JP5537731B2 - セレン化鉛量子ドットの製造方法 - Google Patents
セレン化鉛量子ドットの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5537731B2 JP5537731B2 JP2013505303A JP2013505303A JP5537731B2 JP 5537731 B2 JP5537731 B2 JP 5537731B2 JP 2013505303 A JP2013505303 A JP 2013505303A JP 2013505303 A JP2013505303 A JP 2013505303A JP 5537731 B2 JP5537731 B2 JP 5537731B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- quantum dots
- selenide quantum
- lead selenide
- toluene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N selanylidenelead Chemical class [Pb]=[Se] GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 117
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 90
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 claims description 36
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadecene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 30
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 27
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 claims description 18
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 17
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 15
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 14
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 13
- 150000002611 lead compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 claims description 12
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 claims description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 229940046892 lead acetate Drugs 0.000 claims description 7
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- YAFKGUAJYKXPDI-UHFFFAOYSA-J lead tetrafluoride Chemical class F[Pb](F)(F)F YAFKGUAJYKXPDI-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 8
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 231100000167 toxic agent Toxicity 0.000 description 2
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 2
- 238000003915 air pollution Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000799 fluorescence microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G21/00—Compounds of lead
- C01G21/02—Oxides
- C01G21/06—Lead monoxide [PbO]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
工程1:セレン粉末とオクタデセンを混合し、加熱しながら攪拌してセレン粉末を完全に溶解させた後、保温し、その後室温まで冷却してセレンのストック溶液を得る工程と、
工程2:鉛化合物、オレイン酸、オクタデセン及びベンゾフェノンを混合し、溶解させて鉛のストック溶液を得た後、温度を130℃−190℃に保温する工程と、
工程3:工程1のセレンのストック溶液を、工程2の鉛のストック溶液に迅速に加え、反応温度を100℃−160℃に保持しながら反応を行い、反応が冷却した後第一段階のセレン化鉛量子ドットを得る工程と、
工程4:第一段階のセレン化鉛量子ドットを、トルエン及びメタノールの混合溶液に添加し、該混合溶液を遠心分離させ、上清液を除去して沈殿物を得、得られた沈殿物をトルエンで溶解して純粋なセレン化鉛量子ドットの透明溶液を得る工程と、を含む。
工程S01:セレン粉末とオクタデセンを混合し、加熱しながら攪拌してセレン粉末を完全に溶解させた後、保温し、室温まで冷却してセレンのストック溶液を得る工程と、
工程S02:鉛化合物、オレイン酸、オクタデセン及びベンゾフェノンを混合し、溶解させて鉛のストック溶液を得た後、温度を130℃−190℃に保温する工程と、
工程S03:工程S01のセレンのストック溶液を、工程S02の鉛のストック溶液に迅速に加え、反応温度を100℃−160℃程度に保持しながら反応を行い、冷却して第一段階のセレン化鉛量子ドットを得る工程と、
工程S04:第一段階のセレン化鉛量子ドットを、トルエン及びメタノールの混合溶液に添加し、該混合溶液を遠心分離させ、上清液を除去して沈殿物を得、得られた沈殿物をトルエンで溶解して純粋なセレン化鉛量子ドットの透明溶液を得る工程と、を含む。
工程1:3mMol(ミリモル)のセレン粉末及び5mlのオクタデセン(ODE)を25mlの三口フラスコに投入し、200℃−220℃に加熱し、攪拌してセレン粉末を完全、均一に溶解させた後、5〜10分の保温を行い、室温まで冷却してセレンのストック溶液を得た。
工程2:1mMol(ミリモル)の酸化鉛(PbO)、5mMolのオレイン酸(OA)、10mlのオクタデセン(ODE)及び5mMolのベンゾフェノンを25mlの三口フラスコに投入し、アルゴンガス雰囲気中で130℃の温度に加熱し、マグネチックスターラーによる激しい攪拌の下で十分に溶解させて鉛のストック溶液を形成し、温度を130℃に保持した。
工程3:溶液中のPb及びSeのモル比が3:1になるように、注射器でセレンのストック溶液を取って、130℃温度の鉛のストック溶液に迅速に加えた。注入した後、温度は一般的に30℃程度下げられ、反応温度を100℃程度に保持して、300秒反応させた時点で、ヒーターの電源をオフにし、冷却してセレン化鉛量子ドットを得た。
工程4:得られた前記セレン化鉛量子ドットを、トルエン及びメタノールの混合溶液(トルエン及びメタノールの体積比は1:3である)に添加し、該混合溶液を遠心分離して上清液を除去し、その後、再度トルエン及びメタノールの混合溶液(トルエン及びメタノールの体積比は1:3である)に添加し、このような操作を2回繰り返して、最後に沈殿物を得、得られた該沈殿物をトルエンで溶解して、純粋なセレン化鉛量子ドットの透明溶液を得た。
工程1:2mMolのセレン粉末及び5mlのオクタデセン(ODE)を25mlの三口フラスコに投入し、200℃−220℃に加熱し、攪拌してセレン粉末を完全、均一に溶解させた後、5〜10分の保温を行い、室温まで冷却してセレンのストック溶液を得た。
工程2:1mMol(ミリモル)の酸化鉛(PbO)、5mMolのオレイン酸(OA)、10mlのオクタデセン(ODE)及び5mMolのベンゾフェノンを25mlの三口フラスコに添加し、アルゴンガス雰囲気中で160℃の温度に加熱し、マグネチックスターラーによる激しい攪拌の下で十分に溶解させて鉛のストック溶液を形成し、温度を160℃に保持した。
工程3:溶液中のPb及びSeのモル比が2:1になるように、注射器でセレンのストック溶液を取って、160℃温度の鉛のストック溶液に迅速に加えた。注入した後、温度は一般的に30℃程度下げられ、反応温度を130℃程度に保持して、反応時間300秒で反応させた時点で、ヒーターの電源をオフにし、冷却してセレン化鉛量子ドットを得た。
工程4:得られた前記セレン化鉛量子ドットを、トルエン及びメタノールの混合溶液(トルエン及びメタノールの体積比は1:3である)に添加し、該混合溶液を遠心分離して上清液を除去し、その後、再度トルエン及びメタノールの混合溶液(トルエン及びメタノールの体積比は1:3である)に添加し、このような操作を2回繰り返して、最後に沈殿物を得、得られた該沈殿物をトルエンで溶解して、セレン化鉛量子ドットの透明溶液を得た。
工程1:1mMolのセレン粉末及び5mlのオクタデセン(ODE)を25mlの三口フラスコに投入し、200℃−220℃に加熱し、攪拌してセレン粉末を完全、均一に溶解させた後、5〜10分間の保温を行い、室温まで冷却してセレンのストック溶液を得た。
工程2:1mMol(ミリモル)の酸化鉛(PbO)、5mMolのオレイン酸(OA)、10mlのオクタデセン(ODE)及び5mMolのベンゾフェノンを25mlの三口フラスコに加入し、アルゴンガス雰囲気中で190℃の温度に加熱し、マグネチックスターラーによる激しい攪拌の下で十分に溶解させて鉛のストック溶液を形成し、温度を190℃に保持した。
工程3:溶液中のPb及びSeのモル比1:1になるように、注射器でセレンのストック溶液を取って、190℃温度の鉛のストック溶液に迅速に加えた。注入した後、温度は一般的に30℃程度下げられ、反応温度を160℃程度に保持して、300秒反応させた時点で、ヒーターの電源をオフにし、冷却してセレン化鉛量子ドットを得た。
工程4:得られた前記のセレン化鉛量子ドットを、トルエン及びメタノールの混合溶液(トルエン及びメタノールの体積比は1:3である)に添加し、該混合溶液を遠心分離して上清液を除去し、その後、再度トルエン及びメタノールの混合溶液(トルエン及びメタノールの体積比は1:3である)に添加し、このような操作を2回繰り返して、最後に沈殿物を得、得られた該沈殿物をトルエンで溶解してセレン化鉛量子ドットの透明溶液を得た。
工程1:3mMolのセレン粉末及び5mlのオクタデセン(ODE)を25mlの三口フラスコに投入し、200℃−220℃に加熱し、攪拌してセレン粉末を完全、均一に溶解させた後、5〜10分間の保温を行い、室温まで冷却してセレンのストック溶液を得た。
工程2:1mMolの酢酸鉛、3mMolのオレイン酸(OA)、5mlのオクタデセン(ODE)を25mlの三口フラスコに加入し、アルゴンガス雰囲気中で130℃の温度に加熱し、マグネチックスターラーによる激しい攪拌の下で十分に溶解させて鉛のストック溶液を形成し、温度を130℃に保持した。
工程3:溶液中のPb及びSeのモル比3:1になるように、注射器でセレンのストック溶液を取って、130℃温度の鉛のストック溶液に迅速に加えた。注入した後、温度は一般的に30℃程度下げられ、反応温度を100℃程度に保持して、300秒反応させた時点で、ヒーターの電源をオフにし、冷却してセレン化鉛量子ドットを得た。
工程4:得られた前記のセレン化鉛量子ドットを、トルエン及びメタノールの混合溶液(トルエン及びメタノールの体積比は1:3である)に添加し、該混合溶液を遠心分離して上清液を除去し、その後、再度トルエン及びメタノールの混合溶液(トルエン及びメタノールの体積比は1:3である)に添加し、このような操作を2回繰り返して、最後に沈殿物を得、得られた該沈殿物をトルエンで溶解して、純粋なセレン化鉛量子ドットの透明溶液を得た。
工程1:2mMolのセレン粉末及び5mlのオクタデセン(ODE)を25mlの三口フラスコに投入し、200℃−220℃に加熱し、攪拌してセレン粉末を完全、均一に溶解させた後、5〜10分間の保温を行い、室温まで冷却してセレンのストック溶液を得た。
工程2:1mMolの酢酸鉛、3mMolのオレイン酸(OA)及び5mlのオクタデセン(ODE)を25mlの三口フラスコに加入し、アルゴンガス雰囲気中で160℃の温度に加熱し、マグネチックスターラーによる激しい攪拌の下で十分に溶解させて鉛のストック溶液を形成し、温度を160℃に保持した。
工程3:溶液中のPb及びSeのモル比が2:1になるように、注射器でセレンのストック溶液を取って、160℃温度の鉛のストック溶液に迅速に加えた。注入した後、温度は一般的に30℃程度下げられ、反応温度を130℃程度に保持して、300秒反応させた時点で、ヒーターの電源をオフにし、冷却してセレン化鉛量子ドットを得た。
工程4:得られた前記セレン化鉛量子ドットを、トルエン及びメタノールの混合溶液(トルエン及びメタノールの体積比は1:3である)に添加し、該混合溶液を遠心分離して上清液を除去し、その後、再度トルエン及びメタノールの混合溶液(トルエン及びメタノールの体積比は1:3である)に添加し、このような操作を2回繰り返して、最後に沈殿物を得、得られた該沈殿物をトルエンで溶解して、セレン化鉛量子ドットの透明溶液を得た。
工程1:1mMolのセレン粉末及び5mlのオクタデセン(ODE)を25mlの三口フラスコへ添加し、200℃−220℃に加熱し、攪拌してセレン粉末を完全、均一に溶解させた後、5〜10分間の保温を行い、室温まで冷却してセレンのストック溶液を得た。
工程2:1mMolの酢酸鉛、3mMolのオレイン酸(OA)及び5mlのオクタデセン(ODE)を25mlの三口フラスコに加入し、アルゴンガス雰囲気中で190℃の温度に加熱し、マグネチックスターラーによる激しい攪拌の下で十分に溶解させて鉛のストック溶液を形成し、温度を190℃に保持した。
工程3:溶液中のPb及びSeのモル比が1:1になるように、注射器でセレンのストック溶液を取って、190℃温度の鉛のストック溶液に迅速に加えた。注入した後、温度は一般的に30℃程度下げられ、反応温度を160℃程度に保持して、300秒反応させた時点で、ヒーターの電源をオフにし、冷却してセレン化鉛量子ドットを得た。
工程4:得られた前記セレン化鉛量子ドットを、トルエン及びメタノールの混合溶液(トルエン及びメタノールの体積比は1:3である)に添加し、該混合溶液を遠心分離して上清液を除去し、その後、再度トルエン及びメタノールの混合溶液(トルエン及びメタノールの体積比は1:3である)に添加し、このような操作を2回繰り返して、最後に沈殿物を得、得られた該沈殿物をトルエンで溶解してセレン化鉛量子ドットの透明溶液を得た。
Claims (7)
- 工程1:セレン粉末とオクタデセンを混合し、加熱しながら攪拌してセレン粉末を完全に溶解させた後、5〜10分保温し、その後、室温まで冷却してセレンのストック溶液を得る工程と、
工程2:鉛化合物、オレイン酸、オクタデセン及びベンゾフェノンを混合し、溶解させて鉛のストック溶液を得た後、温度を130℃−190℃に保温する工程と、
工程3:工程1のセレンのストック溶液を、工程2の鉛のストック溶液に迅速に加え、反応温度を100℃−160℃に保持しながら反応を行い、反応が冷却した後第一段階のセレン化鉛量子ドットを得る工程と、
工程4:第一段階のセレン化鉛量子ドットを、トルエン及びメタノールの混合溶液に添加し、該混合溶液を遠心分離させ、上清液を除去して沈殿物を得、得られた沈殿物をトルエンで溶解して純粋なセレン化鉛量子ドットの透明溶液を得る工程と、を含むセレン化鉛量子ドットの製造方法。 - 前記工程2において、前記鉛化合物、オレイン酸、オクタデセン及びベンゾフェノンは、不活性ガス雰囲気の下で、加熱しながら攪拌して溶解されることを特徴とする、請求項1に記載のセレン化鉛量子ドットの製造方法。
- 前記の不活性ガスはアルゴンガスであり、前記攪拌はマグネチックスターラーによる攪拌であることを特徴とする、請求項2に記載のセレン化鉛量子ドットの製造方法。
- 前記工程2において、前記鉛化合物は、酸化鉛又は酢酸鉛であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のセレン化鉛量子ドットの製造方法。
- 前記工程3において、反応時間は300秒であることを特徴とする、請求項1に記載のセレン化鉛量子ドットの製造方法。
- 前記工程4において、トルエン及びメタノールの体積比は1:3であることを特徴とする、請求項1に記載のセレン化鉛量子ドットの製造方法。
- 前記工程4において、前記混合液を遠心分離させ、上清液を除去する操作を、少なくとも3回繰り返すことを特徴とする、請求項1に記載のセレン化鉛量子ドットの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2010/072594 WO2011140700A1 (zh) | 2010-05-11 | 2010-05-11 | 硒化铅量子点的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013525244A JP2013525244A (ja) | 2013-06-20 |
JP5537731B2 true JP5537731B2 (ja) | 2014-07-02 |
Family
ID=44913833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013505303A Expired - Fee Related JP5537731B2 (ja) | 2010-05-11 | 2010-05-11 | セレン化鉛量子ドットの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130048922A1 (ja) |
EP (1) | EP2570383B1 (ja) |
JP (1) | JP5537731B2 (ja) |
CN (1) | CN102971255B (ja) |
WO (1) | WO2011140700A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9067787B2 (en) * | 2010-06-16 | 2015-06-30 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Method for the formation of PbSe nanowires in non-coordinating solvent |
CN103130201B (zh) * | 2013-02-22 | 2015-02-11 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种硒化锌荧光纳米颗粒及其制备方法 |
CN103275724B (zh) | 2013-05-31 | 2015-03-11 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种荧光纳米颗粒的制备方法 |
US9505618B2 (en) | 2013-11-27 | 2016-11-29 | Ana G. Méndez University System | Synthesis and characterization of lead selenide capped with a benzoate ligand |
CN103626139A (zh) * | 2013-11-28 | 2014-03-12 | 天津大学 | 纳秒脉冲激光诱导局部过饱和合成硒化铅量子点的方法 |
US9759652B2 (en) * | 2015-02-28 | 2017-09-12 | Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College | Quantum dot light emitting diodes for multiplex gas sensing |
CN109713134A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-05-03 | 长春工业大学 | 一种掺杂PbSe量子点的光敏聚合物有源层薄膜制备方法 |
KR20210122564A (ko) | 2020-04-01 | 2021-10-12 | 주식회사 엘지화학 | 양자점의 정제 방법 |
CN111682118B (zh) * | 2020-06-24 | 2023-06-09 | 合肥福纳科技有限公司 | 量子点的制备方法、光敏层和太阳能电池器件 |
CN114620693B (zh) * | 2022-03-04 | 2023-08-22 | 浙大城市学院 | 基于疏水合成体系的硒化铅纳米棒可控生长方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2454355C (en) * | 2001-07-30 | 2011-05-10 | The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | High quality colloidal nanocrystals and methods of preparing the same in non-coordinating solvents |
JP2004243507A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-09-02 | Hitachi Software Eng Co Ltd | 半導体ナノ粒子及びその製造方法 |
US8137457B2 (en) * | 2004-07-23 | 2012-03-20 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | One-pot synthesis of high-quality metal chalcogenide nanocrystals without precursor injection |
US7575699B2 (en) * | 2004-09-20 | 2009-08-18 | The Regents Of The University Of California | Method for synthesis of colloidal nanoparticles |
GB2472541B (en) * | 2005-08-12 | 2011-03-23 | Nanoco Technologies Ltd | Nanoparticles |
GB0522027D0 (en) * | 2005-10-28 | 2005-12-07 | Nanoco Technologies Ltd | Controlled preparation of nanoparticle materials |
CN100384741C (zh) * | 2006-08-24 | 2008-04-30 | 同济大学 | 杯芳烃调控溶剂热体系制备铅的硫属化合物纳米材料的方法 |
US8313714B2 (en) * | 2007-04-13 | 2012-11-20 | William Marsh Rice University | Synthesis of uniform nanoparticle shapes with high selectivity |
CN101070183B (zh) * | 2007-05-24 | 2010-06-02 | 上海大学 | 纳米硒化铅的电子束辐照合成方法 |
JP5490703B2 (ja) * | 2007-10-05 | 2014-05-14 | エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ | ナノ結晶の形成方法 |
WO2009120688A1 (en) * | 2008-03-24 | 2009-10-01 | University Of Rochester | Magic size nanoclusters and methods of preparing same |
KR101462653B1 (ko) * | 2008-05-20 | 2014-11-17 | 삼성전자 주식회사 | 카르벤 유도체를 이용한 나노입자 제조방법 |
RU2381304C1 (ru) * | 2008-08-21 | 2010-02-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт прикладной акустики" | Способ синтеза полупроводниковых квантовых точек |
EP2163301A3 (en) * | 2008-09-11 | 2010-04-28 | Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) | Process for manufacturing colloidal materials, colloidal materials and their uses |
US8642991B2 (en) * | 2008-11-11 | 2014-02-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photosensitive quantum dot, composition comprising the same and method of forming quantum dot-containing pattern using the composition |
JP5698679B2 (ja) * | 2009-01-16 | 2015-04-08 | ユニバーシティ・オブ・ユタ・リサーチ・ファウンデイション | コロイドナノ結晶の低温合成 |
-
2010
- 2010-05-11 CN CN201080064180.XA patent/CN102971255B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-05-11 EP EP10851207.0A patent/EP2570383B1/en not_active Not-in-force
- 2010-05-11 US US13/696,378 patent/US20130048922A1/en not_active Abandoned
- 2010-05-11 WO PCT/CN2010/072594 patent/WO2011140700A1/zh active Application Filing
- 2010-05-11 JP JP2013505303A patent/JP5537731B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013525244A (ja) | 2013-06-20 |
CN102971255A (zh) | 2013-03-13 |
EP2570383B1 (en) | 2016-03-16 |
EP2570383A1 (en) | 2013-03-20 |
US20130048922A1 (en) | 2013-02-28 |
EP2570383A4 (en) | 2014-06-25 |
WO2011140700A1 (zh) | 2011-11-17 |
CN102971255B (zh) | 2014-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5537731B2 (ja) | セレン化鉛量子ドットの製造方法 | |
Chen et al. | Silica-coated Mn-doped CsPb (Cl/Br) 3 inorganic perovskite quantum dots: exciton-to-Mn energy transfer and blue-excitable solid-state lighting | |
Chen et al. | Non-injection gram-scale synthesis of cesium lead halide perovskite quantum dots with controllable size and composition | |
Chen et al. | Pure colors from core–shell quantum dots | |
Chen et al. | Tunable photoluminescence of CsPbBr3 perovskite quantum dots for their physical research | |
Yang et al. | High color purity and efficient green light-emitting diode using perovskite nanocrystals with the size overly exceeding bohr exciton diameter | |
Singh et al. | Magic-sized CdSe nanoclusters: a review on synthesis, properties and white light potential | |
Zhang et al. | Controlled synthesis and photonics applications of metal halide perovskite nanowires | |
JP2018115315A (ja) | 可視蛍光を発するCdを含まないコロイダル量子ドット及びその製造方法 | |
JP2010106119A (ja) | 半導体ナノ粒子蛍光体 | |
Li et al. | A review on the synthesis methods of CdSeS-based nanostructures | |
TW202045684A (zh) | 用於提升量子產率之量子點的小分子鈍化作用 | |
Li et al. | Chemical synthesis and applications of colloidal metal phosphide nanocrystals | |
WO2015178553A1 (ko) | 질화붕소 양자점 제작 방법 | |
Ning et al. | Synthesis, optical properties and growth process of In2S3 nanoparticles | |
KR20190052222A (ko) | 더블 페로브스카이트 결정 구조를 갖는 비스무스계 양자점, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 소자 | |
Riehle et al. | Role of alcohol in the synthesis of CdS quantum dots | |
Rao et al. | CsPbBr3/Cs4PbBr6 heterostructure solids with high stability and photoluminescence for white light-emitting diodes | |
Yadav et al. | Investigation of Photophysical Properties of Ternary Zn–Ga–S Quantum Dots: Band Gap versus Sub-Band-Gap Excitations and Emissions | |
Kim et al. | Fabrication of visible-light sensitized ZnTe/ZnSe (core/shell) type-II quantum dots | |
Huang et al. | Cadmium-and zinc-alloyed Cu–In–S nanocrystals and their optical properties | |
CN103059839B (zh) | 具有窄的发光的纳米粒子的制备 | |
JP2012144587A (ja) | 化合物半導体粒子の製造方法 | |
JP2022527219A (ja) | ナノ結晶 | |
Xiao et al. | ZnS nanocrystals and nanoflowers synthesized by a green chemistry approach: Rare excitonic photoluminescence achieved by the tunable molar ratio of precursors |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140408 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140425 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5537731 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |