JP5514474B2 - 薄膜トランジスタの作製方法、不揮発性半導体記憶素子の作製方法 - Google Patents
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Description
本実施の形態は、本発明の一態様である、パターンの形成方法について説明する。
本実施の形態は、本発明の一態様である、薄膜トランジスタの作製方法について説明する。
本実施の形態は、本発明の一態様である、薄膜トランジスタの作製方法について説明する。本実施の形態では、チャネル形成領域に結晶性半導体(結晶性を有する半導体を含む)を配したボトムゲート型薄膜トランジスタについて説明する。
本実施の形態は、本発明の一態様である、不揮発性半導体記憶素子(フラッシュメモリ)の作製方法について説明する。
101 第1の膜
102 第1のレジストマスク
103 第1の層
104 第2の膜
105 第2のレジストマスク
106 第3のレジストマスク
107 第2の層
111 第1の膜
112 第2の膜
113 第1のレジストマスク
114 エッチングされた第2の膜
115 第2のレジストマスク
121 第2の膜
122 第3の膜
123 第2のレジストマスク
124 第3のレジストマスク
125 第2の層
131 第3の膜
132 第4の膜
133 第4のレジストマスク
134 第3の層
135 エッチングされた第4の膜
136 第5のレジストマスク
200 基板
202 第1の導電膜
204 第1のレジスト
206 第1のレジストマスク
208 第1の導電層
210 第1の絶縁膜
212 半導体膜
214 不純物半導体膜
216 第2のレジスト
218 第2のレジストマスク
220 第3のレジストマスク
222 半導体層
224 不純物半導体層
226 第2の導電層
228 保護層
230 第3の導電層
240 第1の絶縁膜
242 半導体膜
246 第2のレジスト
248 第2のレジストマスク
250 第3のレジストマスク
252 半導体層
254 不純物半導体層
256 第2の導電層
258 保護層
260 第3の導電層
200S 基板
206S 第1のレジストマスク
208S 第1の導電層
210S 第1の絶縁膜
212S 半導体膜
214S 不純物半導体膜
216S 第2のレジスト
218S 第2のレジストマスク
220S 第3のレジストマスク
222S 半導体層
224S 不純物半導体層
226S 第2の導電層
228S 保護層
230S 第3の導電層
240S 第1の絶縁膜
242S 半導体膜
246S 第2のレジスト
248S 第2のレジストマスク
250S 第3のレジストマスク
252S 半導体層
254S 不純物半導体層
256S 第2の導電層
258S 保護層
260S 第3の導電層
300 基板
302 遮光層
304 第1の絶縁膜
306 第1の導電層
308 第2の絶縁膜
310 半導体層
312 バッファ層
314 不純物半導体層
316 第2の導電層
318 保護層
320 第3の導電層
322 遮光膜
323 第1の絶縁膜
324 第1のレジストマスク
325 第1の導電膜
326 第1の導電膜
327 第1の絶縁層
328 第2のレジストマスク
330 半導体膜
332 バッファ膜
334 不純物半導体膜
336 第3のレジストマスク
338 第4のレジストマスク
340 バッファ膜
342 不純物半導体膜
344 第2の導電膜
346 第5のレジストマスク
350 基板
352 遮光層
354 第1の絶縁膜
356 第1の導電層
358 第2の絶縁膜
360 半導体層
366 第2の導電層
368 保護層
370 第3の導電層
372 遮光膜
374 第1のレジストマスク
376 第1の導電膜
378 第2のレジストマスク
380 第3のレジストマスク
382 半導体膜
384 バッファ膜
386 不純物半導体膜
388 第4のレジストマスク
390 バッファ膜
392 不純物半導体膜
394 第2の導電膜
396 第5のレジストマスク
400 基板
402 下地膜
404 半導体層
406 第1の絶縁膜
408 第1の導電膜
410 第2のレジストマスク
412 第3のレジストマスク
414 第1の導電層
416 第2の絶縁膜
418 第2の導電膜
420 第4のレジストマスク
422 第2の導電層
424 第3の絶縁膜
426 第4の絶縁膜
428 第3の導電層
Claims (6)
- 第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜上に第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて前記第1の導電膜をエッチングすることで、第1の導電層を形成し、
前記第1の導電層を覆って第1の絶縁膜と、半導体膜と、不純物半導体膜と、を下から順に積層して形成し、
前記不純物半導体膜上に第2のレジストマスクを形成し、
前記2のレジストマスクを縮小させて第3のレジストマスクを形成し、
前記第3のレジストマスクを用いて前記半導体膜と前記不純物半導体膜をエッチングすることで、半導体層と不純物半導体層とを形成し、
前記半導体層と前記不純物半導体層を覆って第2の導電層を形成し、
前記第1のレジストマスクと前記第2のレジストマスクとは、同一のフォトマスクまたは同一形状のフォトマスクにより形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜上に第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて前記第1の導電膜をエッチングすることで、第1の導電層を形成し、
前記第1の導電層を覆って第1の絶縁膜と第1の絶縁膜上の半導体膜を積層して形成し、
前記半導体膜上に第2のレジストマスクを形成し、
前記第2のレジストマスクを縮小させて第3のレジストマスクを形成し、
前記第3のレジストマスクを用いて前記半導体膜をエッチングすることで、半導体層を形成し、
前記半導体層上に、不純物半導体層と前記不純物半導体層上の第2の導電層を形成し、
前記第1のレジストマスクと前記第2のレジストマスクとは、同一のフォトマスクまたは同一形状のフォトマスクにより形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1または請求項2において、
前記第1の導電層にスリットを設けることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
レジストマスクの縮小は、アッシング処理、酸素プラズマ処理、またはオゾン水による処理によって行われることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 半導体層上を覆って第1の絶縁膜と前記第1の絶縁膜上の第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜上に第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを縮小させて第2のレジストマスクを形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて前記第1の導電膜をエッチングすることで、第1の導電層を形成し、
前記第2のレジストマスクを除去し、
前記第1の導電層上に第2の絶縁膜と前記第2の絶縁膜上の第2の導電膜を形成し、前記第2の導電膜上に第3のレジストマスクを形成し、
前記第3のレジストマスクを用いて前記第2の導電膜をエッチングすることで、第2の導電層を形成し、
前記第3のレジストマスクを除去し、
前記第1のレジストマスクと前記第3のレジストマスクは、同一のフォトマスクまたは同一形状のフォトマスクにより形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶素子の作製方法。 - 請求項5において、
レジストマスクの縮小は、アッシング処理、酸素プラズマ処理、またはオゾン水による処理によって行われることを特徴とする不揮発性半導体記憶素子の作製方法。
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