JP5512501B2 - プラズマ溶射装置 - Google Patents

Description

本発明は、電気伝導性のワイヤにプラズマアークを移行させてプラズマフレームを発生させ、ワイヤを溶滴としながら噴射するプラズマ溶射装置に関する。

図６は従来のプラズマ溶射装置を模式的に示した断面図である。図６に示すように、従来のプラズマ溶射装置９０は、一次ガス通路９１ａを形成する一次ガスノズル９１と、一次ガスノズル９１の外側に配置されて二次ガス通路９２ａを形成する二次ガスノズル９２と、一次ガスノズル９１のノズル口９１ｂおよび二次ガスノズル９２のノズル口９２ａの略中心軸上に配置された陰極９３と、電源装置９４と、二次ガスノズル９２のノズル口９２ａの近傍に溶射用の電気伝導性のワイヤＷを供給するワイヤガイド孔９５とを備える。

ワイヤＷは、ワイヤガイド孔９５からノズル口９２ａの中心軸へ向けて斜め前方に供給される。そして、一次ガス通路９１ａから噴出される一次ガスが、電源装置９４の陽極側と二次ガスノズル９２を介して間接的に接続されたワイヤＷと、電源装置９４の陰極側と接続された陰極９３との間に生じるアークによってプラズマ化されてプラズマフレームＦとなり、ワイヤＷを溶滴Ｄとして噴射する。この溶滴Ｄは、二次ガス通路９２ａから二次ガスノズル９２の前方へ噴射される二次ガスによってさらに微細化され、さらに加速されて被処理物Ｔ上に噴射され、溶射被膜Ｓを形成する。

このように、ワイヤＷをプラズマフレームＦと二次ガス流れによって溶滴としながら噴射する方式のプラズマ溶射装置では、プラズマフレームＦを安定的に生じさせ、一様な溶滴Ｄを噴射するために、ワイヤＷの先端が常にプラズマフレームＦの内部に位置しているようにしなければならない。

ところが、従来のプラズマ溶射装置では、ワイヤＷを供給するワイヤガイド孔９５が円形断面形状であり、ワイヤＷが本来的に有しているゆがみ癖による引っ掛かりや詰まりなどを回避するためにワイヤＷの外径よりも大きな口径を有している。そのため、ワイヤＷのねじれを矯正しながら送給することが困難であり、ワイヤＷのゆがみ癖によりプラズマフレームＦの中心を外れたり戻ったりを繰り返し、プラズマフレームＦの中心に安定したワイヤ供給ができないという問題を有している。

そこで、例えば、特許文献１に記載のように、プラズマアークトーチに一体化した支持板にワイヤ材を挟み込んでその一次曲がりを矯正する矯正案内部材とこの矯正案内部材からワイヤを案内しながらワイヤにその弾性限界を超えた二次曲げを行う二次曲げ案内部材を設けてワイヤの供給を行い、このワイヤが本来的に有しているゆがみ癖を取り除いてから行うことにより、ワイヤの先端がプラズマガス流の中心に常に位置するようにし、安定なプラズマフレームを発生させる改良が行われている。

特開平９−３０８９７０号公報

ところが、特許文献１に記載のようにワイヤに対して弾性限界を超えた二次曲げを行う二次曲げ案内部材をプラズマアークトーチに一体化した場合、ワイヤ送り出しの力は、二次曲げ案内部材によりワイヤへ弾性限界を超えた二次曲げを行うために過大になる。そのため、ワイヤ供給機構が大型となり、トーチ全体も大型となる傾向がある。

そこで、本発明においては、ワイヤが二次ガスノズルのノズル口の近傍に供給される場合に、ワイヤが本来的に有しているゆがみ癖に関わらず、ワイヤにその弾性限界を超えた二次曲げを行う二次曲げ案内部材を設けることなく、ワイヤ送りを安定させることが可能な小型のプラズマ溶射装置を提供することを目的とする。

本発明のプラズマ溶射装置は、陰極と、この陰極の外周に一次ガス通路を形成して陰極の先端部を覆う一次ガスノズルと、この一次ガスノズルの外側に配置されて二次ガス通路を形成する二次ガスノズルと、この二次ガスノズルのノズル口の近傍へ溶射用のワイヤを供給するワイヤ通路とを備え、ワイヤ通路より供給されるワイヤの先端と陰極との間に生じるアークにより一次ガスノズルから噴射する一次ガスをプラズマ化し、一次ガスノズルより噴射するプラズマフレームを形成してワイヤの先端を溶滴とし、この溶滴をプラズマフレームと二次ガスノズルから噴射する二次ガスによって被処理物上に噴射するプラズマ溶射装置において、ワイヤ通路は、プラズマフレームの伸展方向に長い略長方形断面形状を有し、ワイヤに弾性限界を超えない範囲の曲がりを与えるものである。

本発明のプラズマ溶射装置によれば、ワイヤに弾性限界を超えない範囲の曲がりを与えることで、ワイヤのゆがみ癖をプラズマフレームの伸展方向に逃がして、プラズマフレームの伸展方向に対して直角方向への位置ずれを防止することができる。なお、ワイヤの先端部分は、プラズマフレームの伸展方向に対しては多少の位置ずれが発生しても、プラズマフレームの軸線上に位置するため、プラズマフレームは不安定とはならない。したがって、本発明のプラズマ溶射装置によれば、プラズマフレームの中心部へワイヤを安定して供給することが可能となる。

ここで、ワイヤ通路の略長方形断面形状は、短辺方向の幅がワイヤの直径より３％以上かつ１０％未満の範囲で大きいことが望ましい。これにより、ワイヤのゆがみ癖を実質的にプラズマフレームの伸展方向にのみ逃がして、プラズマフレームの伸展方向に対して直角方向の位置ずれを防止することができる。なお、短辺方向の幅がワイヤの直径より３％未満しか大きくない場合には、ワイヤのゆがみ癖をプラズマフレームの伸展方向に逃がすための隙間が不足して引っ掛かりや詰まりが発生する恐れがある。一方、短辺方向の幅がワイヤの直径より１０％以上大きい場合には、隙間が大きすぎ、ワイヤのゆがみ癖がプラズマフレームの伸展方向だけでなく、直角方向へも逃げる恐れがある。

ワイヤ通路は、二次ガスノズルのノズル口の近傍に形成されたワイヤ出口を有する一次ワイヤ通路と、この一次ワイヤ通路に対して所定の傾斜角でワイヤを供給する二次ワイヤ通路とを有するものである。これにより、ワイヤが二次ワイヤ通路から一次ワイヤ通路へ送給される際に、ワイヤに対して所定の傾斜角によりワイヤの弾性限界を超えない範囲で曲がりが与えられ、ワイヤのゆがみ癖をプラズマフレームの伸展方向に逃がし、プラズマフレームの伸展方向に対して直角方向への位置ずれを防止することができる。

このとき、所定の傾斜角は、１〜５°であることが望ましい。これにより、ワイヤに対してワイヤの弾性限界を超えない範囲の曲がりが与えられ、プラズマフレームの中心部へワイヤをさらに安定して供給することが可能となる。なお、所定の傾斜角が１°未満では、ワイヤに対して所定の曲がりを与えることができず、ワイヤ送りが安定しなくなる恐れがある。一方、所定の傾斜角が５°超では、ワイヤの弾性限界を超える範囲の曲がりが与えられる可能性がある。

また、一次ワイヤ通路と二次ワイヤ通路とは、３〜１０ｍｍの隙間を隔てて配置されたものであることが望ましい。これにより、一次ワイヤ通路と二次ワイヤ通路と隙間とによって擬似的に大きな曲線状のワイヤ通路を形成し、ワイヤに弾性範囲を超えない範囲の曲がりを与えることができる。なお、隙間が３ｍｍ未満の場合には、実質的に一次ワイヤ通路一つにより形成したものと変わらなくなる。一方、隙間が１０ｍｍを超える場合には、二次ワイヤ通路によりワイヤに加えた曲げの効果が薄れてしまい、この場合にも実質的に一次ワイヤ通路一つにより形成したものと変わらなくなる。

（１）ワイヤ通路がプラズマフレームの伸展方向に長い略長方形断面形状を有し、ワイヤに弾性限界を超えない範囲の曲がりを与えるものであることにより、ワイヤにその弾性限界を超えた二次曲げを行う二次曲げ案内部材を設けることなく、ワイヤが本来的に有しているゆがみ癖をプラズマフレームの伸展方向に逃がして、プラズマフレームの伸展方向に対して直角方向への位置ずれを防止し、プラズマフレームの中心部へワイヤを安定して供給することが可能となる。

（２）ワイヤ通路の略長方形断面形状は、短辺方向の幅がワイヤの直径より３％以上かつ１０％未満の範囲で大きいことにより、ワイヤのゆがみ癖を実質的にプラズマフレームの伸展方向にのみ逃がして、プラズマフレームの伸展方向に対して直角方向の位置ずれを防止することができ、プラズマフレームの中心部へワイヤをより安定して供給することが可能となる。

（３）ワイヤ通路が、二次ガスノズルのノズル口の近傍に形成されたワイヤ出口を有する一次ワイヤ通路と、この一次ワイヤ通路に対して１〜５°の傾斜角でワイヤを供給する二次ワイヤ通路とを有するものであることにより、ワイヤに対してワイヤの弾性限界を超えない範囲の曲がりが与えられ、プラズマフレームの中心部へワイヤをさらに安定して供給することが可能となる。

（４）一次ワイヤ通路と二次ワイヤ通路とは、３〜１０ｍｍの隙間を隔てて配置されたものであることにより、一次ワイヤ通路および二次ワイヤ通路よりも擬似的に大きな曲線状のワイヤ通路を形成し、ワイヤに弾性範囲を超えない範囲の曲がりを与えることができる。

本発明の実施の形態におけるプラズマ溶射装置の概略構成図である。 図１のプラズマ溶射トーチの主要部の詳細を示す縦断面図である。 図２のＡ矢視図である。 図１のプラズマ溶射トーチの動作説明図である。 ワイヤ通路の断面形状とワイヤが受ける力の方向を示す説明図である。 従来のプラズマ溶射装置を模式的に示した断面図である。

図１は本発明の実施の形態におけるプラズマ溶射装置の概略構成図、図２は図１のプラズマトーチの主要部の詳細を示す縦断面図、図３は図２のＡ矢視図、図４は図１のプラズマトーチの動作説明図である。

図１において、本発明の実施の形態におけるプラズマ溶射装置１は、プラズマフレームにより溶滴としたワイヤＷを被処理物上に噴射するプラズマ溶射トーチ２と、プラズマ溶射トーチ２へ一次ガスおよび二次ガスを供給するガス供給源３と、プラズマ溶射トーチ２へ動作電力を供給する電源４と、ワイヤＷが巻回されたワイヤリール５と、ワイヤリール５から引き出されるワイヤＷの巻き癖を矯正するワイヤ矯正機６と、ワイヤＷをワイヤ送りチューブ８によりプラズマ溶射トーチ２へ供給するワイヤ供給機構７とを有する。

図２に示すように、プラズマ溶射トーチ２は、一次ガス通路１１を形成する一次ガスノズル１０と、一次ガスノズル１０の外側に配置されて二次ガス通路２１を形成する二次ガスノズル２０と、一次ガスノズル１０と二次ガスノズル２０との間に配置されて三次ガス通路３１を形成する三次ガスノズル３０と、一次ガスノズル１０のノズル口１２および二次ガスノズル２０のノズル口２２の略中心軸上に配置された陰極４０と、二次ガスノズル２０のノズル口２２の近傍へ溶射用のワイヤＷを供給するワイヤ通路５０とを備える。

一次ガスノズル１０は、陰極４０の先端部を覆うように形成されており、陰極４０の外周に一次ガス通路１１を形成している。この一次ガス通路１１に供給される一次ガスは、窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガスである。あるいは、この一次ガスとして、圧縮エアを用いることも可能である。一次ガス通路１１によって供給される一次ガスは、一次ガスノズル１０のノズル口１２より二次ガスノズル２０の前方へ噴射される。

三次ガスノズル３０は、一次ガスノズル１０の外側を包み込むように形成されており、一次ガスノズル１０の外周に三次ガス通路３１を形成している。三次ガスは、圧縮エアや炭酸ガス等のガスである。二次ガスノズル２０は、三次ガスノズル３０の外側を包み込むように形成されており、三次ガスノズル３０の外周に二次ガス流路２１を形成している。二次ガスは、圧縮エアや炭酸ガス等のガスである。

ワイヤ通路５０は、二次ガスノズル２０のノズル口２２の近傍に形成されたワイヤ出口５１ｂを有する一次ワイヤ通路５１ａと、この一次ワイヤ通路５１ａに対して所定の傾斜角θでワイヤＷを供給する二次ワイヤ通路５２ａとから構成される。ワイヤ通路５０は、一次ワイヤ通路５１ａと二次ワイヤ通路５２ａとによりワイヤＷに弾性限界を超えない範囲の曲がりを与えるものである。

図３に示すように、一次ワイヤ通路５１ａは、プラズマフレームの伸展方向に長い略長方形断面形状を有し、二次ガスノズル２０の外側に配置された一次ワイヤ案内部材５１を直線状に貫通して形成されている。同様に、二次ワイヤ通路５２ａも、プラズマフレームの伸展方向に長い略長方形断面形状を有し、一次ワイヤ通路５１ａから離れた位置に配置された二次ワイヤ案内部材５２を直線状に貫通して形成されている。

一次ワイヤ通路５１ａの長辺方向の幅ａは、ワイヤＷの直径ｄよりも１０％以上かつ９５％以下の範囲で大きく設定されている。また、一次ワイヤ通路５１ａの短辺方向の幅ｂは、ワイヤＷの直径ｄより３％以上かつ１０％未満の範囲で大きく設定されている。なお、本実施形態におけるワイヤＷの直径ｄは１．６ｍｍであり、長辺方向の幅ａはワイヤＷの直径ｄよりも０．２〜１．５ｍｍ程度大きく、短辺方向の幅ｂはワイヤＷの直径ｄよりも０．０５〜０．１５ｍｍ程度大きく設定してある。二次ワイヤ通路５２ａについても同様である。

なお、一次ワイヤ通路５１ａおよび二次ワイヤ通路５２ａが有する略長方形断面形状とは、長方形断面形状のほか、長方形断面形状の角部がワイヤＷの外面が接しない範囲でＣ面取りやＲ面取りなどの加工が施されている形状を含むものとする。したがって、本実施形態においてワイヤＷは、一次ワイヤ通路５１ａおよび二次ワイヤ通路５２ａ内において長辺方向の平面または短辺方向の平面のいずれの平面に対しても垂直方向の力のみを受けることになる。

また、二次ワイヤ通路５２ａの一次ワイヤ通路５１ａに対する傾斜角θは、一次ワイヤ通路５１ａの中心線と二次ワイヤ通路５２ａの中心線とがなす角である。本実施形態においては、傾斜角θは１〜５°程度に設定してある。また、二次ワイヤ案内部材５２は、一次ワイヤ通路５１ａと二次ワイヤ通路５２ａとが隙間ｃを隔てて配置される位置に設けられている。本実施形態においては、隙間ｃは３〜１０ｍｍ程度に設定してある。

このように本実施形態におけるプラズマ溶射トーチ２では、一次ワイヤ通路５１ａと二次ワイヤ通路５２ａとが隙間ｃを隔てて配置されることで、それぞれ直線状の一次ワイヤ通路５１ａと二次ワイヤ通路５２ａとにより擬似的に大きな曲線状のワイヤ通路５０を形成し、ワイヤＷに弾性範囲を超えない範囲の曲がりを与える。なお、一次ワイヤ通路５１ａおよび二次ワイヤ通路５２ａを、それぞれ曲線状とすることも可能である。

電源４の陽極側は、一次ワイヤ案内部材５１に接続されており、この一次ワイヤ案内部材５１の一次ワイヤ通路５１ａ内を通るワイヤＷに対して間接的に接続されている。一方、電源４の陰極側は、陰極４０に接続されている。なお、電源４の陽極側は、ワイヤＷに直接接続されることもある。

上記構成のプラズマ溶射装置１では、ワイヤリール５に巻かれたワイヤＷがワイヤ供給機構７によってプラズマ溶射トーチ２へ送給される際、ワイヤＷの強い巻き癖がワイヤ矯正機６によって矯正され、緩やかな曲線状に伸ばされる。そして、ワイヤＷはワイヤ送りチューブ８を介してワイヤ通路５０へ供給される。ワイヤ通路５０では、ワイヤＷは一次ワイヤ通路５１ａおよび二次ワイヤ通路５２ａ内で長辺方向の平面または短辺方向の平面のいずれの平面に対しても垂直方向の力のみを受けて、図４に示すようにプラズマフレームＦの伸長方向へ弾性限界を超えない範囲の曲がりが与えられる。

ここで、一次ワイヤ通路５１ａおよび二次ワイヤ通路５２ａは、プラズマフレームＦの伸展方向に長い略長方形断面形状を有するので、ゆがみ癖はプラズマフレームＦの伸展方向に逃がされる。特に、本実施形態においては、短辺方向の幅ｂが、ワイヤＷの直径ｄより３％以上かつ１０％未満の範囲で大きく設定されているだけであるため、プラズマフレームＦの伸展方向に対して直角方向へは逃がされない。したがって、ワイヤＷの先端部分はプラズマフレームＦの伸展方向に対しては多少の位置ずれが発生しても、プラズマフレームＦの伸長方向に対して直角方向への位置ずれは防止され、プラズマフレームＦの軸線上に位置するようになる。

図５はワイヤ通路の断面形状とワイヤが受ける力の方向を示している。図５において、略長方形断面Ａは長方形断面形状、略長方形断面Ｂは長方形断面形状の角部がワイヤＷの外面が接しない範囲でＣ面取り加工が施されている形状、略長方形断面Ｃは長方形断面形状の角部がワイヤＷの外面が接しない範囲でＲ面取り加工が施されている形状である。これらの略長方形断面形状では、ワイヤＷが長辺方向の平面に接しても短辺方向の平面に接しても、それぞれの平面に対して垂直方向の力のみを受けることになる。

ワイヤＷは、ワイヤ矯正機構７によっても完全に直線状には矯正できないため、ゆがみ癖が残っている。そして、ワイヤ送りチューブ８は、作業時のプラズマ溶射トーチ２の取り回しにより、様々な状態に曲がり形状が変化して一定の形状とはならない。そのため、このように形状が一定とならないワイヤ送りチューブ８内をゆがみ癖が残ったワイヤＷが送られてくると、ワイヤ送りチューブ８の形状に合わせてワイヤＷへ曲げやねじれの力が働く。この曲げやねじれの力によりワイヤＷは弾性限度内ではバネと同様に自由に曲がりながら、力の方向が安定する位置でワイヤ送りチューブ８内を蛇行しながら送られていくことになる。

このとき、上述の略長方形断面形状では、ワイヤＷが短辺方向の平面に接した場合には、この短辺方向の平面に対して垂直方向、すなわちプラズマフレームＦの伸展方向（以下、「Ｘ方向」と称す。）の力を受けることになり、ゆがみ癖はプラズマフレームＦの伸展方向に逃がされる。そして、この短辺方向の平面にのみ接触している際に、プラズマフレームＦの伸展方向に対して直角方向（以下、「Ｙ方向」と称す。）の力が掛かった場合には、ワイヤＷは短辺方向の幅ｂの隙間分だけ自由に移動し、長辺方向の平面に接するが、この場合も長辺方向の平面に対して垂直方向（Ｙ方向）の力が働くため、ワイヤＷの位置が安定する。特に、ねじれの力を受けた場合は、Ｘ方向とＹ方向の力として短辺方向と長辺方向の力に分散されて、各面に対して垂直方向に力が働き、ワイヤＷのねじれを抑制する働きをするために、ワイヤＷの位置は安定する。

一方、丸形断面や長丸断面の場合には、ワイヤＷは丸形断面や長丸断面の曲面に接すると、この曲面に対して垂直方向の力だけを受けることになり、ワイヤＷは曲面に沿って自由に移動することができる。特に、ねじれの力を受けた場合に、ワイヤＷは曲面に沿って自由に回転するために、ワイヤＷのねじれを抑制しない。このため、ワイヤＷが受ける力の方向が定まらず、ワイヤＷの位置は不定となる。

このように本実施形態におけるプラズマ溶射装置１では、ワイヤＷの先端部分はプラズマフレームＦの中心部へワイヤＷを安定して供給することができる。そして、一次ガス通路１１から噴出される一次ガスが、電源４の陽極側に一次ワイヤ案内部材５１を介して間接的に接続されたワイヤＷと、電源４の陰極側に接続された陰極４０との間に生じるアークによってプラズマ化されてプラズマフレームＦとなり、ワイヤＷを溶滴Ｄとして噴射する。この溶滴Ｄは、二次ガス通路２１から二次ガスノズル２０の前方へ噴射される二次ガスによってさらに微細化され、さらに加速されて被処理物Ｔ上に噴射され、溶射皮膜Ｓを形成する。

このとき、本実施形態におけるプラズマ溶射装置１では、一次ガス通路１１と二次ガス通路２１との間に配置されている三次ガス通路３１から噴射される三次ガス流れの内側が、プラズマフレームＦの熱を受けて高温のガス噴射Ｇを形成する。この高温のガス噴射Ｇにより、その外側に噴射される二次ガスの急激な絞り込みによってプラズマフレームＦの外周部から発生するかく乱を抑えることで、プラズマフレームＦのガス拡散を防止することができ、溶滴Ｄとなった粒子の表面の酸化が低減される。これにより、被処理物Ｔ上に酸化が少ない溶射皮膜Ｓを形成することが可能となっている。

また、三次ガスとして不活性ガスである窒素ガスやアルゴンガスなどを用いた場合には、上述のように二次ガスの急激な絞りこみによってプラズマフレームＦの外周部から発生するかく乱を防止するとともに、プラズマフレームＦの外周部にプラズマフレームＦの熱を受けた高温の不活性ガス噴射が形成される。これにより、溶滴Ｄの粒子は、高温の不活性ガス噴射により粒子の成分変化が防止された状態で微細化され、加速されるために、二次ガスによる酸化から保護される。これにより、さらに酸化が少ない溶射皮膜Ｓを形成することが可能となる。

なお、本実施形態においては、一次ワイヤ通路５１ａおよび二次ワイヤ通路５２ａの両方をプラズマフレームの伸展方向に長い略長方形断面形状を有するものとしているが、いずれか一方のみをプラズマフレームの伸展方向に長い略長方形断面形状を有するものとすることも可能である。この場合、プラズマフレームの伸展方向に長い略長方形断面形状を有する一次ワイヤ通路または二次ワイヤ通路により、ワイヤＷのゆがみ癖をプラズマフレームＦの伸展方向に逃がして、ワイヤＷの先端部分をプラズマフレームＦの中心部へ供給することができる。

本発明のプラズマ溶射装置は、鋼構造物の表面に防錆用溶射皮膜を形成するための装置として有用である。

１ プラズマ溶射装置
２ プラズマ溶射トーチ
３ ガス供給源
４ 電源
５ ワイヤリール
６ ワイヤ矯正機
７ ワイヤ供給機構
１０ 一次ガスノズル
１１ 一次ガス通路
１２ ノズル口
２０ 二次ガスノズル
２１ 二次ガス通路
２２ ノズル口
３０ 三次ガスノズル
３１ 三次ガス通路
４０ 陰極
５０ ワイヤ通路
５１ 一次ワイヤ案内部材
５１ａ 一次ワイヤ通路
５２ 二次ワイヤ案内部材
５２ａ 二次ワイヤ通路

Claims (5)

1. 陰極と、この陰極の外周に一次ガス通路を形成して前記陰極の先端部を覆う一次ガスノズルと、この一次ガスノズルの外側に配置されて二次ガス通路を形成する二次ガスノズルと、この二次ガスノズルのノズル口の近傍へ溶射用のワイヤを供給するワイヤ通路とを備え、前記ワイヤ通路より供給される前記ワイヤの先端と前記陰極との間に生じるアークにより前記一次ガスノズルから噴射する一次ガスをプラズマ化し、前記一次ガスノズルより噴射するプラズマフレームを形成して前記ワイヤの先端を溶滴とし、この溶滴を前記プラズマフレームと前記二次ガスノズルから噴射する二次ガスによって被処理物上に噴射するプラズマ溶射装置において、
   前記ワイヤ通路は、前記プラズマフレームの伸展方向に長い略長方形断面形状を有し、前記ワイヤに弾性限界を超えない範囲の曲がりを与えるものであるプラズマ溶射装置。
2. 前記ワイヤ通路の略長方形断面形状は、短辺方向の幅がワイヤの直径より３％以上かつ１０％未満の範囲で大きいことを特徴とする請求項１記載のプラズマ溶射装置。
3. 前記ワイヤ通路は、前記二次ガスノズルのノズル口の近傍に形成されたワイヤ出口を有する一次ワイヤ通路と、この一次ワイヤ通路に対して所定の傾斜角で前記ワイヤを供給する二次ワイヤ通路とを有するものである請求項１または２に記載のプラズマ溶射装置。
4. 前記所定の傾斜角は、１〜５°である請求項３記載のプラズマ溶射装置。
5. 前記一次ワイヤ通路と前記二次ワイヤ通路とは、３〜１０ｍｍの隙間を隔てて配置されたものである請求項３または４に記載のプラズマ溶射装置。

Images