JP5485250B2 - シリコン細棒の製造方法及び製造装置 - Google Patents

Description

本発明は、シリコン細棒の製造方法並びに製造装置に関する。

シリコン細棒（Ｄｕｅｎｎｓｔａｂ）は、多結晶シリコンの析出のために使用される。

多結晶シリコン（略語：ポリシリコン）は、坩堝引き上げ（チョクラルスキー法もしくはＣＺ法）又は帯域溶融（フロートゾーン法もしくはＦＺ法）による単結晶シリコンの製造における出発材料として用いられる。この単結晶シリコンは、ウェハ（Ｗａｆｅｒ）へと切り分けられ、半導体産業における多数の機械的加工、化学的加工及び化学機械的加工の後に電子素子（チップ）の製造のために使用される。

しかしながら特に、多結晶シリコンは、ますます大きな規模で、引き上げ法又は鋳造法による単結晶シリコン又は多結晶シリコンの製造のために必要とされ、その際、この単結晶シリコン又は多結晶シリコンは、光電装置用のソーラーセルの製造のために用いられる。

多結晶シリコン（しばしば短縮してポリシリコンとも呼ばれる）は、通常はシーメンス法によって製造される。その際、釣鐘状反応器（"シーメンス反応器"）においてシリコン製の細い心棒は直接的な通電によって加熱され、ケイ素含有成分と水素とを含有する反応ガスがそこに導入される。

ケイ素含有成分としては、例えばケイ素塩素化合物などのケイ素ハロゲン化合物、特にクロロシランが該当する。前記ケイ素含有成分は、水素と一緒に反応器中に導入される。１０００℃を超える温度で、該細棒上にシリコンが析出される。その際、最終的に多結晶シリコンを有するロッドが得られる。ＤＥ１１０５３９６号において、シーメンス法の基本原理が記載されている。

細棒の製造に関して、ＤＥ１１７７１１９号から、シリコンからなる支持体上にシリコンを析出させ、引き続きそこから一部を分離して、この分離した一部を再びシリコンの析出のための支持体として使用することが知られている。その分離は、機械的に、例えば鋸引きによって、又は電気分解的に液体噴射流によって行うことができる。機械的分割は、長手方向で行われる。切断面は、シリコンロッドの幾何学軸を通じて互いに角度をもっていてよい。また、シリコンロッドをその軸に平行に通り抜ける平行に導かれた切断によって、新たな析出プロセスのための支持体として用いられるバンド状又はストリップ状のものを切り取ることも提案される。かかる平行切断は、幾つかの作業工程で同時に行うことができる。

ＵＳ２０１０／００７７８９７号Ａ１は、細棒の作成装置であって、シリコンロッドをまずその軸に沿って多数のプレートもしくは板状物（Ｂｒｅｔｔｅｒ）に分割することができる前記装置を開示しており、その際、前記プレートもしくは板状物は引き続き、その太さを減らすために軸方向に改めて切断される。該装置は、また水平配置された多数の鋸刃を備え、前記鋸刃は、１作業工程において多数の各プレートもしくは板状物に分割することを可能にする。本質的に、前記プレートを鋸引きの間にテーブル上に固定し、前面で支持することによって、プレートの鋸引きに際して歪みと損傷を避けることが問題である。

従って、種々の鋸引き法又は切断法によって細棒を、シーメンス法によって予め製造されたシリコンロッドから作成することは知られている。

シーメンス法におけるポリシリコンの析出のためのプロセス条件は、通常では、経済的理由から、できる限り高い析出速度が得られるように調整される。

その際に、大きな直径、例えば１００ｍｍを上回る直径を有するポリシリコン製のロッドが製造される。しかしながら、かかるロッドは高い熱応力を有し、それは更なる機械的加工に際して問題を起こすことがある。

商慣習上の鋸引き法及び切断法における不適なプロセス運用に際してロッドが破損することがある。作成された細棒は歪むことがあるため、その際には後にシーメンス法で使用するには不適である。

かなりの熱応力を有する大きな直径を有するポリシリコンロッドから細棒を作成するための先行技術から公知の方法は、切り離された工作物の破損か、切断すべきポリシリコンロッドの破損かのいずれかを引き起こす。僅かな劇的な事例においては、しばしば剥離が生じ、それらは同様に望ましくないため、回避すべきである。

ＷＯ２０１０／０３９５７０号Ａ２においては、シーメンス法においてポリシリコンからロッドを作成する際に生ずる応力は、熱処理（アニーリング）によって改めて取り除けることが記載されている。析出に際して生ずる応力は、このようにうまいこと排除されるので、ロッドはたやすく、先行技術から公知の商慣習上の鋸引き法及び切断法を用いて細棒の製造のために再加工することができる。

しかしながら、この方法の欠点は、ロッドを細棒の切断のために準備するのに、エネルギー的な観点でも追加の装置によってもかなりの消費を講じねばならないことにある。

更に、ロッドのアニーリングに際して、表面的な不純物が材料のバルク中に拡散し、こうして最終生成物を汚染するという危険性がある。それを避けるために、前記アニーリング工程の直前に付加的な清浄化工程（例えばエッチング工程）が必要である。しかしながら、これは、追加の相当の多大な消費を意味する。

ＤＥ１００１９６０１号Ｂ４においては、熱応力を有するポリシリコン製のロッドを長軸に対して横方向に切断することで剥離又は亀裂を生じさせない方法が記載されている。その際に、前記ロッドは、切断の間に固有の長軸の周りを回転する一方で、切断工具はロッドを外側から短くする。しかしながら、その際には、細棒は作成されずに、ＦＺ用のプレロッド（Ｖｏｒｓｔａｂ）又はＣＺ用の後装填ロッド（Ｎａｃｈｃｈａｒｇｉｅｒｓｔａｂ）が作成される。

ＤＥ１１０５３９６号 ＤＥ１１７７１１９号 ＵＳ２０１０／００７７８９７号Ａ１ ＷＯ２０１０／０３９５７０号Ａ２ ＤＥ１００１９６０１号Ｂ４

従って、本発明の課題は、細棒の製造におけるシリコンロッド中の熱応力による前記欠点を、費用のかかる熱処理を用いる必要なく回避することにあった。

前記課題は、以下の、シリコン製のロッドを準備する工程ａ）と、鋸引き装置によって前記ロッドから規定の厚さの板状物を順次切り取る工程ｂ）と、その際、前記ロッドは、連続する２つの切断の間にそれぞれ９０゜だけ又は１８０゜だけ軸上で回転され、こうして連続する４つの切断のうち、該４つの切断のそれぞれ２つが対になって、ロッドの半径方向に向かい合う側で行われるか、又は板状物の切り取りは、共通して同時に前記ロッドの半径方向に向かい合う側で行われ、切り取られた板状物を鋸引きして矩形の断面を有する複数の細棒とする工程ｃ）とを含む、シリコン細棒の製造方法によって解決される。

前記課題は、また、以下の、シリコン製のロッドを準備する工程ａ）と、多数の垂直な切断を、第一の鋸引き装置によって前記ロッドの全長にわたって作成する工程ｂ）と、前記ロッドの長手方向において第二の鋸引き装置によって水平な切断を作成して、矩形の断面を有する細棒を前記ロッドから分離する工程ｃ）とを含み、前記工程ｂ）において、個々の切断部は互いに間隔が開けられており、その切断部の間隔と切断深さは、矩形の断面を有する作成されるべき細棒の所望の辺長に従って行われ、その際、前記工程ｂ）及びｃ）は、順次、何度も続けて行われ、かつ前記ロッドは、相次いでの工程ｃ）による２つの切断の間にそれぞれ９０゜だけ又は１８０゜だけ軸上で回転され、こうして、相次いでの工程ｃ）による４つの切断のうち、該４つの切断のそれぞれ２つが対になって、前記ロッドの半径方向に向かい合う側で行われる、シリコン細棒の製造方法によって解決される。

２つの本発明による方法は、特に、１００ｍｍを上回る直径を有する単結晶シリコン又は多結晶シリコンからなるロッドのために適している。

その際、前記ロッドは、かなりの熱応力を有するであろうが、前記の２つの方法によって細棒へと再加工することができる。好ましくは、かかるロッドは、本発明による方法で使用され、切断プロセスに供給される。

前記２つの方法は、第一の本発明による方法においては、交互に板状物をロッドから切り取り、それを後に細棒へと鋸引きする一方で、第二の本発明による方法においては、まず互いに間隔が開けられた複数の溝がロッド中にもたらされ、こうして第一の本発明による方法での板状物の切り取りに相当する水平な切断によって既に完成した細棒が作成されるという点で異なっている。

第一の本発明による方法の説明
まずは、シリコン製のロッドを準備すべきである。好ましくは、それは、多結晶シリコン製のロッドであり、例えばシーメンス法での析出によって作成できるようなロッドである。

このロッドから、順次、規定の厚さの板状物を分離する。好ましくは、この板状物の厚さは、矩形の、好ましくは正方形の断面を有する、作成されるべき細棒の辺長に相当する。

本発明に本質的には、前記ロッドは、連続する２つの切断の間にそれぞれ９０゜だけ又は１８０゜だけ軸上で回転され、こうして連続する４つの切断のうち、該４つの切断のそれぞれ２つが対になって、ロッドの半径方向に向かい合う側で行われるか、又は板状物の切り取りは、共通して同時に前記ロッドの半径方向に向かい合う側で行われる。

最終的に細棒を作成するために、切り取られた板状物は相応して鋸引きされる。１つの板状物を複数の細棒へと鋸引きすることは、好ましくは共通して同時に１工程で行われる。

好ましくは、まずは１つの板状物をロッドの１つの側面で切り取る。引き続き、該ロッドをその長軸に対して１８０゜だけ回転させる。次いで、更なる１つの板状物を半径方向に向かい合う側で切り取る。最後に、該ロッドを再び１８０゜だけ回転させ、そして後続の板状物を再び向かい合う半径方向の位置で切り取る。

それは、最後の板状物まで問題なく続けることができ、熱応力への悪影響は確認できなかった。該ロッドは、この場合、前面の中央において取り付けられたままであってよい。

選択的に、該ロッドは、応力に制限された影響を受けることなく、第１表に従って回転させることもできた。それぞれ、切断番号と、長軸に対する回転角を示している。

第１表

ここでは、第一の切断の後にロッドはまず１８０゜だけ回転され、そして切断される。次いで、ロッドの長軸に対して反対方向に９０゜だけ回転を行い、引き続き切断３を行う。最後に、１８０゜だけの回転が行われ、こうして、出発位置に対して２７０゜の角度が得られる。切断４は、従ってロッドの切断３と向かい合う位置で行われる。それは、また切断１及び切断２についても当てはまる。

好ましくは、ロッドの中心に又は正方形の断面に達するまで進める。次いで、０゜と１８０゜の角度の間で交替する。

従って、それぞれ２つの相次いでの切断、例えば切断１と切断２、切断３と切断４、切断５と切断６などは、ロッドの側面上の向かい合う位置で行われることが好ましい。

第２表は、更なる好ましい一実施形態を示している。

ここで、切断１と切断３並びに切断２と切断４は、ロッドの向かい合う位置で行われる。

第２表

好ましくは、ロッドの中心に又は正方形の断面に達するまで進める。次いで、０゜と１８０゜の角度の間で交替する。

更なる殊に好ましい一実施形態は、ロッドを、２つの平行の切断によって応力をかけずに分離することにある。この場合に、更なる１つの板状物を向かい合う側で同時に切断する。それは、第３表に示されている。

第３表

ここで、切断１と切断２の２つは、向かい合う側で平行に行われる。引き続き、ロッドを９０゜だけ回転させる。それから切断３と切断４を同様に向かい合う側で行う。

好ましくは、ロッドの中心に又は正方形の断面に達するまで進める。次いで、材料がもはや存在しなくなるまで、０゜と１８０゜の角度の間で交替する。

第４表は、更なる好ましい一実施形態を示している。

ここで、平行な切断はいつも同じ位置で行われる。

第４表

好ましくは、材料がもはや存在しなくなるまで、平行な切断を、０゜と１８０゜の角度で行う。

第二の本発明による方法と本発明による装置の説明
まずは、シリコン製のロッドを準備する。それは、好ましくは多結晶シリコン、例えばシーメンス法での析出によって製造された多結晶シリコンである。

第一工程において、多数の垂直の切断を、ロッドの全長にわたって、第一の鋸引き装置を用いて作成する。

その際、個々の切断部は互いに間隔が開けられている。

切断部の間隔は、それが生成されるべき細棒の所望の辺長（約５〜１０ｍｍ）に相当するように選択される。その際に当然のように、切断工具の切断幅は考慮されるべきである。

第一工程で作成される切断部の切断深さも、生成されるべき細棒の所望の辺長に従って選択される。

生成されるべき細棒は、矩形の、好ましくは正方形の断面を有する。

従って、第一工程において、事実上、生成されるべき細棒の断面が鋸引きされる。

次いで、次の工程において、ロッドの長手方向での水平な切断は、第二の鋸引き装置によって行われる。

それによって、最後には、矩形の断面を有する細棒が前記ロッドから分離される。

本発明に本質的には、前記ロッドは、相次いでの２つの水平な切断の間にそれぞれ９０゜だけ又は１８０゜だけ軸上で回転させ、こうして、相次いでの水平な４つの切断のうち、該４つの切断のそれぞれ２つが対になって、前記ロッドの半径方向に向かい合う側で行われる。

前記方法の実施のための装置に関して本発明に実質的には、切り取られた板状物を同時にほどくのを可能にする手段が存在することである。

本発明の課題は、また、鋸引きによって多結晶シリコンロッドから複数の細棒を作成するための装置であって、多数の切断工具及び該切断工具の冷却のための冷却液を含む第一のユニットと、加工されるべき工作物の切断隙間に追加の冷却液を導入するための複数のノズルを含む第二のユニットと、バンドソーもしくはワイヤソー又は複数の切断工具を有する１もしくは複数のシャフトを含む第三のユニットとを含む前記装置によって解決される。

前記装置は、ロッドの長手方向に延び、その切断深さが切り取られる板状物の厚さよりもいくらか大きい多数の垂直な溝の平行の切断のための第一のユニットと、前記切断された溝へと好適な冷却液を供給するための第二のユニットと、ロッドの水平の長手方向切断（Ｌａｅｎｇｓｓｃｈｎｉｔｔ）をもたらすための第三のユニットといった３つのユニットを含む。

第一のユニットは、好ましくは複数の鋸刃を備えたシャフトである。

同様に、切断工具として液体誘導式レーザを使用することが好ましい。

第三のユニットは、複数の鋸刃を有する単軸ソー又は二軸ソーであってよい。

かかる装置を用いて、本方法の実施は、横たわったロッドでも直立したロッドでも行うことができる。

以下では、横たわったロッドでの装置の使用が考えられる。本発明を、図１〜６をもとに説明する。

図１は、ロッド及びロッド保持具並びに複数の鋸刃を備えたシャフトを示している。 図２は、ロッド並びに鋸刃及び冷却管を示している。 図３は、ロッド及びロッド保持具並びに複数のノズルを備えた管を示している。 図４は、ロッド及び鋸刃及び冷却管並びに複数の高圧ノズルを備えた管を示している。 図５は、ロッド及びロッド保持具並びにバンドソーもしくはワイヤソー及び複数のノズルを有する管を示している。 図６は、ロッド及び２つの鋸刃及び複数のノズルを備えた管を示している。

図１は、特に複数の鋸刃が上に載ったシャフトを示している。

第一のユニットは、軸上にずらして配置された複数の鋸刃４１を備えたシャフト３１を含み、その切断幅は、好ましくは０．１〜５ｍｍ（特に好ましくは０．２〜０．８ｍｍ）である。液体誘導式レーザが使用される場合に、切断幅は、０．１ｍｍ未満であり、例えば４０〜８０μｍである。

前記の複数の鋸刃４１を備えたシャフト３１の所望の切断深さは、好ましくは完成した細棒の辺長（好ましい辺長は５〜１０ｍｍ）よりもいくらか大きい。

鋸深さは、最大の所望の板状物厚さよりもいくらか大きいことが望ましい。

該切断は、ロッドの軸上の長手方向で行われる。

切断作業は、同一方向でも反対方向でも行うことができる。より良好な冷却特性及び応力特性に基づき、同一方向が特に好ましい。

切断幅を差し引いた鋸刃４１の間隔は、後の細棒の幅を決める。

鋸引きに際して、シリコン製のロッド１１は、例えば両方の前面で固定される（ロッド保持具２１）。

図２は、鋸刃４２への冷却液６２の供給を保証する装置を示している。

使用される鋸刃４２は、それぞれ切断の際に、冷却液６２を通じて供給されるので、その冷却液６２は、鋸刃４２の作業方向で鋸の隙間に入り込むことができ、こうしてロッド１２は冷却され、そして発生した鋸スラッジ（Ｓａｅｇｅｓｃｈｌａｍｍ）の運び出しが同時にもたらされる。

その場合に、冷却液６２の供給は、各鋸刃に位置合わせされたノズル管によっても、又は幅広ジェットノズル（Ｂｒｅｉｔｓｔｒａｈｌｄｕｅｓｅ）によっても行うことができる。

冷却液の供給の更なる方策は、冷却液をかける管５２であってその中に鋸刃が突き出したものである。

驚くべきことに、かかるスロット付の管５２であって、その切り込み（スリット）中に鋸刃４２が沈むものが、最良の冷却作用を達成した。その際、スリット付の冷却切り込み（Ｋｕｅｈｌｎｕｔ）は、使用される切断刃よりも幾らか幅広であることが好ましい。切断刃が、例えば約８ｍｍの厚さを有する場合には、冷却切り込みは約８．５ｍｍの幅を有することが望ましい。

図３は、高圧ノズルによる軸方向での冷却液の供給を示している。

図３に示される第二のユニットは、生じた切断切り込み中に追加の冷却液を導入することをもたらす。

冷却剤の供給のための前記の追加の装置の任務は、一方で、生じた鋸スラッジを切断切り込みから更に取り除くことであり、他方で、第三のユニットによって行われる水平の切断のためのロッドの冷却である。

最も単純な場合には、第二のユニットは、管７３として構成され、そこでは一方の側に間隔ｄで複数の開口部が設けられていて、こうして水は該管７３から圧力をもって切断切り込みに送られる。

間隔ｄは、好ましくは第一のユニットの複数の鋸刃４３の間隔に相当する。

管７３に依存する圧力損失を避けるために、該管７３には、好ましくは複数の位置で冷却液が供給される。

切り込みへの冷却液の流入は、その場合に、好ましくはロッド１３の軸に対して垂直に通る。その際にはむしろ、すすぎ作用は低い。

図４は、管７４に付属する高圧ノズル８４を示しており、前記ノズルはほぼ９０゜の角度において冷却液を鋸の切り込みへと押し当て、こうして最適化された洗浄をもたらす。

管７４の全ての開口部に付属する高圧ノズル８４を使用することは特に好ましいことが分かった。

これらの高圧ノズル８４は、９０゜までだけ曲げられていてよく、こうして冷却液の流れは、ロッド１４の長軸に対して平行に送り込むことができる。その際に鋸スラッジの洗い流しは、その場合には冷却作用を悪化させずに、このようにして最適化される。

管７４には、上方から複数の供給導管によって液体が供給される（図示せず）。

図５は、バンドソー（もしくはワイヤソー）の操作を示しており、前記ソーは、工作物に沿った水平な切断を実行する。

第三のユニットは、ロッド１５の軸方向に沿った水平な切断をもたらす。

切断幅は、その場合に好ましくは、それが第一のユニットの切断深さよりもいくらか小さくなるように調整されている。

その際に、第三のユニットは、例えば商慣習上のバンドソー９５として構成される。

バンドソー９５の切断幅は好ましくは、それが第一のユニットの切断深さよりも小さくなるように調整されているので、鋸引きの間に鋸刃４５のところにチャネル（Ｋａｎａｌ）が生ずる。このチャネルを通じて、第二のユニットによって噴射された冷却液が流過しうる。この流れは、最適な冷却をもたらし、とりわけ生成した鋸スラッジを運び去る。

複数の鋸刃４５の間でロッド１５の中心方向では、冷却液が流れることができ、それにより生成した鋸スラッジを運び去るチャネルが生ずる。

ロッド１５を上記装置を用いて一度縦に通しで切断した後で、複数の細棒は離れた状態にあり、付着力によってのみなおも互いに保持されている。

それらの細棒は、真空吸引装置によって固定でき、全体としてロッド１５から取り出すことができる。

しかしながら付着力は、細棒と残りの工作物との間にもはたらく。しかしながら前記付着力は劇的に低減される。それというのも、複数のチャネルにわたり液体交換が存在するからである。その他に設置されるべき分割くさび（Ｓｐａｌｔｋｅｉｌ）は従って必要ない。

鋸引きプロセスの間に一方の側のみで固定された細棒の揺動を防ぐために、ユニット間の間隔が小さく、共鳴し得ないことに留意すべきである。

１つだけのシャフト３１の代わりに、第一のユニットにおいて複数のシャフトを使用してもよい。

第一のユニットに関して、１つのシャフト３１上に多数の鋸刃４１とする代わりに、多数のレーザを使用してもよく、前記レーザはそれぞれ好適な液体によって誘導される。レーザの誘導のための液体としては水が好ましい。特に、半導体産業に慣用の純度を有する超純水の使用が好ましい。

それにより、４０〜８０μｍへの、例えば６０μｍへの切断幅の更なる減少が可能であり、これは好ましい。

選択的に、切断順序は第一のユニットと第三のユニットとの間で逆になってもよい。それというのも、液体誘導式のレーザ切断については、レーザに必要とされる液体の流出が切断特性を改善するからである。

更に、その際、第二のユニットでの冷却液の提供は鋸刃にわたって行わねばならない。それというのも、この場合に他に必要なチャネルがないからである。

冷却液の使用は、材料の濡れを保証するために、表面張力が非常に低い液体を必要とする。

表面張力を小さくする方策は、公知のように好適な界面活性剤の添加にある。

しかしながら、好適な物質の選択は、それが工作物に付着し、場合によりその汚染をもたらすため、シリコン加工の場合には極めて制限される。特に、表面活性添加剤、例えば湿潤剤及び界面活性剤、半導体産業において例えばポリシング剤中の添加剤として使用されるものが適している。

選択的に、ロッドは、きれいな水と一緒に、高められた温度に、例えば約８０℃にもたらされる。それというのも、高められた温度をもって表面張力を低減できるからである。しかしながら、それは、出費の増加に基づきあまり好ましくない。

第三のユニットは、好ましくはバンドソー９５をもって構成されている。

しかしながらまた、ワイヤソーも使用でき、前記ソーには、研削粒子を含む鋸液（スラリー）が供給される。

同様に、研削作用を有する粒子がソーワイヤに結合されているワイヤソーを使用してよい。特に、ダイヤモンドワイヤの使用が好ましい。

ワイヤソーの使用は、第一のユニットにおいて液体誘導式のレーザ切断が使用される場合に特に好ましい。

またロープソーも原則的に考慮できるが、低い鋸引き性能のためあまり好ましくない。

更に、第三のユニットの切断は、同様に、向かい合うシャフト上にある１つの鋸刃４５又は複数の鋸刃によって行うことができる。

図６は、ロッド１６に沿って水平な切断を行う２つの鋸刃４６１及び４６２の配置を示している。

複数の鋸刃４６１もしくは４６２の間でロッド１６の中心方向では、管７６に由来する冷却液が流れることができ、それにより生成した鋸スラッジを運び去るチャネルが生ずる。

１１、１２、１３、１４、１５、１６ ロッド／工作物、 ２１、２３、２５ ロッド保持具、 ３１ シャフト、 ４１、４２、４３、４４、４５、４６１、４６２ 鋸刃、 ５２、５４ 冷却管、 ６２、６４ 冷却液、 ７３、７４、７５、７６ 複数のノズルを備えた管、 ８４ 高圧ノズル、 ９５ バンドソー／ワイヤソー

Claims (6)

1. 以下の、１００ｍｍより大きい直径を有する多結晶シリコン製のロッドを準備する工程ａ）と、鋸引き装置によって前記ロッドから規定の厚さの板状物を順次切り取る工程ｂ）と、その際、前記ロッドは、連続する２つの切断の間にそれぞれ９０゜だけ又は１８０゜だけ軸上で回転され、こうして連続する４つの切断のうち、該４つの切断のそれぞれ２つが対になって、ロッドの半径方向に向かい合う側で行われるか、又は板状物の切り取りが、共通して同時に前記ロッドの半径方向に向かい合う側で行われ、切り取られた板状物を鋸引きして矩形の断面を有する複数の細棒とする工程ｃ）とを含む、シリコン細棒の製造方法。
2. 鋸引き装置は、バンドソーもしくはワイヤソーであるか、又は複数の切断工具を含む１つもしくは複数のシャフトである、請求項１に記載の方法。
3. 以下の、１００ｍｍより大きい直径を有する多結晶シリコン製のロッドを準備する工程ａ）と、多数の垂直な切断を、第一の鋸引き装置によって前記ロッドの全長にわたって作成する工程ｂ）と、前記ロッドの長手方向において第二の鋸引き装置によって水平な切断を作成して、矩形の断面を有する複数の細棒を前記ロッドから分離する工程ｃ）とを含み、前記工程ｂ）において、個々の切断部は互いに間隔が開けられており、その切断部の間隔と切断深さは、矩形の断面を有する作成されるべき細棒の所望の辺長に従って行われ、その際、前記工程ｂ）及びｃ）は、順次、何度も続けて行われ、かつ前記ロッドは、相次いでの工程ｃ）による２つの切断の間にそれぞれ９０゜だけ又は１８０゜だけ軸上で回転され、こうして、相次いでの工程ｃ）による４つの切断のうち、該４つの切断のそれぞれ２つが対になって、前記ロッドの半径方向に向かい合う側で行われる、シリコン細棒の製造方法。
4. 第一の鋸引き装置が、複数の鋸刃を備えた１つもしくは複数のシャフトを含む、請求項３に記載の方法。
5. 第一の鋸引き装置が、複数の液体中で誘導されるレーザを含む、請求項３に記載の方法。
6. 第二の鋸引き装置が、バンドソーもしくはワイヤソー又は複数の切断工具を含む１つもしくは複数のシャフトを含む、請求項３から５までのいずれか１項に記載の方法。