JP5470766B2 - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
(1)前記デバイス形成工程は、シリコン基板にデバイスを形成するステップとその後の前記シリコンウェーハの裏面を研削することにより所定の厚みとし、研削による残留応力歪みを除去する研削ステップを含むこと、
(2)前記研削ステップが、バックグラインドにより実施されること、
(3)前記ゲッタリング工程が、前記シリコンウェーハをメタルステージに載せ、シリコン表面に少なくとも1つの電極を付け、前記メタルステージと前記電極の間で電圧を印加すること、
(4)前記電極と接触するシリコン表面は、予め表面の酸化膜が除去されていること、
(5)シリコン表面のスクライブラインに前記電極が予め設けられていること
(6)前記印加される電圧は、1〜100Vの範囲であること、
(7)前記電圧印加は、前記シリコンウェーハを50〜200℃に加熱して行うこと、
(8)前記裏面側に集められる金属が銅を含むこと。
シリコンウェーハの表面に半導体デバイスを形成するデバイス形成工程と、
前記デバイス形成工程後、前記シリコンウェーハの前記表面と裏面の間に、裏面がマイナスになるように電圧を印加してウェーハ中の金属を前記裏面側に集めるゲッタリング工程を含むこと特徴とする。
図1に示すように、粗いバックグラインド及び薄仕上げバックグラインドが終わった30μm厚の素子ウェーハを、ウェーハ裏面を下にして、Cuのホットステージに載せ、ウェーハ表面の素子を作り込んでいないウェーハのエッジ4カ所(0,3,6,9時方向)に電極を取り付け、ウェーハ表面がプラス、裏面がマイナスになるように電圧をかけた。かけた電圧は20Vである。ウェーハはCuのホットステージで100℃に加熱し、10min加熱し、シリコンウェーハ中のCuを裏面に外方拡散させることでゲッタリング処理を行った。
Claims (6)
- シリコンウェーハの表面に半導体デバイスを形成するステップと、その後に前記シリコンウェーハの裏面をバックグラインドにより研削することにより前記シリコンウェーハを20〜50μmの範囲の厚みに薄膜化し、研削による残留応力歪みを除去する研削ステップと、を含むデバイス形成工程と、
前記デバイス形成工程後、前記シリコンウェーハの前記表面と裏面の間に、裏面がマイナスになるように電圧を印加してウェーハ中の銅を前記裏面側に集め前記裏面の表面または該表面近傍において酸化物ないし化合物として固定化するゲッタリング工程(ただし、前記シリコンウェーハにゲッタリングサイトは形成しない。)と、
を含むことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 前記ゲッタリング工程が、前記シリコンウェーハをメタルステージに載せ、シリコン表面に少なくとも1つの電極を付け、前記メタルステージと前記電極の間で電圧を印加する、請求項1に記載の製造方法。
- 前記電極と接触するシリコン表面は、予め表面の酸化膜が除去されている、請求項2に記載の製造方法。
- シリコン表面のスクライブラインに前記電極が予め設けられている、請求項2に記載の製造方法。
- 前記印加される電圧は、1〜100Vの範囲である、請求項1〜4のいずれかに記載の製造方法。
- 前記電圧印加は、前記シリコンウェーハを50〜200℃に加熱して行う、請求項1〜5のいずれかに記載の製造方法。
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