parts by weight, the D component is 3 to 16 parts by weight, and the E component is 5 to 35 parts by weight.

前記樹脂組成物に溶剤を加えて、樹脂固形分量が30重量%〜70重量%の範囲に調製した樹脂ワニスであって、半硬化樹脂層とした際に、MIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して、樹脂厚さ55μmで測定したときのレジンフローが0%〜10%の範囲であることを特徴とする樹脂ワニスを用いて前記樹脂層を形成することが好ましい。   A resin varnish prepared by adding a solvent to the resin composition so that the resin solid content is in the range of 30 wt% to 70 wt%. When a semi-cured resin layer is formed, the MIL-P-13949G in the MIL standard In conformity, it is preferable to form the resin layer using a resin varnish characterized by having a resin flow in a range of 0% to 10% when measured at a resin thickness of 55 μm.

前記樹脂層は以下の工程a、工程bの手順で樹脂層の形成に用いる樹脂ワニスを調製し、当該樹脂ワニスをキャリア付銅箔の表面に塗布し、乾燥させることで10μm〜80μmの厚さの半硬化樹脂層として形成されることが好ましい。
工程a: 樹脂組成物重量を100重量部としたとき、A成分が3重量部〜30重量部、B成分が13重量部〜35重量部、C成分が10重量部〜50重量部、D成分が3重量部〜16重量部、E成分が5重量部〜35重量部の範囲で各成分を含有する樹脂組成物とする。
工程b: 前記樹脂組成物を、有機溶剤を用いて溶解し、樹脂固形分量が30重量%〜70重量%の樹脂ワニスとする。
The resin layer has a thickness of 10 μm to 80 μm by preparing a resin varnish used for forming the resin layer in the following steps a and b, applying the resin varnish to the surface of the copper foil with a carrier, and drying. The semi-cured resin layer is preferably formed.
Step a: When the weight of the resin composition is 100 parts by weight, the A component is 3 to 30 parts by weight, the B component is 13 to 35 parts by weight, the C component is 10 to 50 parts by weight, and the D component Is a resin composition containing each component in the range of 3 to 16 parts by weight and E component in the range of 5 to 35 parts by weight.
Process b: The said resin composition is melt | dissolved using an organic solvent, and it is set as the resin varnish whose resin solid content amount is 30 weight%-70 weight%.

A成分は、軟化点が50℃以上である固形状の高耐熱性エポキシ樹脂である。A成分は
、所謂ガラス転移温度Tgが高いエポキシ樹脂である。エポキシ樹脂のうち、軟化点が50℃以上である固形状の高耐熱性エポキシ樹脂を採用した理由は、ガラス転移温度Tgが高く、少量添加することで、高耐熱効果が得られるからである。
The component A is a solid high heat resistant epoxy resin having a softening point of 50 ° C. or higher. The component A is an epoxy resin having a high so-called glass transition temperature Tg. The reason why a solid high heat resistant epoxy resin having a softening point of 50 ° C. or higher among the epoxy resins is used is that the glass transition temperature Tg is high, and a high heat resistance effect can be obtained by adding a small amount.

ここで言う「軟化点が50℃以上である固形状の高耐熱性エポキシ樹脂」は、クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂のいずれか1種又は2種以上であることが好ましい。
The “solid high heat resistant epoxy resin having a softening point of 50 ° C. or higher” mentioned here is one or more of cresol novolac type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, and naphthalene type epoxy resin. It is preferable.

なお、A成分には、上述の軟化点が50℃以上である固形状の高耐熱性エポキシ樹脂の他に、更に、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂のいずれか1種又は2種以上からなる高耐熱性エポキシ樹脂を含むものとしても良い。このように、A成分として、更に、室温で液状のノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂のいずれか1種又は2種以上からなる高耐熱性エポキシ樹脂を含むものとすれば、ガラス転移温度Tgの更なる向上及びBステージ割れを改善する効果を高めることができる。   In addition to the solid high heat-resistant epoxy resin having a softening point of 50 ° C. or higher, the component A further includes a novolac type epoxy resin, a cresol novolac type epoxy resin, a phenol novolak type epoxy resin, and a naphthalene type. It is good also as what contains the highly heat-resistant epoxy resin which consists of any 1 type or 2 types or more of an epoxy resin. As described above, as the component A, a high heat-resistant epoxy composed of one or more of a novolak type epoxy resin, a cresol novolak type epoxy resin, a phenol novolak type epoxy resin, and a naphthalene type epoxy resin that is liquid at room temperature. If the resin is contained, the effect of further improving the glass transition temperature Tg and improving the B stage cracking can be enhanced.

そして、A成分は、樹脂組成物を100重量部としたとき、3重量部〜30重量部の範囲で用いることが好ましい。A成分が3重量部未満の場合には、樹脂組成物の高Tg化が図りにくい。一方、A成分が30重量部を超える場合には、硬化後の樹脂層が脆くなり、フレキシビリティが完全に損なわれるためフレキシブルプリント配線板用途として好ましくない。より好ましくは、A成分は、10重量部〜25重量部の範囲で用いることで、樹脂組成物の高Tg化と硬化後の樹脂層の良好なフレキシビリティとを安定して両立できる。   The component A is preferably used in the range of 3 to 30 parts by weight when the resin composition is 100 parts by weight. When the component A is less than 3 parts by weight, it is difficult to increase the Tg of the resin composition. On the other hand, when the component A exceeds 30 parts by weight, the cured resin layer becomes brittle and the flexibility is completely impaired, which is not preferable for use as a flexible printed wiring board. More preferably, the component A is used in the range of 10 to 25 parts by weight, so that both high Tg of the resin composition and good flexibility of the resin layer after curing can be stably achieved.

B成分は、ビフェニル型フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂の1種又は2種以上からなるエポキシ樹脂硬化剤である。エポキシ樹脂硬化剤の添加量は、硬化させる樹脂に対する反応当量から自ずと導き出されるものであり、特段の量的な限定を要するものではない。しかしながら、本件発明に係る樹脂組成物の場合、B成分は、樹脂組成物を100重量部としたとき、13重量部〜35重量部の範囲で用いることが好ましい。このB成分が13重量部未満の場合には、本件発明の樹脂組成を考慮すると、十分な硬化状態を得ることが出来なくなり、硬化後の樹脂層のフレキシビリティを得ることが出来なくなる。一方、B成分が35重量部を超える場合には、硬化後の樹脂層の耐吸湿特性が劣化する傾向にあり、好ましくない。
ビフェニル型フェノール樹脂の具体例を化25に示す。
Component B is an epoxy resin curing agent composed of one or more of a biphenyl type phenol resin and a phenol aralkyl type phenol resin. The addition amount of the epoxy resin curing agent is naturally derived from the reaction equivalent to the resin to be cured, and does not require any particular quantitative limitation. However, in the case of the resin composition according to the present invention, the component B is preferably used in the range of 13 parts by weight to 35 parts by weight when the resin composition is 100 parts by weight. When this B component is less than 13 parts by weight, considering the resin composition of the present invention, it becomes impossible to obtain a sufficiently cured state, and it becomes impossible to obtain the flexibility of the cured resin layer. On the other hand, when the component B exceeds 35 parts by weight, the moisture absorption resistance of the cured resin layer tends to deteriorate, which is not preferable.
A specific example of the biphenyl type phenol resin is shown in Chemical Formula 25.

また、フェノールアラルキル型フェノール樹脂の具体例を化26に示す。   A specific example of the phenol aralkyl type phenol resin is shown in Chemical Formula 26.

C成分は、沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤に可溶なゴム変性ポリアミドイミド樹脂である。当該C成分を配合することにより、フレキシブル性能を向上させるとともに、樹脂流れを抑制する効果が得られる。このゴム変性ポリアミドイミド樹脂は、ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂とを反応させて得られるものであり、ポリアミドイミド樹脂そのものの柔軟性を向上させる目的で行う。即ち、ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂とを反応させ、ポリアミドイミド樹脂の酸成分(シクロヘキサンジカルボン酸等)の一部をゴム成分に置換するのである。ゴム成分としては、天然ゴム及び合成ゴムを含む概念として記載しており、後者の合成ゴムにはスチレン−ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、ブチルゴム、エチレン−プロピレンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム等がある。更に、耐熱性を確保する観点からは、ニトリルゴム、クロロプレンゴム、シリコンゴム、ウレタンゴム等の耐熱性を備えた合成ゴムを選択使用することも有用である。これらのゴム性樹脂に関しては、ポリアミドイミド樹脂と反応して共重合体を製造するため、両末端に種々の官能基を備えるものであることが望ましい。特に、カルボキシル基を有するCTBN(カルボキシ基末端ブタジエンニトリルゴム)を用いることが有用である。なお、上記ゴム成分は、1種のみを共重合させても、2種以上を共重合させても構わない。更に、ゴム成分を用いる場合には、そのゴム成分の数平均分子量が1000以上のものを用いることが、フレキシビリティの安定化の観点から好ましい。   Component C is a rubber-modified polyamideimide resin that is soluble in a solvent having a boiling point in the range of 50 ° C to 200 ° C. By mix | blending the said C component, while improving a flexible performance, the effect which suppresses a resin flow is acquired. This rubber-modified polyamideimide resin is obtained by reacting a polyamideimide resin and a rubber resin, and is performed for the purpose of improving the flexibility of the polyamideimide resin itself. That is, the polyamideimide resin and the rubber resin are reacted to replace a part of the acid component (cyclohexanedicarboxylic acid or the like) of the polyamideimide resin with the rubber component. The rubber component is described as a concept including natural rubber and synthetic rubber. Examples of the latter synthetic rubber include styrene-butadiene rubber, butadiene rubber, butyl rubber, ethylene-propylene rubber, and acrylonitrile butadiene rubber. Furthermore, from the viewpoint of ensuring heat resistance, it is also useful to selectively use a synthetic rubber having heat resistance such as nitrile rubber, chloroprene rubber, silicon rubber, urethane rubber and the like. Since these rubber-like resins react with the polyamide-imide resin to produce a copolymer, it is desirable to have various functional groups at both ends. In particular, it is useful to use CTBN (carboxy group-terminated butadiene nitrile rubber) having a carboxyl group. In addition, the said rubber component may copolymerize only 1 type or may copolymerize 2 or more types. Further, when a rubber component is used, it is preferable to use a rubber component having a number average molecular weight of 1000 or more from the viewpoint of stabilization of flexibility.

ゴム変性ポリアミドイミド樹脂を重合させる際に、ポリアミドイミド樹脂とゴム性樹脂との溶解に使用する溶剤には、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ニトロメタン、ニトロエタン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトニトリル、γ−ブチロラクトン等を、1種又は2種以上を混合して用いることが好ましい。そして、重合反応を起こさせるには、80℃〜200℃の範囲の重合温度を採用することが好ましい。これらの重合に沸点が200℃を超える溶剤を用いた場合には、その後、用途に応じて沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤に溶媒置換することが好ましい。   When polymerizing the rubber-modified polyamideimide resin, the solvents used for dissolving the polyamideimide resin and the rubbery resin include dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethyl sulfoxide, nitromethane, nitroethane, and tetrahydrofuran. , Cyclohexanone, methyl ethyl ketone, acetonitrile, γ-butyrolactone, and the like are preferably used alone or in combination. And in order to raise | generate a polymerization reaction, it is preferable to employ | adopt the polymerization temperature of the range of 80 to 200 degreeC. When a solvent having a boiling point of more than 200 ° C. is used for these polymerizations, it is preferable that the solvent be replaced with a solvent having a boiling point in the range of 50 ° C. to 200 ° C., depending on the application.

ここで、沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤としては、メチルエチルケトン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等の群から選ばれる1種の単独溶剤又は2種以上の混合溶剤が挙げられる。沸点が50℃未満の場合には、加熱による溶剤の気散が著しくなり、樹脂ワニスの状態から半硬化樹脂とする場合に、良好な半硬化状態が得られにくくなる。一方、沸点が200℃を超える場合には、樹脂ワニスの状態から半硬化樹脂とする場合に、溶剤が乾きにくいため、良好な半硬化樹脂層が得られ難くなる。   Here, examples of the solvent having a boiling point in the range of 50 ° C. to 200 ° C. include one single solvent or two or more mixed solvents selected from the group of methyl ethyl ketone, dimethylacetamide, dimethylformamide and the like. When the boiling point is lower than 50 ° C., the solvent is greatly diffused by heating, and it is difficult to obtain a good semi-cured state when the resin varnish is changed to a semi-cured resin. On the other hand, when the boiling point exceeds 200 ° C., when the semi-cured resin is used from the state of the resin varnish, it is difficult to obtain a good semi-cured resin layer because the solvent is difficult to dry.

本件発明に係る樹脂組成物で用いるゴム変性ポリアミドイミド樹脂の中で、ゴム変性ポリアミドイミド樹脂の重量を100重量%としたとき、ゴム成分の共重合量は0.8重量%以上であることが好ましい。当該共重合量が0.8重量%未満の場合には、ゴム変性ポリアミドイミド樹脂としても、本件発明に言う樹脂組成物を用いて形成した樹脂層を硬化させたときのフレキシビリティが欠如し、銅箔との密着性も低下するため好ましくない。なお、より好ましくは、当該ゴム成分の共重合量は3重量%以上、更に好ましくは5重量%以上がより好ましい。経験的に共重合量が40重量%を超えても特段の問題はない。しかし、当該硬化後の樹脂層のフレキシビリティの向上効果は飽和するために資源の無駄となり好ましくない。   Among the rubber-modified polyamideimide resins used in the resin composition according to the present invention, when the weight of the rubber-modified polyamideimide resin is 100% by weight, the copolymerization amount of the rubber component may be 0.8% by weight or more. preferable. When the copolymerization amount is less than 0.8% by weight, the rubber-modified polyamide-imide resin lacks flexibility when the resin layer formed using the resin composition according to the present invention is cured, Since the adhesiveness with copper foil also falls, it is not preferable. More preferably, the copolymerization amount of the rubber component is 3% by weight or more, more preferably 5% by weight or more. Empirically, there is no particular problem even if the copolymerization amount exceeds 40% by weight. However, since the effect of improving the flexibility of the cured resin layer is saturated, resources are wasted, which is not preferable.

以上に述べてきたゴム変性ポリアミドイミド樹脂には、溶剤に可溶であるという性質が求められる。溶剤に可溶でなければ、樹脂ワニスとしての調製が困難だからである。そして、このゴム変性ポリアミドイミド樹脂は、樹脂組成物の重量を100重量部としたとき、10重量部〜50重量部の配合割合で用いる。ゴム変性ポリアミドイミド樹脂が10重量部未満の場合には、樹脂流れの抑制効果が発揮されにくい。また、硬化後の樹脂層が脆くなり、フレキシビリティが向上させ難くなる。その結果、樹脂層のマイクロクラックが生じやすくなるといった影響が生じる。一方、50重量部を超えてゴム変性ポリアミドイミド樹脂を添加した場合、内層回路への埋め込み性が低下し、結果としてボイドが生じやすくなるため、好ましくない。   The rubber-modified polyamide-imide resin described above is required to be soluble in a solvent. This is because preparation as a resin varnish is difficult unless it is soluble in a solvent. The rubber-modified polyamide-imide resin is used in a blending ratio of 10 to 50 parts by weight when the weight of the resin composition is 100 parts by weight. When the rubber-modified polyamideimide resin is less than 10 parts by weight, the resin flow suppressing effect is hardly exhibited. In addition, the cured resin layer becomes brittle and it is difficult to improve flexibility. As a result, there is an effect that microcracks of the resin layer are likely to occur. On the other hand, when the rubber-modified polyamide-imide resin is added in an amount exceeding 50 parts by weight, the embedding property in the inner layer circuit is lowered, and as a result, voids are easily generated, which is not preferable.

D成分は、有機リン含有難燃剤であり、難燃性を向上させるために用いる。有機リン含有難燃剤としては、リン酸エステル及び/又はホスファゼン化合物からなるリン含有難燃剤が挙げられる。このD成分は、樹脂組成物を100重量部としたとき、3重量部〜16重量部の範囲で用いることが好ましい。D成分の含有量を3重量部未満とすると、難燃性の効果が得られない。一方、D成分の含有量が16重量部を超えるようにしても、難燃性の向上が望めない。なお、D成分のより好ましい含有量は、5重量部〜14重量部である。   Component D is an organic phosphorus-containing flame retardant and is used to improve flame retardancy. Examples of organic phosphorus-containing flame retardants include phosphorus-containing flame retardants composed of phosphate esters and / or phosphazene compounds. The component D is preferably used in the range of 3 to 16 parts by weight when the resin composition is 100 parts by weight. When the content of the D component is less than 3 parts by weight, the flame retardancy effect cannot be obtained. On the other hand, even if the content of the D component exceeds 16 parts by weight, improvement in flame retardancy cannot be expected. In addition, more preferable content of D component is 5 weight part-14 weight part.

なお、本件発明に係る樹脂組成物は、樹脂組成物重量を100重量%としたとき、リンの総含有量が0.5重量%〜5重量%の範囲となるように添加すると、難燃性が確保されるため好ましい。   In addition, when the resin composition according to the present invention is added so that the total content of phosphorus is in the range of 0.5 wt% to 5 wt% when the weight of the resin composition is 100 wt%, it is flame retardant. Is preferable.

E成分は、ビフェニル型エポキシ樹脂である。ビフェニル型エポキシ樹脂は、所謂ガラス転移温度Tgの向上と屈曲性の向上に寄与する。ビフェニル型エポキシ樹脂は、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂が挙げられる。このE成分は、樹脂組成物を100重量部としたとき、5重量部〜35重量部の範囲で用いることが好ましい。E成分の含有量を5重量部未満とすると、ガラス転移温度Tg及び屈曲性を高くする効果が得られない。一方、E成分の含有量が35重量部を超えるようにしても、高Tg化が望めない上に、屈曲性の向上が望めない。なお、E成分のより好ましい含有量は、7重量部〜25重量部である。   The E component is a biphenyl type epoxy resin. The biphenyl type epoxy resin contributes to improvement of so-called glass transition temperature Tg and flexibility. Examples of the biphenyl type epoxy resin include a biphenyl aralkyl type epoxy resin. The component E is preferably used in the range of 5 to 35 parts by weight when the resin composition is 100 parts by weight. When the content of the E component is less than 5 parts by weight, the effect of increasing the glass transition temperature Tg and the flexibility cannot be obtained. On the other hand, even if the content of the E component exceeds 35 parts by weight, it is not possible to expect a high Tg and an improvement in flexibility. In addition, more preferable content of E component is 7 weight part-25 weight part.

上記A成分〜E成分の他に、更に、F成分として、リン含有難燃性エポキシ樹脂を含む樹脂組成物とすると、難燃性を更に向上させることができる。リン含有難燃性エポキシ樹脂とは、エポキシ骨格の中にリンを含んだエポキシ樹脂の総称であり、所謂ハロゲンフリー系の難燃性エポキシ樹脂である。そして、本件出願に係る樹脂組成物のリン原子含有量を、樹脂組成物重量を100重量%としたとき、F成分由来のリン原子を0.1重量%〜5重量%の範囲とできるリン含有難燃性エポキシ樹脂であれば、いずれの使用も可能である。しかしながら、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド誘導体である、分子内に2以上のエポキシ基を備えるリン含有難燃性エポキシ樹脂を用いることが、半硬化状態での樹脂品質の安定性に優れ、同時に難燃性効果が高いため好ましい。参考のために、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドの構造式を化27に示す。   In addition to the A component to the E component, if the resin composition includes a phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin as the F component, the flame retardancy can be further improved. The phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin is a general term for epoxy resins containing phosphorus in an epoxy skeleton, and is a so-called halogen-free flame-retardant epoxy resin. And phosphorus content which can make phosphorus atom derived from F component into the range of 0.1 weight%-5 weight% when the resin composition weight is 100 weight% about the phosphorus atom content of the resin composition concerning this application Any flame retardant epoxy resin can be used. However, using a phosphorus-containing flame retardant epoxy resin having two or more epoxy groups in the molecule, which is a 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide derivative, is a semi-cured state. It is preferable because it has excellent resin quality stability at the same time and has a high flame retardant effect. For reference, the structural formula of 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide is shown in Chemical Formula 27.

この9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド誘導体である、分子内に2以上のエポキシ基を備えるリン含有難燃性エポキシ樹脂は、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドにナフトキノンやハイドロキノンを反応させて、以下の化28又は化29に示す化合物とした後に、そのOH基の部分にエポキシ樹脂を反応させてリン含有難燃性エポキシ樹脂としたものが好ましい。   This 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide derivative, a phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin having two or more epoxy groups in the molecule, is 9,10-dihydro-9. -Oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide is reacted with naphthoquinone or hydroquinone to form a compound shown in the following chemical formula 28 or chemical formula 29, and then reacted with an epoxy resin at the OH group portion to make it difficult to contain phosphorus. What was made into the flammable epoxy resin is preferable.

そして、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド誘導体である、分子内に2以上のエポキシ基を備えるリン含有難燃性エポキシ樹脂を具体的に例示すると、化30,化31または化32に示す構造式を備える化合物の使用が好ましい。   A specific example of a phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin having two or more epoxy groups in the molecule, which is a 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide derivative, The use of a compound having the structural formula shown in 30, 31 or 32 is preferred.

ここでリン含有難燃性エポキシ樹脂を用いる場合の樹脂組成物は、F成分としてのリン含有難燃性エポキシ樹脂の1種類を単独で用いても、2種類以上のリン含有難燃性エポキシ樹脂を混合して用いても構わない。但し、F成分としてのリン含有難燃性エポキシ樹脂の総量を考慮して、樹脂組成物重量を100重量%としたとき、F成分由来のリン原子を0.1重量%〜5重量%の範囲となるように添加することが好ましい。リン含有難燃性エポキシ樹脂は、その種類によりエポキシ骨格内に含有するリン原子量が異なる。そこで、上述のようにリン原子の含有量を規定して、F成分の添加量に代えることが可能である。但し、F成分は、通常、樹脂組成物を100重量部としたとき、5重量部〜50重量部の範囲で用いられる。F成分が5重量部未満の場合には、他の樹脂成分の配合割合を考慮すると、F成分由来のリン原子を0.1重量%以上とすることが困難になり、難燃性の向上効果を得ることが出来ない。一方、F成分が50重量部を超えるようにしても、難燃性向上効果も飽和すると同時に、硬化後の樹脂層が脆くなるため好ましくない。   Here, when the phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin is used, the resin composition may be one of the phosphorus-containing flame-retardant epoxy resins as the F component, or two or more phosphorus-containing flame-retardant epoxy resins. May be used in combination. However, considering the total amount of the phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin as the F component, when the resin composition weight is 100% by weight, the phosphorus atom derived from the F component is in the range of 0.1% to 5% by weight. It is preferable to add so that it becomes. The phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin has different amounts of phosphorus atoms contained in the epoxy skeleton depending on the type. Therefore, it is possible to define the content of phosphorus atoms as described above and replace it with the addition amount of the F component. However, the component F is usually used in the range of 5 to 50 parts by weight when the resin composition is 100 parts by weight. In the case where the F component is less than 5 parts by weight, it becomes difficult to make the phosphorus atom derived from the F component 0.1% by weight or more in consideration of the blending ratio of the other resin components. Can not get. On the other hand, even if the F component exceeds 50 parts by weight, the effect of improving flame retardancy is saturated, and at the same time, the cured resin layer becomes brittle.

上述の硬化樹脂層の「高Tg化」と「フレキシビリティ」とは、一般的に反比例する特性である。このときリン含有難燃性エポキシ樹脂は、硬化後の樹脂層のフレキシビリティの向上に寄与するもの、高Tg化に寄与するものが存在する。従って、1種類のリン含有難燃性エポキシ樹脂を用いるよりは、「高Tg化に寄与するリン含有難燃性エポキシ樹脂」と「フレキシビリティの向上に寄与するリン含有難燃性エポキシ樹脂」とをバランス良く配合して用いることで、フレキシブルプリント配線板用途で好適な樹脂組成物とすることが可能である。   “High Tg” and “flexibility” of the cured resin layer described above are generally inversely proportional characteristics. At this time, there are phosphorus-containing flame-retardant epoxy resins that contribute to improving the flexibility of the cured resin layer and those that contribute to high Tg. Therefore, rather than using one type of phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin, “phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin that contributes to higher Tg” and “phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin that contributes to improved flexibility” By mixing and using in a well-balanced manner, it is possible to obtain a resin composition suitable for flexible printed wiring board applications.

本件発明に係る樹脂組成物は、更に、G成分として、エポキシ当量が200以下で、室温で液状のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上からなるエポキシ樹脂を含むものとしても良い。ここで、ビスフェノール系エポキシ樹脂を選択使用しているのは、C成分(ゴム変性ポリアミドイミド樹脂)との相性が良く、半硬化樹脂層に適度なフレキシビリティの付与が容易だからである。そして、エポキシ当量が200を超えると、樹脂が室温で半固形となり、半硬化状態でのフレキシビリティが減少するので好ましくない。更に、上述のビスフェノール系エポキシ樹脂であれば、1種を単独で用いても、2種以上を混合で用いても構わない。しかも、2種以上を混合して用いる場合には、その混合比に関しても特段の限定はない。   The resin composition according to the present invention is further selected from the group consisting of bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, and bisphenol AD type epoxy resin having an epoxy equivalent of 200 or less and being liquid at room temperature as the G component. Or it is good also as what contains the epoxy resin which consists of 2 or more types. Here, the reason why the bisphenol-based epoxy resin is selectively used is that the compatibility with the component C (rubber-modified polyamideimide resin) is good, and it is easy to impart appropriate flexibility to the semi-cured resin layer. If the epoxy equivalent exceeds 200, the resin becomes semi-solid at room temperature, and the flexibility in the semi-cured state decreases, which is not preferable. Furthermore, if it is the above-mentioned bisphenol-type epoxy resin, 1 type may be used independently or 2 or more types may be used in mixture. In addition, when two or more kinds are mixed and used, there is no particular limitation with respect to the mixing ratio.

このG成分のエポキシ樹脂は、樹脂組成物を100重量部としたとき、2重量部〜15重量部の配合割合で用いることが、熱硬化性を十分に発揮し、半硬化状態において、カールと呼ばれる反り現象の発生を低減させることが可能となり、また、半硬化状態での樹脂層のフレキシビリティの更なる向上を図ることができるため好ましい。当該エポキシ樹脂が15重量部を超えると、他の樹脂成分とのバランスから難燃性が低下したり、硬化後の樹脂層が硬くなる傾向がある。しかも、C成分(ゴム変性ポリアミドイミド樹脂)の添加量を考慮すると、硬化後の樹脂層として十分な靭性が得られなくなる。   This G component epoxy resin, when the resin composition is 100 parts by weight, exhibits a sufficient thermosetting property when used in a blending ratio of 2 to 15 parts by weight. It is preferable because the occurrence of a so-called warp phenomenon can be reduced, and the flexibility of the resin layer in a semi-cured state can be further improved. When the said epoxy resin exceeds 15 weight part, there exists a tendency for a flame retardance to fall from the balance with another resin component, or for the resin layer after hardening to become hard. Moreover, considering the amount of component C (rubber-modified polyamideimide resin) added, sufficient toughness for the cured resin layer cannot be obtained.

本件発明に係る樹脂組成物は、更に、H成分として、熱可塑性樹脂及び/又は合成ゴムからなる低弾性物質を含むものとしても良い。H成分を含む樹脂組成物とすることにより、樹脂組成物の半硬化状態における割れを防ぎ、且つ硬化後のフレキシビリティを向上させることができる。このH成分としての低弾性物質は、例えば、アクリロニトリルブタジエンゴム、アクリルゴム(アクリル酸エステル共重合体)、ポリブタジエンゴム、イソプレン、水素添加型ポリブタジエン、ポリビニルブチラール、ポリエーテルサルフォン、フェノキシ、高分子エポキシ、芳香族ポリアミドが挙げられる。これらの中から1種を単独で用いても、2種以上を混合で用いても構わない。特に、アクリロニトリルブタジエンゴムを用いることが好ましい。アクリロニトリルブタジエンゴムの中でも、カルボキシル変性体であると、エポキシ樹脂と架橋構造を取り、硬化後の樹脂層のフレキシビリティを向上させることができる。カルボキシル変性体としては、カルボキシ基末端ニトリルブタジエンゴム(CTBN)、カルボキシ基末端ブタジエンゴム(CTB)、カルボキシ変性ニトリルブタジエンゴム(C‐NBR)を用いることが好ましい。   The resin composition according to the present invention may further include a low-elasticity substance made of a thermoplastic resin and / or a synthetic rubber as the H component. By setting it as the resin composition containing H component, the crack in the semi-hardened state of a resin composition can be prevented, and the flexibility after hardening can be improved. Examples of the low-elasticity material as the H component include acrylonitrile butadiene rubber, acrylic rubber (acrylic ester copolymer), polybutadiene rubber, isoprene, hydrogenated polybutadiene, polyvinyl butyral, polyethersulfone, phenoxy, and polymer epoxy. And aromatic polyamides. One of these may be used alone, or two or more may be used in combination. In particular, acrylonitrile butadiene rubber is preferably used. Among the acrylonitrile butadiene rubbers, a carboxyl-modified product can take a crosslinked structure with an epoxy resin and improve the flexibility of the cured resin layer. As the carboxyl-modified product, it is preferable to use carboxy group-terminated nitrile butadiene rubber (CTBN), carboxy group-terminated butadiene rubber (CTB), or carboxy-modified nitrile butadiene rubber (C-NBR).

H成分は、樹脂組成物を100重量部としたとき、25重量部以下の配合割合で用いることが好ましい。25重量部を超える量のH成分を加えると、ガラス転移温度Tgの低下、半田耐熱性能の低下、ピール強度の低下、熱膨張係数の増大といった問題が発生するため好ましくない。   The H component is preferably used at a blending ratio of 25 parts by weight or less when the resin composition is 100 parts by weight. If an H component in an amount exceeding 25 parts by weight is added, problems such as a decrease in glass transition temperature Tg, a decrease in solder heat resistance, a decrease in peel strength, and an increase in thermal expansion coefficient are undesirable.

本件発明に係る樹脂組成物は、上述のA成分〜E成分を組み合わせることにより、難燃性の向上及びガラス転移温度Tgが高くなり、また、耐折性の熱劣化を防ぐことができる。そして、従来の接着剤用樹脂組成物のような無機充填剤を加えることなく、十分な屈曲性を得ることができる。さらに、半硬化状態での割れや打ち抜き加工時の粉落ちを防ぐことができる。   The resin composition according to the present invention can improve the flame retardancy and the glass transition temperature Tg by combining the above-described components A to E, and can prevent the heat resistance of the folding resistance. And sufficient flexibility can be obtained, without adding an inorganic filler like the conventional resin composition for adhesive agents. Furthermore, it is possible to prevent cracking in a semi-cured state and powder falling off during punching.

本件発明に係る樹脂ワニス: 本件発明に係る樹脂ワニスは、上述の樹脂組成物に溶剤を加えて、樹脂固形分量が30重量%〜70重量%の範囲に調製したものである。そして、この樹脂ワニスにより形成する半硬化樹脂層は、MIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して樹脂厚さを55μmとして測定したときのレジンフローが0%〜10%の範囲にあることを特徴とする。ここで言う溶剤には、上述の沸点が50℃〜200℃の範囲にある溶剤であるメチルエチルケトン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等の群から選ばれる1種の単独溶剤又は2種以上の混合溶剤を用いることが好ましい。上述のように良好な半硬化樹脂層を得るためである。そして、ここに示した樹脂固形分量の範囲が、銅箔の表面に塗布したときに、最も膜厚を精度の良いものに制御できる範囲である。樹脂固形分が30重量%未満の場合には、粘度が低すぎて、銅箔表面への塗布直後に流れて膜厚均一性を確保しにくい。これに対して、樹脂固形分が70重量%を超えると、粘度が高くなり、銅箔表面への薄膜形成が困難となる。   Resin varnish according to the present invention: The resin varnish according to the present invention is prepared by adding a solvent to the above resin composition so that the resin solid content is in the range of 30 wt% to 70 wt%. The semi-cured resin layer formed with this resin varnish has a resin flow in the range of 0% to 10% when measured with a resin thickness of 55 μm according to MIL-P-13949G in the MIL standard. Features. As the solvent mentioned here, one kind of single solvent selected from the group of methyl ethyl ketone, dimethylacetamide, dimethylformamide, etc., which is a solvent having a boiling point in the range of 50 ° C. to 200 ° C., or a mixed solvent of two or more kinds is used. It is preferable. This is for obtaining a good semi-cured resin layer as described above. And the range of the resin solid content shown here is a range in which the film thickness can be controlled to the most accurate one when applied to the surface of the copper foil. When the resin solid content is less than 30% by weight, the viscosity is too low and it flows immediately after application to the copper foil surface, making it difficult to ensure film thickness uniformity. On the other hand, when the resin solid content exceeds 70% by weight, the viscosity increases and it becomes difficult to form a thin film on the surface of the copper foil.

当該樹脂ワニスは、これを用いて半硬化樹脂層を形成したとき、測定したレジンフローが0%〜10%の範囲にあることが好ましい。当該レジンフローが高いと、樹脂付銅箔の樹脂層を用いて形成する絶縁層の厚さが不均一になる。しかし、本件発明に係る樹脂ワニスは、レジンフローを10%以下という低い値に抑えることができる。なお、本件発明に係る樹脂ワニスは、樹脂流れが殆ど生じないレベルが実現可能であるので、当該レジンフローの下限値を0%とした。なお、本件発明に係る樹脂ワニスのレジンフローのより好ましい範囲は0%〜5%である。   When the resin varnish is used to form a semi-cured resin layer, the measured resin flow is preferably in the range of 0% to 10%. When the resin flow is high, the thickness of the insulating layer formed using the resin layer of the resin-coated copper foil becomes nonuniform. However, the resin varnish according to the present invention can suppress the resin flow to a low value of 10% or less. In addition, since the resin varnish which concerns on this invention can implement | achieve the level which resin flow hardly produces, the lower limit of the said resin flow was made into 0%. In addition, the more preferable range of the resin flow of the resin varnish concerning this invention is 0%-5%.

本件明細書において、レジンフローとは、MIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して、樹脂厚さを55μmとした樹脂付銅箔から10cm角試料を4枚サンプリングし、この4枚の試料を重ねた状態(積層体)でプレス温度171℃、プレス圧14kgf/cm2、プレス時間10分の条件で張り合わせ、そのときの樹脂流出重量を測定した結果から数1に基づいて算出した値である。   In this specification, the resin flow is based on MIL-P-13949G in the MIL standard. Four 10 cm square samples are sampled from a resin-coated copper foil with a resin thickness of 55 μm. It is a value calculated based on Equation 1 from the result of measuring the resin outflow weight at the time of laminating under the conditions of a press temperature of 171 ° C., a press pressure of 14 kgf / cm 2, and a press time of 10 minutes in a stacked state (laminate).

また、前記樹脂層は溶剤に可溶で且つ官能基として分子内に水酸基、カルボキシル基、アミノ基の1種又は2種以上を有するポリマー成分を2重量部〜50重量部、沸点200℃以上のエポキシ樹脂及び沸点200℃以上のアミン系エポキシ樹脂硬化剤からなるエポキシ樹脂配合物を50重量部以上、を含有してもよい。前記樹脂層はフッ素樹脂基材またはフッ素樹脂フィルム接着用樹脂であってもよい。また、前記ポリマー成分は、ポリビニルアセタール樹脂、フェノキシ樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリアミドイミド樹脂の群から選ばれた1種又は2種以上を混合したものであってもよい。前記沸点200℃以上のエポキシ樹脂は、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ゴム変性ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂の群から選ばれる1種又は2種以上を混合したものであってもよい。
前記アミン系エポキシ樹脂硬化剤は、芳香族ポリアミン、ポリアミド類及びこれらをエポキシ樹脂や多価カルボン酸と重合或いは縮合させて得られるアミンアダクト体の群から選ばれた1種又は2種以上を用いてもよい。
The resin layer is soluble in a solvent and contains 2 to 50 parts by weight of a polymer component having one or more of hydroxyl group, carboxyl group and amino group in the molecule as a functional group, and a boiling point of 200 ° C. or more. You may contain 50 weight part or more of the epoxy resin compound which consists of an epoxy resin and an amine epoxy resin hardening | curing agent with a boiling point of 200 degreeC or more. The resin layer may be a fluororesin substrate or a fluororesin film adhesive resin. The polymer component may be a mixture of one or more selected from the group of polyvinyl acetal resins, phenoxy resins, aromatic polyamide resins, polyether sulfone resins, and polyamideimide resins. The epoxy resin having a boiling point of 200 ° C. or higher is a mixture of one or more selected from the group of bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, rubber-modified bisphenol A type epoxy resin, and biphenyl type epoxy resin. There may be.
The amine-based epoxy resin curing agent is an aromatic polyamine, a polyamide, and one or more selected from the group of amine adducts obtained by polymerizing or condensing these with an epoxy resin or a polyvalent carboxylic acid. May be.

なお、前記フッ素樹脂基材またはフッ素樹脂フィルムとは、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン(4フッ化))、PFA(テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体)、FEP(テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体(4.6フッ化))、ETFE(テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体)、PVDF(ポリビニリデンフルオライド(2フッ化))、PCTFE(ポリクロロトリフルオロエチレン(3フッ化))、ポリアリルスルフォン、芳香族ポリスルフィドおよび芳香族ポリエーテルの中から選ばれるいずれか少なくとも1種の熱可塑性樹脂とフッ素樹脂とからなるフッ素系樹脂等を用いた基材またはフィルムであってもよい。ガラスクロス等の骨格材を含んでも含まなくとも構わない。また、このフッ素樹脂基材の厚さに関しても、特段の限定はない。   The fluororesin substrate or fluororesin film refers to PTFE (polytetrafluoroethylene (tetrafluoroethylene)), PFA (tetrafluoroethylene / perfluoroalkyl vinyl ether copolymer), FEP (tetrafluoroethylene / hexafluoro). Propylene copolymer (4.6 fluoride)), ETFE (tetrafluoroethylene / ethylene copolymer), PVDF (polyvinylidene fluoride (difluoride)), PCTFE (polychlorotrifluoroethylene (trifluoride)) ), A base material or a film using a fluororesin composed of at least one thermoplastic resin selected from polyallylsulfone, aromatic polysulfide, and aromatic polyether and a fluororesin. . It does not matter whether or not a skeletal material such as glass cloth is included. Moreover, there is no special limitation also about the thickness of this fluororesin base material.

また、前記硬化剤としては、単に硬化させることのみを目的とすれば、ジシアンジアミド、イミダゾール類、芳香族アミン等のアミン類、ビスフェノールA、ブロム化ビスフェノールA等のフェノール類、フェノールノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂等のノボラック類、無水フタル酸等の酸無水物等のあらゆる硬化剤を用いることができる。これらの硬化剤はエポキシ樹脂に特に有効である。しかしながら、沸点200℃以上のアミン系エポキシ樹脂硬化剤を用いることが、フッ素樹脂基材と金属箔との密着性を顕著に向上させるという観点から最も好ましい。プレス成形温度が180℃付近であり、このプレス成形温度付近に硬化剤の沸点があると、プレス成形によりエポキシ樹脂硬化剤が沸騰するため硬化した絶縁樹脂層内に気泡が発生しやすくなる。そして、フッ素樹脂基材と金属箔との間に接着層を構成するのにアミン系エポキシ樹脂硬化剤を用いると最も安定した密着性が得られる。即ち、「沸点200℃以上のアミン系エポキシ樹脂硬化剤」とは、芳香族ポリアミン、ポリアミド類及びこれらをエポキシ樹脂や多価カルボン酸と重合或いは縮合させて得られるアミンアダクト体の群から選ばれた一種又は二種以上を用いる場合を言う。そして、これをより具体的に言えば、4,4’−ジアミノジフェニレンサルフォン、3,3’−ジアミノジフェニレンサルフォン、4,4−ジアミノジフェニレル、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]サルフォンのいずれかを用いることが好ましい。また、当該アミン系エポキシ樹脂硬化剤のエポキシ樹脂に対する添加量は、それぞれの当量から自ずと導き出されるものであるため、本来厳密にその配合割合を明記する必要性はないものと考える。従って、本件発明では、硬化剤の添加量を特に限定していない。   Further, as the curing agent, for the purpose of merely curing, amines such as dicyandiamide, imidazoles and aromatic amines, phenols such as bisphenol A and brominated bisphenol A, phenol novolac resins and cresol novolacs Any curing agent such as novolaks such as resins and acid anhydrides such as phthalic anhydride can be used. These curing agents are particularly effective for epoxy resins. However, it is most preferable to use an amine epoxy resin curing agent having a boiling point of 200 ° C. or higher from the viewpoint of significantly improving the adhesion between the fluororesin substrate and the metal foil. If the press molding temperature is around 180 ° C. and the boiling point of the curing agent is near the press molding temperature, the epoxy resin curing agent will boil due to the press molding, and bubbles are likely to be generated in the cured insulating resin layer. The most stable adhesion can be obtained when an amine-based epoxy resin curing agent is used to form an adhesive layer between the fluororesin substrate and the metal foil. That is, the “amine epoxy resin curing agent having a boiling point of 200 ° C. or more” is selected from the group of aromatic polyamines, polyamides, and amine adducts obtained by polymerizing or condensing these with epoxy resins or polyvalent carboxylic acids. The case where one kind or two kinds or more are used. More specifically, 4,4′-diaminodiphenylenesulfone, 3,3′-diaminodiphenylenesulfone, 4,4-diaminodiphenylel, 2,2-bis [4- It is preferable to use either (4-aminophenoxy) phenyl] propane or bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone. Moreover, since the addition amount with respect to the epoxy resin of the said amine epoxy resin hardening | curing agent is derived from each equivalent naturally, it thinks that it is not necessary to specify the compounding ratio strictly strictly. Therefore, in this invention, the addition amount of a hardening | curing agent is not specifically limited.

また、必要に応じて適宜量添加する硬化促進剤を用いることも好ましい。ここで言う硬化促進剤とは、3級アミン、イミダゾール、尿素系硬化促進剤等である。本件発明では、この硬化促進剤の配合割合は、特に限定を設けていない。なぜなら、硬化促進剤は、プレス加工時の加熱条件等を考慮して、製造者が任意に選択的に添加量を定めて良いものであるからである。   It is also preferable to use a curing accelerator that is added in an appropriate amount as required. The curing accelerator referred to here is a tertiary amine, imidazole, urea curing accelerator or the like. In the present invention, the mixing ratio of the curing accelerator is not particularly limited. This is because the amount of the hardening accelerator can be arbitrarily determined by the manufacturer in consideration of heating conditions during press working.

そして、前記樹脂層はゴム性樹脂を含むことも好ましい。ここで言うゴム性樹脂とは、天然ゴム及び合成ゴムを含む概念として記載しており、後者の合成ゴムにはスチレンーブタジエンゴム、ブタジエンゴム、ブチルゴム、エチレンープロピレンゴム等がある。更に、耐熱性を要求される場合には、ニトリルゴム、クロロプレンゴム、シリコンゴム、ウレタンゴム等の耐熱性合成ゴムを選択使用することも有用である。これらのゴム性樹脂に関しては、上記ポリマー成分と反応して共重合体を形成するように、両末端に種々の官能基を備えるものであることが望ましい。   The resin layer preferably contains a rubbery resin. The rubbery resin mentioned here is described as a concept including natural rubber and synthetic rubber, and the latter synthetic rubber includes styrene-butadiene rubber, butadiene rubber, butyl rubber, ethylene-propylene rubber and the like. Furthermore, when heat resistance is required, it is also useful to selectively use heat-resistant synthetic rubbers such as nitrile rubber, chloroprene rubber, silicon rubber, urethane rubber. Regarding these rubber resins, it is desirable to have various functional groups at both ends so as to react with the polymer component to form a copolymer.

更に、上記高分子ポリマーの架橋剤を必要に応じて添加して用いることも好ましい。例えば、上記高分子ポリマーとして、ポリビニルアセタール樹脂を用いる場合には、ウレタン樹脂を架橋材として用いる等である。   Furthermore, it is also preferable to add the above-mentioned high-molecular polymer crosslinking agent as necessary. For example, when a polyvinyl acetal resin is used as the polymer, a urethane resin is used as a cross-linking material.

前記樹脂層の樹脂組成物の構成成分は、樹脂組成物を100重量部としたとき、エポキシ樹脂が50重量部〜80重量部、硬化剤が1重量部〜15重量部、硬化促進剤が0.01重量部〜1.0重量部、ポリマー成分が2重量部〜50重量部、架橋剤が1重量部〜5重量部、ゴム性樹脂が1重量部〜10重量部の範囲の組成を採用してもよい。この組成範囲に含まれる限り、フッ素樹脂基材と金属箔との良好な密着性を維持し、且つ、製品の密着性のバラツキが少なくなる。   The components of the resin composition of the resin layer are 50 parts by weight to 80 parts by weight of the epoxy resin, 1 part by weight to 15 parts by weight of the curing agent, and 0 part of the curing accelerator when the resin composition is 100 parts by weight. .01 parts by weight to 1.0 parts by weight, 2 to 50 parts by weight of the polymer component, 1 to 5 parts by weight of the crosslinking agent, and 1 to 10 parts by weight of the rubbery resin are employed. May be. As long as it is included in this composition range, good adhesion between the fluororesin substrate and the metal foil is maintained, and variation in product adhesion is reduced.

前記樹脂層は5〜50重量部のエポキシ樹脂(硬化剤を含む)、50〜95重量部のポリエーテルサルホン樹脂(末端に水酸基又はアミノ基を持ち且つ溶剤に可溶なもの)、及び、必要に応じて適宜量添加する硬化促進剤からなる樹脂混合物を用いて形成したものまたは当該樹脂混合物を半硬化させたものであってもよい。   The resin layer is 5 to 50 parts by weight of an epoxy resin (including a curing agent), 50 to 95 parts by weight of a polyethersulfone resin (having a hydroxyl group or an amino group at the terminal and being soluble in a solvent), and What was formed using the resin mixture which consists of a hardening accelerator added suitably as needed, or what made the said resin mixture semi-hardened may be used.

前記樹脂層は銅箔側から順に第1熱硬化性樹脂層と、当該第1熱硬化性樹脂層の表面に位置する第2熱硬化性樹脂層とを有する樹脂層であって、第1熱硬化性樹脂層は、配線板製造プロセスにおけるデスミア処理時の薬品に溶解しない樹脂成分で形成されたものであり、第2熱硬化性樹脂層は、配線板製造プロセスにおけるデスミア処理時の薬品に溶解し洗浄除去可能な樹脂を用いて形成したものであってもよい。前記第1熱硬化性樹脂層は、ポリイミド樹脂、ポリエーテルサルホン、ポリフェニレンオキサイドのいずれか一種又は2種以上を混合した樹脂成分を用いて形成したものであってもよい。前記第2熱硬化性樹脂層は、エポキシ樹脂成分を用いて形成したものであってもよい。前記第1熱硬化性樹脂層の厚さt1(μm)は、キャリア付銅箔の粗化面粗さをRz(μm)とし、第2熱硬化性樹脂層の厚さをt2(μm)としたとき、t1は、Rz<t1<t2の条件を満たす厚さであることが好ましい。   The resin layer is a resin layer having a first thermosetting resin layer and a second thermosetting resin layer located on the surface of the first thermosetting resin layer in order from the copper foil side, The curable resin layer is formed of a resin component that does not dissolve in chemicals during desmear processing in the wiring board manufacturing process, and the second thermosetting resin layer dissolves in chemicals during desmear processing in the wiring board manufacturing process. Then, it may be formed using a resin that can be washed and removed. The first thermosetting resin layer may be formed using a resin component obtained by mixing one or more of polyimide resin, polyethersulfone, and polyphenylene oxide. The second thermosetting resin layer may be formed using an epoxy resin component. The thickness t1 (μm) of the first thermosetting resin layer is Rz (μm) of the roughened surface roughness of the copper foil with carrier, and the thickness of the second thermosetting resin layer is t2 (μm). Then, t1 is preferably a thickness that satisfies the condition of Rz <t1 <t2.

前記樹脂層は骨格材に樹脂を含浸させたプリプレグであってもよい。前記骨格材に含浸させた樹脂は熱硬化性樹脂であることが好ましい。前記プリプレグは公知のプリプレグまたはプリント配線板製造に用いるプリプレグであってもよい。前記プリプレグは次の工程を有する製造方法により製造されたプリプレグであってもよい。1.液体状の熱硬化性樹脂を用いて、平坦なワーク平面の上に所定厚さの被膜として液体樹脂層を形成する液体樹脂被膜形成工程。2.ワーク平面上にある液体樹脂層を、そのままの状態で乾燥させることで乾燥樹脂層とする予備乾燥工程。3.ワーク平面上にある前記乾燥樹脂層の表面に、骨格材を重ね合わせ、予備加熱して圧着することで骨格材付乾燥樹脂層とする骨格材予備接着工程。4.ワーク平面上に骨格材付乾燥樹脂層を載置したまま、樹脂が再流動可能な温度で加熱し、当該骨格材に熱硬化性樹脂成分を含浸させる樹脂含浸工程。5.樹脂含浸が終了すると、熱硬化性樹脂を完全硬化させることなく、直ちに降温操作を行い、骨格材に含浸させた熱硬化性樹脂の半硬化状態を維持してプリプレグ状態となるようにする冷却工程。   The resin layer may be a prepreg in which a skeleton material is impregnated with a resin. The resin impregnated in the skeleton material is preferably a thermosetting resin. The prepreg may be a known prepreg or a prepreg used for manufacturing a printed wiring board. The prepreg may be a prepreg manufactured by a manufacturing method having the following steps. 1. A liquid resin film forming step of forming a liquid resin layer as a film having a predetermined thickness on a flat work plane using a liquid thermosetting resin. 2. A preliminary drying step in which the liquid resin layer on the work plane is dried as it is to obtain a dry resin layer. 3. A skeleton material pre-adhesion step in which a skeleton material is superimposed on the surface of the dry resin layer on the work plane, preheated and pressed to form a dry resin layer with a skeleton material. 4). A resin impregnation step in which the resin is heated at a temperature at which the resin can be reflowed while the dry resin layer with the skeleton material is placed on the work plane, and the skeleton material is impregnated with the thermosetting resin component. 5. When the resin impregnation is completed, the cooling step is performed so that the temperature setting operation is immediately performed without completely curing the thermosetting resin, and the semi-cured state of the thermosetting resin impregnated in the skeleton material is maintained to be in the prepreg state. .

前記骨格材はアラミド繊維又はガラス繊維又は全芳香族ポリエステル繊維を含んでもよい。前記骨格材はアラミド繊維又はガラス繊維又は全芳香族ポリエステル繊維の不織布若しくは織布であることが好ましい。また、前記全芳香族ポリエステル繊維は融点が300℃以上の全芳香族ポリエステル繊維であることが好ましい。前記融点が300℃以上の全芳香族ポリエステル繊維とは、所謂液晶ポリマーと称される樹脂を用いて製造される繊維であり、当該液晶ポリマーは2−ヒドロキシル−6−ナフトエ酸及びp−ヒドロキシ安息香酸の重合体を主成分とするものである。この全芳香族ポリエステル繊維は、低誘電率、低い誘電正接を持つため、電気的絶縁層の構成材として優れた性能を有し、ガラス繊維及びアラミド繊維と同様に使用することが可能なものである。
なお、前記不織布及び織布を構成する繊維は、その表面の樹脂との濡れ性を向上させるため、シランカップリング剤処理を施す事が好ましい。このときのシランカップリング剤は、使用目的に応じてアミノ系、エポキシ系等のシランカップリング剤を用いればよいのである。
The skeleton material may include aramid fibers, glass fibers, or wholly aromatic polyester fibers. The skeleton material is preferably an aramid fiber, a glass fiber, or a nonwoven fabric or woven fabric of wholly aromatic polyester fibers. The wholly aromatic polyester fiber is preferably a wholly aromatic polyester fiber having a melting point of 300 ° C. or higher. The wholly aromatic polyester fiber having a melting point of 300 ° C. or higher is a fiber produced using a resin called a so-called liquid crystal polymer, and the liquid crystal polymer contains 2-hydroxyl-6-naphthoic acid and p-hydroxybenzoic acid. The main component is an acid polymer. Since this wholly aromatic polyester fiber has a low dielectric constant and low dielectric loss tangent, it has excellent performance as a constituent material of an electrically insulating layer and can be used in the same manner as glass fiber and aramid fiber. is there.
In addition, in order to improve the wettability with the resin of the surface, it is preferable to perform the silane coupling agent process for the fiber which comprises the said nonwoven fabric and woven fabric. The silane coupling agent at this time may be an amino or epoxy silane coupling agent depending on the purpose of use.

また、前記プリプレグは公称厚さが70μm以下のアラミド繊維又はガラス繊維を用いた不織布、あるいは、公称厚さが30μm以下のガラスクロスからなる骨格材に熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグであってもよい。   The prepreg is a prepreg obtained by impregnating a thermosetting resin into a nonwoven fabric using an aramid fiber or glass fiber having a nominal thickness of 70 μm or less, or a skeleton material made of glass cloth having a nominal thickness of 30 μm or less. Also good.

これらの樹脂を例えばメチルエチルケトン(MEK)、シクロペンタノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、トルエン、メタノール、エタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、シクロヘキサノン、エチルセロソルブ、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミドなどの溶剤に溶解して樹脂液とし、これを前記極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート処理層、あるいは前記シランカップリング剤層の上に、例えばロールコータ法などによって塗布し、ついで必要に応じて加熱乾燥して溶剤を除去しBステージ状態にする。乾燥には例えば熱風乾燥炉を用いればよく、乾燥温度は100〜250℃、好ましくは130〜200℃であればよい。前記樹脂層の組成物を、溶剤を用いて溶解し、樹脂固形分3wt%〜60wt%、好ましくは、10wt%〜40wt%、より好ましくは25wt%〜40wt%の樹脂液としてもよい。なお、メチルエチルケトンとシクロペンタノンとの混合溶剤を用いて溶解することが、環境的な見地より現段階では最も好ましい。   These resins are, for example, methyl ethyl ketone (MEK), cyclopentanone, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, toluene, methanol, ethanol, propylene glycol monomethyl ether, dimethylformamide, dimethylacetamide, cyclohexanone, ethyl cellosolve, N-methyl. 2-Pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, etc., dissolved in a solvent to give a resin liquid, which is applied to the ultrathin copper layer, the heat-resistant layer, the rust-proof layer, or the chromate On the treatment layer or the silane coupling agent layer, for example, it is applied by a roll coater method or the like, and then heated and dried as necessary to remove the solvent to obtain a B stage state. For example, a hot air drying furnace may be used for drying, and the drying temperature may be 100 to 250 ° C, preferably 130 to 200 ° C. The resin layer composition may be dissolved using a solvent to obtain a resin liquid having a resin solid content of 3 wt% to 60 wt%, preferably 10 wt% to 40 wt%, more preferably 25 wt% to 40 wt%. In addition, it is most preferable at this stage from an environmental standpoint to dissolve using a mixed solvent of methyl ethyl ketone and cyclopentanone.

前記樹脂層を備えたキャリア付銅箔(樹脂付きキャリア付銅箔)は、その樹脂層を基材に重ね合わせたのち全体を熱圧着して該樹脂層を熱硬化せしめ、ついでキャリアを剥離して極薄銅層を表出せしめ(当然に表出するのは該極薄銅層の中間層側の表面である)、そこに所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。   The copper foil with a carrier provided with the resin layer (copper foil with a carrier with resin) is superposed on the base material, and the whole is thermocompression bonded to thermally cure the resin layer, and then the carrier is peeled off. Thus, the ultrathin copper layer is exposed (which is naturally the surface on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer), and a predetermined wiring pattern is formed thereon.

この樹脂付きキャリア付銅箔を使用すると、多層プリント配線基板の製造時におけるプリプレグ材の使用枚数を減らすことができる。しかも、樹脂層の厚みを層間絶縁が確保できるような厚みにしたり、プリプレグ材を全く使用していなくても銅張積層板を製造することができる。またこのとき、基材の表面に絶縁樹脂をアンダーコートして表面の平滑性を更に改善することもできる。   If this resin-attached copper foil with a carrier is used, the number of prepreg materials used when manufacturing a multilayer printed wiring board can be reduced. In addition, the copper-clad laminate can be manufactured even if the resin layer is made thick enough to ensure interlayer insulation or no prepreg material is used. At this time, the surface smoothness can be further improved by undercoating the surface of the substrate with an insulating resin.

なお、プリプレグ材を使用しない場合には、プリプレグ材の材料コストが節約され、また積層工程も簡略になるので経済的に有利となり、しかも、プリプレグ材の厚み分だけ製造される多層プリント配線基板の厚みは薄くなり、特に樹脂付きキャリア付銅箔については1層の厚みが100μm以下である極薄の多層プリント配線基板を製造することができるという利点がある。当該樹脂層の厚みは0.1〜120μmであることが好ましい。   In addition, when the prepreg material is not used, the material cost of the prepreg material is saved and the laminating process is simplified, which is economically advantageous. Moreover, the multilayer printed wiring board manufactured by the thickness of the prepreg material is used. The thickness is reduced, and particularly with respect to the copper foil with a carrier with resin, there is an advantage that an extremely thin multilayer printed wiring board in which the thickness of one layer is 100 μm or less can be manufactured. The thickness of the resin layer is preferably 0.1 to 120 μm.

樹脂層の厚みが0.1μmより薄くなると、接着力が低下し、プリプレグ材を介在させることなくこの樹脂付きキャリア付銅箔を内層材を備えた基材に積層したときに、内層材の回路との間の層間絶縁を確保することが困難になる場合がある。また、前記硬化樹脂層、半硬化樹脂層との総樹脂層厚みは0.1μm〜120μmであるものが好ましく、35μm〜120μmのものが実用上好ましい。そして、その場合の各厚みは、硬化樹脂層は5〜20μmで、半硬化樹脂層は15〜115μmであることが望ましい。総樹脂層厚みが120μmを超えると、薄厚の多層プリント配線板を製造することが難しくなる場合があり、35μm未満では薄厚の多層プリント配線板を形成し易くなるものの、内層の回路間における絶縁層である樹脂層が薄くなりすぎ、内層の回路間の絶縁性を不安定にする傾向が生じる場合があるためである。また、硬化樹脂層厚みが5μm未満であると、銅箔粗化面の表面粗度を考慮する必要が生じる場合がある。逆に硬化樹脂層厚みが20μmを超えると硬化済み樹脂層による効果は特に向上することがなくなる場合があり、総絶縁層厚は厚くなる。また、前記硬化樹脂層は、厚さが3μm〜30μmであってもよい。また、前記半硬化樹脂層は、厚さが7μm〜55μmであってもよい。また、前記硬化樹脂層と前記半硬化樹脂層との合計厚さは10μm〜60μmであってもよい。   When the thickness of the resin layer is less than 0.1 μm, the adhesive strength is reduced, and when the copper foil with a carrier with the resin is laminated on the base material provided with the inner layer material without interposing the prepreg material, the circuit of the inner layer material It may be difficult to ensure interlayer insulation between the two. The total resin layer thickness with the cured resin layer and the semi-cured resin layer is preferably 0.1 μm to 120 μm, and practically preferable is 35 μm to 120 μm. And in that case, as for each thickness, it is desirable that a cured resin layer is 5-20 micrometers, and a semi-hardened resin layer is 15-115 micrometers. If the total resin layer thickness exceeds 120 μm, it may be difficult to produce a thin multilayer printed wiring board. If the total resin layer thickness is less than 35 μm, it is easy to form a thin multilayer printed wiring board, but an insulating layer between inner layer circuits This is because the resin layer may become too thin and the insulation between the circuits of the inner layer tends to become unstable. Moreover, when the cured resin layer thickness is less than 5 μm, it may be necessary to consider the surface roughness of the roughened copper foil surface. Conversely, if the cured resin layer thickness exceeds 20 μm, the effect of the cured resin layer may not be particularly improved, and the total insulating layer thickness becomes thick. The cured resin layer may have a thickness of 3 μm to 30 μm. The semi-cured resin layer may have a thickness of 7 μm to 55 μm. The total thickness of the cured resin layer and the semi-cured resin layer may be 10 μm to 60 μm.

また、樹脂付きキャリア付銅箔が極薄の多層プリント配線板を製造することに用いられる場合には、前記樹脂層の厚みを0.1μm〜5μm、より好ましくは0.5μm〜5μm、より好ましくは1μm〜5μmとすることが、多層プリント配線板の厚みを小さくするために好ましい。なお、前記樹脂層の厚みを0.1μm〜5μmとする場合には、樹脂層と銅箔との密着性を向上させるため、粗化処理層の上に耐熱層および/または防錆層および/またはクロメート処理層および/またはシランカップリング処理層を設けた後に、当該耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング処理層の上に樹脂層を形成することが好ましい。
また、樹脂層が誘電体を含む場合には、樹脂層の厚みは0.1〜50μmであることが好ましく、0.5μm〜25μmであることが好ましく、1.0μm〜15μmであることがより好ましい。なお、前述の樹脂層の厚みは、任意の10点において断面観察により測定した厚みの平均値をいう。
Further, when the resin-attached copper foil with a carrier is used for producing an extremely thin multilayer printed wiring board, the thickness of the resin layer is 0.1 μm to 5 μm, more preferably 0.5 μm to 5 μm, more preferably Is preferably 1 μm to 5 μm in order to reduce the thickness of the multilayer printed wiring board. In addition, when the thickness of the resin layer is 0.1 μm to 5 μm, in order to improve the adhesion between the resin layer and the copper foil, a heat-resistant layer and / or a rust-proof layer and / Alternatively, after providing the chromate treatment layer and / or the silane coupling treatment layer, it is preferable to form a resin layer on the heat-resistant layer, the rust prevention layer, the chromate treatment layer or the silane coupling treatment layer.
When the resin layer includes a dielectric, the thickness of the resin layer is preferably 0.1 to 50 μm, preferably 0.5 μm to 25 μm, and more preferably 1.0 μm to 15 μm. preferable. In addition, the thickness of the above-mentioned resin layer says the average value of the thickness measured by cross-sectional observation in arbitrary 10 points | pieces.

一方、樹脂層の厚みを120μmより厚くすると、1回の塗布工程で目的厚みの樹脂層を形成することが困難となり、余分な材料費と工数がかかるため経済的に不利となる。更には、形成された樹脂層はその可撓性が劣るので、ハンドリング時にクラックなどが発生しやすくなり、また内層材との熱圧着時に過剰な樹脂流れが起こって円滑な積層が困難になる場合がある。   On the other hand, if the thickness of the resin layer is thicker than 120 μm, it becomes difficult to form a resin layer having a desired thickness in a single coating process, which is economically disadvantageous because of extra material costs and man-hours. Furthermore, since the formed resin layer is inferior in flexibility, cracks are likely to occur during handling, and excessive resin flow occurs during thermocompression bonding with the inner layer material, making smooth lamination difficult. There is.

更に、樹脂付きキャリア付銅箔のもう一つの製品形態としては、前記極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート処理層、あるいは前記シランカップリング処理層の上に樹脂層で被覆し、半硬化状態とした後、ついでキャリアを剥離して、キャリアが存在しない樹脂付き銅箔の形で製造することも可能である。   Furthermore, another product form of the copper foil with a carrier with resin is a resin on the ultrathin copper layer, or on the heat-resistant layer, rust-proof layer, chromate-treated layer, or silane coupling-treated layer. After coating with a layer and making it into a semi-cured state, the carrier can then be peeled off and manufactured in the form of a copper foil with resin in which no carrier is present.

以下に、本発明に係るキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。   Below, some examples of the manufacturing process of the printed wiring board using the copper foil with a carrier which concerns on this invention are shown.

本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を極薄銅層側が絶縁基板と対向するように積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法、パートリーアディティブ法及びサブトラクティブ法の何れかの方法によって、回路を形成する工程を含む。絶縁基板は内層回路入りのものとすることも可能である。   In one embodiment of a method for producing a printed wiring board according to the present invention, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention, a step of laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate, and with the carrier After laminating the copper foil and the insulating substrate so that the ultrathin copper layer side faces the insulating substrate, a copper-clad laminate is formed through a step of peeling the carrier of the copper foil with carrier, and then a semi-additive method, a modified semi-conductor A step of forming a circuit by any one of an additive method, a partial additive method, and a subtractive method. It is also possible for the insulating substrate to contain an inner layer circuit.

本発明において、セミアディティブ法とは、絶縁基板又は銅箔シード層上に薄い無電解めっきを行い、パターンを形成後、電気めっき及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を指す。   In the present invention, the semi-additive method refers to a method in which a thin electroless plating is performed on an insulating substrate or a copper foil seed layer, a pattern is formed, and then a conductive pattern is formed using electroplating and etching.

従って、セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of a method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
A step of peeling the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing all of the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as acid
Providing a through hole or / and a blind via in the resin exposed by removing the ultrathin copper layer by etching;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Providing an electroless plating layer for the region including the resin and the through hole or / and the blind via;
Providing a plating resist on the electroless plating layer;
Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in a region where a circuit is formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.

セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
A step of peeling the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Removing all of the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as acid
Providing an electroless plating layer on the surface of the resin exposed by removing the ultrathin copper layer by etching;
Providing a plating resist on the electroless plating layer;
Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in a region where a circuit is formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer and the ultrathin copper layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.

本発明において、モディファイドセミアディティブ法とは、絶縁層上に金属箔を積層し、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けを行った後、レジストを除去し、前記回路形成部以外の金属箔を(フラッシュ)エッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する方法を指す。   In the present invention, the modified semi-additive method is a method in which a metal foil is laminated on an insulating layer, a non-circuit forming portion is protected by a plating resist, and the copper is thickened in the circuit forming portion by electrolytic plating, and then the resist is removed. Then, a method of forming a circuit on the insulating layer by removing the metal foil other than the circuit forming portion by (flash) etching is indicated.

従って、モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the modified semi-additive method, the step of preparing the copper foil with carrier and the insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
A step of peeling the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing a through hole or / and a blind via on the insulating substrate and the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Providing an electroless plating layer for the region including the through hole or / and the blind via;
Providing a plating resist on the surface of the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier,
Forming a circuit by electrolytic plating after providing the plating resist;
Removing the plating resist;
Removing the ultra-thin copper layer exposed by removing the plating resist by flash etching;
including.

モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the modified semi-additive method, the step of preparing the carrier-attached copper foil and the insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
A step of peeling the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing a plating resist on the exposed ultrathin copper layer by peeling off the carrier;
Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in a region where a circuit is formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer and the ultrathin copper layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.

本発明において、パートリーアディティブ法とは、導体層を設けてなる基板、必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導体回路を形成し、必要に応じてソルダレジストまたはメッキレジストを設けた後に、前記導体回路上、スルーホールやバイアホールなどに無電解めっき処理によって厚付けを行うことにより、プリント配線板を製造する方法を指す。   In the present invention, the partial additive method means that a catalyst circuit is formed on a substrate provided with a conductor layer, and if necessary, a substrate provided with holes for through holes or via holes, and etched to form a conductor circuit. Then, after providing a solder resist or a plating resist as necessary, it refers to a method of manufacturing a printed wiring board by thickening through holes, via holes, etc. on the conductor circuit by electroless plating.

従って、パートリーアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a partly additive method, a step of preparing the copper foil with carrier and the insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
A step of peeling the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing a through hole or / and a blind via on the insulating substrate and the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Applying catalyst nuclei to the region containing the through-holes and / or blind vias;
Providing an etching resist on the surface of the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier,
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Removing the ultrathin copper layer and the catalyst nucleus by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid to form a circuit;
Removing the etching resist;
A step of providing a solder resist or a plating resist on the surface of the insulating substrate exposed by removing the ultrathin copper layer and the catalyst core by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid;
Providing an electroless plating layer in a region where the solder resist or plating resist is not provided,
including.

本発明において、サブトラクティブ法とは、銅張積層板上の銅箔の不要部分を、エッチングなどによって、選択的に除去して、導体パターンを形成する方法を指す。   In the present invention, the subtractive method refers to a method of forming a conductor pattern by selectively removing unnecessary portions of a copper foil on a copper clad laminate by etching or the like.

従って、サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a subtractive method, a step of preparing the carrier-attached copper foil and the insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
A step of peeling the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing a through hole or / and a blind via on the insulating substrate and the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Providing an electroless plating layer for the region including the through hole or / and the blind via;
Providing an electroplating layer on the surface of the electroless plating layer;
A step of providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer or / and the ultrathin copper layer;
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Removing the ultrathin copper layer and the electroless plating layer and the electrolytic plating layer by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid to form a circuit;
Removing the etching resist;
including.

サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されいない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a subtractive method, a step of preparing the carrier-attached copper foil and the insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
A step of peeling the carrier of the copper foil with carrier after laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate;
Providing a through hole or / and a blind via on the insulating substrate and the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Providing an electroless plating layer for the region including the through hole or / and the blind via;
Forming a mask on the surface of the electroless plating layer;
Providing an electroplating layer on the surface of the electroless plating layer on which no mask is formed;
A step of providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer or / and the ultrathin copper layer;
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Removing the ultra-thin copper layer and the electroless plating layer by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid to form a circuit;
Removing the etching resist;
including.

スルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、及びその後のデスミア工程は行わなくてもよい。   The process of providing a through hole or / and a blind via and the subsequent desmear process may not be performed.

ここで、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例を図面を用いて詳細に説明する。なお、ここでは極薄銅層表面に粗化処理層が形成されたキャリア付銅箔を例にして説明しているが、粗化処理層は形成されていなくてもよい。
まず、図1−Aに示すように、表面に粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔(1層目)を準備する。なお、当該工程で表面に粗化処理層が形成されたキャリアを有するキャリア付銅箔(1層目)を準備してもよい。
次に、図1−Bに示すように、極薄銅層の粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。なお、当該工程でキャリアの粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングしてもよい。
次に、図1−Cに示すように、回路用のめっきを形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路めっきを形成する。
次に、図2−Dに示すように、回路めっきを覆うように(回路めっきが埋没するように)極薄銅層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付銅箔(2層目)を極薄銅層側から接着させる。なお、当該工程で回路メッキを覆うように(回路メッキが埋没するように)キャリア上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付銅箔(2層目)をキャリア側から接着させてもよい。
次に、図2−Eに示すように、2層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図2−Fに示すように、樹脂層の所定位置にレーザー穴あけを行い、回路めっきを露出させてブラインドビアを形成する。
次に、図3−Gに示すように、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。
次に、図3−Hに示すように、ビアフィル上に、上記図1−B及び図1−Cのようにして回路めっきを形成する。
次に、図3−Iに示すように、1層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図4−Jに示すように、フラッシュエッチングにより両表面の極薄銅層を除去し、樹脂層内の回路めっきの表面を露出させる。
次に、図4−Kに示すように、樹脂層内の回路めっき上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板を作製する。
Here, the specific example of the manufacturing method of the printed wiring board using the copper foil with a carrier of this invention is demonstrated in detail using drawing. In addition, although the copper foil with a carrier by which the roughening process layer was formed on the ultra-thin copper layer surface is demonstrated as an example here, the roughening process layer does not need to be formed.
First, as shown to FIG. 1-A, the copper foil with a carrier (1st layer) which has the ultra-thin copper layer in which the roughening process layer was formed on the surface is prepared. In addition, you may prepare copper foil with a carrier (1st layer) which has the carrier by which the roughening process layer was formed in the surface at the said process.
Next, as shown in FIG. 1-B, a resist is applied onto the roughened layer of the ultrathin copper layer, exposed and developed, and etched into a predetermined shape. In this step, a resist may be applied onto the roughening layer of the carrier, exposed and developed, and etched to a predetermined shape.
Next, as shown in FIG. 1-C, after the plating for the circuit is formed, the resist is removed to form a circuit plating having a predetermined shape.
Next, as shown in FIG. 2-D, an embedding resin is provided on the ultrathin copper layer so as to cover the circuit plating (so that the circuit plating is buried), and then the resin layer is laminated, followed by another carrier. A copper foil (second layer) is bonded from the ultrathin copper layer side. In addition, a resin layer is provided by laminating resin on the carrier so as to cover the circuit plating in this step (so that the circuit plating is buried), and then another carrier-attached copper foil (second layer) is placed on the carrier side. You may make it adhere from.
Next, as shown to FIG. 2-E, a carrier is peeled from the copper foil with a carrier of the 2nd layer.
Next, as shown in FIG. 2-F, laser drilling is performed at a predetermined position of the resin layer to expose the circuit plating and form a blind via.
Next, as shown in FIG. 3G, copper is embedded in the blind via to form a via fill.
Next, as shown in FIG. 3H, circuit plating is formed on the via fill as shown in FIGS. 1-B and 1-C.
Next, as shown to FIG. 3-I, a carrier is peeled from the copper foil with a carrier of the 1st layer.
Next, as shown in FIG. 4J, the ultrathin copper layers on both surfaces are removed by flash etching, and the surface of the circuit plating in the resin layer is exposed.
Next, as shown in FIG. 4K, bumps are formed on the circuit plating in the resin layer, and copper pillars are formed on the solder. Thus, the printed wiring board using the copper foil with a carrier of this invention is produced.

上記別のキャリア付銅箔(2層目)は、本発明のキャリア付銅箔を用いてもよく、従来のキャリア付銅箔を用いてもよく、さらに通常の銅箔を用いてもよい。また、図3−Hに示される2層目の回路上に、さらに回路を1層或いは複数層形成してもよく、それらの回路形成をセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって行ってもよい。   As the another copper foil with a carrier (second layer), the copper foil with a carrier of the present invention may be used, a conventional copper foil with a carrier may be used, and a normal copper foil may be further used. Further, one or more circuits may be formed on the second layer circuit shown in FIG. 3H, and these circuits may be formed by a semi-additive method, a subtractive method, a partial additive method, or a modified semi-conductor method. You may carry out by any method of an additive method.

また、前記1層目に用いられるキャリア付銅箔は、当該キャリア付銅箔のキャリア側表面に基板を有してもよい。当該基板を有することで1層目に用いられるキャリア付銅箔は支持され、しわが入りにくくなるため、生産性が向上するという利点がある。なお、前記基板には、前記1層目に用いられるキャリア付銅箔を支持する効果を有するものであれば、全ての基板を用いることが出来る。例えば前記基板として本願明細書に記載のキャリア、プリプレグ、樹脂層や公知のキャリア、プリプレグ、樹脂層、金属板、金属箔、無機化合物の板、無機化合物の箔、有機化合物の板、有機化合物の箔を用いることができる。   Moreover, the copper foil with a carrier used for the said 1st layer may have a board | substrate on the carrier side surface of the said copper foil with a carrier. By having the said board | substrate, since the copper foil with a carrier used for the 1st layer is supported and it becomes difficult to wrinkle, there exists an advantage that productivity improves. Any substrate can be used as long as it has the effect of supporting the copper foil with carrier used in the first layer. For example, the carrier, prepreg, resin layer or known carrier, prepreg, resin layer, metal plate, metal foil, inorganic compound plate, inorganic compound foil, organic compound plate, organic compound A foil can be used.

キャリア側表面に基板を形成するタイミングについては特に制限はないが、キャリアを剥離する前に形成することが必要である。特に、前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程の前に形成することが好ましく、キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程の前に形成することがより好ましい。   Although there is no restriction | limiting in particular about the timing which forms a board | substrate in the carrier side surface, It is necessary to form before peeling a carrier. In particular, it is preferably formed before the step of forming a resin layer on the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with carrier, and the step of forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with carrier More preferably, it is formed before.

なお、埋め込み樹脂(レジン)には公知の樹脂、プリプレグを用いることができる。例えば、BT(ビスマレイミドトリアジン)レジンやBTレジンを含浸させたガラス布であるプリプレグ、味の素ファインテクノ株式会社製ABFフィルムやABFを用いることができる。また、前記埋め込み樹脂は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記埋め込み樹脂は熱可塑性樹脂を含んでもよい。前記埋め込み樹脂の種類は格別限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、多官能性シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、ブロック共重合ポリイミド樹脂、ブロック共重合ポリイミド樹脂、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルスルホン樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ゴム変成エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、カルボキシル基変性アクリロニトリル-ブタジエン樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ビスマレイミドトリアジン樹脂、熱硬化性ポリフェニレンオキサイド樹脂、シアネートエステル系樹脂、多価カルボン酸の無水物などを含む樹脂や、紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルム、フッ素樹脂フィルムなどを好適なものとしてあげることができる。また、前記埋め込み樹脂(レジン)には本明細書に記載の樹脂層および/または樹脂および/またはプリプレグを使用することができる。   A known resin or prepreg can be used as the embedding resin (resin). For example, a prepreg that is a glass cloth impregnated with BT (bismaleimide triazine) resin or BT resin, an ABF film or ABF manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd. can be used. The embedding resin may include a thermosetting resin or a thermoplastic resin. The embedding resin may include a thermoplastic resin. The type of the embedded resin is not particularly limited. For example, epoxy resin, polyimide resin, polyfunctional cyanate compound, maleimide compound, polyvinyl acetal resin, urethane resin, block copolymer polyimide resin, block copolymer Polyimide resin, polyethersulfone, polyethersulfone resin, aromatic polyamide resin, polyamideimide resin, rubber modified epoxy resin, phenoxy resin, carboxyl group-modified acrylonitrile-butadiene resin, polyphenylene oxide, bismaleimide triazine resin, thermosetting polyphenylene Resin containing oxide resin, cyanate ester resin, polycarboxylic acid anhydride, paper base phenolic resin, paper base epoxy resin, synthetic fiber cloth base epoxy resin, glass cloth / paper composite Preferred examples include composite base epoxy resins, glass cloth / glass nonwoven fabric composite base epoxy resins and glass cloth base epoxy resins, polyester films, polyimide films, liquid crystal polymer films, fluororesin films, and the like. Moreover, the resin layer and / or resin and / or prepreg as described in this specification can be used for the embedding resin (resin).

更に、本発明のプリント配線板に電子部品類を搭載することで、プリント回路板が完成する。本発明において、「プリント配線板」にはこのように電子部品類が搭載されたプリント配線板およびプリント回路板およびプリント基板も含まれることとする。
また、当該プリント配線板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント回路板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント基板を用いて電子機器を作製してもよい。
Furthermore, a printed circuit board is completed by mounting electronic components on the printed wiring board of the present invention. In the present invention, the “printed wiring board” includes a printed wiring board, a printed circuit board, and a printed board on which electronic parts are mounted as described above.
In addition, an electronic device may be manufactured using the printed wiring board, an electronic device may be manufactured using a printed circuit board on which the electronic components are mounted, and a print on which the electronic components are mounted. An electronic device may be manufactured using a substrate.

本発明のキャリア付銅箔を用いて積層体(銅張積層板等)を作製することができる。当該積層体としては、例えば、「極薄銅層/中間層/キャリア/樹脂又はプリプレグ」の順に積層された構成であってもよく、「キャリア/中間層/極薄銅層/樹脂又はプリプレグ」の順に積層された構成であってもよく、「極薄銅層/中間層/キャリア/樹脂又はプリプレグ/キャリア/中間層/極薄銅層」の順に積層された構成であってもよく、「キャリア/中間層/極薄銅層/樹脂又はプリプレグ/極薄銅層/中間層/キャリア」の順に積層された構成であってもよく、「キャリア/中間層/極薄銅層/樹脂又はプリプレグ/キャリア/中間層/極薄銅層」の順に積層された構成であってもよい。前記樹脂又はプリプレグは前述する樹脂層であってもよく、前述する樹脂層に用いる樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでもよい。なお、キャリア付銅箔は平面視したときに樹脂又はプリプレグより小さくてもよい。   A laminated body (a copper clad laminated board etc.) can be produced using the copper foil with a carrier of the present invention. For example, the laminate may have a structure in which “ultra-thin copper layer / intermediate layer / carrier / resin or prepreg” is laminated in this order, and “carrier / intermediate layer / ultra-thin copper layer / resin or prepreg”. It may be a configuration laminated in this order, or may be a configuration laminated in the order of "ultra thin copper layer / intermediate layer / carrier / resin or prepreg / carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer" The structure may be laminated in the order of “carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer / resin or prepreg / ultra thin copper layer / intermediate layer / carrier”, “carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer / resin or prepreg”. The configuration may be such that “/ carrier / intermediate layer / ultra-thin copper layer” is laminated in this order. The resin or prepreg may be the resin layer described above, and the resin, resin curing agent, compound, curing accelerator, dielectric, reaction catalyst, crosslinking agent, polymer, prepreg, skeleton material, etc. used in the resin layer described above may be used. May be included. The carrier-attached copper foil may be smaller than the resin or prepreg when viewed in plan.

また、本発明のプリント配線板の製造方法は、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に回路を形成する工程、前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層又は前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程を含んでもよい。   In addition, the method for producing a printed wiring board according to the present invention includes a step of forming a circuit on the surface of the ultrathin copper layer or the surface of the carrier of the copper foil with a carrier according to the present invention. Forming a resin layer on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of a copper foil, peeling the carrier or the ultrathin copper layer, and peeling the carrier or the ultrathin copper layer A step of exposing the circuit embedded in the resin layer formed on the surface of the ultrathin copper layer or the surface of the carrier by removing the ultrathin copper layer or the carrier may be included.

また、本発明のプリント配線板の製造方法は、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に回路を形成する工程、前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、前記樹脂層上に回路を形成する工程、前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリア又は前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、前記キャリア又は前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層又は前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程を含んでもよい。   In addition, the method for producing a printed wiring board according to the present invention includes a step of forming a circuit on the surface of the ultrathin copper layer or the surface of the carrier of the copper foil with a carrier according to the present invention. Forming a resin layer on the surface of the ultrathin copper layer or the carrier side of a copper foil, forming a circuit on the resin layer, forming a circuit on the resin layer, and then forming the carrier or the electrode After peeling off the thin copper layer, and after peeling off the carrier or the ultra thin copper layer, the ultra thin copper layer side surface or the carrier side surface by removing the ultra thin copper layer or the carrier The step of exposing the circuit buried in the resin layer may be included.

また、本発明のプリント配線板の製造方法は、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、前記樹脂基板と積層した極薄銅層側表面または前記キャリア側表面とは反対側のキャリア付銅箔の表面に、樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程を含むプリント配線板の製造方法(コアレス工法)であってもよい。当該コアレス工法について、具体的な例としては、まず、本発明のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面またはキャリア側表面と樹脂基板とを積層する。その後、樹脂基板と積層した極薄銅層側表面または前記キャリア側表面とは反対側のキャリア付銅箔の表面に樹脂層を形成する。キャリア側表面又は極薄銅層側表面に形成した樹脂層には、さらに別のキャリア付銅箔をキャリア側又は極薄銅層側から積層してもよい。この場合、樹脂基板を中心として当該樹脂基板の両表面側に、キャリア/中間層/極薄銅層の順あるいは極薄銅層/中間層/キャリアの順でキャリア付銅箔が積層された構成となっている。両端の極薄銅層あるいはキャリアの露出した表面には、別の樹脂層を設け、さらに銅層又は金属層を設けた後、当該銅層又は金属層を加工することで回路を形成してもよい。さらに、別の樹脂層を当該回路上に、当該回路を埋め込むように設けても良い。また、このような回路及び樹脂層の形成を1回以上行ってもよい(ビルドアップ工法)。そして、このようにして形成した積層体(以下、積層体Bとも言う)について、それぞれのキャリア付銅箔の極薄銅層またはキャリアをキャリアまたは極薄銅層から剥離させてコアレス基板を作製することができる。なお、前述のコアレス基板の作製には、2つのキャリア付銅箔を用いて、後述する極薄銅層/中間層/キャリア/キャリア/中間層/極薄銅層の構成を有する積層体や、キャリア/中間層/極薄銅層/極薄銅層/中間層/キャリアの構成を有する積層体や、キャリア/中間層/極薄銅層/キャリア/中間層/極薄銅層の構成を有する積層体を作製し、当該積層体を中心に用いることもできる。これら積層体(以下、積層体Aとも言う)の両側の極薄銅層またはキャリアの表面に樹脂層及び回路の2層を1回以上設け、樹脂層及び回路の2層を1回以上設けた後に、それぞれのキャリア付銅箔の極薄銅層またはキャリアをキャリアまたは極薄銅層から剥離させてコアレス基板を作製することができる。前述の積層体は、極薄銅層の表面、キャリアの表面、キャリアとキャリアとの間、極薄銅層と極薄銅層との間、極薄銅層とキャリアとの間には他の層を有してもよい。なお、本明細書において「極薄銅層の表面」、「極薄銅層側表面」、「キャリアの表面」、「キャリア側表面」、「積層体の表面」は、極薄銅層、キャリア、積層体が、極薄銅層表面、キャリア表面、積層体表面に他の層を有する場合には、当該他の層の表面(最表面)を含む概念とする。また、積層体は極薄銅層/中間層/キャリア/キャリア/中間層/極薄銅層の構成を有することが好ましい。当該積層体を用いてコアレス基板を作製した際、コアレス基板側に極薄銅層が配置されるため、モディファイドセミアディティブ法を用いてコアレス基板上に回路を形成しやすくなるためである。また、極薄銅層の厚みは薄いため、当該極薄銅層の除去がしやすく、極薄銅層の除去後にセミアディティブ法を用いて、コアレス基板上に回路を形成しやすくなるためである。
なお、本明細書において、「積層体A」または「積層体B」と特に記載していない「積層体」は、少なくとも積層体A及び積層体Bを含む積層体を示す。
Further, the method for producing a printed wiring board of the present invention includes a step of laminating the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with a carrier of the present invention and a resin substrate, and an ultrathin layer laminated with the resin substrate. A step of providing at least once a resin layer and a circuit on the surface of the copper layer with carrier on the opposite side of the copper layer side surface or the carrier side surface, and forming two layers of the resin layer and the circuit Then, a printed wiring board manufacturing method (coreless method) including a step of peeling the carrier or the ultrathin copper layer from the carrier-attached copper foil may be used. As a specific example of the coreless construction method, first, the ultrathin copper layer side surface or carrier side surface of the copper foil with carrier of the present invention and a resin substrate are laminated. Thereafter, a resin layer is formed on the surface of the ultrathin copper layer side surface laminated with the resin substrate or the surface of the carrier-attached copper foil opposite to the carrier side surface. You may laminate | stack another copper foil with a carrier from the carrier side or the ultra-thin copper layer side to the resin layer formed in the carrier side surface or the ultra-thin copper layer side surface. In this case, a copper foil with a carrier is laminated in the order of carrier / intermediate layer / ultra-thin copper layer or ultra-thin copper layer / intermediate layer / carrier in this order on both surface sides of the resin substrate with the resin substrate as the center It has become. Even if an ultrathin copper layer on both ends or the exposed surface of the carrier is provided with another resin layer, and further provided with a copper layer or metal layer, a circuit may be formed by processing the copper layer or metal layer. Good. Further, another resin layer may be provided on the circuit so as to embed the circuit. Further, such a circuit and a resin layer may be formed one or more times (build-up method). And about the laminated body formed in this way (henceforth the laminated body B), a coreless board | substrate is produced by peeling the ultra-thin copper layer or carrier of each copper foil with a carrier from a carrier or an ultra-thin copper layer. be able to. In addition, for the production of the coreless substrate described above, a laminate having a configuration of an ultrathin copper layer / intermediate layer / carrier / carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer described later using two copper foils with a carrier, Laminate having a structure of carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer / ultra thin copper layer / intermediate layer / carrier, or a structure of carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer / carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer It is also possible to produce a laminated body and use the laminated body as a center. Two layers of the resin layer and the circuit are provided at least once on the surface of the ultra-thin copper layer or carrier on both sides of these laminates (hereinafter also referred to as the laminate A), and the two layers of the resin layer and the circuit are provided at least once. Later, the coreless substrate can be manufactured by peeling off the ultrathin copper layer or carrier of each copper foil with carrier from the carrier or the ultrathin copper layer. The above-mentioned laminated body has other surfaces between the surface of the ultrathin copper layer, the surface of the carrier, between the carrier, between the ultrathin copper layer and the ultrathin copper layer, and between the ultrathin copper layer and the carrier. You may have a layer. In this specification, “surface of ultrathin copper layer”, “surface of ultrathin copper layer side”, “surface of carrier”, “surface of carrier side”, and “surface of laminate” refer to ultrathin copper layer, carrier When the laminate has other layers on the ultrathin copper layer surface, carrier surface, and laminate surface, the concept includes the surface (outermost surface) of the other layer. Moreover, it is preferable that a laminated body has the structure of an ultra-thin copper layer / intermediate layer / carrier / carrier / intermediate layer / ultra-thin copper layer. This is because, when a coreless substrate is manufactured using the laminate, an ultrathin copper layer is disposed on the coreless substrate side, so that a circuit can be easily formed on the coreless substrate using the modified semi-additive method. In addition, since the thickness of the ultrathin copper layer is thin, it is easy to remove the ultrathin copper layer, and it becomes easier to form a circuit on the coreless substrate using the semi-additive method after the ultrathin copper layer is removed. .
In this specification, “laminate” not specifically described as “laminate A” or “laminate B” indicates a laminate including at least laminate A and laminate B.

なお、上述のコアレス基板の製造方法において、キャリア付銅箔または積層体(積層体A)の端面の一部または全部を樹脂で覆うことにより、ビルドアップ工法でプリント配線板を製造する際に、中間層または積層体を構成する1つのキャリア付銅箔ともう1つのキャリア付銅箔の間のへの薬液の染み込みを防止することができ、薬液の染み込みによる極薄銅層とキャリアの分離やキャリア付銅箔の腐食を防止することができ、歩留りを向上させることができる。ここで用いる「キャリア付銅箔の端面の一部または全部を覆う樹脂」または「積層体の端面の一部または全部を覆う樹脂」としては、樹脂層に用いることができる樹脂を使用することができる。また、上述のコアレス基板の製造方法において、キャリア付銅箔または積層体において平面視したときにキャリア付銅箔または積層体の積層部分(キャリアと極薄銅層との積層部分、または、1つのキャリア付銅箔ともう1つのキャリア付銅箔との積層部分)の外周の少なくとも一部が樹脂又はプリプレグで覆ってもよい。また、上述のコアレス基板の製造方法で形成する積層体(積層体A)は、一対のキャリア付銅箔を互いに分離可能に接触させて構成されていてもよい。また、当該キャリア付銅箔において平面視したときにキャリア付銅箔または積層体の積層部分(キャリアと極薄銅層との積層部分、または、1つのキャリア付銅箔ともう1つのキャリア付銅箔との積層部分)の外周の全体にわたって樹脂又はプリプレグで覆われてなるものであってもよい。このような構成とすることにより、キャリア付銅箔または積層体を平面視したときに、キャリア付銅箔または積層体の積層部分が樹脂又はプリプレグにより覆われ、他の部材がこの部分の側方向、すなわち積層方向に対して横からの方向から当たることを防ぐことができるようになり、結果としてハンドリング中のキャリアと極薄銅層またはキャリア付銅箔同士の剥がれを少なくすることができる。また、キャリア付銅箔または積層体の積層部分の外周を露出しないように樹脂又はプリプレグで覆うことにより、前述したような薬液処理工程におけるこの積層部分の界面への薬液の浸入を防ぐことができ、キャリア付銅箔の腐食や侵食を防ぐことができる。なお、積層体の一対のキャリア付銅箔から一つのキャリア付銅箔を分離する際、またはキャリア付銅箔のキャリアと銅箔(極薄銅層)を分離する際には、樹脂又はプリプレグで覆われているキャリア付銅箔又は積層体の積層部分(キャリアと極薄銅層との積層部分、または、1つのキャリア付銅箔ともう1つのキャリア付銅箔との積層部分)を切断等により除去する必要がある。   In the above-described coreless substrate manufacturing method, by covering part or all of the end face of the copper foil with carrier or the laminate (laminate A) with a resin, when producing a printed wiring board by the build-up method, It is possible to prevent the infiltration of the chemical solution between one copper foil with a carrier and another copper foil with a carrier constituting the intermediate layer or laminate, and separation of the ultrathin copper layer and the carrier due to the infiltration of the chemical solution Corrosion of the copper foil with carrier can be prevented, and the yield can be improved. As the “resin that covers part or all of the end face of the copper foil with carrier” or “resin that covers part or all of the end face of the laminate” used herein, a resin that can be used for the resin layer may be used. it can. Further, in the above-described coreless substrate manufacturing method, the carrier-attached copper foil or laminate when viewed in plan, the carrier-attached copper foil or laminate portion (a laminate portion of the carrier and the ultrathin copper layer, or one At least a part of the outer periphery of the laminated copper foil with carrier and another copper foil with carrier may be covered with resin or prepreg. Moreover, the laminated body (laminated body A) formed with the manufacturing method of the above-mentioned coreless board | substrate may be comprised by making a pair of copper foil with a carrier contact each other so that isolation | separation is possible. Further, when viewed in plan in the copper foil with carrier, the copper foil with carrier or the laminated portion of the laminated body (the laminated portion of the carrier and the ultrathin copper layer, or one copper foil with carrier and another copper with carrier) It may be formed by being covered with a resin or a prepreg over the entire outer periphery of the laminated portion with the foil. By adopting such a configuration, when the copper foil with a carrier or a laminate is viewed in plan, the laminated portion of the copper foil with a carrier or the laminate is covered with a resin or prepreg, and other members are in the lateral direction of this portion. That is, it becomes possible to prevent the stacking direction from being hit from the side, and as a result, peeling of the carrier during handling and the ultrathin copper layer or the copper foil with carrier can be reduced. Moreover, by covering the outer periphery of the copper foil with a carrier or the laminated part with a resin or prepreg so as not to be exposed, it is possible to prevent the chemical solution from entering the interface of the laminated part in the chemical treatment process as described above. , Corrosion and erosion of the copper foil with carrier can be prevented. When separating a single copper foil with a carrier from a pair of copper foils with a carrier, or when separating a carrier of a copper foil with a carrier and a copper foil (ultra-thin copper layer), a resin or prepreg is used. Cutting a covered copper foil with a carrier or a laminated part of a laminated body (a laminated part of a carrier and an ultrathin copper layer or a laminated part of one copper foil with a carrier and another copper foil with a carrier), etc. Need to be removed.

本発明のキャリア付銅箔をキャリア側又は極薄銅層側から、もう一つの本発明のキャリア付銅箔のキャリア側または極薄銅層側に積層して積層体を構成してもよい。また、前記一つのキャリア付銅箔の前記キャリア側表面又は前記極薄銅層側表面と前記もう一つのキャリア付銅箔の前記キャリア側表面又は前記極薄銅層側表面とが、必要に応じて接着剤を介して、直接積層させて得られた積層体であってもよい。また、前記一つのキャリア付銅箔のキャリア又は極薄銅層と、前記もう一つのキャリア付銅箔のキャリア又は極薄銅層とが接合されていてもよい。ここで、当該「接合」は、キャリア又は極薄銅層が表面処理層を有する場合は、当該表面処理層を介して互いに接合されている態様も含む。また、当該積層体の端面の一部または全部が樹脂により覆われていてもよい。   The copper foil with a carrier of the present invention may be laminated from the carrier side or the ultrathin copper layer side to the carrier side or the ultrathin copper layer side of another copper foil with a carrier of the present invention. Moreover, the said carrier side surface or said ultra-thin copper layer side surface of said one copper foil with a carrier and the said carrier side surface or said ultra-thin copper layer side surface of said another copper foil with a carrier are as needed. Alternatively, a laminate obtained by directly laminating through an adhesive may be used. Further, the carrier or ultrathin copper layer of the one copper foil with carrier and the carrier or ultrathin copper layer of the other copper foil with carrier may be joined. Here, in the case where the carrier or the ultrathin copper layer has a surface treatment layer, the “joining” includes a mode in which the carriers or the ultrathin copper layer are joined to each other via the surface treatment layer. Further, part or all of the end face of the laminate may be covered with resin.

キャリア同士の積層は、単に重ね合わせる他、例えば以下の方法で行うことができる。
(a)冶金的接合方法:融接(アーク溶接、TIG(タングステン・イナート・ガス)溶接、MIG(メタル・イナート・ガス)溶接、抵抗溶接、シーム溶接、スポット溶接)、圧接(超音波溶接、摩擦撹拌溶接)、ろう接;
(b)機械的接合方法:かしめ、リベットによる接合(セルフピアッシングリベットによる接合、リベットによる接合)、ステッチャー;
(c)物理的接合方法:接着剤、(両面)粘着テープ
Lamination of carriers can be performed by, for example, the following method, in addition to simply overlapping.
(A) Metallurgical joining method: fusion welding (arc welding, TIG (tungsten inert gas) welding, MIG (metal inert gas) welding, resistance welding, seam welding, spot welding), pressure welding (ultrasonic welding, Friction stir welding), brazing;
(B) Mechanical joining method: caulking, joining with rivets (joining with self-piercing rivets, joining with rivets), stitcher;
(C) Physical joining method: adhesive, (double-sided) adhesive tape

一方のキャリアの一部または全部と他方のキャリアの一部または全部とを、上記接合方法を用いて接合することにより、一方のキャリアと他方のキャリアを積層し、キャリア同士を分離可能に接触させて構成される積層体を製造することができる。一方のキャリアと他方のキャリアとが弱く接合されて、一方のキャリアと他方のキャリアとが積層されている場合には、一方のキャリアと他方のキャリアとの接合部を除去しないでも、一方のキャリアと他方のキャリアとは分離可能である。また、一方のキャリアと他方のキャリアとが強く接合されている場合には、一方のキャリアと他方のキャリアとが接合されている箇所を切断や化学研磨(エッチング等)、機械研磨等により除去することにより、一方のキャリアと他方のキャリアを分離することができる。   By joining a part or all of one carrier and a part or all of the other carrier using the joining method described above, one carrier and the other carrier are stacked, and the carriers are brought into contact with each other in a separable manner. Thus, it is possible to manufacture a laminated body constituted. When one carrier and the other carrier are weakly joined and one carrier and the other carrier are laminated, one carrier is not removed even if the joint between the one carrier and the other carrier is not removed. And the other carrier can be separated. In addition, when one carrier and the other carrier are strongly bonded, the portion where one carrier and the other carrier are bonded is removed by cutting, chemical polishing (etching, etc.), mechanical polishing, or the like. Thus, one carrier and the other carrier can be separated.

また、このように構成した積層体に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、前記樹脂層及び回路の2層を少なくとも1回形成した後に、前記積層体のキャリア付銅箔から前記極薄銅層又はキャリアを剥離させる工程を実施することでプリント配線板を作製することができる。なお、当該積層体の一方または両方の表面に、樹脂層と回路との2層を設けてもよい。   Also, a step of providing at least one layer of the resin layer and the circuit on the laminate thus configured, and after forming the two layers of the resin layer and the circuit at least once, the carrier of the laminate is provided with a carrier. A printed wiring board can be produced by carrying out a process of peeling the ultrathin copper layer or carrier from the copper foil. Note that two layers of a resin layer and a circuit may be provided on one or both surfaces of the laminate.

以下、実施例及び比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例のみに制限されるものではない。   Hereinafter, description will be made based on Examples and Comparative Examples. In addition, a present Example is an example to the last, and is not restrict | limited only to this example.

1.キャリア付銅箔の製造
銅箔キャリアとして、厚さ35μmの長尺の電解銅箔(JX日鉱日石金属社製JTC)及び厚さ33μmの圧延銅箔(JX日鉱日石金属社製C1100)を用意した。この銅箔の光沢面(シャイニー面)に対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続めっきラインでニッケル(Ni)めっき、及び、クロメート処理又は有機物による処理としてBTA処理を行うことにより中間層を形成した。なお、表1の「脱脂」、「酸洗」は、ニッケル(Ni)めっきの前処理として、それぞれ以下の条件により、キャリアのニッケルめっきまたはコバルトめっきされる側の表面に対して行ったことを示す。また、実施例6、7、8、比較例2については、クロメート処理後に加熱処理を行った。このときの加熱温度(乾燥温度)を表1に示す。さらに、実施例2、5、比較例3、4については、クロメート処理後に還元剤である蟻酸(0.1〜100g/L)を使用して浸漬することで還元処理を行った。なお、キャリアの表面を脱脂、酸洗の順に処理した。
1. Production of Copper Foil with Carrier As a copper foil carrier, a long electrolytic copper foil having a thickness of 35 μm (JTC made by JX Nippon Mining & Metals) and a rolled copper foil having a thickness of 33 μm (C1100 made by JX Nippon Mining & Metals) Prepared. By performing nickel (Ni) plating on a glossy surface (shiny surface) of this copper foil on a roll-to-roll-type continuous plating line and BTA treatment as a treatment with chromate treatment or organic matter under the following conditions: An intermediate layer was formed. In addition, “degreasing” and “pickling” in Table 1 were performed on the surface of the carrier on the nickel plating or cobalt plating side under the following conditions as pretreatment of nickel (Ni) plating, respectively. Show. Moreover, about Example 6, 7, 8, and the comparative example 2, the heat processing was performed after the chromate process. The heating temperature (drying temperature) at this time is shown in Table 1. Furthermore, about Example 2, 5 and the comparative examples 3 and 4, the reduction process was performed by immersing using the formic acid (0.1-100 g / L) which is a reducing agent after chromate process. The surface of the carrier was treated in the order of degreasing and pickling.

〔脱脂〕
以下の脱脂処理液を用いて、以下の条件で電解脱脂を行った。
・脱脂処理液:水酸化ナトリウム水溶液(水酸化ナトリウム濃度70g/L)
・電解脱脂:以下の条件で、陰極電解脱脂を行い、その後、陽極電解脱脂を行い、その後再度陰極電解脱脂を行った。
陰極(電解)脱脂(電流密度10A/dm2):20秒
陽極(電解)脱脂(電流密度5A/dm2):20秒
陰極(電解)脱脂(電流密度10A/dm2):20秒
[Degreasing]
Electrolytic degreasing was performed using the following degreasing solution under the following conditions.
・ Degreasing solution: sodium hydroxide aqueous solution (sodium hydroxide concentration 70 g / L)
Electrolytic degreasing: Cathodic electrolytic degreasing was performed under the following conditions, then anodic electrolytic degreasing was performed, and then cathodic electrolytic degreasing was performed again.
Cathode (electrolytic) degreasing (current density 10 A / dm 2 ): 20 seconds Anode (electrolytic) degreasing (current density 5 A / dm 2 ): 20 seconds Cathode (electrolytic) degreasing (current density 10 A / dm 2 ): 20 seconds

〔酸洗〕
・酸洗処理液:硫酸水溶液(硫酸濃度:50mL/L)
浸漬時間:20秒
[Pickling]
・ Pickling solution: sulfuric acid aqueous solution (sulfuric acid concentration: 50 mL / L)
Immersion time: 20 seconds

〔ニッケルめっき〕
・めっき液
ニッケル:20〜200g/L
ホウ酸:5〜60g/L
液温:40〜65℃
pH:表1に記載
・電流密度:0.5〜20A/dm2
・通電時間:1〜20秒
・攪拌(液循環量):100〜1000L/分
・搬送速度:2〜30m/分
〔Nickel plating〕
・ Plating solution Nickel: 20 ~ 200g / L
Boric acid: 5-60 g / L
Liquid temperature: 40-65 degreeC
pH: listed in Table 1 Current density: 0.5-20 A / dm 2
-Energizing time: 1-20 seconds-Stirring (liquid circulation rate): 100-1000 L / min-Conveying speed: 2-30 m / min

〔クロメート処理〕
・処理液
クロム:0.5〜6.0g/L
亜鉛:0.1〜2.0g/L
液温:25〜60℃
pH:2.5〜5.0
・電流密度:0.1〜4A/dm2
・通電時間:1〜30秒
[Chromate treatment]
・ Treatment solution Chromium: 0.5-6.0 g / L
Zinc: 0.1-2.0 g / L
Liquid temperature: 25-60 degreeC
pH: 2.5-5.0
・ Current density: 0.1 to 4 A / dm 2
・ Energization time: 1 to 30 seconds

〔BTA処理〕
・BTA処理:ベンゾトリアゾールを用いた防錆処理
・処理液
ベンゾトリアゾール:0.1〜20g/L
pH:2〜5
液温:20〜40℃
浸漬時間:5〜30秒
[BTA treatment]
-BTA treatment: rust prevention treatment using benzotriazole-Treatment liquid Benzotriazole: 0.1-20 g / L
pH: 2-5
Liquid temperature: 20-40 degreeC
Immersion time: 5 to 30 seconds

引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続めっきライン上で、中間層の上に表1に記載の厚さの極薄銅層を以下の条件で電気めっきすることにより形成し、キャリア付銅箔を作製した。
・極薄銅層
銅濃度:90〜120g/L
2SO4濃度:20〜120g/L
電解液温度:20〜80℃
電流密度:10〜70A/dm2
めっき液線流速:1.0m/s
Subsequently, on the roll-to-roll type continuous plating line, an ultrathin copper layer having the thickness shown in Table 1 is formed on the intermediate layer by electroplating under the following conditions, and the carrier-attached copper foil is formed. Produced.
-Ultrathin copper layer Copper concentration: 90-120 g / L
H 2 SO 4 concentration: 20 to 120 g / L
Electrolyte temperature: 20-80 ° C
Current density: 10 to 70 A / dm 2
Plating solution flow velocity: 1.0 m / s

これらの実施例、および比較例については、全て極薄銅層の表面に以下の粗化処理、防錆処理、クロメート処理、及び、シランカップリング処理をこの順に行った。   In these Examples and Comparative Examples, the following roughening treatment, rust prevention treatment, chromate treatment, and silane coupling treatment were performed in this order on the surface of the ultrathin copper layer.

・粗化処理
Cu:10〜20g/L
Co:5〜15g/L
Ni:5〜15g/L
pH:1〜4
温度:40〜50℃
電流密度Dk :40〜50A/dm2
時間:0.5秒〜2秒
Cu付着量:15〜40mg/dm2
Co付着量:100〜3000μg/dm2
Ni付着量:100〜1000μg/dm2
・ Roughening treatment Cu: 10 to 20 g / L
Co: 5 to 15 g / L
Ni: 5-15 g / L
pH: 1-4
Temperature: 40-50 ° C
Current density Dk: 40 to 50 A / dm 2
Time: 0.5 second to 2 seconds Cu adhesion amount: 15 to 40 mg / dm 2
Co adhesion amount: 100 to 3000 μg / dm 2
Ni adhesion amount: 100 to 1000 μg / dm 2

・防錆処理
Zn:0〜20g/L
Ni:0〜5g/L
pH:3.5
温度:40℃
電流密度Dk :0〜1.7A/dm2
時間:1秒
Zn付着量:5〜250μg/dm2
Ni付着量:5〜300μg/dm2
・防錆処理
Zn:10g/L
Ni:35g/L
pH:3.5
温度:40℃
電流密度Dk:0.5A/dm2
時間:46秒
Zn付着量:150〜1500μg/dm2
Ni付着量:300〜2600μg/dm2
・ Rust prevention treatment Zn: 0-20g / L
Ni: 0 to 5 g / L
pH: 3.5
Temperature: 40 ° C
Current density Dk: 0 to 1.7 A / dm 2
Time: 1 second Zn deposition amount: 5-250 μg / dm 2
Ni adhesion amount: 5 to 300 μg / dm 2
・ Rust prevention treatment Zn: 10 g / L
Ni: 35 g / L
pH: 3.5
Temperature: 40 ° C
Current density Dk: 0.5 A / dm 2
Time: 46 seconds Zn deposition amount: 150-1500 μg / dm 2
Ni adhesion amount: 300-2600 μg / dm 2

・クロメート処理
処理液組成:
2Cr27
(Na2Cr27或いはCrO3):2〜10g/L
NaOH或いはKOH:10〜50g/L
ZnO或いはZnSO47H2O:0.05〜10g/L
pH:7〜13
浴温:20〜80℃
電流密度:0.05〜5A/dm2
時間:5〜30秒
Cr付着量:10〜150μg/dm2
・ Chromate treatment Treatment liquid composition:
K 2 Cr 2 O 7
(Na 2 Cr 2 O 7 or CrO 3 ): 2 to 10 g / L
NaOH or KOH: 10-50 g / L
ZnO or ZnSO 4 7H 2 O: 0.05 to 10 g / L
pH: 7-13
Bath temperature: 20-80 ° C
Current density: 0.05 to 5 A / dm 2
Time: 5 to 30 seconds Cr adhesion amount: 10 to 150 μg / dm 2

・シランカップリング処理
ビニルトリエトキシシラン水溶液
(ビニルトリエトキシシラン濃度:0.1〜1.4wt%)
pH:4〜5
時間:5〜30秒
・ Silane coupling treatment Vinyltriethoxysilane aqueous solution (vinyltriethoxysilane concentration: 0.1 to 1.4 wt%)
pH: 4-5
Time: 5-30 seconds

2.キャリア付銅箔の評価
上述のようにして作製した実施例及び比較例の各サンプルについて、各種評価を下記の通り行った。
2. Evaluation of copper foil with carrier Various evaluations were performed as follows for each sample of Examples and Comparative Examples prepared as described above.

・中間層の金属付着量
ニッケル付着量はサンプルを濃度20質量%の硝酸で溶解してSII社製のICP発光分光分析装置(型式:SPS3100)を用いてICP発光分析によって測定し、亜鉛、クロム付着量はサンプルを濃度7質量%の塩酸にて溶解して、VARIAN社製の原子吸光分光光度計(型式:AA240FS)を用いて原子吸光法により定量分析を行うことで測定した。なお、前記ニッケル、亜鉛、クロム付着量の測定は以下のようにして行った。まず、キャリア付銅箔から極薄銅層を剥離した後、極薄銅層の中間層側の表面付近のみを溶解して(極薄銅層の厚みが1.4μm以上である場合には極薄銅層の中間層側の表面から0.5μm厚みのみ溶解する、極薄銅層の厚みが1.4μm未満の場合には極薄銅層の中間層側の表面から極薄銅層厚みの20%のみ溶解する。)、極薄銅層の中間層側の表面の付着量を測定する。また、極薄銅層を剥離した後に、キャリアの中間層側の表面付近のみを溶解して(表面から0.5μm厚みのみ溶解する)、キャリアの中間層側の表面の付着量を測定する。そして、極薄銅層の中間層側の表面の付着量とキャリアの中間層側の表面の付着量とを合計した値を、中間層の金属付着量とした。
・ Metal adhesion amount of intermediate layer Nickel adhesion amount was measured by ICP emission spectrometry using an ICP emission spectrometer (model: SPS3100) manufactured by SII after dissolving the sample with nitric acid having a concentration of 20% by mass. The amount of adhesion was measured by dissolving the sample with hydrochloric acid having a concentration of 7% by mass and performing quantitative analysis by atomic absorption spectrometry using an atomic absorption spectrophotometer (model: AA240FS) manufactured by VARIAN. In addition, the measurement of the said nickel, zinc, and chromium adhesion amount was performed as follows. First, after peeling off the ultrathin copper layer from the copper foil with carrier, only the vicinity of the surface on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer is dissolved (if the thickness of the ultrathin copper layer is 1.4 μm or more, If the thickness of the ultrathin copper layer is less than 1.4 μm, only 0.5 μm thickness is dissolved from the surface of the thin copper layer on the intermediate layer side. Only 20% is dissolved.), The adhesion amount of the surface of the ultrathin copper layer on the intermediate layer side is measured. Further, after peeling off the ultrathin copper layer, only the vicinity of the surface on the intermediate layer side of the carrier is dissolved (only the thickness of 0.5 μm from the surface is dissolved), and the amount of adhesion on the surface of the carrier on the intermediate layer side is measured. And the value which totaled the adhesion amount of the surface by the side of the intermediate | middle layer of an ultra-thin copper layer and the adhesion amount of the surface by the side of the intermediate | middle layer of a carrier was made into the metal adhesion amount of an intermediate | middle layer.

・エッチング性
キャリア付銅箔をBT樹脂基板、またはFR−4基板に貼り付けて220℃で2時間加熱圧着し、その後、220℃で4時間の熱処理を行った。続いて、極薄銅層を銅箔キャリアから剥がした。続いて、基板上の極薄銅層表面に、感光性レジストを塗布した後、露光、現像工程により50本のL/S=10μm/10μm幅のレジストパターンを形成し、銅層の不要部分を除去するエッチング処理を以下のスプレーエッチング条件にて行った。
(スプレーエッチング条件)
エッチング液:塩化第二鉄水溶液(ボーメ度:40度)
液温:60℃
スプレー圧:2.0MPa
エッチングを続け、回路トップ幅が4μmになるまでの時間を測定し、さらにそのときの回路ボトム幅(底辺Xの長さ)及びエッチングファクターを評価した。エッチングファクターは、末広がりにエッチングされた場合(ダレが発生した場合)、回路が垂直にエッチングされたと仮定した場合の、銅箔上面からの垂線と樹脂基板との交点からのダレの長さの距離をaとした場合において、このaと銅箔の厚さbとの比:b/aを示すものであり、この数値が大きいほど、傾斜角は大きくなり、エッチング残渣が残らず、ダレが小さくなることを意味する。図5に、回路パターンの幅方向の横断面の模式図と、該模式図を用いたエッチングファクターの計算方法の概略とを示す。このaは回路上方からのSEM観察により測定し、エッチングファクター(EF=b/a)を算出した。なお、b=(X(μm)−4(μm))/2で計算した。このエッチングファクターを用いることにより、エッチング性の良否を簡単に判定できる。本発明では、エッチングファクターが2.5以上をエッチング性が良好であるとし、2.5未満或いは算出不可(底辺部分において隣接する回路間がショートする場合を含む)をエッチング異常と判定し、1dm2あたりのエッチング異常数を評価した。
Etching property The carrier-attached copper foil was attached to a BT resin substrate or FR-4 substrate and heat-pressed at 220 ° C. for 2 hours, and then heat-treated at 220 ° C. for 4 hours. Subsequently, the ultrathin copper layer was peeled off from the copper foil carrier. Subsequently, after applying a photosensitive resist on the surface of the ultrathin copper layer on the substrate, 50 L / S = 10 μm / 10 μm width resist patterns are formed by exposure and development processes, and unnecessary portions of the copper layer are formed. The etching process to remove was performed on the following spray etching conditions.
(Spray etching conditions)
Etching solution: Ferric chloride aqueous solution (Baume degree: 40 degrees)
Liquid temperature: 60 ° C
Spray pressure: 2.0 MPa
Etching was continued, the time until the circuit top width reached 4 μm was measured, and the circuit bottom width (the length of the base X) and the etching factor at that time were evaluated. The etching factor is the distance of the length of sagging from the intersection of the vertical line from the upper surface of the copper foil and the resin substrate, assuming that the circuit is etched vertically when sagging at the end (when sagging occurs) Is a ratio of a to the thickness b of the copper foil: b / a, and the larger the value, the larger the inclination angle, and the etching residue does not remain and the sagging is small. It means to become. FIG. 5 shows a schematic diagram of a cross section in the width direction of a circuit pattern and an outline of a method for calculating an etching factor using the schematic diagram. This a was measured by SEM observation from above the circuit, and the etching factor (EF = b / a) was calculated. In addition, it calculated by b = (X (micrometer) -4 (micrometer)) / 2. By using this etching factor, it is possible to easily determine whether the etching property is good or bad. In the present invention, an etching factor of 2.5 or more is assumed to be good etching property, and less than 2.5 or cannot be calculated (including a case where a short circuit occurs between adjacent circuits in the bottom portion) is determined as an etching abnormality. The number of etching abnormalities per 2 was evaluated.

・フクレの個数
キャリア付銅箔を220℃の大気加熱炉内で4時間加熱した。加熱後、光学顕微鏡で1dm2あたりのフクレの個数をカウントした。また、キャリア付銅箔を400℃の大気加熱炉内で10分間加熱した。加熱後、光学顕微鏡で1dm2あたりのフクレの個数をカウントした。
-Number of swellings The copper foil with carrier was heated in an atmospheric heating furnace at 220 ° C for 4 hours. After heating, the number of blisters per 1 dm 2 was counted with an optical microscope. Moreover, the copper foil with a carrier was heated for 10 minutes in a 400 degreeC atmospheric heating furnace. After heating, the number of blisters per 1 dm 2 was counted with an optical microscope.

・存在率(NiO+Ni(OH)2)/Ni(%)
キャリア付銅箔からキャリアを剥離した後、XPSにて、キャリアを剥離することにより露出したキャリアの中間層側表面(以下、「キャリアの中間層側表面」という。なお、キャリア付銅箔からキャリアを剥離した際に、キャリアの表面に中間層が残存して、中間層が露出している場合には、「キャリアの中間層側表面」は当該露出した中間層の表面のことをいう)の元素分析を行った。測定は下記条件で行った。
装置:アルバック・ファイ株式会社製5600MC
到達真空度:1.1×10-9Torr
励起源:単色化AlKα、MgKα
出力:210W、400W
検出面積(ビーム径):800μmφ
Pass(パス)エネルギー:23.5eV
入射角:45度
取り出し角:45度
中和銃なし
上記条件でキャリアの中間層側表面のNiのナロースペクトル(横軸:結合エネルギー(eV)、縦軸:強度)を検出した。そして、当該Niのナロースペクトル中の単体Niのピーク(852〜855eVの範囲に存在する。853eV付近に頂点を有する。)の高さAとNiOおよびNi(OH)2のピーク(855〜860eVの範囲に存在する。857eV付近に頂点を有する。)の高さBを算出し、B/A×100の値を、(NiO+Ni(OH)2)の存在比率として算出した。なお、単体Niのピークの高さAおよびNiOおよびNi(OH)2のピークの高さBは以下のように求めた。
Niのナロースペクトルの結合エネルギーが860eVにおける強度をCとする。
単体Niのピークの高さA(強度)=Niのナロースペクトルにおける結合エネルギーが852〜855eVの範囲における強度の最大値(強度)−C(強度)
NiOおよびNi(OH)2のピークの高さB(強度)=Niのナロースペクトルにおける結合エネルギーが855〜860eVの範囲における強度の最大値(強度)−C(強度)
XPSでの測定をTD方向に10cm間隔で10点行い、10点分の(NiO+Ni(OH)2)の全Niに対する存在比率:(NiO+Ni(OH)2)/Ni(%)(=B/A×100)の平均値と最大値とを求めた。なお、サンプルのTD方向(キャリア付銅箔製造装置において通箔する方向と直角の方向、幅方向)の大きさが小さい場合(10cm間隔で一列で10点測定できない場合)には測定箇所は2列等、複数の列に亘って測定することができる。なお、本発明においては、キャリア付銅箔から極薄銅層を剥離できた場合には、当該極薄銅層は、当該キャリア付銅箔から中間層/極薄銅層間で剥離されたとする。すなわち、「キャリアの中間層側表面」は中間層表面の意味を含む。
図6に、実施例6の中間層表面(キャリアの中間層側表面)のNiのナロースペクトルのグラフを示す。
上記の試験条件及び試験結果を表1に示す。
-Abundance (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni (%)
After peeling the carrier from the carrier-attached copper foil, the surface of the carrier exposed by peeling the carrier with XPS (hereinafter referred to as the “carrier intermediate layer-side surface”). If the intermediate layer remains on the surface of the carrier when the carrier is peeled off and the intermediate layer is exposed, “the intermediate layer side surface of the carrier” means the surface of the exposed intermediate layer) Elemental analysis was performed. The measurement was performed under the following conditions.
Device: ULVAC-PHI Co., Ltd. 5600MC
Ultimate vacuum: 1.1 × 10 -9 Torr
Excitation source: Monochromatic AlKα, MgKα
Output: 210W, 400W
Detection area (beam diameter): 800 μmφ
Pass energy: 23.5eV
Incident angle: 45 degrees Extraction angle: 45 degrees Without neutralizing gun Under the above conditions, a Ni narrow spectrum (horizontal axis: binding energy (eV), vertical axis: intensity) of the intermediate layer side surface of the carrier was detected. The height A of the Ni peak (present in the range of 852 to 855 eV, having a vertex in the vicinity of 853 eV) and the peaks of NiO and Ni (OH) 2 (855 to 860 eV) in the narrow spectrum of the Ni. The height B is calculated as an abundance ratio of (NiO + Ni (OH) 2 ). The peak height A of simple Ni and the peak height B of NiO and Ni (OH) 2 were determined as follows.
The intensity when the binding energy of the narrow spectrum of Ni is 860 eV is C.
Peak height A (intensity) of simple substance Ni = maximum intensity (intensity) −C (intensity) in the range where the binding energy in the narrow spectrum of Ni is 852 to 855 eV
NiO and Ni (OH) 2 peak height B (intensity) = maximum intensity (intensity) -C (intensity) when the binding energy in the narrow spectrum of Ni is 855 to 860 eV.
XPS measurement was performed at 10 points in the TD direction at intervals of 10 cm, and the abundance ratio of (NiO + Ni (OH) 2 ) for 10 points to the total Ni: (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni (%) (= B / A × 100) average value and maximum value were determined. When the sample has a small size in the TD direction (direction perpendicular to the direction in which the foil is passed in the copper foil manufacturing apparatus with carrier, width direction) (when 10 points cannot be measured in a row at 10 cm intervals), the number of measurement points is 2 Measurements can be made over multiple columns, such as columns. In the present invention, when the ultrathin copper layer can be peeled off from the carrier-attached copper foil, it is assumed that the ultrathin copper layer is peeled from the carrier-attached copper foil between the intermediate layer and the ultrathin copper layer. That is, “the intermediate layer side surface of the carrier” includes the meaning of the intermediate layer surface.
FIG. 6 shows a graph of the narrow spectrum of Ni on the surface of the intermediate layer of Example 6 (surface on the intermediate layer side of the carrier).
The test conditions and test results are shown in Table 1.

(評価結果)
実施例1〜9は、いずれもキャリア付銅箔からキャリアを剥離させたとき、キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの平均値が5〜50%であり、フクレの発生及びエッチング異常発生率が良好に抑制された。
比較例1〜7は、いずれもキャリア付銅箔からキャリアを剥離させたとき、キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの平均値が5〜50%の範囲外であり、フクレの発生が多く、エッチング発生率が不良であった。
(Evaluation results)
In each of Examples 1 to 9, when the carrier was peeled from the carrier-attached copper foil, the abundance ratio of nickel oxide and nickel hydroxide in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier (NiO + Ni ( The average value of OH) 2 ) / Ni was 5 to 50%, and the occurrence of swelling and abnormal etching rate were well suppressed.
In Comparative Examples 1 to 7, when the carrier was peeled from the carrier-attached copper foil, the presence ratio of nickel oxide and nickel hydroxide in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier (NiO + Ni ( The average value of OH) 2 ) / Ni was outside the range of 5 to 50%, the occurrence of blisters was large, and the etching rate was poor.

Claims (48)

キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に備えたキャリア付銅箔であって、
前記中間層はNiを含み、
前記キャリア付銅箔から前記キャリアを剥離させたとき、前記キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの平均値が5〜50%であるキャリア付銅箔。
A carrier-attached copper foil comprising a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order,
The intermediate layer includes Ni;
When the carrier is peeled from the copper foil with carrier, the abundance ratio of nickel oxide and nickel hydroxide in Ni obtained by XPS analysis of the surface on the intermediate layer side of the carrier (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni The copper foil with a carrier whose average value is 5 to 50%.
前記キャリアを剥離させたとき、前記キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの平均値が8〜45%である請求項1に記載のキャリア付銅箔。 When the carrier is peeled off, the average value of the abundance ratio of nickel oxide and nickel hydroxide (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier is 8 to The copper foil with a carrier according to claim 1, which is 45%. 前記キャリアを剥離させたとき、前記キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの平均値が8〜40%である請求項2に記載のキャリア付銅箔。 When the carrier is peeled off, the average value of the abundance ratio of nickel oxide and nickel hydroxide (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier is 8 to The copper foil with a carrier according to claim 2, which is 40%. 前記キャリアを剥離させたとき、前記キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの平均値が8〜30%である請求項3に記載のキャリア付銅箔。 When the carrier is peeled off, the average value of the abundance ratio of nickel oxide and nickel hydroxide (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier is 8 to The copper foil with a carrier according to claim 3, which is 30%. 前記キャリアを剥離させたとき、前記キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの平均値が8〜18%である請求項4に記載のキャリア付銅箔。 When the carrier is peeled off, the average value of the abundance ratio of nickel oxide and nickel hydroxide (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier is 8 to The copper foil with a carrier according to claim 4, which is 18%. 前記キャリアを剥離させたとき、前記キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの最大値が40〜95%である請求項1〜5のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。 When the carrier is peeled off, the maximum value of the abundance ratio of nickel oxide and nickel hydroxide (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier is 40 to It is 95%, The copper foil with a carrier as described in any one of Claims 1-5. 前記キャリアを剥離させたとき、前記キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの最大値が40〜87%である請求項6に記載のキャリア付銅箔。 When the carrier is peeled off, the maximum value of the abundance ratio of nickel oxide and nickel hydroxide (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier is 40 to The copper foil with a carrier according to claim 6, which is 87%. 前記キャリアを剥離させたとき、前記キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの最大値が40〜84%である請求項7に記載のキャリア付銅箔。 When the carrier is peeled off, the maximum value of the abundance ratio of nickel oxide and nickel hydroxide (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier is 40 to The copper foil with a carrier according to claim 7, which is 84%. 前記キャリアを剥離させたとき、前記キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの最大値が40〜75%である請求項8に記載のキャリア付銅箔。 When the carrier is peeled off, the maximum value of the abundance ratio of nickel oxide and nickel hydroxide (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier is 40 to The copper foil with a carrier according to claim 8, which is 75%. 前記キャリアを剥離させたとき、前記キャリアの中間層側表面をXPS分析して得られたNi中の酸化ニッケル及び水酸化ニッケルの存在率(NiO+Ni(OH)2)/Niの最大値が40〜68%である請求項9に記載のキャリア付銅箔。 When the carrier is peeled off, the maximum value of the abundance ratio of nickel oxide and nickel hydroxide (NiO + Ni (OH) 2 ) / Ni in Ni obtained by XPS analysis of the intermediate layer side surface of the carrier is 40 to The copper foil with a carrier according to claim 9, which is 68%. 前記中間層が、更にCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含む請求項1〜10のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。   The intermediate layer is further selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, alloys thereof, hydrates, oxides, and organic matter. The copper foil with a carrier as described in any one of Claims 1-10 containing 1 type or 2 types or more. 前記中間層が、Crを含む場合は、Crを5μg/dm2以上100μg/dm2以下含有し、Moを含む場合は、Moを50μg/dm2以上1000μg/dm2以下含有し、Niを含む場合は、Niを100μg/dm2以上40000μg/dm2以下含有し、Coを含む場合は、Coを100μg/dm2以上40000μg/dm2以下含有し、Znを含む場合は、Znを1μg/dm2以上120μg/dm2以下含有する請求項11に記載のキャリア付銅箔。 When the intermediate layer contains Cr, it contains Cr of 5 μg / dm 2 or more and 100 μg / dm 2 or less, and when it contains Mo, it contains Mo of 50 μg / dm 2 or more and 1000 μg / dm 2 or less, and contains Ni. If the Ni containing 100 [mu] g / dm 2 or more 40000μg / dm 2 or less, if it contains Co, the Co containing 100 [mu] g / dm 2 or more 40000μg / dm 2 or less, if it contains Zn, the Zn 1 [mu] g / dm The copper foil with a carrier according to claim 11, which is contained in an amount of 2 to 120 μg / dm 2 . 前記中間層が有機物を厚みで25nm以上80nm以下含有する請求項11又は12に記載のキャリア付銅箔。   The copper foil with a carrier according to claim 11 or 12, wherein the intermediate layer contains an organic substance in a thickness of 25 nm to 80 nm. 前記有機物が、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸の中から選択される1種又は2種以上からなる有機物である請求項11〜13のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。   The said organic substance is an organic substance which consists of 1 type, or 2 or more types selected from a nitrogen containing organic compound, a sulfur containing organic compound, and carboxylic acid, Copper foil with a carrier as described in any one of Claims 11-13. . 前記キャリア両方の面に中間層及び極薄銅層をこの順に有する請求項1〜14のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。   The copper foil with a carrier as described in any one of Claims 1-14 which has an intermediate | middle layer and an ultra-thin copper layer in this order on the surface of both the said carriers. 前記極薄銅層表面または前記キャリアの表面のいずれか一方または両方に粗化処理層を有する請求項1〜15のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。   The copper foil with a carrier as described in any one of Claims 1-15 which has a roughening process layer in any one or both of the said ultra-thin copper layer surface or the surface of the said carrier. 前記粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する請求項16に記載のキャリア付銅箔。   The copper foil with a carrier of Claim 16 which has 1 or more types of layers selected from the group which consists of a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a chromate process layer, and a silane coupling process layer on the surface of the said roughening process layer. 前記防錆層及び前記耐熱層の少なくとも一方が、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛から選択される1つ以上の元素を含む請求項17に記載のキャリア付銅箔。   The copper foil with a carrier according to claim 17, wherein at least one of the rust prevention layer and the heat-resistant layer contains one or more elements selected from nickel, cobalt, copper, and zinc. 前記防錆層及び前記耐熱層の少なくとも一方が、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛から選択される1つ以上の元素からなる請求項17に記載のキャリア付銅箔。   The copper foil with a carrier according to claim 17, wherein at least one of the antirust layer and the heat-resistant layer is made of one or more elements selected from nickel, cobalt, copper, and zinc. 前記粗化処理層の上に前記耐熱層を有する請求項17〜19のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。   The copper foil with a carrier as described in any one of Claims 17-19 which has the said heat-resistant layer on the said roughening process layer. 前記粗化処理層または前記耐熱層の上に前記防錆層を有する請求項17〜20のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。   The copper foil with a carrier as described in any one of Claims 17-20 which has the said antirust layer on the said roughening process layer or the said heat-resistant layer. 前記防錆層の上に前記クロメート処理層を有する請求項17〜21のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。   The copper foil with a carrier as described in any one of Claims 17-21 which has the said chromate process layer on the said antirust layer. 前記クロメート処理層の上に前記シランカップリング処理層を有する請求項17〜22のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。   The copper foil with a carrier as described in any one of Claims 17-22 which has the said silane coupling process layer on the said chromate process layer. 前記極薄銅層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する請求項1〜15のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。   In the surface of the said ultra-thin copper layer, it has 1 or more types of layers selected from the group which consists of a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer. The copper foil with a carrier of description. 前記極薄銅層上に樹脂層を備える請求項1〜15のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。   The copper foil with a carrier as described in any one of Claims 1-15 provided with a resin layer on the said ultra-thin copper layer. 前記粗化処理層上に樹脂層を備える請求項16に記載のキャリア付銅箔。   The copper foil with a carrier of Claim 16 provided with a resin layer on the said roughening process layer. 前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層の上に樹脂層を備える請求項17〜24のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。   The carrier according to any one of claims 17 to 24, comprising a resin layer on one or more layers selected from the group consisting of the heat-resistant layer, the rust-proof layer, the chromate-treated layer, and the silane coupling-treated layer. Copper foil. 前記樹脂層が誘電体を含む請求項25〜27のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。   The copper foil with a carrier according to any one of claims 25 to 27, wherein the resin layer contains a dielectric. 請求項1〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて製造したプリント配線板。   The printed wiring board manufactured using the copper foil with a carrier as described in any one of Claims 1-28. 請求項1〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて製造した積層板。   The laminated board manufactured using the copper foil with a carrier as described in any one of Claims 1-28. 請求項29に記載のプリント配線板を用いて製造した電子機器。   An electronic device manufactured using the printed wiring board according to claim 29. 請求項1〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて製造した積層体。   The laminated body manufactured using the copper foil with a carrier as described in any one of Claims 1-28. 請求項1〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と樹脂とを含む積層体であって、前記キャリア付銅箔の端面の一部または全部が前記樹脂により覆われている積層体。   It is a laminated body containing the copper foil with a carrier as described in any one of Claims 1-28, and resin, Comprising: The laminated body by which one part or all part of the end surface of the said copper foil with a carrier is covered with the said resin. . 一つの請求項1〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を前記キャリア側又は前記極薄銅層側から、もう一つの請求項1〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記キャリア側又は前記極薄銅層側に積層した積層体。   One carrier-attached copper foil according to any one of claims 1 to 28 is attached to the carrier according to any one of claims 1 to 28 from the carrier side or the ultrathin copper layer side. The laminated body laminated | stacked on the said carrier side or the said ultra-thin copper layer side of copper foil. 前記一つのキャリア付銅箔の前記キャリア側表面又は前記極薄銅層側表面と前記もう一つのキャリア付銅箔の前記キャリア側表面又は前記極薄銅層側表面とが、必要に応じて接着剤を介して、直接積層させて構成されている請求項34に記載の積層体。   The carrier side surface or the ultrathin copper layer side surface of the one copper foil with carrier and the carrier side surface or the ultrathin copper layer side surface of the other copper foil with carrier are bonded as necessary. The laminate according to claim 34, wherein the laminate is constituted by directly laminating through an agent. 前記一つのキャリア付銅箔の前記キャリア又は前記極薄銅層と前記もう一つのキャリア付銅箔の前記キャリア又は前記極薄銅層とが接合されている請求項34又は35に記載の積層体。   36. The laminate according to claim 34 or 35, wherein the carrier or the ultrathin copper layer of the one copper foil with carrier and the carrier or the ultrathin copper layer of the other copper foil with carrier are joined. . 請求項32〜36のいずれか一項に記載の積層体であって、前記積層体の端面の一部または全部が樹脂により覆われている積層体。   It is a laminated body as described in any one of Claims 32-36, Comprising: The laminated body by which one part or all part of the end surface of the said laminated body is covered with resin. 請求項32〜37のいずれか一項に記載の積層体を用いたプリント配線板の製造方法。   The manufacturing method of the printed wiring board using the laminated body as described in any one of Claims 32-37. 請求項32〜37のいずれか一項に記載の積層体に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を少なくとも1回形成した後に、前記積層体のキャリア付銅箔から前記極薄銅層又は前記キャリアを剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
A step of providing at least once two layers of a resin layer and a circuit on the laminate according to any one of claims 32 to 37; and
A method for producing a printed wiring board, comprising: forming the resin layer and the circuit layer at least once, and then peeling the ultrathin copper layer or the carrier from the copper foil with a carrier of the laminate.
請求項1〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔の銅箔キャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
A step of preparing the carrier-attached copper foil according to any one of claims 1 to 28 and an insulating substrate;
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
After laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, a copper clad laminate is formed through a step of peeling the copper foil carrier of the copper foil with carrier,
Then, the manufacturing method of a printed wiring board including the process of forming a circuit by any method of a semi-additive method, a subtractive method, a partly additive method, or a modified semi-additive method.
請求項1〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、
前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層又は前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
A step of forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the carrier-attached copper foil according to any one of claims 1 to 28,
Forming a resin layer on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with carrier so that the circuit is buried;
Peeling the carrier or the ultra-thin copper layer, and
After the carrier or the ultrathin copper layer is peeled off, the ultrathin copper layer or the carrier is removed to be buried in the resin layer formed on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface. A method of manufacturing a printed wiring board including a step of exposing a circuit that is connected.
請求項1〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリア又は前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、
前記キャリア又は前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層又は前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
A step of forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the carrier-attached copper foil according to any one of claims 1 to 28,
Forming a resin layer on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with carrier so that the circuit is buried;
Forming a circuit on the resin layer;
After forming a circuit on the resin layer, peeling the carrier or the ultra-thin copper layer; and
After the carrier or the ultra-thin copper layer is peeled off, the ultra-thin copper layer or the carrier is removed to be buried in the resin layer formed on the ultra-thin copper layer-side surface or the carrier-side surface. A method of manufacturing a printed wiring board including a step of exposing a circuit that is connected.
前記樹脂層上に回路を形成する工程が、前記樹脂層上に別のキャリア付銅箔を極薄銅層側から貼り合わせ、前記樹脂層に貼り合わせたキャリア付銅箔を用いて前記回路を形成する工程である請求項42に記載のプリント配線板の製造方法。   The step of forming a circuit on the resin layer includes attaching another carrier-attached copper foil on the resin layer from the ultrathin copper layer side, and using the carrier-attached copper foil attached to the resin layer to form the circuit. 43. The method for producing a printed wiring board according to claim 42, wherein the method is a forming step. 前記樹脂層上に貼り合わせる別のキャリア付銅箔が、請求項1〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔である請求項43に記載のプリント配線板の製造方法。   44. The method for producing a printed wiring board according to claim 43, wherein another copper foil with a carrier to be bonded onto the resin layer is the copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 28. 前記樹脂層上に回路を形成する工程が、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって行われる請求項42〜44のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。   45. The print according to any one of claims 42 to 44, wherein the step of forming a circuit on the resin layer is performed by any one of a semi-additive method, a subtractive method, a partly additive method, and a modified semi-additive method. A method for manufacturing a wiring board. 前記表面に回路を形成するキャリア付銅箔が、当該キャリア付銅箔のキャリア側の表面または極薄銅層側の表面に基板を有する請求項42〜45のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。   The printed wiring according to any one of claims 42 to 45, wherein the copper foil with a carrier forming a circuit on the surface has a substrate on the surface on the carrier side or the surface on the ultrathin copper layer side of the copper foil with carrier. A manufacturing method of a board. 請求項1〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を少なくとも1回形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
A step of laminating the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 28 and a resin substrate,
A step of providing at least once two layers of a resin layer and a circuit on the surface of the ultrathin copper layer opposite to the side laminated with the resin substrate of the copper foil with carrier or on the surface of the carrier; and
A method for producing a printed wiring board comprising a step of peeling the carrier or the ultrathin copper layer from the copper foil with a carrier after forming the resin layer and the two layers of the circuit at least once.
請求項1〜28のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を少なくとも1回形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記極薄銅層を剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
A step of laminating the carrier-side surface of the copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 28 and a resin substrate;
A step of providing two layers of a resin layer and a circuit at least once on the surface of the ultrathin copper layer side opposite to the side laminated with the resin substrate of the copper foil with carrier, and
A method for producing a printed wiring board, comprising the step of peeling the ultrathin copper layer from the copper foil with carrier after forming the resin layer and the two layers of the circuit at least once.
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JP2017177611A (en) * 2016-03-30 2017-10-05 Jx金属株式会社 Copper foil with carrier, laminate, manufacturing method of printed wiring board and manufacturing method of electronic device
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017177610A (en) * 2016-03-30 2017-10-05 Jx金属株式会社 Copper foil with carrier, laminate, manufacturing method of printed wiring board and manufacturing method of electronic device
JP2017177611A (en) * 2016-03-30 2017-10-05 Jx金属株式会社 Copper foil with carrier, laminate, manufacturing method of printed wiring board and manufacturing method of electronic device
JPWO2018193935A1 (en) * 2017-04-17 2020-03-05 住友金属鉱山株式会社 Conductive substrate, method of manufacturing conductive substrate

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