JP5541424B2

JP5541424B2 - 高周波モジュール

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Publication number: JP5541424B2
Application number: JP2013553225A
Authority: JP
Inventors: 直樹郷地; 伸郎池本; 邦明用水
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2012-01-11
Filing date: 2012-12-17
Publication date: 2014-07-09
Anticipated expiration: 2032-12-17
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Description

本発明は、配線基板に設けられた、高周波信号を取り扱う電子部品であるＲＦＩＣと、整合回路と、他の電子部品とを備える高周波モジュールに関する。

近年、携帯電話やスマートフォン、携帯情報端末などの通信端末装置の多機能化および高機能化が進むと共に小型化が要求されており、装置に内蔵される各種の電子部品の高機能化および小型化が要望されている。そこで、各種の電子部品を配線基板に内蔵することにより高集積化されて、高機能化および小型化が図られたモジュールが提案されている（例えば、特許文献１参照）。図９に示す従来のモジュール５００では、配線基板５０１に電子部品５０２が内蔵されると共に、配線基板５０１の実装面５０１ａに、受動素子やＩＣなどの他の電子部品（図示省略）が実装されることにより、モジュール５００の高機能化および小型化が図られている。

ところで、モジュール５００に内蔵される電子部品５０２が高周波信号（ＲＦ信号）を取り扱うＲＦＩＣである場合に、取り扱われる高周波信号に起因する電子部品５０２からの輻射ノイズが問題となっている。すなわち、電子部品５０２や、電子部品５０２に接続される配線パターンから高周波信号に起因する電磁波が輻射されることによるノイズにより、モジュール５００に設けられた他の電子部品が誤動作したり、その特性が劣化したりするおそれがある。

そこで、従来のモジュール５００では、電子部品５０２の一面を隙間無く覆う形状のグランドパターン５０３が配線基板５０１に設けられることにより、電子部品５０２からの輻射ノイズが、モジュール５００に設けられた他の電子部品に与える影響の低減が図られている。

特開２００６−３０３２０２号公報（段落００２０〜００４７、図１〜４、要約書など）

上記したように、電子部品５０２の一面を隙間無く覆う形状のグランドパターン５０３を配線基板５０１設けることにより、電子部品５０２からの輻射ノイズが他の電子部品に与える影響を低減することができるが、その一方で、配線基板５０１に電子部品５０２の一面を隙間無く覆う形状のグランドパターン５０３が設けられることにより、配線基板５０１の厚みが増すため、モジュール５００の小型化の妨げとなっている。また、配線基板５０１に、例えばインダクタ素子やキャパシタ素子などの各種受動素子が設けられて整合回路等が形成されている場合に、グランドパターン５０３と受動素子との配置関係によっては、グランドパターン５０３と受動素子とが結合することで、受動素子の特性が変化したり、当該受動素子により形成される回路のＱ値が劣化するなどの問題が生じる。

この発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、配線基板に設けられた、高周波信号を取り扱う電子部品であるＲＦＩＣからの輻射ノイズが他の電子部品に与える影響を低減できると共に、モジュールの小型化を図ることができる技術を提供することを目的とする。

上記した目的を達成するために、本発明の高周波モジュールは、配線基板に設けられた、高周波信号を取り扱う電子部品であるＲＦＩＣと、整合回路と、他の電子部品とを備える高周波モジュールにおいて、前記配線基板は磁性体層を備え、前記ＲＦＩＣは、前記磁性体層の一方主面側に設けられ、前記他の電子部品は、前記磁性体層の他方主面側に設けられて、前記整合回路を形成するインダクタ素子が前記磁性体層に設けられていることを特徴としている。

このように構成された発明では、高周波信号を取り扱う電子部品であるＲＦＩＣは、配線基板が備える磁性体層の一方主面側に設けられ、他の電子部品は、磁性体層の他方主面側に設けられているため、取り扱われる高周波信号に起因するＲＦＩＣからの輻射ノイズ（電磁波）は磁性体層（磁性体）通過することにより発熱して損失するので、ＲＦＩＣからの輻射ノイズが他の電子部品に与える影響を低減することができる。また、整合回路を形成するインダクタ素子が磁性体層に設けられており、インダクタ素子のインダクタンスが増大するためインダクタ素子を小型化することができるので、高周波モジュールの小型化を図ることができる。

また、前記ＲＦＩＣは、入力された前記高周波信号をベースバンド信号に復調し、前記ベースバンド信号を前記高周波信号に変調する機能を有し、前記他の電子部品は、前記ベースバンド信号を取り扱うＩＣであるとよい。

このように構成すると、入力された高周波信号がＲＦＩＣにより復調されたベースバンド信号を取り扱うＩＣに、高周波信号に起因するＲＦＩＣからの輻射ノイズが影響を与えるのを防止することができる。

また、前記他の電子部品は、前記インダクタ素子と共に前記整合回路を形成する受動素子であってもよい。

このように構成すると、高周波信号に起因するＲＦＩＣからの輻射ノイズが影響を与えて整合回路の特性が変化するのを防止することができる。

また、前記ＲＦＩＣおよび前記他の電子部品のいずれか一方が前記配線基板に内蔵されているとよい。

このように構成すれば、ＲＦＩＣおよび電子部品のいずれか一方が配線基板に内蔵されるので、高周波モジュールの小型化を図ることができる。

また、前記インダクタ素子は、前記磁性体層の厚み方向にらせん状に形成された２個のコイルパターンを備え、前記両コイルパターンは隣接配置されて所定の相互インダクタンスで結合していてもよい。

このように構成されると、両コイルパターンが所定の相互インダクタンスで結合されて磁性体層に隣接配置されており、より少ない巻数でインダクタ素子を形成できるので、インダクタ素子を小型化できると共に、インダクタ素子から放射される磁界ノイズを低減することができる。

また、前記両コイルパターンは、少なくとも互いのらせん形状の巻回軸が重ならないように隣接配置されており、前記磁性体層内に前記両コイルパターンに生じる磁界による閉磁路が形成されるとよい。

このように構成されると、両コイルパターンが、少なくとも互いのらせん形状の巻回軸が重ならないように配置されて、磁性体層内に両コイルパターンに生じる磁界による閉磁路が形成されるので、インダクタ素子から放射される磁界ノイズを低減することができる。

また、前記整合回路および前記ＲＦＩＣが接続されており、アンテナ素子から入力された前記高周波信号が前記整合回路を介して前記ＲＦＩＣに入力されたり、前記ＲＦＩＣから出力された高周波信号が前記整合回路を介してアンテナ素子から放射されたりするとよい。

このように構成することにより、アンテナ素子から入力された高周波信号が整合回路を介してＲＦＩＣに入力されたり、ＲＦＩＣから出力された高周波信号が整合回路を介してアンテナ素子から放射されたりする実用的な構成の高周波モジュールを提供することができる。

また、前記ＲＦＩＣは、ＲＦＩＤ用ＩＣであるとよい。

このように構成すると、ＲＦＩＤ（Radio
Frequency IDentification System）用のＩＣを搭載すると共に、ＲＦＩＤ用ＩＣからの輻射ノイズが他の電子部品に与える影響が低減された実用的な構成の高周波モジュールを提供することができる。

本発明によれば、高周波信号を取り扱う電子部品であるＲＦＩＣと、他の電子部品との間に磁性体層が配置されているため、高周波信号に起因するＲＦＩＣからの輻射ノイズ（電磁波）は磁性体において発熱して損失する。したがって、ＲＦＩＣからの輻射ノイズが他の電子部品に与える影響を低減することができる。また、整合回路を形成するインダクタ素子が磁性体層に設けられており、インダクタ素子のインダクタンスが増大する。したがって、インダクタ素子を小型化することができ、ひいては高周波モジュールの小型化を図ることができる。

本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュールが搭載される通信端末装置の機能ブロック図である。図１の整合回路の等価回路を示す図である。図１の高周波モジュールを示す断面図である。図２の高周波モジュールが備える配線基板の分解図である。図４の配線基板が備える各樹脂層を示す図である。図４の配線基板に設けられたインダクタ素子の配置関係を示す図である。本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュールを示す断面図である。図７の高周波モジュールが備える配線基板に設けられたインダクタ素子の配置関係を示す図である。従来のモジュールの一例を示す図である。

＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態たる高周波モジュールが搭載された通信端末装置について、図１〜図６を参照して説明する。図１は本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュールが搭載される通信端末装置の機能ブロック図である。図２は図１の整合回路の等価回路を示す図である。図３は図１の高周波モジュールを示す断面図である。図４は図３の高周波モジュールが備える配線基板の分解図である。図５は図４の配線基板が備える各樹脂層を示す図である。図６は図４の配線基板に設けられたインダクタ素子の配置関係を示す図である。

図１に示すように、通信端末装置１は、ＮＦＣ（Near Field Communication）デバイスとして構成されており、マザーボード等（図示省略）に搭載されるホストＩＣ２と、高周波モジュール３と、アンテナ素子４とを備えている。

ホストＩＣ２は、高周波モジュール３への給電用の電源回路や、所定のアプリケーションを実行することにより高周波モジュール３を制御するマイクロプロセッサなどを備えている。通信端末装置１は、高周波モジュール３から出力されるベースバンド信号に含まれる情報に基づいて所定の処理を行うアプリケーションがホストＩＣ２において実行されて高周波モジュール３が制御されることにより、ＦｅｌｉＣａ（ソニー株式会社の登録商標）に代表される近距離通信規格を利用した電子マネーの決済等に使用される。

また、ホストＩＣ２において所定のアプリケーションが実行されて高周波モジュール３が制御されることにより、通信端末装置１が、他の非接触ＩＣカード（ＲＦタグ）と近距離通信を行うリーダ・ライタ装置として機能したり、通信端末装置１と他のＮＦＣデバイスとの間でピア・ツー・ピア（Ｐ２Ｐ）通信を実行したりできる。

高周波モジュール３は、通信端末装置１のマザーボード等に搭載されてＲＦＩＤ（Radio Frequency IDentification）システムを構成するためのものであり、外部から入力される通信用の高周波信号（ＲＦ信号）を取り扱う電子部品であるＲＦＩＣ３１と、ＲＦＩＣ３１およびアンテナ素子４の間に設けられたインピーダンスマッチング用の整合回路３２と、ホストＲＦＩＣ３１に接続されたセキュアＩＣ３３とを備えている。

ＲＦＩＣ３１は、ＲＦＩＤ用ＩＣにより形成されており、ＮＦＣ規格に基づく近距離通信に必要な機能を有しており、アンテナ素子４および整合回路３２を介して入力される外部のリーダ・ライタ装置（図示省略）から出力された通信用のＲＦ信号をベースバンド信号に復調して処理したり、復調されたベースバンド信号に含まれる情報（制御コマンド）やホストＩＣ２からの制御指令に基づいて所定の方式で符号化されたベースバンド信号をＡＳＫ変調等の所定の変調方式によりＲＦ信号に変調して整合回路３２およびアンテナ素子４を介して出力する機能を有する。

また、図２に示すように、整合回路３２は、インダクタ素子Ｌ１，Ｌ２およびキャパシタ素子Ｃ１，Ｃ２により一般的なＬ型のローパスフィルタにより形成されており、平衡端子Ｐｉがアンテナ素子４に接続され、平衡端子ＰｏがＲＦＩＣ３１に接続されている。なお、後述するように、インダクタ素子Ｌ１，Ｌ２は相互インダクタンスＭで結合するように配置されている。

セキュアＩＣ３３は、電子マネーの決済等に必要な、携帯端末装置１を識別するための識別コードや暗号処理するための暗号コード等を格納するメモリや、暗号処理を実行するＣＰＵなどを備えるものであり、ＲＦＩＣ３１により復調されたベースバンド信号に含まれる制御コマンドや、ホストＩＣからの制御指令などに基づいて所定の処理を実行することにより、前記電子マネーの決済等に必要な所定の情報が含まれるベースバンド信号を出力する。

なお、セキュアＩＣ３３が備えるメモリは書換可能な不揮発性のメモリにより形成されており、ホストＩＣ２により実行されるアプリケーションにより、適宜、セキュアＩＣ３３のメモリに格納される識別コードや暗号コード等の情報の書き換えが実行される。

次に、高周波モジュール３の構成について説明する。なお、図３〜図５では、説明を容易なものとするため、本発明の説明に必要な構成のみ図示されている。

高周波モジュール３は、多層樹脂配線基板３０を備え、ＲＦＩＣ３１、整合回路３２およびセキュアＩＣ３３などの各種の電子部品が多層樹脂配線基板３０に設けられている。多層樹脂配線基板３０は、誘電体層３０ａ〜３０ｄ，３０ｈと、磁性体層３０ｅ〜３０ｇとを備え、磁性体層３０ｅ〜３０ｇは、誘電体層３０ａ〜３０ｄと誘電体層３０ｈとの間に配置されている。なお、整合回路３２は、コイルパターン３２ａ，３２ｂにより構成されるインダクタ素子Ｌ１，Ｌ２およびキャパシタ素子Ｃ１，Ｃ２を構成するキャパシタ素子３２ｃ，３２ｄにより形成されている。

また、多層樹脂配線基板３０の表面（一方主面）には、表面実装部品を実装するための表面端子３０１が形成され、裏面（他方主面）には、高周波モジュール３を通信端末装置１のマザーボード等に接続するための裏面端子３０２が形成されている。また、各樹脂層３０ａ〜３０ｈには、面内導体パターン３０３や層間導体パターン３０４（ビア導体）が設けられており、これらの導体パターン３０３，３０４により、各種の受動素子が形成されたり、多層樹脂配線基板３０に設けられた各種の電子部品が電気的に接続される。

そして、磁性体層３０ｅ〜３０ｇには、厚み方向にらせん形状に形成された２個のコイルパターン３２ａ，３２ｂによりそれぞれ形成されたインダクタ素子Ｌ１，Ｌ２が設けられている。また、図６に示すように、両コイルパターン３２ａ，３２ｂは、層方向に隣接配置されており、磁界ＭＦが両コイルパターン３２ａ，３２ｂの巻回中心を貫くことにより相互インダクタンスＭで結合されている。

なお、インダクタ素子Ｌ１は、磁性体層３０ｆ，３０ｇにそれぞれ形成されたコイルパターン３２ａが層間導体パターン３０４により接続されることによりらせん形状に形成され、インダクタ素子Ｌ２は、誘電体層３０ｄおよび磁性体層３０ｅにそれぞれ形成されたコイルパターン３２ｂが層間導体パターン３０４に接続されることによりらせん形状に形成されている。

また、磁性体層３０ｅ〜３０ｇの一方主面側である、多層樹脂配線基板３０の表面に設けられた表面端子３０１には、ＲＦＩＣ３１や、インダクタ素子Ｌ１，Ｌ２と共に整合回路３２を形成するキャパシタ素子Ｃ１，Ｃ２としてキャパシタ素子３２ｃ，３２ｄが設けられている。また、磁性体層３０ｅ〜３０ｇの他方主面側の誘電体層３０ｂ，３０ｃには、セキュアＩＣ３３が内蔵されている。

セキュアＩＣ３３は、ＳｉやＧａＡｓなどの半導体基板３３ａ上に設けられた集積回路に接続されたポスト電極３３ｂおよびポスト電極３３ｂの側面を覆って形成された樹脂封止層３３ｃを有する再配線層を備え、所謂、ＣＳＰ（チップサイズパッケージ）に形成されており、樹脂封止増３３ｃから露出するポスト電極３３ｂの端面と層間導体パターン３０４とが直接接続される。

また、誘電体層３０ａ〜３０ｄ，３０ｈは、ポリイミドや液晶ポリマなどの耐熱性を有する熱可塑性樹脂により形成され、磁性体層３０ｅ〜３０ｇは、ポリイミドや液晶ポリマなどの熱可塑性樹脂にフェライト粉末等の磁性体粉末が混合されて形成される。また、表面端子３０１、裏面端子３０２、面内導体パターン３０３および層間導体パターン３０４は、銀や銅などを主成分とする比抵抗の小さな金属材料により形成される。なお、一般的な樹脂基板材料と比較すると、低損失で優れた高周波伝送特性を有しているため、液晶ポリマにより各樹脂層３０ａ〜３０ｈを形成するとよい。

次に、高周波モジュール３の製造方法について簡単に説明する。

まず、図５（ａ）〜（ｈ）に示すように、スクリーン印刷やレーザ加工等を用いた周知の手法を用いて面内導体パターン３０３や層間導体パターン３０４が形成されることにより、各誘電体層３０ａ〜３０ｄ，３０ｈおよび各磁性体層３０ｅ〜３０ｇが準備される。そして、図４および図５（ｆ），（ｇ）に示すように、開口ＯＰを有する誘電体層３０ｂ，３０ｃが仮圧着されることにより形成されるキャビティに、樹脂封止層３３ｃから露出するポスト電極３３ｂの端面が上側を向くようにセキュアＩＣ３３が配置される。そして、他の樹脂層３０ａ，３０ｄ〜３０ｈが図４に示す順に重ねられた後、熱圧着されることにより高周波モジュール３が製造される。

以上のように、この実施形態では、通信用のＲＦ信号をを取り扱う電子部品であるＲＦＩＣ３１は、多層樹脂基板３０が備える磁性体層３０ｅ〜３０ｇの一方主面側に設けられ、他の電子部品であるセキュアＩＣ３３は、磁性体層３０ｅ〜３０ｇの他方主面側に設けられているため、取り扱われる高周波信号に起因するＲＦＩＣ３１からの輻射ノイズ（電磁波）は磁性体層３０ｅ〜３０ｇ（磁性体）を通過することにより発熱して損失するので、ＲＦＩＣ３１からの輻射ノイズが、セキュアＩＣ３３などの他の電子部品に与える影響を低減することができ、ＲＦＩＣ３１とセキュアＩＣ３３との間のアイソレーション特性を向上することができる。

また、整合回路３２を形成する各インダクタ素子Ｌ１，Ｌ２が磁性体層３０ｅ〜３０ｇに設けられており、インダクタ素子Ｌ１，Ｌ２の各インダクタンスが増大するためインダクタ素子Ｌ１，Ｌ２を小型化することができるので、高周波モジュール３の小型化を図ることができる。

また、従来のように、電子部品の一面を隙間無く覆う形状に形成されたグランドパターンと、多層樹脂基板３０に設けられた各種の受動素子とが結合することにより、受動素子の特性が変化したり、当該受動素子により形成される回路のＱ値が劣化するなどの問題が生じるおそれがない。

また、各磁性体層３０ｅ〜３０ｇは、樹脂材料に磁性体粉末が混合されて形成されたものであるため、誘電体層３０ａ〜３０ｄ，３０ｈと比較すると剛性が高く、多層樹脂配線基板３０の剛性を向上することができる。したがって、高周波モジュール３のたわみ強度を向上させることができると共に、多層樹脂配線基板３０に実装されるＲＦＩＣ３１や、内蔵されるセキュアＩＣ３３の機械的強度を補強することができる。

また、ＲＦＩＣ３１とセキュアＩＣ３３との間に磁性体層３０ｅ〜３０ｇが配置されているため、入力されたＲＦ信号がＲＦＩＣ３１により復調されたベースバンド信号を取り扱うセキュアＩＣ３３に、ＲＦ信号に起因するＲＦＩＣ３１からの輻射ノイズが影響を与えるのを防止することができる。

また、セキュアＩＣ３３が多層樹脂配線基板３０に内蔵されるので、高周波モジュール３の小型化を図ることができる。

また、両コイルパターン３２ａ，３２ｂが所定の相互インダクタンスＭで結合されて磁性体層３０ｅ〜３０ｇに層方向に隣接配置されており、より少ない巻数でインダクタ素子Ｌ１，Ｌ２を形成できるので、インダクタ素子Ｌ１，Ｌ２を小型化できると共に、インダクタ素子Ｌ１，Ｌ２から放射される磁界ノイズを低減することができる。

＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態たる高周波モジュールが搭載された通信端末装置について、図７および図８を参照して説明する。図７は本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュールを示す断面図である。図８は図７の高周波モジュールが備える配線基板に設けられたインダクタ素子の配置関係を示す図である。この実施形態が上記した第１実施形態と異なるのは、図７に示すように、磁性体層３０ｅ〜３０ｇの一方主面側の多層樹脂配線基板３０表面の表面端子３０１ににセキュアＩＣ３３が設けられて、磁性体層３０ｅ〜３０ｇの他方主面側の誘電体層３０ｂ，３０ｃにＲＦＩＣ３１が内蔵されている点である。また、コイルパターン３２ａ，３２ｂは、少なくとも互いのらせん形状の巻回軸が重ならないように磁性体層３０ｅ〜３０ｇの面方向に隣接配置されて各インダクタ素子Ｌ１，Ｌ２が形成されている。そして、図８に示すように、磁性体層３０ｅ〜３０ｇ内に、両コイルパターン３２ａ，３２ｂに生じる磁界ＭＦによる閉磁路が形成されるように、各インダクタ素子Ｌ１，Ｌ２が配置されている。その他の構成は上記した第１実施形態と同様の構成であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。

この実施形態では、ＲＦＩＣ３１は、ＳｉやＧａＡｓなどの半導体基板３１ａ上に設けられた集積回路に接続されたポスト電極３１ｂおよびポスト電極３１ｂの側面を覆って形成された樹脂封止層３１ｃを有する再配線層を備え、所謂、ＣＳＰに形成されており、樹脂封止層３１ｃから露出するポスト電極３１ｂの端面と層間導体パターン３０４とが直接接続される。また、ＲＦＩＣ３１の半導体基板３１ａの集積回路形成面と反対側の面には、放熱用の層間導体パターン３０４ａが接続されており、ＲＦＩＣ３１の熱が多層樹脂基板３０の外部に放熱されるように構成されている。

また、各磁性体層３０ｅ〜３０ｇには、それぞれ面方向に隣接してコイルパターン３２ａ，３２ｂが形成されている。そして、各磁性体層３０ｅ〜３０ｇに形成された各コイルパターン３２ａ，３２ｂが、それぞれ層間導体パターン３０４により接続されることにより、らせん形状のインダクタ素子Ｌ１，Ｌ２が形成されている。

このように構成すると、上記した第１実施形態と同様の効果を奏することができると共に、以下の効果を奏することができる。すなわち、各インダクタ素子Ｌ１，Ｌ２を形成する両コイルパターン３２ａ，３２ｂが、少なくとも互いのらせん形状の巻回軸が重ならないように配置されて、磁性体層３０ｅ〜３０ｇ内に両コイルパターン３２ａ，３２ｂに生じる磁界ＭＦによる閉磁路が形成されるので、インダクタ素子Ｌ１，Ｌ２から放射される磁界ノイズを低減することができる。

また、各インダクタ素子Ｌ１，Ｌ２と共に整合回路３２を形成する受動素子であるキャパシタ素子Ｃ１，Ｃ２（キャパシタ素子３２ｃ，３２ｄ）と、ＲＦＩＣ３１とが磁性体層３０ｅ〜３０ｇを間に挟んで配置されているため、ＲＦ信号に起因するＲＦＩＣ３１からの輻射ノイズがキャパシタ素子Ｃ１，Ｃ２に影響を与えて整合回路３２の特性が変化するのを防止することができる。

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。例えば、上記した実施形態では、高周波モジュール３として、ＲＦＩＤシステムを構成するためのものを例に挙げて説明したが、本発明が適用される高周波モジュールとしてはこれに限られるものではない。

また、ＲＦＩＣ３１およびセキュアＩＣ３３のいずれか一方が多層樹脂基板３０に必ずしも内蔵されている必要はなく、ＲＦＩＣ３１とセキュアＩＣ３３とが、磁性体層３０ｅ〜３０ｇを挟んで配置されていればよい。また、配線基板を磁性体層のみで形成してもよく、この場合、磁性体層のいずれか一方面にＲＦＩＣ３１を配置し、他方面にセキュアＩＣ３３を配置すればよい。

本発明は、配線基板に設けられた、高周波信号を取り扱う電子部品であるＲＦＩＣと、整合回路と、他の電子部品とを備える高周波モジュールに広く適用することができる。

３，３ａ高周波モジュール
４アンテナ素子
３０多層樹脂配線基板（配線基板）
３０ｅ〜３０ｇ磁性体層
３１ＲＦＩＣ
３２整合回路
３３セキュアＩＣ（他の電子部品）
Ｌ１，Ｌ２インダクタ素子
Ｃ１，Ｃ２キャパシタ素子（受動素子）

Claims

配線基板に設けられた、高周波信号を取り扱う電子部品であるＲＦＩＣと、整合回路と、他の電子部品とを備える高周波モジュールにおいて、
前記配線基板は磁性体層を備え、
前記ＲＦＩＣは、前記磁性体層の一方主面側に設けられ、前記他の電子部品は、前記磁性体層の他方主面側に設けられて、
前記整合回路を形成するインダクタ素子が前記磁性体層に設けられている
ことを特徴とする高周波モジュール。
前記ＲＦＩＣは、入力された前記高周波信号をベースバンド信号に復調し、前記ベースバンド信号を前記高周波信号に変調する機能を有し、
前記他の電子部品は、前記ベースバンド信号を取り扱うＩＣであることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
前記他の電子部品は、前記インダクタ素子と共に前記整合回路を形成する受動素子であることを特徴とする請求項１または２に記載の高周波モジュール。
前記ＲＦＩＣおよび前記他の電子部品のいずれか一方が前記配線基板に内蔵されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の高周波モジュール。
前記インダクタ素子は、前記磁性体層の厚み方向にらせん状に形成された２個のコイルパターンを備え、
前記両コイルパターンは隣接配置されて所定の相互インダクタンスで結合していることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の高周波モジュール。
前記両コイルパターンは、少なくとも互いのらせん形状の巻回軸が重ならないように隣接配置されており、前記磁性体層内に前記両コイルパターンに生じる磁界による閉磁路が形成されることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の高周波モジュール。
前記整合回路および前記ＲＦＩＣが接続されており、
アンテナ素子から入力された前記高周波信号が前記整合回路を介して前記ＲＦＩＣに入力されること、および／または前記ＲＦＩＣから出力された高周波信号が前記整合回路を介してアンテナ素子から放射されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の高周波モジュール。
前記ＲＦＩＣは、ＲＦＩＤ用ＩＣであることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の高周波モジュール。