KR20160009398A - 와이어 본딩을 이용한 정전용량 미세가공 초음파 변환기 모듈 - Google Patents

와이어 본딩을 이용한 정전용량 미세가공 초음파 변환기 모듈 Download PDF

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KR20160009398A
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electrode pads
cmut
electrode pad
electrode
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심동식
홍석우
정석환
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삼성전자주식회사
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Abstract

와이어 본딩을 이용한 정전용량 미세가공 초음파 변환기 모듈이 개시된다. 개시된 모듈은 제1면 상에 복수의 제1 전극패드가 배치된 정전용량 미세가공 초음파 변환기(CMUT) 칩과, 상기 CMUT 칩의 상기 제1면 상에 배치되며 상기 복수의 제1 전극패드를 노출시키는 복수의 제1홀들이 형성된 플렉서블 인쇄회로와, 상기 복수의 제1 전극패드와 대응되게 상기 플렉서블 인쇄회로 상에 형성된 복수의 제2 전극패드와, 상기 CMUT 칩의 상기 제1 전극패드와 상기 플렉서블 인쇄회로의 상기 제2 전극패드를 연결시킨 와이어를 포함한다.

Description

와이어 본딩을 이용한 정전용량 미세가공 초음파 변환기 모듈{Capacitive micromachined ultrasonic transducer module using wire-bonding}
개시된 실시예는 정전용량 미세가공 초음파 변환기 칩과 플렉서블 인쇄회로를 와이어 본딩으로 연결한 정전용량 미세가공 초음파 변환기 모듈에 관한 것이다.
정전용량 미세가공 초음파 변환기(Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducer: CMUT)는 전기적 신호를 초음파 신호로 변환하거나, 반대로 초음파 신호를 전기적 신호로 변환하는 장치이다.
초음파 프로브를 제조하기 위해 CMUT를 전기회로와 본딩한다. 본딩 방법으로는 와이어 본딩과 플립칩 본딩을 할 수 있다. CMUT와 플렉서블 인쇄회로(flexible printed circuit: FPC)를 연결하는 경우, 플립칩 본딩을 이용시 공정이 복잡하고 제조비용이 증가할 수 있다. 또한, CMUT와 플렉서블 인쇄회로의 정렬오차가 발생할 수 있으며, 정렬오차를 본딩과정에서 발견하기가 어렵다.
한편, 와이어 본딩을 이용하는 경우 와이어 본딩을 위한 면적이 더 필요할 수 있으며, 이에 따라 초음파 프로브에서 CMUT의 면적이 감소되어 측정 품질이 낮아질 수 있다.
플렉서블 인쇄회로의 홀을 통해서 CMUT 칩의 전극패드와 와이어 본딩을 하여 CMUT 칩의 유효 면적을 증가시킨 정전용량 미세가공 초음파 변환기 모듈을 제공한다.
일 실시예에 따른 와이어 본딩을 이용한 정전용량 미세가공 초음파 변환기 모듈은:
제1면 상에 복수의 제1 전극패드가 배치된 정전용량 미세가공 초음파 변환기(CMUT) 칩;
상기 CMUT 칩의 상기 제1면 상에 배치되며 상기 복수의 제1 전극패드를 노출시키는 복수의 제1홀들이 형성된 플렉서블 인쇄회로;
상기 복수의 제1 전극패드와 대응되게 상기 플렉서블 인쇄회로 상에 형성된 복수의 제2 전극패드; 및
상기 CMUT 칩의 상기 제1 전극패드와 상기 플렉서블 인쇄회로의 상기 제2 전극패드를 연결시킨 와이어;를 포함한다.
상기 CMUT 칩은 제1방향으로 일 열로 배치된 복수의 채널을 포함하며, 각 채널은 상기 제1방향과 직교하는 제2방향으로 일정 간격으로 배치된 적어도 2개의 제1 전극패드를 포함하며, 인접한 채널들의 상기 제1 전극패드는 서로 일정 간격을 두고 배치될 수 있다.
일 국면에 따르면, 상기 플렉서블 인쇄회로의 마주보는 양측에 상기 복수의 제2 전극패드에 연결된 복수의 리드선을 더 포함하며,
상기 복수의 리드선은 실질적으로 서로 나란하게 형성되어서 상기 복수의 제2 전극패드에 연결될 수 있다.
다른 국면에 따르면, 상기 각 채널은 상기 적어도 2개의 제1 전극패드를 상기 제2방향으로 연결하는 연결 배선을 더 구비하며, 상기 제2 전극패드는 상기 적어도 2개의 제1 전극패드 중 어느 하나에 연결될 수 있다.
상기 복수의 리드선들의 수는 상기 연결배선의 수와 실질적으로 동일할 수 있다.
또 다른 국면에 따르면, 상기 복수의 홀은 상기 제1방향으로 인접한 채널 사이의 인접한 제1 전극패드들 사이를 가로지르는 슬릿일 수 있다.
상기 CMUT 칩과 상기 플렉서블 인쇄회로의 몸체는 실질적으로 동일한 면적을 가질 수 있다.
상기 제1 전극패드가 상기 제2 전극패드 보다 면적이 더 넓을 수 있다.
상기 제1홀은 상기 제2방향에서 대략 0.2mm ~1.0mm 길이를 가질 수 있다.
실시예에 따른 와이어 본딩을 이용한 정전용량 미세가공 초음파 변환기 모듈은 FPC에 제1홀을 형성하고 제1홀을 통해서 CMUT 칩의 제1 전극패드와 와이어 본딩을 할 수 있다. 이러한 와이어 본딩은 CMUT 모듈의 제조를 용이하게 한다. 또한, 제1 전극패드가 제2 전극패드에 비해 상대적으로 크게 형성되므로, CMUT 칩과 FPC 사이의 정렬오차가 발생하더라도 와이어 본딩을 용이하게 할 수 있다. 또한, 제1홀을 통해서 정렬 오차를 용이하게 발견할 수 있다.
또한, CMUT 칩을 FPC 몸체와 실질적으로 동일한 면적에 형성할 수 있으므로, 초음파 프로브에서 CMUT 칩의 유효면적을 증가시킬 수 있으며, 따라서 CMUT 모듈의 측정 품질을 향상시킬 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 정전용량 미세가공 초음파 변환기 모듈(100)의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도다.
도 2는 도 1의 CMUT 칩(110)의 일 예를 보여주는 단면도다.
도 3은 도 1의 CMUT 칩의 평면도다.
도 4는 도 1의 FPC(150)의 일부 평면도다.
도 5는 도 1의 평면도의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 6은 다른 실시예에 따른 CMUT 모듈(200)의 평면도다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 CMUT 모듈(300)의 평면도다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다. 이하에 설명되는 실시예는 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 실시예들로부터 다양한 변형이 가능하다. 이하에서, "상부" 나 "상"이라고 기재된 것은 접촉하여 바로 위에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위에 있는 것도 포함할 수 있다. 명세서를 통하여 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 일 실시예에 따른 정전용량 미세가공 초음파 변환기 모듈(100)의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도다.
도 1을 참조하면, CMUT 모듈(100)은 CMUT 칩(110)과 플렉서블 인쇄회로(FPC)(150)를 포함한다. CMUT 모듈(100)은 멤브레인(112)이 형성된 액티브 면과 반대면인 제1면(110a)에 각 엘리먼트에 전기적 연결을 위한 제1 전극패드(120)가 형성되어 있다. 제1면(110a) 상에는 FPC(150)가 배치된다. FPC(150)는 CMUT 칩(110)에 폴리머 접착제로 부착될 수 있다. CMUT 칩(110)의 액티브 면에는 멤브레인(112)과 공통전극인 상부전극(114)이 형성될 수 있다.
도 2는 도 1의 CMUT 칩(110)의 일 예를 보여주는 단면도다.
도 2를 참조하면, CMUT 칩(110)은 TSV 기판(210)과 TSV 기판(210)에 본딩된 디바이스 기판(240)을 포함할 수 있다. 디바이스 기판(240)은 TSV 기판(210) 상에 본딩될 수 있다. TSV 기판(210) 및 디바이스 기판(240)은 유테틱 본딩(eutectic bonding)으로 결합될 수 있다.
TSV 기판(210)은 실리콘 기판으로 이루어지고 복수의 관통홀(through hole)(212)이 형성될 수 있다. CMUT 칩110)은 복수의 엘리먼트(E)를 포함한다. TSV 기판(210)에는 각 엘리먼트(E)에 대응되는 관통홀들(212)이 형성될 수 있다. 관통홀들(212) 및 TSV 기판(210)의 표면에는 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 관통홀들(212)에는 비아 메탈(214)이 채워져 있다.
디바이스 기판(240)은 도전성 재질로 형성되며, 그 두께는 수십 ㎛일 수 있다. 디바이스 기판(240)의 두께는 10㎛ 내지 50㎛일 수 있다. 디바이스 기판(240)은 불순물이 고농도로 도핑된 저저항 실리콘으로 이루어질 수 있다. 디바이스 기판(240)은 하부 전극으로 사용될 수 있다.
디바이스 기판(240)은 그 상면에 형성된 절연층(242)과 캐버티(C)를 형성하는 지지부(250)와 지지부(250) 상에서 캐버티(C)를 덮는 멤브레인(260)을 포함할 수 있다. 멤브레인(260) 상에는 상부전극(270)이 형성될 수 있다. 멤브레인(260)은 실리콘으로 형성될 수 있다. 지지부(250)는 절연물질로 형성될 수 있다. 지지부(250)는 예를 들어, 산화물, 질화물 등을 포함할 수 있으며, 예를 들어 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다.
도 2에서 절연층(242)은 디바이스 기판(240) 상면에 형성되어 있으나 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 절연층(242)은 멤브레인(254) 및 지지대(244) 사이에 형성될 수도 있다.
상부전극(270)은 Au, Cu, Sn, Ag, Al, Pt, Ti, Ni, Cr 또는 이들의 혼합물 등으로 이루어질 수 있다.
절연층(242)은 예를 들어, 산화물, 질화물 등을 포함할 수 있으며, 예를 들어 실리콘 질화물로 형성될 수 있다.
도 2에는 하나의 엘리먼트(E)에 두 개의 캐버티(C)가 형성된 것을 도시하였으나, 본 개시는 이에 한정되지 않는다. 예컨대 하나의 엘리먼트(E)에 하나 또는 복수 개의 캐버티(C)가 형성될 수 있다.
디바이스 기판(240)의 하부에는 비아 메탈(214)과 연결되게 본딩패드(220)가 형성된다. 본딩패드(220)는 유테틱 본딩 금속으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, Au-Sn 유테틱 물질로 형성될 수 있다.
TSV 기판(210)의 하부에는 비아 메탈(214)과 연결된 제1 전극패드(216)가 형성되어 있다. 제1 전극패드(216)에는 구동 신호전압이 인가될 수 있다. 상부 전극(270)에는 그라운드 전압이 인가될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, FPC(150)에는 복수의 제1홀(H1)이 형성되어 있다. 제1홀(H1)은 대응되는 제1 전극패드(120)를 노출시킨다. FPC(150)에서 CMUT 칩(110)과 마주보는 면에는 제1 전극패드(120)와 대응되게 제2 전극패드(160)가 설치되어 있다. 제2 전극패드(160)는 제1 전극패드(120)와 와이어(170)로 본딩되어 있다. 와이어 본딩은 제2 전극패드(160)로부터 시작해서 제1 전극패드(120)로 진행되므로 제2 전극패드(160)는 제1 전극패드(120) 보다 작은 면적에 형성될 수 있다.
도 3은 도 1의 CMUT 칩의 평면도다. 도 1 및 도 2의 구성요소와 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명을 생략할 수 있다.
도 3을 참조하면, 복수의 제1 전극패드들(120)이 CMUT 칩(110)의 제1면(110a) 상으로 형성되어 있다. CMUT 칩(110)은 복수 개, 예컨대 80개 또는 128개 채널로 이루어질 수 있다. 이들 복수 개의 채널은 1차원적으로 배치될 수 있다. 이하에서는 80개 채널로 이루어진 CMUT 칩(110)을 가지고 설명한다.
80개의 채널은 제1방향(화살표 X방향)으로 순차적으로 형성될 수 있다. 도 3에는 편의상 6개의 채널(CH1~CH6)만 도시하였다. 각 채널에는 하나의 엘리먼트가 형성될 수 있다. 각 채널에는 전원공급을 위한 제1 전극패드(120)가 하나 또는 복수 개로 형성될 수 있다. 도 3에서는 각 채널은 2개의 제1 전극패드(120)를 포함한다. 하나의 채널에 복수 개, 예컨대 2개의 제1 전극패드(120)를 형성하는 것은 하나의 제1 전극패드에서 전기적 실패(failure)가 일어나더라도 나머지 제1 전극패드(120)를 사용할 수 있기 때문이다. 제1 전극패드(120)는 도 2의 제1 전극패드(216)에 대응되는 것이다.
한 채널의 복수 개의 제1 전극패드(120)는 인접한 채널과의 사이에 공간 확보를 위해서 도 3에서처럼 인접한 제1 전극패드들(120)이 제2방향(화살표 Y방향)에서 균일하게 이격되어 있다. 예컨대, 4개의 인접한 채널은 서로 균일하게 제1방향 및 제2방향으로 이격되게 형성될 수 있다. 이러한 배치가 반복될 수 있다.
제1 전극패드들(120)과 이격되게 적어도 하나의 다른 전극패드(미도시)가 형성되어서 CMUT 칩(110)의 상부전극(114)에 그라운드 전압을 인가할 수 있다.
도 4는 도 1의 FPC(150)의 일부 평면도다.
도 4를 참조하면, FPC(150)에는 제1 전극패드(120)와 대응되는 제2 전극패드(160)가 설치될 수 있다. 제2 전극패드(160) 옆에는 대응되는 제1홀(H1)이 형성될 수 있다. 제1홀(H1)은 대략 4각형상일 수 있다. 제1홀(H1)은 대략 제2방향에서 0.2 mm ~ 1.0 mm 크기로 형성될 수 있다. FPC(150)의 마주보는 양측에는 제2 전극패드(160)와의 전기적 연결을 위한 리드선들(154)이 배치된다. 리드선들(154)은 대응되는 제2 전극패드(160)와 연결된다. 리드선들(154)은 제2 전극패드(160)에 거의 직선으로 연결될 수 있으며, 서로 나란하게 연결될 수 있다.
FPC(150)는 몸체(151)와 리드선들(154)이 포함된 리드부(152)를 포함한다. 리드부(152)는 CMUT 프로브를 제조시 후방쪽으로 휘어진 상태로 FPC(150) 몸체(151)가 CMUT 칩(110)과 결합한다. 따라서, CMUT 칩(110)과 FPC(150)의 몸체(151)는 실질적으로 동일한 면적을 가질 수 있으므로, CMUT 칩(110)의 유효면적이 극대화될 수 있다.
도 5는 도 1의 평면도의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5를 참조하면, CMUT 모듈(100)은 CMUT 칩(110) 상에 배치된 FPC(150)를 포함한다. 제1홀(H1)은 제1 전극패드(120)를 노출시키도록 배치된다. 제1 전극패드(120) 및 제2 전극패드(160) 사이에 와이어(170)가 배치되어서 제1 전극패드(120)와 제2 전극패드(160)를 연결하고 있다. 와이어 본딩시 제2 전극패드(160)로부터 시작해서 제1 전극패드(120)로 와이어(170)가 연결되므로, 제2 전극패드(160)는 제1 전극패드(120) 보다 작은 크기로 형성될 수 있다.
실시예에 따른 CMUT 모듈(100)은 FPC(150)에 제1홀(H1)을 형성하고 제1홀(H1)을 통해서 CMUT 칩(110)의 제1 전극패드(120)와 와이어 본딩을 할 수 있다. 이러한 와이어 본딩은 CMUT 모듈의 제조를 용이하게 한다. 또한, 제1 전극패드(120)가 제2 전극패드(160)에 비해 상대적으로 크게 형성되므로, CMUT 칩(110)과 FPC(150) 사이의 정렬오차가 발생하더라도 용이하게 와이어 본딩을 할 수 있다. 또한, 제1홀(H1)을 통해서 정렬 오차를 용이하게 검출할 수 있다.
또한, CMUT 칩(110)을 FPC 몸체(151)와 실질적으로 동일한 면적에 형성할 수 있으므로, 초음파 프로브에서 CMUT 칩(110)의 유효면적을 증가시킬 수 있으며, 따라서 CMUT 모듈(100)의 측정 품질을 향상시킬 수 있다.
도 6은 다른 실시예에 따른 CMUT 모듈(200)의 평면도다. 도 5의 CMUT 모듈(100)과 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 6을 참조하면, FPC(150)에는 제1 방향으로 길이가 긴 슬릿들(S1)이 형성되어 있다. 각 실릿은 제2방향에서의 길이가 대략 0.2 mm ~ 1.0 mm 크기로 형성될 수 있다. 각 리드선(154)은 해당 제2 전극패드(160)와 연결을 위해서 다른 리드선들(154)과 겹치지 않도록 슬릿(S1)을 우회하여 배선되어 있다. 슬릿(S1)은 와이어 본딩을 용이하게 할 수 있게 한다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 CMUT 모듈(300)의 평면도다.
도 7을 참조하면, 각 채널의 제1 전극패드들(120)이 연결 배선(320)으로 연결되어 있다. 연결 배선(320)은 복수의 전극패드들(120)의 형성 공정에서 복수의 전극패드들(120)과 함께 금속층을 패터닝하여 형성할 수 있다.
FPC(150)에는 제1 전극패드들(120) 중 하나의 제1 전극패드(120)에 인접하게 제1홀(H1)이 형성될 수 있다. 제1홀(H1) 대신에 슬릿(S1)이 형성될 수도 있다. 제2 전극패드(160)는 제1 전극패드(120)에 와이어(170)로 연결되어 있다. 제1홀들(H1)은 FPC(150)의 마주보는 양측에서 가까운 쪽에 하나만 형성되며, 제2 전극패드들(160)도 제1홀들(H1)에 인접하게 형성될 수 있다.
한편, 리드선들(154)은 연결되어야 하는 제1 전극패드(120) 수가 반으로 줄어들며, 따라서 리드선들(154)과 제1 전극패드(120)를 연결하는 배선의 설계가 더 용이해 질 수 있다. 따라서, 리드선들(154)의 수는 연결 배선의 수와 실질적으로 동일할 수 있다.
실시예는 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 도 5에서 각 채널의 제1 전극패드들(120)을 연결하는 연결배선(320)이 더 형성된 구조일 수 있다.
이상에서 첨부된 도면을 참조하여 설명된 본 발명의 실시예들은 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
100: 정전용량 미세가공 초음파 변환기 모듈
110: CMUT 칩 112: 멤브레인
114: 상부전극 120: 제1 전극패드
150: FPC 160: 제2 전극패드
170: 와이어 H1: 제1홀

Claims (9)

  1. 제1면 상에 복수의 제1 전극패드가 형성된 정전용량 미세가공 초음파 변환기(CMUT) 칩;
    상기 CMUT 칩의 상기 제1면 상에 배치되며 상기 복수의 제1 전극패드를 노출시키는 복수의 제1홀들이 형성된 플렉서블 인쇄회로;
    상기 복수의 제1 전극패드와 대응되게 상기 플렉서블 인쇄회로 상에 형성된 복수의 제2 전극패드; 및
    상기 CMUT 칩의 상기 제1 전극패드와 상기 플렉서블 인쇄회로의 상기 제2 전극패드를 연결시킨 와이어;를 구비하는 정전용량 미세가공 초음파 변환기 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 CMUT 칩은 제1방향으로 일 열로 배치된 복수의 채널을 포함하며, 각 채널은 상기 제1방향과 직교하는 제2방향으로 일정 간격으로 배치된 적어도 2개의 제1 전극패드를 포함하며, 인접한 채널들의 상기 제1 전극패드는 서로 일정 간격을 두고 배치된 초음파 변환기 모듈.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 플렉서블 인쇄회로의 마주보는 양측에 상기 복수의 제2 전극패드에 연결된 복수의 리드선을 더 포함하며,
    상기 복수의 리드선은 실질적으로 서로 나란하게 형성되어서 상기 복수의 제2 전극패드에 연결되는 초음파 변환기 모듈.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 각 채널은 상기 적어도 2개의 제1 전극패드를 상기 제2방향으로 연결하는 연결 배선을 더 구비하며, 상기 제2 전극패드는 상기 적어도 2개의 제1 전극패드 중 어느 하나에 연결되는 초음파 변환기 모듈.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 플렉서블 인쇄회로의 마주보는 양측에 상기 복수의 제2 전극패드에 연결된 복수의 리드선들을 더 포함하며,
    상기 복수의 리드선들의 수는 상기 연결배선의 수와 실질적으로 동일한 초음파 변환기 모듈.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 홀은 상기 제1방향으로 인접한 채널 사이의 인접한 제1 전극패드들 사이를 가로지르는 슬릿인 초음파 변환기 모듈.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 CMUT 칩과 상기 플렉서블 인쇄회로의 몸체는 실질적으로 동일한 면적을 가지는 초음파 변환기 모듈.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 전극패드가 상기 제2 전극패드 보다 면적이 더 넓은 초음파 변환기 모듈.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1홀은 상기 제2방향에서 대략 0.2~1.0mm 길이를 가지는 초음파 변환기 모듈.
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KR102184454B1 (ko) * 2014-08-25 2020-11-30 삼성전자주식회사 초음파 변환기 모듈, 초음파 변환기 및 초음파 변환기의 제조 방법
DE102016120084A1 (de) 2016-10-21 2018-04-26 IMMS Institut für Mikroelektronik- und Mechatronik-Systeme gemeinnützige GmbH (IMMS GmbH) Schaltungsanordnung zur Bereitstellung einer trimmbaren Bandgap-Referenzspannung

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3776519B2 (ja) 1996-08-29 2006-05-17 株式会社東芝 超音波トランスジューサおよびその製造方法
JP4880275B2 (ja) * 2005-10-03 2012-02-22 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 静電容量型超音波振動子装置
JP4961224B2 (ja) 2007-02-02 2012-06-27 株式会社日立メディコ 超音波探触子
US8483014B2 (en) 2007-12-03 2013-07-09 Kolo Technologies, Inc. Micromachined ultrasonic transducers
KR101115958B1 (ko) 2009-12-11 2012-02-22 (주)기가레인 프로브 카드
KR101931358B1 (ko) 2012-06-25 2018-12-31 삼성전자주식회사 지그 및 그 제작방법과 지그를 이용한 초음파 프로브용 칩의 플립 칩 본딩방법
KR20160009398A (ko) * 2014-07-16 2016-01-26 삼성전자주식회사 와이어 본딩을 이용한 정전용량 미세가공 초음파 변환기 모듈
KR102184453B1 (ko) * 2014-07-21 2020-11-30 삼성전자주식회사 초음파 변환기 및 초음파 변환기의 제조 방법
KR20160021559A (ko) * 2014-08-18 2016-02-26 삼성전자주식회사 나노필라 구조를 가진 정전용량 미세가공 초음파 변환기 및 그 제조방법
KR102184454B1 (ko) * 2014-08-25 2020-11-30 삼성전자주식회사 초음파 변환기 모듈, 초음파 변환기 및 초음파 변환기의 제조 방법

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