JP5645526B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
22 ソース電極
24 ドレイン電極
26 ゲート電極
28 絶縁膜
30 フィールドプレート
32 歯
34 共通部分
Claims (4)
- 半導体層上にそれぞれ形成されたソース電極、ゲート電極およびドレイン電極と、
前記半導体層上に形成された絶縁膜上の少なくとも前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に形成され、かつ前記ゲート電極の長手方向に交差する方向に延伸する複数の歯と、前記複数の歯を接続する共通部分からなり、フィールドプレートの先端がくし状の前記フィールドプレートと、を具備し、
前記フィールドプレートは、前記ゲート電極および前記ドレイン電極の間から前記ゲート電極上を跨って形成され、前記複数の歯は、前記ドレイン電極方向に突出してなり、
前記複数の歯の前記ゲート電極の長手方向の幅は前記絶縁膜の厚さの2倍以上であることを特徴とする半導体装置。 - 半導体層上にそれぞれ形成されたソース電極、ゲート電極およびドレイン電極と、
前記半導体層上に形成された絶縁膜上の少なくとも前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に形成され、かつ前記ゲート電極の長手方向に交差する方向に延伸する複数の歯と、前記複数の歯を接続する共通部分からなり、フィールドプレートの先端がくし状の前記フィールドプレートと、を具備し、
前記フィールドプレートは、前記ゲート電極および前記ドレイン電極の間から前記ゲート電極上を跨って形成され、前記複数の歯は、前記ドレイン電極方向に突出してなり、
前記複数の歯の間隔は、前記絶縁膜の厚さの10倍以下であることを特徴とする半導体装置。 - 前記共通部分が前記ゲート電極上に跨っていることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。
- 半導体層上にそれぞれ形成されたソース電極、ゲート電極およびドレイン電極と、
前記半導体層上に形成された絶縁膜上の少なくとも前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に形成され、かつ前記ゲート電極の長手方向に交差する方向に延伸する複数の歯と、前記複数の歯を接続する共通部分からなり、フィールドプレートの先端がくし状の前記フィールドプレートと、を具備し、
前記フィールドプレートは、前記ゲート電極および前記ドレイン電極の間から前記ゲート電極上を跨って形成され、前記複数の歯は、前記ドレイン電極方向に突出してなり、
前記絶縁膜が前記ゲート電極を覆う領域の前記絶縁膜の上面は、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記絶縁膜の平坦な上面より高く、
前記複数の歯が前記共通部分に接続する位置は、前記平坦な上面より前記ソース電極側であることを特徴とする半導体装置。
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