JP5475940B2

JP5475940B2 - スラリー法による包接化合物の製造法

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Publication number: JP5475940B2
Application number: JP2006013218A
Authority: JP
Inventors: 夏樹天野倉; 優美金子
Original assignee: Nippon Soda Co Ltd
Current assignee: Nippon Soda Co Ltd
Priority date: 2006-01-20
Filing date: 2006-01-20
Publication date: 2014-04-16
Anticipated expiration: 2026-01-20
Also published as: JP2007191450A

Description

本発明は、包接化合物の新規な製造方法に関し、詳しくは、特定のイミダゾール誘導体やポリアミンをゲスト化合物とし、テトラキスフェノールをホスト化合物とする包接化合物の新規な製造方法に関する。

二種以上の化合物が水素結合やファンデルワールス力などに代表される、共有結合以外の比較的弱い相互作用によって結合した分子化合物の一つとして、従来から知られる包接化合物は、簡単な操作によってもとの各成分化合物に解離する性質を有することから、近年、有用物質の選択分離、化学的安定化、不揮発化、徐放化、粉末化などの技術分野における応用が期待されている。

包接化合物として種々のものが報告されているが（例えば、特許文献１〜３参照）、包接化合物の機能は、個々の成分化合物がどのように集合するかによって決まるため、包接化合物を製造する上では集合形態の制御が極めて重要となる。

包接化合物の製造方法としては、例えば、ホスト化合物の溶解性が高い溶媒中に、ホスト化合物を十分に溶解させ、該溶液中にゲスト化合物を加えて反応させる方法や、ゲスト化合物の溶解性が高い溶媒中に、ゲスト化合物を十分に溶解させ、該溶液中にホスト化合物を加えて反応させる方法が一般的に行われている。これらの方法では、両化合物をいったん溶解し反応させた後、該溶液を冷却することにより、包接化合物を晶析させている。しかし、この方法は、ホスト化合物及びゲスト化合物のいずれかが、溶媒に高い溶解性を有することを前提とする方法であり、ホスト化合物及びゲスト化合物が共に溶媒への溶解性が低い場合は、包接化合物を製造することができないか、又は製造することができたとしても、かなり効率が悪く、実用的なレベルで製造することはできなかった。

一方、包接化合物の別の製造方法として、例えば特許文献４には、固体ホスト化合物と固体ゲスト化合物、又は固体ホスト化合物と液体ゲスト化合物とを混合及び／又は混練することにより安定性の向上した分子化合物を製造する方法がいくつか記載されており、そのうちのひとつとして、固体ホスト化合物、固体ゲスト化合物及び液体ゲスト化合物に対する貧溶媒を添加して混合及び／又は混練する工程を含む製造方法（混練法）が開示されている。このような混練法は、ニーダー等を用いることにより、大きなスケールで安価に包接化合物を製造することができるという利点があるが、加熱により溶媒が蒸発して製造区域内の空気中に広がり、さらには外気へと放出してしまう可能性があるため、有機溶媒を使用することはできない。

特開昭６１−５３２０１号公報特開昭６２−２２７０１号公報特開平６−１６６６４６号公報特開２００２−１７９５９７号公報

本発明の課題は、溶媒への溶解度がかなり低いホスト化合物及びゲスト化合物と該溶媒とを用いた場合であっても、包接化合物を製造することが可能な包接化合物の製造方法を提供することにある。また、本発明の課題は、溶媒への溶解度が低く、晶析法や混練法では効率よく包接化合物を製造することが困難なホスト化合物やゲスト化合物を用いた場合であっても、包接化合物を効率よく製造することが可能な、包接化合物の製造方法を提供することにある。

１，１，２，２−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタン(以下、「ＴＥＰ」という)及び２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（以下、「２Ｐ４ＭＨＺ」という）は、共に、酢酸エチル等の有機溶媒や水への溶解度がかなり低い。上記の従来技術でも述べたように、再結晶法は、ホスト化合物及びゲスト化合物のいずれかが、溶媒に高い溶解性を有することを前提とする方法であるため、１，１，２，２−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタンをホスト化合物とし、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールをゲスト化合物とし、酢酸エチルを溶媒として、再結晶法を行っても包接化合物は得られないと考えられた。実際、本発明者らは、ＴＥＰをホスト化合物、２Ｐ４ＭＨＺをゲスト化合物、酢酸エチルを溶媒として再結晶法により、包接化合物の製造を試みたが、包接化合物は得られなかった。また、混練法では有機溶媒は使用できないので、溶媒を水とし、ＴＥＰをホスト化合物、２Ｐ４ＭＨＺをゲスト化合物として用いて混練法により包接化合物の製造を試みたが、包接化合物は得られなかった。
しかし、本発明者らは、鋭意検討し、ＴＥＰ及び２Ｐ４ＭＨＺを溶媒中に懸濁させ、該懸濁液を加熱還流することにより、包接化合物を製造することが可能となることを見い出し、本発明を完成するに至った。

すなわち本発明は、（１）式（Ｉ）

[式（Ｉ）中、Ｒ₁及びＲ₂は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ６アルキル基、又は水素原子を表す。］で表される化合物（Ｉ）及び／又は式（II）

[式（II）中、Ｒ₃〜Ｒ₆は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基又はエチル基を表す。]で表される化合物（II）と、式（III）

（式（III）中、Ｘは、（ＣＨ₂）_nを表し、ｎは、０、１、２又は３であり、Ｒ₇ 〜Ｒ₁₄ は、それぞれ独立して、水素原子、低級アルキル基、置換されていてもよいフェニル基、ハロゲン原子又は低級アルコキシ基を示す。）で表される化合物（III）と、溶媒とを含む懸濁液を加熱還流させる工程を有することを特徴とする包接化合物の製造方法や、（２）溶媒が、化合物（Ｉ）及び化合物（III）、又は化合物（II）及び化合物（III）に対する貧溶媒であることを特徴とする上記（１）に記載の包接化合物の製造方法や、（３）化合物（Ｉ）が、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール又は２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールであり、化合物（II）が、４，４’−ジアミノ−ジフェニルメタン、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノ−ジフェニルメタン及び３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノ−５，５’−ジメチル−ジフェニルメタンからなる群から選ばれるいずれか１つ又は２つ以上の化合物であり、化合物（III）が、１，１，２，２−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタンであることを特徴とする上記（１）又は（２）に記載の包接化合物の製造方法や、（４）貧溶媒が、エステル系溶媒、ハロゲン化炭化水素溶媒、芳香族炭化水素溶媒、及び／又はケトン系溶媒であることを特徴とする上記（２）又は（３）に記載の包接化合物の製造方法に関する。

本発明の包接化合物の製造方法によれば、溶媒への溶解度がかなり低いホスト化合物及びゲスト化合物と該溶媒とを用いた場合であっても包接化合物を製造することが可能となる。また、溶媒への溶解度が低く、晶析法や混練法では効率よく包接化合物を製造することが困難なホスト化合物やゲスト化合物を用いた場合であっても、本発明の包接化合物の製造方法によれば、包接化合物を効率よく製造することが可能となる。

本発明の包接化合物の製造方法としては、化合物（Ｉ）及び／又は化合物（II）と、化合物（III）と、溶媒とを含む懸濁液を加熱還流させる工程を有する限り特に制限されるものではない。ここで包接化合物とは、原子又は分子が結合してできた三次元構造の内部に適当な大きさの空孔があり、その中に他の原子又は分子が、非共有結合的な相互作用（例えば、水素結合やファンデルワールス力などに代表される共有結合以外の比較的弱い相互作用）により一定の組成比で入り込んだ物質をいう。かかる包接化合物は、有用物質であるゲスト化合物の選択分離、ゲスト化合物の化学的安定化、不揮発化及び粉末化を可能とする機能を有している点で有用な物質である。また、本発明の包接化合物には、二種類以上のゲスト化合物を反応させることにより得られる、三成分以上の多成分からなる包接化合物も含まれる。さらに、包接化合物の結晶性は主にＸ線回折により確認することができ、また同一組成の包接化合物における結晶多形の存在は熱分析、Ｘ線回折、固体ＮＭＲ等により確認することができる。

本発明における包接化合物においては、化合物（Ｉ）で表されるイミダゾール誘導体及び／又は化合物（II）で表されるポリアミンがゲスト化合物となる。これらの化合物は、上述したような原子又は分子が結合してできた三次元構造の内部の空孔に、一定の組成で取り込まれ、特定の構造を構築し得る。本発明の包接化合物の製造方法においては、化合物（Ｉ）及び化合物（II）のいずれか一方のみを用いてもよいし、化合物（Ｉ）及び化合物（II）を両方用いてもよい。

式（Ｉ）中、Ｒ₁及びＲ₂は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ６アルキル基、又は水素原子を表す。化合物（Ｉ）としては、式（Ｉ）で表される化合物である限り特に制限はされないが、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール及び２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールであることが実用上好ましい。また、本発明における包接化合物の製造方法においては、化合物（Ｉ）を１種単独で用いてもよいし、２種以上の化合物（Ｉ）を併用してもよい。

式（II）中、Ｒ₃〜Ｒ₆は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基又はエチル基を表す。化合物（II）としては、式（II）で表される化合物である限り特に制限はされないが、４，４’−ジアミノ−ジフェニルメタン、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノ−ジフェニルメタン及び３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノ−５，５’−ジメチル−ジフェニルメタンであることが実用上好ましい。また、本発明における包接化合物の製造方法においては、化合物（II）を１種単独で用いてもよいし、２種以上の化合物（II）を併用してもよい。

本発明における包接化合物においては、化合物（III）で表されるテトラキスフェノール系化合物がホスト化合物となる。この化合物は、上述したような原子又は分子が結合してできた三次元構造の内部の空孔に、他の原子又は分子を一定の組成で取り込んで、特定の構造を構築し得る。

式（III）中、Ｘは、（ＣＨ₂）_nを表し、ｎは、０、１、２又は３であり、Ｒ₇ 〜Ｒ₁₄としては、互いに同一又は相異なっていてもよく、例えば、水素原子；水酸基；メチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基等のＣ₁〜Ｃ₆の低級アルキル基；Ｃ₁〜Ｃ₆の低級アルキル基やハロゲン原子などで置換されていてもよいフェニル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等のハロゲン原子；又はメトキシ基、エトキシ基、ｔ−ブトキシ基等のＣ₁〜Ｃ₆の低級アルコキシ基などを示す。化合物（III）としては、式（III）で表される化合物である限り特に制限はされないが、具体的な例として、１，１，２，２−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２，２−テトラキス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２，２−テトラキス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２，２−テトラキス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２，２−テトラキス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２，２−テトラキス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２，２−テトラキス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２，２−テトラキス（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２，２−テトラキス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２，２−テトラキス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２，２−テトラキス（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２，２−テトラキス（３−メトキシ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２，２−テトラキス（３，５−ジメトキシ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２，２−テトラキス（３−クロロ−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２，２−テトラキス（３−ブロモ−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２，２−テトラキス（３−メトキシ−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２，２−テトラキス（３−ｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２，２−テトラキス（３−クロロ−５−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２，２−テトラキス（３−クロロ−５−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２，２−テトラキス［（４−ヒドロキシ−３−フェニル）フェニル］エタン、１，１，３，３−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，３，３−テトラキス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，３，３−テトラキス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，３，３−テトラキス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，３，３−テトラキス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，３，３−テトラキス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，３，３−テトラキス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，３，３−テトラキス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，３，３−テトラキス（３，５−ジフェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，３，３−テトラキス（３−メトキシ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，３，３−テトラキス（３，５−ジメトキシ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，３，３−テトラキス（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，３，３−テトラキス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，４，４−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１，４，４−テトラキス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１，４，４−テトラキス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１，４，４−テトラキス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１，４，４−テトラキス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１，４，４−テトラキス（３−メトキシ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１，４，４−テトラキス（３，５−ジメトキシ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１，４，４−テトラキス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１，４，４−テトラキス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１，４，４−テトラキス（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１，４，４−テトラキス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン等を例示することができ、中でも１，１，２，２−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタン（ＴＥＰ）を実用上好ましく例示することができる。本発明における包接化合物の製造方法においては、化合物（III）を１種単独で用いてもよいし、２種以上の化合物（III）を併用してもよい。

また、本発明に用いられる溶媒としては、化合物（Ｉ）及び化合物（III）に対する貧溶媒；化合物（II）及び化合物（III）に対する貧溶媒；化合物（Ｉ）、化合物（II）及び化合物（III）に対する貧溶媒；のいずれかであればよい。ここで、例えば、化合物Ｘ及び化合物Ｙに対する貧溶媒とは、室温における化合物Ｘの溶解度、及び室温における化合物Ｙの溶解度が、それぞれ５ｇ／１００ｍｌ以下、好ましくは２ｇ／１００ｍｌ以下、より好ましくは１ｇ／１００ｍｌ以下である溶媒を意味する。化合物（Ｉ）、化合物（II）や化合物（III）の溶解度がより低い溶媒である場合は、本発明の効果をより多く享受することができる。
本発明に用いられる溶媒として、具体的には、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒；ジクロルメタン、クロロホルム、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒を例示することができ、中でもエステル系溶媒及びケトン系溶媒を好ましく例示することができ、さらに酢酸エチルを特に好ましく例示することができる。

包接化合物を製造する際の懸濁液中の、溶媒に対するホスト及びゲストの含有量としては、本発明における包接化合物が得られる限り特に制限されないが、１０〜３０％（ｗ／ｖｏｌ）の範囲内であることが好ましく、２０％（ｗ／ｖｏｌ）であることがより好ましい。

本発明の包接化合物の製造方法は、化合物（Ｉ）及び／又は化合物（II）と、化合物（III）と、溶媒とを含む懸濁液を加熱還流させる工程を有する。懸濁液の調製方法については特に制限はなく、溶媒に化合物（Ｉ）及び／又は化合物（II）を添加した後、化合物（III）を添加してもよいし、溶媒に化合物（III）を添加した後、化合物（Ｉ）及び／又は化合物（II）を添加してもよいし、化合物（III）と、化合物（Ｉ）及び／又は化合物（II）とを同時に溶媒に添加してもよいし、化合物（Ｉ）及び／又は化合物（II）と、化合物（III）とをあらかじめ混合した後、その混合物を溶媒に添加してもよい。また、本発明における前記工程には、化合物（Ｉ）及び／又は化合物（II）と、化合物（III）と、溶媒とを含む液体であって、まだ懸濁されていない溶液を、加熱還流することによって懸濁させる場合も含まれる。

本発明における「加熱還流させる」とは、上記の懸濁液を加熱することにより、該懸濁液を還流させる限り、特に制限はないが、０．５〜１２時間加熱還流させることが好ましく、１〜６時間加熱還流させることがより好ましい。なお、上記の懸濁液を加熱還流させる際には、該懸濁液の温度は、用いる溶媒の沸点近辺の温度となる。

本発明の包接化合物の製造方法は、本発明の効果が損なわれない範囲で、化合物（Ｉ）及び／又は化合物（II）と、化合物（III）と、溶媒とを含む懸濁液を加熱還流させる工程（以下、「工程Ａ」という）の他の工程を有していてもよい。他の工程として例えば、工程Ａの後に該懸濁液を冷却する工程；冷却したその液体を濾過する工程；濾過して得られた物質を乾燥させて、包接化合物の結晶を得る工程；ホスト化合物やゲスト化合物が固体の場合に、工程Ａの前に、該ホスト化合物や該ゲスト化合物を粉砕する工程；等が挙げられる。ここで、ホスト化合物やゲスト化合物の粒径は、本発明の効果が得られる限り特に制限されないが、平均粒径を５０μｍ以下とすることが好ましく、２０μｍ以下とすることがより好ましい。

化合物（Ｉ）及び化合物（III）を用いて得られる包接化合物（イミダゾール包接化合物）は、エポキシ樹脂を硬化させる用途、例えば、エポキシ樹脂系接着剤、半導体封止材、プリント配線板用積層板、ワニス、粉体塗料、注型材料、インク等の用途に好適に使用することができる。また、化合物（II）及び化合物（III）を用いて得られる包接化合物は、前述の、エポキシ樹脂を硬化させる用途の他に、ウレタン樹脂の硬化触媒としても好適に使用することができる。なお、化合物（II）及び化合物（III）を用いて得られる包接化合物として、例えば、４，４’−ジアミノフェニルメタンのＴＥＰ包接体を例示することができる。該包接体は、樹脂の硬化剤として好適に用いることができる。

以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明の技術的範囲はこれらの例示に限定されるものではない。

（実施例１）
４．３８ｇ(１１ｍｍｏｌ)の１，１，２，２−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタン（ＴＥＰ）、及び３．７６ｇ(２０ｍｍｏｌ)の２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＨＺ）を１００ｍｌ三口フラスコに秤取り、そこに４０ｍｌの酢酸エチルを加え、還流条件化で３時間撹拌した。フラスコ内の液体は、反応中、懸濁状態であった。還流条件化で３時間撹拌した後、フラスコを室温で放置して室温まで冷却し、結晶分を析出させた。その結晶分を濾取し、乾燥させた。乾燥して得られた結晶に、ＴＧ−ＤＴＡ測定（熱分析）、粉末Ｘ線回析測定を実施し、包接比（ＴＥＰ：２Ｐ４ＭＨＺ）＝１．１：２という包接化合物（実施例１）であることを確認した。実施例１の熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャート及び粉末Ｘ線回析のチャートをそれぞれ図１及び図２に示す。また、２Ｐ４ＭＨＺの熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを図３、ＴＥＰの粉末Ｘ線解析のチャートを図４、２Ｐ４ＭＨＺの粉末Ｘ線解析のチャートを図５に示す。これらのチャートを比較することにより、実施例１で得られた結晶が包接体（包接化合物）であることを確認した。

（実施例２）
２Ｐ４ＭＨＺの代わりに２−メチル−イミダゾール（２ＭＺ）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法により、結晶（実施例２）を得た。実施例２の熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャート及び粉末Ｘ線回析のチャートをそれぞれ図６及び図７に示す。また、２ＭＺの熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）及び粉末Ｘ線回析のチャートを、それぞれ図８及び図９に示す。これらのチャートを比較することにより、実施例２で得られた結晶が包接体（包接化合物）であることを確認した。

（実施例３）
２Ｐ４ＭＨＺの代わりに２−フェニル−イミダゾール（２ＰＺ）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法により、結晶（実施例３）を得た。実施例３の熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを図１０に示す。また、２ＰＺの熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを図１１に示す。これらのチャートを比較することにより、実施例３で得られた結晶が包接体（包接化合物）であることを確認した。

（実施例４）
２Ｐ４ＭＨＺの代わりに２，４−ジメチル−イミダゾールを用いたこと以外は、実施例１と同様の方法により、結晶（実施例４）を得た。実施例４の熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを図１２に示す。また、２，４−ジメチル−イミダゾールの熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを図１３に示す。これらのチャートを比較することにより、実施例４で得られた結晶が包接体（包接化合物）であることを確認した。

（実施例５）
２Ｐ４ＭＨＺの代わりに１−ブチル−イミダゾールを用いたこと以外は、実施例１と同様の方法により、結晶（実施例５）を得た。実施例５の熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを図１４に示す。また、１−ブチル−イミダゾールの熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを図１５に示す。これらのチャートを比較することにより、実施例５で得られた結晶が包接体（包接化合物）であることを確認した。

（実施例６）
２Ｐ４ＭＨＺの代わりに２−プロピル−イミダゾールを用いたこと以外は、実施例１と同様の方法により、結晶（実施例６）を得た。実施例６の熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを図１６に示す。また、２−プロピル−イミダゾールの熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを図１７に示す。これらのチャートを比較することにより、実施例６で得られた結晶が包接体（包接化合物）であることを確認した。

（実施例７）
２Ｐ４ＭＨＺの代わりに４−メチル−イミダゾールを用いたこと以外は、実施例１と同様の方法により、結晶（実施例７）を得た。実施例７の熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを図１８に示す。また、４−メチル−イミダゾールの熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを図１９に示す。これらのチャートを比較することにより、実施例７で得られた結晶が包接体（包接化合物）であることを確認した。

（実施例８）
２Ｐ４ＭＨＺの代わりに１−メチル−イミダゾールを用いたこと以外は、実施例１と同様の方法により、結晶（実施例８）を得た。実施例８の熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを図２０に示す。また、１−メチル−イミダゾールの熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを図２１に示す。これらのチャートを比較することにより、実施例８で得られた結晶が包接体（包接化合物）であることを確認した。

実施例１の包接化合物の熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを示す図である。実施例１の包接化合物の粉末Ｘ線回析のチャートを示す図である。２Ｐ４ＭＨＺの熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを示す図である。ＴＥＰの粉末Ｘ線回析のチャートを示す図である。２Ｐ４ＭＨＺの粉末Ｘ線回析のチャートを示す図である。実施例２の包接化合物の熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを示す図である。実施例２の包接化合物の粉末Ｘ線回析のチャートを示す図である。２ＭＺの熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを示す図である。２ＭＺの粉末Ｘ線回析のチャートを示す図である。実施例３の包接化合物の熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを示す図である。２ＰＺの熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを示す図である。実施例４の包接化合物の熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを示す図である。２，４−ジメチル−イミダゾールの熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを示す図である。実施例５の包接化合物の熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを示す図である。１−ブチル−イミダゾールの熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを示す図である。実施例６の包接化合物の熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを示す図である。２−プロピル−イミダゾールの熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを示す図である。実施例７の包接化合物の熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを示す図である。４−メチル−イミダゾールの熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを示す図である。実施例８の包接化合物の熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを示す図である。１−メチル−イミダゾールの熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）のチャートを示す図である。

Claims

式（Ｉ）
[式（Ｉ）中、Ｒ₁及びＲ₂は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ６アルキル基、又は水素原子を表す。］で表される化合物（Ｉ）と、式（III）
（式（III）中、Ｘは、（ＣＨ₂）_nを表し、ｎは、０、１、２又は３であり、Ｒ₇ 〜Ｒ₁₄ は、それぞれ独立して、水素原子、低級アルキル基、置換されていてもよいフェニル基、ハロゲン原子又は低級アルコキシ基を示す。）で表される化合物（III）と、前記式（Ｉ）で表される化合物及び式（III）で表される化合物それぞれの室温における溶解度が５ｇ／１００ｍｌ以下であって、エステル系溶媒、ハロゲン化炭化水素溶媒、芳香族炭化水素溶媒及びケトン系溶媒からなる群より選ばれる溶媒とを含む懸濁液を加熱還流させる工程を有することを特徴とする包接化合物の製造方法。
化合物（Ｉ）が、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール又は２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールであり、化合物（III）が、１，１，２，２−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタンであることを特徴とする請求項１に記載の包接化合物の製造方法。