JP5483419B2 - スイッチ回路の突入電流防止回路 - Google Patents
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Description
直流電源の一方の端子と負荷回路との間に、スイッチと、当該スイッチを介して前記一方の端子にアノードが接続された第1のダイオードと、が介装されたスイッチ回路の突入電流防止回路において、
制御端と電流路とを有し、前記第1のダイオードと前記負荷回路との間に、前記電流路の一端が接続され、前記制御端に供給された制御電圧に基づいて、前記電流路に流れる電流を制御する第1の制御トランジスタと、
前記第1のダイオードのカソードの電圧を分圧して前記第1の制御トランジスタの制御端に制御電圧を供給する分圧抵抗と、
前記第1の制御トランジスタの前記電流路に流れる電流を検出する電流検出部と、
前記電流検出部が検出した電流の電流値が予め設定された上限値に達したときにオンして、前記第1の制御トランジスタの前記制御電圧を低下させる第2の制御トランジスタと、
カソードが前記第2の制御トランジスタの制御端に接続され、アノードが前記直流電源の他方の端子と前記第1のトランジスタの電流路の他端とに接続された第2のダイオードと、を備えたことを特徴とする。
Iin=Iout+Ic1 ・・・・・・・・・(1)
Ic1=(Vin−Vc1)/R[circuit] ・・・・・・・・・(2)
但し、
R[circuit]:直流電源PSの内部抵抗、ダイオードD1の順方向電圧降下に対応する内部抵抗、抵抗R3の抵抗値を含む全回路抵抗値
Vc1:平滑コンデンサC1の両端の電圧
図2に示す時刻t11において、スイッチ11が閉じると、図2(a)に示すように、突入電流防止回路12に供給される供給電圧Vinは、電圧Vin[high]に立ち上がる。
(B)トランジスタQ2は、n形バイポーラトランジスタに限られるものではなく、n形MOSFET、p形MOSFET等であってもよい。
(E)コンデンサ電流Ic1を検出するものは、抵抗R3に限られるものではなく、例えば、カレントトランスであってもよい。
(G)本実施形態に係る突入電流防止回路12は、平滑コンデンサC1を備えたものでなくてもよく、この場合でもアークによる突入電流を抑制する効果を有する。
12 突入電流防止回路
13 ランプ点灯回路
C1 平滑コンデンサ
Q1 トランジスタ(n形MOSFET)
Q2 トランジスタ(n形バイポーラトランジスタ)
R1,R2,R3,R4 抵抗
Claims (3)
- 直流電源の一方の端子と負荷回路との間に、スイッチと、当該スイッチを介して前記一方の端子にアノードが接続された第1のダイオードと、が介装されたスイッチ回路の突入電流防止回路において、
制御端と電流路とを有し、前記第1のダイオードと前記負荷回路との間に、前記電流路の一端が接続され、前記制御端に供給された制御電圧に基づいて、前記電流路に流れる電流を制御する第1の制御トランジスタと、
前記第1のダイオードのカソードの電圧を分圧して前記第1の制御トランジスタの制御端に制御電圧を供給する分圧抵抗と、
前記第1の制御トランジスタの前記電流路に流れる電流を検出する電流検出部と、
前記電流検出部が検出した電流の電流値が予め設定された上限値に達したときにオンして、前記第1の制御トランジスタの前記制御電圧を低下させる第2の制御トランジスタと、
カソードが前記第2の制御トランジスタの制御端に接続され、アノードが前記直流電源の他方の端子と前記第1のトランジスタの電流路の他端とに接続された第2のダイオードと、を備えた、
ことを特徴とするスイッチ回路の突入電流防止回路。 - 前記第1の制御トランジスタの電流路に直列に接続された平滑コンデンサをさらに備える、
ことを特徴とする請求項1に記載のスイッチ回路の突入電流防止回路。 - 前記電流検出部は、前記平滑コンデンサの充電電流の電流値を電圧値に変換する電流検出抵抗によって構成されたものであり、
前記電流検出抵抗の抵抗値は、前記平滑コンデンサに流れ込む充電電流の電流値が予め設定された上限値に達したときに、前記電流検出抵抗の両端に発生した電圧が、前記第2の制御トランジスタの動作電圧を超えるように設定された、
ことを特徴とする請求項2に記載のスイッチ回路の突入電流防止回路。
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