JP5521292B2 - ジベンゾチオフェン化合物 - Google Patents
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Description
電荷輸送材料は、その機能の観点から、電荷移動度や電荷注入性などの特性に着目して開発が進められている。
これらの要求を満たすために、置換基を導入して物性をコントロールすることが一般的に行われている。
請求項1にかかる発明は、下記一般式(I)で表されるジベンゾチオフェン化合物である。
請求項2に係る発明によれば、電子デバイスに用いる時に、ジベンゾチオフェンと比べ、より小さなイオン化ポテンシャルを有するジベンゾチオフェン化合物が得られる。
請求項3に係る発明によれば、電子デバイスに用いる時に、ジベンゾチオフェンと比べ、より小さなイオン化ポテンシャルを有するジベンゾチオフェン化合物が得られる。
本実施形態のジベンゾチオフェン化合物は、下記一般式(I)で表される。
またチオフェン環の導入により分子量が増加した結果、耐熱性も推測される。
なお、本明細書において、「チオフェン環」とは、チオフェン環基又は複数のチオフェン環がつながっているものを意味する。
以下、一般式(I)について詳細に説明する。
Rで表されるアルキル基は、炭素数1〜20のアルキル基が好ましく、炭素数1〜12のアルキル基がより好ましく、炭素数3〜8のアルキル基が更に好ましい。
nとmとは同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点からは同一であることが好ましい。
特に、結晶性を高める観点からは、2と7の位置にチオフェン環を有する下記一般式(II)で表されるジベンゾチオフェン化合物が好適である。
一般式(II)で表される化合物の結晶性の高さから、トランジスタ、メモリーなどに好適に用いることができる。
アモルファス化したジベンゾチオフェン化合物は、有機電界発光素子、太陽電池などに好適に用いることができる。
例えば下記の合成方法を提示するが、これに限定するものではない。
を表す。
前記金属触媒としては、例えば、Pd、Cu、Ti,Sn,Ni又はPt等が用いられる。
前記金属錯体触媒としては、例えば、テトラ(トリフェニルホスフィン)パラジウム(Pd(P(C6H5)3)4)、ジアセトキシパラジウム(Pd(OCOCH3)2)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(Pd2(dba)3)、ジ(トリフェニルホスフィン)ジクロロパラジウム(Pd(P(C6H5)3)2Cl2)、ジクロロ(1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセニルパラジウム(Pd(dppf)2Cl2)、Pd/C、又はニッケルアセチルアセトネート(Ni(acac)2)等が用いられる。
前記塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム(Na2CO3)、炭酸カリウム(K2CO3)、炭酸セシウム(Cs2CO3)、又は水酸化バリウム(Ba(OH)2)などの無機塩基や、トリエチルアミン(N(C2H5)3)、ジイソプロピルアミン(NH((CH3)2CH)2)、ジエチルアミン(NH(C2H5)2、)、ジメチルアミン(NH(CH3)2)、トリメチルアミン(N(CH3)3)、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン(DBU)、N,N−ジメチル-4-アミノピリジン(DMAP)、又はピリジンなどの有機塩基が用いられる。
有機ホスフィン配位子などの助触媒としては、例えば、トリフェニルホスフィン(PPh3)、トリ−o−トリルホスフィン(P(o−CH3C6H4)3)、トリブチルホスフィン(P(C(CH3)3)3)、トリエチルホスフィン(P(C2H5)3)等が用いられる。
反応温度は、20℃以上300℃以下の範囲で実施され、好ましくは50℃以上180℃以下の範囲である。反応時間は反応条件により異なるが、数分以上20時間以下の範囲から選択すればよい。
塩基の使用量は、一般式(IV)で表される化合物に対して、0.5モル%以上4.0モル%以下の範囲であり、より好ましくは1.0モル%以上2.5モル%以下の範囲である。
窒素雰囲気下において、テトラ(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.069g)、2,7−ジブロモジベンゾチオフェン(0.325g)、2−ヘキシルビチオフェンボロン酸エステル(0.725g)、トルエン(6ml)、1M炭酸水素ナトリウム水溶液(4ml)、エタノール(2ml)の混合液を3時間還流攪拌し、トルエン(20ml)を加えてさらに2時間還流した。
沈殿物を吸引濾過して分け取り、トルエンでソックスレー抽出して、具体例化合物16を0.346g得た。
また、得られた具体例化合物16の赤外吸収スペクトルを図1に、1H NMRスペクトル(1H−NMR、溶媒:CDCl3、以下に示すNMRスペクトルも同様。)を図2に示す。
具体例化合物16の電荷移動度は、波形(シグナル)を確認し、輸送能力は確認したが、数値化できなかった。イオン化ポテンシャルは、5.20eVであった。
IR(cm‐1);792、863、1072、1400、1444、1469、1592、2854、2921
NMR(1H、CDCl3):0.81−0.94(6H)、1.25−1.43(12H)、1.68−1.75(4H)、2.78−2.85(4H)、6.71(2H)、7.05(2H)、7.12(2H)、7.35(2H)、7.68(2H)、7.85(2H)、8.08(2H)
窒素雰囲気下において、テトラ(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.104g)、3,6−ジブロモジベンゾチオフェン(0.502g)、2−ヘキシルビチオフェンボロン酸エステル(1.20g)、トルエン(6ml)、1M炭酸水素ナトリウム水溶液(6ml)、エタノール(4ml)の混合液を7時間還流撹拌した。
沈殿物を吸引濾過して分け取り、トルエンとエタノールとの混合溶媒(トルエン:エタノール=2:1(体積比))で再結晶して、具体例化合物18を0.787g得た。
また、得られた具体例化合物18の赤外吸収スペクトルを図3に、1H NMRスペクトル(1H−NMR、溶媒:CDCl3、以下に示すNMRスペクトルも同様。)を図4に示す。
具体例化合物18の電荷移動度は、正孔が1.7×10−7cm2/Vsであった。イオン化ポテンシャルは、5.37eVであった。
IR(cm‐1);783、860、1421、1467、1482、2856、2927、2952
NMR(1H、CDCl3):0.88−0.93(6H)、1.30−1.43(12H)、1.68−1.71(4H)、2.79−2.84(4H)、6.71(2H)、7.05(2H)、7.11(2H)、7.32(2H)、7.68(2H)、7.82(2H)、8.34(2H)
窒素雰囲気下において、テトラ(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.069g)、2,7−ジブロモジベンゾチオフェン(0.342g)、2−ヘキシルチオフェンボロン酸エステル(0.725g)、トルエン(4ml)、1M炭酸水素ナトリウム水溶液(4ml)、エタノール(2ml)の混合液を5時間還流撹拌した。
沈殿物を吸引濾過して分け取り、ヘキサンとテトラヒドロフラン(THF)の混合溶媒(ヘキサン:THF=1:1(体積比))で再結晶して、具体例化合物14を0.387g得た。
また、得られた具体例化合物14の赤外吸収スペクトルを図5に、1H NMRスペクトル(1H−NMR、溶媒:CDCl3、以下に示すNMRスペクトルも同様。)を図6に示す。
具体例化合物14の電荷移動度は、波形(シグナル)を確認し、輸送能力は確認したが、数値化できなかった。イオン化ポテンシャルは、5.49eVであった。
IR(cm‐1);806、966、1214、1465、1484、1594、2846、2917、2952
NMR(1H、CDCl3):0.88−0.93(6H)、1.30−1.44(12H)、1.69−1.72(4H)、2.81−2.88(4H)、6.78(2H)、7.22(2H)、7.63(2H)、7.99(2H)、8.04(2H)
上記実施例1〜3で得られたジベンゾチオフェン化合物と比較するため、ジベンゾチオフェンを用意し、これを比較例とした。
実施例で合成したジベンゾチオフェン化合物の各種溶媒に対する溶解性を表2に示す。なお、用いた溶媒種は、電子デバイスの作製に際して好適に用いられているものである。
溶解性試験については溶媒20ml中に化合物1gを溶解し、その状況を目視により観察することで行った。
〜評価基準〜
○ :加熱無しで溶解
○〜△:加熱して溶解
× :一部が溶解
Claims (3)
- 下記一般式(I)で表されるジベンゾチオフェン化合物。
〔一般式(I)中、Rは、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表し、n及びmは各々独立に2〜3の整数を表す。〕 - 下記一般式(II)で表されることを特徴とする請求項1に記載のジベンゾチオフェン化合物。
〔一般式(II)中、Rは、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表し、n及びmは各々独立に2〜3の整数を表す。〕 - 下記一般式(III)で表されることを特徴とする請求項1に記載のジベンゾチオフェン化合物。
〔一般式(III)中、Rは、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表し、n及びmは各々独立に2〜3の整数を表す。〕
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