JPH0368469A - プラズマワイヤ溶射加工方法およびその装置 - Google Patents
プラズマワイヤ溶射加工方法およびその装置Info
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- JPH0368469A JPH0368469A JP1203511A JP20351189A JPH0368469A JP H0368469 A JPH0368469 A JP H0368469A JP 1203511 A JP1203511 A JP 1203511A JP 20351189 A JP20351189 A JP 20351189A JP H0368469 A JPH0368469 A JP H0368469A
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- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 88
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 16
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- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、溶射ワイヤにプラズマを移行させて行なう、
プラズマワイヤ溶射加工方法及びその装置に間するもの
である。
プラズマワイヤ溶射加工方法及びその装置に間するもの
である。
[従来の技術]
この種のプラズマワイヤ溶射加工は、溶射ワイヤを送給
しつつ、この溶射ワイヤにプラズマアークを移行させ、
これを細粒化して被加工物に向けて吹きつけ溶射皮膜を
形成させるものである。
しつつ、この溶射ワイヤにプラズマアークを移行させ、
これを細粒化して被加工物に向けて吹きつけ溶射皮膜を
形成させるものである。
ところで、プラズマガスのtit又は圧力を増して、プ
ラズマアークを絞ることにより、プラズマエネルギーを
増大させ、溶射ワイヤをより細粒化しうろことは確認さ
れているが、プラズマガスの流量又は圧力を増すことに
より、アークの点弧が困難となり、このため必然的に溶
射加工時のプラズマエネルギーを抑制されることとなる
。このことは、プラズマガスとして2原子ガスを用い泰
場合はなおのことである。また一方、溶射加工時にアト
マイジング方スを増大させることにより、溶射粒子を効
率よく細粒子化させうる力1、アーク点弧時には不安定
になる要素となっていた。従って、これもアーク点弧時
にアークが安定して点弧しうる範囲内で条件を設定して
いた。
ラズマアークを絞ることにより、プラズマエネルギーを
増大させ、溶射ワイヤをより細粒化しうろことは確認さ
れているが、プラズマガスの流量又は圧力を増すことに
より、アークの点弧が困難となり、このため必然的に溶
射加工時のプラズマエネルギーを抑制されることとなる
。このことは、プラズマガスとして2原子ガスを用い泰
場合はなおのことである。また一方、溶射加工時にアト
マイジング方スを増大させることにより、溶射粒子を効
率よく細粒子化させうる力1、アーク点弧時には不安定
になる要素となっていた。従って、これもアーク点弧時
にアークが安定して点弧しうる範囲内で条件を設定して
いた。
第4図は、この種のプラズマワイヤ溶射加工方法に用い
る従来の装置である。プラズマワイヤ溶射加工時は、プ
ラズマワイヤ溶射用トーチ1の電極11を陰極として、
溶射ワイヤ2を陽極とする溶射用電源3の出力により、
この種のプラズマワイヤ溶射加工では、通常窒素ガスな
どの雰囲気中で、プラズマアークPを発生させ、溶射ワ
イヤ2を送給しつつプラズマ溶射を行なっていくもので
あり、Mはその溶射粒子である。4は窒素ガスなどのプ
ラズマガスGを充填したガスボンベであり、このプラズ
マガスGが電磁弁5を介して、プラズマワイヤ溶射用ト
ーチ1の電極11とチップ12間のプラズマガス供給部
16に適宜供給され、チップ12のチップオリフィス1
2aから適宜放出される。6はエア源であり、プラズマ
ワイヤ溶射用トーチ1の冷却エアCと、通常エアが用い
られるアトマイジングガスAとに分岐され、それぞれ電
磁弁7,8を介して、一方はチップ12とニアリング1
3間の冷却エア供給部17に、他方は溶射ユニッ)14
のアトマイソングガス供給部18に供給される。また冷
却エアCはリング孔13aから、アトマイジングガスA
はガス噴出孔14aから放出される。なお15は、溶射
ワイヤ2を案内する溶射ユニット14に取着されたワイ
ヤガイドである。またアーク点弧時は、溶射用電源3の
出力を、陰極側の電極11と陽極側の制限抵抗9を介し
たチップ12間に供給し、パイロットアークを発生する
ようにしている。
る従来の装置である。プラズマワイヤ溶射加工時は、プ
ラズマワイヤ溶射用トーチ1の電極11を陰極として、
溶射ワイヤ2を陽極とする溶射用電源3の出力により、
この種のプラズマワイヤ溶射加工では、通常窒素ガスな
どの雰囲気中で、プラズマアークPを発生させ、溶射ワ
イヤ2を送給しつつプラズマ溶射を行なっていくもので
あり、Mはその溶射粒子である。4は窒素ガスなどのプ
ラズマガスGを充填したガスボンベであり、このプラズ
マガスGが電磁弁5を介して、プラズマワイヤ溶射用ト
ーチ1の電極11とチップ12間のプラズマガス供給部
16に適宜供給され、チップ12のチップオリフィス1
2aから適宜放出される。6はエア源であり、プラズマ
ワイヤ溶射用トーチ1の冷却エアCと、通常エアが用い
られるアトマイジングガスAとに分岐され、それぞれ電
磁弁7,8を介して、一方はチップ12とニアリング1
3間の冷却エア供給部17に、他方は溶射ユニッ)14
のアトマイソングガス供給部18に供給される。また冷
却エアCはリング孔13aから、アトマイジングガスA
はガス噴出孔14aから放出される。なお15は、溶射
ワイヤ2を案内する溶射ユニット14に取着されたワイ
ヤガイドである。またアーク点弧時は、溶射用電源3の
出力を、陰極側の電極11と陽極側の制限抵抗9を介し
たチップ12間に供給し、パイロットアークを発生する
ようにしている。
ところで従来は、溶射加工時にプラズマガスの流量又は
圧力を増すことにより、プラズマエネルギーを増大させ
、溶射ワイヤをより細粒化しうることがわかっていても
、これによりアークの点弧が困難となり、また一方、溶
射加工時にアトマイジングガスを増大させることにより
、溶射粒子を効率よく細粒子化させうろことに対しても
、アークの点弧が不安定になることから、アーク点弧時
はアークが安定して点弧しうる範囲内で条件を設定して
いた。
圧力を増すことにより、プラズマエネルギーを増大させ
、溶射ワイヤをより細粒化しうることがわかっていても
、これによりアークの点弧が困難となり、また一方、溶
射加工時にアトマイジングガスを増大させることにより
、溶射粒子を効率よく細粒子化させうろことに対しても
、アークの点弧が不安定になることから、アーク点弧時
はアークが安定して点弧しうる範囲内で条件を設定して
いた。
従って、従来のプラズマワイヤ溶射加工方法、またその
H置では、より効率的な溶射加工に対処しえるものでは
なく、より高度な溶射技術を駆使することは望むべくも
なかった。
H置では、より効率的な溶射加工に対処しえるものでは
なく、より高度な溶射技術を駆使することは望むべくも
なかった。
[発明が解決しようとする問題点]
本発明は、プラズマワイヤ溶射加工において、アーク点
弧時のプラズマガスおよびアトマイジングガスの流量又
は圧力と、溶射加工時のプラズマガスおよびアトマイジ
ングガスの流量又は圧力とを、それぞれ適正な条件に設
定し、これを切換えることにより、より効率的でより高
度な溶躬加工が可能なプラズマワイヤ溶射加工方法と、
同じくアーク点弧時と溶射加工時のプラズマガスおよび
アトマイジングガスの値を、単独に又は双方とも切換え
うるその装置を提供することにある。
弧時のプラズマガスおよびアトマイジングガスの流量又
は圧力と、溶射加工時のプラズマガスおよびアトマイジ
ングガスの流量又は圧力とを、それぞれ適正な条件に設
定し、これを切換えることにより、より効率的でより高
度な溶躬加工が可能なプラズマワイヤ溶射加工方法と、
同じくアーク点弧時と溶射加工時のプラズマガスおよび
アトマイジングガスの値を、単独に又は双方とも切換え
うるその装置を提供することにある。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、プラズマワイヤ溶射加工における、従来技術
の問題°点を解決するために、第1には、プラズマガス
の供給を、アー り点弧特には所定値よりも低い値とし
、溶射ワイヤにプラズマアークが移行した後に所定値に
増大せしめることを特徴とするプラズマワイヤ溶射加工
方法であり、第2には、溶射ワイヤにプラズマアークが
移行したことを検出するアーク移行検出回路を設け、該
アーク移行検出回路の出力を、プラズマガスの値を切換
える電空比例弁の切換信号としたことを特徴とするプラ
ズマワイヤ溶射加工装置である。本発明の第3は、アト
マイジングガスの供給を、アーク点弧時にはOないしは
所定値よりも低い値とし、溶射ワイヤにプラズマアーク
が移行した後に所定値に増大せしめることを特徴とする
プラズマワイヤ溶射加工方法であり、本発明の第4は、
溶射ワイヤにプラズマアークが移行したことを検出する
アーク移行検出回路を設け、該アーク移行検出回路の出
力を、アトマイジングガスの値を切換える電空比例弁の
切換信号としたことを特徴とするプラズマワイヤ溶射加
工装置である。本発明の第5は、プラズマアーク及びア
トマイジングガスの供給を、アーク点弧時には所定値よ
りも低い値とし、溶射ワイヤにプラズマアークが移行し
た後に所定値に増大せしめることを特徴とするプラズマ
ワイヤ溶射加工方法であり、本発明の第6は、溶射ワイ
ヤにプラズマアークが移行したことを検出するアーク移
行検出回路を設け、該アーク移行検出回路の出力を、プ
ラズマガス及びアトマイジングガスのそれぞれの値を切
換える、それぞれの電空比例弁を単独に又は双方とも切
換える切換信号としたことを特徴とするプラズマワイヤ
溶射加工装置にある。
の問題°点を解決するために、第1には、プラズマガス
の供給を、アー り点弧特には所定値よりも低い値とし
、溶射ワイヤにプラズマアークが移行した後に所定値に
増大せしめることを特徴とするプラズマワイヤ溶射加工
方法であり、第2には、溶射ワイヤにプラズマアークが
移行したことを検出するアーク移行検出回路を設け、該
アーク移行検出回路の出力を、プラズマガスの値を切換
える電空比例弁の切換信号としたことを特徴とするプラ
ズマワイヤ溶射加工装置である。本発明の第3は、アト
マイジングガスの供給を、アーク点弧時にはOないしは
所定値よりも低い値とし、溶射ワイヤにプラズマアーク
が移行した後に所定値に増大せしめることを特徴とする
プラズマワイヤ溶射加工方法であり、本発明の第4は、
溶射ワイヤにプラズマアークが移行したことを検出する
アーク移行検出回路を設け、該アーク移行検出回路の出
力を、アトマイジングガスの値を切換える電空比例弁の
切換信号としたことを特徴とするプラズマワイヤ溶射加
工装置である。本発明の第5は、プラズマアーク及びア
トマイジングガスの供給を、アーク点弧時には所定値よ
りも低い値とし、溶射ワイヤにプラズマアークが移行し
た後に所定値に増大せしめることを特徴とするプラズマ
ワイヤ溶射加工方法であり、本発明の第6は、溶射ワイ
ヤにプラズマアークが移行したことを検出するアーク移
行検出回路を設け、該アーク移行検出回路の出力を、プ
ラズマガス及びアトマイジングガスのそれぞれの値を切
換える、それぞれの電空比例弁を単独に又は双方とも切
換える切換信号としたことを特徴とするプラズマワイヤ
溶射加工装置にある。
[作用コ
本発明のプラズマワイヤ溶射加工方法は、プラズマガス
の供給を、アーク点弧時には所定値よりも低い値とし、
またはアトマイジングガスの供給を、アーク点弧時には
0ないし所定値よりも低い値としし、あるいはこれらを
組合せたたものであるから、アークが安定して点弧しう
るものであり、溶射ワイヤにプラズマアークが移行した
後は、これらを所定値に増大せしめるものであるから、
より効率的でより高度な溶射加工が可能となるものであ
る。また、本発明のプラズマワイヤ溶射加工装置は、前
記した溶射加工方法を可能ならしめるため、″a射クワ
イヤプラズマアークが移行したことを検出するアーク移
行検出回路を設け、このアーク移行検出回路の出力を、
プラズマガス及びアトマイジングガスのそれぞれの値を
切換える、それぞれの電空比例弁を単独に又は双方とも
切換える切換信号としたものであるから、アーク点弧時
と溶射加工時のプラズマガスおよびアトマイジングガス
切換えが、簡単な装置で容易にその目的を達成しえるも
のである。
の供給を、アーク点弧時には所定値よりも低い値とし、
またはアトマイジングガスの供給を、アーク点弧時には
0ないし所定値よりも低い値としし、あるいはこれらを
組合せたたものであるから、アークが安定して点弧しう
るものであり、溶射ワイヤにプラズマアークが移行した
後は、これらを所定値に増大せしめるものであるから、
より効率的でより高度な溶射加工が可能となるものであ
る。また、本発明のプラズマワイヤ溶射加工装置は、前
記した溶射加工方法を可能ならしめるため、″a射クワ
イヤプラズマアークが移行したことを検出するアーク移
行検出回路を設け、このアーク移行検出回路の出力を、
プラズマガス及びアトマイジングガスのそれぞれの値を
切換える、それぞれの電空比例弁を単独に又は双方とも
切換える切換信号としたものであるから、アーク点弧時
と溶射加工時のプラズマガスおよびアトマイジングガス
切換えが、簡単な装置で容易にその目的を達成しえるも
のである。
[発明の実施例コ
次に、本発明の実施例について、第1図ないし第3図を
用いて説明を行なう。なお、先に述べた第4図の従来例
と変わらない部分については、同符号を用いる。
用いて説明を行なう。なお、先に述べた第4図の従来例
と変わらない部分については、同符号を用いる。
第1図は、本発明の第1であるプラズマガスGの供給を
、アーク点弧時には所定値よりも低い値とし、溶射ワイ
ヤ2にプラズマアークPが移行した後に所定値に増大せ
しめる、溶射加工方法を実施するための第2の発明の装
置である。第1図において、第4図の従来例と異なると
ころは、電磁弁5に代えて電空比例弁51とし、溶射用
電R3とワイヤガイド15との間にアーク移行検出回路
10を設けたことである。
、アーク点弧時には所定値よりも低い値とし、溶射ワイ
ヤ2にプラズマアークPが移行した後に所定値に増大せ
しめる、溶射加工方法を実施するための第2の発明の装
置である。第1図において、第4図の従来例と異なると
ころは、電磁弁5に代えて電空比例弁51とし、溶射用
電R3とワイヤガイド15との間にアーク移行検出回路
10を設けたことである。
そして、アーク点弧時には、溶射用電源3の出力を陰極
側の電極11と陽極側の制限抵抗9を介したチップ12
間に供給し、パイロットアークを発生させる。このとき
、アークが安定する点弧時のプラズマガスGとして、所
定値よりも低い値の流量で約18〜20j/min、圧
力で約1.5〜2 kg / c rt?程度のプラズ
マガスGを、ガスボンベ4から電空比例弁51を介し供
給する。つぎに溶射ワイヤ2が送給さ打、電極11を陰
極とし、溶射ワイヤ2を陽極とする溶射用電R3の出力
により、主アークであるプラズマアークPを発生させる
。すると、アーク移行検出回路lOが作動し、その出力
がプラズマガスGの値を切換える電空比例弁51を作動
させ、当初の所定値よりも低い値のプラズマガスGが電
空比例弁51を介し、所定値の一例としての、流量で約
401/min、圧力で約5 kg / c rt程度
のプラズマガスGが、プラズマワイヤ溶射用トーチ1の
電極11ととチップ12間のプラズマガス供給部16に
適宜供給され、チップ12のチップオリフィス12aか
ら適宜放出される。エア源6からの、これを分岐したプ
ラズマワイヤ溶射用トーチlの冷却エアCとアトマイジ
ングガスAとしてのエアの、それぞれの電磁弁7,8を
介した供給回路などは従来例と同様である。
側の電極11と陽極側の制限抵抗9を介したチップ12
間に供給し、パイロットアークを発生させる。このとき
、アークが安定する点弧時のプラズマガスGとして、所
定値よりも低い値の流量で約18〜20j/min、圧
力で約1.5〜2 kg / c rt?程度のプラズ
マガスGを、ガスボンベ4から電空比例弁51を介し供
給する。つぎに溶射ワイヤ2が送給さ打、電極11を陰
極とし、溶射ワイヤ2を陽極とする溶射用電R3の出力
により、主アークであるプラズマアークPを発生させる
。すると、アーク移行検出回路lOが作動し、その出力
がプラズマガスGの値を切換える電空比例弁51を作動
させ、当初の所定値よりも低い値のプラズマガスGが電
空比例弁51を介し、所定値の一例としての、流量で約
401/min、圧力で約5 kg / c rt程度
のプラズマガスGが、プラズマワイヤ溶射用トーチ1の
電極11ととチップ12間のプラズマガス供給部16に
適宜供給され、チップ12のチップオリフィス12aか
ら適宜放出される。エア源6からの、これを分岐したプ
ラズマワイヤ溶射用トーチlの冷却エアCとアトマイジ
ングガスAとしてのエアの、それぞれの電磁弁7,8を
介した供給回路などは従来例と同様である。
第2図は、本発明の第3であるアトマイジングガスAの
供給を、アーク点弧時には0ないし所定値よりも低い値
として、溶射ワイヤ2にプラズマアークPが移行した後
に所定値に増大せしめる、溶射加工方法を実施するため
の第4の発明の装置である。第2図において、第4図の
従来例と異なるところは、電磁弁8に代えて電空比例弁
81とし、溶射用電R3とワイヤガイド15との間にア
ーク移行検出回路10を設けたことである。
供給を、アーク点弧時には0ないし所定値よりも低い値
として、溶射ワイヤ2にプラズマアークPが移行した後
に所定値に増大せしめる、溶射加工方法を実施するため
の第4の発明の装置である。第2図において、第4図の
従来例と異なるところは、電磁弁8に代えて電空比例弁
81とし、溶射用電R3とワイヤガイド15との間にア
ーク移行検出回路10を設けたことである。
そして、アーク点弧時には、パイロットアークを発生さ
せ、アトマイジングガスAを所定値より低い値の、流量
で0〜約300fi/min、圧力でO〜約2kg/c
1TI′程度のアトマイジングガスAを、エア源6から
電空比飢弁81を介して供給する。つぎに溶射ワイヤ2
が送給され、溶射用電源3の出力によりプラズマアーク
Pを発生さぜる。
せ、アトマイジングガスAを所定値より低い値の、流量
で0〜約300fi/min、圧力でO〜約2kg/c
1TI′程度のアトマイジングガスAを、エア源6から
電空比飢弁81を介して供給する。つぎに溶射ワイヤ2
が送給され、溶射用電源3の出力によりプラズマアーク
Pを発生さぜる。
すると、第1図の実施例と同様にアーク移行検出@’1
1110が作動し、本実施例ではその出力がアトマイジ
ングガスへの値を切換える電空比例弁81を作動させ、
当初の所定値よりも低い値のアトマイジングガスAが電
空比例弁81を介し、所定値の一例としての、流量で約
750fi/min、圧力で約6.5kg/ci程度の
7トマイジングガスAが、溶射ユニッ)14のアトマイ
ソングガス供給部18に供給され、ガス噴出孔14aか
ら適宜放出される。エア源6からのこれを分岐した冷却
エアCと、ガスボンベ4からのプラズマガスGの供給回
路などは従来例と同様である。
1110が作動し、本実施例ではその出力がアトマイジ
ングガスへの値を切換える電空比例弁81を作動させ、
当初の所定値よりも低い値のアトマイジングガスAが電
空比例弁81を介し、所定値の一例としての、流量で約
750fi/min、圧力で約6.5kg/ci程度の
7トマイジングガスAが、溶射ユニッ)14のアトマイ
ソングガス供給部18に供給され、ガス噴出孔14aか
ら適宜放出される。エア源6からのこれを分岐した冷却
エアCと、ガスボンベ4からのプラズマガスGの供給回
路などは従来例と同様である。
第3図は、本発明の第1.第3.第5であるプラズマガ
スGおよびアトマイジングガスへの供給を、それぞれ単
独に又は双方ともアーク点弧時には所定値よりも低い値
とし、溶射ワイヤ2にプラズマアークPが移行した後に
所定値に増大せしめる、溶射加工方法を実施するための
第6の発明の装置である。第3図において、第4図の従
来例と異なるところは、電磁弁5.8に代えて電空比例
弁!51.81とし、溶射用電源3とワイヤガイド】5
との間にアーク移行検出回路10を設けたことである。
スGおよびアトマイジングガスへの供給を、それぞれ単
独に又は双方ともアーク点弧時には所定値よりも低い値
とし、溶射ワイヤ2にプラズマアークPが移行した後に
所定値に増大せしめる、溶射加工方法を実施するための
第6の発明の装置である。第3図において、第4図の従
来例と異なるところは、電磁弁5.8に代えて電空比例
弁!51.81とし、溶射用電源3とワイヤガイド】5
との間にアーク移行検出回路10を設けたことである。
そして、アーク点弧時には、パイロットアークを発生さ
せ、アークが安定する点弧時のプラズマガスGを、所定
値よりも低い値の流量で約18〜201!/mjn、圧
力で約1.5〜2 kg / c rt程度のプラズマ
ガスGを、ガスボンベ4から電空比例弁51を介して供
給し、アトマイジングガスAを所定111より低い値の
、流量でO〜約300j/min、圧力で0〜約2 k
g / c rt?程度のアトマイジングガスAを、エ
ア1ff6から電空比例弁81を介して供給する。
せ、アークが安定する点弧時のプラズマガスGを、所定
値よりも低い値の流量で約18〜201!/mjn、圧
力で約1.5〜2 kg / c rt程度のプラズマ
ガスGを、ガスボンベ4から電空比例弁51を介して供
給し、アトマイジングガスAを所定111より低い値の
、流量でO〜約300j/min、圧力で0〜約2 k
g / c rt?程度のアトマイジングガスAを、エ
ア1ff6から電空比例弁81を介して供給する。
つぎに、溶射ワイヤ2が送給されζ溶射用電源3の出力
によりプラズマアークPを発生させる。
によりプラズマアークPを発生させる。
すると、アーク移行検出回路10が作動し、その出力が
プラズマガスGの値を切換える電空比例弁61を作動さ
せ、所定値の一例としての、流量で約401/min、
圧力で約5kg/ci程度のプラズマガスGが、プラズ
マガス供給部16に適宜供給され、同時にアーク移行検
出回路10の出力が、アトマイジングガスAの値を切換
える電空比例弁81を作動させて、所定値の一例として
の、流量で約7501/min、圧力で約6.5kg/
cT11f程度のアトマイジングガスAが、溶射ユニッ
ト14のアトマイソングガス供給部18に供給される。
プラズマガスGの値を切換える電空比例弁61を作動さ
せ、所定値の一例としての、流量で約401/min、
圧力で約5kg/ci程度のプラズマガスGが、プラズ
マガス供給部16に適宜供給され、同時にアーク移行検
出回路10の出力が、アトマイジングガスAの値を切換
える電空比例弁81を作動させて、所定値の一例として
の、流量で約7501/min、圧力で約6.5kg/
cT11f程度のアトマイジングガスAが、溶射ユニッ
ト14のアトマイソングガス供給部18に供給される。
そして、それぞれプラズマガスGはチップ12のチップ
オリフィス12aから放出され、アトマイジングエアA
はガス噴出孔14aから適宜放出される。
オリフィス12aから放出され、アトマイジングエアA
はガス噴出孔14aから適宜放出される。
以上に述べたものは、第3図に示した本発明の装置を、
電空比例弁51.81を双方とも作動させ、本発明の第
5であるプラズマガスGおよびアトマイジングガスAの
値を両方とも制御したものであるが、それぞれの電空比
例弁51.81を単独に作動させ、プラズマガスGおよ
びアトマイジングガスAの値を単独に制御させることに
より、第1.第3の本発明を実施することもできる。
電空比例弁51.81を双方とも作動させ、本発明の第
5であるプラズマガスGおよびアトマイジングガスAの
値を両方とも制御したものであるが、それぞれの電空比
例弁51.81を単独に作動させ、プラズマガスGおよ
びアトマイジングガスAの値を単独に制御させることに
より、第1.第3の本発明を実施することもできる。
[発明の効果]
本発明は、プラズマワイヤ溶射加工において、アーク点
弧時のプラズマガスおよびアトマイジングガスのmlk
又は圧力と、溶射加工時のプラズマガスおよびアトマイ
ジングガスのit又は圧力とを、それぞれ適正な条件に
設定し、これを切換えることにより、より効率的でより
高度な溶射加工が可能なプラズマワイヤ溶射加工方法と
、同じくアーク点弧時と溶射加工時のプラズマガスおよ
びアトマイジングガスの切換えを、アーク移行検出回路
を設けて、この出力をそれぞれの電空比例弁切換え信号
として制御しろるようにしたプラズマワイヤ溶射加工装
置であるから、アーク点弧時に、アークが安定しうる範
囲内でしか条件設定ができないという問題・点を解消し
、従って溶射加工時に必要なプラズマガスの値に制御す
ることが可能となり、効率的なプラズマエネルギーに増
大させえる一方、溶射加工時に必要なアトマイジングガ
スの値に増大させることにより、溶射粒子を効率よく總
粒子化させうろことことも可能となった。
弧時のプラズマガスおよびアトマイジングガスのmlk
又は圧力と、溶射加工時のプラズマガスおよびアトマイ
ジングガスのit又は圧力とを、それぞれ適正な条件に
設定し、これを切換えることにより、より効率的でより
高度な溶射加工が可能なプラズマワイヤ溶射加工方法と
、同じくアーク点弧時と溶射加工時のプラズマガスおよ
びアトマイジングガスの切換えを、アーク移行検出回路
を設けて、この出力をそれぞれの電空比例弁切換え信号
として制御しろるようにしたプラズマワイヤ溶射加工装
置であるから、アーク点弧時に、アークが安定しうる範
囲内でしか条件設定ができないという問題・点を解消し
、従って溶射加工時に必要なプラズマガスの値に制御す
ることが可能となり、効率的なプラズマエネルギーに増
大させえる一方、溶射加工時に必要なアトマイジングガ
スの値に増大させることにより、溶射粒子を効率よく總
粒子化させうろことことも可能となった。
以上に述べたように、本発明は、より効果的にプラズマ
ワイヤ溶射を行ないうるものである。
ワイヤ溶射を行ないうるものである。
第1図は、本発明の第1の発明を実施するための装置で
あり、溶射用トーチの要部断面図とこれに係る回路図で
ある。第2図は、本発明の第3の発明を実施するための
装置であり、溶射用トーチの要部断面図とこれに係る回
路図である。第3図は、本発明の第1.第3.第5の発
明を実施するための装置であり、溶射用トーチの要部断
面図とこれに係る回路図である。第4図は、従来例の装
置であり、溶射用トーチの要部断面図とこれに係る回路
図である。 l・・・・・・プラズマワイヤ溶射用トーチ 11・・
・・・・電極 15・・・・・・ワイヤガイド 16・
・・・・・プラズマガス供給部 18・・・・・・アト
マイジンヴガス供給部2・・・・・・溶射ワイヤ 3・
・・・・・溶射用電R4・・・・・・ガスボンベ 51
.81・・・・・・電空比例弁 6・・・・・・エアR
7・・・・・・電磁弁 10・・・・・・アーク移行検
出回IG・・・・・・プラズマガス A・・・・・・ア
トマイジングガス
あり、溶射用トーチの要部断面図とこれに係る回路図で
ある。第2図は、本発明の第3の発明を実施するための
装置であり、溶射用トーチの要部断面図とこれに係る回
路図である。第3図は、本発明の第1.第3.第5の発
明を実施するための装置であり、溶射用トーチの要部断
面図とこれに係る回路図である。第4図は、従来例の装
置であり、溶射用トーチの要部断面図とこれに係る回路
図である。 l・・・・・・プラズマワイヤ溶射用トーチ 11・・
・・・・電極 15・・・・・・ワイヤガイド 16・
・・・・・プラズマガス供給部 18・・・・・・アト
マイジンヴガス供給部2・・・・・・溶射ワイヤ 3・
・・・・・溶射用電R4・・・・・・ガスボンベ 51
.81・・・・・・電空比例弁 6・・・・・・エアR
7・・・・・・電磁弁 10・・・・・・アーク移行検
出回IG・・・・・・プラズマガス A・・・・・・ア
トマイジングガス
Claims (6)
- (1)溶射ワイヤにプラズマアークを移行させて行なう
、プラズマワイヤ溶射加工方法において、プラズマガス
の供給を、アーク点弧時には所定値よりも低い値とし、
溶射ワイヤにプラズマアークが移行した後に所定値に増
大せしめることを特徴とするプラズマワイヤ溶射加工方
法。 - (2)溶射ワイヤにプラズマアークを移行させて行なう
、プラズマワイヤ溶射加工装置において、溶射ワイヤに
プラズマアークが移行したことを検出するアーク移行検
出回路を設け、該アーク移行検出回路の出力を、プラズ
マガスの値を切換える電空比例弁の切換信号としたこと
を特徴とするプラズマワイヤ溶射加工装置。 - (3)溶射ワイヤにプラズマアークを移行させて行なう
、プラズマワイヤ溶射加工方法において、アトマイジン
グガスの供給を、アーク点弧時には0ないしは所定値よ
りも低い値とし、溶射ワイヤにプラズマアークが移行し
た後に所定値に増大せしめることを特徴とするプラズマ
ワイヤ溶射加工方法。 - (4)溶射ワイヤにプラズマアークを移行させて行なう
、プラズマワイヤ溶射加工装置において、溶射ワイヤに
プラズマアークが移行したことを検出するアーク移行検
出回路を設け、該アーク移行検出回路の出力を、アトマ
イジングガスの値を切換える電空比例弁の切換信号とし
たことを特徴とするプラズマワイヤ溶射加工装置。 - (5)溶射ワイヤにプラズマアークを移行させて行なう
、プラズマワイヤ溶射加工方法において、プラズマガス
及びアトマイジングガスの供給を、アーク点弧時には所
定値よりも低い値とし、溶射ワイヤにプラズマアークが
移行した後に所定値に増大せしめることを特徴とするプ
ラズマワイヤ溶射加工方法。 - (6)溶射ワイヤにプラズマアークを移行させて行なう
、プラズマワイヤ溶射加工装置において、溶射ワイヤに
プラズマアークが移行したことを検出するアーク移行検
出回路を設け、該アーク移行検出回路の出力を、プラズ
マガス及びアトマイジングガスのそれぞれの値を切換え
る、それぞれの電空比例弁を単独に又は双方とも切換え
る切換信号としたことを特徴とするプラズマワイヤ溶射
加工装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1203511A JP2766680B2 (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | プラズマワイヤ溶射加工方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1203511A JP2766680B2 (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | プラズマワイヤ溶射加工方法およびその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0368469A true JPH0368469A (ja) | 1991-03-25 |
JP2766680B2 JP2766680B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=16475367
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1203511A Expired - Lifetime JP2766680B2 (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | プラズマワイヤ溶射加工方法およびその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2766680B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5765477A (en) * | 1995-10-31 | 1998-06-16 | Riso Kagaku Corporation | Method and device for perforating framed stencil sheet with color information mark |
GB2367521A (en) * | 2000-07-21 | 2002-04-10 | Ford Global Tech Inc | Electric arc metal spraying |
JP2004224599A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Yamada Kinzoku Boshoku Kk | 溶射皮膜付きガラス容器およびその製造方法 |
JP2010209397A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Nissan Motor Co Ltd | 溶射皮膜形成装置及びワイヤへの給電方法 |
JP2012121009A (ja) * | 2010-12-10 | 2012-06-28 | Fuji Engineering:Kk | プラズマ溶射装置 |
JP2012122124A (ja) * | 2010-12-10 | 2012-06-28 | Fuji Engineering:Kk | プラズマ溶射装置 |
JP2012521878A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | フォード グローバル テクノロジーズ、リミテッド ライアビリティ カンパニー | プラズマ移行型ワイヤアーク溶射システム |
JP2015091602A (ja) * | 2014-11-07 | 2015-05-14 | 株式会社フジエンジニアリング | プラズマ溶射装置 |
US20160001309A1 (en) * | 2013-01-04 | 2016-01-07 | Ford Global Technologies, Llc | Device for thermally coating a surface |
US9987703B2 (en) | 2012-12-17 | 2018-06-05 | Fuji Engineering Co., Ltd. | Plasma spraying apparatus |
CN109661689A (zh) * | 2016-09-13 | 2019-04-19 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于运行安全设备的方法 |
-
1989
- 1989-08-04 JP JP1203511A patent/JP2766680B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5765477A (en) * | 1995-10-31 | 1998-06-16 | Riso Kagaku Corporation | Method and device for perforating framed stencil sheet with color information mark |
GB2367521A (en) * | 2000-07-21 | 2002-04-10 | Ford Global Tech Inc | Electric arc metal spraying |
GB2367521B (en) * | 2000-07-21 | 2004-07-21 | Ford Global Tech Inc | Electric arc metal spraying |
JP2004224599A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Yamada Kinzoku Boshoku Kk | 溶射皮膜付きガラス容器およびその製造方法 |
JP2010209397A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Nissan Motor Co Ltd | 溶射皮膜形成装置及びワイヤへの給電方法 |
JP2012521878A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | フォード グローバル テクノロジーズ、リミテッド ライアビリティ カンパニー | プラズマ移行型ワイヤアーク溶射システム |
CN102560323A (zh) * | 2010-12-10 | 2012-07-11 | 株式会社富士工程 | 等离子体喷镀装置 |
CN102534458A (zh) * | 2010-12-10 | 2012-07-04 | 株式会社富士工程 | 等离子体喷镀装置 |
JP2012122124A (ja) * | 2010-12-10 | 2012-06-28 | Fuji Engineering:Kk | プラズマ溶射装置 |
JP2012121009A (ja) * | 2010-12-10 | 2012-06-28 | Fuji Engineering:Kk | プラズマ溶射装置 |
CN102560323B (zh) * | 2010-12-10 | 2015-08-12 | 株式会社富士工程 | 等离子体喷镀装置 |
TWI650182B (zh) * | 2010-12-10 | 2019-02-11 | 富士工程股份有限公司 | 電漿噴塗裝置 |
US9987703B2 (en) | 2012-12-17 | 2018-06-05 | Fuji Engineering Co., Ltd. | Plasma spraying apparatus |
US20160001309A1 (en) * | 2013-01-04 | 2016-01-07 | Ford Global Technologies, Llc | Device for thermally coating a surface |
US10124354B2 (en) * | 2013-01-04 | 2018-11-13 | Ford Global Technologies, Llc | Plasma nozzle for thermal spraying using a consumable wire |
JP2015091602A (ja) * | 2014-11-07 | 2015-05-14 | 株式会社フジエンジニアリング | プラズマ溶射装置 |
CN109661689A (zh) * | 2016-09-13 | 2019-04-19 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于运行安全设备的方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2766680B2 (ja) | 1998-06-18 |
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