JP5540855B2 - 超音波センサー - Google Patents

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Description

本発明は、超音波センサーに関する。
従来、超音波を送受信する超音波トランスデューサーをマトリックス状に配置した二次元アレイ構造の超音波内視鏡が知られている(例えば、特許文献1参照)。
具体的に、特許文献1に記載の超音波トランスデューサーは、圧電素子を個別電極及び共通電極で挟んで構成されている。そして、この超音波トランスデューサーは、円周方向及び幅方向に沿って、半円周状にそれぞれ並べられて、配置されている。
特許文献1では、超音波トランスデューサーを円周方向に15行、幅方向に5列配置するアレイを、円周方向に沿って12組配置している。この構成において、各超音波トランスデューサーの各個別電極から列毎に円周方向に沿って、電極線である信号配線が引き出される。この各個別電極から引き出される信号配線は、全て、円周方向に沿う一方向に向かって延びている。
特開2006−61252号公報
特許文献1に記載の超音波トランスデューサーにおいて、各個別電極から引き出される信号配線は、全て、円周方向に沿う一方向に向かって延びているので、各列間には、15本の信号配線が配置されることとなる。
例えば、15行以上に数多くの超音波トランスデューサーを配置した場合には、配置した超音波トランスデューサーの数だけ信号配線が各列間に引き出されることとなる。ところで、各列間のスペースには制約があり、数多くの超音波トランスデューサーを配置した場合には、各列間のスペースにおいて、信号配線が複雑化するという問題がある。
本発明は、超音波トランスデューサー間に電極から引き出される電極線の本数を少なくできる超音波センサーを提供することを目的とする。
本発明の超音波センサーは、センサー基板上に、超音波トランスデューサーが前記センサー基板に対して互いに直交する二方向に沿って配置された超音波センサーであって、前記センサー基板は、当該センサー基板を厚み方向に沿って見た平面視において、少なくとも互いに交差する2つの分割仮想線により分割される複数の領域を備え、前記各領域内において、前記各超音波トランスデューサーの一対の電極のうち、一方の電極から引き出される各第1電極線が、前記分割仮想線の交差点から離れる第一方向に延びていることを特徴とする。
本発明によれば、センサー基板は、少なくとも互いに交差する2つの分割仮想線により分割された複数の領域を備える。そして、各領域内において、超音波トランスデューサーの一対の電極のうち、一方の電極から引き出される各第1電極線は、分割仮想線の交差点から離れる第一方向に延びている。
これによれば、各領域内において、各第1電極線は、交差点から離れる第一方向に延びているので、分割仮想線を跨いで他の領域に向けて引き出されることがない。すなわち、分割仮想線により、センサー基板を複数の領域に分割して、各領域内において、第1電極線が各領域間を跨がないように、一方の電極から引き出されている。従って、従来のように、センサー基板を分割することなく、第1電極線を同じ方向のみに引き出す場合と比べて、各領域内において、超音波トランスデューサー間に引き出される第1電極線の本数を少なくできる。
本発明では、前記センサー基板は、前記超音波トランスデューサーの前記二方向の並び方向に対してそれぞれ平行となるX軸及びY軸により分割される4つの領域を備え、前記各領域内において、前記各第1電極線は、前記X軸または前記Y軸のうち、いずれか一方に沿って延びていることが好ましい。
ここで、4つ以上の領域で分割した場合には、各領域内において、超音波トランスデューサー間に引き出される第1電極線の本数をさらに少なくできる。しかし、例えば、正方形状のセンサー基板を用いて、3×3に9分割した場合には、中央部分に形成される領域において、第1電極線は分割仮想線を跨いで、他の領域に引き出さざるを得ない状況となる。この場合には、中央部分の領域から第1電極線が分割仮想線を跨いで別の領域に引き出されるため、各領域内において、超音波トランスデューサー間に引き出される第1電極線の本数は、分割する領域数を多くしても少なくできない。
本発明によれば、センサー基板を互いに直交するX軸及びY軸によって、4つの領域に分割している。これによれば、4分割することで、上述したような例えば、9分割の構成において、中央部分に形成される領域が生じることなく、各領域内において、超音波トランスデューサー間に引き出される第1電極線の本数を確実に少なくでき、分割する領域数を多くした場合での第1電極線の引き出し方向の煩雑化を防止できる。
また、本発明によれば、例えば、X軸に沿って、Y軸を挟んだ2つの領域において、第1電極線がY軸を跨いで同方向に引き出されることがない。同様に、Y軸に沿って、X軸を挟んだ2つの領域において、第1電極線がX軸を跨いで同方向に引き出されることがない。すなわち、一方の電極から引き出される各第1電極線が、それぞれX軸及びY軸を跨いで他の領域に引き出されることがなく、各領域内において、超音波トランスデューサー間に引き出される第1電極線の本数を少なくできる。
本発明では、前記X軸及び前記Y軸は、前記平面視において、前記センサー基板の基板略中心点を通ることが好ましい。
ここで、「基板略中心点」とは、超音波トランスデューサーを偶数分、二方向に配置した場合には、基板中心点となり、超音波トランスデューサーを奇数分、二方向に配置した場合には、基板中心点からずれた位置でX軸及びY軸は交差する点となり、この両者を含むものである。
本発明によれば、X軸及びY軸がセンサー基板の基板略中心点を通るので、センサー基板を略均等に4つの領域に分割できる。これによれば、領域毎での超音波トランスデューサー間における第1電極線の本数の偏りを抑制でき、本数を略均等にできる。従って、各領域の大きさが大きく異なる場合には、領域毎に超音波トランスデューサー間のスペースの広さをそれぞれ変更する必要があるが、各領域で本数を略均等にできるので、超音波トランスデューサーをセンサー基板に配置する製造工程を簡素化できる。
本発明では、前記複数の分割仮想線のうち、少なくともいずれか一方に沿う共通電極線を備え、前記各領域内において、前記一対の電極のうち、他方の電極に互いに接続される第2電極線は、前記第1電極線に対して平行に配置され、かつ前記共通電極線に接続されることが好ましい。
ところで、上述した従来の構成では、各超音波トランスデューサーの各共通電極から引き出された配線を行毎に設けた共通電極線にそれぞれ接続している。すなわち、行毎に共通電極線を設ける必要があり、共通電極線の本数が多くなり、構造が複雑化する。
本発明によれば、共通電極線には、第1電極線に対して平行に配置される第2電極線がそれぞれ接続され、この共通電極線は、複数の分割仮想線の少なくともいずれか一方に沿って配置されているのみである。従って、共通電極線の本数を従来の構成に比べて大幅に減らすことができ、構成を簡素化できる。
また、第1電極線は、分割仮想線の交差点から離れる第一方向に延び、共通電極線は、複数の分割仮想線のうち、少なくともいずれか一方に沿うので、第1電極線と共通電極線との接触を防止できる。
本発明では、前記第2電極線は、前記各超音波トランスデューサーから前記第一方向に直線状に延び、前記第一方向に沿って配設される前記各超音波トランスデューサーを互いに接続し、前記第1電極線は、前記各超音波トランスデューサー間において、前記各超音波トランスデューサーから前記第一方向に直交する方向に引き出される引出部と、前記引出部の先端から前記第2電極線に対して平行に延びる配線部とを備えることが好ましい。
本発明によれば、第1電極線の引出部は、各超音波トランスデューサー間において、第一方向と直交する方向に引き出され、配線部は、引出部の先端から第2電極線に対して平行に延びている。また、第2電極線は、第一方向に直線状に延びている。これによれば、配線部は、引出部によって、第2電極線とは離れた位置で平行に延びているので、第2電極線と交差することがない。従って、第1電極線と第2電極線とが接触することによる一対の電極のショートを確実に防止できる。
本発明では、前記第1電極線の前記引出部の引き出し方向は、前記複数の分割仮想線のうちいずれか一方から離間する方向であることが好ましい。
ここで、第1電極線の引出部の引き出し方向によっては、引出部が分割仮想線に沿って配置された共通電極線と交差するおそれがある。
本発明によれば、第1電極線の引出部は、複数の分割仮想線のうちいずれか一方から離間する方向に引き出されるので、共通電極線が分割仮想線に沿って配置された場合でも、引出部と共通電極線とが交差することをより確実に防止できる。
本発明の第1実施形態に係る超音波センサーの概略構成を示す平面図。 前記第1実施形態に係る超音波トランスデューサーを示す平面図及び断面図。 前記第1実施形態に係る超音波トランスデューサーの配線構造を拡大して示す平面図。 本発明の第2実施形態に係る超音波トランスデューサーの配線構造を拡大して示す平面図。 前記第2実施形態の第1変形例に係る超音波トランスデューサーの配線構造を拡大して示す平面図。 前記第2実施形態の第2変形例に係る超音波トランスデューサーの配線構造を拡大して示す平面図。 超音波トランスデューサーの配線構造の変形例を示す平面図。
[第1実施形態]
以下、本発明に係る第1実施形態を図面に基づいて説明する。
[超音波センサーの概略構成]
図1は、本実施形態に係る超音波センサー10の概略構成を示す平面図である。
超音波センサー10は、センサー基板20上に実装される複数の超音波トランスデューサー30を備える。この超音波センサー10は、図1に示すように、センサー基板20上に複数の超音波トランスデューサー30を水平方向(X軸L1)及び垂直方向(Y軸L2)に沿って均等間隔に配置されたマトリクス状の二次元アレイ構造に構成されている。
センサー基板20は、略矩形状に形成され、例えばシリコン(Si)などの半導体形成素材により形成される。このセンサー基板20は、当該基板20の厚み方向に見る平面視において、基板中心点O(交差点、基板略中心点)を通り、互いに直交するX軸L1(分割仮想線)及びY軸L2(分割仮想線)により分割される4つの領域(第1領域Ar1、第2領域Ar2、第3領域Ar3、及び第4領域Ar4)を有する。
[超音波トランスデューサーの構成]
ここで、超音波トランスデューサー30の概略構成について説明する。図2は、本実施形態の超音波トランスデューサー30の概略構成を示す平面図、および断面図である。
超音波トランスデューサー30は、図示しない制御部からの信号に基づいて超音波を送信する素子であり、また、被検出体等で反射された超音波を受信して電気信号に変換し、制御部に出力する素子である。
超音波トランスデューサー30は、図2に示すように、開口部31Aが形成された支持部31と、支持部31上を覆い、開口部31Aを閉塞する支持膜32と、支持膜32上に形成される圧電体33とを備えている。
支持部31は、センサー基板20の超音波トランスデューサー30の配置位置に形成される部分である。また、支持部31に形成される開口部31Aは、例えば、平面視で円形状に形成されている。これにより、開口部31Aの内側の支持膜32であるダイアフラム321において、ダイアフラム321の撓みに対する応力を均一にすることができる。
支持膜32は、支持部31上で、開口部31Aを閉塞する状態に成膜されている。この支持膜32は、例えばSiO層32AとZrO層32Bとの2層構造により構成されている。ここで、SiO層32Aは、支持部31がSi基板である場合、基板表面を熱酸化処理することで成膜することができる。また、ZrO層32Bは、SiO層32A上に例えばスパッタリングなどの手法により成膜される。ここで、ZrO層32Bは、圧電膜332として例えばPZTを用いる場合に、PZTを構成するPbがSiO層32Bに拡散することを防止するための層である。また、ZrO層32Bは、圧電体33の歪みに対する撓み効率が向上させるなどの効果もある。
圧電体33は、支持膜32の上層に積層される下部電極331(一方の電極)と、下部電極331上に形成される圧電膜332と、圧電膜332上に形成される上部電極333(他方の電極)とを備えている。
また、下部電極331には、図1及び図2に示すように支持膜32上のY軸方向に沿って下部電極線334(第1電極線)が引き出されている。また、上部電極333には、支持膜32上のX軸方向に沿って上部電極線335(第2電極線)が引き出されている。
圧電膜332は、例えばPZT(ジルコン酸チタン酸鉛:lead zirconate titanate)を膜状に成膜することで形成される。なお、本実施形態では、圧電膜332としてPZTを用いるが、電圧を印加することで、面内方向に収縮することが可能な素材であれば、いかなる素材を用いてもよく、例えばチタン酸鉛(PbTiO)、ジルコン酸鉛(PbZrO)、チタン酸鉛ランタン((Pb、La)TiO)などを用いてもよい。
このような超音波トランスデューサー30では、下部電極331と、上部電極333とに電圧を印加することで、圧電膜332が面内方向に伸縮する。このとき、圧電膜332の一方の面は、下部電極331を介して支持膜32に接合されるが、他方の面には、上部電極333が形成されるものの、この上部電極333上には他の層が積層形成されないため、圧電膜332の支持膜32側が伸縮しにくく、上部電極333側が伸縮し易くなる。このため、圧電膜332に電圧を印加すると、開口部31A側に凸となる撓みが生じ、ダイアフラム321を撓ませる。したがって、圧電膜332に交流電圧を印加することで、ダイアフラム321が膜厚方向に対して振動し、このダイアフラム321の振動により超音波が出力される。
また、超音波トランスデューサー30は、被検出体により反射された超音波をダイアフラム321で受信することでダイアフラム321が膜厚方向に振動する。超音波トランスデューサー30では、このダイアフラム321の振動により、圧電膜332の下部電極331側の面と上部電極333側の面とで電位差が発生し、上部電極333および下部電極331から圧電膜332の変位量に応じた電気信号(電流)が出力される。
[超音波トランスデューサーの配置構成]
図3は、図1に示す超音波センサー10の一部を拡大して、超音波トランスデューサー30の配線構造を示す平面図である。
第1領域Ar1において、各超音波トランスデューサー30の下部電極331から引き出される下部電極線334は、下部電極331からY軸L2に沿って+Y軸方向側(第一方向に直交する方向)に延びる引出部3341と、引出部3341の先端からX軸L1に沿って−X軸方向側(第一方向)に延びる配線部3342とを備える。
第2領域Ar2において、下部電極線334は、Y軸L2に沿って+Y軸方向側(第一方向に直交する方向)に延びる引出部3341と、引出部3341の先端からX軸L1に沿って+X軸方向側(第一方向)に延びる配線部3342とを備える。
なお、第1領域Ar1及び第2領域Ar2において、下部電極線334の引出部3341は、それぞれX軸L1から離間する方向に引き出されていたが、本実施形態のように、後述する共通電極線336がX軸L1に沿って形成されていない場合には、引出部3341をX軸L1に向けて引き出してもよい。
第3領域Ar3において、下部電極線334は、Y軸L2に沿って−Y軸方向側(第一方向に直交する方向)に延びる引出部3341と、引出部3341の先端からX軸L1に沿って−X軸方向側(第一方向)に延びる配線部3342とを備える。
第4領域Ar4において、下部電極線334は、Y軸L2に沿って−Y軸方向側(第一方向に直交する方向)に延びる引出部3341と、引出部3341の先端からX軸L1に沿って+X軸方向側(第一方向)に延びる配線部3342とを備える。
また、上部電極線335は、各超音波トランスデューサー30の上部電極333を互いに接続し、X軸L1に沿う方向である配線部3342に沿う方向(第一方向)に直線状に延びている。そして、各上部電極線335は、第1、第3領域Ar1,Ar3と、第2、第4領域Ar2,Ar4との間にY軸L2に沿って配置される共通電極線336に接続される。なお、共通電極線336は、図3において、Y軸L2の近傍に沿って配置したが、Y軸L2上に配置してもよい。
上述した第1実施形態における超音波センサー10によれば、以下の効果を奏する。
(1)超音波トランスデューサー30を基板20上に、二次元アレイ状に配置した場合において、基板20に対する平面視において、互いに直交するX軸L1及びY軸L2によって、基板20を4つの領域Ar1〜Ar4に分割している。そして、各領域Ar1〜Ar4内において、超音波トランスデューサー30の下部電極331から引き出される各下部電極線334は、基板中心点Oから離れる方向へ延びている。
すなわち、X軸に沿って、Y軸を挟んだ2つの領域Ar1,Ar2またはAr3,Ar4において、下部電極線334がY軸を跨いで同方向に引き出されることがない。これによれば、X軸L1及びY軸L2により、センサー基板20を領域Ar1〜Ar4に分割して、各領域Ar1〜Ar4内で下部電極線334を引き出しているので、各領域Ar1〜Ar4内において、超音波トランスデューサー30間に引き出される下部電極線334の本数を少なくできる。
(2)センサー基板20は、互いに直交するX軸L1及びY軸L2によって、4つの領域に分割されている。4分割することで、上述したような9分割の構成において、中央部分に形成される領域が生じることなく、各領域Ar1〜Ar4内において、超音波トランスデューサー30間に引き出される下部電極線334の本数を確実に少なくでき、分割数を多くした場合での下部電極線334の引き出し方向の煩雑化を防止できる。
(3)X軸L1及びY軸L2がセンサー基板20の基板中心点Oを通るので、センサー基板20を均等に4つの領域Ar1〜Ar4に分割できる。これによれば、領域Ar1〜Ar4毎での超音波トランスデューサー30間における下部電極線334の本数の偏りを防止でき、本数を均等にできる。従って、各領域が均等でない場合には、領域毎に超音波トランスデューサー30間のスペースの広さをそれぞれ変更する必要があるが、本実施形態によれば、各領域Ar1〜Ar4において本数を均等にできるので、超音波トランスデューサー30をセンサー基板20に配置する製造工程を簡素化できる。
(4)共通電極線336には、下部電極線334に沿う上部電極線335がそれぞれ接続され、この共通電極線336は、Y軸L2に沿って配置されているのみである。従って、共通電極線の本数を従来の構成に比べて大幅に減らすことができ、構成を簡素化できる。また、共通電極線336は、Y軸L2に沿って配置されるので、X軸L1に沿う下部電極線334との接触を防止できる。
(5)下部電極線334の引出部3341は、各超音波トランスデューサー30間において、上部電極線335と直交する方向に引き出され、配線部3342は、引出部3341の先端から上部電極線335に対して平行に延びている。また、上部電極線335は、一方向に直線状に延びている。これによれば、配線部3342は、引出部3341によって、上部電極線335とは離れた位置で平行に延びているので、上部電極線335と交差することがない。従って、上部電極線335と下部電極線334とが接触することによる一対の電極のショートを確実に防止できる。
(6)下部電極線334の引出部3341は、X軸L1またはY軸L2のうちいずれか一方から離間する方向に引き出されるので、共通電極線336がX軸L1及びY軸L2の両方に沿って配置された場合でも、引出部3341と共通電極線336とが交差することをより確実に防止できる。
[第2実施形態]
図4は、第2実施形態に係る超音波トランスデューサー30の配線構造を拡大して示す平面図である。
第2実施形態では、第2領域Ar2において、下部電極線334を+Y軸方向側へ引き出している点で、前記第1実施形態と相違する。その他の領域Ar1,Ar3,Ar4については、前記第1実施形態と同様の構成である。また、本実施形態では、2本の共通電極線336,337を備え、共通電極線337は、第2領域Ar2及び第4領域Ar4の間にX軸L1に沿って設けられている。
第2領域Ar2において、下部電極線334の引出部3341は、X軸L1に沿って+X軸方向側(第一方向に直交する方向)に延びており、配線部3342は、引出部3341の先端からY軸L2に沿って+Y軸方向側(第一方向)に延びている。また、上部電極線335は、Y軸方向(第一方向)に沿って延び、第2領域Ar2及び第4領域Ar4の間にX軸L1に沿って設けられた共通電極線337に接続される。本実施形態では、共通電極線336,337は、2本となる。
以下では、第2実施形態に対する他の配線レイアウトの例を示す。
[第2実施形態の第1変形例]
図5は、第2実施形態の第1変形例に係る超音波トランスデューサー30の配線構造を拡大して示す平面図である。
本変形例では、第4領域Ar4での配線レイアウトが前記第2実施形態と相違する。他の領域Ar1〜Ar3の構成は前記第2実施形態と同様の構成であるため、説明を省略する。また、本変形例では、前記第2実施形態と同様の共通電極線336,337が2本設けられている。
第4領域Ar4において、下部電極線334の引出部3341は、X軸L1に沿って+X軸方向側に延びており、配線部3342は、引出部3341の先端からY軸L2に沿って−Y軸方向側に延びている。また、上部電極線335は、Y軸方向に沿って延び、第2領域Ar2及び第4領域Ar4の間にX軸L1に沿って設けられた共通電極線337にそれぞれ接続される。
[第2実施形態の第2変形例]
図6は、第2実施形態の第2変形例に係る超音波トランスデューサー30の配線構造を拡大して示す平面図である。
本変形例では、第3領域Ar3での配線レイアウトが前記第2実施形態と相違する。他の領域Ar1,Ar2,Ar4の構成は前記第2実施形態と同様の構成であるため、説明を省略する。また、本変形例では、2本の共通電極線336,338を備え、共通電極線338は、第1領域Ar1及び第2領域Ar2と、第3領域Ar3及び第4領域Ar4との間にX軸L1に沿って設けられている。
第3領域Ar3において、下部電極線334の引出部3341は、X軸L1に沿って−X軸方向側に延びており、配線部3342は、引出部3341の先端からY軸L2に沿って−Y軸方向側に延びている。また、上部電極線335は、Y軸方向に沿って延び、第1領域Ar1及び第2領域Ar2と、第3領域Ar3及び第4領域Ar4との間にX軸L1に沿って設けられた共通電極線338にそれぞれ接続される。
本変形例では、共通電極線336,338は、各領域Ar1〜Ar4間に設けられているので、各領域Ar1〜Ar4において、下部電極線334の引出部3341をX軸L1またはY軸L2のうちいずれか一方から離間する方向に引き出すことで、引出部3341と共通電極線336とが交差することを防止している。
上述した第2実施形態の超音波センサー10によれば、前記第1実施形態の効果(1)〜(6)と同様の効果を奏し、様々な配線レイアウトを実現できる。
[実施形態の変形]
本発明を実施するための最良の構成、方法などは、以上の記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。
前記各実施形態では、センサー基板20は、4つの領域Ar1〜Ar4を備えたが、例えば、3つの領域に分割してもよく、この場合でも各領域内の超音波トランスデューサー30間に引き出される下部電極線334の本数を、基板20を分割しない場合よりも少なくできる。また、5つ以上に分割してもよく、この場合には、4分割する場合よりも、超音波トランスデューサー30間に引き出される下部電極線334の本数をより少なくできる。
前記各実施形態では、各領域Ar1〜Ar4内において、下部電極線334の引き出し方向は、X軸またはY軸に沿って延びていたが、基板中心点Oから離間する方向に延びていればよく、例えば、斜め方向に延びていてもよい。
図7は、上述した5つ以上に分割する一例として6分割する変形例を示す図である。
本変形例では、センサー基板20は、X軸L1、及び2本のY軸L2,L3で6分割され、6つの領域Ar1〜Ar6を備える。
図7(A)では、各領域Ar1〜Ar6において、3行3列ずつ均等に分割されている。
この構成では、特に、第2領域Ar2及び第5領域Ar5において、下部電極線334は、各領域間を跨がないため、必然的に、Y軸L2,L3に沿って延びることとなる。すなわち、第2領域Ar2の下部電極線334が、X軸L1に沿って延びることがないので、第1領域Ar1または第3領域Ar3内に延びることがなく、第1領域Ar1及び第3領域Ar3内における超音波トランスデューサー30間に引き出される下部電極線334の本数をさらに減らすことができる。第5領域Ar5についても同様に、第5領域Ar5の下部電極線334が、第4領域Ar4または第6領域Ar6内に延びることがなく、第4領域Ar4及び第6領域Ar6内における超音波トランスデューサー30間に引き出される下部電極線334の本数をさらに減らすことができる。
図7(B)に示すように、領域Ar3,Ar6の構成は図7(A)と同じで、領域Ar1,Ar4において、3行4列の構成とし、領域Ar2,Ar5において、3行2列の構成とした場合には、領域Ar2,Ar5の超音波トランスデューサー30間に引き出される下部電極線334の本数は3本で、図7(A)の領域Ar2,Ar5において、超音波トランスデューサー30間に引き出される下部電極線334の本数と同じである。
しかし、領域Ar1,Ar4では、X軸方向に延出して、超音波トランスデューサー30間に引き出される下部電極線334の本数は4本となり、図7(A)の場合に比べて、本数が多くなる。
そこで、図7(C)に示すように、領域Ar1,Ar3,Ar4,Ar6において、3行2列の構成とし、領域Ar2,Ar5において、3行5列の構成とした場合には、領域Ar2,Ar5の超音波トランスデューサー30間に引き出される下部電極線334の本数は3本で、図7(A),(B)の構成と同じであるが、領域Ar1,Ar3,Ar4,Ar6において、X軸方向に延出して、超音波トランスデューサー30間に引き出される下部電極線334の本数は2本となり、図7(A),(B)の場合に比べて、本数を少なくできる。すなわち、図7に示す超音波トランスデューサー30の構成(6行9列)をX軸L1により上下に3行ずつ分割した場合において、Y軸L2,L3の列方向の分割位置を領域Ar1,Ar3,Ar4,Ar6において、3列未満となるように分割することで、X軸方向に延出して、超音波トランスデューサー30間に引き出される下部電極線334の本数を図7(A),(B)の場合よりも少なくできる。
なお、図7(C)では、領域Ar1,Ar3,Ar4,Ar6において、3行2列の構成としたが、領域Ar1,Ar4または領域Ar3,Ar6のいずれか一方を3行2列の構成としてもよい。この場合では、図7(A),(B)の構成に対して、領域Ar1,Ar4または領域Ar3,Ar6のいずれか一方において、超音波トランスデューサー30間に引き出される下部電極線334の本数を少なくできる。
前記各実施形態では、各領域Ar1〜Ar4を基板中心点Oで均等に分割したが、X軸L1及びY軸L2に沿う分割仮想線で単に4分割されればよく、各領域Ar1〜Ar4を均等に分割しなくてもよい。
前記各実施形態では、配線レイアウトの一例を示したにすぎず、用途に応じて、配線レイアウトを変更してもよい。この場合には、各領域内での下部電極線334がX軸L1及びY軸L2を跨がないように構成すればよい。
前記各実施形態では、Y軸L2に沿う共通電極線336が配線レイアウトの都合上、必須であったが、X軸L1に沿う共通電極線のみで構成してもよい。例えば、前記第1実施形態において、下部電極線334はX軸L1に沿う方向に引き出されていたが、これをY軸L2に沿う方向に引き出せば、X軸L1に沿って配置される共通電極線に上部電極線が接続されることとなる。
10…超音波センサー、20…センサー基板、30…超音波トランスデューサー、331…下部電極(一方の電極)、333…上部電極(他方の電極)、334…下部電極線(第1電極線)、335…上部電極線(第2電極線)、336〜338…共通電極線、3341…引出部、3342…配線部、Ar1〜Ar6…領域、L1…X軸(分割仮想線)、L2,L3…Y軸(分割仮想線)、O…基板中心点(交差点、基板略中心点)。

Claims (5)

  1. センサー基板と、
    第1電極および第2電極を備え、かつ前記センサー基板の第1面上に配置された複数の超音波トランスデューサーと、
    前記複数の超音波トランスデューサーのうちのいずれか一つの前記第1電極に接続され、かつ前記第1面上に設けられた複数の第1電極線と、
    前記複数の超音波トランスデューサーのうちの少なくとも一つの前記第2電極に接続され、かつ前記第1面上に設けられた複数の第2電極線と、
    前記複数の第2電極線に接続された共通電極線と、を有し、
    前記複数の超音波トランスデューサーは、前記センサー基板の厚み方向に見る平面視において、互いに直交する二方向に沿って配置され、
    前記共通電極線は、前記互いに直交する二方向のうちの少なくとも一方に沿う直線部を備え、
    前記センサー基板は、前記平面視において、前記共通電極線の直線部と重なる第1分割仮想線と前記第1分割仮想線に直交する第2分割仮想線とにより分割される複数の領域を備え、
    前記複数の第1電極線および前記複数の第2電極線の各々は、前記複数の領域の領域ごとに、前記互いに直交する二方向のうちの少なくとも一方に沿って互いに平行な直線部をそれぞれ有する
    ことを特徴とする超音波センサー。
  2. 請求項1に記載の超音波センサーにおいて、
    前記第2電極線は、
    前記共通電極線から前記共通電極線に直交する方向に直線状に延設され、該方向に沿って配設される前記複数の超音波トランスデューサーを互いに接続し、
    前記第1電極線は、
    前記複数の超音波トランスデューサーの間の位置において、前記複数の超音波トランスデューサーの各々から前記共通電極線に平行な方向に引き出される引出部と、
    前記引出部の先端から前記第2電極線に対して平行に延びる前記第1電極線の直線部と、を備える
    ことを特徴とする超音波センサー。
  3. 請求項2に記載の超音波センサーにおいて、
    前記第1電極線の前記引出部の引き出し方向は、前記第1分割仮想線または前記第2分割仮想線から離間する方向である
    ことを特徴とする超音波センサー。
  4. 請求項1から請求項3のいずれかに記載の超音波センサーにおいて、
    前記センサー基板は、前記互いに直交する二方向に対してそれぞれ平行となるX軸及びY軸により分割される4つの領域を備える
    ことを特徴とする超音波センサー。
  5. 請求項4に記載の超音波センサーにおいて、
    前記X軸及び前記Y軸は、前記平面視において、前記センサー基板の基板略中心点を通る
    ことを特徴とする超音波センサー。
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