JP5471014B2 - 光導波路、光配線、光電気混載基板、電子機器および光導波路の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、光導波路、光配線、光電気混載基板、電子機器および光導波路の製造方法に関するものである。

これまで、光導波路用材料としては、ガラス（石英）やプラスチックなどさまざまな材料が検討されている。このような光導波路用材料の中には、酸発生剤で材料の硬化やパターニングを行い光導波路を形成する手法が多く見られる（例えば、特許文献１参照）。

このような酸発生剤を用いて形成した光導波路を長期にわたって使用すると残留した酸が構成材料の分解の触媒として働いたり、周辺の金属部材を腐食したりする等の問題が生じる場合があった。

特開２０００−６６０５１号公報

本発明の目的は、上記従来の問題点に鑑み、長期信頼性に優れた光導波路、光配線、光電気混載基板、電子機器を提供することにある。
また、本発明の目的は、上述したような光導波路の製造方法を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（１８）に記載の本発明により達成される。
（１）第１樹脂と、酸発生剤または酸発生剤に由来する酸と、を含む第１層と、
前記第１層の少なくとも一方の面に積層され、前記第１樹脂と異なる第２樹脂と酸捕捉剤とを含み、かつ前記第１層よりも屈折率が低い第２層と、
を有し、
前記第２層における前記第２樹脂に対する前記酸捕捉剤の含有率は、前記第１層における前記第１樹脂に対する前記酸発生剤の含有率または前記酸発生剤に由来する酸の含有率より大きいことを特徴とする光導波路。
（２）前記第１層の他方の面に、さらに前記第１樹脂と異なる第３樹脂を含み、かつ前記第１層よりも屈折率が低い第３層を積層してなる上記（１）に記載の光導波路。
（３）前記第３層は、さらに酸捕捉剤を含むものである上記（２）に記載の光導波路。
（４）前記酸捕捉剤は、アミン系化合物である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の光導波路。
（５）前記アミン化合物が、３級アミンである上記（４）に記載の光導波路。
（６）前記アミン化合物が、イミダゾール類である上記（５）に記載の光導波路。
（７）前記第１樹脂は、環状オレフィン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリアミド系樹脂およびアクリル系樹脂から選ばれる１種以上の樹脂である上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の光導波路。
（８）前記第１樹脂は、酸発生剤の作用により解裂または架橋を生じるものである上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の光導波路。
（９）上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の光導波路を備えたことを特徴とする光配線。
（１０）電気配線と、上記（９）に記載の光配線とを、有することを特徴とする光電気混載基板。
（１１）上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の光導波路を備えたことを特徴とする電子機器。
（１２）第１樹脂と酸発生剤とを含む第１樹脂組成物で構成されている第１層の少なくとも一方の面に、第１樹脂と異なる第２樹脂および酸捕捉剤を含む第２樹脂組成物で構成され、かつ前記第１層よりも屈折率が低い第２層を積層する積層工程と、
前記第１層に選択的に活性エネルギー線を照射して屈折率の異なる部位を形成する照射工程と、
を有し、
前記第２樹脂組成物における前記第２樹脂に対する前記酸捕捉剤の含有率は、前記第１樹脂組成物における前記第１樹脂に対する前記酸発生剤の含有率より大きいことを特徴とする光導波路の製造方法。
（１３）前記照射工程の後に、前記積層工程を実施するものである上記（１２）に記載の光導波路の製造方法。
（１４）前記第１層の他方の面に、さらに前記第１樹脂と異なる第３樹脂を含む第３樹脂組成物で構成され、かつ前記第１層よりも屈折率が低い第３層を積層する工程を有するものである上記（１２）または（１３）に記載の光導波路の製造方法。
（１５）前記第３樹脂組成物は、さらに酸捕捉剤を含むものである上記（１４）に記載の光導波路の製造方法。
（１６）前記酸捕捉剤の含有量は、前記第２樹脂１００重量部に対して０．０１〜１０重量部である上記（１２）ないし（１４）のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
（１７）前記酸捕捉剤は、前記活性エネルギー線の照射でコア部と、クラッド部とを形成した後に、残存する酸を捕捉するために用いるものである上記（１２）ないし（１６）のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
（１８）前記第１樹脂組成物は、さらに前記酸発生剤の作用により重合するモノマーを含む上記（１２）ないし（１７）のいずれかに記載の光導波路の製造方法。

本発明によれば、長期信頼性に優れた光導波路、光配線、光電気混載基板、電子機器および光導波路の製造方法を提供することができる。

第１層の形成方法を説明するための断面図である。 第２層の形成方法を説明するための断面図である。 第３層の形成方法を説明するための断面図である。 光導波路の製造方法を説明するための断面図である。 光導波路を説明するための断面図である。 光導波路の他の実施形態を説明するための断面図である。

以下、本発明の光導波路、光配線、光電気混載基板、電子機器および光導波路の製造方法について説明する。
本発明の光導波路は、第１樹脂と、酸発生剤および／または酸発生剤に由来する酸とを含む第１層と、前記第１層の少なくとも一方の面に、前記第１樹脂と異なる第２樹脂を含み、かつ前記第１層よりも屈折率が低い第２層とが積層してなる光導波路であって、前記第２層は、さらに酸捕捉剤を含むことを特徴とする。
また、本発明の光配線は、上記に記載の光導波路を備えたことを特徴とする。
また、本発明の光電気混載基板は、電気配線と、上記に記載の光配線とを、有することを特徴とする。
また、本発明の電子機器は、上記に記載の光導波路を備えたことを特徴とする。
また、本発明の光導波路の製造方法は、第１樹脂と酸発生剤とを含む第１樹脂組成物で構成されている第１層の少なくとも一方面に、第１樹脂と異なる第２樹脂を含む第２樹脂組成物で構成され、かつ前記第１層よりも屈折率が低い第２層を少なくとも積層してなる光導波路の製造方法であって、前記第２樹脂組成物は、さらに酸捕捉剤を含むことを特徴とする。

まず、光導波路の製造方法および光導波路について、好適な図面に基づいて説明する。図１〜図３は、それぞれ第１層、第２層、第３層の形成方法を説明するための断面図である。

（第１実施形態）
まず、第１層の形成方法について説明する。
第１樹脂と、酸発生剤とを含む第１樹脂組成物を、溶剤に溶解したワニス１の状態で、支持基板２に塗布する（図１ａ）。
この支持基板２を換気されたレベルテーブルに置いて、液状被膜表面の不均一な部分を水平化すると共に、溶媒を蒸発（脱溶媒）することにより第１層３を形成する（図１ｂ）。

ワニス１は、第１樹脂と、酸発生剤とを含む前記第１樹脂組成物で構成されており、これにより、紫外線等の活性放射線の照射により、第１層３へのパターニングが可能となっている。
このような第１樹脂は、前記酸発生剤の作用により解裂、架橋等の化学変化を生じる樹脂が好ましい。
このような前記酸発生剤の作用により、解裂、架橋等の化学変化を生じる樹脂としては、例えば酸発生剤の作用により、少なくとも一部の結合が切断したり、少なくとも一部の官能基が脱離したりして、化学構造が変化し得る材料が挙げられる。
具体的には、ポリシラン（例：ポリメチルフェニルシラン）、ポリシラザン（例：ペルヒドロポリシラザン）等のシラン系樹脂や、前述したような構造変化を伴う材料のベースとなる樹脂としては、分子の側鎖または末端に官能基を有する以下の（１）〜（６）のような樹脂が挙げられる。（１）ノルボルネン型モノマーを付加（共）重合して得られるノルボルネン型モノマーの付加（共）重合体、（２）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との付加共重合体、（３）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、および必要に応じて他のモノマーとの付加共重合体、（４）ノルボルネン型モノマーの開環（共）重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（５）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（６）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、または他のモノマーとの開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂等のノルボルネン系樹脂等が挙げられる。

前記分子鎖の側鎖または末端の官能基としては、例えばカチオンの作用により離脱する酸離脱性基が挙げられ、具体的には−Ｏ−構造、−Ｓｉ−アリール構造および−Ｏ−Ｓｉ−構造のうちの少なくとも１つを有するものが挙げられる。これらの中でも特に、−Ｓｉ−ジフェニル構造および−Ｏ−Ｓｉ−ジフェニル構造の少なくとも一方であることが好ましい。

また、第１樹脂組成物に、前記酸発生剤の作用により変化（重合）する他のモノマー等が含まれている場合には、前記第１樹脂は前述した樹脂以外に、例えばノルボルネン系樹脂やベンゾシクロブテン系樹脂の環状オレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾールが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（ポリマーアロイ、ポリマーブレンド（混合物）、共重合体など）用いることができる。これらの中でも、特に、ノルボルネン系樹脂（ノルボルネン系ポリマー）を主とするものが好ましい。樹脂成分としてノルボルネン系ポリマーを用いることにより、優れた光伝送性能や耐熱性を有する光導波路を得ることができる。
また、ノルボルネン系ポリマーは、高い疎水性を有するため、吸水による寸法変化を生じ難い光導波路を得ることができる。

ノルボルネン系ポリマーとしては、単独の繰り返し単位を有するもの（ホモポリマー）、２つ以上のノルボルネン系繰り返し単位を有するもの（コポリマー）のいずれであってもよい。
このようなノルボルネン系ポリマーとしては、たとえば、（１）ノルボルネン型モノマーを付加（共）重合して得られるノルボルネン型モノマーの付加（共）重合体、（２）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との付加共重合体、（３）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、および必要に応じて他のモノマーとの付加共重合体のような付加重合体、（４）ノルボルネン型モノマーの開環（共）重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（５）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（６）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、または他のモノマーとの開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加したポリマーのような開環重合体が挙げられる。これらの重合体としては、たとえば、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体が挙げられる。これらの中でも、（１）ノルボルネン型モノマーを付加（共）重合して得られるノルボルネン型モノマーの付加（共）重合体が耐熱性に優れる点で好ましい。

前記第１樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、１，０００〜１，０００，０００が好ましく、特に５，０００〜５００，０００が好ましく、最も１０，０００〜２００，０００が好ましい。重量平均分子量（Ｍｗ）が前記範囲内であると、耐熱性とコア表面の平滑性とのバランスがとれて、結果として光学特性に優れた光導波路を製造できる。
前記重量平均分子量は、例えばシクロヘキサン又はトルエンを有機溶剤とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算で評価することができる。

前記酸発生剤としては、例えば光酸発生剤、熱酸発生剤等が挙げられる。これらの酸発生剤中でも光酸発生剤が好ましい。これにより、フォトマスク等を用いて任意のデザインの光導波路をパターニングすることができる。
前記光酸発生剤としては、例えばトリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム−トリフルオロメタンスルホネート、ジメチル（２−（２−ナフチル）−２−オキソエチル）スルホニウム−テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなどのスルホニウム塩類、ｐ−ニトロフェニルジアゾニウムヘキサフルオロホスフェートなどのジアゾニウム塩類、アンモニウム塩類、ホスホニウム塩類、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、（トリキュミル）ヨードニウム−テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなどのヨードニウム塩類、キノンジアジド類、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタンなどのジアゾメタン類、１−フェニル−１−（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ−１−ベンゾイルメタン、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンサルホネートなどのスルホン酸エステル類、ジフェニルジスルホンなどのジスルホン類、トリス（２，４，６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３，４−メチレンジオキシフェニル）−４，６−ビス−（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンなどのトリアジン類などを例示できる。

前記熱酸発生剤としては、例えば２−ニトロベンジルトシレートなどのニトロベンジルトシレート類、ベンジルアニリニウムスルホネート類、ビススルホニルジアゾメタン類、アリールスルフィン酸類、２−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネートや３−メチル−２−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネートなどヘキサフルオロアンチモネート類、トリフルオロメタンスルホネート類、トルフルオロ酢酸エステルなどのトリハロ酢酸等を例示できる。

このような酸発生剤の前記第１樹脂組成物中の含有量は、特に限定されないが、前記第１樹脂１００重量部に対して０．１〜１０重量部が好ましく、特に０．５〜５重量部が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に耐熱性に優れる。なお、重合開始温度を調整するために、前記重合開始剤を複数種混合して用いることも可能である。

前記酸発生剤の作用により変化する他のモノマーとしては、例えば前記酸発生剤の作用により重合可能なモノマー等が挙げられる。
具体的には、ノルボルネン系モノマー、アクリル酸（メタクリル酸）系モノマー、エポキシ系モノマー、スチレン系モノマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらの中でもモノマーとしては、ノルボルネン系モノマーを用いるのが好ましい。ノルボルネン系モノマーを用いることにより、光伝送性能に優れ、かつ、耐熱性および柔軟性に優れる光導波路を得ることができる。

次に、第２層５を、上述した第１層３を形成したのと同様に、第２樹脂と、酸捕捉剤とを含む第２樹脂組成物を、溶剤に溶解したワニス４の状態で支持基板２に塗布・乾燥して第２層５を形成する（図２）。
ここで、第２層５を構成する第２樹脂組成物は、前記第１樹脂と異なる第２樹脂を含んでおり、かつ酸捕捉剤を含んでいる。この酸捕捉剤により、第１層３で発生した酸の残渣を中和することができ、それによって第１層３中に残存する酸の量を低減することができ、それによって酸の作用が原因で生じる長期信頼性の低下を抑制することができる。

ここで、前記第２樹脂としては、前述した第１層３よりも第２層５の屈折率が低くなるような樹脂であれば特に限定されず、例えばノルボルネン系樹脂などの環状オレフィン樹脂、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂、ポリシラン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリベンザオキサゾール樹脂などを例示できる。これらの中でも前記第１樹脂と類似の樹脂が好ましい。これにより、第１層３と第２層５との密着性を向上することができる。例えば、第１樹脂がノルボルネン系樹脂であれば、第２樹脂としても構造の異なるノルボルネン系樹脂が好ましい。

また、前記酸捕捉剤としては、例えばアミン類、アミド類、イミド類、カーバメート類、アンモニウム塩類、エポキシ化合物などを用いることが出来る。具体的な例を挙げるとアミン類としては、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ペンチルアミン、ｔｅｒｔ−アミルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラエチレンペンタミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルテトラエチレンペンタミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ−ｓｅｃ−ブチルアミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルテトラエチレンペンタミン、ジメチルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミン、アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ−エチルアニリン、Ｎ−プロピルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチル）アニリン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、エチルアニリン、プロピルアニリン、ジメチルアニリン、２，６−ジイソプロピルアニリン、トリメチルアニリン、２−ニトロアニリン、３−ニトロアニリン、４−ニトロアニリン、２，４−ジニトロアニリン、２，６−ジニトロアニリン、３，５−ジニトロアニリン、２− (ジメチルアミノメチル)フェノール、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルトルイジン、ジフェニル（ｐ−トリル）アミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン、ピロール、２Ｈ−ピロール、１−メチルピロール、２，４−ジメチルピロール、２，５−ジメチルピロール、Ｎ−メチルピロール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、イミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、４，５−ジフェニルイミダゾール、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン、２−ウンデシルイミダゾリン、２−ヘプタデシルイミダゾリン、２−イソプロピルイミダゾール、２-ブチルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾリン、２−フェニル−４−メチルイミダゾリン、ベンズイミダゾール、１−シアノエチルイミダゾール、１−ビニルイミダゾール、ピロリン、２−メチル−１−ピロリン、ピロリジン、Ｎ−メチルピロリジン、ピロリジノン、Ｎ−メチルピロリドン、ピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、４−（１−ブチルペンチル）ピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、３−メチル−２−フェニルピリジン、４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、１−メチル−２−ピリドン、４−ピロリジノピリジン、１−メチル−４−フェニルピリジン、２−（１−エチルプロピル）ピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルピリジン、４−（３−フェニルプロピル）ピリジン、ピラジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、インドール、キノリン、３−キノリンカルボニトリル、イソキノリン、カルバゾール、フェノチアジン、ジシアンジアミド、アミノ安息香酸、インドールカルボン酸、ニコチン酸、アラニン、アルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジン、３−アミノピラジン−２−カルボン酸、メトキシアラニン、３−ピリジンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム、２−ヒドロキシピリジン、アミノクレゾール、２，４−キノリンジオール、３−インドールメタノールヒドレート、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、２，２’−イミノジエタノール、２−アミノエタノ−ル、３−アミノ−１−プロパノール、４−アミノ−１−ブタノール、４−（２−ヒドロキシエチル）モルホリン、２−（２−ヒドロキシエチル）ピリジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、１−［２−（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］ピペラジン、ピペリジンエタノール、１−（２−ヒドロキシエチル）ピロリジン、１−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピロリジノン、３−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール、３−ピロリジノ−１，２−プロパンジオール、８−ヒドロキシユロリジン、３−クイヌクリジノール、３−トロパノール、１−メチル−２−ピロリジンエタノール、１−アジリジンエタノール、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）フタルイミド、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）イソニコチンアミド、アミノトリアジンノボラック樹脂、ポリアクリルアミン樹脂、ポリアリルアミン樹脂等が挙げられる。

アミド類としては、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、アセトアニリド、ベンズアニリド、ダイアセトンアクリルアミド等が挙げられる。イミド誘導体としては、フタルイミド、サクシンイミド、マレイミド等が挙げられる。カーバメート誘導体としてはＮ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルアミン、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、１，４−ビス（Ｎ，Ｎ−ジ−ブトキシカルボニル−アミノメチル）ベンゼン、オキサゾリジノン等が挙げられる。アンモニウム塩類としては、ピリジニウム＝ｐ−トルエンスルホネート、トリエチルアンモニウム＝ｐ−トルエンスルホネート、トリオクチルアンモニウム＝ｐ−トルエンスルホネート、トリエチルアンモニウム＝２，４，６−トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トリオクチルアンモニウム＝２，４，６−トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トリエチルアンモニウム＝カンファースルホネート、トリオクチルアンモニウム＝カンファースルホネート、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、テトラエチルアンモニウムヒドロキサイド、テトラブチルアンモニウムヒドロキサイド、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキサイド、テトラメチルアンモニウム＝ｐ−トルエンスルホネート、テトラブチルアンモニウム＝ｐ−トルエンスルホネート、ベンジルトリメチルアンモニウム＝ｐ−トルエンスルホネート、テトラメチルアンモニウム＝カンファースルホネート、テトラブチルアンモニウム＝カンファースルホネート、ベンジルトリメチルアンモニウム＝カンファースルホネート、テトラメチルアンモニウム＝２，４，６−トリイソプロピルベンゼンスルホネート、テトラブチルアンモニウム＝２，４，６−トリイソプロピルベンゼンスルホネート、ベンジルトリメチルアンモニウム＝２，４，６−トリイソプロピルベンゼンスルホネート、テトラメチルアンモニウム＝アセテート、テトラブチルアンモニウム＝アセテート、ベンジルトリメチルアンモニウム＝アセテート、テトラメチルアンモニウム＝ベンゾエート、テトラブチルアンモニウム＝ベンゾエート、ベンジルトリメチルアンモニウム＝ベンゾエート、テトラブチルアンモニウム＝テトラフェニルボラート、テトラブチルアンモニウム＝トリフェニルブチルボラート等が挙げられる。これらの中でも特にトリイソプロピルアミン、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルピリジン、４−（３−フェニルプロピル）ピリジン等の３級アミン化合物や２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール等のイミダゾール類が好ましい。これにより、光導波路の長期信頼性をより向上することができる。

前記酸捕捉剤の前記第２樹脂組成物中の含有量は、第１層３に残存する酸を中和するのに十分な量であれば良く、特に残存する酸の量よりも過剰に含有することが好ましい。その含有量は、第１樹脂組成物の酸発生剤の含有量にもよるが、前記第２樹脂１００重量部に対して０．０１〜１０重量部が好ましく、特に０．１〜５重量部が好ましい。含有量が前記範囲内であると、長期信頼性に優れた光導波路を製造できる。

前記第２樹脂組成物には、上述した第２樹脂および酸捕捉剤以外に、硬化剤、硬化促進剤、消泡剤、レベリング剤、密着助剤、可塑剤等を含んでいても良い。

次に、第３層７を、上述した第１層３を形成したのと同様に、第３樹脂と、酸捕捉剤とを含む第３樹脂組成物を、溶剤に溶解したワニス６の状態で支持基板２に塗布・乾燥して第３層７を形成する（図３）。
ここで、第３樹脂としては、前記第２樹脂と同じものであっても異なっても良いが、同じものであることが好ましい。これにより、光漏れを低減することができる。
前記第３樹脂および前記酸捕捉剤としては、上述したものと同様のものを用いることができる。この酸捕捉剤は、前記第２樹脂組成物で用いるものと同じものであっても異なっていても良い。

前記酸捕捉剤の前記第３樹脂組成物中の含有量は、特に限定されないが、前記第３樹脂１００重量部に対して０．０１〜１０重量部が好ましく、特に０．１〜５重量部が好ましい。含有量が前記範囲内であると、長期信頼性に優れた光導波路を製造できる。

前記第３樹脂組成物には、上述した第３樹脂および酸捕捉剤以外に、硬化剤、硬化促進剤、消泡剤、レベリング剤、密着助剤、可塑剤等を含んでいても良い。

次に、第１層３に対して、開口部８１を有するマスク８を介して選択的に活性エネルギー線８２を照射して、屈折率の異なる部位（具体的には、活性エネルギー線８２が未照射であり、屈折率の高いコア部３１と、活性エネルギー線８２が照射され、コア部３１よりも屈折率の低いクラッド部３２）を形成する（図４）。ここで、活性エネルギー線８２の種類としては、例えば紫外線、電子線、Ｘ線、レーザー等を挙げることができる。
なお、本実施形態においては、活性エネルギー線８２が照射された部分がクラッド部３２となるような場合について説明したが、特に限定されず、活性エネルギー線８２が照射された部分がコア部３１となるようなものでも良い。

ここで、活性エネルギー線８２の照射により、第１層３に屈折率の異なる部位が形成される理由は、いくつか挙げられるが、一例としては、第１樹脂が前記酸発生剤の作用により解裂、架橋等の化学構造に変化が生じるものである場合には、その化学構造の変化に伴って屈折率も変化する。したがって、活性エネルギー線８２が照射された部分と、未照射の部分とで第１層３を構成する樹脂の化学構造が異なり、屈折率が異なる部位が形成されることになる。また、第１樹脂組成物中に酸発生剤の作用により、変化するモノマーが含まれている場合も活性エネルギー線８２が照射された部分と、未照射部とで第１層３を構成する樹脂の化学構造に違いが生じ、それによって屈折率が異なるようになっている。

このようにコア部３１とクラッド部３２とを形成した第１層３の両面に、第１層３よりも屈折率の低い第２層５および第３層７を、例えばロールラミネーターを用いて積層して、例えば１６０℃で２時間加熱することにより、図５に示すような光導波路１０を得る。
図５に示すように光導波路１０は、コア部３１が、コア部３１よりも屈折率の低いクラッド部３２およびクラッド層（第２層５および第３層７）で囲まれている。このように、コア部３１が、屈折率の低いクラッド部３２およびクラッド層に囲まれていることにより、コア部３１に入射した光信号は、クラッド部３２等に侵入することなく、コア部３１内で全反射を繰り返して、光信号が伝播されるようになる。これにより、コア部３１を介しての光信号の授受が可能となる。

この光導波路１０の第１層３には、酸発生剤および／または酸発生剤に由来する酸が含まれている。第１層３を構成する第１樹脂組成物には酸発生剤が含まれており、この酸発生剤は上述した第１層３に屈折率の異なる部位を形成する際に使用される。この際に、全ての酸発生剤が使用されるのではなく、そのまま残存する場合や加熱工程で揮発する場合もある。

この光導波路１０の第２層５には、酸捕捉剤が含まれている。ここで、第２層５を構成する第２樹脂組成物に含まれる酸捕捉剤の量は、前述したように第１樹脂組成物に含まれる酸発生剤の量よりも過剰に配合されている。したがって、第２層５に含まれる酸捕捉剤の量は、第２樹脂組成物中に含まれていた酸捕捉剤のうち第１層３の酸発生剤との中和反応に使用された残りの量となることが予想される。このような光導波路１０が形成された後での第２層５に含まれる酸捕捉剤の量は、特に限定されないが、０．０００１〜５ｗｔ％であることが好ましく、特に０．００１〜３ｗｔ％であることが好ましい。
光導波路１０が形成された後での第２層５に含まれる酸捕捉剤の量は、例えば熱分解ガスクロマトグラフ質量分析計（熱分解ＧＣ−ＭＳ）やバージンアンドトラップガスクロマトグラフ質量分析計（パージアンドトラップＧＣ−ＭＳ）で測定することができる。
例えば熱分解ＧＣ−ＭＳの場合、具体的な条件としては下記のような測定条件を例示できる。
・分析装置
熱分解装置 ；フロンティア・ラボ ＰＹ−２０２０ｉＤ型縦型加熱炉型熱分解装置
ＧＣ ；アジレントテクノロジー ６８９０Ｎ型ガスクロマトグラフ
ＭＳ ；アジレントテクノロジー ５９７５Ｂ型質量検出器
・分析条件
ＧＣ注入口温度 ；３００℃
ＧＣオーブン温度 ；４０℃（５分間保持）→１０℃／分→３００℃（９分間保持）
ＭＳインターフェイス温度 ；３００℃
カラム ；アジレントテクノロジー ＨＰ−５ＭＳ
（５％フェニルポリジメチルシロキサン）
３０ｍ×０．２５ｍｍｉ．ｄ．（膜厚：０．２５μｍ）
注入方法 ；スプリット法（スプリット比：５０／１）
キャリアガス流量 ；Ｈｅ １ｍＬ／分（定流量モード）
ＭＳイオン化方法 ；ＥＩ（電子衝撃）法
ＭＳ検出質量範囲 ；ｍ／ｚ＝２５〜８００
サンプル加熱条件 ；３００℃／１０分

また、第１層３の第２層５と反対側の面には、上述したのと同様の理由で第３層７が設けられている。このような光導波路１０が形成された後での第３層７に含まれる酸捕捉剤の量は、特に限定されないが、０．０００１〜５ｗｔ％であることが好ましく、特に０．００１〜３ｗｔ％であることが好ましい。光導波路１０が形成された後での第３層７に含まれる酸捕捉剤の量は、例えば熱分解ＧＣ−ＭＳやパージアンドトラップＧＣ−ＭＳで測定することができる。
例えば熱分解ＧＣ−ＭＳの場合、具体的な条件としては下記のような測定条件を例示できる。
・分析装置
熱分解装置 ；フロンティア・ラボ ＰＹ−２０２０ｉＤ型縦型加熱炉型熱分解装置
ＧＣ ；アジレントテクノロジー ６８９０Ｎ型ガスクロマトグラフ
ＭＳ ；アジレントテクノロジー ５９７５Ｂ型質量検出器
・分析条件
ＧＣ注入口温度 ；３００℃
ＧＣオーブン温度 ；４０℃（５分間保持）→１０℃／分→３００℃（９分間保持）
ＭＳインターフェイス温度 ；３００℃
カラム ；アジレントテクノロジー ＨＰ−５ＭＳ
（５％フェニルポリジメチルシロキサン）
３０ｍ×０．２５ｍｍｉ．ｄ．（膜厚：０．２５μｍ）
注入方法 ；スプリット法（スプリット比：５０／１）
キャリアガス流量 ；Ｈｅ １ｍＬ／分（定流量モード）
ＭＳイオン化方法 ；ＥＩ（電子衝撃）法
ＭＳ検出質量範囲 ；ｍ／ｚ＝２５〜８００
サンプル加熱条件 ；３００℃／１０分

なお、第１実施形態では、第１層３、第２層５および第３層７を形成した後に、第１層３に活性ネルギー線８２を選択的に照射して屈折率の異なる部位を形成したが、これに限定されず、第１層３を形成し、先に活性エネルギー線８２を選択的に照射して屈折率の異なる部位を形成しても良い。
また、第１層３と、第２層５あるいは第３層７のいずれか一方を先に積層した後、第１層３に活性エネルギー線８２を選択的に照射して屈折率の異なる部位を形成しても良い。

上述した方法により、第１樹脂と、酸発生剤および／または酸発生剤に由来する酸とを含む第１層３と、第１層３の少なくとも一方の面に積層され、前記第１樹脂と異なる第２樹脂を含み、かつ第１層３よりも屈折率が低い第２層５および／または前記第１樹脂と異なる第３樹脂を含み、かつ第１層３よりも屈折率が低い第３層７とを有する光導波路であって、第２層５および／または第３層７が、さらに酸捕捉剤を含むことを特徴とする光導波路１０を得ることができる（図５）。

（第２実施形態）
次に、他の実施形態について説明する。
図６は、光導波路１０の別の実施態様を示したものである。図１の実施形態と異なる部分について説明する。
図６に示す光導波路１０には、第１層３と第２層５との間に第１層３よりも屈折率の低い第４層５１が設けられており、第１層３と第３層７との間に第１層３よりも屈折率が低い第５層７１が設けられている。この層構成の場合、上下クラッド層である第４層５１および第５層７１は酸捕捉剤を含有する必要がなく、かつ酸捕捉剤含有層である第２層５および第３層７は透明である必要がないため材料選択の幅（第２層５および第３層７の材料選択の幅）を広げるという意味のメリットがある。

この図６に示すような層構成の場合、酸捕捉剤は上下クラッド層となる第４層５１および第５層７１を通ってコア層（第１層３）に浸透し、その機能を発揮すると考えられる。したがって、第２層および第３層については、第１層３との屈折率差等を考慮することがなくなり、材料選択の余地を広げることができる。
本実施形態では、第２層および第３層については、第１実施形態と同様のものを用いて説明しているが、これに限定されず、ポリイミドフィルム等のいわゆるカバー層を用いてもよい。

次に、光配線、光電気混載基板および電子機器について簡単に説明する。
本発明の光配線は、上述したような光導波路１０を有している。これにより、導波路製造プロセスにおいて現像やＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）などを経る必要がないために加工の自由度を向上することができる。
また、本発明の光電気混載基板は、電気配線と、上述したような光導波路１０を有する光配線とを有している。これにより、従来の電気配線で問題となっていたＥＭＩ（電磁波障害）の改善が可能となり、従来よりも信号伝達速度を大幅に向上することができる。
また、本発明の電子機器は、上述したような光導波路１０を有している。これにより、省スペース化を図ることができる。
このような電子機器としては、具体的にはコンピューター、サーバー、携帯電話、ゲーム機器、メモリーテスター、外観検査ロボット等を挙げることができる。

（実施例１）
（１．第１層（コア層）の形成）
まず、第１層を構成する第１樹脂の調製について説明する。
ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）（８．９４ｇ、０．０５ｍｏｌ）、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン (ｄｉｐｈＮＢ)（１６．１ｇ、０．０５ｍｏｌ）、１−ヘキセン（４．２ｇ、０．０５ｍｏｌ）およびトルエン（１４２．０ｇ）を２５０ｍＬのシーラムボトルで混合し、オイルバスで１２０℃に加熱して溶液を形成した。この溶液に［Ｐｄ（ＰＣｙ_３）_２（Ｏ_２ＣＣＨ_３）（ＮＣＣＨ_３）］テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート(Ｐｄ１４４６)（５．８Ｅ−３ｇ、４．０Ｅ−６ｍｏｌ）およびＮ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート（ＤＡＮＦＡＢＡ）（３．２Ｅ−３ｇ、４．０Ｅ−６ｍｏｌ）を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で、加えた。添加後、得られた溶液を１２０℃で６時間維持した。勢いよく攪拌された混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。沈殿した共重合体はろ過して集め、８０℃のオーブンで真空で乾燥させた。乾燥後の重量は１２．０ｇであった（４８％）。共重合体の分子量をＴＨＦ溶媒中でＧＰＣにより測定すると(ポリスチレン換算)、Ｍｗ＝１６，１９６およびＭｎ＝８，４４８であった。共重合体の組成を１Ｈ−ＮＭＲで測定すると、５４／４６ ＨｘＮＢ／ｄｉＰｈＮＢであった。ポリマーの屈折率をプリズムカップリング法で測定したところ、波長６３３ｎｍで、ＴＥモードで１．５５６９であり、ＴＭモードで１．５５５５であった。乾燥させた共重合体を十分なメシチレンに溶解して３０ｗｔ％の樹脂溶液とした。

上述の樹脂溶液１０．０ｇに、ビス−ノルボルネンメトキシジメチルシラン(ＳｉＸ、ＣＡＳ ３７６６０９−８７−９)(０．７２ｇ、０．００２４５ｍｏｌ)、Ｐｄ（ＰＣｙ_３）_２（ＯＡｃ）_２（Ｐｄ７８５）（４．９４Ｅ−４ｇ、６．２９Ｅ−７ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ（登録商標）ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ ２０７４（ＣＡＳ １７８２３３−７２−２、 ニュージャージー州クランベリーのＲｈｏｄｉａ Ｉｎｃ社から入手）(２．５５Ｅ−３ｇ、２．５１６Ｅ−６ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中)を加えて均一に混合し、０．２ミクロンの細孔のフィルターでろ過して第１樹脂組成物のワニスとした。

得られた第１樹脂組成物のワニスを、ドクターブレードによって離型処理ＰＥＴフィルム上に均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ^２で選択的に照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分間、８５℃で３０分間、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れた第１層が確認された。得られた光導波路を離型処理ＰＥＴフィルムから剥離して単層の光導波路フィルムを得た。

（第２樹脂層および第３樹脂層の形成）
第２樹脂として環状オレフィン系樹脂を含むノルボルネン系樹脂組成物（プロメラス社製 Ａｖａｔｒｅｌ２５９０の２０重量％２−ヘプタノン溶液、１０ｇ）に、酸捕捉剤として２−エチル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、品番２Ｅ４ＭＺ）（０．０４ｇ）を添加して第２樹脂組成物を得た。
また、同じ樹脂組成物を用いて第３樹脂組成物を得た。

得られた第２樹脂組成物および第３樹脂組成物を、それぞれポリイミドフィルム上（宇部興産株式会社製、Ｕｐｉｌｅｘ）にドクターブレードで均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、乾燥機中１６０℃で２時間加熱して、塗膜を硬化させて、第２樹脂層および第３樹脂層を形成した。得られた第２層および第３層の厚さは、共に２０μｍであり、無色透明であり、屈折率は１．５２（測定波長；６３３ｎｍ）であった。

（光導波路の製造）
上述の第１樹脂層の両面に、前記条件で塗布乾燥したＵｐｉｌｅｘ上の第２樹脂層および第３樹脂層を、ラミネータで積層して、積層体を得た。得られた積層体を１６０℃、２時間の条件で熱処理して最終的に光導波路を得た。得られた光導波路の光伝搬損失をカットバック法にて測定したところ、８５０ｎｍの光伝搬損失が０．０４ｄＢ／ｃｍと低い値を示し、優れた光導波路であることが分かった。さらに耐湿熱性を調べるために、８５℃／８５％ＲＨの恒温恒湿槽に投入し１，０００時間処理するという加速試験を行った後の光伝搬損失を同様の方法で測定したところ０．０４ｄＢ／ｃｍと変化しなかった。また、外観も湿熱処理前後で変化しなかった。よって光学特性、耐湿熱性に優れた光導波路であることが分かった。

（実施例２）
第２層および第３層に含まれる酸捕捉剤の含有量を、下記のようにした以外実施例１と同様にした。
酸捕捉剤を、第２樹脂溶液および第３樹脂溶液のそれぞれ１０ｇに対して０．１２ｇ添加した。
得られた光導波路について実施例１と同様の評価を行った。その結果初期の光伝搬損失が０．０５ｄＢ／ｃｍと低損失で、湿熱処理後の光伝搬損失についても０．０６ｄＢ／ｃｍとほとんど変化しなかった。また、外観についても湿熱処理前後で変化が見られなかった。

（実施例３）
第２層および第３層に含まれる酸捕捉剤の含有量を、下記のようにした以外実施例１と同様にした。
酸捕捉剤を、第２樹脂溶液および第３樹脂のそれぞれ１０ｇに対して０．０１ｇ添加した。
得られた光導波路について実施例１と同様の評価を行った。その結果初期の光伝搬損失が０．０６ｄＢ／ｃｍと低損失で、湿熱処理後の光伝搬損失についても０．０７ｄＢ／ｃｍとほとんど変化しなかった。また、外観についても湿熱処理前後で変化が見られなかった。

（実施例４）
第２層および第３層に含まれる捕捉剤として以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
酸捕捉剤として、２，６−ジ−ｔＢｕ−４メチルピリジン（東京化成工業株式会社製）を用いた。
得られた光導波路について実施例１と同様の評価を行った。その結果初期の光伝搬損失が０．０５ｄＢ／ｃｍと低損失で、湿熱処理後の光伝搬損失についても０．０５ｄＢ／ｃｍと変化しなかった。また、外観も湿熱処理前後で変化しなかった。

（比較例１）
第２層および第３層に酸捕捉剤を添加しない事以外は、実施例１と同様にした。
得られた光導波路について実施例１と同様の評価を行った。その結果初期の光伝搬損失が０．０５ｄＢ／ｃｍと低損失であったが、湿熱処理後の光伝搬損失は０．１７ｄＢ／ｃｍと若干変化した。また湿熱処理後の外観は僅かに黄色く着色し、パターンも若干不鮮明になった。

通常の湿熱条件下では、実施例および比較例で得られた光導波路の長期信頼性にあまり相違は観察できないが、上述したような高温高湿度での加速試験を行った場合、実施例１〜４の光導波路は、比較例１の光導波路に比べて湿熱処理後の伝搬損失が低くなっており、長期信頼性に優れていた。
なお、上述した実施形態では、ノルボルネン系樹脂について詳細に検討したが、本発明の効果はこれに限定されず、アクリル系樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリシラン樹脂等についても適用可能と推測される。

本発明によれば、高耐熱性、低吸水性で光学特性に優れたプラスチック光導波路が得られることから、本発明の光導波路は、光インターコネクション、光デバイス、光電気混載回路基板の分野で広範に利用できると考えられる。

１ ワニス
２ 支持基板
３ 第１層
３１ コア部
３２ クラッド部
４ ワニス
５ 第２層
５１ 第４層
６ ワニス
７ 第３層
７１ 第５層
８ マスク
８１ 開口部
８２ 活性エネルギー線
１０ 光導波路

Claims (18)

1. 第１樹脂と、酸発生剤または酸発生剤に由来する酸と、を含む第１層と、
   前記第１層の少なくとも一方の面に積層され、前記第１樹脂と異なる第２樹脂と酸捕捉剤とを含み、かつ前記第１層よりも屈折率が低い第２層と、
   を有し、
   前記第２層における前記第２樹脂に対する前記酸捕捉剤の含有率は、前記第１層における前記第１樹脂に対する前記酸発生剤の含有率または前記酸発生剤に由来する酸の含有率より大きいことを特徴とする光導波路。
2. 前記第１層の他方の面に、さらに前記第１樹脂と異なる第３樹脂を含み、かつ前記第１層よりも屈折率が低い第３層を積層してなる請求項１に記載の光導波路。
3. 前記第３層は、さらに酸捕捉剤を含むものである請求項２に記載の光導波路。
4. 前記酸捕捉剤は、アミン系化合物である請求項１ないし３のいずれかに記載の光導波路。
5. 前記アミン化合物が、３級アミンである請求項４に記載の光導波路。
6. 前記アミン化合物が、イミダゾール類である請求項５に記載の光導波路。
7. 前記第１樹脂は、環状オレフィン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリアミド系樹脂およびアクリル系樹脂から選ばれる１種以上の樹脂である請求項１ないし６のいずれかに記載の光導波路。
8. 前記第１樹脂は、酸発生剤の作用により解裂または架橋を生じるものである請求項１ないし７のいずれかに記載の光導波路。
9. 請求項１ないし８のいずれかに記載の光導波路を備えたことを特徴とする光配線。
10. 電気配線と、請求項９に記載の光配線とを、有することを特徴とする光電気混載基板。
11. 請求項１ないし８のいずれかに記載の光導波路を備えたことを特徴とする電子機器。
12. 第１樹脂と酸発生剤とを含む第１樹脂組成物で構成されている第１層の少なくとも一方の面に、第１樹脂と異なる第２樹脂および酸捕捉剤を含む第２樹脂組成物で構成され、かつ前記第１層よりも屈折率が低い第２層を積層する積層工程と、
    前記第１層に選択的に活性エネルギー線を照射して屈折率の異なる部位を形成する照射工程と、
    を有し、
    前記第２樹脂組成物における前記第２樹脂に対する前記酸捕捉剤の含有率は、前記第１樹脂組成物における前記第１樹脂に対する前記酸発生剤の含有率より大きいことを特徴とする光導波路の製造方法。
13. 前記照射工程の後に、前記積層工程を実施するものである請求項１２に記載の光導波路の製造方法。
14. 前記第１層の他方の面に、さらに前記第１樹脂と異なる第３樹脂を含む第３樹脂組成物で構成され、かつ前記第１層よりも屈折率が低い第３層を積層する工程を有するものである請求項１２または１３に記載の光導波路の製造方法。
15. 前記第３樹脂組成物は、さらに酸捕捉剤を含むものである請求項１４に記載の光導波路の製造方法。
16. 前記酸捕捉剤の含有量は、前記第２樹脂１００重量部に対して０．０１〜１０重量部である請求項１２ないし１４のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
17. 前記酸捕捉剤は、前記活性エネルギー線の照射でコア部と、クラッド部とを形成した後に、残存する酸を捕捉するために用いるものである請求項１２ないし１６のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
18. 前記第１樹脂組成物は、さらに前記酸発生剤の作用により重合するモノマーを含む請求項１２ないし１７のいずれかに記載の光導波路の製造方法。

Images