KR20190052222A - 더블 페로브스카이트 결정 구조를 갖는 비스무스계 양자점, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 소자 - Google Patents
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- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 38
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 72
- -1 bismuth halide Chemical class 0.000 claims description 29
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 18
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 claims description 15
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 11
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 9
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 9
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 9
- KOECRLKKXSXCPB-UHFFFAOYSA-K triiodobismuthane Chemical compound I[Bi](I)I KOECRLKKXSXCPB-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 9
- TXKAQZRUJUNDHI-UHFFFAOYSA-K bismuth tribromide Chemical compound Br[Bi](Br)Br TXKAQZRUJUNDHI-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 8
- JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K bismuth chloride Chemical compound Cl[Bi](Cl)Cl JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- ZOAIGCHJWKDIPJ-UHFFFAOYSA-M caesium acetate Chemical compound [Cs+].CC([O-])=O ZOAIGCHJWKDIPJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229940049964 oleate Drugs 0.000 claims description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 42
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 21
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadecene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N hexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N tetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N undecane Chemical compound CCCCCCCCCCC RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N decanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- UCIDYSLOTJMRAM-UHFFFAOYSA-N hexadec-1-yne Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC#C UCIDYSLOTJMRAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IYDNQWWOZQLMRH-UHFFFAOYSA-N octadec-1-yne Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC#C IYDNQWWOZQLMRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 1-hexanamine Chemical compound CCCCCCN BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005632 Capric acid (CAS 334-48-5) Substances 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N Caprylic acid Natural products CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N benzyl(trichloro)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CC1=CC=CC=C1 GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- LAWOZCWGWDVVSG-UHFFFAOYSA-N dioctylamine Chemical compound CCCCCCCCNCCCCCCCC LAWOZCWGWDVVSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000005457 ice water Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- DIAIBWNEUYXDNL-UHFFFAOYSA-N n,n-dihexylhexan-1-amine Chemical compound CCCCCCN(CCCCCC)CCCCCC DIAIBWNEUYXDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCCCCCCC)CCCCCCCC XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N n-hexanoic acid Natural products CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXSXRABJBXYMFT-UHFFFAOYSA-N n-hexylhexan-1-amine Chemical compound CCCCCCNCCCCCC PXSXRABJBXYMFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACXGEQOZKSSXKV-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O.CCCCCCCC(O)=O ACXGEQOZKSSXKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 1
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- C09K11/7428—Halogenides
- C09K11/7435—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
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- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/30—Three-dimensional structures
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Abstract
개시된 비스무스계 양자점은, 더블 페로브스카이트 구조를 가지며, 아래의 화학식 1로 나타내지는 화학 조성을 갖다.
<화학식 1>
Cs3Bi2X9(X = Cl, Br 또는 I)
<화학식 1>
Cs3Bi2X9(X = Cl, Br 또는 I)
Description
본 발명은 양자점에 관한 것이며, 보다 자세하게는 더블 페로브스카이트 결정 구조를 갖는 비스무스계 양자점, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.
양자점은 반도체 특성을 가지고 있는 수십 나노미터 이하의 크기를 갖는 나노 입자로서, 양자 제한 효과에 의해 벌크 입자와는 다른 특성을 갖는다. 구체적으로, 양자점의 크기에 따라 밴드갭이 달라지게 되어 흡수하는 파장을 변화시킬 수 있고, 작은 크기로 인한 양자 제한 효과는 벌크 물질에서 볼 수 없는 새로운 광학적, 전기적, 물리적 특성을 보인다. 따라서 이러한 양자점을 이용하여 솔라셀(태양전지), 발광 다이오드와 같은 광전 변환 소자를 제조하는 기술에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.
특히 페로브스카이트(perovskite) 결정 구조를 갖는 양자점은 높은 발광 효율로 인하여, 다양한 분야에서 연구되고 있다. 그러나, 종래의 페로브스카이트 양자점은 주로 납을 포함하고 있어, 유해성으로 인하여 산업적 이용 가능성이 제한되고 있다.
본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 납을 포함하지 않는 더블 페로브스카이트 결정 구조를 갖는 비스무스계 양자점을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 기술적 과제는 상기 양자점의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 기술적 과제는 상기 양자점을 포함하는 전자 소자를 제공하기 위한 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 비스무스계 양자점은, 더블 페로브스카이트 구조를 가지며, 아래의 화학식 1로 나타내지는 화학 조성을 갖다.
<화학식 1>
Cs3Bi2X9(X = Cl, Br 또는 I)
일 실시예에 따르면, 상기 비스무스계 양자점은, 입자 직경이 1 nm 내지 100 nm이며, 350nm 내지 600nm 파장의 광을 흡수하거나 방출할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 양자점의 제조 방법은, 비스무스 할라이드 전구체, 아민 화합물 및 유기산을 포함하는 제1 전구체 용액을 준비하는 단계, 상기 제1 전구체 용액을 제1 온도로 가열하는 단계, 상기 제1 전구체 용액을 제2 온도로 가열하는 단계 및 상기 제2 온도로 가열된 제1 전구체 용액과, 세슘 전구체를 포함하는 제2 전구체 용액을 혼합하여, 더블 페로브스카이트 구조를 가지는 비스무스계 양자점을 형성하는 단계를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 아민은 올레일 아민을 포함하고, 상기 유기산은 올레인 산을 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 비스무스 할라이드 전구체는, 비스무스 아이오다이드, 비스무스 클로라이드 및 비스무스 브로마이드로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 세슘 전구체는, 세슘 카르보네이트, 세슘 아세테이트 및 세슘 올레에이트로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 온도는 100℃ 내지 130℃이다.
일 실시예에 따르면, 상기 비스무스 할라이드 전구체는 비스무스 아이오다이드를 포함하고, 상기 제2 온도는 90℃ 내지 170℃이다.
일 실시예에 따르면, 상기 비스무스 할라이드 전구체는 비스무스 브로마이드를 포함하고, 상기 제2 온도는 150℃ 내지 190℃이다.
일 실시예에 따르면, 상기 비스무스 할라이드 전구체는 비스무스 클로라이드를 포함하고, 상기 제2 온도는 170℃ 내지 230℃이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 소자는, 광원 및 상기 광원으로부터 제공된 광의 파장을 변환하는 양자점을 포함하며, 상기 양자점은 더블 페로브스카이트 구조를 갖는다.
본 발명에 따르면, 더블 페로브스카이트 결정 구조를 갖는 비스무스계 양자점을 얻을 수 있다.
상기 양자점은 유기 물질을 포함하지 않는 무기(inorganic)계 양자점으로서 높은 안정성을 가질 수 있으며, 납 등과 같은 유해 금속을 포함하지 않는다. 또한, 더블 페로브스카이트 결정 구조를 가짐으로써 높은 발광 효율을 가질 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 더블 페로브스카이트 결정 구조를 갖는 비스무스계 양자점의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 소자를 도시한 단면도이다.
도 3a는 실시예 1 내지 3의 양자점들의 흡수 스펙트럼을 도시한 그래프이다.
도 3b는 실시예 1 내지 3의 양자점들의 발광 스펙트럼을 도시한 그래프이다.
도 4는 실시예 4 및 5의 양자점들의 흡수 스펙트럼을 도시한 그래프 및 양자점 분산액을 보여주는 사진이다.
도 5a는 실시예 3의 양자점의 투과전자현미경(TEM) 사진이다.
도 5b는 실시예 3의 양자점(흑색 선) 및 더블 페로브스카이트 구조를 갖는 Cs3Bi2I9 벌크 박막(적색 막대)의 X선 회절 패턴을 도시한 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 소자를 도시한 단면도이다.
도 3a는 실시예 1 내지 3의 양자점들의 흡수 스펙트럼을 도시한 그래프이다.
도 3b는 실시예 1 내지 3의 양자점들의 발광 스펙트럼을 도시한 그래프이다.
도 4는 실시예 4 및 5의 양자점들의 흡수 스펙트럼을 도시한 그래프 및 양자점 분산액을 보여주는 사진이다.
도 5a는 실시예 3의 양자점의 투과전자현미경(TEM) 사진이다.
도 5b는 실시예 3의 양자점(흑색 선) 및 더블 페로브스카이트 구조를 갖는 Cs3Bi2I9 벌크 박막(적색 막대)의 X선 회절 패턴을 도시한 그래프이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
더블 페로브스카이트 결정 구조를 갖는 비스무스계 양자점의 제조 방법
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 더블 페로브스카이트 결정 구조를 갖는 비스무스계 양자점의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
먼저, 비스무스 할라이드 전구체, 아민 화합물 및 유기산을 포함하는 제1 전구체 용액을 준비한다(S10).
예를 들어, 상기 비스무스 할라이드 전구체는, 비스무스 아이오다이드, 비스무스 클로라이드, 비스무스 브로마이드 등을 포함할 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 아민 화합물은, 계면활성제 역할을 하여, 양자점 입자의 크기 균일도를 증가시킬 수 있다. 또한, 상기 아민 화합물은, 전구체들의 반응을 촉진하여 불순물의 생성을 줄이고, 양자점 생성 효율을 증가시킬 수 있다.
예를 들어, 상기 아민 화합물은 탄소수 6 이상의 알킬 체일을 갖는, 옥틸 아민, 헥실 아민, 올레일 아민, 디옥틸 아민, 디헥실 아민, 트리옥틸 아민, 트리헥실 아민 등을 포함할 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다. 바람직하게는, 상기 아민 화합물로는 올레일 아민이 사용될 수 있다.
상기 유기산은 양자점 표면에 유기 리간드를 형성하여 양자점의 분산성을 개선함으로써, 용액반응 공정에서 양자점 성장에 중요한 역할을 한다.
예를 들어, 상기 유기산은 포름산(formic acid), 아세트산(acetic acid), 프로피온산(propionic acid), 발레릭산(valeric acid), 부티르산(butyric acid), 헥사노익산(hexanoic acid), 카프릴산(caprylic acid), 카프릭산(capric acid), 라우릭산(lauric acid), 올레인 산(oleic acid) 등을 포함할 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다. 바람직하게는, 상기 유기산으로는, 긴 알킬 체인을 갖는 올레인산이 사용될 수 있다.
상기 제1 전구체 용액은 용매를 더 포함할 수 있다. 상기 용매는, 전구체에 대하여 반응성을 갖지 않는 비반응성 용매일 수 있으며, 예를 들어, 하이드로카본을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하이드로카본으로는 헥산, 도데칸, 데칸, 언데칸, 테트라데칸, 헥사데칸, 1-헥사데신, 1-옥타데신, 디페닐에테르 등이 사용될 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 전구체 용액은 가열될 수 있다(S20). 예를 들어, 상기 제1 전구체 용액은 약 100℃ 내지 약 130℃의 제1 온도 범위에서 가열될 수 있다. 바람직하게, 상기 가열은 진공에서 진행되거나, 질소 가스, 아르곤 가스 등을 포함하는 불활성 분위기에서 진행된다. 예를 들어, 상기 가열을 통해, 상기 비스무스 할라이드 전구체와 유기산의 반응이 진행될 수 있다.
다음으로, 상기 제1 전구체 용액을 제2 온도 범위로 가열한다(S30). 상기 제2 온도 범위는 상기 비스무스 할라이드 전구체의 종류에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 상기 비스무스 할라이드 전구체가 비스무스 아이오다이드인 경우, 상기 제2 온도 범위는 약 90℃ 내지 약 170℃일 수 있다. 상기 비스무스 할라이드 전구체가 비스무스 브로마이드인 경우, 상기 제2 온도 범위는 약 150℃ 내지 약 190℃일 수 있다. 상기 비스무스 할라이드 전구체가 비스무스 클로라이드인 경우, 상기 제2 온도 범위는 약 170℃ 내지 약 230℃일 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 상기와 같은 제2 온도 범위에서 본 발명이 목적하는 더블 페로브스카이트 결정 구조를 갖는 비스무스계 양자점을 얻을 수 있으며, 상기 제2 온도 범위를 조절함으로써, 양자점 입자의 직경 및 흡수 파장을 조절할 수 있다.
다음으로, 상기 제1 전구체 용액과 세슘 전구체를 포함하는 제2 전구체 용액을 혼합하여, 비스무스 할라이드 전구체와 세슘 전구체를 반응시킨다(S40). 상기 제2 전구체 용액은, 상기 제1 전구체 용액을 상기 제2 온도 범위로 가열한 후, 주사기 등을 통하여 빠르게 주입될 수 있다. 따라서, 상기 비스무스 할라이드 전구체와 상기 세슘 전구체의 용액 반응은 상기 제2 온도 범위에서 이루어질 수 있다.
예를 들어, 상기 세슘 전구체는 세슘 카르보네이트, 세슘 아세테이트, 세슘 올레에이트 등을 포함할 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 혼합되어 사용될 수 있다. 바람직하게 상기 세슘 전구체는 세슘 카르보네이트를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 전구체 용액은, 유기산을 더 포함할 수 있다. 상기 유기산은 상기 제1 전구체 용액에 사용된 것과 동일한 것일 수 있으며, 예를 들어, 올레인 산을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 전구체 용액은, 헥산, 도데칸, 데칸, 언데칸, 테트라데칸, 헥사데칸, 1-헥사데신, 1-옥타데신, 디페닐에테르 등과 같은 하이드로카본 용매를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명이 목적하는 더블 페로브스카이트 결정 구조를 갖는 비스무스계 양자점을 얻기 위해서는 상기 비스무스 할라이드 전구체 및 상기 세슘 전구체의 몰비는 약 1:2인 것이 바람직하다.
상기 양자점 합성 반응을 종료하기 위하여, 상기 반응 용액은, 헥산, 얼음물 등을 이용하여 빠르게 냉각(quenching)될 수 있다.
본 발명에 따르면, 상기 과정을 통해 더블 페로브스카이트 결정 구조를 갖는 비스무스계 양자점을 얻을 수 있다. 구체적으로, 상기 양자점은 아래의 화학식 1로 나타내질 수 있다.
<화학식 1>
Cs3Bi2X9(X = Cl, Br 또는 I)
상기 양자점은 유기 물질을 포함하지 않는 무기(inorganic)계 양자점으로서 높은 안정성을 가질 수 있으며, 납 등과 같은 유해 금속을 포함하지 않는다. 또한, 더블 페로브스카이트 결정 구조를 가짐으로써 높은 발광 효율을 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 양자점의 직경은 1 nm 내지 100 nm일 수 있으며, 상기 양자점은, 가시 광선 영역에 해당하는 350nm 내지 600nm의 파장을 흡수하거나 방출할 수 있다.
양자점을 포함하는 전자 소자
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 소자를 도시한 단면도이다. 본 발명의 일 실시에에 따른 전자 소자는, 발광 다이오드 패키지일 수 있다.
예를 들어, 전자 소자는, 광원(110), 베이스 기판(120) 및 파장 변환층(130)을 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(120) 위에는 상기 광원(110)이 배치될 수 있다. 상기 광원(110)은 접착제 등을 통해 상기 베이스 기판(120)의 다이본딩 영역에 부착될 수 있다. 상기 베이스 기판(120) 위에는 상기 광원(110)이 배치되는 수용 공간(140)을 정의하는 격벽(122)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 광원(110)은 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
상기 파장 변환층(130)은, 상기 광원(110)으로부터 여기 광을 제공받을 수 있도록, 상기 수용 공간(140) 위에 배치될 수 있다.
상기 파장 변환층(130)은, 양자점을 포함할 수 있다. 상기 양자점은 상기 광원(110)으로부터 제공된 광의 파장을 변환하여 광의 특성(색상 등)을 조절할 수 있다. 상기 양자점은 기설명된 본 발명의 일 실시예에 따른 더블 페로브스카이트 결정 구조를 갖는 비스무스계 양자점이다.
상기 양자점은 투명 물질 내에 분산되될 수 있다. 예를 들어, 상기 투명 물질은 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리스티렌(polystyrene, PS), 폴리프로필렌(polypropylene, PP), 폴리아미드(polyamide, PA), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 에폭시 수지, 실리콘 수지 등을 포함할 수 있다.
상기 실시예에서는, 양자점을 포함하는 전자 소자로서, 발광 다이오드 패키지를 예로 들었으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 양자점을 포함하는 전자 소자는 양자점을 포함하는 표시 장치이거나, 양자점 광전 변환층을 포함하는 태양 전지 등일 수 있다.
이하에서는 구체적인 양자점의 합성예 및 실험예를 통하여, 본 발명의 실시예를 설명하기로 한다.
실시예 1
둥근 플라스크에서 비스무스 아이오다이드 0.11g, 올레인산 0.5ml 및 올레일아민 0.5ml를 5ml의 옥타데센과 혼합하고, 120℃에서 진공 상태를 유지하여 제1 전구체 용액을 준비하였다.
상기 제1 전구체 용액을 170℃로 승온하고, 세슘 카르보네이트 0.02g, 올레인산 0.1ml 및 옥타데센 1ml를 포함하는 제2 전구체 용액을 빠르게 주사한 후, 30초 동안 성장 반응을 진행한 후, 빠르게 냉각하였다.
상기 반응 용액에 에틸 아세테이트와 헥산을 투입한 후, 원심분리기를 이용하여 Cs3Bi2I9 양자점을 수득하였다.
실시예 2
둥근 플라스크에서 비스무스 브로마이드 0.084g, 올레인산 0.5ml 및 올레일아민 0.5ml를 5ml의 옥타데센과 혼합하고, 110℃에서 진공 상태를 유지하여 제1 전구체 용액을 준비하였다.
상기 제1 전구체 용액을 170℃로 승온하고, 상기 제1 전구체 용액에, 세슘 카르보네이트 0.02g, 올레인산 0.1ml 및 옥타데센 1ml를 포함하는 제2 전구체 용액을 빠르게 주사한 후, 30초 동안 성장 반응을 진행한 후, 빠르게 냉각하였다.
상기 반응 용액에 에틸 아세테이트와 헥산을 투입한 후, 원심분리기를 이용하여 Cs3Bi2Br9 양자점을 수득하였다.
실시예 3
둥근 플라스크에서 비스무스 브로마이드 0.059g, 올레인산 0.5ml 및 올레일아민 0.5ml를 5ml의 옥타데센과 혼합하고, 110℃에서 진공 상태를 유지하여 제1 전구체 용액을 준비하였다.
상기 제1 전구체 용액을 170℃로 승온하고, 상기 제1 전구체 용액에, 세슘 카르보네이트 0.02g, 올레인산 0.1ml 및 옥타데센 1ml를 포함하는 제2 전구체 용액을 빠르게 주사한 후, 30초 동안 성장 반응을 진행한 후, 빠르게 냉각하였다.
상기 반응 용액에 에틸 아세테이트와 헥산을 투입한 후, 원심분리기를 이용하여 Cs3Bi2Cl9 양자점을 수득하였다.
실시예 4
둥근 플라스크에서 비스무스 아이오다이드 0.11g, 올레인산 0.5ml 및 올레일아민 0.5ml를 5ml의 옥타데센과 혼합하고, 110℃에서 진공 상태를 유지하여 제1 전구체 용액을 준비하였다.
상기 제1 전구체 용액을 120℃로 승온하고, 세슘 카르보네이트 0.02g, 올레인산 0.1ml 및 옥타데센 1ml를 포함하는 제2 전구체 용액을 빠르게 주사한 후, 30초 동안 성장 반응을 진행한 후, 빠르게 냉각하였다.
상기 반응 용액에 에틸 아세테이트와 헥산을 투입한 후, 원심분리기를 이용하여 Cs3Bi2I9 양자점을 수득하였다.
실시예 5
둥근 플라스크에서 비스무스 아이오다이드 0.11g, 올레인산 0.5ml 및 올레일아민 0.5ml를 5ml의 옥타데센과 혼합하고, 110℃에서 진공 상태를 유지하여 제1 전구체 용액을 준비하였다.
상기 제1 전구체 용액을 90℃로 감온하고, 세슘 카르보네이트 0.02g, 올레인산 0.1ml 및 옥타데센 1ml를 포함하는 제2 전구체 용액을 빠르게 주사한 후, 30초 동안 성장 반응을 진행한 후, 빠르게 냉각하였다.
상기 반응 용액에 에틸 아세테이트와 헥산을 투입한 후, 원심분리기를 이용하여 Cs3Bi2I9 양자점을 수득하였다.
상기 실시예 1 내지 3의 양자점들을 헥산에 재분산한 후, 광 스펙트럼을 측정하였다.
도 3a는 실시예 1 내지 3의 양자점들의 흡수 스펙트럼을 도시한 그래프이고, 도 3b는 실시예 1 내지 3의 양자점들의 발광 스펙트럼을 도시한 그래프이다.
도 3a 및 3b를 참조하면, 본 발명의 제조 방법을 통해, 서로 다른 흡광/발광 특성을 갖는 양자점을 얻을 수 있음을 확인할 수 있다.
도 4는 실시예 4 및 5의 양자점들의 흡수 스펙트럼을 도시한 그래프 및 양자점 분산액을 보여주는 사진이다.
도 4를 참조하면, 반응 온도(제2 전구체 투입 온도)의 조절을 통하여, 서로 다른 흡광/발광 특성을 갖는 양자점을 얻을 수 있음을 확인할 수 있다.
도 5a는 실시예 3의 양자점의 투과전자현미경(TEM) 사진이며, 도 5b는 실시예 3의 양자점(흑색 선) 및 더블 페로브스카이트 구조를 갖는 Cs3Bi2I9 벌크 박막(적색 막대)의 X선 회절 패턴을 도시한 그래프이다.
도 5a를 참조하면, 실시예 3을 통하여 균일한 크기의 양자점이 얻어진 것을 확인할 수 있다. 또한, 도 5b를 참조하면, 실시예 3의 양자점은 더블 페로브스카이트 구조를 갖는 Cs3Bi2I9 벌크 박막과 유사한 X선 회절 패턴을 나타내었으며, 이를 통해, 실시예 3의 양자점 역시 더블 페로브스카이트 구조를 가짐을 알 수 있다.
본 발명은 양자점의 제조 및 양자점을 이용하는 광원, 태양 전지, 표시 장치 등과 같은 전자 소자에 이용될 수 있다.
이상에서는 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (11)
- 더블 페로브스카이트 구조를 가지며, 아래의 화학식 1로 나타내지는 화학 조성을 갖는 비스무스계 양자점.
<화학식 1>
Cs3Bi2X9(X = Cl, Br 또는 I) - 제1항에 있어서, 입자 직경이 1 nm 내지 100 nm이며, 350nm 내지 600nm 파장의 광을 흡수하거나 방출할 수 있는 것을 특징으로 하는 비스무스계 양자점.
- 비스무스 할라이드 전구체, 아민 화합물 및 유기산을 포함하는 제1 전구체 용액을 준비하는 단계;
상기 제1 전구체 용액을 제1 온도로 가열하는 단계;
상기 제1 전구체 용액을 제2 온도로 가열하는 단계; 및
상기 제2 온도로 가열된 제1 전구체 용액과, 세슘 전구체를 포함하는 제2 전구체 용액을 혼합하여, 더블 페로브스카이트 구조를 가지며, 아래의 화학식 1로 나타내지는 화학 조성을 갖는 비스무스계 양자점을 형성하는 단계를 포함하는 양자점의 제조 방법.
<화학식 1>
Cs3Bi2X9(X = Cl, Br 또는 I) - 제3항에 있어서, 상기 아민은 올레일 아민을 포함하고, 상기 유기산은 올레인 산을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 비스무스 할라이드 전구체는, 비스무스 아이오다이드, 비스무스 클로라이드 및 비스무스 브로마이드로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 세슘 전구체는, 세슘 카르보네이트, 세슘 아세테이트 및 세슘 올레에이트로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 제1 온도는 100℃ 내지 130℃인 것을 특징으로 하는 양자점의 제조 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 비스무스 할라이드 전구체는 비스무스 아이오다이드를 포함하고, 상기 제2 온도는 90℃ 내지 170℃인 것을 특징으로 하는 양자점의 제조 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 비스무스 할라이드 전구체는 비스무스 브로마이드를 포함하고, 상기 제2 온도는 150℃ 내지 190℃인 것을 특징으로 하는 양자점의 제조 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 비스무스 할라이드 전구체는 비스무스 클로라이드를 포함하고, 상기 제2 온도는 170℃ 내지 230℃인 것을 특징으로 하는 양자점의 제조 방법.
- 광원; 및
상기 광원으로부터 제공된 광의 파장을 변환하는 양자점을 포함하며, 상기 양자점은 더블 페로브스카이트 구조를 가지며, 아래의 화학식 1로 나타내지는 화학 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
<화학식 1>
Cs3Bi2X9(X = Cl, Br 또는 I)
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Country | Link |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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