JP5509591B2 - 被加熱物の接触状態を判別する真空加熱装置及び方法 - Google Patents
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しかしながら、真空状態における加熱では、対流する気体の伝熱が活用できないため、特許文献1に示すような、ランプヒータ等を配置した輻射加熱などで被加熱物を加熱していた。
本発明は、上記問題に鑑み、被加熱物の温度上昇度(昇温カーブ特性)が接触状態に起因することに着目し、加熱初期の被加熱物の温度上昇度のばらつき具合を接触状態のばらつきと判断して、真空室内に配置された被加熱物の接触状態を検出し、効率良く加熱する真空加熱装置を提供することを目的とする。
また、加熱開始時に短時間で異常接触状態の検出が可能となるため被加熱物に損傷を与えることなく処理の停止ができ、被加熱物の異常や設備状態不良等により無駄な処理が行われることを防止するといった従来の工程では成し得なかった信頼性および生産性の高い工程を実現することができる。
これにより、真空室内に配置された被加熱物を効率良く加熱することができ、ヒータと被加熱物の接触面の安定化に着目し、ヒータの熱マスを低減し、ヒータを2個以上に分割し、そのヒータ毎にフローティングする機構を設けたことで、少ないエネルギーで、かつ短時間で加熱することができるものである。また、被加熱部の測定したい場所に温度検知部を設置することができる。
これにより、被加熱物とヒータの接触状態の優劣を加熱開始時の温度上昇度により判別し、接触状態の変更など加熱動作を最適化することで、従来の工程では困難であった高速処理と高精度な昇温プロファイルを実現することができる。
図2は、ヒータ32に被加熱物1を設置した場合の接触状態を示す説明図である。接触状態(A)は、ヒータを被加熱物との接触状態が良好な場合で、接触状態(B)は、比較的良好な場合で、接触状態(C)は、不良な場合である。図3は、接触状態と被加熱物温度の関係を示すグラフである。
図3において、接触状態(A)、(B)は、必要加熱時間以内に目標温度に達しているが、接触状態が悪い接触状態(C)では、必要加熱時間以内に目標温度に達していないので、不良品となる。このような電熱方法では、直接ヒータと被加熱物の接触状態を知りえる手段が無いため、接触状態が好ましくない場合でも、所定の温度に被加熱物が昇温する時間まで加熱時間をさらに延ばして対応せざるを得なかった。このため、本発明では、真空室内に配置された被加熱物の接触状態を検出して効率良く加熱するようにしたものである。
図4に示すように、被加熱物1は、一例として、電子部品4の上に半田2を介在して載置された被接合部材3からなる。このような被加熱物1としては、上記に限らず基板と電子部品や、ハイブリット車用のインバータ部品などが挙げられるが、半田付けの対象となるものであれば何れのものであってもよい。ここで述べる一実施態様にあっては、3は放熱ブロック(銅)として、説明する。また、4は、必ずしも電子部品に限らずヒートシンクであってもよい。その他の被加熱物1の例示としては、図1が挙げられるが、後述する。使用する半田としては、接合対象によって適宜採用すればよいが、一例として、半田シート、低融点金属を金属フィラーとして用いた導電性接着剤、半田ペーストその他が挙げられる。
上述の装置において、異物混入や、ヒータの接触面積劣化により被加熱物と加熱源との当たり方にバラツキが発生することがある。このため、被加熱物と加熱源との接触状態が適正は否か判別して、不適正の場合にはそれを補償するように制御が必要となる。
駆動機構制御回路部61は、支持台の上下動の駆動機構60を制御して、ヒータとヒータ受け、および、熱電対13を、被加熱物に接触したり離したりするように制御することができるようになっている。
ヒータ制御回路部62は、温度制御システム(PLC、Programmable Logic Controller)を含むとともに、熱電対13により被加熱物の昇温特性を記録したデータベース63と、加熱初期の被加熱物の温度上昇度のばらつき具合に基づいて、接触状態のばらつきを判別する判別回路部64から構成されている。駆動機構制御回路部61と判別回路部64とは、相互に制御情報をやり取りして、判別回路部64による判別結果に基づき、駆動機構制御回路部61を制御する。
図7を参照して、判別回路部64の制御フローについて説明する。
複数個に分割されたヒータ32の上に被加熱物1がセットされると、支持台は駆動機構60が駆動されて上昇を開始する。上部の受圧部31がストッパとして作用して、被加熱物1が押えられる。さらに、支持台が上昇すると、被加熱部下面にヒータ32が接触し、熱電対13が被加熱部1の中心部に接触するような上昇位置に至ると、リミットスイッチが作動して、支持台の上昇が停止する。(ステップS100)
一定時間内の被加熱物の上昇温度は、接触状態によって図6に示すような昇温特性を示す。このため、温度上昇度ΔT/Δtの相違により、被加熱物と加熱ヒータの接触状態の優劣度A〜Cを検出し、その優劣度により被加熱物と加熱ヒータの接触面積を予測し、接触状態の最適化及び温度制御パラメータの最適化を行う制御を行う。
一方、ステップ105で、規定値A以上でないとして、Noならば、ステップS121に進み、制御パラメータをP(B)に変更する。その後、ステップS122に進み、ステップS106で加熱終了となる。加熱終了後は、ステップS107で接触ヒータを被加熱物より離して、制御フローを終了する。
2 半田
3 被接合部材
4 電子部品
13 温度検知部(熱電対)
31 受圧部(ストッパ)
20、32 ヒータ
33 ヒータ受け
34、35、36 支持体
40 冷却部
50 弾性体(ばね)
Claims (4)
- 被加熱物(1)を加熱するために真空室内に配置された真空加熱装置であって、
前記被加熱物(1)にヒータ加熱面が接触するヒータ(32)と、
前記ヒータ(32)を収容するヒータ受け(33)と、
前記被加熱物(1)に対して前記ヒータ受け(33)を弾性体(50)で押圧して、前記ヒータ加熱面を密着させるフローティング機構と、
前記被加熱物(1)に直接接触する温度検知部(13)と、
前記温度検知部(13)と前記フローティング機構とが設けられた支持台(34、35、36)と、
前記支持台を上下動させる駆動制御機構と、
前記ヒータ受け(33)から前記被加熱物(1)が受ける押圧力を受圧する受圧部(31)と、
前記温度検知部(13)が前記被加熱物(1)に接触した後に前記温度検知部(13)から得られた、所定時間内(Δt)の被加熱物の温度変化(ΔT)の比率である被加熱物の温度上昇度(ΔT/Δt)に基づいて、前記被加熱物(1)とヒータ加熱面との接触状態を判別する判別回路部(64)を具備する真空加熱装置。 - 前記被加熱物(1)にヒータ加熱面が接触する前記ヒータ(32)は、複数存在して、 複数のヒータ(32)をそれぞれ収容する複数のヒータ受け(33)と、前記被加熱物(1)に対して、前記複数のヒータ受け(33)をそれぞれ独立して弾性体(50)で押圧して、前記ヒータ加熱面を密着させるフローティング機構とを具備することを特徴とする請求項1の真空加熱装置。
- 前記温度検知部(13)から得られた前記温度上昇度に基づいて、前記被加熱物(1)とヒータ加熱面との接触状態を判別する判別回路部(64)が、接触不良と判断したときは、前記ヒータ加熱面を前記被加熱物から離すように、前記支持台を下動させ、再度、前記ヒータ加熱面を前記被加熱物に接触させてから、前記温度検知部(13)から得られた前記温度上昇度に基づいて、前記被加熱物(1)とヒータ加熱面との接触状態を判別することを特徴とする請求項1の真空加熱装置。
- 真空室で被加熱物(1)を加熱する真空加熱方法であって、
前記被加熱物(1)に、ヒータ加熱面と温度検知部(13)を接触させるステップと、
前記温度検知部(13)が前記被加熱物(1)に接触した後に前記温度検知部(13)から得られた情報に基づいて、所定時間内(Δt)の被加熱物の温度変化(ΔT)の比率である被加熱物の温度上昇度(ΔT/Δt)を算出するステップと、
前記温度上昇度が、所定規定値(B)以上のときは、前記被加熱物(1)とヒータ加熱面との接触状態が良好であると判別し、所定規定値(B)未満のときは、前記被加熱物(1)とヒータ加熱面との接触状態が不良であると、前記被加熱物(1)とヒータ加熱面との接触状態を判別するステップと、
前記被加熱物(1)とヒータ加熱面との接触状態が不良であると判別した場合には、前記ヒータ加熱面を前記被加熱物から離したのち、再度、前記ヒータ加熱面を前記被加熱物に接触させてから、前記温度検知部(13)から得られた前記温度上昇度に基づいて、前記被加熱物(1)とヒータ加熱面との接触状態を判別することを特徴とする真空加熱方法。
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