JP5532636B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
以下、実施の形態1に係る半導体装置について説明する。図1は、実施の形態1に係る半導体装置の上面図である。図2は、図1のA−A´における断面図である。図3は、実施の形態1に係る半導体装置に設けられた高周波回路の等価回路図である。
Applied Physics Express 1 (2008)011103の「Effects of Traps Formed by Threading Dislocations on Off-State Breakdown Characteristics in GaN Buffer Layer in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors」に紹介されているように、半導体層上に設けられた2つの電極、及び両電極間の半導体層にトラップが導入された領域を想定した場合、両電極間においてトラップが導入された領域を介して流れる電流が急激に増大するときの両電極間の閾値電圧は下記式で表せることが知られている。
以下、実施の形態2に係る半導体装置について説明する。図5は、実施の形態2に係る半導体装置の断面図である。
変形例に係る半導体装置においては、本実施形態とは異なり、半導体基板10は、閾値電圧より大きい電圧が、高周波信号用電極18と基板貫通導体22の間に印加された場合に、高周波信号用電極18と基板貫通導体22の間において半導体基板10を介して放電が生じるようなトラップ密度を有する。そして、閾値電圧は、高周波回路14の通常動作において高周波信号用電極18と基板貫通導体22の間に印加される電圧より大きく、静電気によって高周波信号用電極18と基板貫通導体22の間に印加される電圧より小さい。
以下、実施の形態3に係る半導体装置について実施の形態2と異なる点のみを説明する。図6は、実施の形態3に係る半導体装置の断面図である。
以下、実施の形態4に係る半導体装置について説明する。図7は、実施の形態4に係る半導体装置の上面図である。
変形例に係る半導体装置においては、n型半導体層12及びトラップ導入領域32は設けられていない。高周波信号用電極18及び第1〜第3のグランド電極は、半導体基板10上に設けられている。また、半導体基板10は、高周波信号用電極18及び第1〜第3のグランド電極の隣接領域にそれぞれ、n型不純物が拡散されたn型不純物拡散領域34を有している。高周波信号用電極18及び第1〜第3のグランド電極は、n型不純物拡散領域34にそれぞれオーミック接触している。
以下、実施の形態5に係る半導体装置について実施の形態1とは異なる点のみを説明する。図8は、実施の形態5に係る半導体装置の上面図である。
変形例に係る半導体装置においては、本実施形態とは異なり、n型半導体層12及びトラップ導入領域32は設けられていない。ガードリング48は、半導体基板10上に設けられている。半導体基板10にはトラップが導入されている。高周波信号用電極18とガードリング48の間に、上述の閾値電圧より大きい電圧を印加した場合には、半導体基板10を介して放電が生じる。
以下、実施の形態6に係る光半導体装置について説明する。図9は、実施の形態6に係る光半導体装置の断面図である。
以下、実施の形態7に係る光半導体装置について、実施の形態6とは異なる点のみ説明する。図11は、実施の形態7に係る光半導体装置の断面図である。
以下、実施の形態8に係る光半導体装置について説明する。図12は、実施の形態8に係る光半導体装置の断面図である。
12 n型半導体層(半導体層)
14 高周波回路(電気回路
16 グランド導体
18 高周波信号用電極(電極)
20 グランド電極(第1の定電圧導体)
22 基板貫通導体
32 トラップ導入領域
34 n型不純物拡散領域
36 下面電極(第1の定電圧導体)
38 第2のグランド電極(第2の定電圧導体)
40 第3のグランド電極
42 第1の抵抗パタン
44 第2の抵抗パタン
46 第3の抵抗パタン
48 ガードリング
50 n-InP基板
52 n-InGaAs層
54 第1のn-InP層
56 i-InP層(トラップ導入層)
58 第2のn-InP層
60 p-不純物拡散領域(第2導電型不純物拡散領域)
62 受光部
64,90 正電極
66,92 負電極
70 外周領域
72 n-GaAs基板
74 n-AlGaAsクラッド層
76 AlGaAs活性層
78 p-AlGaAsクラッド層
80 第1のp-GaAs層
82 i-GaAs層(トラップ導入層)
84 第2のp-GaAs層
86 開口
88 電流狭窄部
Claims (4)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられ、不純物が拡散された半導体層と、
前記半導体層に設けられた電気回路と、
前記半導体層上に設けられ、前記電気回路に接続された電極と、
前記半導体層上に設けられ、接地又は一定電圧に維持された第1の定電圧導体と、
を備え、
前記電極及び前記第1の定電圧導体は前記半導体層にそれぞれオーミック接触し、
前記半導体層は、トラップが導入されたトラップ導入領域を前記電極と前記第1の定電圧導体との間に有し、
前記トラップ導入領域は、第1の閾値電圧より大きい電圧が前記電極と前記第1の定電圧導体との間に印加された場合に、前記電極と前記第1の定電圧導体との間において前記トラップ導入領域を介して放電が生じるようなトラップ密度を有し、
前記第1の閾値電圧は、前記電気回路の通常動作において前記電極と前記第1の定電圧導体との間に印加される電圧より大きく、静電気によって前記電極と前記第1の定電圧導体との間に印加される電圧より小さく、
前記半導体層上に設けられ、接地又は一定電圧に維持された第2の定電圧導体と、
前記電極と前記第1の定電圧導体との間、及び前記電極と前記第2の定電圧導体との間にそれぞれ設けられた、第1及び第2の抵抗パタンと、
を更に備え、
前記トラップ導入領域は、前記電極と前記第2の定電圧導体との間にも存在し、
前記トラップ導入領域は、第2の閾値電圧より大きい電圧が前記電極と前記第2の定電圧導体との間に印加された場合に、前記電極と前記第2の定電圧導体との間において前記トラップ導入領域を介して放電が生じるようなトラップ密度を有し、
前記第2の閾値電圧は、前記電気回路の通常動作において前記電極と前記第2の定電圧導体との間に印加される電圧より大きく、静電気によって前記電極と前記第2の定電圧導体との間に印加される電圧より小さく、
前記第2の閾値電圧は、前記第1の閾値電圧より大きく、
前記第1の抵抗パタンは、前記電極と前記第1の定電圧導体との間において前記トラップ導入領域を介して放電が生じた場合に焼き切れ、
前記第2の抵抗パタンは、前記電極と前記第2の定電圧導体との間において前記トラップ導入領域を介して放電が生じた場合に焼き切れることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられ、不純物が拡散された半導体層と、
前記半導体層に設けられた電気回路と、
前記半導体層上に設けられ、前記電気回路に接続された電極と、
前記半導体層上に設けられ、接地又は一定電圧に維持された第1の定電圧導体と、
を備え、
前記電極及び前記第1の定電圧導体は前記半導体層にそれぞれオーミック接触し、
前記半導体層は、トラップが導入されたトラップ導入領域を前記電極と前記第1の定電圧導体との間に有し、
前記トラップ導入領域は、第1の閾値電圧より大きい電圧が前記電極と前記第1の定電圧導体との間に印加された場合に、前記電極と前記第1の定電圧導体との間において前記トラップ導入領域を介して放電が生じるようなトラップ密度を有し、
前記第1の閾値電圧は、前記電気回路の通常動作において前記電極と前記第1の定電圧導体との間に印加される電圧より大きく、静電気によって前記電極と前記第1の定電圧導体との間に印加される電圧より小さく、
前記第1の定電圧導体が、前記電気回路を囲うガードリングであることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた電気回路と、
前記半導体基板上に設けられ、前記電気回路に接続された電極と、
前記半導体基板上に設けられ、接地又は一定電圧に維持された第1の定電圧導体と、
を備え、
前記半導体基板は、第1の閾値電圧より大きい電圧が前記電極と前記第1の定電圧導体との間に印加された場合に、前記電極と前記第1の定電圧導体との間において前記半導体基板を介して放電が生じるようなトラップ密度を有し、
前記第1の閾値電圧は、前記電気回路の通常動作において前記電極と前記第1の定電圧導体との間に印加される電圧より大きく、静電気によって前記電極と前記第1の定電圧導体との間に印加される電圧より小さく、
前記第1の定電圧導体が、前記電気回路を囲うガードリングであることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体基板は、不純物が拡散された第1及び第2の不純物拡散領域を有し、
前記電極及び前記第1の定電圧導体は、前記第1及び第2の不純物拡散領域にそれぞれオーミック接触していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。
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