JP5534549B2 - Transfer apparatus, transfer method, and device manufacturing method - Google Patents

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本発明は、帯状の基板に設けられた複数の区画領域にパターン部材に設けられたパターンを転写する転写装置、転写方法及びデバイス製造方法に関する。   The present invention relates to a transfer apparatus, a transfer method, and a device manufacturing method for transferring a pattern provided on a pattern member to a plurality of partition regions provided on a belt-like substrate.

液晶ディスプレイ(LCD)、プラズマディスプレイパネル(PDP)又は有機EXLといったフラットパネルディスプレイ(FPD)に用いられるガラス基板又は樹脂基板は、画面の大型化の要望に応じサイズが大型化する傾向にある。パターン部材の回路パターンをガラス基板又は樹脂基板に照射する露光装置は、ガラス基板又は樹脂基板の大型化に応じて大型化している。   A glass substrate or a resin substrate used for a flat panel display (FPD) such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), or an organic EXL tends to increase in size in response to a demand for an increase in screen size. An exposure apparatus that irradiates a glass substrate or a resin substrate with a circuit pattern of a pattern member is increased in size in accordance with the increase in size of the glass substrate or the resin substrate.

また露光装置の中には、FPDなどの量産及び大型化に対応するために、ロール状に巻かれた帯状の基板を搬送させて照射する装置も出現している。例えば特許文献1で開示される投影露光装置は、帯状の基板を真空及び真空解除を交互に行うとともにステージ装置が搬送方向に移動することで、帯状の基板を間欠的に搬送している。この特許文献1の投影露光装置によれば、帯状の基板の位置ずれ、伸び、波うち、しわ等が生じるおそれなく、帯状の基板の搬送が行われ、パターン部材のパターンが帯状の基板に照射される。   Among exposure apparatuses, there is an apparatus that conveys and irradiates a band-shaped substrate wound in a roll shape in order to cope with mass production and enlargement of an FPD or the like. For example, in the projection exposure apparatus disclosed in Patent Document 1, the belt-shaped substrate is intermittently transported by alternately performing vacuuming and releasing the vacuum and moving the stage device in the transport direction. According to the projection exposure apparatus of Patent Document 1, the belt-shaped substrate is transported without fear of occurrence of positional deviation, stretching, waves, wrinkles, etc. of the belt-shaped substrate, and the pattern of the pattern member is irradiated onto the belt-shaped substrate. Is done.

特開2007−114385号公報JP 2007-114385 A

しかし、ロール状に巻かれた帯状の基板は、一般に薄くやわらかいため、基板にかかる引張力又は熱処理によって伸縮変形しやすい。また基板に複数の加工が施されると、その変形は複雑である。このため、基板に設けられた区画領域(パターン形成領域)も複雑に変形することとなり、その区画領域に予め形成されたパターンに対して新たなパターンを精度よく重ね合わせることができないという問題があった。   However, since a belt-like substrate wound in a roll shape is generally thin and soft, it is easily stretched and deformed by a tensile force or heat treatment applied to the substrate. Further, when a plurality of processes are performed on the substrate, the deformation is complicated. For this reason, the partition area (pattern formation area) provided on the substrate is also complicatedly deformed, and there is a problem in that a new pattern cannot be accurately superimposed on a pattern previously formed in the partition area. It was.

本発明の態様は、帯状の基板に設けられた区画領域に対して、その変形の有無によらず精度よくパターンを転写することのできる転写装置、転写方法及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。   An aspect of the present invention is to provide a transfer apparatus, a transfer method, and a device manufacturing method that can accurately transfer a pattern to a partition region provided on a belt-like substrate regardless of the presence or absence of deformation. And

本実施形態の第1の態様に従えば、可撓性を有する帯状の基板の長手方向に沿って所定の間隔で配置される複数の露光領域の各々に、電気デバイスのパターンを順次転写する転写装置が提供される。該転写装置は、前記基板を前記長手方向に移送する移送装置と、前記基板の前記露光領域を含む一部を保持し、前記基板の表面に沿って前記長手方向と交差した短手方向と前記長手方向とに移動可能なステージ装置と、前記基板上の1つの露光領域の前記長手方向の異なる複数の領域の各々に前記電気デバイスに対応したパターンの像が投影されるように、前記長手方向に配列された複数の投影光学系と、該投影光学系の各々による前記パターンの像の投影位置、又は像回転の少なくとも1つを個別に補正する為の補正装置とを備えたパターン生成装置と、前記基板の前記露光領域の前記長手方向の周辺と前記短手方向の周辺に形成された複数のマークの各位置を検出する為のアライメントセンサと、該検出された前記複数のマークの各位置に基づいて、前記露光領域の変形に関する情報を算出する演算装置と、前記基板を保持した前記ステージ装置を前記短手方向に所定の速度で移動させつつ、前記変形に関する情報に基づいて前記補正装置を制御して、前記パターン生成装置から投影される前記パターンの像を補正しながら、前記露光領域を前記短手方向に走査露光する制御装置と、を備えることを特徴とする。
According to the first aspect of the present embodiment, the transfer for sequentially transferring the pattern of the electric device to each of the plurality of exposure regions arranged at predetermined intervals along the longitudinal direction of the flexible belt-like substrate. An apparatus is provided. The transfer device holds the transfer device for transferring the substrate in the longitudinal direction, a part including the exposure area of the substrate, and a short direction intersecting the longitudinal direction along the surface of the substrate; A stage apparatus movable in the longitudinal direction, and an image of a pattern corresponding to the electrical device is projected on each of the plurality of different areas in the longitudinal direction of one exposure area on the substrate. A pattern generation device comprising: a plurality of projection optical systems arranged in a plurality of projection optical systems; and a correction device for individually correcting at least one of the projection position or image rotation of the image of the pattern by each of the projection optical systems; , An alignment sensor for detecting positions of a plurality of marks formed in the periphery in the longitudinal direction and the periphery in the short direction of the exposure area of the substrate, and positions of the detected marks Based on the information related to the deformation, the calculation device calculates the information related to the deformation of the exposure area, and moves the stage device holding the substrate in the short direction at a predetermined speed. And a control device that scans and exposes the exposure area in the lateral direction while correcting and correcting the image of the pattern projected from the pattern generation device.

本実施形態の第2の態様に従えば、可撓性を有する帯状の基板上の長手方向に沿って所定の間隔で配置される複数の露光領域の各々に、電気デバイスのパターンを順次転写する転写方法が提供される。該転写方法は、前記基板の前記長手方向と交差した短手方向と前記長手方向とに移動可能な平坦なステージ装置に、前記基板の前記露光領域を含む一部を保持する工程と、前記基板上の前記露光領域の前記長手方向の周辺と前記短手方向の周辺とに形成された複数のマークの各位置をアライメントセンサで検出し、該検出された前記各位置に基づいて前記露光領域の変形に関する情報を得る工程と、前記基板の前記長手方向に配列された複数の投影光学系を備えたパターン生成装置によって、前記基板上の1つの露光領域の前記長手方向の異なる複数の領域の各々に前記電気デバイスに対応したパターンの像を投影する工程と、前記複数の投影光学系毎に投影される前記パターンの像の投影位置又は像回転を、前記変形に関する情報に基づいて補正する補正装置を制御しつつ、前記ステージ装置を前記短手方向に所定の速度で移動させて前記基板上の前記露光領域を前記短手方向に走査露光する工程と、を含むことを特徴とする。
According to the second aspect of the present embodiment, the pattern of the electric device is sequentially transferred to each of a plurality of exposure regions arranged at predetermined intervals along the longitudinal direction on the flexible belt-like substrate. A transfer method is provided. The transfer method includes a step of holding a part including the exposure area of the substrate on a flat stage device movable in a short direction intersecting the longitudinal direction of the substrate and the longitudinal direction; An alignment sensor detects each position of a plurality of marks formed in the periphery in the longitudinal direction and the periphery in the short direction of the exposure area above, and based on each detected position, the position of the exposure area Each of the plurality of regions having different longitudinal directions of one exposure region on the substrate is obtained by a step of obtaining information relating to deformation and a pattern generating apparatus having a plurality of projection optical systems arranged in the longitudinal direction of the substrate. A step of projecting a pattern image corresponding to the electrical device, and a projection position or image rotation of the pattern image projected for each of the plurality of projection optical systems, based on the information on the deformation. And a step of scanning and exposing the exposure area on the substrate in the short direction by moving the stage device at a predetermined speed in the short direction while controlling a correction device for correction. To do.

本実施形態の第3の態様に従えば、可撓性を有する帯状の基板上の長手方向に沿って所定の間隔で配置される複数の露光領域の各々に、デバイスのパターンを形成する製造方法が提供される。該製造方法は、前記基板の前記長手方向と交差した短手方向と前記長手方向とに移動可能なステージ装置に、前記基板の前記露光領域を含む一部を保持する工程と、前記基板上の前記露光領域の前記長手方向の周辺と前記短手方向の周辺とに形成された複数のマークの各位置をアライメントセンサで検出し、該検出された前記各位置に基づいて前記露光領域の変形に関する情報を得る工程と、前記長手方向には前記露光領域に渡る範囲を有し、前記短手方向には前記露光領域の一部の範囲を有する投影領域を備えたパターン生成装置によって、前記露光領域に前記デバイスに対応したパターンの一部の像を投影する工程と、前記パターン生成装置に設けられて前記投影領域内に投影される前記パターンの一部の像の位置又は回転を補正する補正装置を、前記変形に関する情報に基づいて制御しつつ、前記ステージ装置を前記短手方向に所定の速度で移動させて前記基板上の前記露光領域を前記短手方向に走査露光する工程と、を含むことを特徴とする。   According to the third aspect of the present embodiment, a manufacturing method for forming a device pattern in each of a plurality of exposure regions arranged at predetermined intervals along the longitudinal direction on a flexible belt-like substrate Is provided. The manufacturing method includes a step of holding a part including the exposure area of the substrate on a stage device movable in a lateral direction intersecting the longitudinal direction of the substrate and the longitudinal direction; The positions of a plurality of marks formed around the longitudinal direction and the lateral direction of the exposure area are detected by an alignment sensor, and the exposure area is deformed based on the detected positions. The exposure area is obtained by a pattern generating apparatus comprising a step of obtaining information, and a projection area having a range over the exposure area in the longitudinal direction and a partial area of the exposure area in the lateral direction. A step of projecting a partial image of the pattern corresponding to the device, and a correction for correcting the position or rotation of the partial image of the pattern that is provided in the pattern generation device and projected into the projection area. Scanning the exposure area on the substrate in the lateral direction by moving the stage device at a predetermined speed in the lateral direction while controlling the apparatus based on the information related to the deformation; and It is characterized by including.

本発明の態様によれば、帯状の基板に設けられた区画領域に対して、その変形の有無によらず精度よくパターンを転写することができる。   According to the aspect of the present invention, a pattern can be accurately transferred to a partitioned region provided on a belt-like substrate regardless of the presence or absence of deformation.

(a)は本実施形態の露光装置EXを示す概略平面図であり、理解を助けるため帯状の基板FBより下側の主要部分が描かれている。(b)は露光装置EXの概略側面図である。(A) is a schematic top view which shows the exposure apparatus EX of this embodiment, and in order to help an understanding, the main part below the strip | belt-shaped board | substrate FB is drawn. (B) is a schematic side view of the exposure apparatus EX. (a)は基板ステージFBSの上面図であり、(b)は図2(a)のA−A断面図である。FIG. 3A is a top view of the substrate stage FBS, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 図2(a)のB−B断面図である。It is BB sectional drawing of Fig.2 (a). 帯状の基板FBを支持する基板ステージFBSの別の実施例を示した概念図である。(a)は本実施形態の基板ステージFBSを示す概略平面図であり、理解を助けるため帯状の基板FBより下側の部分が描かれている。(b)は露光装置EXの概略側面図である。It is the conceptual diagram which showed another Example of the substrate stage FBS which supports the strip | belt-shaped board | substrate FB. (A) is a schematic top view which shows the substrate stage FBS of this embodiment, and in order to help an understanding, the part below the strip | belt-shaped board | substrate FB is drawn. (B) is a schematic side view of the exposure apparatus EX. アライメントセンサLSAを示した図である。It is the figure which showed alignment sensor LSA. LSA用のアライメントマークAMを示した図である。It is the figure which showed alignment mark AM for LSA. 投影光学系PLの概略斜視図である。It is a schematic perspective view of projection optical system PL. 第1例の露光方法のフローチャートである。It is a flowchart of the exposure method of the 1st example. 第1例の露光方法の露光動作を示した概念平面図である。It is the conceptual top view which showed the exposure operation | movement of the exposure method of a 1st example. 第1例の露光方法の露光動作を示した概念平面図である。It is the conceptual top view which showed the exposure operation | movement of the exposure method of a 1st example. 投影光学系PLにより投影像PIを調整して露光領域EAのずれを補正する説明図である。(a)は露光領域EAが点線で示されたような変形がない理想的な形状から実線で示されたような変形形状に変形した平面図で、(b)は露光領域EAのX軸方向のずれを補正した平面図で、(c)は露光領域EAのY軸方向のずれ及びローテーションを補正した平面図である。It is explanatory drawing which adjusts the projection image PI by the projection optical system PL, and correct | amends the shift | offset | difference of exposure area EA. (A) is a plan view in which the exposure area EA is deformed from an ideal shape without deformation as indicated by a dotted line to a deformation shape as indicated by a solid line, and (b) is an X-axis direction of the exposure area EA. FIG. 6C is a plan view in which the deviation and rotation of the exposure area EA in the Y-axis direction are corrected. 第2例の露光装置EXを示す平面図である。It is a top view which shows exposure apparatus EX of the 2nd example. 第2例の露光方法の露光動作を示した概念平面図である。It is a conceptual top view which showed the exposure operation | movement of the exposure method of the 2nd example. 第2例の露光方法の露光動作を示した概念平面図である。It is a conceptual top view which showed the exposure operation | movement of the exposure method of the 2nd example. 電気デバイス製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an electric device manufacturing method.

本発明の実施形態では、露光装置を一例として転写装置について説明する。
<露光装置の全体構成:第1例>
以下、第1例の露光装置EXについて図1を参照しながら説明する。図1(a)は本実施形態の露光装置EXを示す概略平面図であり、理解を助けるため帯状の基板FBより下側の主要部分が描かれている。図1(b)は露光装置EXの概略側面図である。
In the embodiment of the present invention, a transfer apparatus will be described by taking an exposure apparatus as an example.
<Entire Configuration of Exposure Apparatus: First Example>
The exposure apparatus EX of the first example will be described below with reference to FIG. FIG. 1A is a schematic plan view showing the exposure apparatus EX of the present embodiment, and the main part below the strip-shaped substrate FB is drawn to help understanding. FIG. 1B is a schematic side view of the exposure apparatus EX.

本実施形態に係る露光装置EXは、露光光EXLに対してマスクMと帯状の基板FBとを同期走査して露光する走査型露光装置である。露光装置EXは帯状の基板FBの露光領域EAを走査露光する。図1では露光済みの露光領域EAを網目で示し、未露光の露光領域EAを白く示している。なお、投影光学系PLの光軸方向をZ軸方向、Z軸方向に垂直な方向でマスクM及び帯状の基板FBの同期移動方向をY軸方向(走査方向)、Z軸方向及びY軸方向と直交する方向をX軸方向(非走査方向)とする。   The exposure apparatus EX according to the present embodiment is a scanning exposure apparatus that performs exposure by synchronously scanning the mask M and the strip-shaped substrate FB with respect to the exposure light EXL. The exposure apparatus EX scans and exposes the exposure area EA of the strip-shaped substrate FB. In FIG. 1, the exposed exposure area EA is shown by a mesh, and the unexposed exposure area EA is shown in white. The optical axis direction of the projection optical system PL is the Z-axis direction, the direction perpendicular to the Z-axis direction is the synchronous movement direction of the mask M and the strip-shaped substrate FB is the Y-axis direction (scanning direction), the Z-axis direction, and the Y-axis direction. The direction orthogonal to the X axis direction (non-scanning direction).

露光装置EXは、移送装置として帯状の基板FBを供給する供給ローラFRと帯状の基板FBを巻き取る巻き取りローラWRとを有する。供給ローラFR及び巻き取りローラWRは矢印方向に回転することができ、帯状の基板FBをX軸方向に移送することができる。ここで帯状の基板FBはロール状に巻き取ることができる薄い樹脂フィルムである。帯状の基板FBはその面積に対して厚さが十分に薄い基板であり可撓性を有する。帯状の基板FBは例えばX軸方向に100メートルの長さであり、Y軸方向に1メートルの幅であり、厚さが100マイクロメートルである。この帯状の基板FBのマスクM側の片面にフォトレジストが塗布されている。帯状の基板FBは、具体的には、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂を使うことができる。マスクMは、線膨張係数が小さく、且つ、湿度による変化も小さい透光性基材、具体的にはガラスや石英が用いられ、透光性基材上に微細なマスクパターンが遮光材料で形成されている。
The exposure apparatus EX includes a supply roller FR that supplies a strip-shaped substrate FB and a take-up roller WR that winds the strip-shaped substrate FB as a transfer device. The supply roller FR and the take-up roller WR can rotate in the arrow direction, and can transport the belt-like substrate FB in the X-axis direction. Here, the belt-like substrate FB is a thin resin film that can be wound into a roll. The band-shaped substrate FB is a substrate that is sufficiently thin with respect to its area and has flexibility. The strip-shaped substrate FB has a length of, for example, 100 meters in the X-axis direction, a width of 1 meter in the Y-axis direction, and a thickness of 100 micrometers. Photoresist is applied to one side of the belt-like substrate FB on the mask M side. Specifically, the band-shaped substrate FB is made of polyethylene resin, polypropylene resin, polyester resin, ethylene vinyl copolymer resin, polyvinyl chloride resin, cellulose resin, polyamide resin, polyimide resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, vinyl acetate resin. Can be used. The mask M uses a light-transmitting base material having a small linear expansion coefficient and a small change due to humidity, specifically glass or quartz, and a fine mask pattern is formed on the light-transmitting base material with a light shielding material. Has been.

本実施例では、パターン生成装置としてマスクMを用いているが、その他にも反射型または透過型の空間光変調器などが用いられる。反射型の空間光変調器としては、選択的に光透過する面積を調節できる素子、例えば、液晶材料、エレクトロクロミック材料を有する素子、或いは、選択的に光反射が調節できる素子、例えばデジタルマイクロミラーデバイス(DMD)がある。DMDとは空間光変調器の一種であり、静電界作用などによって固定軸周りに回転するマイクロミラーと呼ばれる複数の小型ミラーがSi等の半導体基板にマトリクス状に配置されたデバイスである。また、透過型の空間光変調器としては、光学効果により透過光を変調する光学素子であるPLZT素子を用いることができる。なお、PLZT素子とは、鉛、ランタン、ジルコン、チタンを含む酸化物セラミックスで、それぞれの元素記号の頭文字からPLZTと呼ばれているデバイスである。PLZT素子は、透明なセラミックで光を透過するが、電圧をかけると偏向の向きを変えることができ、偏光子と組み合わせることによって光制御装置が構成される。なお、反射型の空間光変調器にも透過型の空間光変調器にも補正装置が設けられてパターンの変形を補正することができる。
In this embodiment, the mask M is used as the pattern generation device, but a reflective or transmissive spatial light modulator or the like is also used. As the reflective spatial light modulator, an element capable of selectively adjusting the light transmitting area, for example, an element having a liquid crystal material or an electrochromic material, or an element capable of selectively adjusting light reflection, such as a digital micromirror. There is a device (DMD). DMD is a kind of spatial light modulator, and is a device in which a plurality of small mirrors called micromirrors that rotate around a fixed axis by an electrostatic field effect or the like are arranged in a matrix on a semiconductor substrate such as Si. As the transmissive spatial light modulator, a PLZT element that is an optical element that modulates transmitted light by an optical effect can be used. The PLZT element is an oxide ceramic containing lead, lanthanum, zircon, and titanium, and is a device called PLZT from the initials of each element symbol. The PLZT element transmits light with a transparent ceramic, but the direction of deflection can be changed when a voltage is applied, and a light control device is configured by combining with a polarizer. It should be noted that a correction device is provided for both the reflective spatial light modulator and the transmissive spatial light modulator to correct pattern deformation.

露光装置EXは、パターンが形成されたマスクMを支持するマスクステージMSTと、帯状の基板FBを支持する基板ステージFBSとを備えている。マスクMは石英ガラスに回路パターンなどが描画された部材である。露光装置EXは、マスクMを支持するマスクステージMSTのX軸方向及びY軸方向における位置を検出する複数のレーザー干渉計LMと、帯状の基板FBを支持する基板ステージFBSのX軸方向及びY軸方向における位置を検出する複数のレーザー干渉計MMとを備えている。マスクステージMSTは、不図示のリニアモータなどによって走査方向である矢印AR1方向(Y軸方向)に長いストロークを移動可能でありX軸方向に短いストロークを移動可能である。基板ステージFBSも同様に走査方向であるAR1方向に長いストロークを移動可能であり、非走査方向である矢印AR2の方向にも長いストローク移動可能である。また、基板ステージFBSは供給ローラFRと巻き取りローラWRとともに基板FBの搬送装置を構成する。本実施形態に係る露光装置EXは、図1(a)に描かれている矢印AR1の方向に露光光EXLに対してマスクMと帯状の基板FBとを同期移動して走査露光する走査型露光装置である。なお、図1(b)ではX軸方向の位置を検出するレーザー干渉計LMx及びレーザー干渉計MMxを1つずつしか描いていない。
The exposure apparatus EX includes a mask stage MST that supports a mask M on which a pattern is formed, and a substrate stage FBS that supports a strip-shaped substrate FB. The mask M is a member in which a circuit pattern or the like is drawn on quartz glass. The exposure apparatus EX includes a plurality of laser interferometers LM that detect positions in the X-axis direction and the Y-axis direction of the mask stage MST that supports the mask M, and the X-axis direction and Y of the substrate stage FBS that supports the strip-shaped substrate FB. And a plurality of laser interferometers MM that detect positions in the axial direction. Mask stage MST can move a long stroke in the direction of arrow AR1 (the Y-axis direction), which is the scanning direction, and can move a short stroke in the X-axis direction by a linear motor (not shown). Similarly, the substrate stage FBS can move a long stroke in the AR1 direction that is the scanning direction, and can also move in a long stroke direction in the direction of the arrow AR2 that is the non-scanning direction. Further, the substrate stage FBS constitutes a transport device for the substrate FB together with the supply roller FR and the take-up roller WR. The exposure apparatus EX according to this embodiment performs scanning exposure by synchronously moving the mask M and the strip-shaped substrate FB with respect to the exposure light EXL in the direction of the arrow AR1 illustrated in FIG. Device. In FIG. 1B, only one laser interferometer LMx and one laser interferometer MMx for detecting the position in the X-axis direction are drawn.

また露光装置EXは、不図示の照明光学系による露光光EXLで照明されたマスクMのパターンの像を基板ステージFBSに支持されている帯状の基板FBに投影する投影光学系PLを有している。図1(a)にマスクMのパターンの投影像PIが台形状に示されているように、露光装置EXはY軸方向に2列に配置されてX軸方向に交互に並んだ5つの投影光学系PLを有している。マスクステージMSTに支持されているマスクMと基板ステージFBSに支持されている帯状の基板FBとは、投影光学系PLを介して共役な位置関係に配置される。   Further, the exposure apparatus EX has a projection optical system PL that projects an image of the pattern of the mask M illuminated by the exposure light EXL by an illumination optical system (not shown) onto a strip-shaped substrate FB supported by the substrate stage FBS. Yes. As shown in FIG. 1A, the projection image PI of the pattern of the mask M is shown in a trapezoidal shape, the exposure apparatus EX is arranged in two rows in the Y-axis direction and five projections arranged alternately in the X-axis direction. It has an optical system PL. The mask M supported by the mask stage MST and the belt-like substrate FB supported by the substrate stage FBS are arranged in a conjugate positional relationship via the projection optical system PL.

露光装置EXは投影光学系PLに隣接して帯状の基板FBに設けられているアライメントマークAMを検出するアライメントセンサLSA(LSA1,LSA2,LSA3,LSA4)を4つ有している。以下の説明では特に個々のアライメントセンサLSAを特定するときには「LSA1」などの数字を語尾に付け、アライメントセンサLSA1からLSA4までを区別しないときには、アライメントセンサLSAと呼ぶ。また、該アライメントセンサLSAはその検出結果によって露光領域EAの変形に関する情報を演算する演算部FPに連結されている。   The exposure apparatus EX has four alignment sensors LSA (LSA1, LSA2, LSA3, LSA4) that detect alignment marks AM provided on the strip-shaped substrate FB adjacent to the projection optical system PL. In the following description, a number such as “LSA1” is added to the end when specifying each alignment sensor LSA, and when the alignment sensors LSA1 to LSA4 are not distinguished, they are called alignment sensors LSA. The alignment sensor LSA is connected to a calculation unit FP that calculates information related to the deformation of the exposure area EA based on the detection result.

図1(a)に示されるように、アライメントセンサLSA1、アライメントセンサLSA2及びアライメントセンサLSA4は、Y軸方向に並んで配置されている。また、アライメントセンサLSA2及びアライメントセンサLSA3は、X軸方向に並んで配置されている。   As shown in FIG. 1A, the alignment sensor LSA1, the alignment sensor LSA2, and the alignment sensor LSA4 are arranged side by side in the Y-axis direction. The alignment sensor LSA2 and the alignment sensor LSA3 are arranged side by side in the X-axis direction.

アライメントセンサLSAは、ドット列状に形成されたアライメントマークAMにレーザーを照射し、当該アライメントマークAMで回折または散乱した光を用いてそのマーク位置を検出するLSA(Laser Step Alignment)方式のセンサである。アライメントマークAMは、帯状の基板FBにおいて露光光EXLの照射領域である露光領域EAの周辺にすでに複数形成されている。本実施形態において、1つの露光領域EAの周辺ごとに全部で36個のアライメントマークAMが形成されている。   The alignment sensor LSA is an LSA (Laser Step Alignment) type sensor that irradiates a laser beam onto an alignment mark AM formed in a dot array and detects the mark position using light diffracted or scattered by the alignment mark AM. is there. A plurality of alignment marks AM are already formed around the exposure area EA, which is the irradiation area of the exposure light EXL, on the belt-like substrate FB. In the present embodiment, a total of 36 alignment marks AM are formed for each periphery of one exposure area EA.

本実施形態における4つのアライメントセンサLSAはオフアクシス方式であり、アライメント処理を行うに際し、マスクMとアライメントセンサLSAとの相対位置であるベースライン量が計測される。なお、図1(b)ではアライメントセンサLSAを2つしか描いていない。   The four alignment sensors LSA in the present embodiment are of an off-axis type, and a baseline amount that is a relative position between the mask M and the alignment sensor LSA is measured when performing alignment processing. In FIG. 1B, only two alignment sensors LSA are drawn.

基板ステージFBSにはY軸用LSAマーク14、基板用LSAマーク16と基板側AISマーク17とを有する第1基準部材18が設けられている。また、基板ステージFBSにはX軸用LSAマーク15を有する第2基準部材19が設けられている。なお、本実施例では基準部材としてY軸用LSAマーク14とX軸用LSAマーク15とに分けられているが、一体の基準部材に形成されてもよいし、パターンの形によって基準部材の形を変化させることができる。図1(b)に示されるように、マスクMにはベースライン計測用のマスク側AISマーク11が設けられており、また、マスク側AISマーク11は、マスクMの特定位置(例えば中心位置)に対して所定の位置関係で設けられている。マスク側AISマーク11と基板側AISマーク17とは対応しており、マスク側AISマーク11及び基板側AISマーク17はX軸方向に例えば6つ並んで設けられている。6つの基板側AISマーク17の近傍には、それぞれY軸方向に伸びる6つの基板用LSAマーク16が配置されている。   The substrate stage FBS is provided with a first reference member 18 having a Y-axis LSA mark 14, a substrate LSA mark 16, and a substrate-side AIS mark 17. The substrate stage FBS is provided with a second reference member 19 having an X-axis LSA mark 15. In this embodiment, the Y-axis LSA mark 14 and the X-axis LSA mark 15 are divided as reference members in the present embodiment, but they may be formed as a single reference member, or the shape of the reference member may be determined depending on the shape of the pattern. Can be changed. As shown in FIG. 1B, the mask M is provided with a mask side AIS mark 11 for baseline measurement, and the mask side AIS mark 11 is a specific position (for example, a center position) of the mask M. Are provided in a predetermined positional relationship. The mask side AIS mark 11 and the substrate side AIS mark 17 correspond to each other, and, for example, six mask side AIS marks 11 and substrate side AIS marks 17 are provided side by side in the X-axis direction. In the vicinity of the six substrate-side AIS marks 17, six substrate LSA marks 16 extending in the Y-axis direction are arranged.

<基板ステージの構成>
図2(a)は基板ステージFBSの上面図であり、図2(b)は図2(a)のA−A断面図である。また、図3は図2(a)のB−B断面図である。なお、図2(a)には、第1基準部材18及び第2基準部材19に対するアライメントセンサLSA1からLSA4の視野領域を点線で描いている。
<Configuration of substrate stage>
FIG. 2A is a top view of the substrate stage FBS, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. In FIG. 2A, the visual field areas of the alignment sensors LSA1 to LSA4 with respect to the first reference member 18 and the second reference member 19 are drawn by dotted lines.

基板ステージFBSには設けられた第1基準部材18及び第2基準部材19は、熱膨張係数が小さく且つ光を透過する透明部材で構成されており、Y軸用LSAマーク14、X軸用LSAマーク15、基板用LSAマーク16、基板側AISマーク17はその透明部材の表面にクロムなどの金属で形成されている。なお、図2などの図面ではこれらのマークを誇張して描いてある。   The first reference member 18 and the second reference member 19 provided on the substrate stage FBS are made of a transparent member having a small thermal expansion coefficient and transmitting light, and the Y-axis LSA mark 14 and the X-axis LSA. The mark 15, the substrate LSA mark 16, and the substrate-side AIS mark 17 are formed of a metal such as chromium on the surface of the transparent member. In the drawings such as FIG. 2, these marks are exaggerated.

第1基準部材18は、X軸方向に伸びるY軸用LSAマーク14を有している。アライメントセンサLSA2及びアライメントセンサLSA3は同時にこのY軸用LSAマーク14を検出することができる。このY軸用LSAマーク14により、アライメントセンサLSA2及びアライメントセンサLSA3のY軸方向の位置を把握することができる。   The first reference member 18 has a Y-axis LSA mark 14 extending in the X-axis direction. The alignment sensor LSA2 and the alignment sensor LSA3 can simultaneously detect the Y-axis LSA mark 14. With this Y-axis LSA mark 14, the positions of the alignment sensor LSA2 and the alignment sensor LSA3 in the Y-axis direction can be grasped.

第2基準部材19は、Y軸方向に伸びるX軸用LSAマーク15を有している。アライメントセンサLSA1、アライメントセンサLSA2及びアライメントセンサLSA4は同時にこのX軸用LSAマーク15を検出することができる。このX軸用LSAマーク15により、アライメントセンサLSA1、アライメントセンサLSA2及びアライメントセンサLSA4のY軸方向の位置を把握することができる。   The second reference member 19 has an X-axis LSA mark 15 extending in the Y-axis direction. The alignment sensor LSA1, the alignment sensor LSA2, and the alignment sensor LSA4 can simultaneously detect the X-axis LSA mark 15. With the X-axis LSA mark 15, the positions of the alignment sensor LSA1, the alignment sensor LSA2, and the alignment sensor LSA4 in the Y-axis direction can be grasped.

第1基準部材18に形成された基板側AISマーク17は、例えば十字状のマークであるがこれに限定されず例えばボックスマーク「□」でもよい。この基板側AISマーク17の下側、すなわち基板ステージFBSの内部には、図2(b)に示されるように、第1基準部材18を通過した光を集光するレンズ系23と、レンズ系23を介した通過光を受光するAIS撮像素子24とが埋設されている。AIS撮像素子24はMOS又はCCDなど二次元画像素子である。   The substrate side AIS mark 17 formed on the first reference member 18 is, for example, a cross-shaped mark, but is not limited thereto, and may be a box mark “□”, for example. Under the substrate side AIS mark 17, that is, inside the substrate stage FBS, as shown in FIG. 2B, a lens system 23 for condensing the light that has passed through the first reference member 18, and a lens system An AIS image pickup device 24 that receives the passing light through 23 is embedded. The AIS image sensor 24 is a two-dimensional image element such as a MOS or a CCD.

基板用LSAマーク16と基板側AISマーク17とは正確に形成されており、それらはX軸方向に距離PX離れて形成されている。また、Y軸用LSAマーク14と基板側AISマーク17とは正確に形成されており、それらはY軸方向に距離PY離れて形成されている。なお、図2(a)では基板用LSAマーク16及び基板側AISマーク17がY軸用LSAマーク14よりマイナスY軸側に配置されているが、逆に基板用LSAマーク16及び基板側AISマーク17がY軸用LSAマーク14よりプラスY軸側に配置されていてもよい。   The substrate LSA mark 16 and the substrate-side AIS mark 17 are accurately formed, and they are formed at a distance PX in the X-axis direction. The Y-axis LSA mark 14 and the substrate-side AIS mark 17 are accurately formed, and they are formed at a distance PY apart in the Y-axis direction. In FIG. 2A, the substrate LSA mark 16 and the substrate side AIS mark 17 are arranged on the minus Y axis side from the Y axis LSA mark 14, but conversely, the substrate LSA mark 16 and the substrate side AIS mark. 17 may be arranged on the plus Y-axis side from the Y-axis LSA mark 14.

図3に示されるように、Y軸用LSAマーク14及び基板側AISマーク17を有する第1基準部材18の表面は点線で示された帯状の基板FBの表面高さと同等の高さ(Z軸方向)に配置されている。図示されていないが、第2基準部材19の表面高さも帯状の基板FBの表面高さと同等の高さである。   As shown in FIG. 3, the surface of the first reference member 18 having the Y-axis LSA mark 14 and the substrate-side AIS mark 17 has a height equivalent to the surface height of the strip-shaped substrate FB indicated by the dotted line (Z-axis). Direction). Although not shown, the surface height of the second reference member 19 is also equal to the surface height of the band-shaped substrate FB.

さて、図2(a)及び図3に示されるように、基板ステージFBSの表面には帯状の基板FBを真空吸着する真空配管21が配置されている。この真空配管21は不図示の真空ポンプに接続されている。基板ステージFBSは真空配管21を介して帯状の基板FBを保持する。また基板ステージFBSの下側にX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向の中心としたθZ方向(回転方向)に移動させる基板ステージ移動部28が備えられている。基板ステージ移動部28は、Y軸方向とX軸方向とに基板ステージFBSを1mあまり移動させることができる。この基板ステージ移動部28は不図示の制御装置により制御される。   Now, as shown in FIGS. 2A and 3, a vacuum pipe 21 that vacuum-sucks the belt-like substrate FB is disposed on the surface of the substrate stage FBS. This vacuum pipe 21 is connected to a vacuum pump (not shown). The substrate stage FBS holds the strip-shaped substrate FB via the vacuum pipe 21. A substrate stage moving unit 28 is provided below the substrate stage FBS for moving in the θZ direction (rotation direction) centered in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction. The substrate stage moving unit 28 can move the substrate stage FBS by about 1 m in the Y-axis direction and the X-axis direction. The substrate stage moving unit 28 is controlled by a control device (not shown).

基板ステージ移動部28の上部には、3点又は4点の高さ調整部26が載置されている。高さ調整部26はZ軸方向に約10mmのストロークを有している。例えば露光装置EXが露光領域EAを走査露光した後、帯状の基板FBのみが移送され次の露光領域EAが基板ステージFBSの上に移動するまで、帯状の基板FBと基板ステージFBSとを数mmの間隙を空けることが好ましい。そのため高さ調整部26は帯状の基板FBと基板ステージFBSとの間隙を形成するためのストロークを有している。また、高さ調整部26は、投影光学系PLの結像面と基板ステージFBSに吸着された帯状の基板FBの表面とを一致させるため、基板ステージFBSを光軸方向(Z軸方向)に移動させる。また、3点又は4点の高さ調整部26のうちの1点又は2点を移動させて、X軸方向を中心としたθX方向(回転方向)、及びY軸方向を中心としたθY方向(回転方向)に基板ステージFBSを移動させることも可能となっている。   A three-point or four-point height adjustment unit 26 is placed on the substrate stage moving unit 28. The height adjusting unit 26 has a stroke of about 10 mm in the Z-axis direction. For example, after the exposure apparatus EX scans and exposes the exposure area EA, the strip-shaped substrate FB and the substrate stage FBS are moved to several mm until only the strip-shaped substrate FB is transferred and the next exposure area EA moves onto the substrate stage FBS. It is preferable to leave a gap. Therefore, the height adjusting unit 26 has a stroke for forming a gap between the belt-like substrate FB and the substrate stage FBS. Further, the height adjustment unit 26 aligns the substrate stage FBS in the optical axis direction (Z-axis direction) in order to match the image plane of the projection optical system PL and the surface of the strip-shaped substrate FB adsorbed to the substrate stage FBS. Move. Also, by moving one or two of the three or four height adjustment units 26, the θX direction (rotation direction) centered on the X axis direction and the θY direction centered on the Y axis direction It is also possible to move the substrate stage FBS in the (rotating direction).

図4は、帯状の基板FBを支持する基板ステージFBSの別の実施例を示した概念図である。図4(a)は本実施形態の基板ステージFBSを示す概略平面図であり、理解を助けるため帯状の基板FBより下側の部分が描かれている。図4(b)は露光装置EXの概略側面図である。   FIG. 4 is a conceptual diagram showing another embodiment of the substrate stage FBS that supports the belt-like substrate FB. FIG. 4A is a schematic plan view showing the substrate stage FBS of the present embodiment, and a portion below the belt-like substrate FB is drawn to help understanding. FIG. 4B is a schematic side view of the exposure apparatus EX.

図2及び図3では基板ステージFBSは真空配管21を備えていたが、必ずしも真空配管21を備える必要はない。例えば図4に示されるように、露光領域EAをX軸方向に挟むように一対の圧着固定部30を設けても良い。圧着固定部30は2対のピストン部33と1対の圧着板35とからなる。2対のピストン部33は基板ステージFBSの四隅付近に配置され、その1対のピストン部33に1枚のY軸方向に伸びる圧着板35が配置されている。但し、図4(b)に描かれるように、露光領域EAが平坦になるように図中左側の1枚の圧着板35は、第2基準部材19よりも露光領域EA側に配置されることが好ましい。   2 and 3, the substrate stage FBS is provided with the vacuum pipe 21, but the vacuum pipe 21 is not necessarily provided. For example, as shown in FIG. 4, a pair of crimp fixing portions 30 may be provided so as to sandwich the exposure area EA in the X-axis direction. The crimping fixing portion 30 includes two pairs of piston portions 33 and a pair of crimping plates 35. The two pairs of piston portions 33 are disposed in the vicinity of the four corners of the substrate stage FBS, and the pressure plate 35 extending in the Y-axis direction is disposed on the pair of piston portions 33. However, as illustrated in FIG. 4B, the one pressure plate 35 on the left side in the drawing is arranged on the exposure area EA side with respect to the second reference member 19 so that the exposure area EA is flat. Is preferred.

図4(b)に描かれた状態から2対のピストン部33がZ軸方向に下がると、一対の圧着板35は帯状の基板FBを基板ステージFBSの表面に圧着させる。後述するように基板ステージFBSがY軸方向に移動するために、余分な張力が帯状の基板FBに加わるおそれもある。これらの場合であっても、帯状の基板FBがZ軸方向に圧着板35で基板ステージFBSに押し付けられているため、帯状の基板FBの位置がずれるおそれがない。   When the two pairs of piston portions 33 are lowered in the Z-axis direction from the state depicted in FIG. 4B, the pair of pressure-bonding plates 35 pressure-bond the strip-shaped substrate FB to the surface of the substrate stage FBS. As will be described later, since the substrate stage FBS moves in the Y-axis direction, excessive tension may be applied to the belt-like substrate FB. Even in these cases, since the belt-like substrate FB is pressed against the substrate stage FBS by the pressure plate 35 in the Z-axis direction, the position of the belt-like substrate FB does not shift.

なお、基板ステージFBSに設けられた真空配管21に加えて、圧着固定部30を設けても良い。このような構成にすれば、帯状の基板FBと基板ステージFBSとの位置ずれがより少なくなる。   In addition to the vacuum pipe 21 provided on the substrate stage FBS, a crimp fixing part 30 may be provided. With such a configuration, the positional deviation between the belt-like substrate FB and the substrate stage FBS is further reduced.

図5は、アライメントセンサLSAを示した図である。アライメントセンサLSAは、レーザー光源41を備えている。レーザー光源41として、たとえばHe−Neレーザー光源を用いることができる。レーザー光源41から射出されたビーム(直線偏光)は、以降の光学系からの戻り光を防止するための光アイソレータ42などを介した後、シリンドリカルレンズ43を介して、線状ビームを形成するように整形作用および集光作用を受ける。シリンドリカルレンズ43を介したビームは、ビームスプリッタ44に入射し、X軸方向計測用のLSAビームとY軸方向計測用のLSAビームとに分割される。すなわち、ビームスプリッタ44を透過したX軸方向計測用のLSAビームは、帯状の基板FB面と共役な位置に配置された視野絞り45aによって所定のビーム形状に制限された後、ミラー46aに入射する。また、ビームスプリッタ44で反射されたY軸方向計測用のLSAビームは、帯状の基板FB面と共役な位置に配置された視野絞り45bによって所定のビーム形状に制限された後、ミラー46bに入射する。   FIG. 5 is a diagram showing the alignment sensor LSA. The alignment sensor LSA includes a laser light source 41. As the laser light source 41, for example, a He—Ne laser light source can be used. The beam (linearly polarized light) emitted from the laser light source 41 forms a linear beam via the cylindrical lens 43 after passing through an optical isolator 42 for preventing return light from the subsequent optical system. Undergoes shaping and focusing. The beam that passes through the cylindrical lens 43 enters the beam splitter 44 and is divided into an LSA beam for X-axis direction measurement and an LSA beam for Y-axis direction measurement. That is, the X-axis direction measurement LSA beam transmitted through the beam splitter 44 is limited to a predetermined beam shape by the field stop 45a arranged at a position conjugate with the surface of the belt-like substrate FB, and then enters the mirror 46a. . Further, the LSA beam for measurement in the Y-axis direction reflected by the beam splitter 44 is limited to a predetermined beam shape by a field stop 45b disposed at a position conjugate with the band-shaped substrate FB surface, and then enters the mirror 46b. To do.

X軸方向計測用のLSAビームは偏光ビームスプリッタ47aに入射する。偏光ビームスプリッタ47aを透過した各ビームは、反射鏡49aに反射してフーリエ変換レンズ50aを介して、視野合成ミラー51に入射する。一方、ミラー46bで反射されたY軸方向計測用のLSAビームは偏光ビームスプリッタ47bに入射する。偏光ビームスプリッタ47bを透過した各ビームは、反射鏡49bに反射してフーリエ変換レンズ50bを介して、視野合成ミラー51に達する。
The LSA beam for X-axis direction measurement enters the polarization beam splitter 47a. Each beam transmitted through the polarization beam splitter 47a is reflected by the reflecting mirror 49a and enters the field synthesis mirror 51 through the Fourier transform lens 50a. On the other hand, the LSA beam for measurement in the Y-axis direction reflected by the mirror 46b enters the polarization beam splitter 47b. Each beam that has passed through the polarization beam splitter 47b is reflected by the reflecting mirror 49b and reaches the visual field synthesis mirror 51 via the Fourier transform lens 50b.

視野合成ミラー51を介して、X軸方向計測用のLSAビームとY軸方向計測用のLSAビームとが視野合成される。視野合成ミラー51を介して視野合成された各ビームは、1/4波長板52を介して円偏光となった後、対物レンズ53を介して、帯状の基板FB上に到達する。帯状の基板FB上にはLSAビームABが形成される。帯状の基板FB上に形成されたLSA用のアライメントマークAMを点線で示している。対物レンズ53によって集光されたX軸方向計測用のLSAビームABは、帯状の基板FB上においてY方向に沿って延びたX軸方向計測用の線状ビームAB−Xを形成する。また、対物レンズ53によって集光されたY軸方向計測用のLSAビームABは、帯状の基板FB上においてX方向に沿って延びたY軸方向計測用の線状ビームAB−Yを形成する。   An LSA beam for X-axis direction measurement and an LSA beam for Y-axis direction measurement are subjected to field synthesis via the field synthesis mirror 51. Each beam synthesized by the field synthesis mirror 51 becomes circularly polarized light via the quarter-wave plate 52 and then reaches the band-shaped substrate FB via the objective lens 53. An LSA beam AB is formed on the band-shaped substrate FB. LSA alignment marks AM formed on the strip-shaped substrate FB are indicated by dotted lines. The X-axis direction measurement LSA beam AB condensed by the objective lens 53 forms a X-axis direction measurement linear beam AB-X extending along the Y direction on the belt-like substrate FB. Further, the LSA beam AB for measurement in the Y-axis direction collected by the objective lens 53 forms a linear beam AB-Y for measurement in the Y-axis direction extending along the X direction on the belt-like substrate FB.

図6はLSA用のアライメントマークAMを示した図である。図6(a)に示されるように、帯状の基板FBの露光領域EAの周囲には、線状ビームAB−Xに対応するX軸方向計測用のアライメントマークAMおよび線状ビームAB−Yに対応するY軸方向計測用のアライメントマークAMがそれぞれ格子状パターンとして形成されている。図6(b)は、アライメントマークAMの横断面を示している。アライメントマークAMは、例えば、一辺4μmの正方形形状の凸状部Taからなる。この凸状部Taが8μmピッチで複数並んで設けられている。アライメントマークAMが線状ビームABを横切ると、回折または散乱した光が発生する。図6(c)は、(a)の点線Cで囲んだ部分の拡大平面図である。図6(c)に示されるように、アライメントマークAMが線状ビームABを通り過ぎる際に発生する回折光または散乱光が最大となるので、当該位置におけるレーザー干渉計MM(図1参照)の測定値からアライメントマークAMの座標を検出することができる。
FIG. 6 is a view showing an alignment mark AM for LSA. As shown in FIG. 6A, an X-axis direction measurement alignment mark AM and a linear beam AB-Y corresponding to the linear beam AB-X are disposed around the exposure area EA of the strip-shaped substrate FB. Corresponding alignment marks AM for measurement in the Y-axis direction are each formed as a lattice pattern. FIG. 6B shows a cross section of the alignment mark AM. The alignment mark AM is composed of, for example, a square-shaped convex portion Ta having a side of 4 μm. A plurality of the convex portions Ta are provided side by side with a pitch of 8 μm. When the alignment mark AM crosses the linear beam AB, diffracted or scattered light is generated. FIG. 6C is an enlarged plan view of a portion surrounded by a dotted line C in FIG. As shown in FIG. 6C, the diffracted light or scattered light generated when the alignment mark AM passes the linear beam AB is maximized, so that the measurement by the laser interferometer MM (see FIG. 1) at that position is performed. The coordinates of the alignment mark AM can be detected from the value.

再び図5に戻り、各アライメントマークAMからの回折光または散乱光は、対物レンズ53および1/4波長板52を介して、視野合成ミラー51に達する。X軸方向計測用のアライメントマークAMからの回折光は、視野合成ミラー51の反射面で反射され、フーリエ変換レンズ50aを介して偏光ビームスプリッタ47aに入射する。偏光ビームスプリッタ47aで反射された回折光または散乱光は光検出器48aに達する。そして、光検出器48aにおいて、アライメントマークAMからの回折光または散乱光が選択的に受光される。一方、Y軸方向計測用のアライメントマークAMからの回折光は、視野合成ミラー51を通過し、フーリエ変換レンズ50bを介して偏光ビームスプリッタ47bに入射する。偏光ビームスプリッタ47bで反射された回折光または散乱光は光検出器48bに達する。そして、光検出器48bにおいて、アライメントマークAMからの回折光または散乱光が選択的に受光される。その後、演算部FPが該検出結果によって露光領域EAの変形に関する情報を演算することができる。   Returning again to FIG. 5, the diffracted light or scattered light from each alignment mark AM reaches the visual field synthesis mirror 51 via the objective lens 53 and the quarter-wave plate 52. The diffracted light from the alignment mark AM for X-axis direction measurement is reflected by the reflection surface of the field synthesis mirror 51 and enters the polarization beam splitter 47a via the Fourier transform lens 50a. The diffracted light or scattered light reflected by the polarization beam splitter 47a reaches the photodetector 48a. Then, the photodetector 48a selectively receives diffracted light or scattered light from the alignment mark AM. On the other hand, the diffracted light from the alignment mark AM for Y-axis direction measurement passes through the field synthesis mirror 51 and enters the polarization beam splitter 47b through the Fourier transform lens 50b. The diffracted light or scattered light reflected by the polarization beam splitter 47b reaches the photodetector 48b. Then, the photodetector 48b selectively receives diffracted light or scattered light from the alignment mark AM. Thereafter, the calculation unit FP can calculate information related to the deformation of the exposure area EA based on the detection result.

なお、図1に示されたように、基板ステージFBSのX軸方向及びY軸方向の移動量は、レーザー干渉計MMによって常時計測されている。したがって、光検出器48における受光光量の変化とレーザー干渉計MMの出力とに基づいて、アライメントマークAMのX軸方向及びY軸方向の位置を検出することができる。   As shown in FIG. 1, the movement amounts of the substrate stage FBS in the X-axis direction and the Y-axis direction are constantly measured by the laser interferometer MM. Therefore, the position of the alignment mark AM in the X-axis direction and the Y-axis direction can be detected based on the change in the amount of received light in the photodetector 48 and the output of the laser interferometer MM.

図7は、投影光学系PLの概略斜視図である。図7に示されるように投影光学系PLは、直角プリズムミラー63、69と、レンズ66、70と、凹面鏡67、71とを介してマスクMのパターンを基板FBに投影する。直角プリズムミラー63は一対のピエゾ素子62a、62bを介してプリズム台61に固定される。ここで、ピエゾ素子62a、62bは数μmのストロークを有する。また、直角プリズムミラー63とレンズ66との間には倍率調整に用いられるズーム光学系64が設けられ、ズーム光学系64の上方にはアクチュエータ65が設けられている。アクチュエータ65は、ズーム光学系64のレンズの間隔を制御することで投影倍率の制御が可能である。さらに、直角プリズムミラー63と直角プリズムミラー69の間には視野絞り68が設けられ、視野絞り68は投影像PIの形状が台形形状になるようにする。
FIG. 7 is a schematic perspective view of the projection optical system PL. As shown in FIG. 7, the projection optical system PL projects the pattern of the mask M onto the substrate FB via the right-angle prism mirrors 63 and 69, the lenses 66 and 70, and the concave mirrors 67 and 71. The right-angle prism mirror 63 is fixed to the prism base 61 via a pair of piezo elements 62a and 62b. Here, the piezo elements 62a and 62b have a stroke of several μm. A zoom optical system 64 used for magnification adjustment is provided between the right-angle prism mirror 63 and the lens 66, and an actuator 65 is provided above the zoom optical system 64. The actuator 65 can control the projection magnification by controlling the distance between the lenses of the zoom optical system 64. Further, a field stop 68 is provided between the right-angle prism mirror 63 and the right-angle prism mirror 69 so that the shape of the projection image PI becomes a trapezoidal shape.

直角プリズムミラー63の上方にはシフター部として二つの平行平板ガラスSF−X、SF−Yが設けられている。平行平板ガラスSF−X、SF−Yは投影像PIをX軸又はY軸方向に移動させる。シフター部はX方向シフト用の平行平板ガラスSF−X及びY方向シフト用の平行平板ガラスSF−Yをモータなどの駆動装置によってX軸又はY軸を中心として回転させることで、帯状の基板FBに転写される投影像PIをX方向又はY方向にシフトさせる。これによりX軸またはY軸のずれを補正することができる。例えば、図7に示されたように平行平板ガラスSF−X、SF−Yにより入射光を調整する場合に、投影像PIは矢印AR3のようにX軸方向に沿って移動してPI―Xの位置に到達し、または矢印AR4のようにY軸方向に沿って移動してPI―Yの位置に到達する。
Two parallel plate glasses SF-X and SF-Y are provided above the right-angle prism mirror 63 as shifters. The parallel flat glasses SF-X and SF-Y move the projection image PI in the X-axis or Y-axis direction. The shifter unit is a belt-like substrate FB by rotating the parallel flat glass SF-X for X direction shift and the parallel flat glass SF-Y for Y direction shift around the X axis or the Y axis by a driving device such as a motor. Is shifted in the X direction or the Y direction. Thereby, the deviation of the X axis or the Y axis can be corrected. For example, when the incident light is adjusted by the parallel flat glass SF-X and SF-Y as shown in FIG. 7, the projected image PI moves along the X-axis direction as indicated by an arrow AR3, and PI-X Or move along the Y-axis direction as indicated by an arrow AR4 to reach the PI-Y position.

また、プリズム台61にピエゾ素子62a、62bを介して固定されている直角プリズムミラー63が、Z軸と平行な軸の回りに回転することでローテーション補正が行われる。詳しくに、ピエゾ素子62a、62bのどちらか一方を駆動することで、あるいは両方のピエゾ素子62a、62bを逆方向に駆動することで、直角プリズムミラー63が矢印Dまたはその反対方向に回転する。したがって、マスクMのパターンの投影像PIは矢印AR5の回転方向またはその反対方向に回転することができる。例えば、直角プリズムミラー63が矢印Dに回転する場合に、マスクMのパターンの投影像PIはPI―Rの位置まで回転する。これにより、ローテーション補正が行われる。なお、図7の中では一対のピエゾ素子62a、62bを2箇所に配置しているが、3個または4個のピエゾ素子を用いて直角プリズムミラー31を支持するようにしても良い。
Further, the right angle prism mirror 63 fixed to the prism base 61 via the piezo elements 62a and 62b rotates around an axis parallel to the Z axis, thereby performing rotation correction. Specifically, by driving either one of the piezo elements 62a and 62b, or by driving both the piezo elements 62a and 62b in the opposite direction, the right-angle prism mirror 63 rotates in the arrow D or in the opposite direction. Therefore, the projected image PI of the pattern of the mask M can be rotated in the rotation direction of the arrow AR5 or in the opposite direction. For example, when the right-angle prism mirror 63 rotates in the direction of arrow D, the projected image PI of the pattern of the mask M rotates to the position PI-R. Thereby, rotation correction is performed. In FIG. 7, the pair of piezo elements 62a and 62b are arranged at two locations, but the right-angle prism mirror 31 may be supported using three or four piezo elements.

<アライメント及び露光方法:第1例>
図8は第1例の露光装置EXを用いて露光する第1例の露光方法のフローチャートである。図9及び図10は露光装置EXの露光動作を示した概念平面図である。
<Alignment and exposure method: first example>
FIG. 8 is a flowchart of the exposure method of the first example using the exposure apparatus EX of the first example. 9 and 10 are conceptual plan views showing the exposure operation of the exposure apparatus EX.

ステップS111からステップS114までは、アライメントセンサLSA1からアライメントセンサLSA4のベースライン計測の工程である。ベースライン計測の際には、帯状の基板FBが基板ステージFBSに送り込まれる前に行われる。   Steps S111 to S114 are baseline measurement steps of the alignment sensor LSA1 to the alignment sensor LSA4. In the baseline measurement, the measurement is performed before the belt-like substrate FB is sent to the substrate stage FBS.

ステップS111において、X軸LSAマーク15によりアライメントセンサLSA1、アライメントセンサLSA2及びアライメントセンサLSA4のX軸方向の基準位置が計測される。まず、アライメントセンサLSA1、アライメントセンサLSA2及びアライメントセンサLSA4で同時に基板ステージFBS上のX軸LSAマーク15を検出する。基板ステージFBSがX軸方向に移動することによって、アライメントセンサLSA1、アライメントセンサLSA2及びアライメントセンサLSA4がX軸LSAマーク15を検出する。図6で説明したように、基板ステージFBSの位置はレーザー干渉計MMで計測されている。このため、X軸LSAマーク15の位置を基準として、アライメントセンサLSA1、アライメントセンサLSA2及びアライメントセンサLSA4のX軸方向の相対的な位置が把握できる。   In step S111, the reference position in the X-axis direction of the alignment sensor LSA1, the alignment sensor LSA2, and the alignment sensor LSA4 is measured by the X-axis LSA mark 15. First, the X-axis LSA mark 15 on the substrate stage FBS is detected simultaneously by the alignment sensor LSA1, the alignment sensor LSA2, and the alignment sensor LSA4. As the substrate stage FBS moves in the X-axis direction, the alignment sensor LSA1, the alignment sensor LSA2, and the alignment sensor LSA4 detect the X-axis LSA mark 15. As described in FIG. 6, the position of the substrate stage FBS is measured by the laser interferometer MM. For this reason, the relative positions of the alignment sensor LSA1, the alignment sensor LSA2, and the alignment sensor LSA4 in the X-axis direction can be grasped based on the position of the X-axis LSA mark 15.

また、アライメントセンサLSA4は基板ステージFBSの第1基準部材18の上の基板用LSAマーク16を検出する。ここで、図2に示されたように、基板用LSAマーク16と基板側AISマーク17との位置は固定されているので、アライメントセンサLSA4はX軸LSAマーク15と基板側AISマーク17との相対位置関係を計測できる。したがって、X軸LSAマーク15の位置を基準としてアライメントセンサLSA1、アライメントセンサLSA2及びアライメントセンサLSA4のX軸方向の相対的な位置を把握しているので、アライメントセンサLSA1及びアライメントセンサLSA2も、基板側AISマーク17との相対位置関係を計測できる。   The alignment sensor LSA4 detects the substrate LSA mark 16 on the first reference member 18 of the substrate stage FBS. Here, as shown in FIG. 2, since the positions of the substrate LSA mark 16 and the substrate side AIS mark 17 are fixed, the alignment sensor LSA4 has a relationship between the X-axis LSA mark 15 and the substrate side AIS mark 17. The relative positional relationship can be measured. Therefore, since the relative positions of the alignment sensor LSA1, the alignment sensor LSA2, and the alignment sensor LSA4 in the X-axis direction are grasped on the basis of the position of the X-axis LSA mark 15, the alignment sensor LSA1 and the alignment sensor LSA2 are also arranged on the substrate side. The relative positional relationship with the AIS mark 17 can be measured.

ステップS112において、Y軸LSAマーク14によりアライメントセンサLSA2及びアライメントセンサLSA3のY軸方向の位置が検出される。Y軸LSAマーク14の位置を基準として、アライメントセンサLSA2及びアライメントセンサLSA3のY軸方向の相対的な位置が把握できる。ここで、Y軸LSAマーク14と基板側AISマーク17との位置は固定されているので、アライメントセンサLSA2及びアライメントセンサLSA3と基板側AISマーク17との相対位置関係が計測できる。したがって、基板側AISマーク17とアライメントセンサLSA2及びアライメントセンサLSA3との相対位置関係も計測できる。   In step S112, the Y-axis LSA mark 14 detects the positions of the alignment sensors LSA2 and LSA3 in the Y-axis direction. With reference to the position of the Y-axis LSA mark 14, the relative positions of the alignment sensor LSA2 and the alignment sensor LSA3 in the Y-axis direction can be grasped. Here, since the positions of the Y-axis LSA mark 14 and the substrate side AIS mark 17 are fixed, the relative positional relationship between the alignment sensor LSA2 and the alignment sensor LSA3 and the substrate side AIS mark 17 can be measured. Therefore, the relative positional relationship between the substrate-side AIS mark 17, the alignment sensor LSA2, and the alignment sensor LSA3 can also be measured.

ステップS113においては、図1(b)に示されたマスク側AISマーク11と図2(b)で示されたように、投影光学系PLを介してマスク側AISマーク11と基板側AISマーク17との相対的な位置関係が計測される。AIS撮像素子24でマスク側AISマーク11と基板側AISマーク17各々の像を検出する。これにより基板側AISマーク17の位置を基準にマスク側AISマーク11の像位置を計測することができる。
In step S113, the mask side AIS mark 11 shown in FIG. 1B and the mask side AIS mark 17 and the substrate side AIS mark 17 via the projection optical system PL as shown in FIG. 2B. Relative positional relationship is measured. The images of the mask side AIS mark 11 and the substrate side AIS mark 17 are detected by the AIS image sensor 24. Thereby, the image position of the mask side AIS mark 11 can be measured based on the position of the substrate side AIS mark 17.

ステップS114において、上述のステップS111、S112及びS113の結果に基づいて、アライメントセンサLSA1からLSA4の計測基準位置とマスクM投影像PIとのX軸方向及びY軸方向の相対位置関係が計測される。即ち、アライメントセンサLSA1からLSA4までのベースラインが計測できる。   In step S114, the relative positional relationship between the measurement reference positions of the alignment sensors LSA1 to LSA4 and the mask M projection image PI in the X-axis direction and the Y-axis direction is measured based on the results of the above-described steps S111, S112, and S113. . That is, the baseline from the alignment sensors LSA1 to LSA4 can be measured.

ステップS115において、帯状の基板FBと基板ステージFBSとがZ軸方向に離れた状態で、供給ローラFR及び巻き取りローラWRによって帯状の基板FBが−X方向に移送されてくる(図9(a)を参照)。帯状の基板FBは露光領域EAが基板ステージFBSに位置合わせるようにラフアライメント装置(不図示)で帯状の基板FBに対してラフアライメントが行われる。次に、基板ステージFBSが高さ調整部26(図3参照)によって上昇し、帯状の基板FBと基板ステージFBSとが接して、真空配管21により基板FBが基板ステージFBSに真空吸着される。   In step S115, the strip-shaped substrate FB is transferred in the −X direction by the supply roller FR and the take-up roller WR while the strip-shaped substrate FB and the substrate stage FBS are separated from each other in the Z-axis direction (FIG. 9A )). The strip-shaped substrate FB is rough-aligned with the strip-shaped substrate FB by a rough alignment apparatus (not shown) so that the exposure area EA is aligned with the substrate stage FBS. Next, the substrate stage FBS is raised by the height adjusting unit 26 (see FIG. 3), the belt-like substrate FB and the substrate stage FBS come into contact with each other, and the substrate FB is vacuum-sucked to the substrate stage FBS by the vacuum pipe 21.

ステップS116において、図9(a)から図9(b)に示されるように基板ステージFBSが移動する。すなわち、帯状の基板FBがX軸方向に沿って移動されながらアライメントセンサLSA1及びアライメントセンサLSA2は帯状の基板FBの露光領域EAの周囲でX軸方向に沿って設けられたアライメントマークAMを検出する。同時に、レーザー干渉計MMx(図1参照)によりアライメントマークAMのX座標が求められる。   In step S116, the substrate stage FBS moves as shown in FIGS. 9A to 9B. That is, the alignment sensor LSA1 and the alignment sensor LSA2 detect the alignment mark AM provided along the X-axis direction around the exposure area EA of the belt-like substrate FB while the belt-like substrate FB is moved along the X-axis direction. . At the same time, the X coordinate of the alignment mark AM is obtained by the laser interferometer MMx (see FIG. 1).

ステップS117において、図9(b)から図9(c)に示されるように基板ステージFBSがY方向に移動する。すなわち、帯状の基板FBをY軸方向に沿って移動しながらアライメントセンサLSA2及びアライメントセンサLSA3により帯状の基板FBの露光領域EAの周囲でY軸方向に沿って設けられたアライメントマークAMが検出される。同時に、レーザー干渉計MMyによりアライメントマークAMのY座標が求められる。なお、基板ステージFBSが移動する際には、供給ローラFRと巻き取りローラWRとから帯状の基板FBがそれぞれーX方向と+X方向に送り出される。このようにして、帯状の基板FBに点線Fに示された領域に余分な引張力が加わらないようにしている。
In step S117, the substrate stage FBS moves in the Y direction as shown in FIGS. 9B to 9C. That is, the alignment mark AM provided along the Y-axis direction around the exposure area EA of the belt-like substrate FB is detected by the alignment sensor LSA2 and the alignment sensor LSA3 while moving the belt-like substrate FB along the Y-axis direction. The At the same time, the Y coordinate of the alignment mark AM is obtained by the laser interferometer MMy. When the substrate stage FBS moves, the belt-like substrate FB is sent out in the −X direction and the + X direction from the supply roller FR and the take-up roller WR, respectively. In this way, an extra tensile force is not applied to the area indicated by the dotted line F on the belt-like substrate FB.

ステップS118において、図9(c)の位置まで基板ステージFBSが移動するとちょうど基板ステージFBSは露光スタートの位置になる。またこのとき、ステップS114において求めたベースライン計測結果をアライメントマークAMの計測座標に対して補正する。その一方で、ステップS114、ステップS116及びステップS117の結果に基づいて、帯状の基板FBの伸縮状態、X軸もしくはY軸方向の位置ずれ又は帯状の基板FBの回転(Z軸を中心とした回転)状態が求められる。   In step S118, when the substrate stage FBS moves to the position shown in FIG. 9C, the substrate stage FBS is exactly at the exposure start position. At this time, the baseline measurement result obtained in step S114 is corrected with respect to the measurement coordinates of the alignment mark AM. On the other hand, based on the results of step S114, step S116, and step S117, the stretched state of the strip-shaped substrate FB, the positional deviation in the X-axis or Y-axis direction, or the rotation of the strip-shaped substrate FB (rotation around the Z-axis) ) State is required.

ステップS119において、上述のステップS118で求められた帯状の基板FBの伸縮状態、X軸もしくはY軸方向の位置ずれ又は帯状の基板FBの回転などに基づいて、投影光学系PLによりマスクMのパターンの投影像PIの位置が調整される。上述のように、ステップS116及びS117にて求めたアライメントマークAMのX座標及びY座標を標準座標(露光領域EAが変形のない理想的な形状であるときのアライメントマークAMの座標)と比べてみる。この結果により帯状の基板FBの露光領域EAがその標準位置からの伸縮量が求められる。そして、平行平板ガラスSF−X、SF−Y及びピエゾ素子62a、62bを動作させることで、マスクMの投影像PIが調整される。例えば、投影像PIがX軸方向にずれている場合は、平行平板ガラスSF−Xを傾けて補正を行い、投影像PIがY軸方向にずれている場合は、平行平板ガラスSF−Yを傾けて補正を行い、投影像PIのローテーション補正が必要な場合は、ピエゾ素子62a、62bを伸縮することで補正される。詳しくに、図11を参照しながら説明する。
In step S119, the pattern of the mask M is projected by the projection optical system PL based on the expansion / contraction state of the band-shaped substrate FB obtained in step S118 described above, the positional deviation in the X-axis or Y-axis direction, or the rotation of the band-shaped substrate FB. The position of the projected image PI is adjusted. As described above, the X and Y coordinates of the alignment mark AM obtained in steps S116 and S117 are compared with the standard coordinates (the coordinates of the alignment mark AM when the exposure area EA has an ideal shape without deformation). View. As a result, the amount of expansion / contraction from the standard position of the exposure area EA of the belt-like substrate FB is obtained. And the projection image PI of the mask M is adjusted by operating the parallel flat glass SF-X and SF-Y and the piezo elements 62a and 62b. For example, when the projected image PI is displaced in the X-axis direction, the parallel flat glass SF-X is corrected by being tilted. When the projected image PI is displaced in the Y-axis direction, the parallel flat glass SF-Y is corrected. When tilt correction is performed and rotation correction of the projected image PI is necessary, the correction is performed by expanding and contracting the piezo elements 62a and 62b. This will be described in detail with reference to FIG.

図11は、投影光学系PLにより投影像PIを調整して露光領域EAのずれを補正する説明図である。(a)は露光領域EAが点線で示されたような変形がない理想的な形状から実線で示されたような変形形状に変形された平面図で、(b)は平行平板ガラスSF−Xにより露光領域EAのX軸方向のずれを補正した平面図で、(c)は平行平板ガラスSF−Yにより露光領域EAのY軸方向のずれを補正し、ピエゾ素子62a、62bにより露光領域EAのローテーションを補正した平面図である。   FIG. 11 is an explanatory diagram for correcting the deviation of the exposure area EA by adjusting the projection image PI by the projection optical system PL. (A) is a plan view in which the exposure area EA is deformed from an ideal shape without deformation as shown by a dotted line to a deformed shape as shown by a solid line, and (b) is a parallel flat glass SF-X. FIG. 6C is a plan view in which the deviation in the X-axis direction of the exposure area EA is corrected by (c), the deviation in the Y-axis direction of the exposure area EA is corrected by the parallel flat glass SF-Y, and the exposure area EA is corrected by the piezoelectric elements 62a and 62b. It is the top view which correct | amended rotation.

図11(a)において、露光領域EAは点線で示されたような変形がない理想的な形状から変形されている状態である。その変形形状は、ステップS114、ステップS116及びステップS117にて求めたアライメントマークAMのX座標及びY座標とに基づいて研鑽できる。図11(a)では、露光領域EAは+X方向に伸ばしている。また、+X方向の短辺がY方向に伸張されている。逆に−X方向の短辺は短縮されている状態である。このため、変形がない理想的な露光領域EAの形状に応じて、配置されている投影光学系PLの投影像PIの全体の長さは露光領域EAの長辺より短くになっている。   In FIG. 11A, the exposure area EA is in a state of being deformed from an ideal shape without deformation as indicated by the dotted line. The deformed shape can be studied based on the X coordinate and Y coordinate of the alignment mark AM obtained in step S114, step S116, and step S117. In FIG. 11A, the exposure area EA extends in the + X direction. Further, the short side in the + X direction is extended in the Y direction. Conversely, the short side in the -X direction is shortened. For this reason, the entire length of the projection image PI of the arranged projection optical system PL is shorter than the long side of the exposure area EA according to the shape of the ideal exposure area EA that is not deformed.

このため、まず図11(b)に示されたように投影像PIの全体の長さが露光領域EAの長辺より長くなるように各投影光学系PLのズーム光学系64及びアクチュエータ65により投影像PIを大きくする。さらに、平行平板ガラスSF−Xを回転することで各投影像PIをX+方向に沿って移動させる。   Therefore, first, as shown in FIG. 11B, the projection image PI is projected by the zoom optical system 64 and the actuator 65 of each projection optical system PL so that the entire length of the projection image PI is longer than the long side of the exposure area EA. Increase the image PI. Furthermore, each projection image PI is moved along the X + direction by rotating the parallel flat glass SF-X.

そして、図11(c)に示されたように、投影像PI1及びPI4はピエゾ素子62a、62bを伸縮することで回転され、投影光学系PLの平行平板ガラスSF−Yを回転することでY+方向に沿って移動する。また、投影像PI2はピエゾ素子62a、62bを伸縮することで回転する。さらに、投影像PI3及びPI5はピエゾ素子62a、62bを伸縮することで回転され、投影光学系PLの平行平板ガラスSF−Yを回転することでY−方向に沿って移動する。これにより、投影像PIの位置は変形されている露光領域EAの形状に応じて調整される。   Then, as shown in FIG. 11C, the projected images PI1 and PI4 are rotated by expanding and contracting the piezo elements 62a and 62b, and Y + by rotating the parallel flat glass SF-Y of the projection optical system PL. Move along the direction. The projected image PI2 rotates by expanding and contracting the piezo elements 62a and 62b. Furthermore, the projected images PI3 and PI5 are rotated by expanding and contracting the piezo elements 62a and 62b, and are moved along the Y-direction by rotating the parallel flat glass SF-Y of the projection optical system PL. Thereby, the position of the projection image PI is adjusted according to the shape of the exposed exposure area EA.

再び図8に戻り、ステップS120において、基板ステージFBSが図9(c)から図10(d)へ移動しながらスキャン露光が行われる。つまり、基板ステージFBSは−Y方向に沿って移動しながら、露光領域EAに対してスキャン露光が行われる。   Returning to FIG. 8 again, in step S120, scanning exposure is performed while the substrate stage FBS moves from FIG. 9C to FIG. 10D. That is, the substrate stage FBS is scanned along the exposure area EA while moving along the −Y direction.

ステップS121において、露光が終了した後、基板FBと基板ステージFBSとの真空吸着が終了し、基板ステージFBSが高さ調整部26によって下降される。したがって、基板FBと基板ステージFBSとが離れる。そして、基板ステージFBSは図10(e)に示された未露光領域の露光領域EAへ進む。図10(e)で示される基板ステージFBSの状態は、ステップS111で説明した基板ステージFBSの位置、すなわち図9(a)と同じ状態に戻る。   In step S121, after the exposure is finished, the vacuum suction between the substrate FB and the substrate stage FBS is finished, and the substrate stage FBS is lowered by the height adjusting unit 26. Therefore, the substrate FB and the substrate stage FBS are separated. Then, the substrate stage FBS proceeds to the exposure area EA of the unexposed area shown in FIG. The state of the substrate stage FBS shown in FIG. 10 (e) returns to the same position as the position of the substrate stage FBS described in step S111, that is, FIG. 9 (a).

<露光装置の全体構成:第2例>
図12は、第2例の露光装置EXを示す平面図である。
図12に示されたように、第2例の露光装置EXは、供給ローラFRと巻き取りローラWRとの下方にレールRがそれぞれ設けられ、供給ローラFRと巻き取りローラWRとが基板ステージFBSと同期してY軸方向で自由に移動することができる。
<Entire Configuration of Exposure Apparatus: Second Example>
FIG. 12 is a plan view showing the exposure apparatus EX of the second example.
As shown in FIG. 12, in the exposure apparatus EX of the second example, rails R are respectively provided below the supply roller FR and the take-up roller WR, and the supply roller FR and the take-up roller WR are connected to the substrate stage FBS. Can be freely moved in the Y-axis direction in synchronization with the.

図9(c)に示されたように第1例の露光装置EXで基板FBを露光するとき、基板ステージFBSがY軸方向に移動する際には帯状の基板FBに引張力が加わり易く、また帯状の基板FBがねじれて、点線Fに示される領域にしわが生じてしまう。この場合に対応して、第2例の露光装置EXでは供給ローラFRと巻き取りローラWRとが基板ステージFBSと同期にY軸方向で自由に移動する。第2例では、帯状の基板FBに生じる上述のしわを防止することができる。   When the substrate FB is exposed by the exposure apparatus EX of the first example as shown in FIG. 9C, when the substrate stage FBS moves in the Y-axis direction, a tensile force is easily applied to the belt-like substrate FB. In addition, the band-shaped substrate FB is twisted and wrinkles are generated in the area indicated by the dotted line F. Corresponding to this case, in the exposure apparatus EX of the second example, the supply roller FR and the take-up roller WR freely move in the Y-axis direction in synchronization with the substrate stage FBS. In the second example, it is possible to prevent the above-described wrinkle generated in the strip-shaped substrate FB.

なお、第2例の露光装置EXにおいてレールRの以外の構成は第1例の露光装置EXと同じので、ここでは説明を省略する。   Note that in the exposure apparatus EX of the second example, the configuration other than the rail R is the same as that of the exposure apparatus EX of the first example, and thus the description thereof is omitted here.

<アライメント及び露光方法:第2例>
図13及び図14は、第2例の露光装置EXにより帯状の基板FBを露光する露光動作を示した平面図である。ここで、第1例のアライメント及び露光方法との差異点は、帯状の基板FBを載置している基板ステージFBSがY軸方向に沿って移動する際、供給ローラFRと巻き取りローラWRとも同時に移動する点である。
<Alignment and exposure method: second example>
13 and 14 are plan views showing an exposure operation for exposing the strip-shaped substrate FB by the exposure apparatus EX of the second example. Here, the difference from the alignment and exposure method of the first example is that when the substrate stage FBS on which the band-shaped substrate FB is placed moves along the Y-axis direction, both the supply roller FR and the take-up roller WR It is a point that moves at the same time.

まず、第1例のアライメント及び露光方法のステップS111からステップS114までに示されたようにベースライン量を測定する。
そして図13(a)では、帯状の基板FBと基板ステージFBSとがZ軸方向に離れた状態で、供給ローラFR及び巻き取りローラWRによって帯状の基板FBが−X方向に移送されてくる。帯状の基板FBは露光領域EAが基板ステージFBSに位置合わせるようにラフアライメント装置(不図示)で帯状の基板FBに対してラフアライメントが行われる。そして、基板ステージFBSが高さ調整部26によって上昇し、帯状の基板FBと基板ステージFBSとが接する。その後、真空配管21(図3参照)により基板FBは基板ステージFBSに真空吸着される。
First, the baseline amount is measured as shown in steps S111 to S114 of the alignment and exposure method of the first example.
In FIG. 13A, the belt-like substrate FB is transferred in the −X direction by the supply roller FR and the take-up roller WR while the belt-like substrate FB and the substrate stage FBS are separated from each other in the Z-axis direction. The strip-shaped substrate FB is rough-aligned with the strip-shaped substrate FB by a rough alignment apparatus (not shown) so that the exposure area EA is aligned with the substrate stage FBS. Then, the substrate stage FBS is raised by the height adjusting unit 26, and the belt-like substrate FB and the substrate stage FBS come into contact with each other. Thereafter, the substrate FB is vacuum-sucked to the substrate stage FBS by the vacuum pipe 21 (see FIG. 3).

次に、図13(a)から図13(b)に示されるように基板ステージFBSが−X軸方向に移動する。すなわち、帯状の基板FBがX軸方向に沿って移動されながらアライメントセンサLSA1及びアライメントセンサLSA2は帯状の基板FBの露光領域EAの周囲でX軸方向に沿って設けられたアライメントマークAMを検出する。同時に、レーザー干渉計MMx(図1参照)によりアライメントマークAMのX座標が求められる。   Next, as shown in FIGS. 13A to 13B, the substrate stage FBS moves in the −X axis direction. That is, the alignment sensor LSA1 and the alignment sensor LSA2 detect the alignment mark AM provided along the X-axis direction around the exposure area EA of the belt-like substrate FB while the belt-like substrate FB is moved along the X-axis direction. . At the same time, the X coordinate of the alignment mark AM is obtained by the laser interferometer MMx (see FIG. 1).

次に、図13(b)から図13(c)を介して図14(d)に示されるように基板ステージFBSがY方向に移動する。すなわち、帯状の基板FBをY軸方向に沿って移動しながらアライメントセンサLSA2及びアライメントセンサLSA3により帯状の基板FBの露光領域EAの周囲でY軸方向に沿って設けられたアライメントマークAMが検出される。
この基板ステージFBSの移動の際には、供給ローラFRと巻き取りローラWRとが基板ステージFBSと同期してY軸方向に移動する。このため、帯状の基板FBには、余分な張力がかかったりまたねじれが生じたりすることがない。
Next, as shown in FIG. 14D through FIGS. 13B to 13C, the substrate stage FBS moves in the Y direction. That is, the alignment mark AM provided along the Y-axis direction around the exposure area EA of the belt-like substrate FB is detected by the alignment sensor LSA2 and the alignment sensor LSA3 while moving the belt-like substrate FB along the Y-axis direction. The
When the substrate stage FBS moves, the supply roller FR and the take-up roller WR move in the Y-axis direction in synchronization with the substrate stage FBS. For this reason, the belt-like substrate FB is not subjected to excessive tension or torsion.

次に図14(d)から図14(e)に示されるように、基板ステージFBSが移動しながらスキャン露光が行われる。つまり、基板ステージFBSは−Y方向に沿って移動しながら、露光領域EAに対してスキャン露光が行われる。また、供給ローラFRと巻き取りローラWRとが基板ステージFBSと同期してY軸方向に移動する。
Next, as shown in FIGS. 14D to 14E, scanning exposure is performed while the substrate stage FBS moves. That is, the substrate stage FBS is scanned along the exposure area EA while moving along the −Y direction. Further, the supply roller FR and the take-up roller WR move in the Y-axis direction in synchronization with the substrate stage FBS.

最後に図14(f)に示されるように、露光が終了した後、帯状の基板FBと基板ステージFBSとの真空吸着が終了し、基板ステージFBSが高さ調整部26によって下降して基板FBと離れて最初位置に戻る。   Finally, as shown in FIG. 14F, after the exposure is completed, the vacuum suction between the strip-shaped substrate FB and the substrate stage FBS is completed, and the substrate stage FBS is lowered by the height adjusting unit 26 and the substrate FB. And go back to the first position.

<デバイス製造方法>
図15は、電気デバイス製造方法を示すフローチャートである。
図15に示されたように、電気デバイスは、デバイスの機能・性能・パターン設計を行うステップS211と、ステップS211に基づいてマスクMを制作するステップS212と、感光剤が塗布された帯状の基板FBを制作するステップS213とを有している。
また第1例又は第2例で説明された露光方法によってマスクMのパターンを帯状の基板FBに露光する(ステップS214)。その後、帯状の基板FBの感光剤が現像され(ステップS215)、帯状の基板FBにマスクMのパターンに対応する凹凸形状を有した転写パーン層が形成される(ステップS216)。転写パターン層を介して基板を加工されて(ステップS217)、デバイスが組み合わせる(ステップS218)。このようにして電気デバイスが製造される。
<Device manufacturing method>
FIG. 15 is a flowchart showing an electrical device manufacturing method.
As shown in FIG. 15, the electrical device includes a step S211 for performing function / performance / pattern design of the device, a step S212 for producing a mask M based on step S211 and a strip-shaped substrate coated with a photosensitive agent. Step S213 for producing an FB.
Further, the pattern of the mask M is exposed on the belt-like substrate FB by the exposure method described in the first example or the second example (step S214). Thereafter, the photosensitizer on the belt-like substrate FB is developed (step S215), and a transfer pan layer having an uneven shape corresponding to the pattern of the mask M is formed on the belt-like substrate FB (step S216). The substrate is processed through the transfer pattern layer (step S217), and the devices are combined (step S218). In this way, an electrical device is manufactured.

以上、本発明の最適な実施例について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施例に様々な変更・変形を加えて実施することができる。   The optimum embodiment of the present invention has been described in detail above. However, as will be apparent to those skilled in the art, the present invention can be implemented with various modifications and variations within the technical scope thereof.

本発明の転写装置として、複数のマークからの回折光を検出する検出装置を備えた露光装置を用いて説明してきた。しかし本発明の転写装置は露光装置に限られず、凹凸を有する金型で材料を押圧するスタンパ方式(インプリント)、液状材料を吐出して液状材料を徐々に堆積させながら硬化するインクジェット・プリンターなどにも適用される。
The transfer apparatus of the present invention has been described using an exposure apparatus provided with a detection apparatus that detects diffracted light from a plurality of marks. However, the transfer apparatus of the present invention is not limited to an exposure apparatus, but a stamper method (imprint) in which a material is pressed with a mold having irregularities, an ink jet printer that cures while gradually depositing the liquid material by discharging the liquid material, etc. Also applies.

11 マスク側AISマーク
14 Y軸LSAマーク、 15 X軸LSAマーク
16 基板用LSAマーク、 17 基板側AISマーク
18 第1基準部材、 19 第2基準部材
21 真空吸着孔
23 レンズ系
24 AIS撮像素子
26 高さ調整部
28 基板ステージ移動部
30 圧着固定部
33 ピストン部
35 圧着板
41 レーザー光源、 42 光アイソレータ
43 シリンドリカルレンズ、 44 ビームスプリッタ
45a、45b 視野絞り、 46a、46b ミラー
47a、47b 偏光ビームスプリッタ、 48a、48b 光検出器
49a、49b 反射鏡
50a、50b フーリエ変換レンズ
51 視野合成ミラー、 52 1/4波長板、 53 対物レンズ
61 プリズム台、 62a、62b ピエゾ素子
63 直角プリズムミラー、 64 ズーム光学系、 65 アクチュエータ
66 レンズ、 67 凹面鏡、 68 視野絞り、 69 直角プリズムミラー
70 レンズ、 71 凹面鏡
AB、AB−X、AB−Y 線状ビーム
AM アライメントマーク
EA 露光領域
EX 露光装置
EXL 露光光
FB 基板
FBS 基板ステージ
FP 演算部
FR 供給ローラ
LM,LMx レーザー干渉計
LSA、LSA1、LSA2、LSA3、LSA4 アライメントセンサ
M マスク
MST マスクステージ
MM,MMx レーザー干渉計
PI 投影像
PL 投影光学系
R レール
SF−X、SF−Y 平行平板ガラス
Ta 凸状部
WR 巻き取りローラ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Mask side AIS mark 14 Y-axis LSA mark, 15 X-axis LSA mark 16 Board | substrate LSA mark, 17 Board | substrate side AIS mark 18 1st reference member, 19 2nd reference member 21 Vacuum suction hole 23 Lens system 24 AIS image sensor 26 Height adjustment unit 28 Substrate stage moving unit 30 Crimp fixing unit 33 Piston unit 35 Crimping plate 41 Laser light source, 42 Optical isolator 43 Cylindrical lens, 44 Beam splitter 45a, 45b Field stop, 46a, 46b Mirror 47a, 47b Polarizing beam splitter, 48a, 48b Photodetector 49a, 49b Reflector 50a, 50b Fourier transform lens 51 Field synthesis mirror, 52 1/4 wave plate, 53 Objective lens 61 Prism stage, 62a, 62b Piezo element 63 Right angle prism mirror, 64 Zoom Optical system, 65 Actuator 66 Lens, 67 Concave mirror, 68 Field stop, 69 Right angle prism mirror 70 Lens, 71 Concave mirror AB, AB-X, AB-Y Linear beam AM Alignment mark EA Exposure area EX Exposure device EXL Exposure light FB Substrate FBS substrate stage FP calculation unit FR supply roller LM, LMx Laser interferometer LSA, LSA1, LSA2, LSA3, LSA4 Alignment sensor M mask MST mask stage MM, MMx Laser interferometer PI projection image PL projection optical system R rail SF-X, SF-Y Parallel flat glass Ta Convex part WR Take-up roller

Claims (20)

可撓性を有する帯状の基板の長手方向に沿って所定の間隔で配置される複数の露光領域の各々に、電気デバイスのパターンを順次転写する転写装置であって
前記基板を前記長手方向に移送する移送装置と、
前記基板の前記露光領域を含む一部を保持し、前記基板の表面に沿って前記長手方向と交差した短手方向と前記長手方向とに移動可能なステージ装置と
前記基板上の1つの露光領域の前記長手方向の異なる複数の領域の各々に前記電気デバイスに対応したパターンの像が投影されるように、前記長手方向に配列された複数の投影光学系と、該投影光学系の各々による前記パターンの像の投影位置、又は像回転の少なくとも1つを個別に補正する為の補正装置とを備えたパターン生成装置と、
前記基板の前記露光領域の前記長手方向の周辺と前記短手方向の周辺に形成された複数のマークの各位置を検出する為のアライメントセンサと、
該検出された前記複数のマークの各位置に基づいて前記露光領域の変形に関する情報を算出する演算装置と、
前記基板を保持した前記ステージ装置を前記短手方向に所定の速度で移動させつつ、前記変形に関する情報に基づいて前記補正装置を制御して、前記パターン生成装置から投影される前記パターンの像を補正しながら、前記露光領域を前記短手方向に走査露光する制御装置と、
を備えることを特徴とする転写装置。
Flexibility to each of the plurality of exposure regions arranged at predetermined intervals along the longitudinal direction of the band-shaped substrate having, a transfer device for sequentially transferring the pattern of electrical devices,
A transfer device for transferring the substrate in the longitudinal direction;
A stage device that holds a part of the substrate including the exposure region and is movable along the surface of the substrate in a lateral direction intersecting the longitudinal direction and in the longitudinal direction ;
A plurality of projection optical systems arranged in the longitudinal direction so that an image of a pattern corresponding to the electrical device is projected on each of the plurality of different regions in the longitudinal direction of one exposure region on the substrate; A pattern generation device comprising: a correction device for individually correcting at least one of a projection position or image rotation of the image of the pattern by each of the projection optical systems;
An alignment sensor for detecting each position of a plurality of marks formed in the periphery in the longitudinal direction and in the periphery in the short direction of the exposure area of the substrate;
Based on each position of the plurality of marks issued 該検, an arithmetic unit for calculating information on deformation of the exposure area,
An image of the pattern projected from the pattern generation device is controlled by controlling the correction device based on the information on the deformation while moving the stage device holding the substrate in the short direction at a predetermined speed. A control device that scans and exposes the exposure area in the lateral direction while correcting,
A transfer apparatus comprising:
前記パターン生成装置は、前記基板上の1つの露光領域に対応したパターンが描画されたマスクを保持するように構成され、
前記補正装置は、前記複数の投影光学系の各々の光路内に微動可能に設けられた光学部材であること、
を特徴とする請求項1に記載の転写装置。
The pattern generation device is configured to hold a mask on which a pattern corresponding to one exposure region on the substrate is drawn,
The correction device is an optical member provided so as to be finely movable in each optical path of the plurality of projection optical systems;
The transfer device according to claim 1.
前記パターン生成装置は、前記基板上の1つの露光領域に対応したパターンを生成する為の反射型又は透過型の空間光変調器を備え、前記補正装置は、前記空間光変調器に設けられること、
を特徴とする請求項1に記載の転写装置。
The pattern generation device includes a reflective or transmissive spatial light modulator for generating a pattern corresponding to one exposure region on the substrate, and the correction device is provided in the spatial light modulator. ,
The transfer device according to claim 1 .
前記ステージ装置は、前記基板の一部を保持して前記長手方向に移動し、
前記アライメントセンサは、前記ステージ装置が前記長手方向に移動している際に、前記基板上の前記露光領域の周辺で前記長手方向に沿って所定の間隔で形成された複数の前記マークの各位置を検出することを特徴とする請求項2または3に記載の転写装置。
The stage device holds a part of the substrate and moves in the longitudinal direction ,
The alignment sensor, when the stage apparatus is moved in the longitudinal direction, the positions of the plurality of said marks along said the longitudinal direction around the exposed regions are formed at predetermined intervals on the substrate The transfer device according to claim 2 , wherein the transfer device is detected.
前記移送装置は、前記基板を前記長手方向に移送する為に、前記ステージ装置に対して移送方向の前後に配置されたローラを含み、
前記走査露光の際の前記ステージ装置前記短手方向への移動に同期して、前記ローラを前記短手方向へ移動することを特徴とする請求項に記載の転写装置。
The transfer device includes a roller disposed before and after the stage device in the transfer direction to transfer the substrate in the longitudinal direction,
The transfer device according to claim 4 , wherein the roller is moved in the short direction in synchronization with the movement of the stage device in the short direction during the scanning exposure .
前記ステージ装置の前記長手方向の移動位置、及び前記短手方向の移動位置を測定する測定装置を備え、前記アライメントセンサによる前記マークの位置検出の際に、前記測定装置によって測定される前記ステージ装置の移動位置に基づいて、検出した前記マークの座標位置を特定することを特徴とする請求項に記載の転写装置。 The stage device includes a measuring device that measures the moving position in the longitudinal direction and the moving position in the short direction of the stage device, and is measured by the measuring device when the position of the mark is detected by the alignment sensor. The transfer apparatus according to claim 5 , wherein a coordinate position of the detected mark is specified based on a moving position of the mark . 前記ステージ装置と前記アライメントセンサとの相対位置に関する情報を検出するため、前記ステージ装置上の前記短手方向の一方の周辺部に配置されて、前記アライメントセンサで検出可能な第1基準パターンを前記長手方向に沿って設けた第1基準部材を有すること、を特徴とする請求項6に記載の転写装置。In order to detect information related to the relative position between the stage device and the alignment sensor, a first reference pattern that is disposed on one peripheral portion of the short-side direction on the stage device and is detectable by the alignment sensor is The transfer apparatus according to claim 6, further comprising a first reference member provided along the longitudinal direction. 前記ステージ装置上の前記長手方向の一方の周辺部に配置されて、前記アライメントセンサで検出可能な第2基準パターンを前記短手方向に沿って設けた第2基準部材を有すること、を特徴とする請求項に記載の転写装置。 It has a second reference member which is arranged in one peripheral part of the longitudinal direction on the stage device and which has a second reference pattern which can be detected by the alignment sensor along the short direction. The transfer device according to claim 7 . 前記パターン生成装置は、前記電気デバイスに対応したパターンと一定の位置関係で設けられるマスク側AISマークを、前記投影光学系を介して前記ステージ装置に向けて投影可能であり、
前記ステージ装置は、前記パターン生成装置から投影される前記パターンの像と前記ステージ装置との相対位置に関する情報を検出するため、前記投影光学系を介して投影される前記マスク側AISマークの投影像の位置を検出する位置検出部を有すること、を特徴とする請求項7または8のいずれか一項に記載の転写装置。
The pattern generation apparatus can project a mask side AIS mark provided in a fixed positional relationship with a pattern corresponding to the electric device toward the stage apparatus via the projection optical system,
The stage device is a projection image of the mask-side AIS mark projected through the projection optical system to detect information on the relative position between the image of the pattern projected from the pattern generation device and the stage device. The transfer device according to claim 7, further comprising: a position detection unit that detects the position of the transfer device.
前記複数の投影光学系の各々は、前記基板に投影される前記パターンの像を前記長手方向に伸びた台形状の投影領域内に投影し、
該台形状の投影領域のうち前記長手方向に隣り合う前記投影領域同志は一部重複するように配置され、
前記位置検出部によって前記マスク側AISマークの投影像を検出する際は、前記台形状の投影領域の前記一部重複する領域内に前記マスク側AISマークが投影されるように設定し、前記ステージ装置を移動させて前記位置検出部を前記マスク側AISマークの投影像の下に設置すること、
を特徴とする請求項9に記載の転写装置。
Each of the plurality of projection optical systems projects an image of the pattern projected onto the substrate into a trapezoidal projection region extending in the longitudinal direction,
Among the trapezoidal projection areas, the projection areas adjacent in the longitudinal direction are arranged so as to partially overlap,
When the projection image of the mask side AIS mark is detected by the position detection unit, the mask side AIS mark is set to be projected within the partially overlapping area of the trapezoidal projection area, and the stage Moving the apparatus to install the position detector below the projected image of the mask side AIS mark;
The transfer device according to claim 9.
前記第1基準部材は、熱膨張係数が小さく且つ光を透過する透明部材で構成され、
前記位置検出部は、前記第1基準パターンと共に前記透明部材上に形成される基板側AISマークと、前記投影光学系から投影されて前記マスク側AISマークの投影像の前記透明部材を通過した光を受光する撮像素子とを備えること、
を特徴とする請求項10に記載の転写装置。
The first reference member is composed of a transparent member having a small thermal expansion coefficient and transmitting light,
The position detection unit includes a substrate-side AIS mark formed on the transparent member together with the first reference pattern, and light that has been projected from the projection optical system and passed through the transparent member of the projection image of the mask-side AIS mark. An image sensor for receiving light,
The transfer device according to claim 10.
前記ステージ装置は、前記基板の法線方向に移動する高さ調整部を有する、請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の転写装置。 The transfer device according to any one of claims 1 to 11 , wherein the stage device includes a height adjusting unit that moves in a normal direction of the substrate. 可撓性を有する帯状の基板上の長手方向に沿って所定の間隔で配置される複数の露光領域の各々に、電気デバイスのパターンを順次転写する方法であって、
前記基板の前記長手方向と交差した短手方向と前記長手方向とに移動可能な平坦なステージ装置に、前記基板の前記露光領域を含む一部を保持する工程と、
前記基板上の前記露光領域の前記長手方向の周辺と前記短手方向の周辺とに形成された複数のマークの各位置をアライメントセンサで検出し、該検出された前記各位置に基づいて前記露光領域の変形に関する情報を得る工程と、
前記基板の前記長手方向に配列された複数の投影光学系を備えたパターン生成装置によって、前記基板上の1つの露光領域の前記長手方向の異なる複数の領域の各々に前記電気デバイスに対応したパターンの像を投影する工程と、
前記複数の投影光学系毎に投影される前記パターンの像の投影位置又は像回転を、前記変形に関する情報に基づいて補正する補正装置を制御しつつ、前記ステージ装置を前記短手方向に所定の速度で移動させて前記基板上の前記露光領域を前記短手方向に走査露光する工程と、
含むことを特徴とする転写方法。
A method of sequentially transferring a pattern of an electric device to each of a plurality of exposure regions arranged at predetermined intervals along a longitudinal direction on a flexible belt-like substrate,
Holding a part including the exposure area of the substrate on a flat stage device movable in a short direction intersecting the longitudinal direction of the substrate and the longitudinal direction;
Each position of a plurality of marks formed in the periphery in the longitudinal direction and the periphery in the short direction of the exposure area on the substrate is detected by an alignment sensor, and the exposure is performed based on the detected positions. Obtaining information about the deformation of the region;
A pattern corresponding to the electrical device in each of a plurality of different regions in the longitudinal direction of one exposure region on the substrate by a pattern generating apparatus including a plurality of projection optical systems arranged in the longitudinal direction of the substrate. Projecting an image of
While controlling the correction device that corrects the projection position or image rotation of the image of the pattern projected for each of the plurality of projection optical systems based on the information related to the deformation, the stage device is set in a predetermined direction in the short direction. Scanning the exposure area on the substrate in the short direction by moving at a speed; and
A transfer method comprising :
前記基板の一部を前記ステージ装置に保持する工程の前に、前記基板を前記長手方向に移送する移送装置によって、前記基板上の1つの露光領域が前記ステージ装置の保持面上に位置するように移送する工程を含むこと、
を特徴とする請求項13に記載の転写方法。
Before the step of holding a part of the substrate on the stage apparatus, one exposure region on the substrate is positioned on the holding surface of the stage apparatus by the transfer device that transfers the substrate in the longitudinal direction. Including the step of transferring to
The transfer method according to claim 13.
前記変形に関する情報を得る工程は、
前記アライメントセンサが前記基板上の前記露光領域の周辺で前記長手方向に沿って所定の間隔で形成された複数の前記マークを順次検出するように、前記基板の一部を保持した前記ステージ装置を前記長手方向に移動させる段階を含むこと、
を特徴とする請求項14に記載の転写方法。
The step of obtaining information on the deformation includes
The stage apparatus holding a part of the substrate so that the alignment sensor sequentially detects the plurality of marks formed at predetermined intervals along the longitudinal direction around the exposure area on the substrate. Including moving in the longitudinal direction;
The transfer method according to claim 14.
前記変形に関する情報を得る工程は、
前記アライメントセンサが前記基板上の前記露光領域の周辺で前記短手方向に沿って所定の間隔で形成された複数の前記マークを順次検出するように、前記基板の一部を保持した前記ステージ装置を前記短手方向に移動させると共に、前記ステージ装置の移動に同期して前記移送装置を前記短手方向に移動させる段階を含むこと、
を特徴とする請求項14または15のいずれか一項に記載の転写方法。
The step of obtaining information on the deformation includes
The stage apparatus holding a part of the substrate so that the alignment sensor sequentially detects the plurality of marks formed at predetermined intervals along the short direction around the exposure area on the substrate. And moving the transfer device in the short direction in synchronization with the movement of the stage device.
The transfer method according to any one of claims 14 and 15, wherein:
前記パターン生成装置は、前記基板上の1つの露光領域に対応したパターンが描画されたマスクを保持するように構成され、
前記補正装置は、前記複数の投影光学系の各々の光路内に微動可能に設けられた光学部材で構成されること、
を特徴とする請求項13〜16のいずれか一項に記載の転写方法。
The pattern generation device is configured to hold a mask on which a pattern corresponding to one exposure region on the substrate is drawn,
The correction device is constituted by an optical member provided in a light-movable manner in each optical path of the plurality of projection optical systems;
The transfer method according to any one of claims 13 to 16 .
前記パターン生成装置は、前記電気デバイスのパターンに対応した投影像を生成する為の反射型又は透過型の空間光変調器を備え、前記補正装置は、前記空間光変調器に設けられること、
を特徴とする請求項13〜16のいずれか一項に記載の転写方法。
The pattern generation device includes a reflective or transmissive spatial light modulator for generating a projection image corresponding to the pattern of the electrical device, and the correction device is provided in the spatial light modulator;
The transfer method according to any one of claims 13 to 16 .
請求項1〜12のいずれか一項に記載の転写装置を用いたデバイスの製造方法であって、
可撓性を有する帯状の樹脂製の基板を、該基板の長手方向に移送し、前記基板の前記露光領域を含む一部を前記ステージ装置に保持する工程と、
前記ステージ装置を前記長手方向と交差する短手方向に所定の速度で移動させつつ、前記パターン生成装置から投影される前記デバイスに対応したパターンの投影像を、前記アライメントセンサと前記演算装置によって計測された前記変形に関する情報に基づいて補正しながら、前記露光領域を前記短手方向に走査露光する工程と、
該走査露光する工程の後で、前記パターンが転写された前記基板を該パターンに基づいて加工する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
A device manufacturing method using the transfer apparatus according to any one of claims 1 to 12,
A step of transferring a flexible strip-shaped resin substrate in the longitudinal direction of the substrate and holding a part of the substrate including the exposure region on the stage device;
The projection image of the pattern corresponding to the device projected from the pattern generation device is measured by the alignment sensor and the arithmetic device while moving the stage device at a predetermined speed in the short direction intersecting the longitudinal direction. Scanning and exposing the exposure area in the lateral direction while correcting based on the information about the deformation that has been made,
After the step of performing the scanning exposure, a step of processing the substrate on which the pattern is transferred based on the pattern;
A device manufacturing method comprising:
可撓性を有する帯状の基板上の長手方向に沿って所定の間隔で配置される複数の露光領域の各々に、デバイスのパターンを形成する製造方法であって、
前記基板の前記長手方向と交差した短手方向と前記長手方向とに移動可能なステージ装置に、前記基板の前記露光領域を含む一部を保持する工程と、
前記基板上の前記露光領域の前記長手方向の周辺と前記短手方向の周辺とに形成された複数のマークの各位置をアライメントセンサで検出し、該検出された前記各位置に基づいて前記露光領域の変形に関する情報を得る工程と、
前記長手方向には前記露光領域に渡る範囲を有し、前記短手方向には前記露光領域の一部の範囲を有する投影領域を備えたパターン生成装置によって、前記露光領域に前記デバイスに対応したパターンの一部の像を投影する工程と、
前記パターン生成装置に設けられて前記投影領域内に投影される前記パターンの一部の像の位置又は回転を補正する補正装置を、前記変形に関する情報に基づいて制御しつつ、前記ステージ装置を前記短手方向に所定の速度で移動させて前記基板上の前記露光領域を前記短手方向に走査露光する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
A manufacturing method for forming a device pattern in each of a plurality of exposure regions arranged at predetermined intervals along a longitudinal direction on a flexible belt-like substrate,
Holding a part including the exposure area of the substrate on a stage device movable in a short direction intersecting the longitudinal direction of the substrate and the longitudinal direction;
Each position of a plurality of marks formed in the periphery in the longitudinal direction and the periphery in the short direction of the exposure area on the substrate is detected by an alignment sensor, and the exposure is performed based on the detected positions. Obtaining information about the deformation of the region;
The exposure area corresponds to the device by means of a pattern generating device having a projection area having a range extending over the exposure area in the longitudinal direction and a partial area of the exposure area in the lateral direction. Projecting a partial image of the pattern;
While controlling a correction device that is provided in the pattern generation device and corrects the position or rotation of an image of a part of the pattern projected into the projection area based on the information related to the deformation, the stage device is Scanning the exposure area on the substrate in the lateral direction by moving the lateral direction at a predetermined speed; and
A device manufacturing method comprising:
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