JP5534741B2 - 基板用保持フレームの製造方法 - Google Patents
基板用保持フレームの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5534741B2 JP5534741B2 JP2009185561A JP2009185561A JP5534741B2 JP 5534741 B2 JP5534741 B2 JP 5534741B2 JP 2009185561 A JP2009185561 A JP 2009185561A JP 2009185561 A JP2009185561 A JP 2009185561A JP 5534741 B2 JP5534741 B2 JP 5534741B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- holding frame
- electron beam
- irradiated
- holding
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
保持フレームを、ポリアミド系樹脂を含む成形材料により成形し、この成形した保持フレームの一方向から電子線を照射した後、被照射面を変更して電子線を照射し、電子線の照射量を、保持フレームに対する電子線の照射深さ10mm当たり10〜50kGyとすることにより、保持フレームの反りを0.3mm以下とすることを特徴としている。
また、電子線照射の度に包装箱を上下方向に90°回転させ、この包装箱の上方向から複数の保持フレームに電子線を再度照射すれば、保持フレームに電子線の未照射領域が発生するのを減少させることができる。
〔実施例1〕
先ず、6インチの半導体ウェーハ用の保持フレームを製造するため、専用の金型を型締めして射出成形機にナイロン(三菱エンジニアリング株式会社製:商品名レニー)を含む成形材料を投入し、この成形材料を溶融して金型内に射出することにより保持フレームを成形し、保圧した。成形材料は、ナイロンとガラス繊維とを混合して調製した。成形材料を射出したら、金型を脱型することにより、6インチの半導体ウェーハ用の保持フレームを取り出した。この6インチの半導体ウェーハ用の保持フレームは、内径194mm、外径228mm、厚さ1.5mmの大きさであるのを確認した。
先ず、8インチの半導体ウェーハ用の保持フレームを製造するため、専用の金型を型締めして射出成形機にナイロン(三菱エンジニアリング株式会社製:商品名レニー)を含む成形材料を投入し、実施例1と同様、8インチの半導体ウェーハ用の保持フレームを成形して取り出した。この半導体ウェーハ用の保持フレームは、内径250mm、外径296mm、厚さ2mmの大きさであるのを確認した。
実施例1と同様にして6インチの半導体ウェーハ用の保持フレームを製造したが、電子線の照射は省略した。電子線を照射することなく、保持フレームを製造したら、実施例1と同様にしてその反りを測定し、表1にまとめた。
実施例1と同様にして8インチの半導体ウェーハ用の保持フレームを製造したが、電子線の照射は省略した。電子線を照射せずに保持フレームを製造したら、実施例1と同様にしてその反りを測定し、表1に記載した。
実施例1と同様にして6インチの半導体ウェーハ用の保持フレームを製造したが、電子線の照射量は、保持フレームに対する電子線の照射深さ10mm当たり、1.4〜5.2kGyの範囲とした。保持フレームを製造したら、実施例1と同様にしてその反りを測定し、表1に記載した。
実施例1と同様にして8インチの半導体ウェーハ用の保持フレームを製造したが、電子線の照射量は、保持フレームに対する電子線の照射深さ10mm当たり、2.3〜7.8kGyの範囲とした。保持フレームを製造したら、実施例1と同様にしてその反りを測定し、表1に記載した。
実施例1と同様にして6インチの半導体ウェーハ用の保持フレームを製造したが、電子線の照射量は、保持フレームに対する電子線の照射深さ10mm当たり、62.1〜86.9kGyの範囲とした。保持フレームを製造したら、実施例1と同様にしてその反りを測定し、表1に記載した。
実施例1と同様にして8インチの半導体ウェーハ用の保持フレームを製造したが、電子線の照射量は、保持フレームに対する電子線の照射深さ10mm当たり、51.4〜93.8kGyの範囲とした。保持フレームを製造したら、実施例1と同様にしてその反りを測定し、表1にまとめた。
2 内周面
3 中空部
10 粘着保持層
20 内ケース
21 段ボール箱(包装箱)
W 半導体ウェーハ(基板)
Claims (2)
- 中空の保持フレーム内に基板を収容する基板用保持フレームの製造方法であって、保持フレームを、ポリアミド系樹脂を含む成形材料により成形し、この成形した保持フレームの一方向から電子線を照射した後、被照射面を変更して電子線を照射し、電子線の照射量を、保持フレームに対する電子線の照射深さ10mm当たり10〜50kGyとすることにより、保持フレームの反りを0.3mm以下とすることを特徴とする基板用保持フレームの製造方法。
- 成形した保持フレームを包装箱に起立させた状態で複数収納し、この包装箱の上方向から複数の保持フレームに電子線を照射するとともに、電子線照射の度に包装箱を上下方向に90°回転させ、この包装箱の上方向から複数の保持フレームに電子線を再度照射する請求項1記載の基板用保持フレームの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009185561A JP5534741B2 (ja) | 2009-08-10 | 2009-08-10 | 基板用保持フレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009185561A JP5534741B2 (ja) | 2009-08-10 | 2009-08-10 | 基板用保持フレームの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011037098A JP2011037098A (ja) | 2011-02-24 |
JP5534741B2 true JP5534741B2 (ja) | 2014-07-02 |
Family
ID=43765399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009185561A Active JP5534741B2 (ja) | 2009-08-10 | 2009-08-10 | 基板用保持フレームの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5534741B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0364322A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-19 | Unitika Ltd | 耐熱性ポリアミド成形品の製造法 |
JP2830880B2 (ja) * | 1989-10-09 | 1998-12-02 | 株式会社吉野工業所 | 照射量調節装置 |
DE602004014769D1 (de) * | 2003-06-12 | 2008-08-14 | Fuji Electric Holdings | Reaktive flammschutzmittel und flammgeschützte harzprodukte |
JP4726571B2 (ja) * | 2005-08-09 | 2011-07-20 | 信越ポリマー株式会社 | 半導体ウェーハのダイシング用フレーム |
JP2007246561A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-27 | Asahi Kasei Chemicals Corp | ポリアミド樹脂成形品 |
JP2009076646A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 基板保持具 |
-
2009
- 2009-08-10 JP JP2009185561A patent/JP5534741B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011037098A (ja) | 2011-02-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11784138B2 (en) | Wafer processing with a protective film and peripheral adhesive | |
US7097040B1 (en) | Adhesive backed carrier tape with calibrated levels of low tack adhesion for retention of small components | |
US8052824B2 (en) | Film peeling method and film peeling device | |
TWI549174B (zh) | 製造半導體裝置之方法 | |
KR102499952B1 (ko) | 수지 밀봉 장치 및 수지 밀봉 방법 | |
JP2019145548A (ja) | 樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法 | |
JP5534741B2 (ja) | 基板用保持フレームの製造方法 | |
US7091499B2 (en) | Ultraviolet irradiating method and an apparatus using the same | |
KR100676736B1 (ko) | 칩스케일 패키지용 트레이 | |
US11823941B2 (en) | Method of processing a substrate | |
JP2014165324A (ja) | パッケージ基板の加工方法 | |
TW202245045A (zh) | 附保護構件之被加工物之製造方法、被加工物之加工方法及被加工物的保護構件 | |
JP2006282278A (ja) | ウェハー用梱包体 | |
KR100614619B1 (ko) | 칩스케일 패키지용 트레이 | |
US9824906B2 (en) | Methods and structures for handling integrated circuits | |
JP5970680B2 (ja) | 樹脂モールド品の製造方法、および樹脂除去装置 | |
JP2004311779A (ja) | 半導体ウェーハ収納容器及び半導体ウェーハの搬送方法 | |
JP5378932B2 (ja) | 被研削物の研削方法 | |
JP2001257185A (ja) | 半導体装置の加工方法および半導体基板 | |
KR101828135B1 (ko) | 웨이퍼 가공용 테이프 | |
JP7404007B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
US20100000384A1 (en) | Method for cutting large-size wafer and apparatus for the same | |
JP4567348B2 (ja) | 光学用部品の収容方法 | |
JP2023091211A (ja) | デバイスチップの製造方法、及び板状物 | |
JP2012023270A (ja) | 基板用保持具 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120309 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130619 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130625 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131217 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140124 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140422 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140422 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5534741 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |