JP5664364B2 - 超音波センサーおよび電子機器 - Google Patents
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Description
具体的に、特許文献1に記載の超音波トランスデューサーは、圧電素子を個別電極及び共通電極で挟んで構成されている。そして、この超音波トランスデューサーは、円周方向及び幅方向に沿って、半円周状にそれぞれ並べられて、配置されている。
例えば、15行以上に数多くの超音波トランスデューサーを配置した場合には、配置した超音波トランスデューサーの数だけ信号配線が各列間に引き出されることとなる。ところで、各列間のスペースには制約があり、数多くの超音波トランスデューサーを配置した場合には、各列間のスペースにおいて、信号配線が複雑化するという問題がある。
これによれば、各領域内において、各第1電極線は、交点から離れる方向に延びている直線部分を有するので、分割仮想線を跨いで他の領域に向けて引き出されることがない。すなわち、分割仮想線により、センサー基板を複数の領域に分割し、各領域内において、第1電極線は各領域間を跨がないように、第1電極から引き出されている。従って、従来のように、センサー基板を分割することなく、第1電極線を同じ方向のみに引き出す場合と比べて、各領域内において、超音波トランスデューサー間に引き出される第1電極線の本数を少なくできる。
本発明によれば、各領域内に配置された第1電極線の直線部分は、所定の方向に沿って延びているので、互いにほぼ平行に配置することができる。このため、たとえば、複数の超音波トランスデューサーがマトリクス状に二次元配置されている場合に、超音波トランスデューサーの配列方向に沿って、各第1電極線の直線部分を配置することで、各超音波トランスデューサーの間に配置される配線数も均等にできる。このため、配線レイアウトの設計も容易に行え、超音波トランスデューサーや第1電極線の製造も容易に行うことができる。
本発明によれば、センサー基板を互いに交差する2つの分割仮想線によって、4つの領域に分割している。これによれば、4分割することで、上述したような例えば、9分割の構成において、中央部分に形成される領域が生じることなく、各領域内において、超音波トランスデューサー間に引き出される第1電極線の本数を確実に少なくでき、分割する領域数を多くした場合での第1電極線の引き出し方向の煩雑化を防止できる。
ここで、第1分割仮想線をX軸、第2分割仮想線をY軸に設定することができる。この場合、前記複数の超音波トランスデューサーは、X軸およびY軸に沿って二次元配置され、前記各第1電極線の前記直線部分は、前記X軸に沿って延びている。
本発明によれば、共通電極線には、第1分割仮想線に沿う方向に延在する第2電極線がそれぞれ接続され、この共通電極線は、第2分割仮想線に沿って配置されているのみである。従って、共通電極線の本数を従来の構成に比べて大幅に減らすことができ、構成を簡素化できる。
また、第1電極線は、分割仮想線の交点から離れる第1分割仮想線に沿った方向に延び、共通電極線は、第2分割仮想線に沿うので、第1電極線と共通電極線との接触を防止できる。
本発明によれば、第1電極線の引出部は、第1分割仮想線から離間する方向に引き出されるので、共通電極線が第2分割仮想線に沿って配置された場合でも、引出部と共通電極線とが交差することをより確実に防止できる。
本発明によれば、前記共通電極線が第1分割仮想線に沿って交点まで延長され、前記第1電極線は、前記交点から離れる方向にセンサー基板の外周部まで延在される。また、前記第2電極線は、複数の同心円のうちの最も外側の円より内側の領域に延在され、かつ前記第1分割仮想線および前記第2分割仮想線の交点に近づく方向に伸びている直線部分を有する。
従って、第1電極線および第2電極線は互いに交差することなく配線される。また、第1電極線は、他の超音波トランスデューサーの第1電極線を介して共通電極線に接続することもでき、配線の引き回しも容易に行うことができる。
本発明によれば、第1分割仮想線および第2分割仮想線の交点がセンサー基板の略中心点となるので、センサー基板を略均等に4つの領域に分割できる。これによれば、領域毎での超音波トランスデューサー間における第1電極線の本数の偏りを抑制でき、本数を略均等にできる。従って、各領域の大きさが大きく異なる場合には、領域毎に超音波トランスデューサー間のスペースの広さをそれぞれ変更する必要があるが、各領域で本数を略均等にできるので、超音波トランスデューサーをセンサー基板に配置する製造工程を簡素化できる。
また、超音波トランスデューサーの第1電極を始点として配線される各第1電極線は、第2方向に沿い、かつ前記共通電極線から離れる方向に延びている直線部分を有する。
このため、各第1電極線は、共通電極線を跨いで引き出されることがない。従って、従来のように、第1電極線を同じ方向のみに引き出す場合と比べて、超音波トランスデューサー間に引き出される第1電極線の本数を少なくできる。このため、配線レイアウトの設計も容易に行える。
本発明では、上述の超音波センサーを備えるので、電極線の本数を少なくできる効果を奏する電子機器を実現できる。
以下、本発明に係る第1実施形態を図面に基づいて説明する。
[超音波センサーの概略構成]
図1は、本実施形態に係る超音波センサー10の概略構成を示す平面図である。
超音波センサー10は、センサー基板20上に実装される複数の超音波トランスデューサー30を備える。この超音波センサー10は、図1に示すように、センサー基板20上に複数の超音波トランスデューサー30を水平方向(X軸L1)及び垂直方向(Y軸L2)に沿って均等間隔に配置されたマトリクス状の二次元アレイ構造に構成されている。本実施形態では、Y軸L2に沿った垂直方向を第1方向とし、X軸L1に沿った水平方向を第2方向としている。
ここで、超音波トランスデューサー30の概略構成について説明する。図2は、本実施形態の超音波トランスデューサー30の概略構成を示す平面図、および断面図である。
超音波トランスデューサー30は、図4に示す送受信回路40からの信号に基づいて超音波を送信する素子であり、また、被検出体等で反射された超音波を受信して電気信号に変換し、送受信回路40に出力する素子である。
超音波トランスデューサー30は、図2に示すように、開口部31Aが形成された支持部31と、支持部31上を覆い、開口部31Aを閉塞する支持膜32と、支持膜32上に形成される圧電体33とを備えている。
また、下部電極331には、図1及び図2に示すように支持膜32上のY軸方向に沿って下部電極線334(第1電極線)が引き出されている。また、上部電極333には、支持膜32上のX軸方向に沿って上部電極線335(第2電極線)が引き出されている。
また、超音波トランスデューサー30は、被検出体により反射された超音波をダイアフラム321で受信することでダイアフラム321が膜厚方向に振動する。超音波トランスデューサー30では、このダイアフラム321の振動により、圧電膜332の下部電極331側の面と上部電極333側の面とで電位差が発生し、上部電極333および下部電極331から圧電膜332の変位量に応じた電気信号(電流)が出力される。
図3は、図1に示す超音波センサー10の一部を拡大して、超音波トランスデューサー30の配線構造を示す平面図である。
第1領域Ar1において、各超音波トランスデューサー30の下部電極331から引き出される下部電極線334は、下部電極331からY軸L2に沿って+Y軸方向側(第2分割仮想線に平行な方向)に延びる引出部3341と、引出部3341の先端からX軸L1に沿って−X軸方向側(第1分割仮想線に平行な方向)に延びる配線部3342とを備える。
第2領域Ar2において、下部電極線334は、Y軸L2に沿って+Y軸方向側(第2分割仮想線に平行な方向)に延びる引出部3341と、引出部3341の先端からX軸L1に沿って+X軸方向側(第1分割仮想線に平行な方向)に延びる配線部3342とを備える。
なお、第1領域Ar1及び第2領域Ar2において、下部電極線334の引出部3341は、それぞれX軸L1から離間する方向に引き出されていたが、本実施形態のように、後述する共通電極線336がX軸L1に沿って形成されていない場合には、引出部3341をX軸L1に向けて引き出してもよい。
第4領域Ar4において、下部電極線334は、Y軸L2に沿って−Y軸方向側に延びる引出部3341と、引出部3341の先端からX軸L1に沿って+X軸方向側に延びる配線部3342とを備える。
すなわち、図1に示すように、各超音波トランスデューサー30の下部電極331から引き出された各下部電極線334には、それぞれ下部電極端子351が接続されている。また、共通電極線336には共通電極端子361が接続されている。
これらの各端子351,361は、図1に示すように、センサー基板20の3辺に分散して配置されている。
また、第1電極線である下部電極線334は、引出部3341と配線部3342とを備える。引出部3341は第1方向に引き出される。配線部3342は第2方向であるX軸L1に沿って延びる直線部分である。
そして、共通電極線336の共通電極端子361に接続される基端部と、この基端部の反対側である先端部との間において、共通電極線336の途中の点から先端部との間には第1領域Ar1および第2領域Ar2に設けられた超音波トランスデューサー30の第2電極線である上部電極線335が接続されている。
また、前記点から基端部の間には第3領域Ar3および第4領域Ar4に設けられた超音波トランスデューサー30の第2電極線である上部電極線335が接続されている。
そして、第1領域Ar1および第2領域Ar2に設けられた超音波トランスデューサー30の第1電極である下部電極331から引き出された引出部3341と、第3領域Ar3および第4領域Ar4に設けられた超音波トランスデューサー30の第1電極である下部電極331から引き出された引出部3341とは、互いに離れる方向、つまり+Y軸方向および−Y軸方向に引き出されている。
図4は、図1に示す超音波センサー10の回路構成を示す回路図である。
図4に示すように、超音波センサー10は、前記センサー基板20と、送受信回路40と、制御回路60とを備えている。
(1)超音波トランスデューサー30をセンサー基板20上に、二次元アレイ状に配置した場合において、センサー基板20に対する平面視において、互いに直交するX軸L1及びY軸L2によって、センサー基板20を4つの領域Ar1〜Ar4に分割している。そして、各領域Ar1〜Ar4内において、超音波トランスデューサー30の下部電極331から引き出される各下部電極線334は、基板中心点Oから離れる方向へ延びている。
すなわち、X軸に沿って、Y軸を挟んだ2つの領域Ar1,Ar2またはAr3,Ar4において、下部電極線334がY軸を跨いで同方向に引き出されることがない。これによれば、X軸L1及びY軸L2により、センサー基板20を領域Ar1〜Ar4に分割して、各領域Ar1〜Ar4内で下部電極線334を引き出しているので、各領域Ar1〜Ar4内において、超音波トランスデューサー30間に引き出される下部電極線334の本数を少なくできる。
図5は、第2実施形態の超音波センサー10Aに係る超音波トランスデューサー30の配線構造を拡大して示す平面図である。
第2実施形態では、第2領域Ar2において、第1電極線である下部電極線334を+Y軸方向側へ引き出している点で、前記第1実施形態と相違する。すなわち、第2領域Ar2では、Y軸方向が第1分割仮想線に平行な方向とされ、X軸方向が第2分割仮想線に平行な方向とされている。その他の領域Ar1,Ar3,Ar4については、前記第1実施形態と同様の構成である。また、本実施形態では、2本の共通電極線336,337を備え、共通電極線337は、第2領域Ar2及び第4領域Ar4の間にX軸L1に沿って設けられている。
そして、センサー基板を各共通電極線336,337で区分すると、3つの領域に分けられる。すなわち、図5において、共通電極線336の左側の第1領域Ar1および第3領域Ar3で1つの領域である。他の2つの領域は、共通電極線336の右側でかつ共通電極線337の上側の第2領域Ar2と、共通電極線336の右側でかつ共通電極線337の下側の第4領域Ar4とである。
第1配線パターン領域では、第1電極線である下部電極線334は、引出部3341と配線部3342とを備える。引出部3341は第1方向に引き出される。配線部3342は第2方向に沿って延びる直線部分である。
また、第2電極線である上部電極線335は、第2方向に沿って設けられ、第1共通電極線336に接続されている。
また、第1共通電極線336において、第2共通電極線337が接続された点から基端部間には、第3領域Ar3および第4領域Ar4に設けられた超音波トランスデューサー30の第2電極線である上部電極線335が接続されている。
そして、第1領域Ar1に設けられた超音波トランスデューサー30の第1電極である下部電極331から引き出された引出部3341と、第3領域Ar3および第4領域Ar4に設けられた超音波トランスデューサー30の第1電極である下部電極331から引き出された引出部3341とは、互いに離れる方向、つまり+Y軸方向および−Y軸方向に引き出されている。
また、図5における第1配線パターン領域の他の1つは、第1共通電極線336の基端部から第2共通電極線337との接続点までと、この接続点から第2共通電極線337の先端部を延長してセンサー基板外縁に達する第2共通電極延長線と、センサー基板の外縁によって囲まれる領域(図5における第1共通電極線336の右側で、かつ、第2共通電極線337の下側の領域)である。
図5における第2配線パターン領域は、第1共通電極延長線における第1共通電極線336および第2共通電極線337の接続点から、第1共通電極線336の先端部側のセンサー基板外縁に達する部分までと、前記接続点から第2共通電極線337の先端部を延長してセンサー基板外縁に達する第2共通電極延長線と、センサー基板の外縁によって囲まれる領域(図5における第1共通電極線336の右側で、かつ、第2共通電極線337の上側の領域)である。
図6は、第3実施形態の超音波センサー10Bに係る超音波トランスデューサー30の配線構造を拡大して示す平面図である。
本実施形態では、第4領域Ar4での配線レイアウトが前記第2実施形態と相違する。他の領域Ar1〜Ar3の構成は前記第2実施形態と同様の構成であるため、説明を省略する。また、本実施形態では、前記第2実施形態と同様に、第1共通電極線336および第2共通電極線337の2本の共通電極線が設けられている。
そして、第2領域Ar2および第4領域Ar4に設けられた上部電極線335は、それぞれ第2共通電極線337における第1共通電極線336との接続点から一方の端部間に接続されている。このため、これらの領域Ar2,Ar4に設けられた下部電極線334の引出部3341は、同じ方向(+X軸方向)に引き出されている。
また、図6における第2配線パターン領域は、前記第1共通電極延長線と、センサー基板の外縁によって囲まれ、第2共通電極線337を含む領域(図6における第1共通電極線336の右側の領域)である。
図7は、第4実施形態の超音波センサー10Cに係る超音波トランスデューサー30の配線構造を拡大して示す平面図である。
本実施形態では、第3領域Ar3での配線レイアウトが前記第2実施形態と相違する。他の領域Ar1,Ar2,Ar4の構成は前記第2実施形態と同様の構成であるため、説明を省略する。また、本実施形態では、第1共通電極線336および第2共通電極線338の2本の共通電極線を備え、共通電極線338は、第1領域Ar1及び第2領域Ar2と、第3領域Ar3及び第4領域Ar4との間にX軸L1に沿って設けられている。
そして、第1領域Ar1および第4領域Ar4に設けられた上部電極線335は、第1共通電極線336において、第1共通電極線336および第2共通電極線338の接続点に対して、先端部側および基端部側にそれぞれ接続されている。このため、これらの領域Ar1,Ar4に設けられた下部電極線334の引出部3341は、互いに離れる方向(+Y軸方向および−Y軸方向)に引き出されている。
また、第2領域Ar2および第3領域Ar3に設けられた上部電極線335は、第2共通電極線338において、第1共通電極線336および第2共通電極線338の接続点に対して、一方の端部側および他方の端部側にそれぞれ接続されている。このため、これらの領域Ar2,Ar3に設けられた下部電極線334の引出部3341は、互いに離れる方向(+X軸方向および−X軸方向)に引き出されている。
また、図7における第2配線パターン領域は、前記第1共通電極延長線、第2共通電極延長線、センサー基板の外縁によって囲まれる4つの領域のうち、第1共通電極線336および第2共通電極線338の接続点に対して、+Y軸側および+X軸側の領域(図7における第1共通電極線336の右側でかつ第2共通電極線338の上側の領域)と、−Y軸側および−X軸側の領域(図7における第1共通電極線336の左側でかつ第2共通電極線338の下側の領域)である。
図8は、第5実施形態の超音波センサー10Dに係る超音波トランスデューサー30の配線構造を拡大して示す平面図である。
本実施形態では、共通電極線の配線レイアウトが前記第1実施形態と相違する。超音波トランスデューサー30の配置レイアウトや、下部電極線334の配線レイアウトは、前記第1実施形態と同様の構成であるため、説明を省略する。
共通電極線342には、第3領域Ar3及び第4領域Ar4に設けられた上部電極線335が接続されている。
さらに、共通電極線340を、下部電極線334と同様にX軸L1の方向に引き出すことができるので、超音波センサー10Dにおける配線の端子をセンサー基板20のX軸方向の2つの辺に集中させることができる。
図9は、第6実施形態の超音波センサー10Eに係る超音波トランスデューサー30の配線構造を拡大して示す平面図である。
本実施形態では、超音波トランスデューサー30の配置レイアウトと、共通電極線の配線レイアウトが前記第1実施形態と相違する。
そして、超音波トランスデューサー30は、前記X軸L1および軸L4に沿って二次元配置されている。
下部電極線334の配線レイアウトは、前記第1実施形態と同様の構成であるため、説明を省略する。
さらに、前記軸L1,L4の公差角度を90度未満に設定し、各超音波トランスデューサー30を各軸L1,L4に沿って配列すれば、1つの超音波トランスデューサー30の周囲を6個の超音波トランスデューサー30が取り囲むように配置できる。このため、いわゆる六方細密配置構造とすることもでき、様々な配線レイアウトを実現できる。
図10は、第7実施形態の超音波センサー10Fに係る超音波トランスデューサー30の配線構造を拡大して示す平面図である。
本実施形態では、超音波トランスデューサー30の配置レイアウトと、共通電極線の配線レイアウトが前記第1実施形態と相違する。
この共通電極線344には、前記第1実施形態と同様に、X軸L1に沿って設けられた上部電極線335が接続されている。
下部電極線334の配線レイアウトは、前記第1実施形態と同様の構成であるため、説明を省略する。
さらに、Y軸L2に沿って設けられる共通電極線344をジグザグ状に配線し、各超音波トランスデューサー30もジグザグ状に配置したので、1つの超音波トランスデューサー30の周囲を6個の超音波トランスデューサー30が取り囲む、いわゆる六方細密配置構造とすることもでき、様々な配線レイアウトを実現できる。
図11は、第8実施形態の超音波センサー10Gの概略構成を示す平面図である。
本実施形態では、超音波トランスデューサー30の配置レイアウトと、共通電極線、上部電極線、下部電極配線の配線レイアウトが前記各実施形態と相違する。
そして、前記三重の同心円上に配置された超音波トランスデューサー30のうち、交点Oに最も近接する1番目の同心円上には、各領域Ar1〜Ar4に1つずつ、計4個の超音波トランスデューサー30Aが配置されている。
また、交点Oから2番目の同心円上には、各領域Ar1〜Ar4に2つずつ、計8個の超音波トランスデューサー30Bが配置されている。
さらに、交点Oから3番目の同心円上には、各領域Ar1〜Ar4に3つずつ、計12個の超音波トランスデューサー30Cが配置されている。
すなわち、各同心円上に配置される超音波トランスデューサー30A〜30Cは、交点Oから離れるにしたがって、配置される数が増えるように設定されている。
すなわち、4個の超音波トランスデューサー30Aと、8個の超音波トランスデューサー30Bからそれぞれ引き出された上部電極線335は、前記交点Oに向かって延長されて共通電極線345に直接接続されている。
さらに、最外周の12個の超音波トランスデューサー30Cの上部電極線335は、その内周側に配置される超音波トランスデューサー30A,30Bに向かって引き出されて、これらの超音波トランスデューサー30A,30Bの上部電極線335に接続されている。
さらに、共通電極線345を軸L5に沿って共通電極端子345Aから交点Oまで引き出し、超音波トランスデューサー30の上部電極線335は前記交点Oに向かって引き出し、下部電極線334は前記交点Oから離れる方向にセンサー基板20Aの外周部まで引き出している。このため、共通電極線345、下部電極線334、上部電極線335が互いに交差することがなく、配線レイアウトも容易に設計できる。
図12は、第9実施形態の超音波センサー10Hに係る超音波トランスデューサー30の配線構造を拡大して示す平面図である。
本実施形態では、上部電極線335の配線レイアウトと、交点Oの位置に超音波トランスデューサー30が配置されている点が、前記第8実施形態の超音波センサー10Gと相違する。
すなわち、最外周の超音波トランスデューサー30Cから引き出された上部電極線335は、交点Oから2番目の同心円上の超音波トランスデューサー30Bの上部電極線335に接続されている。
さらに、超音波トランスデューサー30Aから引き出された上部電極線335は、交点O上の超音波トランスデューサー30の上部電極に接続されている。
そして、交点O上の超音波トランスデューサー30の上部電極には、軸L5に沿って配置された共通電極線345が接続されている。
さらに、共通電極線345を軸L5に沿って共通電極端子345Aから交点Oまで引き込み、超音波トランスデューサー30A〜30Cの上部電極線335は常に1つ内側の超音波トランスデューサー30,30A,30Bに接続されている。このため、共通電極線345の共通電極端子345Aから、各超音波トランスデューサー30A〜30Cの上部電極までの配線抵抗を、同じ同心円上の超音波トランスデューサー30A〜30C同士でほぼ等しくすることができる。
本発明を実施するための最良の構成、方法などは、以上の記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。
前記各実施形態では、センサー基板20は、4つの領域Ar1〜Ar4を備えたが、例えば、3つの領域に分割してもよく、この場合でも各領域内の超音波トランスデューサー30間に引き出される下部電極線334の本数を、基板20を分割しない場合よりも少なくできる。また、5つ以上に分割してもよく、この場合には、4分割する場合よりも、超音波トランスデューサー30間に引き出される下部電極線334の本数をより少なくできる。
本変形例では、センサー基板20は、X軸L1、及び2本のY軸L2,L3で6分割され、6つの領域Ar1〜Ar6を備える。
図13(A)では、各領域Ar1〜Ar6において、3行3列ずつ均等に分割されている。
この構成では、特に、第2領域Ar2及び第5領域Ar5において、下部電極線334は、各領域間を跨がないため、必然的に、Y軸L2,L3に沿って延びることとなる。すなわち、第2領域Ar2の下部電極線334が、X軸L1に沿って延びることがないので、第1領域Ar1または第3領域Ar3内に延びることがなく、第1領域Ar1及び第3領域Ar3内における超音波トランスデューサー30間に引き出される下部電極線334の本数をさらに減らすことができる。第5領域Ar5についても同様に、第5領域Ar5の下部電極線334が、第4領域Ar4または第6領域Ar6内に延びることがなく、第4領域Ar4及び第6領域Ar6内における超音波トランスデューサー30間に引き出される下部電極線334の本数をさらに減らすことができる。
しかし、領域Ar1,Ar4では、X軸方向に延出して、超音波トランスデューサー30間に引き出される下部電極線334の本数は4本となり、図13(A)の場合に比べて、本数が多くなる。
なお、図13(C)では、領域Ar1,Ar3,Ar4,Ar6において、3行2列の構成としたが、領域Ar1,Ar4または領域Ar3,Ar6のいずれか一方を3行2列の構成としてもよい。この場合では、図13(A),(B)の構成に対して、領域Ar1,Ar4または領域Ar3,Ar6のいずれか一方において、超音波トランスデューサー30間に引き出される下部電極線334の本数を少なくできる。
前記各実施形態では、配線レイアウトの一例を示したにすぎず、用途に応じて、配線レイアウトを変更してもよい。この場合には、各領域内での下部電極線334が第1分割仮想線および第2分割仮想線である各軸L1〜L6を跨がないように構成すればよい。
この際、第1実施形態の超音波センサー10のように、第1電極線である下部電極線334と、第2電極線である上部電極線335とが第1分割仮想線であるX軸L1方向に延長され、共通電極線336が第2分割仮想線であるY軸L2方向に延長されている場合、バンド51が湾曲する方向に沿って共通電極線336が配線されるようにセンサー基板20を配置すれば、下部電極線334や上部電極線335が湾曲されることがないため、これらの電極線の断線を防止できる。共通電極線336は本数が少ないため、太く形成することで湾曲しても断線しないように構成できる。
Claims (16)
- センサー基板と、
前記センサー基板上に二次元配置される複数の超音波トランスデューサーを有し、
前記センサー基板は、当該センサー基板を厚み方向に沿って見た平面視において、互いに交差する第1分割仮想線及び第2分割仮想線により分割される4つの領域を備え、
前記複数の超音波トランスデューサーは、前記第1分割仮想線および前記第2分割仮想線に沿って二次元配置され、
前記複数の超音波トランスデューサーの各々は、第1電極及び第2電極を備え、
前記4つの領域の各領域内において、前記複数の超音波トランスデューサーの各第1電極を始点とする各第1電極線は、前記第1分割仮想線及び前記第2分割仮想線の交点から離れ、かつ前記第1分割仮想線に沿う方向に延びている直線部分を有し、
前記各領域内において、前記各第2電極のうちの少なくとも2つの第2電極の間を接続する第2電極線は、前記第1分割仮想線に沿う方向に延在し、かつ前記第2分割仮想線に沿って配置される共通電極線に接続されている
ことを特徴とする超音波センサー。 - 請求項1に記載の超音波センサーにおいて、
前記各第1電極線の直線部分は、前記4つの領域の領域毎に、所定の方向に沿って延びている
ことを特徴とする超音波センサー。 - 請求項1または請求項2に記載の超音波センサーにおいて、
前記第1電極線は、
前記各超音波トランスデューサー間において、前記各超音波トランスデューサーの各第1電極から引き出される直線状の引出部と、
前記引出部と交差する直線に沿って前記引出部から延びる配線部と、を備え、
前記直線部分は前記配線部である
ことを特徴とする超音波センサー。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の超音波センサーにおいて、
前記第1分割仮想線および前記第2分割仮想線は、互いに直交している
ことを特徴とする超音波センサー。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の超音波センサーにおいて、
前記第2電極線は、前記各超音波トランスデューサーから前記第1分割仮想線に沿う方向に直線状に延び、前記第1分割仮想線に沿う方向に沿って配設される前記各超音波トランスデューサーの各第2電極を互いに接続し、
前記第1電極線は、
前記各超音波トランスデューサー間において、前記各超音波トランスデューサーの各第1電極から前記第2分割仮想線に沿う方向に引き出される引出部と、
前記引出部から前記第1分割仮想線に沿う方向に延びる配線部と、を備える
ことを特徴とする超音波センサー。 - 請求項5に記載の超音波センサーにおいて、
前記第1電極線の前記引出部は、前記各超音波トランスデューサーの各第1電極を始点として前記第1分割仮想線から離間する方向に延びている
ことを特徴とする超音波センサー。 - センサー基板と、
前記センサー基板上に二次元配置される複数の超音波トランスデューサーを有し、
前記センサー基板は、当該センサー基板を厚み方向に沿って見た平面視において、互いに交差する第1分割仮想線および第2分割仮想線により分割される4つの領域を備え、
前記複数の超音波トランスデューサーは、第1電極と第2電極とを備え、かつ前記第1分割仮想線および前記第2分割仮想線の交点を中心する複数の同心円上の位置に配置され、
前記第1分割仮想線に沿って前記センサー基板の外周部から前記第1分割仮想線および前記第2分割仮想線の交点まで延びる共通電極線が配置され、
前記4つの領域の各領域内において、前記各超音波トランスデューサーの第1電極から引き出される各第1電極線は、前記第1分割仮想線および前記第2分割仮想線の交点から離れる方向に前記センサー基板の外周部まで延在し、
前記第2電極から引き出される各第2電極線は、前記複数の同心円のうちの最も外側の円より内側の領域に延在し、かつ前記第1分割仮想線および前記第2分割仮想線の交点に近づく方向に伸びている直線部分を有する
ことを特徴とする超音波センサー。 - 請求項1から請求項7のいずれかに記載の超音波センサーにおいて、
前記第1分割仮想線及び前記第2分割仮想線の交点は、当該センサー基板を厚み方向に沿って見た平面視において、前記センサー基板の略中心点である
ことを特徴とする超音波センサー。 - センサー基板と、
前記センサー基板上に、第1方向と該第1方向に交差する第2方向とに沿って二次元配置され、各々が第1電極と第2電極を備える複数の超音波トランスデューサーと、
前記第1方向に沿って、かつ前記複数の超音波トランスデューサーの列の間に配置される共通電極線と、
前記複数の超音波トランスデューサーの各第1電極を始点とする複数の第1電極線と、
前記複数の超音波トランスデューサーのうち前記第2方向に沿って並ぶ少なくとも2つの超音波トランスデューサーの第2電極間を接続する複数の第2電極線と、を有し、
前記第1電極線は、前記第2方向に沿い、かつ前記共通電極線から離れる方向に延びている直線部分を有し、
前記第2電極線は、前記第2方向に沿って延在し、かつ前記共通電極線に接続する
ことを特徴とする超音波センサー。 - 請求項9に記載の超音波センサーにおいて、
前記第1電極線は、
前記各超音波トランスデューサー間において、前記各超音波トランスデューサーの各第1電極から前記第1方向に沿って引き出される引出部と、
前記引出部と交差する直線に沿って前記引出部から延びる配線部と、を備え、
前記直線部分は前記配線部である
ことを特徴とする超音波センサー。 - 請求項10に記載の超音波センサーにおいて、
前記共通電極線に接続される共通電極端子を備え、
前記共通電極線の共通電極端子に接続される基端部と、この基端部の反対側である先端部との間に前記第2電極線が接続され、
前記共通電極線の途中から前記先端部の間に接続された第2電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第1電極から引き出される引出部と、
前記共通電極線の途中から前記基端部の間に接続された第2電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第1電極から引き出される引出部とは、互いに離れる方向に引き出されている
ことを特徴とする超音波センサー。 - センサー基板と、
前記センサー基板上に、第1方向と該第1方向に交差する第2方向とに沿って二次元配置され、各々が第1電極と第2電極を備える複数の超音波トランスデューサーと、
前記第1方向に沿って延在し、かつ前記複数の超音波トランスデューサーの列の間に配置される第1共通電極線と、
前記第2方向に沿って延在し、かつ前記複数の超音波トランスデューサーの列の間に配置されて前記第1共通電極線に接続する第2共通電極線と、を有し、
平面視で、前記第1共通電極線と前記第2共通電極線とによって区分される複数の領域のうちの少なくとも1つの領域は第1配線パターン領域とされ、残りの領域は第2配線パターン領域とされ、
前記第1配線パターン領域においては、
前記複数の超音波トランスデューサーの各第1電極を始点とする各第1電極線が、前記第2方向に沿い、かつ前記第1共通電極線から離れる方向に延びている直線部分を有し、
前記複数の超音波トランスデューサーのうち前記第2方向に沿って並ぶ少なくとも2つの超音波トランスデューサーの第2電極間を接続する第2電極線が、前記第2方向に沿って延在し、かつ前記第1共通電極線に接続し、
前記第2配線パターン領域においては、
前記複数の超音波トランスデューサーの各第1電極を始点とする各第1電極線が、前記第1方向に沿い、かつ前記第2共通電極線から離れる方向に延びている直線部分を有し、
前記複数の超音波トランスデューサーのうちの前記第1方向に沿って並ぶ少なくとも2つの超音波トランスデューサーの第2電極間を接続する第2電極線が、前記第1方向に沿って延在し、かつ前記第2共通電極線に接続する、
ことを特徴とする超音波センサー。 - 請求項12に記載の超音波センサーにおいて、
前記第1配線パターン領域においては、
前記第1電極線は、
前記各超音波トランスデューサー間において、前記各超音波トランスデューサーの各第1電極から前記第1方向に沿って引き出される引出部と、
前記引出部と交差する直線に沿って前記引出部から延びる配線部と、を備え、
前記直線部分は前記配線部であり、
前記第2配線パターン領域においては、
前記第1電極線は、
前記各超音波トランスデューサー間において、前記各超音波トランスデューサーの各第1電極から前記第2方向に沿って引き出される引出部と、
前記引出部と交差する直線に沿って前記引出部から延びる配線部と、を備え、
前記直線部分は前記配線部である
ことを特徴とする超音波センサー。 - 請求項13に記載の超音波センサーにおいて、
前記第1共通電極線に接続される共通電極端子を備え、
前記第1共通電極線の共通電極端子に接続される基端部と、この基端部の反対側である先端部との間に前記第2共通電極線が接続され、
前記第1共通電極線における第2共通電極線との接続点から前記先端部の間に接続された第2電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第1電極から引き出される引出部と、
前記第1共通電極線における第2共通電極線との接続点から前記基端部の間に接続された第2電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第1電極から引き出される引出部とは、互いに離れる方向に引き出されている
ことを特徴とする超音波センサー。 - 請求項14に記載の超音波センサーにおいて、
前記第2共通電極線における第1共通電極線との接続点から第2共通電極線の一方の端部間に接続された第2電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第1電極から引き出される引出部と、
前記第2共通電極線における第1共通電極線との接続点から第2共通電極線の他方の端部間に接続された第2電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第1電極から引き出される引出部とは、互いに離れる方向に引き出されている
ことを特徴とする超音波センサー。 - 請求項1から請求項15のいずれかに記載の超音波センサーを備える
ことを特徴とする電子機器。
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