JP5486455B2 - 横型hemtおよび横型hemtの製造方法 - Google Patents
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Description
11 第1の層
12 第2の層
13 パッシベーション層
14 ドリフト領域
15 フィールドプレート
16 第1の電極
17 第2の電極
18 ゲート電極
19 スルーコンタクト
21 バッファー層
22 基板
27 絶縁層
35 降伏が生じる領域
41 延在領域
Claims (15)
- 半導体材料を含む第1の層と、
半導体材料を含み、前記第1の層の上に少なくとも部分的に配置された第2の層と、
当該第2の層の上に配置されたパッシベーション層と、
横幅wdを含むドリフト領域と、複数のフィールドプレートと、を備え、
前記第1の層及び第2の層との界面に、二次元電子ガスが形成される横型HEMTであって、
第1の電極と、第2の電極と、当該第1の電極と第2の電極の間に配置されるゲート電極とを含み、
前記パッシベーション層が、前記ゲート電極を少なくとも部分的に囲み、
前記第1の電極と、第2の電極との間に前記ドリフト領域が設けられ、
当該第1の電極及び第2の電極が、ソース電極及びドレイン電極であり、
前記フィールドプレートが、前記第1の電極から第2の電極に向かう横方向に延び、当該横方向と垂直な方向に隣接して櫛型に配置され、前記ドリフト領域の領域で、前記パッシベーション層の上に少なくとも部分的に配置され、
少なくとも一つの前記フィールドプレートが、前記第1の電極、第2の電極、ゲート電極のうちの1つと電気的に連結され、
前記フィールドプレートが、第1の横方向の長さを有するフィールドプレート及び第2の横方向の長さを有するフィールドプレートを含み、第1の横方向の長さと第2の横方向の長さが異なる、横型HEMT。 - 前記フィールドプレートが金属を含む、請求項1に記載の横型HEMT。
- 前記第1の層がGaNを含み、前記第2の層がAlGaNを含む、請求項1に記載の横型HEMT。
- 前記第1の層がAlGaNを含み、前記第2の層がGaNを含む、請求項1に記載の横型HEMT。
- 半導体材料を含む第1の層と、
半導体材料を含み、前記第1の層の上に少なくとも部分的に配置された第2の層と、
第1の電極と、第2の電極と、当該第1の電極と第2の電極の間に配置されるゲート電極と、
横幅wdを含むドリフト領域と、複数のフィールドプレートと、を備え、
前記第1の層及び第2の層との界面に、二次元電子ガスが形成される横型HEMTであって、
前記第1の電極と、第2の電極との間に前記ドリフト領域が設けられ、
前記第1の電極及び第2の電極が、ソース電極及びドレイン電極であり、
前記フィールドプレートが各々、前記ドリフト領域の領域で、前記第2の層の上に少なくとも部分的に直接配置され、
前記フィールドプレートが、前記第1の電極から第2の電極に向かう横方向に延び、当該横方向と垂直な方向に隣接して櫛型に配置され、
前記フィールドプレートが、前記第1の電極、第2の電極、ゲート電極のうちの1つと電気的に連結され、
前記フィールドプレートが、第1の横方向の長さを有するフィールドプレート及び第2の横方向の長さを有するフィールドプレートを含み、第1の横方向の長さと第2の横方向の長さが異なる、横型HEMT。 - 半導体材料を含む第1の層と、
半導体材料を含み、前記第1の層の上に少なくとも部分的に配置された第2の層と、
当該第2の層の上に配置されたパッシベーション層と、
横幅wdを含むドリフト領域と、第1の複数のフィールドプレートと、を備え、
前記第1の層及び第2の層との界面に、二次元電子ガスが形成される横型HEMTであって、
第1の電極と、第2の電極と、当該第1の電極と第2の電極の間に配置されるゲート電極とを含み、
前記第1の電極と、第2の電極との間に前記ドリフト領域が設けられ、
前記第1の電極及び第2の電極が、ソース電極及びドレイン電極であり、
前記パッシベーション層が、前記ゲート電極を少なくとも部分的に囲み、
前記第1の複数のフィールドプレートのフィールドプレートが各々、前記ドリフト領域の領域で、前記パッシベーション層の上に少なくとも部分的に配置され、
前記フィールドプレートが、前記第1の電極から第2の電極に向かう横方向に延び、当該横方向と垂直な方向に隣接して櫛型に配置され、
少なくとも1つの前記フィールドプレートが、前記第1の電極、前記第2の電極、前記ゲート電極のうちの1つと電気的に連結され、
前記第1の複数のフィールドプレートが、第1の横幅を有するフィールドプレート及び第2の横幅を有するフィールドプレートを含み、第1の横幅と第2の横幅が異なり、
前記第1の複数のフィールドプレートの横幅の合計が、前記ドリフト領域の横幅wdより狭い、横型HEMT。 - 少なくとも第2の複数のフィールドプレートをさらに含み、前記第2の複数のフィールドプレートが各々、前記ドリフト領域の別の領域で、前記パッシベーション層の上に少なくとも部分的に配置され、少なくとも一つの前記第2の複数のフィールドプレートが、前記第1の複数のフィールドプレートと連結される電極とは異なる、前記第1の電極、前記第2の電極、前記ゲート電極のうちの1つと電気的に連結される、請求項6に記載の横型HEMT。
- 前記第1の複数のフィールドプレートおよび/または前記第2の複数のフィールドプレートが、第1の横方向の長さを含む第1のフィールドプレートと、第2の横方向の長さを含む第2のフィールドプレートとを備え、前記第1の横方向の長さが前記第2の横方向の長さとは異なる、請求項7に記載の横型HEMT。
- 前記第1の複数のフィールドプレートの横幅の合計と、前記第1の複数のフィールドプレートの隣接するフィールドプレート間の横方向の距離の合計の関係が、1:nで与えられ、n>1である、請求項6に記載の横型HEMT。
- n>5である、請求項9に記載の横型HEMT。
- n>10である、請求項9に記載の横型HEMT。
- 前記第1の複数のフィールドプレートおよび/または前記第2の複数のフィールドプレートが金属を含む、請求項7に記載の横型HEMT。
- 前記第1の層がGaNを含み、前記第2の層がAlGaNを含む、請求項6に記載の横型HEMT。
- 前記第1の層がAlGaNを含み、前記第2の層がGaNを含む、請求項6に記載の横型HEMT。
- 前記パッシベーション層が、SixNy、SiO2、Al2O3からなる群から選択される材料を含む、請求項6に記載の横型HEMT。
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