JP2003332167A - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】小型、かつ、高性能で、電気的特性の優れた積
層モジュールを提供する。 【解決手段】機能層（２１、２２）と、導体層５１、５
２とを含む。有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２
１のそれぞれは、各厚みＴ１、Ｔ２が５μｍ以下の薄膜
であって、互いに隣接する。導体層５１、５２は、有機
樹脂材料層２２または無機機能材料層２１の少なくとも
一方に隣接している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品及びその
製造方法に関する。本発明に係る電子部品には、コンデ
ンサ、インダクタ、ＬＣフィルタ、共振器、これらを含
む多層基板、更には、これらと能動素子とを組み合わせ
た各種積層モジュール等が広く含まれる。

【０００２】

【従来の技術】例えば、この種の電子部品の代表例であ
るコンデンサ、インダクタ及びその複合部品は、スクリ
ーン印刷を用いて製造するのが一般的であり、その量産
技術は既に確立している。

【０００３】しかし、近年、通信用、民生用、産業用等
の電子機器分野における電子部品の小型化、高密度化、
高機能化への指向は著しいものがあり、スクリーン印刷
技術を主とする従来技術ではそのような要求に応えるこ
とが困難になりつつある。

【０００４】更に、高周波用積層モジュールもしくは高
周波多層基板では、焼結フェライトや焼結セラミックを
用いた複数の機能層を、必要数だけ積層し、多層化した
ものは、既に知られている。これらの材料を用いて多層
基板を構成することにより、小型化が図れるというメリ
ットがある。

【０００５】しかしながら、焼結フェライト基板や焼結
セラミック基板を用いた場合、焼成工程や厚膜印刷工程
等の製造工程数が多いこと、焼成時に発生するクラッ
ク、反りに代表される焼成材料特有の問題が多いこと、
プリント基板との熱膨張係数の違い等によるクラックが
発生しやすいこと等、多くの問題を抱えること等から、
有機樹脂材料への要求が年々高まっている。

【０００６】一方、有機樹脂材料で機能層を構成し、そ
の複数枚を積層する多層化構造も知られているが、この
多層化構造では、十分な誘電率、または、十分な透磁率
を得ることも困難である。このため、単に有機樹脂材料
を利用した積層モジュールでは、十分な特性を得ること
ができず、形状的にも大きなものとなり、小型化、薄型
化を図ることが困難であるという問題点がある。

【０００７】このような問題点を解決する手段として、
例えば、特開平８−６９７１２号公報、特開平１１−１
９２６２０号公報は、有機材料に無機機能材料を混合し
たハイブリッド材料を用いて機能層を構成する手法を開
示している。しかし、いずれも十分な高周波特性や磁気
特性を得られていない。

【０００８】また、特公平６−１４６００号公報には、
シート工法による複数材料を多層化する例が示されてい
るが、工程数が多い等の問題点がある。しかも、ここで
検討されている周波数は数百ＭＨｚ程度であり、数ＧＨ
ｚ以上の高周波領域における性能については何ら、検討
されていない。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、小
型、かつ、高性能で、しかも電気的特性の優れた電子部
品を提供することである。

【００１０】本発明のもう一つの課題は、そのような電
子部品を製造するのに適した製造方法を提供することで
ある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係る電子部品は、機能層と、導体層とを
含む。前記機能層は、有機樹脂材料層と、無機機能材料
層とを含む。前記有機樹脂材料層及び前記無機機能材料
層のそれぞれは、５μｍ以下の薄膜であって、互いに隣
接する。

【００１２】前記導体層は、前記有機樹脂材料層または
前記無機機能材料層の少なくとも一方に隣接している。

【００１３】上述したように、本発明に係る電子部品
は、機能層を含み、機能層は有機樹脂材料層と無機機能
材料層とを含む。有機樹脂材料層及び無機機能材料層の
それぞれは互いに隣接する。このように、有機樹脂材料
層及び無機機能材料層のそれぞれを、互いに隣接させた
機能層は、有機樹脂材料層が応力緩和層として働くこと
になるので、焼結フェライト基板や焼結セラミック基板
を用いた従来の積層基板と異なって、加工工程におい
て、クラックや層間剥離が生じにくく、機械的強度に優
れているので、製品としての信頼性に優れている。

【００１４】しかも、無機機能材料層が存在するので、
有機樹脂材料を単独で用いた場合よりも、電気的特性、
例えば、誘電率やＱ値を向上させることができる。この
ため、高性能の電子部品を得ることができる。

【００１５】また、有機樹脂材料層及び無機機能材料層
のそれぞれが、互いに独立する層として存在するので、
有機樹脂材料に無機機能材料を混合したハイブリッド機
能材料層よりも、特性のばらつきが小さくなり、歩留が
向上する。

【００１６】更に、有機樹脂材料層及び無機機能材料層
のそれぞれは、５μｍと薄いため、これらの層を互いに
隣接させた機能層は、パンチまたはドリル等を用いて、
貫通ビアホール、インナービアホール、ブラインドビア
ホール及びサーマルビアホールのための孔を簡単に形成
できる。このようにして形成されたホール内に導電性ぺ
ースト（Ａｇなど）を充填して、層間において位置ズレ
を生じることなく、各種ビアを確実に形成し得る。これ
により、電気的接続導体層及び放熱路が構成される。

【００１７】しかも、有機樹脂材料層及び無機機能材料
層のそれぞれを、互いに隣接させた機能層は、無機機能
材料層を構成する機能材料の種類を選択することによ
り、所望の電気的及び磁気的特性を持たせることができ
る。例えば、無機機能材料として、誘電体材料を用いた
場合には、誘電体材料の材料選択により、誘電率の調整
が容易となり、焼結セラミックを用いた積層基板と異な
って、低誘電率化も可能であるとともに、有機樹脂材料
を用いた積層基板よりもＱ値が高く、高周波領域（１０
０ＭＨｚ以上、特に１００ＭＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の
領域）での使用に好適なものを実現できる。

【００１８】また、無機機能材料として、フェライト、
金属磁性体材料等を選択使用することにより、優れた磁
気特性を利用した用途や、磁気シールドを目的とした用
途にも、自由に対応できる。

【００１９】更に、無機機能材料の選択によって、高周
波帯域で、比較的高いＱや誘電率εを得ることも可能で
ある。このような特性は、例えばストリップライン、イ
ンピーダンス整合回路、遅延回路及びアンテナ回路等を
構成する場合に要求される。しかも、機械的強度に優れ
た機能層を得ることができる。

【００２０】機能層は、有機樹脂材料層及び無機機能材
料層の組み合わせを、任意数含むことができる。組み合
わせは、基本的には、有機樹脂材料層及び無機機能材料
層が交互に配置されるようにする。

【００２１】有機樹脂材料層及び無機機能材料層のそれ
ぞれは、５μｍ以下の薄膜である。互いに隣接する有機
樹脂材料層及び無機機能材料層のそれぞれが、５μｍ以
下の薄膜であるので、薄膜による種々の利点が得られ
る。まず、薄膜化による一般的な利点として、小型、低
背化が可能である。また、機能層をコンデンサ要素とし
て利用する場合には、大容量化を達成できる。

【００２２】本発明に係る電子部品は、更に、導体層を
含んでおり、導体層は、有機樹脂材料層または無機機能
材料層の少なくとも一方に隣接している。これにより、
導体層を介して、有機樹脂材料層または無機機能材料層
の電気的特性を取り出す電子部品を得ることができる。

【００２３】導体層は、有機樹脂材料層及び無機機能材
料層を１層づつ含む機能層毎に設けてもよいし、有機樹
脂材料層及び無機機能材料層を任意複数層含む機能層に
設けてもよい。導体層のパターンは任意である。

【００２４】本発明に係る電子部品の製造に当たって
は、まず、前記有機樹脂材料層及び前記無機機能材料層
のそれぞれを、薄膜形成方法により形成する。

【００２５】次に、前記有機樹脂材料層または前記無機
機能材料層の上に、前記導体層膜を、薄膜形成方法によ
って形成する。

【００２６】有機樹脂材料層は、例えば、蒸着によって
形成することができる。無機機能材料層は、スパッタ
法、気相成長法（ＣＶＤ）等の薄膜技術によって形成す
ることができる。導体層は、スパッタ法、蒸着法、イオ
ンプレーティング法、溶射法、イオンビーム法、ＣＶＤ
法またはスピンコート法等の各種の成膜技術によって形
成することができる。

【００２７】本発明の他の目的、構成及び利点について
は、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。添付図面
は、単に、例示に過ぎない。

【００２８】

【発明の実施の形態】１．電子部品一般 図１は本発明に係る電子部品の一部を示す断面図であ
る。図１によって表現された電子部品には、コンデン
サ、インダクタまたはそれらの組み合わせ等が含まれ得
る。これらの電子部品は、回路の一部として、他の回路
要素とともに電子回路を構成するものであってもよい
し、それ自体独立する部品形態をとっていてもよい。

【００２９】図示された電子部品は、機能層（２１、２
２）と、導体層５１、５２とを含む。これらは、支持層
９によって支持されている。支持層９は、機能層の一部
であってもよいし、機能層とは異なる層であってもよ
い。

【００３０】機能層（２１、２２）は、有機樹脂材料層
２２と、無機機能材料層２１とを含む。有機樹脂材料層
２２及び無機機能材料層２１のそれぞれは、各厚みＴ
１、Ｔ２が５μｍ以下の薄膜であって、互いに隣接す
る。

【００３１】導体層５１、５２は、有機樹脂材料層２２
または無機機能材料層２１の少なくとも一方に隣接して
いる。

【００３２】上述したように、本発明に係る電子部品は
機能層を含み、機能層は有機樹脂材料層２２と無機機能
材料層２１とを含む。有機樹脂材料層２２及び無機機能
材料層２１のそれぞれは互いに隣接する。このように、
有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１のそれぞれ
を、互いに隣接させた機能層は、有機樹脂材料層２２が
応力緩和層として働くことになるので、焼結フェライト
基板や焼結セラミック基板を用いた従来の積層基板と異
なって、加工工程において、クラックや層間剥離が生じ
にくく、機械的強度に優れているので、製品としての信
頼性に優れている。

【００３３】しかも、無機機能材料層２１が存在するの
で、有機樹脂材料層を単独で用いた場合よりも、電気的
特性、例えば、誘電率やＱ値を向上させることができ
る。このため、高性能の電子部品を得ることができる。

【００３４】また、有機樹脂材料層２２及び無機機能材
料層２１のそれぞれが、互いに独立する層として存在す
るので、有機樹脂材料及び無機機能材料を混合したハイ
ブリッド機能層よりも、特性のばらつきが小さくなり、
歩留が向上する。

【００３５】更に、有機樹脂材料層２２及び無機機能材
料層２１のそれぞれを、互いに隣接させた機能層は、パ
ンチまたはドリル等を用いて、貫通ビアホール、インナ
ービアホール、ブラインドビアホール及びサーマルビア
ホールのための孔を簡単に形成できる。このようにして
形成されたホール内に導電性ぺースト（Ａｇなど）を充
填して、層間において位置ズレを生じることなく、各種
ビアを確実に形成し得る。このため、電気的接続導体層
及び放熱路を構成することができる。

【００３６】しかも、有機樹脂材料層２２及び無機機能
材料層２１のそれぞれを、互いに隣接させた機能層は、
無機機能材料層２１を構成する機能材料の種類を選択す
ることにより、所望の電気的及び磁気的特性を持たせる
ことができる。例えば、無機機能材料として、誘電体材
料を用いた場合には、誘電体材料の材料選択により、誘
電率の調整が容易となり、焼結セラミックを用いた積層
基板と異なって、低誘電率化も可能であるとともに、有
機樹脂材料を用いた積層基板よりもＱ値が高く、高周波
領域（１００ＭＨｚ以上、特に１００ＭＨｚ以上１０Ｇ
Ｈｚ以下の領域）での使用に好適なものを実現できる。

【００３７】また、無機機能材料として、フェライト、
金属磁性体材料等を選択使用することにより、優れた磁
気特性を利用した用途や、磁気シールドを目的とした用
途にも、自由に対応できる。

【００３８】更に、無機機能材料の選択によって、高周
波帯域で、比較的高いＱや誘電率εを得ることも可能で
ある。このような特性は、例えばストリップライン、イ
ンピーダンス整合回路、遅延回路及びアンテナ回路等を
構成する場合に要求される。しかも、機械的強度に優れ
た機能層を得ることができる。

【００３９】図２は本発明に係る電子部品の別の実施例
を示す断面図である。図において、図１に現れた構成部
分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付
し、重複説明は省略する。この実施例では、有機樹脂材
料層２２及び無機機能材料層２１は、各３層による交互
配置とし、このようにして形成された機能層の両側に導
体層５１、５２を配置してある。

【００４０】機能層は、有機樹脂材料層２２及び無機機
能材料層２１の組み合わせを、任意数含むことができ
る。組み合わせは、基本的には、有機樹脂材料層２２及
び無機機能材料層２１が交互に配置されるようにする。

【００４１】有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２
１のそれぞれは、５μｍ以下の薄膜である。このよう
に、互いに隣接する有機樹脂材料層２２及び無機機能材
料層２１のそれぞれが、５μｍ以下の薄膜であるので、
薄膜による種々の利点が得られる。

【００４２】まず、薄膜化による一般的な利点として、
小型、低背化が可能である。また、機能層をコンデンサ
要素として利用する場合には、大容量化を達成できる。
このような薄膜の有機樹脂材料層２２は、例えば、蒸着
によって形成することができる。無機機能材料層２１
は、スパッタ法、気相成長法（ＣＶＤ）等の薄膜技術に
よって形成することができる。

【００４３】本発明に係る電子部品は、更に、導体層５
１、５２を含んでおり、導体層５１、５２は、有機樹脂
材料層２２または無機機能材料層２１の少なくとも一方
に隣接している。これにより、導体層５１、５２を介し
て、有機樹脂材料層２２または無機機能材料層２１の電
気的特性を取り出す電子部品を得ることができる。

【００４４】導体層５１、５２は、有機樹脂材料層２２
及び無機機能材料層２１を１層づつ含む機能層毎に設け
てもよいし、有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２
１を任意複数層含む機能層に設けてもよい。図示実施例
において、導体層５１は、無機機能絶縁層２１の表面に
付着され、導体層５２は支持層９と有機樹脂材料層２２
との間に付着されている。

【００４５】導体層５１、５２のパターンは任意であ
る。導体層５１、５２は、スパッタ法、蒸着法、イオン
プレーティング法、溶射法、イオンビーム法、ＣＶＤ法
またはスピンコート法等の各種の成膜技術によって形成
することができる。

【００４６】図３は本発明に係る電子部品の別の実施例
を示す断面図である。図において、図１に現れた構成部
分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付
し、重複説明は省略する。この実施例では、有機樹脂材
料層２２及び無機機能材料層２１は交互配置とし、この
ようにして形成された機能層の片面に、パターン化され
た導体層５１を配置してある。

【００４７】本発明に係る電子部品において、有機樹脂
材料層２２を構成する有機樹脂材料は、特に限定される
ものではなく、成形性、加工性、積層時の接着性、電気
的特性に優れた有機樹脂材料の中から適宜選択して用い
ることができる。具体的には、熱硬化性有機樹脂材料、
熱可塑性有機樹脂材料等が好ましい。

【００４８】熱硬化性有機樹脂材料としては、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニ
ルエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエー
テル（オキサイド）樹脂、ビスマレイミドトリアジン
（シアネートエステル）樹脂、フマレート樹脂、ポリブ
タジエン樹脂またはビニルベンジル樹脂等が挙げられ
る。

【００４９】熱可塑性有機樹脂材料としては、芳香族ポ
リエステル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポ
リエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタ
レート樹脂、ポリエチレンサルファイド樹脂、ポリエー
テルエーテルケトン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン
樹脂、グラフト樹脂、ポリアリレート樹脂等が挙げられ
る。

【００５０】これらの中でも、特にフェノール樹脂、エ
ポキシ樹脂、低誘電率エポキシ樹脂、ポリブタジエン樹
脂、ＢＴレジン等が、ベースレジンとして好ましい。

【００５１】これらの有機樹脂材料は、単独で用いても
よいし、２種以上を混合して用いてもよい。２種以上を
混合して用いる場合の混合比は、任意である。

【００５２】本発明に係る電子部品において、無機機能
材料層２１を構成する無機機能材料としては、誘電体材
料及び磁性材料を用いることができる。本発明に用いる
誘電体材料は、高周波帯域において、有機樹脂材料より
も大きい比誘電率と、Ｑとを持つ誘電体材料であればよ
い。特に本発明に用いる誘電体材料は、比誘電率が１０
〜２００００、誘電正接が０．０５以下のものを使用す
ることが好ましい。比較的高い誘電率を得るためには、
特に以下の材料を得ることが好ましい。

【００５３】チタン−バリウム−ネオジウム系セラミッ
クス、チタン−バリウム−スズ系セラミックス、鉛−カ
ルシウム系セラミックス、二酸化チタン系セラミック
ス、チタン酸バリウム系セラミックス、チタン酸鉛系セ
ラミックス、チタン酸ストロンチウム系セラミックス、
チタン酸カルシウム系セラミックス、チタン酸ビスマス
系セラミックス、チタン酸マグネシウム系セラミック
ス、ＣａＷＯ₄系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ₃
系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ₃系セラミック
ス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ₃系セラミックス、Ｂ
ａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ₃系セラミックス。二酸化チ
タン系セラミックスとは、二酸化チタンのみを含有する
もののほか、他の少量の添加物を含有するものを含み、
二酸化チタンの結晶構造が保持されているものをいう。
また、他のセラミックスも同様である。特に、二酸化チ
タン系セラミックスは、ルチル構造を有するものが好ま
しい。

【００５４】誘電率をあまり高くせずに高いＱを得るた
めには、以下の材料を用いることが好ましい。

【００５５】シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタン酸
カリウムウイスカ、チタン酸カルシウムウイスカ、チタ
ン酸バリウムウイスカ、酸化亜鉛ウイスカ、ガラスチョ
ップ、ガラスビーズ、カーボン繊維、酸化マグネシウム
（タルク）。

【００５６】これらは単独で用いてもよいし、２種以上
を混合して用いてもよい。２種以上を混合して用いる場
合、その混合比は任意である。

【００５７】本発明に係る無機機能材料層２１を構成す
る誘電体材料の一つの例として、２ＧＨｚでの比誘電率
が５〜１００００、誘電正接が０．０１〜０．００００
２であるものを挙げることができる。このような構成に
より、高いＱと比誘電率の無機機能材料層２１を得るこ
とが可能である。

【００５８】誘電体材料は、サファイヤなどの単結晶や
多結晶のアルミナでもよく、これらも含めて機能材料の
種類は、例えば、以下の組成を主成分とする誘電体であ
ることが好ましい。併せて２ＧＨｚにおける比誘電率ε
およびＱ値を示す。

【００５９】Ｍｇ₂ＳｉＯ₄［ε＝７、Ｑ＝２０００
０］、Ａｌ₂Ｏ₃［ε＝９．８、Ｑ＝４００００］、Ｍｇ
ＴｉＯ₃［ε＝１７、Ｑ＝２２０００］、ＺｎＴｉＯ
₃［ε＝２６、Ｑ＝８００］、Ｚｎ₂ＴｉＯ₄［ε＝１
５、Ｑ＝７００］、ＴｉＯ₂［ε＝１０４、Ｑ＝１５０
００］、ＣａＴｉＯ₃［ε＝１７０、Ｑ＝１８００］、
ＳｒＴｉＯ₃［ε＝２５５、Ｑ＝７００］、ＳｒＺｒＯ₃
［ε＝３０、Ｑ＝１２００］、ＢａＴｉ₂Ｏ₅［ε＝４
２、Ｑ＝５７００］、ＢａＴｉ₄Ｏ₉［ε＝３８、Ｑ＝９
０００］、Ｂａ₂Ｔｉ₉Ｏ₂₀［ε＝３９、Ｑ＝９００
０］、Ｂａ₂（Ｔｉ，Ｓｎ）₉Ｏ₂₀［ε＝３７、Ｑ＝５０
００］、ＺｒＴｉＯ₄［ε＝３９、Ｑ＝７０００］、
（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ₄［ε＝３８、Ｑ＝７０００］、
ＢａＮｄ₂Ｔｉ₅Ｏ₁₄［ε＝８３、Ｑ＝２１００］、Ｂａ
Ｓｍ₂Ｔｉ Ｏ₁₄［ε＝７４、Ｑ＝２４００］、Ｂｉ₂Ｏ ₃
−ＢａＯ−Ｎｄ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系［ε＝８８、Ｑ＝２０
００］、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系［ε＝
９０、Ｑ＝５２００］、（Ｂｉ₂Ｏ₃、ＰｂＯ）−ＢａＯ
−Ｎｄ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系［ε＝１０５、Ｑ＝２５０
０］、Ｌａ₂Ｔｉ₂Ｏ₇［ε＝４４、Ｑ＝４０００］、Ｎ
ｄ₂Ｔｉ₂Ｏ₇［ε＝３７、Ｑ＝１１００］、（Ｌｉ，Ｓ
ｍ）ＴｉＯ₃［ε＝８１、Ｑ＝２０５０］、Ｂａ（Ｍｇ
_1/3Ｔａ_2/3）Ｏ₃［ε＝２５、Ｑ＝３５０００］、Ｂａ
（Ｚｎ_1/3Ｔａ_2/3）Ｏ₃［ε＝３０、Ｑ＝１４００
０］、Ｂａ（Ｚｎ_1/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃［ε＝４１、Ｑ＝９
２００］、Ｓｒ（Ｚｎ_1/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃［ε＝４０、Ｑ
＝４０００］等。

【００６０】より好ましくは、以下の組成を主成分とす
るものである。

【００６１】ＴｉＯ₂、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、Ｂ
ａＯ−Ｎｄ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系、Ｂｉ₂Ｏ₃−ＢａＯ−Ｎｄ₂
Ｏ₃−ＴｉＯ₂系、ＢａＴｉ₄Ｏ₉、Ｂａ₂Ｔｉ₉Ｏ₂₀、Ｂａ
₂（Ｔｉ，Ｓｎ）₉Ｏ₂₀系、ＭｇＯ−ＴｉＯ₂系、ＺｎＯ
−ＴｉＯ₂系、ＭｇＯ−ＳｉＯ₂系、Ａｌ₂Ｏ₃等。

【００６２】本発明に係る無機機能材料層２１を構成す
る誘電体材料の他の例としては、比誘電率が２０〜２０
０００、誘電正接が０．５〜０．０００１であるものも
有効である。このような誘電体材料を用いることで、よ
り高い比誘電率の無機機能材料層２１を得ることが可能
である。具体的には以下の組成を主成分とする誘電体材
料から選択されるものが好ましい。併せて２ＧＨｚにお
ける比誘電率εを示す。

【００６３】ＢａＴｉＯ₃［ε＝１５００］、（Ｂａ，
Ｐｂ）ＴｉＯ₃系［ε＝６０００］、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚ
ｒ）Ｏ₃系［ε＝９０００］、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ₃系
［ε＝７０００］。

【００６４】より好ましくは、ＢａＴｉＯ₃、Ｂａ（Ｔ
ｉ，Ｚｒ）Ｏ₃系の組成を主成分とする誘電体材料から
選択される。誘電体材料は、単結晶や多結晶でもよい。

【００６５】無機機能材料層２１を構成する磁性体材料
としては、フェライト及び金属磁性体材料を用いること
ができる。フェライトとしては、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系、
Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系などであり、Ｍｎ−Ｍｇ−
Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系などが好ましい。

【００６６】金属磁性体材料としては、カーボニル鉄、
鉄−シリコン系合金、鉄−アルミ−珪素系合金（商標
名：センダスト）、鉄−ニッケル系合金（商標名：パー
マロイ）、アモルファス系（鉄系、コバルト系）などが
好ましい。磁性体材料の透磁率μは、１０〜１００００
００であることが好ましい。また、バルクの絶縁性は、
高い方が機能層としての絶縁性が向上して好ましい。

【００６７】本発明においては、有機樹脂材料層２２を
構成する有機樹脂材料に、難燃剤を含ませることもでき
る。本発明に用いられる難燃剤としては、難燃化のため
に用いられている種々の難燃剤を用いることができる。
具体的には、ハロゲン化リン酸エステル、ブロム化エポ
キシ樹脂等のハロゲン化物、また、リン酸エステルアミ
ド系等の有機化合物や、三酸化アンチモン、水酸化アル
ミニウム等の無機材料を用いることができる。

【００６８】以下、本発明に係る電子部品の具体例を示
す。

【００６９】２．コンデンサ 図４は本発明に係るコンデンサの斜視図、図５は図４の
５−５線に沿った断面図、図６は図４及び図５に示した
コンデンサの内部電極構造を示す斜視図、図７は図５の
Ａ７部の拡大図である。図示されたコンデンサは、基体
１と、内部電極となる複数の導体層５１〜５８と、端子
電極６１、６２とを含んでいる。導体層５１〜５８は基
体１の内部に埋設されており、奇数参照符号が付された
導体層５１、５３、５５、５７はその一端が端子電極６
１に接続され、偶数参照符号が付された導体層５２、５
４、５６、５８はその一端が端子電極６２に導通接続さ
れている。導体層５１〜５８のうち、隣接する導体層間
には、誘電体層として働く機能層が存在する。

【００７０】例えば、隣接する導体層５１−５２間に注
目すると、図７に拡大して示すように、導体層５１−５
２間には、有機樹脂材料層２２と、無機機能材料層２１
とを含む機能層が存在する。有機樹脂材料層２２及び無
機機能材料層２１のそれぞれは、各厚みＴ１、Ｔ２が５
μｍ以下の薄膜であって、互いに隣接する。有機樹脂材
料層２２及び無機機能材料層２１は、各３層による交互
配置とし、このようにして形成された機能層の両側に導
体層５１、５２を配置してある。層数が任意であること
は、既に述べた通りである。

【００７１】図示実施例のコンデンサは、導体層５１−
５２間の機能層を、有機樹脂材料層２２と無機機能材料
層２１とを隣接させて構成してあるので、有機樹脂材料
層２２が応力緩和層として働くことになる。このため、
加工工程において、クラックや層間剥離が生じにくく、
機械的強度に優れたものとなる。

【００７２】しかも、無機機能材料層２１が存在するの
で、有機機能材料層を単独で用いた場合よりも、誘電率
やＱ値を向上させることができる。このため、高性能の
コンデンサを得ることができる。誘電率やＱ値を向上さ
せるのに適した材料については、既に詳説した通りであ
る。

【００７３】また、有機樹脂材料層２２及び無機機能材
料層２１のそれぞれが、互いに独立する層として存在す
るので、有機樹脂材料及び無機機能材料を混合したハイ
ブリッド機能層よりも、誘電率やＱ値のばらつきが小さ
くなり、歩留が向上する。

【００７４】更に、有機樹脂材料層２２及び無機機能材
料層２１のそれぞれを、隣接させた機能層は、孔や凹部
を簡単に形成できる。このようにして形成された孔や凹
部に導電性ぺースト（Ａｇなど）を充填して、内部電極
を構成する導体層５１〜５８と接続する端子電極６１、
６２を形成することができる。

【００７５】しかも、有機樹脂材料層２２及び無機機能
材料層２１のそれぞれは、５μｍ以下の薄膜であるの
で、小型、低背化が可能である。また、機能層をコンデ
ンサ要素として利用する場合には、大容量化を達成でき
る。このような薄膜の有機樹脂材料層２２は、例えば、
蒸着によって形成することができる。無機機能材料層２
１は、スパッタ法、気相成長法（ＣＶＤ）等の薄膜技術
によって形成することができる。

【００７６】導体層５１〜５８のパターンは任意であ
る。導体層５１〜５８は、スパッタ法、蒸着法、イオン
プレーティング法、溶射法、イオンビーム法、ＣＶＤ法
またはスピンコート法等の各種の成膜技術によって形成
することができる。

【００７７】３．ＬＣ複合部品 本発明は、ＬＣ複合部品にも適用できる。図８はそのよ
うなＬＣ複合部品の一例として、ＬＣフィルタ回路を示
している。図示されたＬＣフィルタ回路は、例えば、３
個のコンデンサＣ０１〜Ｃ０３と、２つのインダクタＬ
０１、Ｌ０２とを含んでいる。また、入出力端子となる
端子電極６１、６２及びアース端子として用いられる端
子電極６３を有する。

【００７８】図９は図８に示したＬＣフィルタ回路を内
蔵するＬＣ複合部品の断面図、図１０は図９のＡ１０部
の拡大断面図である。図において、先に図示された構成
部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付
してある。図示されたＬＣ複合部品は、コンデンサ部分
１１とインダクタ部分１２とを積層した構造を持つ。Ｇ
ＮＤはグランド電極である。

【００７９】コンデンサ部分１１は、図８のコンデンサ
Ｃ０１、Ｃ０２、Ｃ０３を含んでいる。コンデンサ部分
１１において、内部電極を構成する複数の導体層のう
ち、隣接する導体層間、例えば、導体層５１−５２間の
機能層の構成は、既に図７を参照して説明した通りであ
り、重複説明は省略する。

【００８０】インダクタ部分１２は、例えば、直線状や
蛇行状等の適当なパターンを持つ導体層５３１、５３２
を含んでいる。導体層５３１は図８のインダクタＬ０１
を構成し、導体層５３２は図８のインダクタＬ０２を構
成する。

【００８１】インダクタ部分１２は、図１０に拡大して
示すように、有機樹脂材料層２２と、無機機能材料層２
１とを含む機能層を有する。有機樹脂材料層２２及び無
機機能材料層２１のそれぞれは、各厚みＴ１、Ｔ２が５
μｍ以下の薄膜であって、互いに隣接する。有機樹脂材
料層２２及び無機機能材料層２１は、各複数層による交
互配置とし、無機機能材料層２１の上に導体層５３１
（または５３２）を配置してある。有機樹脂材料層２２
及び無機機能材料層２１の層数が任意であることは、既
に述べた通りである。

【００８２】インダクタ部分１２において、無機機能材
料層２１は磁性体材料または誘電体材料でなる。その詳
細については、既に述べたので、重複説明は省略する。

【００８３】上述したように、図示実施例のＬＣ複合部
品は、導体層５１−５２間の機能層を、有機樹脂材料層
２２と無機機能材料層２１とを隣接させて構成してある
ので、有機樹脂材料層２２が応力緩和層として働くこと
になる。このため、加工工程において、クラックや層間
剥離が生じにくく、機械的強度に優れたものとなる。

【００８４】しかも、無機機能材料層２１が存在するの
で、有機機能材料層を単独で用いた場合よりも、誘電
率、透磁率及びＱ値を向上させることができる。このた
め、高性能のＬＣ複合部品を得ることができる。誘電
率、透磁率及びＱ値を向上させるのに適した材料につい
ては、既に詳説した通りである。

【００８５】また、有機樹脂材料層２２及び無機機能材
料層２１のそれぞれが、互いに独立する層として存在す
るので、有機樹脂材料及び無機機能材料を混合したハイ
ブリッド機能層よりも、誘電率、透磁率、Ｑ値のばらつ
きが小さくなり、歩留が向上する。

【００８６】更に、有機樹脂材料層２２及び無機機能材
料層２１のそれぞれを、隣接させた機能層は、孔や凹部
を簡単に形成できる。このようにして形成された孔や凹
部に導電性ぺーストを塗布して、内部電極を構成する導
体層５３１、５３２と接続する端子電極６１、６２、６
３を形成することができる。

【００８７】しかも、有機樹脂材料層２２及び無機機能
材料層２１のそれぞれは、５μｍ以下の薄膜であるの
で、小型、低背化が可能である。無機機能材料層２１
は、スパッタ法、気相成長法（ＣＶＤ）等の薄膜技術に
よって形成することができる。導体層５３１、５３２
は、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法、溶
射法、イオンビーム法、ＣＶＤ法またはスピンコート法
等の各種の成膜技術によって形成することができる。

【００８８】４．本発明に係る電子部品を用いる移動体
通信機器ＲＦ部の一例 本発明に係る電子部品に、積層モジュールが含まれるこ
とは前述した通りである。図１１は本発明に係る積層モ
ジュールの用いられる移動体通信機器に含まれるＲＦ部
の一例を示すブロック図であり、ＧＳＭ／ＤＣＳデュア
ルバンド対応の構成を示している。回路自体は、周知の
ものである。移動体通信機器によっては、ＤＣＳバンド
の代わりに、ＰＣＳバンドを用いるものもあり、本発明
は、このような場合も含む。

【００８９】図１１に図示されたＲＦ部は、アンテナＡ
ＮＴと、フロントエンド部ＦＥと、送信部Ｔｘと、受信
部Ｒｘとを含む。更に、フェーズ．ロック．ループＰＬ
Ｌ、電圧制御発振器ＶＣＯ３、ミキサＭＩＸ３、フェー
ズ．デティクタＰＨＤ、ループフィルタ（Loop Filte
r）等を含んでいる。

【００９０】送信部Ｔｘは、送信部ＧＳＭ／Ｔｘと、送
信部ＤＣＳ／Ｔｘとに分かれている。送信部ＤＣＳ／Ｔ
ｘは、電圧制御発振器ＶＣＯ１、パワーアンプ部ＰＡ
１、カプラーＣＯＰ１、電力検出部ＡＰＣ１及びローパ
スフィルタＬＰＦ１等を備える。

【００９１】送信部ＧＳＭ／Ｔｘも同様に、電圧制御発
振器ＶＣＯ２、パワーアンプ部ＰＡ２、カプラーＣＯＰ
２、電力検出部ＡＰＣ２及びローパスフィルタＬＰＦ２
等を備える。

【００９２】受信部Ｒｘは、受信部ＧＳＭ／Ｒｘと、受
信部ＤＣＳ／Ｒｘとに分かれている。受信部ＤＣＳ／Ｒ
ｘは、弾性表面波素子（ＳＡＷ素子）等でなるバンドパ
スフィルタＢＰＦ１、バルーンＢＡＬ１、ローノイズア
ンプＬＮＡ１及びミキサＭＩＸ１等を備える。受信部Ｇ
ＳＭ／Ｒｘも同様に、弾性表面波素子（ＳＡＷ素子）等
でなるバンドパスフィルタＢＰＦ２、バルーンＢＡＬ
２、ローノイズアンプＬＮＡ２及びミキサＭＩＸ２等を
備える。

【００９３】フロントエンド部ＦＥは、ダイプレクサＤ
ＩＰ及び送受信切換器ＳＷ１、ＳＷ２を含んでいる。送
受信切換器ＳＷ１は、外部から供給される制御信号によ
って制御され、送信部ＤＣＳ／Ｔｘまたは受信部ＤＣＳ
／Ｒｘを、ダイプレクサＤＩＰに選択的に接続する。

【００９４】送受信切換器ＳＷ２も、外部から供給され
る制御信号によって制御され、送信部ＧＳＭ／Ｔｘまた
は受信部ＧＳＭ／ＲｘをダイプレクサＤＩＰに選択的に
接続する。

【００９５】したがって、送信部ＧＳＭ／Ｔｘ、受信部
ＧＳＭ／Ｒｘ、送信部ＤＣＳ／Ｔｘ及び受信部ＤＣＳ／
Ｒｘは、ダイプレクサＤＩＰを介して、アンテナＡＮＴ
に選択的に接続される。

【００９６】本発明は、図１１に示した移動体通信機器
ＲＦ部において、送信部ＧＳＭ／Ｔｘ、ＤＣＳ／Ｔｘに
含まれるパワーアンプ部ＰＡ１、ＰＡ２を積層モジュー
ル化したＰＡ積層モジュール、電圧制御発振器ＶＣＯ
１、ＶＣＯ２またはＶＣＯ３を積層モジュール化したＶ
ＣＯ積層モジュール、及び、フロントエンド部ＦＥを積
層モジュール化したＦＥ積層モジュールの具体例を開示
する。

【００９７】５．パワーアンプ部積層モジュール（ＰＡ
積層モジュール） 図１２は、図１１に図示された送信部ＤＣＳ／Ｔｘに含
まれるパワーアンプ部ＰＡ１の一例を示す回路図であ
る。図において、Ｖａｐｃ１端子は、出力制御用に設け
られた端子で、パワーアンプ部ＰＡ１の出力は、Ｖａｐ
ｃ１端子に印加される電圧レベルにより制御される。Ｖ
ａｐｃ１端子に印加される電圧は、図１において、カプ
ラＣＯＰ１を介して電力検出部ＡＰＣ１により検出され
た電力検出信号である。

【００９８】パワーアンプ部ＰＡ１は、半導体層素子の
３段構成でなるＭＭＩＣ(MicrowaveMonolithic IC)１
と、入力整合回路部ＩＭ１と、出力整合回路部ＯＭ１
と、バイアス回路部ＢＣ１とを含んでいる。

【００９９】ＭＭＩＣ１はＰｉｎ１端子から入力された
信号を増幅する役割を担い、入力整合回路部ＩＭ１は、
Ｐｉｎ１端子でのインピーダンス（５０Ω）をＭＭＩＣ
１の入力インピーダンスに整合させ、Ｐｉｎ１端子から
入力された信号をインピーダンス不整合による損失なく
ＭＭＩＣ１の入力へ伝送する役割を担う。

【０１００】出力整合回路部ＯＭ１は、ＭＭＩＣ１の出
力インピーダンスをＰｏｕｔ１端子で見たインピーダン
ス（５０Ω）に整合させ、ＭＭＩＣ１から出力された信
号をインピーダンス不整合による損失を生じることな
く、Ｐｏｕｔ１端子へ伝送させる役割を担い、バイアス
回路部ＢＣ１は、ＭＭＩＣ１に含まれる半導体を増幅素
子として動作させる役割を担う。

【０１０１】入力整合回路部ＩＭ１は、インダクタＬ１
とコンデンサＣ１がＬ型に接続された回路で構成され
る。更に、入力整合回路部ＩＭ１にはコンデンサＣ２が
備えられている。

【０１０２】出力整合回路部ＯＭ１では、初段がインダ
クタＬ２とコンデンサＣ３とのＬ型回路、２段目がイン
ダクタＬ３とコンデンサＣ４とのＬ型回路、３段目がイ
ンダクタＬ４とコンデンサＣ５とのＬ型回路である。出
力整合回路ＯＭ１の出力端にはコンデンサＣ６が接続さ
れている。

【０１０３】また、バイアス回路部ＢＣ１のインダクタ
Ｌ５〜Ｌ７は、ＭＭＩＣ１で増幅された信号をＶｃｃ端
子へ漏洩させないよう、理想的には、インピーダンスを
無限大にすることが求められる。このため、通常、（λ
／４）長パターンまたは（λ／４）長パターンに相当す
るインピーダンスを持つインダクタ素子により構成され
る。インダクタＬ５〜Ｌ７のそれぞれには、接地コンデ
ンサＣ８〜Ｃ１０が接続されている。

【０１０４】図１３は図１１に図示された送信部ＧＳＭ
／Ｔｘに含まれるパワーアンプ部ＰＡ２の具体的な回路
図を示している。図において、Ｖａｐｃ２端子は、出力
制御用に設けられた端子で、パワーアンプ部ＰＡ２の出
力は、Ｖａｐｃ２端子に印加される電圧レベルにより制
御される。また、Ｖａｐｃ２端子に印加される電圧は、
図１１において、カプラＣＯＰ２を介して電力検出部Ａ
ＰＣ２により検出された電力検出信号である。

【０１０５】パワーアンプ部ＰＡ２は、半導体層素子の
３段構成でなるＭＭＩＣ２と、入力整合回路部ＩＭ２
と、出力整合回路部ＯＭ２と、バイアス回路部ＢＣ２と
を含んでいる。

【０１０６】ＭＭＩＣ２はＰｉｎ２端子から入力された
信号を増幅する役割を担い、入力整合回路部ＩＭ２は、
Ｐｉｎ２端子でのインピーダンス（５０Ω）をＭＭＩＣ
２の入力インピーダンスに整合させ、Ｐｉｎ２端子から
入力された信号をインピーダンス不整合による損失なく
ＭＭＩＣ２の入力へ伝送する役割を担う。

【０１０７】出力整合回路部ＯＭ２は、ＭＭＩＣ２の出
力インピーダンスをＰｏｕｔ２端子で見たインピーダン
ス（５０Ω）に整合させ、ＭＭＩＣ２から出力された信
号をインピーダンス不整合による損失を生じさせること
なく、Ｐｏｕｔ２端子へ伝送させる役割を担い、バイア
ス回路部ＢＣ２は、ＭＭＩＣ２に含まれる半導体を増幅
素子として動作させる役割を担う。

【０１０８】入力整合回路部ＩＭ２は、インダクタＬ９
とコンデンサＣ１１がＬ型に接続された回路で構成され
る。更に、入力整合回路部ＩＭ２にはコンデンサＣ１２
が備えられている。

【０１０９】出力整合回路部ＯＭ２では、初段がインダ
クタＬ１０とコンデンサＣ１３とのＬ型回路、２段目が
インダクタＬ１１とコンデンサＣ１４とのＬ型回路、３
段目がインダクタＬ２とコンデンサＣ１５とのＬ型回路
である。出力整合回路ＯＭ２の出力端にはコンデンサＣ
１６が接続されている。

【０１１０】また、バイアス回路部ＢＣ２のインダクタ
Ｌ１３〜Ｌ１５は、ＭＭＩＣ２で増幅された信号を漏洩
させないよう、理想的には、インピーダンスを無限大に
することが求められる。このため、通常、（λ／４）長
パターンまたは（λ／４）長パターンに相当するインピ
ーダンスを持つインダクタ素子により構成される。イン
ダクタＬ１３〜Ｌ１５のそれぞれには、接地コンデンサ
Ｃ１８〜Ｃ２０が接続されている。

【０１１１】図１４は図１２及び図１３に示したパワー
アンプ部ＰＡ１、ＰＡ２を積層モジュール化したＰＡ積
層モジュールの分解斜視図、図１５は図１４に示したＰ
Ａ積層モジュールの完成状態における斜視図、図１６は
同じく内部の接続構造を概略的に示す断面図である。積
層基板１００における受動素子の配置については、特に
限定はない。図１４〜図１６は採用し得る一例を示すに
すぎない。参照符号９０はシールドである。

【０１１２】図示実施例は、ＧＳＭ／ＤＣＳデュアルバ
ンド対応のＰＡ積層モジュールを示している。ＧＳＭ側
では、周波数範囲が８８０〜９１５ＭＨｚで、出力電力
が、例えば、３５．０ｄＢｍであるのに対し、ＤＣＳ側
では周波数範囲が１７１０〜１７８５ＭＨｚで、出力電
力が、例えば、３２．０ｄＢｍであり、互いに異なる仕
様であるので、同一の積層基板１００において、ＧＳＭ
側及びＤＣＳ側で互いに独立し、ＧＳＭ用とＤＣＳ用の
２回路に分けて並列に配列される。

【０１１３】図示実施例のＰＡ積層モジュールは、積層
基板１００と、能動素子であるＭＭＩＣ１、ＭＭＩＣ２
と、受動素子と、電源端子（Ｖｃｃ１、Ｖｃｃ２）、信
号端子（Ｖａｐｃ１、Ｖａｐｃ２）、（Ｐｉｎ１、Ｐｉ
ｎ２）、（Ｐｏｕｔ１、Ｐｏｕｔ２）（図１２参照、以
下同様）と、接地用パターンＧＮＤと、貫通ビアホール
４０と、ブラインドビアホール３０と、インナービアホ
ール２０とを含む。

【０１１４】積層基板１００は、図１４に示すように、
９枚の機能層１０１〜１０９を含む。機能層１０１〜１
０９は順次に積層されている。機能層１０１〜１０９
は、有機樹脂材料層と、無機機能材料層とを含む。有機
樹脂材料層及び無機機能材料層のそれぞれは、各厚みが
５μｍ以下の薄膜であって、互いに隣接する。有機樹脂
材料層及び無機機能材料層は、任意複数層による交互配
置とする。層数は任意である。これらの点については、
既に述べた通りである。

【０１１５】能動素子であるＭＭＩＣ１、ＭＭＩＣ２
は、積層基板１００の表面側に位置する機能層１０１の
上に配置されている。ＭＭＩＣ１、ＭＭＩＣ２の電極
は、機能層１０１上に形成された導体パターンに接続さ
れる。接続手段としては、図の面実装手段の他、ワイヤ
ーボンディング等も採用できる。

【０１１６】電源端子（Ｖｃｃ１、Ｖｃｃ２）、信号端
子（Ｖａｐｃ１、Ｖａｐｃ２）、（Ｐｉｎ１、Ｐｉｎ
２）、（Ｐｏｕｔ１、Ｐｏｕｔ２）は、図６において、
積層基板１００の最下層である機能層１０９の裏面に形
成された導体パターン５０に接続される。

【０１１７】貫通ビアホール４０は、積層基板１００を
厚み方向に貫通し、一端が、積層基板１００の裏面にお
いて、電源端子（Ｖｃｃ１、Ｖｃｃ２）、信号端子（Ｖ
ａｐｃ１、Ｖａｐｃ２）、（Ｐｉｎ１、Ｐｉｎ２）、
（Ｐｏｕｔ１、Ｐｏｕｔ２）を構成する導体パターン５
０に接続され、または、接地用パターンＧＮＤに導通し
ている。

【０１１８】ブラインドビアホール３０は、積層基板１
００の表面または裏面に設けられた導体パターン５０
と、次層の導体パターン５０との間を接続する。インナ
ービアホール２０は、積層基板１００の内部に形成され
た導体パターン５０を接続する。ブラインドビアホール
３０は、一端が積層基板１００の内部で終端されてお
り、インナービアホール２０は両端が積層基板１００の
内部で終端されている。

【０１１９】上述したように、図示実施例に係るＰＡ積
層モジュールにおいて、積層基板１００は、複数の機能
層１０１〜１０９を積層して構成されている。機能層１
０１〜１０９の一部または全部は、有機樹脂材料層と、
無機機能材料層とを含む。有機樹脂材料層及び無機機能
材料層のそれぞれは、各厚みが５μｍ以下の薄膜であっ
て、互いに隣接する。有機樹脂材料層及び無機機能材料
層は、任意複数層による交互配置とする。このような機
能層１０１〜１０９は、フェライト等を用いた従来の積
層基板と異なって、加工工程において、クラックや層間
剥離が生じにくく、機械的強度に優れているので、製品
としての信頼性に優れている。また、層間の絶縁抵抗が
クラックによって劣化することがないので、コンデンサ
を形成するのに都合がよい。

【０１２０】しかも、有機樹脂材料層及び無機機能材料
層とを交互に配置した機能層１０１〜１０９は、パンチ
またはドリル等を用いて、貫通ビアホール４０、インナ
ービアホール２０、ブラインドビアホール３０及びサー
マルビアホール４１を簡単に形成できる。このようにし
て形成されたホール内に導電性ぺースト（Ａｇなど）を
充填して、層間において位置ズレを生じることなく、各
種ビアを確実に形成し得る。これにより、電気的接続導
体層及び放熱路を構成することができる。

【０１２１】更に、有機樹脂材料層及び無機機能材料層
とを交互に配置した機能層１０１〜１０９は、機能材料
の種類を選択することにより、所望の電気的及び磁気的
特性を持たせることができる。例えば、無機機能材料と
して、誘電体材料を用いた場合には、誘電体材料の材料
的選択により、誘電率の調整が容易となり、焼結セラミ
ック基板よりも低誘電率化も可能であるとともに、有機
樹脂材料基板よりも高いＱが得られ、高周波領域（１０
０ＭＨｚ以上、特に１００ＭＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の
領域）での使用に好適なものを実現できる。

【０１２２】また、機能材料として磁性体材料等を選択
使用することにより、優れた磁気特性を利用した用途や
磁気シールドを目的とした用途に、自由に対応できる。

【０１２３】更に、機能材料の選択によって、高周波帯
域で、比較的高いＱや誘電率εを得ることも可能であ
る。このような特性は、例えばストリップライン、イン
ピーダンス整合回路、遅延回路及びアンテナ回路等を構
成する場合に要求される。しかも、機械的強度に優れた
積層基板１００を実現することができる。

【０１２４】図示実施例に係るＰＡ積層モジュールで
は、電源端子（Ｖｃｃ１、Ｖｃｃ２）、信号端子（Ｖａ
ｐｃ１、Ｖａｐｃ２）、（Ｐｉｎ１、Ｐｉｎ２）、（Ｐ
ｏｕｔ１、Ｐｏｕｔ２）を構成する導体パターン５０及
び接地用パターンＧＮＤは、積層基板１００の裏面に設
けられている。したがって、ＭＭＩＣ１、ＭＭＩＣ２の
設けられている表面側とは反対側の裏面側を、マザーボ
ード等に面付けするＰＡ積層モジュールが得られる。

【０１２５】図示実施例のＰＡ積層モジュールにおい
て、貫通ビアホール４０は、積層基板１００を厚み方向
に貫通し、一端が、電源端子（Ｖｃｃ１、Ｖｃｃ２）、
信号端子（Ｖａｐｃ１、Ｖａｐｃ２）、（Ｐｉｎ１、Ｐ
ｉｎ２）、（Ｐｏｕｔ１、Ｐｏｕｔ２）を構成する導体
パターン５０または接地用パターンＧＮＤに導通する。
したがって、マザーボード等に面付けする際、裏面側に
おいて、外部回路と接続し、その電気回路を、貫通ビア
ホール４０を通して、積層基板１００の内部及び積層基
板１００の表面に導くことができる。

【０１２６】また、貫通ビアホール４０を用いて、積層
基板１００の表面に搭載されたＭＭＩＣ１、ＭＭＩＣ
２、及び、積層基板１００の内部に形成された受動素子
のための導体パターン５０を、電源端子（Ｖｃｃ１、Ｖ
ｃｃ２）、信号端子（Ｖａｐｃ１、Ｖａｐｃ２）、（Ｐ
ｉｎ１、Ｐｉｎ２）、（Ｐｏｕｔ１、Ｐｏｕｔ２）また
は接地用パターンＧＮＤと接続することができる。

【０１２７】本発明では、貫通ビアホール４０の他に、
ブラインドビアホール３０を含む。ブラインドビアホー
ル３０は、機能層１０１の表面または機能層１０９の裏
面に設けられた導体パターン５０と、次層の機能層１０
２または１０９に設けられた導体パターン５０との間を
接続する。したがって、ブラインドビアホール３０を用
いて、積層基板１００の内部に形成された導体パターン
５０を、裏面に導体パターン５０として設けられた信号
端子または接地用パターンＧＮＤと接続することができ
る。

【０１２８】図示実施例の積層基板１００は、更に、イ
ンナービアホール２０とを含む。インナービアホール２
０は積層基板１００の内部に形成された導体パターン５
０の間を接続するものであって、積層基板１００の裏面
には出ない。このため、貫通ビアホール４０及びブライ
ンドビアホール３０の適切な配置により、積層基板１０
０の裏面側における端子の形状や配置に自由度が増すと
ともに、接地用パターンＧＮＤの面積も確保できる。接
地用パターンが裏面の面積の８０％以上の面積を占有す
るＰＡ積層モジュールを実現することができる。

【０１２９】送信部ＧＳＭ／Ｔｘのパワーアンプ部ＰＡ
２では、機能層１０１の表面に、コンデンサＣ１２、Ｃ
１６〜Ｃ２０を、チップコンデンサ７０（図１４、図１
５参照）として搭載し、また、インダクタＬ９、Ｌ１
０、Ｌ１６を導体パターンとして形成する。コンデンサ
Ｃ１１を構成するコンデンサ電極等も形成されている。

【０１３０】他の受動素子は、積層基板１００の内部に
形成する。図１２及び図１３において、点線円で囲まれ
ていない受動素子が積層基板１００の内部及び表面に配
置される。Ｌ１、Ｌ２、Ｌ８、Ｌ９、Ｌ１０、Ｌ１６は
導体パターン５０である。

【０１３１】したがって、マザーボード等に面付けする
際、裏面側において、外部回路と接続し、その電気回路
を、貫通ビアホール４０及びブラインドビアホール３０
を通して、積層基板１００の内部及び積層基板１００の
表面に導くことができる。

【０１３２】また、貫通ビアホール４０及びブラインド
ビアホール３０を用いて、積層基板１００の表面に搭載
されたＭＭＩＣ１、ＭＭＩＣ２、及び、積層基板１００
の内部に形成された受動素子のための導体パターンを、
電源端子（Ｖｃｃ１、Ｖｃｃ２）、信号端子（Ｖａｐｃ
１、Ｖａｐｃ２）、（Ｐｉｎ１、Ｐｉｎ２）、（Ｐｏｕ
ｔ１、Ｐｏｕｔ２）または接地用パターンＧＮＤと接続
することができる。

【０１３３】インナービアホール２０は積層基板１００
の裏面には現れない。このため、裏面において、端子の
形状や配置に自由度が増すとともに、接地用パターンの
面積も確保できる。

【０１３４】本発明では、機能層１０１〜１０９は、有
機樹脂材料層及び無機機能材料層とを交互に配置した構
成でなる。有機樹脂材料層及び無機機能材料層を構成す
る有機樹脂材料及び無機機能材料については、既に詳説
したとおりであり、誘電率の調整が容易となり、焼結セ
ラミックでなる積層基板と比べて、低誘電率化が可能で
あるとともに、有機樹脂材料による積層基板と比較し
て、高いＱが得られ、高周波領域（１００ＭＨｚ以上、
特に１００ＭＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の領域）での使用
に好適である。

【０１３５】また、無機機能材料層が磁性材料でなる場
合は、優れた磁気特性を利用した用途や磁気シールドを
目的とした使用に適している。さらに、高周波帯域で、
比較的高いＱやμを得ることも可能である。

【０１３６】６．電圧制御発振器部積層モジュール（Ｖ
ＣＯ積層モジュール） 図１７はＶＣＯ（電圧制御発振器）の回路構成の一例を
示している。図示のＶＣＯは、例えば、図１１に示した
回路において、ＶＣＯ１〜ＶＣＯ３の少なくとも一つを
構成するために用いられる。図において、電源端子Ｖｃ
ｃ３に供給された動作電圧は、抵抗Ｒ３１〜Ｒ３３によ
って分圧され、発振回路６に供給される。電源端子Ｖｃ
ｃ３にはコンデンサＣ３７が接続されている。

【０１３７】信号端子Ｖｉｎ３に供給された電圧制御信
号は、インダクタＬ３１を介して、コンデンサＣ３２、
バリキャップダイオードＤ３１に供給される。インダク
タＬ３１の出力端にはコンデンサＣ３２が接続されてい
る。

【０１３８】バリキャップダイオードＤ３１の後段に
は、コンデンサＣ３３を介して、共振回路５が接続さ
れ、共振回路５の後段には発振回路６が接続されてい
る。共振回路５は、コンデンサＣ３４及びストリップラ
インＬ３２によって定まる共振周波数を持つ。

【０１３９】発振回路６は、トランジスタＴ３１、Ｔ３
２等を備える。発振回路６は、抵抗Ｒ３１〜Ｒ３３によ
って分圧された電圧によってバイアスされ、共振回路５
の回路定数、バリキャップダイオードＤ３１の有する容
量値、コンデンサＣ３３、Ｃ３５、Ｃ３６、Ｃ３９、及
び、インダクタＬ３３等を発振定数として発振動作を
し、コンデンサＣ４０を介して、信号端子Ｖｏｕｔ３か
ら発振信号を出力する。

【０１４０】図１８は図１７に示したようなＶＣＯ回路
をモジュール化したＶＣＯ積層モジュールの分解斜視
図、図１９は図１８に示したＶＣＯ積層モジュールの内
部構造を概略的に示す拡大断面図である。積層基板１０
０における受動素子の配置については、特に限定はな
い。図は採用し得る一例を示すにすぎない。

【０１４１】積層基板１００は、図１８、図１９に示す
ように、８枚の機能層１０１〜１０８を順次に積層して
構成されている。機能層１０１〜１０８は、有機樹脂材
料層及び無機機能材料層とを交互に配置した構成でな
る。

【０１４２】能動素子であるトランジスタＴ３１、Ｔ３
２、及び、バリキャップダイオードＤ３１、並びに、抵
抗Ｒ３１〜Ｒ３３は、積層基板１００の表面側に位置す
る機能層１０１の上に配置されている。他の回路要素
は、積層基板１００の内部に埋設される。

【０１４３】図１７に示された電源端子Ｖｃｃ３、信号
端子Ｖｉｎ３、信号端子Ｖｏｕｔ３は、図１８、図１９
において、積層基板１００の最下層である機能層１０８
の裏面に形成された導体パターン５０に接続される。ま
た、図１７の接地線は、接地用パターンＧＮＤに接続さ
れる。

【０１４４】貫通ビアホール４０は、積層基板１００を
厚み方向に貫通し、一端が、積層基板１００の裏面にお
いて、電源端子Ｖｃｃ３、信号端子Ｖｉｎ３、信号端子
Ｖｏｕｔ３を構成する導体パターン５０に接続されてい
る。

【０１４５】ブラインドビアホール３０は、積層基板１
００の表面または裏面に設けられた導体パターン５０
と、次層の導体パターン５０との間を接続する。インナ
ービアホール２０は、積層基板１００の内部に形成され
た導体パターン５０を接続する。ブラインドビアホール
３０は、一端が積層基板１００の内部で終端されてお
り、インナービアホール２０は両端が積層基板１００の
内部で終端されている。

【０１４６】ＶＣＯ積層モジュールにおいても、積層基
板１００を構成する機能層１０１〜１０８は、有機樹脂
材料層及び無機機能材料層とを交互に配置した構成であ
る。このような機能層１０１〜１０８は、加工工程にお
いて、クラックや層間剥離が生じにくく、機械的強度に
優れているので、製品としての信頼性に優れている。ま
た、層間の絶縁抵抗がクラックによって劣化することが
ないので、コンデンサを形成するのに都合がよい。

【０１４７】しかも、有機樹脂材料層及び無機機能材料
層とを交互に配置して構成した積層基板は、パンチまた
はドリル等を用いて、貫通ビアホール４０、インナービ
アホール２０、ブラインドビアホール３０及びサーマル
ビアホール４１を簡単に形成できる。このため、層間に
おいて位置ズレを生じることなく、各種ビアを確実に形
成し得る。

【０１４８】更に、有機樹脂材料層及び無機機能材料層
とを交互に配置した機能層は、無機機能材料の種類を選
択することにより、所望の電気的及び磁気的特性を持た
せることができる。例えば、無機機能材料として、誘電
体材料を用いた場合には、誘電体材料の材料的選択によ
り、誘電率の調整が容易となり、焼結セラミックによる
積層基板よりも低誘電率化が可能である。これらの材料
については、既に詳説したので、詳細は省略する。

【０１４９】ＶＣＯ積層モジュールでは、電源端子Ｖｃ
ｃ３、信号端子Ｖｉｎ３、信号端子Ｖｏｕｔ３を構成す
る導体パターン５０及び接地用パターンＧＮＤは、積層
基板１００の裏面に設けられている。したがって、積層
基板１００の裏面側を、マザーボード等に面付けするこ
とができる。

【０１５０】図示実施例のＶＣＯ積層モジュールにおい
て、貫通ビアホール４０は、積層基板１００を厚み方向
に貫通し、一端が、電源端子Ｖｃｃ３、信号端子Ｖｉｎ
３、信号端子Ｖｏｕｔ３を構成する導体パターン５０に
導通する。したがって、マザーボード等に面付けする
際、裏面側において、外部回路と接続し、その電気回路
を、貫通ビアホール４０を通して、積層基板１００の内
部及び積層基板１００の表面に導くことができる。

【０１５１】また、貫通ビアホール４０を用いて、積層
基板１００の表面に搭載された部品、及び、積層基板１
００の内部に形成された受動素子のための導体パターン
５０を、電源端子Ｖｃｃ３、信号端子Ｖｉｎ３、信号端
子Ｖｏｕｔ３と接続することができる。

【０１５２】本実施例では、貫通ビアホール４０の他
に、ブラインドビアホール３０と、インナービアホール
２０とを含む。ブラインドビアホール３０は、機能層１
０１の表面または機能層１０９の裏面に設けられた導体
パターン５０と、次層の機能層１０２または１０９に設
けられた導体パターン５０との間を接続する。インナー
ビアホール２０は積層基板１００の内部に形成された導
体パターン５０を接続する。

【０１５３】貫通ビアホール４０は、ブラインドビアホ
ール３０とともに、電源端子Ｖｃｃ３、信号端子Ｖｉｎ
３、信号端子Ｖｏｕｔ３または接地用パターンＧＮＤの
ために用いられる。内部の導体パターン間の接続に用い
られるインナービアホール２０は積層基板１００の裏面
には出ない。このため、貫通ビアホール４０、ブライン
ドビアホール３０及びインナービアホール２０の適切な
組み合わせにより、積層基板１００の裏面側における端
子の形状や配置に自由度をもたせるとともに、接地用パ
ターンの面積も確保できる。

【０１５４】７．フロントエンド部積層モジュール（Ｆ
Ｅ積層モジュール） 図２０は本発明に係るＦＥ積層モジュールの回路構成の
一例を示している。図示のＦＥ積層モジュールは、例え
ば、図１１に示した回路において、フロントエンド部Ｆ
Ｅに、送信部ＴｘのローパスフィルタＬＰＦ１、ＬＰＦ
２を組合わせた回路構成を有する。

【０１５５】図２０に図示されたＦＥ積層モジュールの
回路において、ローパスフィルタＬＰＦ１はインダクタ
Ｌ４１と、コンデンサＣ４１〜Ｃ４３とを含んでいる。
ローパスフィルタＬＰＦ２はインダクタＬ５１と、コン
デンサＣ５１〜Ｃ５３とを含んでいる。

【０１５６】送受信切換器ＳＷ１は、ＤＣＳ／Ｒｘ側が
ダイオードＤ６１と、抵抗Ｒ６１と、コンデンサＣ６１
と、インダクタＬ６１とを含み、抵抗Ｒ６１の一端が切
替信号端子ＶＣ３に接続されている。また、ＤＣＳ／Ｔ
ｘ側は、ダイオードＤ６２と、コンデンサＣ６２と、イ
ンダクタＬ６２と、インダクタＬ６３とを含み、コンデ
ンサＣ６２及びインダクタＬ６３の接続点が切替信号端
子ＶＣ４に接続されている。

【０１５７】送受信切換器ＳＷ２は、ＧＳＭ／Ｒｘ側
が、ダイオードＤ７１と、抵抗Ｒ７１と、コンデンサＣ
７１と、インダクタＬ７１とを含み、抵抗Ｒ７１の一端
が切替信号端子ＶＣ１に接続されている。また、ＧＳＭ
／Ｔｘ側は、ダイオードＤ７２と、コンデンサＣ７２
と、インダクタＬ７２と、インダクタＬ７３とを含み、
コンデンサＣ７２及びインダクタＬ７３の接続点が切替
信号端子ＶＣ２に接続されている。

【０１５８】ダイプレクサＤＩＰは、ＤＣＳ側がコンデ
ンサＣ８１、Ｃ８２、Ｃ８３と、インダクタＬ８１とを
含み、ＧＳＭ側がコンデンサＣ８４、Ｃ８５と、インダ
クタＬ８２とを含んでいる。

【０１５９】アンテナＡＮＴはＦＥ積層モジュールの外
部にあって、ＤＣＳ側のコンデンサＣ８２と、ＧＳＭ側
のコンデンサＣ８５及びインダクタＬ８２の並列回路と
の接続点に接続されている。

【０１６０】図２０の回路図は一例であって、本発明に
係るＦＥ積層モジュールが図２０の回路に限定されるも
のでないことは論をまたない。

【０１６１】図２１は図２０に示したようなフロントエ
ンド回路をモジュール化したＦＥ積層モジュールの完成
状態を示す斜視図、図２２は図２１に示したＦＥ積層モ
ジュールの分解斜視図、図２３は図２２に示したＦＥ積
層モジュールの内部構造を概略的に示す拡大断面図であ
る。積層基板１００における受動素子の配置について
は、特に限定はない。図は採用し得る一例を示すにすぎ
ない。

【０１６２】積層基板１００は、図２２、図２３に示す
ように、１３枚の機能層１０１〜１１３を順次に積層し
て構成されている。機能層１０１〜１１３は、有機樹脂
材料層及び無機機能材料層とを交互に配置した構成でな
る。

【０１６３】図２０のダイオードＤ６１、Ｄ６２、Ｄ７
１、Ｄ７２、及び、抵抗Ｒ６１、Ｒ７１は、積層基板１
００の表面側に位置する機能層１０１の上に配置されて
いる。他の回路要素は、積層基板１００の内部に埋設さ
れる。

【０１６４】図２０に示された信号端子ＳＴ１〜ＳＴ４
及び切替信号端子ＶＣ１〜ＶＣ４は、図２１、図２２に
おいて、積層基板１００の最下層である機能層１１３の
裏面に形成された導体パターン５０に接続される。ま
た、図２０の接地線は接地用パターンＧＮＤに接続され
る。

【０１６５】貫通ビアホール４０は、積層基板１００を
厚み方向に貫通し、一端が、積層基板１００の裏面にお
いて、導体パターン５０に接続されている。

【０１６６】ブラインドビアホール３０は、積層基板１
００の表面または裏面に設けられた導体パターン５０
と、次層の導体パターン５０との間を接続する。ブライ
ンドビアホール３０を接続した導体パターン５０は、信
号端子ＳＴ１〜ＳＴ４及び切替信号端子ＶＣ１〜ＶＣ４
のうち、貫通ビアホール４０の導体パターン５０に接続
されなかった残りを接続するために用いられる。

【０１６７】インナービアホール２０は、積層基板１０
０の内部に形成された導体パターン５０を接続する。ブ
ラインドビアホール３０は、一端が積層基板１００の内
部で終端されており、インナービアホール２０は両端が
積層基板１００の内部で終端されている。

【０１６８】ＦＥ積層モジュールにおいても、積層基板
１００を構成する機能層１０１〜１１３は、有機樹脂材
料層及び無機機能材料層とを交互に配置した構成よりな
る。このような機能層１０１〜１１３は、加工工程にお
いて、クラックや層間剥離が生じにくく、機械的強度に
優れているので、製品としての信頼性に優れている。ま
た、層間の絶縁抵抗がクラックによって劣化することが
ないので、コンデンサを形成するのに都合がよい。

【０１６９】しかも、有機樹脂材料層及び無機機能材料
層とを交互に配置して構成した積層基板１００は、パン
チまたはドリル等を用いて、貫通ビアホール４０、イン
ナービアホール２０及びブラインドビアホール３０を簡
単に形成できる。このため、層間において位置ズレを生
じることなく、各種ビアを確実に形成し得る。

【０１７０】更に、有機樹脂材料層及び無機機能材料層
とを交互に配置した機能層は、無機機能材料の種類を選
択することにより、所望の電気的及び磁気的特性を持た
せることができる。例えば、無機機能材料として、誘電
体材料を用いた場合には、誘電体材料の材料的選択によ
り、誘電率の調整が容易となり、低誘電率化も可能であ
る。これらの材料については、既に詳説したので、詳細
は省略する。

【０１７１】ＦＥ積層モジュールでは、信号端子ＳＴ１
〜ＳＴ４及び切替信号端子ＶＣ１〜ＶＣ４及び接地用パ
ターンＧＮＤは、積層基板１００の裏面に設けられてい
る。したがって、積層基板１００の裏面側を、マザーボ
ード等に面付けすることができる。

【０１７２】図示実施例のＦＥ積層モジュールにおい
て、貫通ビアホール４０は、積層基板１００を厚み方向
に貫通し、一端が、信号端子ＶＣ１〜ＶＣ４、ＳＴ１〜
ＳＴ４の何れかに接続される。また、接地用パターンＧ
ＮＤの何れかに導通する。したがって、マザーボード等
に面付けする際、裏面側において、外部回路と接続し、
その電気回路を、貫通ビアホール４０を通して、積層基
板１００の内部及び積層基板１００の表面に導くことが
できる。

【０１７３】また、ブラインドビアホール３０を用い
て、受動素子のための導体パターン５０を、信号端子Ｓ
Ｔ１〜ＳＴ４または切替信号端子ＶＣ１〜ＶＣ４と接続
することができる。

【０１７４】インナービアホール２０は積層基板１００
の内部に形成された導体パターン５０の間を接続する。
これらの内部接続に当たっては、貫通ビアホール４０は
用いない。このため、積層基板１００の裏面側における
端子配置の形状や配置に自由度が増すとともに、接地用
パターンの面積も確保できる。

【０１７５】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、小
型、かつ、高性能で、しかも電気的特性の優れた積層モ
ジュールを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る電子部品の一部を示す断面図であ
る。

【図２】本発明に係る電子部品の別の実施例を示す断面
図である。

【図３】本発明に係る電子部品の別の実施例を示す断面
図である。

【図４】本発明に係るコンデンサの斜視図である。

【図５】図４の５−５線に沿った断面図である。

【図６】図４及び図５に示したコンデンサの内部電極構
造を示す斜視図である。

【図７】図５のＡ７部の拡大図である。

【図８】ＬＣフィルタ回路の電気回路図である。

【図９】図８に示したＬＣフィルタ回路を内蔵するＬＣ
複合部品の断面図である。

【図１０】図９のＡ１０部の拡大断面図である。

【図１１】本発明に係る積層モジュールの用いられる移
動体通信機器に含まれるＲＦ部の一例を示すブロック図
である。

【図１２】図１１に図示された送信部ＤＣＳ／Ｔｘに含
まれるパワーアンプ部ＰＡ１の回路図の一例を示してい
る。

【図１３】図１１に図示された送信部ＧＳＭ／Ｔｘに含
まれるパワーアンプ部ＰＡ２の一例を示す回路図であ
る。

【図１４】図１２及び図１３に示したパワーアンプ部Ｐ
Ａ１、ＰＡ２を積層モジュール化したＰＡ積層モジュー
ルの分解斜視図である。

【図１５】図１４に示したＰＡ積層モジュールの完成状
態における斜視図である。

【図１６】図１４に示したＰＡ積層モジュールの内部の
接続構造を概略的に示す断面図である。

【図１７】ＶＣＯ（電圧制御発振器）の回路構成の一例
を示す電気回路図である。

【図１８】図１７に示したようなＶＣＯ回路をモジュー
ル化したＶＣＯ積層モジュールの分解斜視図である。

【図１９】図１８に示したＶＣＯ積層モジュールの内部
構造を概略的に示す拡大断面図である。

【図２０】本発明に係るＦＥ積層モジュールの回路構成
の一例を示している。

【図２１】図２０に示したようなフロントエンド回路を
モジュール化したＦＥ積層モジュールの完成状態を示す
斜視図である。

【図２２】図２１に示したＦＥ積層モジュールの分解斜
視図である。

【図２３】図２２に示したＦＥ積層モジュールの内部構
造を概略的に示す拡大断面図である。

【符号の説明】

２１ 無機機能材料層 ２２ 有機樹脂材料層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０３Ｈ 7/075 Ｈ０４Ｂ 1/40 Ｈ０４Ｂ 1/40 Ｈ０１Ｇ 4/40 ３２１Ａ Ｆターム(参考） 5E070 AA05 AB01 CB13 5E082 AA01 BB07 DD07 EE05 EE23 FF05 FF15 FG26 FG34 PP09 5J024 AA01 BA11 DA05 DA25 5J081 AA03 BB01 CC36 CC42 DD03 EE02 EE03 EE09 EE18 GG05 JJ12 JJ18 KK02 KK09 KK22 LL01 LL02 MM01 MM07 MM08 5K011 DA02 DA27 JA01 KA18

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 機能層と、導体層とを含む電子部品であ
   って、 前記機能層は、有機樹脂材料層と、無機機能材料層とを
   含み、 前記有機樹脂材料層及び前記無機機能材料層のそれぞれ
   は、５μｍ以下の薄膜であって、互いに隣接しており、 前記導体層は、前記有機樹脂材料層または前記無機機能
   材料層の少なくとも一方に隣接している電子部品。
2. 【請求項２】 請求項１に記載された電子部品であっ
   て、前記無機機能材料層は、誘電体層または磁性体層の
   何れかである電子部品。
3. 【請求項３】 請求項１または２の何れかに記載された
   電子部品であって、前記有機樹脂材料層及び前記無機機
   能材料層は、交互に配置されている電子部品。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３の何れかに記載された電
   子部品であって、前記導体層は、少なくとも１組の前記
   有機樹脂材料層及び前記無機機能材料層を間に挟んで、
   その両側に配置されている電子部品。
5. 【請求項５】 請求項１乃至３の何れかに記載された電
   子部品であって、前記導体層は、前記有機樹脂材料層及
   び前記無機機能材料層の間に配置されている電子部品。
6. 【請求項６】 請求項１乃至５の何れかに記載された電
   子部品であって、前記導体層は、パターン化されている
   電子部品。
7. 【請求項７】 請求項１乃至６の何れかに記載された電
   子部品であって、コンデンサである電子部品。
8. 【請求項８】 請求項１乃至６の何れかに記載された電
   子部品であって、インダクタである電子部品。
9. 【請求項９】 請求項１乃至６の何れかに記載された電
   子部品であって、コンデンサ及びインダクタを含む電子
   部品。
10. 【請求項１０】 請求項１乃至９の何れかに記載された
    電子部品であって、前記機能層及び前記導体層の組み合
    わせは、積層基板を構成する電子部品。
11. 【請求項１１】 請求項１０に記載された電子部品であ
    って、更に、能動素子を含んでおり、前記能動素子は前
    記積層基板に搭載されている電子部品。
12. 【請求項１２】 請求項１乃至１１の何れかに記載され
    た電子部品を製造する方法であって、 前記有機樹脂材料層及び前記無機機能材料層のそれぞれ
    を、薄膜形成方法により形成し、 更に、前記有機樹脂材料層または前記無機機能材料層の
    上に、前記導体層膜を、薄膜形成方法によって形成する
    工程を含む電子部品の製造方法。