JP2766680B2 - プラズマワイヤ溶射加工方法およびその装置 - Google Patents
プラズマワイヤ溶射加工方法およびその装置Info
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- JP2766680B2 JP2766680B2 JP1203511A JP20351189A JP2766680B2 JP 2766680 B2 JP2766680 B2 JP 2766680B2 JP 1203511 A JP1203511 A JP 1203511A JP 20351189 A JP20351189 A JP 20351189A JP 2766680 B2 JP2766680 B2 JP 2766680B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、溶射ワイヤにプラズマを移行させて行な
う、プラズマワイヤ溶射加工方法及びその装置に関する
ものである。
う、プラズマワイヤ溶射加工方法及びその装置に関する
ものである。
［従来の技術］ この種のプラズマワイヤ溶射加工は、溶射ワイヤを送
給しつつ、この溶射ワイヤにプラズマアークを移行さ
せ、これを細粒化して被加工物に向けて吹きつけ溶射皮
膜を形成させるものである。
給しつつ、この溶射ワイヤにプラズマアークを移行さ
せ、これを細粒化して被加工物に向けて吹きつけ溶射皮
膜を形成させるものである。
ところで、プラズマガスの流量又は圧力を増して、プ
ラズマアークを絞ることにより、プラズマエネルギーを
増大させ、溶射ワイヤをより細粒化しうることは確認さ
れているが、プラズマガスの流量又は圧力を増すことに
より、アークの点弧が困難となり、このため必然的に溶
射加工時のプラズマエネルギーを抑制されることとな
る。このことは、プラズマガスとして２原子ガスを用い
る場合はなおのことである。また一方、溶射加工時にア
トマイジングガスを増大させることにより、溶射粒子を
効率よく細粒化させうるが、アーク点弧時には不安定に
なる要素となっていた。従って、これもアーク点弧時に
アークが安定して点弧しうる範囲内で条件を設定してい
た。
ラズマアークを絞ることにより、プラズマエネルギーを
増大させ、溶射ワイヤをより細粒化しうることは確認さ
れているが、プラズマガスの流量又は圧力を増すことに
より、アークの点弧が困難となり、このため必然的に溶
射加工時のプラズマエネルギーを抑制されることとな
る。このことは、プラズマガスとして２原子ガスを用い
る場合はなおのことである。また一方、溶射加工時にア
トマイジングガスを増大させることにより、溶射粒子を
効率よく細粒化させうるが、アーク点弧時には不安定に
なる要素となっていた。従って、これもアーク点弧時に
アークが安定して点弧しうる範囲内で条件を設定してい
た。
第４図は、この種のプラズマワイヤ溶射加工方法に用
いる従来の装置である。プラズマワイヤ溶射加工時は、
プラズマワイヤ溶射用トーチ１の電極11を陰極として、
溶射ワイヤ２を陽極とする溶射用電源３の出力により、
この種のプラズマワイヤ溶射加工では、通常窒素ガスな
どの雰囲気中で、プラズマアークＰを発生させ、溶射ワ
イヤ２を送給しつつプラズマ溶射を行なっていくもので
あり、Ｍはその溶射粒子である。４は窒素ガスなどのプ
ラズマガスＧを充填したガスボンベであり、このプラズ
マガスＧが電磁弁５を介して、プラズマワイヤ溶射用ト
ーチ１の電極11とチップ12間のプラズマガス供給部16に
適宜供給され、チップ12のチップオリフィス12aから適
宜放出される。６はエア源であり、プラズマワイヤ溶射
用トーチ１の冷却エアＣと、通常エアが用いられるアト
マイジングガスＡとに分岐され、それぞれ電磁弁7,8を
介して、一方はチップ12とエアリング13間の冷却エア供
給部17に、他方は溶射ユニット14のアトマイジングガス
供給部18に供給される。また冷却エアＣはリング孔13a
から、アトマイジングガスＡはガス噴出孔14aから放出
される。なお15は、溶射ワイヤ２を案内する溶射ユニッ
ト14に取着されたワイヤガイドである。またアーク点弧
時は、溶射用電源３の出力を、陰極側の電極11と陽極側
の制限抵抗９を介したチップ12間に供給し、パイロット
アークを発生するようにしている。
いる従来の装置である。プラズマワイヤ溶射加工時は、
プラズマワイヤ溶射用トーチ１の電極11を陰極として、
溶射ワイヤ２を陽極とする溶射用電源３の出力により、
この種のプラズマワイヤ溶射加工では、通常窒素ガスな
どの雰囲気中で、プラズマアークＰを発生させ、溶射ワ
イヤ２を送給しつつプラズマ溶射を行なっていくもので
あり、Ｍはその溶射粒子である。４は窒素ガスなどのプ
ラズマガスＧを充填したガスボンベであり、このプラズ
マガスＧが電磁弁５を介して、プラズマワイヤ溶射用ト
ーチ１の電極11とチップ12間のプラズマガス供給部16に
適宜供給され、チップ12のチップオリフィス12aから適
宜放出される。６はエア源であり、プラズマワイヤ溶射
用トーチ１の冷却エアＣと、通常エアが用いられるアト
マイジングガスＡとに分岐され、それぞれ電磁弁7,8を
介して、一方はチップ12とエアリング13間の冷却エア供
給部17に、他方は溶射ユニット14のアトマイジングガス
供給部18に供給される。また冷却エアＣはリング孔13a
から、アトマイジングガスＡはガス噴出孔14aから放出
される。なお15は、溶射ワイヤ２を案内する溶射ユニッ
ト14に取着されたワイヤガイドである。またアーク点弧
時は、溶射用電源３の出力を、陰極側の電極11と陽極側
の制限抵抗９を介したチップ12間に供給し、パイロット
アークを発生するようにしている。
ところで従来は、溶射加工時にプラズマガスの流量又
は圧力を増すことにより、プラズマエネルギーを増大さ
せ、溶射ワイヤをより細粒化しうることがわかっていて
も、これによりアークの点弧が困難となり、また一方、
溶射加工時にアトマイジングガスを増大させることによ
り、溶射粒子を効率よく細粒子化させうることに対して
も、アークの点弧が不安定になることから、アーク点弧
時はアークが安定して点弧しうる範囲内で条件を設定し
ていた。
は圧力を増すことにより、プラズマエネルギーを増大さ
せ、溶射ワイヤをより細粒化しうることがわかっていて
も、これによりアークの点弧が困難となり、また一方、
溶射加工時にアトマイジングガスを増大させることによ
り、溶射粒子を効率よく細粒子化させうることに対して
も、アークの点弧が不安定になることから、アーク点弧
時はアークが安定して点弧しうる範囲内で条件を設定し
ていた。
従って、従来のプラズマワイヤ溶射加工方法、またそ
の装置では、より効率的な溶射加工に対処しえるもので
はなく、より高度な溶射技術を駆使することは望むべく
もなかった。
の装置では、より効率的な溶射加工に対処しえるもので
はなく、より高度な溶射技術を駆使することは望むべく
もなかった。
［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は、プラズマワイヤ溶射加工において、アーク
点弧時のプラズマガスおよびアトマイジングガスの流量
又は圧力と、溶射加工時のプラズマガスおよびアトマイ
ジングガスの流量又は圧力とを、それぞれ適正な条件に
設定し、これを切換えることにより、より効率的であり
高度な溶射加工が可能なプラズマワイヤ溶射加工方法
と、同じくアーク点弧時と溶射加工時のプラズマガスお
よびアトマイジングガスの値を、単独に又は双方とも切
換えうるその装置を提供することにある。
点弧時のプラズマガスおよびアトマイジングガスの流量
又は圧力と、溶射加工時のプラズマガスおよびアトマイ
ジングガスの流量又は圧力とを、それぞれ適正な条件に
設定し、これを切換えることにより、より効率的であり
高度な溶射加工が可能なプラズマワイヤ溶射加工方法
と、同じくアーク点弧時と溶射加工時のプラズマガスお
よびアトマイジングガスの値を、単独に又は双方とも切
換えうるその装置を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、プラズマワイヤ溶射加工における、従来技
術の問題点を解決するために、第１には、プラズマガス
の供給を、アーク点弧時には所定値よりも低い値とし、
溶射ワイヤにプラズマアークが移行した後に所定値に増
大せしめることを特徴とするプラズマワイヤ溶射加工方
法であり、第２には、溶射ワイヤにプラズマアークが移
行したことを検出するアーク移行検出回路を設け、該ア
ーク移行検出回路の出力を、プラズマガスの値を切換え
る電空比例弁の切換信号としたことを特徴とするプラズ
マワイヤ溶射加工装置である。本発明の第３は、アトマ
イジングガスの供給を、アーク点弧時には０ないしは所
定値よりも低い値とし、溶射ワイヤにプラズマアークが
移行した後に所定値に増大せしめることを特徴とするプ
ラズマワイヤ溶射加工方法であり、本発明の第４は、溶
射ワイヤにプラズマアークが移行したことを検出するア
ーク移行検出回路を設け、該アーク移行検出回路の出力
を、アトマイジングガスの値を切換える電空比例弁の切
換信号としたことを特徴とするプラズマワイヤ溶射加工
装置である。本発明の第５は、プラズマガス及びアトマ
イジングガスの供給を、アーク点弧時には所定値よりも
低い値とし、溶射ワイヤにプラズマアークが移行した後
に所定値に増大せしめることを特徴とするプラズマワイ
ヤ溶射加工方法であり、本発明の第６は、溶射ワイヤに
プラズマアークが移行したことを検出するアーク移行検
出回路を設け、該アーク移行検出回路の出力を、プラズ
マガス及びアトマイジングガスのそれぞれの値を切換え
る、それぞれの電空比例弁を単独に又は双方とも切換え
る切換信号としたことを特徴とするプラズマワイヤ溶射
加工装置にある。
術の問題点を解決するために、第１には、プラズマガス
の供給を、アーク点弧時には所定値よりも低い値とし、
溶射ワイヤにプラズマアークが移行した後に所定値に増
大せしめることを特徴とするプラズマワイヤ溶射加工方
法であり、第２には、溶射ワイヤにプラズマアークが移
行したことを検出するアーク移行検出回路を設け、該ア
ーク移行検出回路の出力を、プラズマガスの値を切換え
る電空比例弁の切換信号としたことを特徴とするプラズ
マワイヤ溶射加工装置である。本発明の第３は、アトマ
イジングガスの供給を、アーク点弧時には０ないしは所
定値よりも低い値とし、溶射ワイヤにプラズマアークが
移行した後に所定値に増大せしめることを特徴とするプ
ラズマワイヤ溶射加工方法であり、本発明の第４は、溶
射ワイヤにプラズマアークが移行したことを検出するア
ーク移行検出回路を設け、該アーク移行検出回路の出力
を、アトマイジングガスの値を切換える電空比例弁の切
換信号としたことを特徴とするプラズマワイヤ溶射加工
装置である。本発明の第５は、プラズマガス及びアトマ
イジングガスの供給を、アーク点弧時には所定値よりも
低い値とし、溶射ワイヤにプラズマアークが移行した後
に所定値に増大せしめることを特徴とするプラズマワイ
ヤ溶射加工方法であり、本発明の第６は、溶射ワイヤに
プラズマアークが移行したことを検出するアーク移行検
出回路を設け、該アーク移行検出回路の出力を、プラズ
マガス及びアトマイジングガスのそれぞれの値を切換え
る、それぞれの電空比例弁を単独に又は双方とも切換え
る切換信号としたことを特徴とするプラズマワイヤ溶射
加工装置にある。
［作用］ 本発明のプラズマワイヤ溶射加工方法は、プラズマガ
スの供給を、アーク点弧時には所定値よりも低い値と
し、またはアトマイジングガスの供給を、アーク点弧時
には０ないし所定値よりも低い値としし、あるいはこれ
らを組合せたたものであるから、アークが安定して点弧
しうるものであり、溶射ワイヤにプラズマアークが移行
した後は、これらを所定値に増大せしめるものであるか
ら、より効率的でより高度な溶射加工が可能となるもの
である。また、本発明のプラズマワイヤ溶射加工装置
は、前記した溶射加工方法を可能ならしめるため、溶射
ワイヤにプラズマアークが移行したことを検出するアー
ク移行検出回路を設け、このアーク移行検出回路の出力
を、プラズマガス及びアトマイジングガスのそれぞれの
値を切換える、それぞれの電空比例弁を単独に又は双方
とも切換える切換信号としたものであるから、アーク点
弧時と溶射加工時のプラズマガスおよびアトマイジング
ガス切換えが、簡単な装置で容易にその目的を達成しえ
るものである。
スの供給を、アーク点弧時には所定値よりも低い値と
し、またはアトマイジングガスの供給を、アーク点弧時
には０ないし所定値よりも低い値としし、あるいはこれ
らを組合せたたものであるから、アークが安定して点弧
しうるものであり、溶射ワイヤにプラズマアークが移行
した後は、これらを所定値に増大せしめるものであるか
ら、より効率的でより高度な溶射加工が可能となるもの
である。また、本発明のプラズマワイヤ溶射加工装置
は、前記した溶射加工方法を可能ならしめるため、溶射
ワイヤにプラズマアークが移行したことを検出するアー
ク移行検出回路を設け、このアーク移行検出回路の出力
を、プラズマガス及びアトマイジングガスのそれぞれの
値を切換える、それぞれの電空比例弁を単独に又は双方
とも切換える切換信号としたものであるから、アーク点
弧時と溶射加工時のプラズマガスおよびアトマイジング
ガス切換えが、簡単な装置で容易にその目的を達成しえ
るものである。
［発明の実施例］ 次に、本発明の実施例について、第１図ないし第３図
を用いて説明を行なう。なお、先に述べた第４図の従来
例と変わらない部分については、同符号を用いる。
を用いて説明を行なう。なお、先に述べた第４図の従来
例と変わらない部分については、同符号を用いる。
第１図は、本発明の第１であるプラズマガスＧの供給
を、アーク点弧時には所定値よりも低い値とし、溶射ワ
イヤ２にプラズマアークＰが移行した後に所定値に増大
せしめる、溶射加工方法を実施するための第２の発明の
装置である。第１図において、第４図の従来例と異なる
ところは、電磁弁５に代えて電空比例弁に代えて電空比
例弁51とし、溶射用電源３とワイヤガイド15との間にア
ーク移行検出回路10を設けたことである。
を、アーク点弧時には所定値よりも低い値とし、溶射ワ
イヤ２にプラズマアークＰが移行した後に所定値に増大
せしめる、溶射加工方法を実施するための第２の発明の
装置である。第１図において、第４図の従来例と異なる
ところは、電磁弁５に代えて電空比例弁に代えて電空比
例弁51とし、溶射用電源３とワイヤガイド15との間にア
ーク移行検出回路10を設けたことである。
そして、アーク点弧時には、溶射用電源３の出力を陰
極側の電極11と陽極側の制限抵抗９を介したチップ12間
に供給し、パイロットアークを発生させる。このとき、
アークが安定する点弧時のプラズマガスＧとして、所定
値よりも低い値の流量で約18〜20l/min、圧力で約1.5〜
2kg/cm2程度のプラズマガスＧを、ガスボンベ４から電
空比例弁51を介し供給する。つぎに溶射ワイヤ２が送給
され、電極11を陰極とし、溶射ワイヤ２を陽極とする溶
射用電源３の出力により、主アークであるプラズマアー
クＰを発生させる。すると、アーク移行検出回路10が作
動し、その出力がプラズマガスＧの値を切換える電空比
例弁51を作動させ、当初の所定値よりも低い値のプラズ
マガスＧが電空比例弁51を介し、所定値の一例として
の、流量で約40l/min、圧力で約5kg/cm2程度のプラズマ
ガスＧが、プラズマワイヤ溶射用トーチ１の電極11とと
チップ12間のプラズマガス供給部16に適宜供給され、チ
ップ12のチップオリフィス12aから適宜放出される。エ
ア源６からの、これを分岐したプラズマワイヤ溶射用ト
ーチ１の冷却エアＣとアトマイジングガスＡとしてのエ
アの、それぞれの電磁弁7,8を介した供給回路などは従
来例と同様である。
極側の電極11と陽極側の制限抵抗９を介したチップ12間
に供給し、パイロットアークを発生させる。このとき、
アークが安定する点弧時のプラズマガスＧとして、所定
値よりも低い値の流量で約18〜20l/min、圧力で約1.5〜
2kg/cm2程度のプラズマガスＧを、ガスボンベ４から電
空比例弁51を介し供給する。つぎに溶射ワイヤ２が送給
され、電極11を陰極とし、溶射ワイヤ２を陽極とする溶
射用電源３の出力により、主アークであるプラズマアー
クＰを発生させる。すると、アーク移行検出回路10が作
動し、その出力がプラズマガスＧの値を切換える電空比
例弁51を作動させ、当初の所定値よりも低い値のプラズ
マガスＧが電空比例弁51を介し、所定値の一例として
の、流量で約40l/min、圧力で約5kg/cm2程度のプラズマ
ガスＧが、プラズマワイヤ溶射用トーチ１の電極11とと
チップ12間のプラズマガス供給部16に適宜供給され、チ
ップ12のチップオリフィス12aから適宜放出される。エ
ア源６からの、これを分岐したプラズマワイヤ溶射用ト
ーチ１の冷却エアＣとアトマイジングガスＡとしてのエ
アの、それぞれの電磁弁7,8を介した供給回路などは従
来例と同様である。
第２図は、本発明の第３であるアトマイジングガスＡ
の供給を、アーク点弧時には０ないし所定値よりも低い
値として、溶射ワイヤ２にプラズマアークＰが移行した
後に所定値に増大せしめる、溶射加工方法を実施するた
めの第４の発明の装置である。第２図において、第４図
の従来例と異なるところは、電磁弁８に代えて電空比例
弁81とし、溶射用電源３とワイヤガイド15との間にアー
ク移行検出回路10を設けたことである。
の供給を、アーク点弧時には０ないし所定値よりも低い
値として、溶射ワイヤ２にプラズマアークＰが移行した
後に所定値に増大せしめる、溶射加工方法を実施するた
めの第４の発明の装置である。第２図において、第４図
の従来例と異なるところは、電磁弁８に代えて電空比例
弁81とし、溶射用電源３とワイヤガイド15との間にアー
ク移行検出回路10を設けたことである。
そして、アーク点弧時には、パイロットアークを発生
させ、アトマイジングガスＡを所定値より低い値の、流
量で０〜約300l/min、圧力で０〜約2kg/cm2程度のアト
マイジングガスＡを、エア源６から電空比例弁81を介し
て供給する。つぎに溶射ワイヤ２が送給され、溶射用電
源３の出力によりプラズマアークＰを発生させる。する
と、第１図の実施例と同様にアーク移行検出回路10が作
動し、本実施例ではその出力がアトマイジングガスＡの
値を切換える電空比例弁81を作動させ、当初の所定値よ
りも低い値のアトマイジングガスＡが電空比例弁81を介
し、所定値の一例としての、流量で約750l/min、圧力で
約6.5kg/cm2程度のアトマイジングガスＡが、溶射ユニ
ット14のアトマイジングガス供給部18に供給され、ガス
噴出孔14aから適宜放出される。エア源６からのこれを
分岐した冷却エアＣと、ガスボンベ４からのプラズマガ
スＧの供給回路などは従来例と同様である。
させ、アトマイジングガスＡを所定値より低い値の、流
量で０〜約300l/min、圧力で０〜約2kg/cm2程度のアト
マイジングガスＡを、エア源６から電空比例弁81を介し
て供給する。つぎに溶射ワイヤ２が送給され、溶射用電
源３の出力によりプラズマアークＰを発生させる。する
と、第１図の実施例と同様にアーク移行検出回路10が作
動し、本実施例ではその出力がアトマイジングガスＡの
値を切換える電空比例弁81を作動させ、当初の所定値よ
りも低い値のアトマイジングガスＡが電空比例弁81を介
し、所定値の一例としての、流量で約750l/min、圧力で
約6.5kg/cm2程度のアトマイジングガスＡが、溶射ユニ
ット14のアトマイジングガス供給部18に供給され、ガス
噴出孔14aから適宜放出される。エア源６からのこれを
分岐した冷却エアＣと、ガスボンベ４からのプラズマガ
スＧの供給回路などは従来例と同様である。
第３図は、本発明の第1,第3,第５であるプラズマガス
ＧおよびアトマイジングガスＡの供給を、それぞれ単独
に又は双方ともアーク点弧時には所定値よりも低い値と
し、溶射ワイヤ２にプラズマアークＰが移行した後に所
定値に増大せしめる、溶射加工方法を実施するための第
６の発明の装置である。第３図において、第４図の従来
例と異なるところは、電磁弁5,8に代えて電空比例弁51,
81とし、溶射用電源３とワイヤガイド15との間にアーク
移行検出回路10を設けたことである。
ＧおよびアトマイジングガスＡの供給を、それぞれ単独
に又は双方ともアーク点弧時には所定値よりも低い値と
し、溶射ワイヤ２にプラズマアークＰが移行した後に所
定値に増大せしめる、溶射加工方法を実施するための第
６の発明の装置である。第３図において、第４図の従来
例と異なるところは、電磁弁5,8に代えて電空比例弁51,
81とし、溶射用電源３とワイヤガイド15との間にアーク
移行検出回路10を設けたことである。
そして、アーク点弧時には、パイロットアークを発生
させ、アークが安定する点弧時のプラズマガスＧを、所
定値よりも低い値の流量で約18〜20l/min、圧力で約1.5
〜2kg/cm2程度のプラズマガスＧを、ガスボンベ４から
電空比例弁51を介して供給し、アトマイジングガスＡを
所定値より低い値の、流量で０〜約300l/min、圧力で０
〜約2kg/cm2程度のアトマイジングガスＡを、エア源６
から電空比例弁81を介して供給する。
させ、アークが安定する点弧時のプラズマガスＧを、所
定値よりも低い値の流量で約18〜20l/min、圧力で約1.5
〜2kg/cm2程度のプラズマガスＧを、ガスボンベ４から
電空比例弁51を介して供給し、アトマイジングガスＡを
所定値より低い値の、流量で０〜約300l/min、圧力で０
〜約2kg/cm2程度のアトマイジングガスＡを、エア源６
から電空比例弁81を介して供給する。
つぎに、溶射ワイヤ２が送給され、溶射用電源３の出
力によりプラズマアークＰを発生させる。すると、アー
ク移行検出回路10が作動し、その出力がプラズマガスＧ
の値を切換える電空比例弁51を作動させ、所定値の一例
としての、流量で約40l/min、圧力で約5kg/cm2程度のプ
ラズマガスＧが、プラズマガス供給部16に適宜供給さ
れ、同時にアーク移行検出回路10の出力が、アトマイジ
ングガスＡの値を切換える電空費例弁81を作動させて、
所定値の一例としての、流量で約750l/min、圧力で約6.
5kg/cm2程度のアトマイジングガスＡが、溶射ユニット1
4のアトマイジングガス供給部18に供給される。そし
て、それぞれプラズマガスＧはチップ12のチップオリフ
ィス12aから放出され、アトマイジングエアＡはガス噴
出孔14aから適宜放出される。
力によりプラズマアークＰを発生させる。すると、アー
ク移行検出回路10が作動し、その出力がプラズマガスＧ
の値を切換える電空比例弁51を作動させ、所定値の一例
としての、流量で約40l/min、圧力で約5kg/cm2程度のプ
ラズマガスＧが、プラズマガス供給部16に適宜供給さ
れ、同時にアーク移行検出回路10の出力が、アトマイジ
ングガスＡの値を切換える電空費例弁81を作動させて、
所定値の一例としての、流量で約750l/min、圧力で約6.
5kg/cm2程度のアトマイジングガスＡが、溶射ユニット1
4のアトマイジングガス供給部18に供給される。そし
て、それぞれプラズマガスＧはチップ12のチップオリフ
ィス12aから放出され、アトマイジングエアＡはガス噴
出孔14aから適宜放出される。
以上に述べたものは、第３図に示した本発明の装置
を、電空比例弁51,81を双方とも作動させ、本発明の第
５であるプラズマガスＧおよびアトマイジングガスＡの
値を両方とも制御したものであるが、それぞれの電空比
例弁51,81を単独に作動させ、プラズマガスＧおよびア
トマイジングガスＡの値を単独に制御させることによ
り、第1,第３の本発明を実施することもできる。
を、電空比例弁51,81を双方とも作動させ、本発明の第
５であるプラズマガスＧおよびアトマイジングガスＡの
値を両方とも制御したものであるが、それぞれの電空比
例弁51,81を単独に作動させ、プラズマガスＧおよびア
トマイジングガスＡの値を単独に制御させることによ
り、第1,第３の本発明を実施することもできる。
［発明の効果］ 本発明は、プラズマワイヤ溶射加工において、アーク
点弧時のプラズマガスおよびアトマイジングガスの流量
又は圧力と、溶射加工時のプラズマガスおよびアトマイ
ジングガスの流量又は圧力とを、それぞれ適正な条件に
設定し、これを切換えることにより、より効率的でより
高度な溶射加工が可能なプラズマワイヤ溶射加工方法
と、同じくアーク点弧時と溶射加工時のプラズマガスお
よびアトマイジングガスの切換えを、アーク移行検出回
路を設けて、この出力をそれぞれの電空比例弁切換え信
号として制御しうるようにしたプラズマワイヤ溶射加工
装置であるから、アーク点弧時に、アークが安定しうる
範囲内でしか条件設定ができないという問題点を解消
し、従って溶射加工時に必要なプラズマガスの値に制御
することが可能となり、効率的なプラズマエネルギーに
増大させえる一方、溶射加工時に必要なアトマイジング
ガスの値に増大させることにより、溶射粒子を効率よく
細粒子化させうることことも可能となった。
点弧時のプラズマガスおよびアトマイジングガスの流量
又は圧力と、溶射加工時のプラズマガスおよびアトマイ
ジングガスの流量又は圧力とを、それぞれ適正な条件に
設定し、これを切換えることにより、より効率的でより
高度な溶射加工が可能なプラズマワイヤ溶射加工方法
と、同じくアーク点弧時と溶射加工時のプラズマガスお
よびアトマイジングガスの切換えを、アーク移行検出回
路を設けて、この出力をそれぞれの電空比例弁切換え信
号として制御しうるようにしたプラズマワイヤ溶射加工
装置であるから、アーク点弧時に、アークが安定しうる
範囲内でしか条件設定ができないという問題点を解消
し、従って溶射加工時に必要なプラズマガスの値に制御
することが可能となり、効率的なプラズマエネルギーに
増大させえる一方、溶射加工時に必要なアトマイジング
ガスの値に増大させることにより、溶射粒子を効率よく
細粒子化させうることことも可能となった。
以上に述べたように、本発明は、より効果的にプラズ
マワイヤ溶射を行ないうるものである。
マワイヤ溶射を行ないうるものである。
第１図は、本発明の第１の発明を実施するための装置で
あり、溶射用トーチの要部断面図とこれに係る回路図で
ある。第２図は、本発明の第３の発明を実施するための
装置であり、溶射用トーチの要部断面図とこれに係る回
路図である。第３図は、本発明の第1,第3,第５の発明を
実施するための装置であり、溶射用トーチの要部断面図
とこれに係る回路図である。第４図は、従来例の装置で
あり、溶射用トーチの要部断面図とこれに係る回路図で
ある。 １……プラズマワイヤ溶射用トーチ、11……電極、15…
…ワイヤガイド、16……プラズマガス供給部、18……ア
トマイジングガス供給部 ２……溶射ワイヤ、３……溶射用電源、４……ガスボン
ベ、51,81……電空比例弁、６……エア源、７……電磁
弁、10……アーク移行検出回路、Ｇ……プラズマガス、
Ａ……アトマイジングガス
あり、溶射用トーチの要部断面図とこれに係る回路図で
ある。第２図は、本発明の第３の発明を実施するための
装置であり、溶射用トーチの要部断面図とこれに係る回
路図である。第３図は、本発明の第1,第3,第５の発明を
実施するための装置であり、溶射用トーチの要部断面図
とこれに係る回路図である。第４図は、従来例の装置で
あり、溶射用トーチの要部断面図とこれに係る回路図で
ある。 １……プラズマワイヤ溶射用トーチ、11……電極、15…
…ワイヤガイド、16……プラズマガス供給部、18……ア
トマイジングガス供給部 ２……溶射ワイヤ、３……溶射用電源、４……ガスボン
ベ、51,81……電空比例弁、６……エア源、７……電磁
弁、10……アーク移行検出回路、Ｇ……プラズマガス、
Ａ……アトマイジングガス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B05B 7/00 - 7/32 C23C 4/12 H05H 1/42
Claims (6)
- 【請求項１】溶射ワイヤにプラズマアークを移行させて
行なう、プラズマワイヤ溶射加工方法において、プラズ
マガスの供給を、アーク点弧時には所定値よりも低い値
とし、溶射ワイヤにプラズマアークが移行した後に所定
値に増大せしめることを特徴とするプラズマワイヤ溶射
加工方法。 - 【請求項２】溶射ワイヤにプラズマアークを移行させて
行なう、プラズマワイヤ溶射加工装置において、溶射ワ
イヤにプラズマアークが移行したことを検出するアーク
移行検出回路を設け、該アーク移行検出回路の出力を、
プラズマガスの値を切換える電空比例弁の切換信号とし
たことを特徴とするプラズマワイヤ溶射加工装置。 - 【請求項３】溶射ワイヤにプラズマアークを移行させて
行なう、プラズマワイヤ溶射加工方法において、アトマ
イジングガスの供給を、アーク点弧時には０ないしは所
定値よりも低い値とし、溶射ワイヤにプラズマアークが
移行した後に所定値に増大せしめることを特徴とするプ
ラズマワイヤ溶射加工方法。 - 【請求項４】溶射ワイヤにプラズマアークを移行させて
行なう、プラズマワイヤ溶射加工装置において、溶射ワ
イヤにプラズマアークが移行したことを検出するアーク
移行検出回路を設け、該アーク移行検出回路の出力を、
アトマイジングガスの値を切換える電空比例弁の切換信
号としたことを特徴とするプラズマワイヤ溶射加工装
置。 - 【請求項５】溶射ワイヤにプラズマアークを移行させて
行なう、プラズマワイヤ溶射加工方法において、プラズ
マガス及びアトマイジングガスの供給を、アーク点弧時
には所定値よりも低い値とし、溶射ワイヤにプラズマア
ークが移行した後に所定値に増大せしめることを特徴と
するプラズマワイヤ溶射加工方法。 - 【請求項６】溶射ワイヤにプラズマアークを移行させて
行なう、プラズマワイヤ溶射加工装置において、溶射ワ
イヤにプラズマアークが移行したことを検出するアーク
移行検出回路を設け、該アーク移行検出回路の出力を、
プラズマガス及びアトマイジングガスのそれぞれの値を
切換える、それぞれの電空比例弁を単独に又は双方とも
切換える切換信号としたことを特徴とするプラズマワイ
ヤ溶射加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1203511A JP2766680B2 (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | プラズマワイヤ溶射加工方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1203511A JP2766680B2 (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | プラズマワイヤ溶射加工方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0368469A JPH0368469A (ja) | 1991-03-25 |
| JP2766680B2 true JP2766680B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=16475367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1203511A Expired - Lifetime JP2766680B2 (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | プラズマワイヤ溶射加工方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2766680B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6372298B1 (en) * | 2000-07-21 | 2002-04-16 | Ford Global Technologies, Inc. | High deposition rate thermal spray using plasma transferred wire arc |
| JP2004224599A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Yamada Kinzoku Boshoku Kk | 溶射皮膜付きガラス容器およびその製造方法 |
| JP5262861B2 (ja) * | 2009-03-10 | 2013-08-14 | 日産自動車株式会社 | 溶射皮膜形成装置及びワイヤへの給電方法 |
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| JP5649942B2 (ja) * | 2010-12-10 | 2015-01-07 | 株式会社フジエンジニアリング | プラズマ溶射装置 |
| JP5512501B2 (ja) * | 2010-12-10 | 2014-06-04 | 株式会社フジエンジニアリング | プラズマ溶射装置 |
| US9987703B2 (en) | 2012-12-17 | 2018-06-05 | Fuji Engineering Co., Ltd. | Plasma spraying apparatus |
| DE102013200062A1 (de) * | 2013-01-04 | 2014-07-10 | Ford-Werke Gmbh | Vorrichtung zum thermischen Beschichten einer Oberfläche |
| JP5960229B2 (ja) * | 2014-11-07 | 2016-08-02 | 株式会社フジエンジニアリング | プラズマ溶射装置 |
| DE102016217431A1 (de) * | 2016-09-13 | 2018-03-15 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Betrieb einer Sicherheitsvorrichtung |
-
1989
- 1989-08-04 JP JP1203511A patent/JP2766680B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0368469A (ja) | 1991-03-25 |
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