JP5521286B2

JP5521286B2 - 薄膜素子の製造方法

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Inventors: 基彦吉田
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Description

この発明は薄膜素子の製造方法に関する。

従来の薄膜素子には、基板として、製造工程時の温度に耐えることができない材料によって形成したものを用いたものがある（例えば、特許文献１参照）。この従来の薄膜素子では、製造工程時の温度に耐えることができない材料からなる基板の下面に接着層が設けられ、接着層の下面に薄膜素子構成体が設けられた構造となっている。

特開２００４−１４０３８２号公報（図１〜図６）

上記従来の薄膜素子の製造方法では、まず、製造工程時の温度に耐えることができる材料からなる仮基板上にアモルファスシリコンからなる分離層を形成している。次に、分離層上に薄膜素子構成体を形成している。次に、薄膜素子構成体上に、製造工程時の温度に耐えることができない材料からなる基板を接着層を介して接着している。

次に、仮基板の下側からエキシマレーザビームを照射することにより、アモルファスシリコンからなる分離層から仮基板を剥離可能な状態とする。次に、分離層から仮基板を剥離して除去する。次に、分離層をエッチングして除去する。かくして、製造工程時の温度に耐えることができない材料からなる基板を備えた薄膜素子が得られる。

しかしながら、上記従来の薄膜素子の製造方法では、仮基板を除去するために、まず仮基板の下側からエキシマレーザビームを照射することにより、アモルファスシリコンからなる分離層から仮基板を剥離可能な状態とし、次いで分離層から仮基板を剥離して除去し、次いで分離層をエッチングして除去しなければならず、仮基板を分離するための工程数が多いという問題があった。

そこで、この発明は、仮基板を分離するための工程数を少なくすることができる薄膜素子の製造方法を提供することを目的とする。

前記目的を果たすため、本発明の薄膜素子の製造方法の一態様は、酸化亜鉛からなる仮基板上に絶縁膜を形成する第１の工程と、前記絶縁膜上に薄膜素子構成体を形成する第２の工程と、前記薄膜素子構成体を覆うオーバーコート膜を形成する第３の工程と、前記オーバーコート膜上に補強用部材を貼り付ける第４の工程と、前記仮基板をウェットエッチングして除去する第５の工程と、前記絶縁膜の下面に接着層を介して基板を接着する第６の工程と、前記補強用部材を剥離する第７の工程と、を有し、前記仮基板は、酸化亜鉛中にガラス繊維又は金属繊維又は樹脂繊維からなる補強材を、分散させて形成されている、ことを特徴とするものである。
また、前記目的を果たすため、本発明の薄膜素子の製造方法の一態様は、酸化亜鉛からなる仮基板上に絶縁膜を形成する第１の工程と、前記絶縁膜上に薄膜素子構成体を形成する第２の工程と、前記薄膜素子構成体を覆うオーバーコート膜を形成する第３の工程と、前記オーバーコート膜上に接着層を介して基板を接着する第４の工程と、前記仮基板をウェットエッチングして除去する第５の工程と、を有し、前記仮基板は、酸化亜鉛中にガラス繊維又は金属繊維又は樹脂繊維からなる補強材を、分散させて形成されている、ことを特徴とするものである。
また、前記目的を果たすため、本発明の薄膜素子の製造方法の一態様は、酸化亜鉛からなる仮基板上に絶縁膜を形成する第１の工程と、前記絶縁膜上に薄膜素子構成体を形成する第２の工程と、前記薄膜素子構成体を覆うオーバーコート膜を形成する第３の工程と、前記オーバーコート膜上に補強用部材を貼り付ける第４の工程と、前記仮基板をウェットエッチングして除去する第５の工程と、前記絶縁膜の下面に接着層を介して基板を接着する第６の工程と、前記補強用部材を剥離する第７の工程と、を有し、前記仮基板は、ガラス又は金属又は樹脂からなる網目状の基材に、酸化亜鉛あるいは酸化亜鉛中にガラス繊維又は金属繊維又は樹脂繊維からなる補強材を分散させたものを、混合させて形成されている、ことを特徴とするものである。
また、前記目的を果たすため、本発明の薄膜素子の製造方法の一態様は、酸化亜鉛からなる仮基板上に絶縁膜を形成する第１の工程と、前記絶縁膜上に薄膜素子構成体を形成する第２の工程と、前記薄膜素子構成体を覆うオーバーコート膜を形成する第３の工程と、前記オーバーコート膜上に接着層を介して基板を接着する第４の工程と、前記仮基板をウェットエッチングして除去する第５の工程と、を有し、前記仮基板は、ガラス又は金属又は樹脂からなる網目状の基材に、酸化亜鉛あるいは酸化亜鉛中にガラス繊維又は金属繊維又は樹脂繊維からなる補強材を分散させたものを、混合させて形成されている、ことを特徴とするものである。

この発明によれば、仮基板を分離するための工程数を少なくすることができる。

（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての薄膜トランジスタパネル（薄膜素子）の要部の断面図を示す。この場合、図１の右側は画素電極１６を含む薄膜トランジスタ１２（薄膜素子構成体）の部分の断面図を示し、左側はドレイン配線用外部接続端子２１の部分の断面図を示す。

まず、画素電極１６を含む薄膜トランジスタ１２の部分について説明する。製造工程時の温度に耐えることができない材料であるポリイミド系樹脂等の有機樹脂からなるフィルム基板１の上面にはエポキシ系樹脂等からなる接着層２が設けられている。接着層２の上面には窒化シリコン等からなる下地絶縁膜３が設けられている。下地絶縁膜３の上面の所定の箇所にはクロム等からなるゲート電極４が設けられている。この場合、図示はしないが、ゲート電極４にはゲート配線が接続され、該ゲート配線にはゲート配線用外部接続端子が接続されている。ゲート配線用外部接続端子はゲート電極駆動回路を接続するためのものである。

ゲート電極４を含む下地絶縁膜３の上面には窒化シリコン等からなるゲート絶縁膜５が設けられている。ゲート電極４上におけるゲート絶縁膜５の上面の所定の箇所には真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜６が設けられている。半導体薄膜６の上面ほぼ中央部には窒化シリコン等からなるチャネル保護膜７が設けられている。チャネル保護膜７の上面両側およびその両側における半導体薄膜６の上面にはｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層８、９が設けられている。

一方のオーミックコンタクト層８の上面およびその近傍におけるゲート絶縁膜５の上面にはクロム等からなるソース電極１０が設けられている。他方のオーミックコンタクト層９の上面にはクロム等からなるドレイン電極１１が設けられている。ここで、ゲート電極４、ゲート絶縁膜５、半導体薄膜６、チャネル保護膜７、オーミックコンタクト層８、９、ソース電極１０およびドレイン電極１１により、ボトムゲート型でチャネル保護膜型の薄膜トランジスタ１２が構成されている。

下地絶縁膜３の上面の所定の箇所にはクロム等からなる下層ドレイン配線１３が設けられている。下層ドレイン配線１３に対応する部分におけるゲート絶縁膜５には開口部１４が設けられている。下層ドレイン配線１３の上面を含む開口部１４内およびその周囲におけるゲート絶縁膜５の上面にはクロム等からなる上層ドレイン配線１５が設けられている。ここで、下層ドレイン配線１３およびその上に設けられた上層ドレイン配線１５により、２層構造のドレイン配線が構成されている。そして、上層ドレイン配線１５の一端部はドレイン電極１１に接続されている。

ゲート絶縁膜５の上面の所定の箇所にはＩＴＯからなる画素電極１６が設けられている。ソース電極１０の一端部は画素電極１６の所定の端部上面に設けられている。画素電極１６、薄膜トランジスタ１２、上層ドレイン配線１５およびゲート絶縁膜５の上面には窒化シリコン等からなるオーバーコート膜１７が設けられている。画素電極１６の中央部に対応する部分におけるオーバーコート膜１７には開口部１８が設けられている。

次に、ドレイン配線用外部接続端子２１の部分について説明する。ドレイン配線用外部接続端子２１は、クロム等からなる下層外部接続端子２１ａとその上に設けられたクロム等からなる上層外部接続端子２１ｂとの２層構造となっている。この場合、下層外部接続端子２１ａは下地絶縁膜３の上面の所定の箇所に設けられている。上層外部接続端子２１ｂは、下層外部接続端子２１ａに対応する部分におけるゲート絶縁膜５に設けられた開口部１４内（下層外部接続端子２１ａの上面を含む）およびその周囲におけるゲート絶縁膜５の上面に設けられている。

そして、下層外部接続端子２１ａおよび上層外部接続端子２１ｂは下層ドレイン配線１３および上層ドレイン配線１５の各一端部に接続されている。他の表現をすれば、下層ドレイン配線１３および上層ドレイン配線１５を延出した端部が、それぞれ、下層外部接続端子２１ａおよび上層外部接続端子２１ｂを構成している。ドレイン配線用外部接続端子２１およびゲート絶縁膜５の上面にはオーバーコート膜１７が設けられている。ドレイン配線用外部接続端子２１の中央部に対応する部分におけるオーバーコート膜１７には開口部２２が設けられている。また、図示はしないが、オーバーコート膜１７には、ゲート電極４に接続されたゲート配線用外部接続端子を露出する開口部も形成されている。

次に、この薄膜トランジスタバネルの製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、製造工程時の温度に耐えることができる材料であるガラス基板等からなる仮基板３１の上面に、プラズマＣＶＤ法により、酸化亜鉛からなる分離層３２および窒化シリコン等からなる下地絶縁膜３を連続して成膜する。ここで、酸化亜鉛とは、ＺｎＯのみならず、ＺｎＯの他、Ｍｇ、Ｃｄ等を含むＺｎＯ系全体を意味するものである。

次に、図３に示すように、下地絶縁膜３上に、ゲート電極４、下層ドレイン配線１３、下層外部接続端子２１ａ、開口部１４を有するゲート絶縁膜５、半導体薄膜６、チャネル保護膜７、オーミックコンタクト層８、９、ソース電極１０、ドレイン電極１１、画素電極１６、上層ドレイン配線１５、上層外部接続端子２１ｂおよび開口部１８、２２を有するオーバーコート膜１７を形成する。このとき、図示はしないが、オーバーコート膜１７には、ゲート電極４に接続されたゲート配線用外部接続端子を露出する開口部も形成する。

次に、図４に示すように、オーバーコート膜１７の開口部１８、２２を介して露出された画素電極１６および上層外部接続端子２１ｂの上面を含むオーバーコート膜１７の上面に、補強用粘着テープ３３、すなわち、ポリイミド系樹脂やポリエチレンテレフタレート等からなるテープ３３ａの下面にシリコーン系樹脂等からなる粘着剤３３ｂを設けたものを用いて、その粘着剤３３ｂの下面を貼り付ける。

次に、分離層３２をその側面部からエッチング液を浸透させていくウェッエッチングにより除去すると、図５に示すように、仮基板３１と下地絶縁膜３との間に空間が形成され、仮基板３１が下地絶縁膜３から自然に分離される。この状態では、オーバーコート膜１７等の上面に補強用粘着テープ３３が貼り付けられているので、下地絶縁膜３から仮基板３１を分離しても、強度を十分に確保することができる。

ここで、酸化亜鉛からなる分離層３２は、エッチング液として弱酸水溶液（例えば、０．５ｗｔ％酢酸水溶液、０．１ｗｔ％リン酸水溶液）を用いると、容易に且つ完全に溶解される。したがって、分離層３２をウェッエッチングにより除去するだけで、仮基板３１を下地絶縁膜３から自然に分離することができ、仮基板３１を分離するための工程数を少なくすることができる。

次に、図６に示すように、下地絶縁膜３の下面に、製造工程時の温度に耐えることができない材料であるポリイミド系樹脂等の有機樹脂からなるフィルム基板１の上面に設けられたエポキシ系樹脂等からなる接着層２を接着する。次に、補強用粘着テープ３３を剥離すると、図１に示す薄膜トランジスタパネルが得られる。

ところで、上記薄膜トランジスタパネルの製造方法では、図４に示す工程において、補強用粘着テープ３３を貼り付け、図６に示す工程後に、補強用粘着テープ３３を剥離しているので、その貼り付け工程および剥離工程が必要であり、その分、工程数が多くなってしまう。そこで、次に、そのような不都合を解消することができる実施形態について説明する。

（第２実施形態）
図７はこの発明の第２実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図１に示す薄膜トランジスタパネルと大きく異なる点は、下地絶縁膜３の下面ではなく、オーバーコート膜１７の上面にフィルム基板１の下面を接着層２を介して接着した点である。

この場合、オーバーコート膜１７には開口部１８、２２は形成されていない。その替わりに、画素電極１６の中央部に対応する部分における下地絶縁膜３およびゲート絶縁膜５には開口部１８が形成されている。また、ドレイン配線用外部接続端子２１の中央部に対応する部分における下地絶縁膜３には開口部２２が形成されている。また、図示はしないが、下地絶縁膜３には、ゲート電極４に接続されたゲート配線用外部接続端子を露出する開口部も形成されている。

次に、この薄膜トランジスタバネルの製造方法の一例について説明する。この場合、図２に示す工程後に、図８に示すように、下地絶縁膜３上に、ゲート電極４、下層ドレイン配線１３、下層外部接続端子２１ａ、開口部１４を有するゲート絶縁膜５、半導体薄膜６、チャネル保護膜７、オーミックコンタクト層８、９、ソース電極１０、ドレイン電極１１、画素電極１６、上層ドレイン配線１５、上層外部接続端子２１ｂおよびオーバーコート膜１７を形成する。

次に、図９に示すように、オーバーコート膜１７の上面に、スピンコート法、スクリーン印刷法等によりエポキシ系樹脂を塗布することにより、上面が平坦な接着層２を形成する。次に、接着層２の上面に、製造工程時の温度に耐えることができない材料であるポリイミド系樹脂等の有機樹脂からなるフィルム基板１を接着する。この場合、オーバーコート膜１９の上面に、スピンコート法、スクリーン印刷法等によりアクリル系樹脂を塗布することにより、上面が平坦な絶縁層を形成し、該絶縁層上に接着層を形成して該接着層上にフィルム基板１を接着するようにしてもよい。

次に、分離層３２をウェッエッチングにより除去すると、図１０に示すように、仮基板３１と下地絶縁膜３との間に空間が形成され、仮基板３１が下地絶縁膜３から自然に分離される。この状態では、オーバーコート膜１７の上面に接着層２を介してフィルム基板１を接着しているので、下地絶縁膜３から仮基板３１を分離しても、強度を十分に確保することができる。

この場合も、酸化亜鉛からなる分離層３２は、エッチング液として弱酸水溶液（例えば、０．５ｗｔ％酢酸水溶液、０．１ｗｔ％リン酸水溶液）を用いると、容易に且つ完全に溶解される。したがって、分離層３２をウェッエッチングにより除去するだけで、仮基板３１を下地絶縁膜３から自然に分離することができ、仮基板３１を分離するための工程数を少なくすることができる。

次に、図７に示すように、フォトリソグラフィ法により、画素電極１６の中央部に対応する部分における下地絶縁膜３およびゲート絶縁膜５に開口部１８を形成し、且つ、ドレイン配線用外部接続端子２１の中央部に対応する部分における下地絶縁膜３に開口部２２を形成する。このとき、図示はしないが、下地絶縁膜３には、ゲート電極４に接続されたゲート配線用外部接続端子を露出する開口部も形成する。かくして、図７に示す薄膜トランジスタパネルが得られる。

以上のように、この薄膜トランジスタパネルの製造方法では、補強用粘着テープ３３を用いていないので、その貼り付け工程および剥離工程が不要となり、第１実施形態の場合と比較して、工程数を少なくすることができる。

ところで、図７に示す薄膜トランジスタパネルでは、下地絶縁膜３の下面が液晶（図示せず）と対向する面となるが、特に、画素電極１６の中央部に対応する部分における下地絶縁膜３およびゲート絶縁膜５に開口部１８を形成しているため、この部分が凸凹となっている。そこで、次に、画素電極１６およびその周囲の部分の下面を平坦とすることができる実施形態について説明する。

（第３実施形態）
図１１はこの発明の第３実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図７に示す薄膜トランジスタパネルと大きく異なる点は、画素電極１６およびドレイン配線用外部接続端子２１の下面を含む下地絶縁膜３の下面を平坦とした点である。

すなわち、下地絶縁膜３の所定の箇所には開口部１８ａが設けられている。開口部１８ａの内壁面、開口部１８ａの下部および開口部１８ａの周囲における下地絶縁膜３の上面には画素電極１６が設けられている。この場合、開口部１８ａ内に設けられた画素電極１６の下部下面は下地絶縁膜３の下面と面一となっている。また、ソース電極１０は、ゲート絶縁膜５に設けられた開口部１８ｂを介して画素電極１６に接続されている。

また、下地絶縁膜３の他の所定の箇所には開口部２２が設けられている。開口部２２の内壁面、開口部２２の下部および開口部２２の周囲における下地絶縁膜３の上面には下層外部接続端子２１ａが設けられている。この場合、開口部２２内に設けられた下層外部接続端子２１ａの下部下面は下地絶縁膜３の下面と面一となっている。また、図示はしないが、下地絶縁膜３には、ゲート電極４に接続されたゲート配線用外部接続端子を露出する開口部が形成されており、この開口部の内壁面、開口部の下部および開口部の周囲における下地絶縁膜３の上面にはゲート配線用外部接続端子が設けられており、開口部内に設けられたゲート配線用外部接続端子の下部下面は下地絶縁膜３の下面と面一となっている。

次に、この薄膜トランジスタバネルの製造方法の一例について説明する。この場合、図２に示す工程後に、図１２に示すように、フォトリソグラフィ法により、下地絶縁膜３の所定の箇所に開口部２２を形成し、該開口部２２を介して分離層３２の上面を露出させる。この場合、図示はしないが、下地絶縁膜３には、ゲート電極４に接続されたゲート配線用外部接続端子を露出する開口部が形成されている。次に、開口部２２の内壁面、開口部２２を介して露出された分離層３２の上面および開口部２２の周囲における下地絶縁膜２２の上面に下層外部接続端子２１ａを形成し、且つ、下地絶縁膜３の上面にゲート電極４および下層ドレイン配線１３を形成する。また、このとき、同時に、ゲート配線用外部接続端子を露出する開口部の内壁面、該開口部の下部および該開口部の周囲における下地絶縁膜３の上面にゲート配線用外部接続端子を形成する。

次に、図１３に示すように、フォトリソグラフィ法により、下地絶縁膜３の所定の箇所に開口部１８ａを形成し、該開口部１８ａを介して分離層３２の上面を露出させる。次に、開口部１８ａの内壁面、開口部１８ａを介して露出された分離層３２の上面および開口部１８ａの周囲における下地絶縁膜２２の上面に画素電極１６を形成する。次に、図１４に示すように、それらの上に、開口部１４、１８ｂを有するゲート絶縁膜５、半導体薄膜６、チャネル保護膜７、オーミックコンタクト層８、９、ソース電極１０、ドレイン電極１１、上層ドレイン配線１５、上層外部接続端子２１ｂおよびオーバーコート膜１７を形成する。この場合、図示はしないが、ゲート絶縁膜５にはゲート配線用外部接続端子を露出する開口部が形成されている。

次に、図１５に示すように、オーバーコート膜１７の上面に、スピンコート法、スクリーン印刷法等によりエポキシ系樹脂を塗布することにより、上面が平坦な接着層２を形成する。次に、接着層２の上面に、製造工程時の温度に耐えることができない材料であるポリイミド系樹脂等の有機樹脂からなるフィルム基板１を接着する。この場合も、オーバーコート膜１９の上面に、スピンコート法、スクリーン印刷法等によりアクリル系樹脂を塗布することにより、上面が平坦な絶縁層を形成し、該絶縁層上に接着層を形成して該接着層上にフィルム基板１を接着するようにしてもよい。

次に、分離層３２をウェッエッチングにより除去すると、図１６に示すように、仮基板３１と下地絶縁膜３等との間に空間が形成され、仮基板３１が下地絶縁膜３等から自然に分離される。この状態では、下地絶縁膜３の下面、開口部１８ａ内に形成された画素電極１６の下部下面および開口部２２内に形成された下層外部接続端子２１ａの下部下面は、露出され、且つ、面一となっている。かくして、図１１に示す薄膜トランジスタパネルが得られる。

（第４実施形態）
図１７はこの発明の第４実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図１に示す薄膜トランジスタパネルと大きく異なる点は、薄膜トランジスタ１２をトップゲート型とした点である。すなわち、下地絶縁膜３の上面の相対向する所定の２箇所にはソース電極１０およびドレイン電極１１が設けられている。

ソース電極１０およびドレイン電極１１の相対向する側の各上面およびその各近傍の下地絶縁膜３の上面にはオーミックコンタクト層８、９が設けられている。オーミックコンタクト層８、９の上面およびその間の下地絶縁膜３の上面には半導体薄膜６が設けられている。下地絶縁膜３の上面の所定の箇所およびソース電極１０の上面には画素電極１６が設けられている。

半導体薄膜６および画素電極１６等を含む下地絶縁膜３の上面にはゲート絶縁膜５が設けられている。半導体薄膜６上におけるゲート絶縁膜５の上面にはゲート電極４が設けられている。ゲート電極４等を含むゲート絶縁膜５の上面にはオーバーコート膜１７が設けられている。画素電極１６の中央部に対応する部分におけるオーバーコート膜１７およびゲート絶縁膜５には開口部１８が設けられている。なお、この薄膜トランジスタパネルの製造方法は、薄膜トランジスタ１２がトップゲート型である点を除いて、上記第１実施形態の場合と同様であるので、省略する。

（第５実施形態）
図１８はこの発明の第５実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図７に示す薄膜トランジスタパネルと大きく異なる点は、図１７に示す場合と同様に、薄膜トランジスタ１２をトップゲート型とした点である。この薄膜トランジスタパネルの製造方法は、薄膜トランジスタ１２がトップゲート型である点を除いて、上記第２実施形態の場合と同様であるので、省略する。

（第６実施形態）
図１９はこの発明の第６実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図１１に示す薄膜トランジスタパネルと大きく異なる点は、図１７に示す場合と同様に、薄膜トランジスタ１２をトップゲート型とした点である。この薄膜トランジスタパネルの製造方法は、薄膜トランジスタ１２がトップゲート型である点を除いて、上記第３実施形態の場合と同様であるので、省略する。

（第７実施形態）
図２０はこの発明の第７実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図１に示す薄膜トランジスタパネルと大きく異なる点は、薄膜トランジスタ１２をボトムゲート型でチャネルエッチ型とした点である。この薄膜トランジスタパネルの製造方法は、薄膜トランジスタ１２がチャネルエッチ型である点を除いて、上記第１実施形態の場合と同様であるので、省略する。なお、図７および図１１にそれぞれ示すような薄膜トランジスタパネルにおいても、薄膜トランジスタ１２をチャネルエッチ型としてもよいことはもちろんである。

（その他の実施形態）
上記各実施形態において、仮基板３１として、セラミック等からなる多孔質基板を用いるようにしてもよい。このようにした場合には、例えば、図４に示す工程後に、全体をエッチング液に浸すと、エッチング液が仮基板３１の多孔質を透過しても剥離層３２に接触するので、分離層３２の溶解が促進され、エッチング処理時間を短縮することができる。なお、この場合の仮基板３１としては、下面に補強用のリブ（例えば、図２１の符合４１ａ参照）が一体的に形成されたものを用いるようにしてもよい。

また、上記のような各実施形態において、仮基板として、酸化亜鉛によって形成したものを用いるようにしてもよい。この場合、例えば、図２に示すような工程において、図２１に示すように、酸化亜鉛からなる仮基板４１の上面に窒化シリコン等からなる下地絶縁膜３を形成し、分離層３２は形成しない。なお、仮基板４１の下面に補強用のリブ４１ａを一体的に形成するようにしてもよい。

そして、例えば、図４に示すような工程では、図２２に示すようになるので、この後に、酸化亜鉛からなる仮基板４１をウェットエッチングして除去すると、図５に示す場合と同様に、下地絶縁膜３の下面が露出される。この場合、仮基板４１をウェットエッチングして除去すればよいので、仮基板４１を分離するための工程数を少なくすることができる。また、分離層３２は形成する必要がないので、工程数をより一層少なくすることができる。

この場合、仮基板は、酸化亜鉛のみではなく、酸化亜鉛中にガラス繊維、金属繊維、樹脂繊維等からなる補強材を分散させたものによって形成するようにしてもよい。また、仮基板は、ガラス、金属、樹脂等からなる網目状の基材に酸化亜鉛あるいは酸化亜鉛中にガラス繊維、金属繊維、樹脂繊維等からなる補強材を分散させたものを混合させたものによって形成するようにしてもよい。

さらに、上記各実施形態において、図示していないゲート配線用外部接続端子の部分をドレイン配線用外部接続端子２１の部分と同様の構造とすることもできる。この場合、例えば、図１を参照して説明すると、符号１３で示す下層配線はゲート電極４に接続して下層ゲート配線とし、符合１５で示す上層配線はドレイン電極１１から切断して上層ゲート配線とすればよい。

この発明の第１実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の断面図。図１に示す薄膜トランジスタパネルの製造に際し、当初の工程の断面図。図２に続く工程の断面図。図３に続く工程の断面図。図４に続く工程の断面図。図５に続く工程の断面図。この発明の第２実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の断面図。図７に示す薄膜トランジスタパネルの製造に際し、所定の工程の断面図。図８に続く工程の断面図。図９に続く工程の断面図。この発明の第３実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の断面図。図１１に示す薄膜トランジスタパネルの製造に際し、当初の工程の断面図。図１２に続く工程の断面図。図１３に続く工程の断面図。図１４に続く工程の断面図。図１５に続く工程の断面図。この発明の第４実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の断面図。この発明の第５実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の断面図。この発明の第６実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の断面図。この発明の第７実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の断面図。仮基板の他の例を説明するために示す断面図。図２１に示す工程後の所定の工程の断面図。

符号の説明

１フィルム基板
２接着層
３下地絶縁膜
４ゲート電極
５ゲート絶縁膜
６半導体薄膜
７チャネル保護膜
８、９オーミックコンタクト層
１０ソース電極
１１ドレイン電極
１２薄膜トランジスタ
１３下層ドレイン配線
１５上層ドレイン配線
１６画素電極
１７オーバーコート膜
２１ドレイン配線用外部接続端子
３１仮基板
３２分離層
３３補強用粘着テープ

Claims

酸化亜鉛からなる仮基板上に絶縁膜を形成する第１の工程と、
前記絶縁膜上に薄膜素子構成体を形成する第２の工程と、
前記薄膜素子構成体を覆うオーバーコート膜を形成する第３の工程と、
前記オーバーコート膜上に補強用部材を貼り付ける第４の工程と、
前記仮基板をウェットエッチングして除去する第５の工程と、
前記絶縁膜の下面に接着層を介して基板を接着する第６の工程と、
前記補強用部材を剥離する第７の工程と、
を有し、
前記仮基板は、酸化亜鉛中にガラス繊維又は金属繊維又は樹脂繊維からなる補強材を、分散させて形成されている、
ことを特徴とする薄膜素子の製造方法。
酸化亜鉛からなる仮基板上に絶縁膜を形成する第１の工程と、
前記絶縁膜上に薄膜素子構成体を形成する第２の工程と、
前記薄膜素子構成体を覆うオーバーコート膜を形成する第３の工程と、
前記オーバーコート膜上に接着層を介して基板を接着する第４の工程と、
前記仮基板をウェットエッチングして除去する第５の工程と、
を有し、
前記仮基板は、酸化亜鉛中にガラス繊維又は金属繊維又は樹脂繊維からなる補強材を、分散させて形成されている、
ことを特徴とする薄膜素子の製造方法。
請求項１または２に記載の発明において、前記仮基板の下面にリブが設けられていることを特徴とする薄膜素子の製造方法。
請求項１または２に記載の発明において、前記基板はフィルム基板であることを特徴とする薄膜素子の製造方法。
請求項１乃至４の何れかに記載の発明において、前記絶縁膜は、窒化シリコン膜であることを特徴とする薄膜素子の製造方法。
請求項１に記載の発明において、前記補強用部材は、ポリイミド系樹脂又はポリエチレンテレフタレートを含むテープの下面にシリコーン系樹脂を含む粘着剤を設けたものであることを特徴とする薄膜素子の製造方法。
酸化亜鉛からなる仮基板上に絶縁膜を形成する第１の工程と、
前記絶縁膜上に薄膜素子構成体を形成する第２の工程と、
前記薄膜素子構成体を覆うオーバーコート膜を形成する第３の工程と、
前記オーバーコート膜上に補強用部材を貼り付ける第４の工程と、
前記仮基板をウェットエッチングして除去する第５の工程と、
前記絶縁膜の下面に接着層を介して基板を接着する第６の工程と、
前記補強用部材を剥離する第７の工程と、
を有し、
前記仮基板は、ガラス又は金属又は樹脂からなる網目状の基材に、酸化亜鉛あるいは酸化亜鉛中にガラス繊維又は金属繊維又は樹脂繊維からなる補強材を分散させたものを、混合させて形成されている、
ことを特徴とする薄膜素子の製造方法。
酸化亜鉛からなる仮基板上に絶縁膜を形成する第１の工程と、
前記絶縁膜上に薄膜素子構成体を形成する第２の工程と、
前記薄膜素子構成体を覆うオーバーコート膜を形成する第３の工程と、
前記オーバーコート膜上に接着層を介して基板を接着する第４の工程と、
前記仮基板をウェットエッチングして除去する第５の工程と、
を有し、
前記仮基板は、ガラス又は金属又は樹脂からなる網目状の基材に、酸化亜鉛あるいは酸化亜鉛中にガラス繊維又は金属繊維又は樹脂繊維からなる補強材を分散させたものを、混合させて形成されている、
ことを特徴とする薄膜素子の製造方法。
請求項７または８に記載の発明において、前記仮基板の下面にリブが設けられていることを特徴とする薄膜素子の製造方法。
請求項７または８に記載の発明において、前記基板はフィルム基板であることを特徴とする薄膜素子の製造方法。
請求項７乃至１０の何れかに記載の発明において、前記絶縁膜は、窒化シリコン膜であることを特徴とする薄膜素子の製造方法。
請求項７に記載の発明において、前記補強用部材は、ポリイミド系樹脂又はポリエチレンテレフタレートを含むテープの下面にシリコーン系樹脂を含む粘着剤を設けたものであることを特徴とする薄膜素子の製造方法。