JP5516508B2 - 配線基板および配線基板を用いた電子装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品が搭載されるランドを有する配線基板、および、そのような配線基板に電子部品を搭載してなる配線基板を用いた電子装置に関する。

従来より、この種の配線基板および電子装置としては、たとえば、特許文献１に記載のものが提案されている。

このものにおいては、配線基板は、内部に内部配線を有し板状をなす基材、および、基材の一面に設けられた導電性のランドを備えるものであり、典型的には樹脂やセラミックなどよりなる積層基板である。そして、フリップチップ部品などの電子部品が、この配線基板における基材の一面に搭載されてランドと電気的に接続されている。

特開２００２−２６５２７号公報

ところで、上記特許文献１に示されるように、従来では、ランドの直下にレーザーやパンチングなどにより形成されたビアを設け、このビアとランドとを直接接触させて接続することで、ビアを介して、ランドと基材内の内部配線とを電気的に接続している。

近年、フリップチップ部品の電極ピッチや、電子部品の小型化等に伴い、ランドの微細化が要望されているが、従来のような、ランドとランド直下のビアとを直接接続する構成は、ランドの微細化にとって好ましくない。

ランドを微細化すると、それに伴ってランド径の小径化等、つまりビアの微細化が必要となるが、そうするとランドとビアとの接続面積が小さくなり、これらの接続信頼性が低下する恐れがある。そのため、ランドとビアとを直接接続する構成では、ランドの微細化が困難となる。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、電子部品が搭載されるランドを有する配線基板、および、そのような配線基板に電子部品を搭載してなる配線基板を用いた電子装置において、ランドの微細化に適した構成を実現することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、内部に内部配線（１１）を有し板状をなす基材（１２）と、基材（１２）の一面（１３）に設けられ、電子部品と接続される導電性のランド（１４）とを備える配線基板において、
基材（１２）の一面（１３）上には、前記ランド（１４）よりも面積の大きい表面配線層（１５）が設けられており、
この表面配線層（１５）の上にランド（１４）が直接積層されて、表面配線層（１５）とランド（１４）とが電気的に接続されており、
表面配線層（１５）は、ランド（１４）の直下より外れた部位にて内部配線（１１）と電気的に接続されることにより、ランド（１４）は、表面配線層（１５）を介して内部配線（１１）と電気的に接続されており、
基材（１２）の一面（１３）上には、ランド（１４）および表面配線層（１５）を埋めるように電気絶縁性の樹脂よりなる樹脂層（２０）が設けられており、
ランド（１４）の上面（１４ａ）が樹脂層（２０）より露出した状態でランド（１４）および表面配線層（１５）は樹脂層（２０）に封止されていることを特徴とする。

それによれば、基材（１２）の内部配線（１１）とランド（１４）との間に、ランド（１４）よりも大きい表面配線層（１５）を介在させ、この表面配線層（１５）の上に、直接ランド（１４）を積層することで、表面配線層（１５）を介してランド（１４）と内部配線（１１）とを電気的に接続した構成としているから、従来のようなランドとビアとを直接接続することがなくなり、ランド（１４）の微細化に適した構成を実現することができる。

また、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の配線基板において、表面配線層（１５）はランド（１４）と同一の金属材料よりなり、さらに、表面配線層（１５）は、ランド（１４）と接する側の面に、ランド（１４）を構成する金属とは異なる異種金属層（１５ａ）を設けたものであることを特徴とする。

それによれば、表面配線層（１５）およびランド（１４）をエッチングによるパターニングで形成する場合において、異種金属層（１５ａ）はエッチング選択性の異なるものでありエッチングのバリアとなるから、当該パターニングを行いやすくなる。

請求項３に記載の発明では、内部に内部配線（１１）を有し板状をなす基材（１２）、および、基材（１２）の一面（１３）に設けられた導電性のランド（１４）を備える配線基板（１０）と、基材（１２）の一面（１３）に搭載されてランド（１４）と電気的に接続される電子部品（３０）と、を備える配線基板を用いた電子装置において、
基材（１２）の一面（１３）上には、ランド（１４）よりも面積の大きい表面配線層（１５）が設けられており、この表面配線層（１５）の上にランド（１４）が直接積層されて、表面配線層（１５）とランド（１４）とが電気的に接続されており、
表面配線層（１５）は、ランド（１４）の直下より外れた部位にて内部配線（１１）と電気的に接続されることにより、ランド（１４）は、表面配線層（１５）を介して内部配線（１１）と電気的に接続されており、
基材（１２）の一面（１３）上には、ランド（１４）および表面配線層（１５）を埋めるように電気絶縁性の樹脂よりなる樹脂層（２０）が設けられており、ランド（１４）の上面（１４ａ）が樹脂層（２０）より露出した状態でランド（１４）および表面配線層（１５）は樹脂層（２０）に封止されており、ランド（１４）の上面（１４ａ）に対して電子部品（３０）が接続されていることを特徴とする。

本発明によっても、基材（１２）の内部配線（１１）とランド（１４）との間に、ランド（１４）よりも大きい表面配線層（１５）を介在させ、この表面配線層（１５）の上に、直接ランド（１４）を積層することで、表面配線層（１５）を介してランド（１４）と内部配線（１１）とを電気的に接続した構成としているから、従来のようなランドとビアとを直接接続することがなくなり、ランド（１４）の微細化に適した構成を実現することができる。

また、請求項４に記載の発明では、請求項３に記載の電子装置において、ランド（１４）は、電子部品（３０）の下部にて、隔てて配置された複数個のものであり、
樹脂層（２０）のうち複数個のランド（１４）の間に位置する部位には、電子部品（３０）の直下から電子部品（３０）の外側にはみ出すように連続して配置された凹部（２１）が形成されており、
電子部品（３０）はモールド樹脂（５０）により封止されており、モールド樹脂（５０）は、電子部品（３０）と基材（１２）の一面（１３）との間に入り込んで凹部（２１）を充填していることを特徴とする。

このように電子部品（３０）下の樹脂層（２０）部分に凹部（２１）を設ければ、そこにモールド樹脂（５０）が入り込むため、電子部品（３０）下におけるモールド樹脂（５０）中のボイド発生を抑制することができる。

また、請求項５に記載の発明では、請求項３または４に記載の電子装置において、表面配線層（１５）はランド（１４）と同一の金属材料よりなり、さらに、表面配線層（１５）は、ランド（１４）と接する側の面に、ランド（１４）を構成する金属とは異なる異種金属層（１５ａ）を設けたものであることを特徴とする。

それによれば、表面配線層（１５）およびランド（１４）をエッチングによるパターニングで形成する場合において、異種金属層（１５ａ）はエッチング選択性の異なるものでありエッチングのバリアとなるから、当該パターニングを行いやすくなる。パターニング後には、ランド（１４）が被覆していない異種金属層(１５ａ)は除去してもよい。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

本発明の第１実施形態に係る電子装置の要部を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中におけるＡ矢視概略平面図である。 第１実施形態に係る表面配線層およびランドの形成工程を示す工程図である。 図２に続く形成工程を示す工程図である。 本発明の第２実施形態に係る電子装置の要部を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中におけるＢ矢視概略平面図である。 第２実施形態の電子装置において凹部を省略した構成を示す概略断面図である。 第２実施形態の他の例を示す概略断面図である。 第２実施形態のもう一つの他の例を示す概略平面図である。 本発明の第３実施形態に係る電子装置の要部を示す概略断面図である。 本発明の第４実施形態に係る電子装置の要部を示す概略断面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る配線基板１０を用いた電子装置の要部を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中における矢印Ａ方向から視たときの概略平面図である。

配線基板１０は、内部に内部配線１１を有し板状をなす基材１２と、基材１２の一面１３に設けられ、電子部品３０と接続される導電性のランド１４とを備える。具体的には、一般的な樹脂配線基板であり、基材１２は、エポキシ樹脂等よりなる樹脂層を複数積層し、これを加圧成形することにより形成されたものであり、内部配線１１は、基材１２内の層間配線として銅箔等よりなるものである。

基材１２の一面１３上には、ランド１４よりも大きい表面配線層１５が設けられており、この表面配線層１５の上にランド１４が直接積層されて、表面配線層１５とランド１４とが電気的に接続されている。

ここで、ランド１４は、配線基板１０の表面に露出して、はんだや熱圧着等により、電子部品３０と電気的に接続されるものであり、銅などの金属、さらには銅表面にはんだめっきを施したものよりなる。図１では、ランド１４は平面矩形であるが、これに限定されずに、たとえば円形等であってもよい。

表面配線層１５は、ランド１４よりも面積が大きく、ランド１４と基材１２の一面１３との間にてランド１４直下からランドよりもはみ出して広がるように位置している。ここでは、表面配線層１５はランド１４と同一の金属材料よりなり、さらに、表面配線層１５は、ランド１４と接する側の面に、ランド１４を構成する金属とは異なる異種金属層１５ａを設けたものである。

この異種金属層１５ａは、表面配線層１５の本体部およびランド１４よりも薄いＣｒやＮｉ等よりなる膜であり、スパッタやめっき、蒸着等により形成されたものである。このようなランド１４および表面配線層１５は、銅箔のエッチング、あるいはスパッタやめっき、蒸着などにより形成される。

そして、図１（ａ）に示されるように、表面配線層１５は、ランド１４の直下より外れた部位にて内部配線１１と電気的に接続されている。具体的には、基材１２に設けられた銅などよりなるビアホール１６を介して表面配線層１５と内部配線１１とが電気的に接続されている。

これにより、ランド１４は、従来のように直接ビアを介するのではなく、表面配線層１５を介して内部配線１１と電気的に接続されている。

つまり、基材１２の一面１３上において、ランド１４を上側に位置する上側配線層、表面配線層１５を下側に位置する下側配線層とし、これら両配線層１４、１５が積層されて接続された多段配線１４、１５を構成し、この多段配線１４、１５が内部配線１１と接続される配線とされている。

また、図１に示されるように、基材１２の一面１３上には、ランド１４および表面配線層１５を埋めるように電気絶縁性の樹脂よりなる樹脂層２０が設けられており、ランド１４の上面１４ａが樹脂層２０より露出した状態で、ランド１４および表面配線層１５は樹脂層２０に封止されている。

この樹脂層２０は、エポキシ樹脂などよりなるもので、印刷やシートプレス等により配置されたものである。ここで、図１の例では、ランド１４の上面１４ａは、樹脂層２０の上面よりも突出しているが、樹脂層２０の上面と同一平面に位置していてもよいし、電子部品３０と接続できる範囲で樹脂層２０の上面よりも凹んでいてもよい。

そして、これら基材１２、樹脂層２０およびこれらの内部に位置する上記配線１１、１４〜１６等の構成要素により、本実施形態の配線基板１０が構成されている。

そして、本実施形態の電子装置においては、この配線基板１０の基材１２の一面１３上に電子部品３０が搭載されている。本実施形態の電子部品３０は、一般的なフリップチップ部品であり、配線基板１０側の面に、電極としてのはんだや金などよりなるバンプ３１を有する半導体チップ等により構成されたものである。

そして、図１に示されるように、電子部品３０のバンプ３１が、ランド１４の上面１４ａに対して電気的に接続されている。このバンプ３１とランド１４との接続は、はんだや圧着などの一般的な手法により行われている。

また、本実施形態では、図１に示されるように、電子部品３０と配線基板１０の樹脂層２０との間には、アンダーフィル４０が充填されている。このアンダーフィル４０は、電子部品３０とランド１４との電気的接続部、ここではバンプ３１による接続部を封止して保護し、機械的に補強するためのものである。

このようなアンダーフィル４０は、エポキシ樹脂等よりなり、注入やフィルム貼り付けなどの一般的な手法により配置される。なお、このアンダーフィル４０は必要に応じて設ければよく、省略されてもよい。

この電子部品３０は、たとえば、配線基板１０上に搭載して電極としてのバンプ３１をランド１４の上面１４ａに、はんだもしくは圧着により接合することで、配線基板１０に実装される。その後、必要に応じてアンダーフィル４０の注入を行えば、本実施形態の電子装置ができあがる。

なお、アンダーフィル４０をフィルムとする場合は、アンダーフィル４０を介して電子部品３０を配線基板１０に搭載し、バンプ３１がアンダーフィル４０を貫通するように加圧してやればよい。

ところで、本実施形態によれば、基材１２の内部配線１１とランド１４との間に、ランド１４よりも大きい表面配線層１５を介在させ、この表面配線層１５の上に、直接ランド１４を積層することで、表面配線層１５を介してランド１４と内部配線１１とを電気的に接続した構成としているから、従来のようなランドとビアとを直接接続することがなくなる。

そして、本実施形態では、ランド１４を微細化しても、ランド１４と内部配線１１との接続は、ランド１４よりも面積の大きい表面配線層１５を介して行われるので、表面配線層１５と内部配線１１とを接続する上記ビアホール１６の微細化は不要となる。それゆえ、本実施形態の配線基板１０および電子装置によれば、ランド１４の微細化に適した構成を実現することができる。

また、上述したが、本実施形態では、表面配線層１５を、ランド１４と同一の金属材料よりなるものであって、且つ、ランド１４との間に異種金属層１５ａを介在させた多段配線構成とした。この多段配線１４、１５の形成方法の一例を、図２を参照して述べることとする。

図２、図３は、本実施形態の表面配線層１５およびランド１４の形成工程を示す工程図である。ここでは、表面配線層１５およびランド１４をエッチングによるパターニングで形成する。

図２（ａ）に示されるように、まず、基材１２の一面１３上に、蒸着、スパッタ、めっき、箔の貼り付け等により、表面配線層１５となるＣｕよりなる下部導体層１５０を形成する。次に、図２（ｂ）に示されるように、下部導体層１５０の上面のうち表面配線層１５となる部位に、蒸着、スパッタ、メッキ等によりＣｒまたはＮｉなどよりなる異種金属層１５ａを形成する。

次に、図２（ｃ）に示されるように、下部導体層１５０の上面全体に、蒸着、スパッタ、箔の貼り付け等により、ランド１４となるＣｕよりなる上部導体層１４０を形成する。そして、図２（ｄ）に示されるように、上部導体層１４０の上面のうちランド１４となる部位に、エッチングマスクとなるレジストＫ１を形成する。

続いて、図３（ａ）に示されるように、上部導体層１４０および下部導体層１５０をエッチングする。このとき、上部導体層１４０のうちレジストＫ１で被覆された部位は、エッチングされずに残り、この残った部分の上部導体層１４０がランド１４となる。

また、異種金属層１５ａは、エッチング選択性が異なるため、下部導体層１５０のうち異種金属層１５ａで被覆された部位も残り、この残った部分の下部導体層１５０が表面配線層１５となる。その後、図３（ｂ）に示されるように、レジストＫ１を除去する。この後、ランド１４が被覆していない異種金属層(１５ａ)はエッチングなどで除去してもよい。

次に、図３（ｃ）に示されるように、基材１２の一面１３上に、ペースト状樹脂を印刷したり、Ｂステージの樹脂よりなるシートを積層プレスしたりすることにより、樹脂層２０を形成する。

この樹脂層２０の形成後にランド１４の上面１４ａが樹脂層２０に封止されている場合には、図３（ｄ）に示されるように、樹脂層２０を研磨して、ランド１４の上面１４ａを露出させる。なお、樹脂層２０の形成後にランド１４の上面１４ａが樹脂層２０より露出している場合は、上記の研磨は不要である。こうして、本実施形態の多段配線１４、１５が形成され、配線基板１０ができあがる。

このように、本実施形態の配線基板１０および電子装置によれば、表面配線層１５およびランド１４をエッチングによるパターニングで形成する場合において、エッチング選択性の異なる異種金属層１５ａはエッチングのバリアとなるから、当該パターニングが容易に行える。

（第２実施形態）
図４は、本発明の第２実施形態に係る配線基板１０を用いた電子装置の要部を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中における矢印Ｂ方向から視たときのモールド樹脂５０を省略した構成の概略平面図である。なお、図４（ａ）では、異種金属層１５ａは省略してある。本実施形態では、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。

図４に示されるように、本実施形態では、ランド１４は、電子部品３０の下部にて、互いに隔てて配置された２個のランド１４である。たとえば電子部品３０の電極が２個ある場合には、当然それに応じてランド１４も２個設けられる。

そして、本実施形態では、配線基板１０における樹脂層２０のうち２個のランド１４の間に位置する部位には、凹部２１が形成されている。この凹部２１は、電子部品３０の直下から電子部品３０の外側にはみ出すように連続して配置されている。

この凹部２１は、樹脂層２０の上面より凹んでいるもので基材１２の一面１３を底部としている。ここでは、樹脂層２０を形成後にエッチングしたり、予めパンチングにより凹部２１となる部位に穴を開けた樹脂シートを用いて樹脂層２０を形成したりすることで、本実施形態の凹部２１を有する樹脂層２０が形成される。

そして、本実施形態の電子装置においては、基材１２の一面１３上には、トランスファーモールド法によるエポキシ樹脂等よりなるモールド樹脂５０が設けられており、電子部品３０は、このモールド樹脂５０により封止されている。

そして、モールド樹脂５０は、電子部品３０と基材１２の一面１３との間に入り込んで凹部２１を充填している。なお、本実施形態では、このモールド樹脂５０による封止構成を採用していることから、上記アンダーフィルは省略された構成としている。

このように電子部品３０下の樹脂層２０部分に凹部２１を設ければ、モールド樹脂５０の成型時には、凹部２１のうち電子部品３０よりはみ出した部位から、当該凹部２１にモールド樹脂５０が入り込む。

ここで、図５は、本実施形態の電子装置において凹部２１を省略した構成を示す概略断面図である。この構成において、モールド樹脂５０封止を行い、電子部品３０とその直下の樹脂層２０との隙間Ｋ２が狭いような場合、当該隙間Ｋ２にはモールド樹脂５０が入り込まず、結果、ボイドとして残ることになる。

しかし、図４に示される本実施形態の電子装置では、凹部２１にモールド樹脂５０が充填されるため、電子部品３０下におけるモールド樹脂５０中のボイド発生を抑制することができる。

また、図６は、本実施形態の他の例を示す概略断面図である。なお、ここでも異種金属層１５ａは省略してある。上記図４では、凹部２１は、当該凹部２１となる部分にて樹脂層２０を厚さ方向の全体に亘って除去したものであったが、図６に示されるように、樹脂層２０を厚さ方向の一部だけ除去することで凹部２１を形成してもよい。

また、図７は、本実施形態のもう一つの他の例を示す概略平面図である。凹部２１における電子部品３０からのはみ出し部分は、モールド樹脂５０の成型時におけるモールド樹脂５０の流れ（図７中の矢印参照）に沿った形状とすることで、凹部２１へのモールド樹脂５０の充填が効率良く行える。

なお、上記第１実施形態のフリップチップ部品を初めとして、電子部品搭載用のランド１４は、１個の電子部品３０に付き、少なくとも２個、もしくは３個以上の複数個設けられているのが通常である。そして、３個以上の場合も、ランド１４間の樹脂層２０に上記同様の凹部２１を設けてやれば、これも上記同様の効果が期待できる。

（第３実施形態）
図８は、本発明の第３実施形態に係る配線基板１０を用いた電子装置の要部を示す概略断面図である。なお、異種金属層１５ａは省略してある。この図８に示されるように、樹脂層２０のうち電子部品３０の直下であってランド１４以外の部位に、表面配線層１５を配置してもよい。

このように、この電子部品３０直下の表面配線層１５を配線基板１０の回路を構成する配線として用いることで、スペースの有効活用が図れる。なお、本実施形態は、上記第１実施形態だけでなく、第２実施形態とも組み合わせて適用できることは言うまでもない。第２実施形態と組み合わせる場合には、たとえば凹部２１の部位に表面配線層１５を設けてやればよい。

（第４実施形態）
図９は、本発明の第４実施形態に係る配線基板１０を用いた電子装置の要部を示す概略断面図である。なお、異種金属層１５ａは省略してある。図９に示されるように、電子部品３０をモールド樹脂５０で封止する構成の場合、樹脂層２０のうち電子部品３０およびランド１４の外側の部位に、応力緩和用の溝２２を設けてもよい。

この場合、モールド樹脂５０の熱膨張、収縮によって、基材１２の一面１３に平行な方向に応力が発生するが、この応力の伝達が溝２２で止められるため、応力緩和がなされ、電子部品３０とランド１４との接続部の剥離等が抑制される。本実施形態は、樹脂層２０に上記溝２２を設けるだけであるから、上記各実施形態について、組み合わせが可能である。

（他の実施形態）
なお、上記各実施形態では、表面配線層１５を、ランド１４と同一の金属材料よりなるものであって、且つ、ランド１４との間に異種金属層１５ａを介在させた構成としたが、たとえば、表面配線層１５としては、この異種金属層１５ａを省略した構成であってもよい。

その場合、ランド１４および表面配線層１５は同一材料でも異種材料でもよいが、たとえばランド１４および表面配線層１５は、マスクを用いたスパッタや蒸着、あるいはメッキなどによる成膜により形成すればよい。

また、ランド１４と電子部品３０とをはんだ付けする場合においては、樹脂層２０の上に、ランド１４を避けてソルダーレジストを設けてもよい。

また、電子部品３０としては、上記したフリップチップ部品以外にも、ランド１４に接続されるものであればよく、チップコンデンサ、チップ抵抗などの一般的な表面実装部品などが適用できる。

また、配線基板１０としては、上記した樹脂基板に限定されるものではなく、たとえば基材１２がアルミナなどのセラミック層が複数積層され、導体ペーストなどよりなる層間配線を内部配線１１とする一般的なセラミック多層配線基板などでもよい。

１０ 配線基板
１１ 内部配線
１２ 基材
１３ 基材の一面
１４ ランド
１４ａ ランドの上面
１５ 表面配線層
１５ａ 異種金属層
２０ 樹脂層
２１ モールド樹脂の凹部
３０ 電子部品
５０ モールド樹脂

Claims (5)

1. 内部に内部配線（１１）を有し板状をなす基材（１２）と、
   前記基材（１２）の一面（１３）に設けられ、電子部品と接続される導電性のランド（１４）とを備える配線基板において、
   前記基材（１２）の一面（１３）上には、前記ランド（１４）よりも面積の大きい表面配線層（１５）が設けられており、
   この表面配線層（１５）の上に前記ランド（１４）が直接積層されて、前記表面配線層（１５）と前記ランド（１４）とが電気的に接続されており、
   前記表面配線層（１５）は、前記ランド（１４）の直下より外れた部位にて前記内部配線（１１）と電気的に接続されることにより、前記ランド（１４）は、前記表面配線層（１５）を介して前記内部配線（１１）と電気的に接続されており、
   前記基材（１２）の一面（１３）上には、前記ランド（１４）および前記表面配線層（１５）を埋めるように電気絶縁性の樹脂よりなる樹脂層（２０）が設けられており、
   前記ランド（１４）の上面（１４ａ）が前記樹脂層（２０）より露出した状態で前記ランド（１４）および前記表面配線層（１５）は前記樹脂層（２０）に封止されていることを特徴とする配線基板。
2. 前記表面配線層（１５）は前記ランド（１４）と同一の金属材料よりなり、
   さらに、前記表面配線層（１５）は、前記ランド（１４）と接する側の面に、前記ランド（１４）を構成する金属とは異なる異種金属層（１５ａ）を設けたものであることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 内部に内部配線（１１）を有し板状をなす基材（１２）、および、前記基材（１２）の一面（１３）に設けられた導電性のランド（１４）を備える配線基板（１０）と、
   前記基材（１２）の一面（１３）に搭載されて前記ランド（１４）と電気的に接続される電子部品（３０）と、を備える配線基板を用いた電子装置において、
   前記基材（１２）の一面（１３）上には、前記ランド（１４）よりも面積の大きい表面配線層（１５）が設けられており、
   この表面配線層（１５）の上に前記ランド（１４）が直接積層されて、前記表面配線層（１５）と前記ランド（１４）とが電気的に接続されており、
   前記表面配線層（１５）は、前記ランド（１４）の直下より外れた部位にて前記内部配線（１１）と電気的に接続されることにより、前記ランド（１４）は、前記表面配線層（１５）を介して前記内部配線（１１）と電気的に接続されており、
   前記基材（１２）の一面（１３）上には、前記ランド（１４）および前記表面配線層（１５）を埋めるように電気絶縁性の樹脂よりなる樹脂層（２０）が設けられており、
   前記ランド（１４）の上面（１４ａ）が前記樹脂層（２０）より露出した状態で前記ランド（１４）および前記表面配線層（１５）は前記樹脂層（２０）に封止されており、
   前記ランド（１４）の上面（１４ａ）に対して前記電子部品（３０）が接続されていることを特徴とする電子装置。
4. 前記ランド（１４）は、前記電子部品（３０）の下部にて、隔てて配置された複数個のものであり、
   前記樹脂層（２０）のうち複数個の前記ランド（１４）の間に位置する部位には、前記電子部品（３０）の直下から前記電子部品（３０）の外側にはみ出すように連続して配置された凹部（２１）が形成されており、
   前記電子部品（３０）はモールド樹脂（５０）により封止されており、
   前記モールド樹脂（５０）は、前記電子部品（３０）と前記基材（１２）の一面（１３）との間に入り込んで前記凹部（２１）を充填していることを特徴とする請求項３に記載の電子装置。
5. 前記表面配線層（１５）は前記ランド（１４）と同一の金属材料よりなり、
   さらに、前記表面配線層（１５）は、前記ランド（１４）と接する側の面に、前記ランド（１４）を構成する金属とは異なる異種金属層（１５ａ）を設けたものであることを特徴とする請求項３または４に記載の電子装置。

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